CN1466165A - 偏转装置 - Google Patents

Abstract

附装在阴极射线管以偏转电子枪发出的电子束的偏转装置包括：线圈隔离器，具有喇叭形；以及电绝缘偏转线圈；水平偏转线圈，具有一对位于线圈隔离器内侧的上和下线圈，以产生在水平方向上偏转电子束的水平偏转磁场；垂直偏转线圈，具有位于线圈隔离器外侧的一对右和左线圈，以产生垂直偏转磁场；还具有偏转线圈部分和从偏转线圈部分延伸出的弯曲线圈部分，以产生磁场，该磁场与位于靠近该弯曲线圈部分的偏转线圈部分的部分产生的另一个磁场的方向相反，而且弱化了该偏转线圈部分产生的另一个磁场；还具有垂直半径和不同于垂直半径的水平半径；以及铁氧体磁芯，具有盖住该垂直偏转线圈的偏转线圈部分的一部分的圆柱形状，以加强垂直偏转磁场和水平偏转磁场。垂直偏转线圈的角区部分产生的磁场被弱化，以校正屏幕的枕形失真和失聚。

Description

偏转装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2002年6月28日向韩国知识产权局提交的第2002-36554号韩国专利申请的权利，并在此对其公开的内容进行交叉引用。

技术领域

本申请涉及一种偏转装置，特别涉及用于进行屏幕失真补偿的偏转装置。

背景技术

通常，根据偏转装置在监视器或电视的阴极射线管(CRT)中使用的偏转线圈，偏转装置具有各种类型，诸如鞍环形(Saddle toroidal)马鞍和鞍形等。

例如，以一定形状形成的绕组线圈被称作马鞍或马鞍形(绕组框架的形状(winding frame type))偏转线圈，在磁性材料的圆筒形铁氧体磁心上形成的绕组线圈称作鞍环形偏转装置，而在圆柱形绕线筒上形成的绕组线圈称作绕线筒形偏转装置。

图1到图3示出了现有技术中的采用了一种上述的偏转线圈的偏转装置1，图1示出了现有技术中的采用偏转线圈的偏转装置的部分剖视图，图2示出了现有技术中的偏转装置的剖视图，而图3示出了沿图2中的A-A线的剖视图。

如图1到图3所示，偏转装置1是对称的，而且具有线圈隔离器(coil seperator)10，该分离器具有一对形成为一体的部分。

线圈隔离器10包括屏幕部分11，它具有CRT的屏板2a，从屏幕部分11延伸出而形成的后盖12，和从后盖12的中心部分延伸出的颈状部分，该颈状部分将与CRT的电子枪耦合。

在线圈隔离器10A的内侧和外侧分别具有水平偏转线圈20，它分别具有产生水平磁场以在水平方向上偏转电子束的一对上和下部分的水平偏转线圈20，以及产生垂直磁场以在垂直方向上偏转电子束的一对左和右部分的垂直偏转线圈30。该水平偏转线圈20和垂直偏转线圈30被共同称作偏转线圈。

铁氧体磁芯40具有圆柱形状并由磁性材料制成，它位于垂直偏转线圈30的外侧以加强水平磁场和垂直磁场。铁氧体磁芯40的安装以盖住除了垂直偏转线圈30的前部和后部以外的垂直偏转线圈30。如图2所示，铁氧体磁芯40盖住了该垂直偏转线圈30的中间部分。

水平偏转线圈20和垂直偏转线圈30分别具有弯曲线圈22、32，它们各自具有向外的凸缘形状，和在它们的前部和后部的颈状弯曲线圈24、34。

弯曲线圈部分24、34可以不具有向外的凸缘形状，而是其他的形状。不具有向外的凸缘形状的偏转线圈称作非弯曲形(unbent type)偏转线圈。

现有技术中的偏转装置1将结合图3进行说明，在线圈隔离器10的内侧和外侧表面上分别具有一对水平偏转线圈20的上和下部分。在线圈隔离器10的左侧和右侧表面上分别具有一对垂直偏转线圈20的左和右部分。该铁氧体磁芯40位于该垂直偏转线圈30的外侧表面上。

现有技术中的偏转装置1具有水平偏转线圈20、线圈隔离器10、垂直偏转线圈30和铁氧体磁芯40，它们被顺序形成。

图4到6分别详细示出了产生垂直和水平磁场VB、HB的垂直和水平偏转线圈20、30的结构和各自的偏转力。图4是图2所示的现有技术中的偏转装置的垂直偏转线圈30的正视图，图5是图4所示的垂直偏转线圈30中的垂直偏转磁场VB的向下的垂直偏转力F的图，而图6示出了向下的垂直偏转力F和图5所示的垂直偏转线圈30中的电子束之间的关系图。

图4和5示出了作为偏转线圈的垂直偏转线圈30。因为水平偏转线圈20和垂直偏转线圈30的结构和功能一样，这里省略了对于水平偏转线圈20的结构和功能的说明。

如图4所示，现有技术中的偏转装置中使用的垂直偏转线圈30的弯曲线圈部分32包括无效的弯曲部分33，它产生了影响在垂直偏转线圈30的垂直磁偏转场VB中的电子束的垂直偏转力F的不必要的磁场。该无效弯曲部分33延伸到垂直偏转线圈30的上和下角部分。

偏转线圈部分35是从弯曲线圈部分32延伸出来的，以在垂直方向上产生垂直偏转磁场VB和垂直偏转力F，而且第一、第二、第三和第四偏转线圈部分35a、35b、35c和35d顺序形成在该偏转线圈部分35的从偏转装置1的垂直中心线到该偏转装置1的左侧或右侧之一的方向上。

第一、第二、第三和第四偏转线圈部分35a、35b、35c和35d延伸到该垂直偏转线圈30的后部以形成主体的颈状弯曲部分34，并位于该弯曲线圈部分32和颈状弯曲部分34之间。

第一、第二、第三和第四偏转线圈部分35a、35b、35c和35d各自的绕组数量(匝数比)沿第一偏转线圈35a到第四偏转线圈35d的方向减少，即，从垂直中心线到偏转装置1的左侧和右侧之一，在从第一偏转线圈35a到第四偏转线圈35d的方向上，垂直偏转力F减小。

例如，第一偏转线圈35a到第四偏转线圈35d的匝数比表示为15∶9∶7∶3。如果第四偏转线圈部分35d的绕组数大于第一、第二、第三偏转线圈部分35a、35b、35c的绕组数，第四偏转部分35d产生的磁场的区域被加强，并随后变得强于第一、第二、第三偏转线圈部分35a、35b、35c产生的垂直偏转磁场VB的其他的区域，以在纵向上向第四偏转线圈部分35d而不是向垂直方向偏转电子束。

如果电子束被纵向偏转到第四偏转线圈部分35d，也就是说，该垂直偏转线圈30的靠近弯曲线圈部分32的上和下角部分，则在屏板2a的屏幕上，由于电子束被向着屏板2a的屏幕的角上扫描而产生枕形失真现象。结果是，在屏板2a上不可能显示正常的屏幕。

因此，为了避免枕形现象，第四偏转线圈部分35d的绕组数可以调节到小于第一、第二、第三偏转线圈部分35a、35b、35c的绕组数。

但是，在偏转装置的设计中，存在着将第四偏转线圈部分35d的绕组数最小化的实际的限制。即使第四偏转线圈部分35d的绕组数减小到可允许的最小值，电子束由于第四偏转线圈部分35d产生的磁场而向着屏幕的角上偏转，而使枕形失真(Pinchcushion distortion)现象仍旧会出现在屏板2a的屏幕上。

即，仅仅调整第四偏转线圈部分35d的绕组数，是不可能防止电子束向着屏幕的角上纵向偏转的。

如图5所示，偏转线圈30在垂直偏转磁场VB中产生垂直偏转力F，而且该图5的垂直偏转力F表示为垂直偏转电子束的向下的力。

在图5中，当垂直偏转力F是在垂直向下的方向上偏转电子束的向下的力时，电流I从偏转线圈部分35的左或右的上部流向偏转线圈部分35的左或右的下部通过弯曲线圈部分32。垂直偏转磁场VB根据弗来明定律(Fleming’s rule)(右旋法则)在电流I的方向上产生。

根据垂直偏转线圈30的偏转线圈部分35形成的垂直偏转磁场VB在垂直方向上偏转电子束，该垂直偏转力F由垂直偏转磁场VB在向下方向上产生。

根据弗来明定律(左手法则)，该垂直偏转力F由垂直偏转磁场VB和电流I的方向而在向下的方向上产生。

弯曲线圈部分32产生的非必要磁场可以不作用于垂直偏转力F，因为非必要磁场的磁力不明显。

如图6所示，现有技术中的偏转装置1的垂直偏转线圈30形成的垂直偏转磁场VB表示为桶形磁场，其中该垂直偏转磁场VB的两侧(左和右角区域)区域强于该垂直偏转磁场VB的中心区域。相对于垂直偏转线圈30的水平中心线，桶形磁场示出了垂直偏转磁场VB的中心区域的磁场强度表示为“convex”，而垂直偏转磁场VB的侧向区域的磁场强度表示为“concave”。

结果是，垂直偏转磁场VB的中心区域的分布与电子束有距离，而垂直偏转磁场VB的侧向区域(左和右角区域)的分布靠近该电子束。R、G、和B电子束共同被称作电子束。

因此，电子束被强力偏转，以向该垂直偏转磁场VB的两侧区域而非该垂直偏转磁场VB的中心区域延伸。

由于第四偏转线圈35d的磁场，垂直偏转磁场VB的两侧区域形成的磁场强于垂直偏转磁场VB的中心区域。

水平偏转磁场HB是在屏板2a上显示的屏幕的左或右方向上偏转电子束的偏转磁场，而且由水平偏转线圈20形成。

在该水平偏转磁场HB中，中心部分表示为“concave”，两侧区域(上和下角区域)表示为“convex”。即，水平偏转磁场HB的中心区域弱于该水平偏转磁场HB的侧向区域。尽管水平偏转磁场HB的中心区域的分布靠近电子束，但是电子束由于水平偏转磁场HB的侧向区域而向着屏幕的角区域纵向偏转。

即，由于水平偏转磁场HB的中心区域和水平偏转磁场HB的侧向区域之间的磁差(magnetic difference)不明显，所以电子束不会向屏幕的最左或向最右偏偏转，而是纵向向着屏幕的角区偏转。

图7和8示出了垂直偏转线圈30产生的垂直偏转力F为向上的偏转力。图7是示出图4所示的垂直偏转线圈30中的垂直偏转磁场VB的向上的偏转力F的另外的视图，而图8是示出图7所示的垂直偏转线圈30中的电子束和向上的偏转力之间的关系的另一视图。

在图7中，由于垂直偏转磁场VB形成于与图6中的方向相反的方向上，电流I沿与图5中的方向相反的方向流动，以产生向上偏转力。

因此，该垂直偏转力F是向上偏转力，它是由于电流I和垂直偏转磁场VB产生的，而且由于该垂直偏转力F，所以电子束向上偏转。

如图8所示，垂直偏转线圈30形成的垂直偏转磁场VB的强度表现为桶形磁场，其中相对于垂直偏转线圈30的水平中心线，该垂直偏转磁场VB的两侧区域为“concave”，而垂直偏转磁场VB的中心区域为“convex”而该电子束向着屏幕的角区而是向着屏板2a上的屏幕的最上或最下侧偏转。结果是，在屏幕上发生枕形失真现象。

结合图9和10对该枕形失真现象进行详细说明。图9是示出在图1的阴极射线管的屏板2a上扫描电子束的过程的另一视图。而图10是示出了在图1的阴极射线管中的现有技术中的偏转装置1引起的屏幕失真的另一视图。

图9是屏板2a的平面图，它被描述为直线。R、G、B电子束会聚于虚线代表的屏板2a的圆形表面。但是如果屏板2a是平面(实线)，R、G、B电子束穿过该虚线，彼此交叉，而且纵向向着屏板2a的屏幕的侧部或角区偏转。

该R、G、B电子束不仅纵向向着屏板2a的屏幕的侧部或角区部偏转，而且还产生失聚(misconvergence)，其中R、G、B电子束相对于G电子束不会会聚到一点上。

当R、G、B电子束纵向向着屏板2a的屏幕的角区或侧部偏转时，会发生图10所示的枕形现象的几何失真。例如，分别由于水平偏转磁场HB和垂直偏转磁场VB而产生的左或右的E-W失真和上和下的N-S失真。

尽管这种电子束向着屏幕的角区或侧部偏转的图象失真现象，可能会由于屏板2a的屏幕的平面表面而发生，该图象失真现象也可能会由于在垂直偏转线圈30的偏转线圈部分35中形成的第四偏转线圈35d产生的磁场而发生。

即，由于该第四偏转线圈35d的磁场，该具有中心区域concave和侧部区域convex的垂直偏转磁场向着屏板2a的屏幕的角区或侧部纵向偏转该电子束。

结果是，图象屏幕有从正常位置突出的角部和带有枕形曲线的中心区域。

为了补偿枕形现象的失真，永久磁体或磁性物质(未示出)可以附装于偏转装置1的线圈隔离器10的屏板2a，以加强(校正)该桶形磁场或针(pin)形磁场。

当在垂直偏转线圈30中的垂直偏转磁场VB的中心区域弱于该垂直偏转磁场VB侧部区域时，该永久磁体或磁性材料附装到屏板2a以加强垂直偏转磁场VB的中心区域，以将电子束主要向着屏幕的最上或最下区域偏转。

至于水平偏转线圈20，通过附装永久磁体或磁性材料到屏板2a，使得水平偏转磁场HB加强，从而相对于垂直偏转磁场VB的中心区域而弱化垂直偏转磁场VB的侧向区域的磁场。

如果该垂直偏转磁场VB的中心区域得到了校正，则电子束可以向着屏板2a的屏幕的最左或最右侧偏转。

尽管使用永久磁体或磁性材料可以使一定数量的枕形失真得到校正，但是由于需要准备额外的永久磁体或磁性材料并附装到阴极射线管，而增加了部件的数量和生产过程。

如上所述，在现有技术中的偏转装置中，由于将垂直偏转线圈30产生的偏转磁场VB描述为中心区域为convex的桶形，电子束向着屏幕的角区纵向偏转，从而产生了在屏幕上的枕形失真。

此外，产生的水平偏转磁场HB的中心区域应该强于侧向区域(上和下角区域)。但是，因为在水平偏转磁场HB的中心区域和侧向区域(上和下角区域)之间的差异不明显，电子束不能够向着屏幕的最左或最右侧部偏转，从而在屏幕上产生了枕形失真。

上述问题之一可以通过调节该垂直偏转线圈30中的第四偏转线圈35d的绕组数量来解决，但是，很难根据绕组的数量来形成第四偏转线圈35d的绕组。

此外，如果使用永久磁体或磁性材料来校正该枕形失真，则增加了部件数量，生产过程变的复杂，而且增加了偏转装置1的生产成本。

再有，如果使用偏转装置1的阴极射线管具有平面屏板，则由于延伸了电子束到达屏板2a的路径，而发生失聚现象。

发明内容

为了解决上述的和其他的问题，本发明的一个目的是提供能够补偿失聚和屏幕失真的偏转装置。

本发明的另一个目的是提供一种能够在阴极射线管中避免影响屏幕和电子束的特性的偏转装置。

本发明的另外的目的和优点将在下面分部分进行阐述，而且从说明或本发明的实施中明显地部分的得出。

为了实现本发明的一个方面，附装在阴极射线管以偏转电子枪发出的电子束的偏转装置包括：线圈隔离器，具有喇叭形；以及电绝缘偏转线圈；水平偏转线圈，具有一对位于线圈隔离器内侧的上和下线圈，以产生在水平方向上偏转电子束的水平偏转磁场；垂直偏转线圈，具有位于线圈隔离器外侧的一对右和左线圈，以产生垂直偏转磁场；还具有偏转线圈部分和从偏转线圈部分延伸出的弯曲线圈部分，以产生磁场，该磁场与位于靠近该弯曲线圈部分的偏转线圈部分的部分产生的另一个磁场的方向相反，而且弱化了该偏转线圈部分产生的另一个磁场；还具有垂直半径和不同于垂直半径的水平半径；以及铁氧体磁芯，具有盖住该垂直偏转线圈的偏转线圈部分的一部分的圆柱形状，以加强垂直偏转磁场和水平偏转磁场。

根据本发明的另一方面，垂直偏转线圈的垂直半径和水平半径的比例为1∶0.5到0.8。

根据本发明的另一方面，靠近屏幕的弯曲线圈部分与靠近该弯曲线圈部分的偏转线圈部分成15到45度角。

根据本发明的另一方面，该垂直偏转线圈形成在绕线筒上。

根据本发明的另一方面，该垂直偏转线圈具有的水平半径比铁氧体磁芯的小。

为了实现本发明的另一方面，附装在阴极射线管以偏转电子枪发出的电子束的偏转装置包括：线圈隔离器，具有喇叭形；以及电绝缘偏转线圈；水平偏转线圈，具有一对位于线圈隔离器内侧的上和下线圈，以产生在水平方向上偏转电子束的水平偏转磁场；垂直偏转线圈，具有位于线圈隔离器外侧的一对右和左线圈，以产生垂直偏转磁场；还具有偏转线圈部分和从偏转线圈部分延伸出的弯曲线圈部分，以产生磁场，该磁场与位于靠近该弯曲线圈部分的偏转线圈部分的部分产生的另一个磁场的方向相反，而且弱化了该偏转线圈部分产生的另一个磁场；还具有垂直半径和不同于垂直半径的水平半径；以及铁氧体磁芯，具有盖住该垂直偏转线圈的偏转线圈部分的一部分的圆柱形状，以加强垂直偏转磁场和水平偏转磁场。

根据本发明的另一方面，垂直偏转线圈的垂直半径和水平半径的比例为1∶0.5到0.8。

根据本发明的另一方面，靠近屏幕的弯曲线圈部分与靠近该弯曲线圈部分的偏转线圈部分成15到45度角。

根据本发明的另一方面，该垂直偏转线圈形成在绕线筒上。

附图说明

本发明的这些和其他的优点将通过下面结合附图对优选实施例所做的说明而变的明了和更加易理解，其中：

图1示出了在阴极射线管中采用偏转线圈的现有技术中的偏转装置的部分剖视图；

图2示出了图1所示的现有技术中的偏转装置的剖视图；

图3示出了沿图2的A-A线的剖视图；

图4示出了图2所示的现有技术中的偏转装置的垂直偏转线圈的正视图；

图5示出了图4所示的垂直偏转线圈中的垂直偏转磁场的向下偏转的简图；

图6示出了图5所示的垂直偏转线圈中的向下的偏转力和电子束之间的关系的另一简图；

图7示出了图4所示的垂直偏转线圈中的垂直偏转磁场的向上偏转的另一简图；

图8示出了图5所示的垂直偏转线圈中的向上的偏转力和电子束之间的关系的另一简图；

图9示出了在图1所示的阴极射线管的屏板上扫描电子束的过程的另一简图；

图10示出了在图1所示的阴极射线管中的现有技术中的偏转装置所引起的屏幕失真的另一简图；

图11示出了根据本发明的的优选实施例的阴极射线管中的偏转装置的部分剖视图；

图12示出了图11所示的偏转装置的剖视图；

图13示出了图12所示的偏转装置的透视图；

图14示出了图13所示的垂直偏转线圈的正视图；

图15示出了图14所示的垂直偏转线圈中的垂直偏转磁场的向下的偏转力；

图16示出了图12中所示的水平偏转线圈的正视图；

图17示出了图16所示的水平偏转线圈中的水平偏转磁场和电子束之间的关系的简图；

图18示出了图11所示的示出了偏转装置产生的屏幕的屏板的简图；

图19示出了根据本发明的另一实施例的偏转装置的分解视图；

图20A到20D分别示出了图19所示的偏转装置的正视图、后视图、平面视图和侧视图；以及

图21示出了图19所示的偏转装置的垂直偏转线圈。

具体实施方式

现在，参照附图对本发明的实施例进行详细说明，其中相同的标号用于在所有的图中的相同的部件。为了说明本发明，在下面结合附图对实施例进行说明。

图11示出了根据本发明的优选实施例的阴极射线管2中的偏转装置100的部分剖视图，而图12示出了图11所示的偏转装置100的剖视图。

如图11和12所示，偏转装置100包括对称放置的线圈隔离器10，并具有形成为一个整体的一对半个部分(half portion)。

线圈隔离器10包括屏幕部分11，它具有CRT2的屏板2a，以及从后盖12的中心部分延伸以与CRT2的电子枪耦合的颈状部分。

在线圈隔离器10的内侧和外侧，分别具有一对产生水平磁场以在水平方向上偏转电子束的上和下部分的水平偏转线圈200，以及一对产生垂直磁场以在垂直方向上偏转电子束的左和右部分的垂直偏转线圈300。该水平偏转线圈200和垂直偏转线圈300被共同称作偏转线圈。

铁氧体磁芯40具有圆柱形状并由磁性材料制成，它位于垂直偏转线圈300的外侧以加强水平磁场和垂直磁场。铁氧体磁芯40的安装以盖住除了垂直偏转线圈300的前部和后部以外的垂直偏转线圈300。如图12所示，铁氧体磁芯40盖住了该垂直偏转线圈300的中间部分。

水平偏转线圈200和垂直偏转线圈300分别具有弯曲线圈220、320，它们具有外向凸缘形状，和在它们的前部和后部的颈状弯曲部分240、340。弯曲线圈部分220、320与水平偏转线圈200和垂直偏转线圈300的弯曲线圈部分240、340形成为一体。弯曲线圈220、320靠近屏板2a。弯曲线圈220、320被延伸以与CRT2的Z轴交叉。CRT2的Z轴与CRT2的屏板2a的屏幕垂直。

水平偏转线圈200和垂直偏转线圈300在绕组形成后被制作成绕组框架(winding frame)。

结合附图13到15说明垂直偏转线圈300，图13示出了图12所示的偏转装置300的透视图，图14示出了图13所示的垂直偏转线圈300的正视图，图15示出了图14所示的垂直偏转线圈300中的垂直偏转磁场VB的向下的偏转力。

如图13到15所示，尽管偏转装置100的垂直偏转线圈300产生垂直偏转磁场VB以在垂直方向上偏转电子束，但是弯曲线圈部分320产生了不必要的磁场。

在图14中，无效弯曲部分(non-effective bent portion)330形成在无效线圈部分320内，以产生该非必要磁场，该磁场不应该影响垂直偏转磁场VB。该无效弯曲部分330从弯曲线圈部分320的上角部分延伸到该弯曲线圈部分320的下角部分。

偏转线圈部分350从该弯曲线圈部分320延伸以产生垂直偏转磁场VB，并包括第一、第二、第三和第四偏转线圈350a、350b、350c和350d，它们沿从垂直偏转线圈300的内侧到该垂直偏转线圈300的无效弯曲部分330的方向顺序形成。

第一、第二、第三和第四偏转线圈350a、350b、350c和350d的绕组数量(匝数比)可以与现有技术中的偏转装置的第一、第二、第三和第四偏转线圈相同。第四偏转线圈350d的绕组数小于第一、第二、第三偏转线圈350a、350b、350c的绕组数。

例如，第一、第二、第三和第四偏转线圈350a、350b、350c和350d的绕组数量的比率为15∶9∶7∶3。

根据本发明的一个方面，第四偏转线圈350d形成在垂直偏转线圈300的角区部分而且比第一、第二、第三偏转线圈350a、350b、350c更靠近弯曲线圈部分320的无效弯曲部分330。

如图14所示，该弯曲部分320的无效弯曲部分330与第四偏转线圈350d形成15到45度的角θ。该弯曲部分320的无效弯曲部分330在形状上不同于现有技术中的偏转装置而且其尺寸从代表现有技术的无效弯曲部分的虚线向着垂直偏转线圈350d的内侧收缩。

第四偏转线圈350d可以也在形状上不同于现有技术中的偏转装置，并且从代表现有技术中的第四偏转线圈向着图14中的虚线圆部分所示的无效弯曲线圈部分320的无效弯曲部分330移动。

第四偏转线圈350d通过与无效弯曲部分330形成角θ而比现有技术中的偏转装置更靠近弯曲线圈部分320。

根据本发明的另一方面，现有技术中的垂直偏转线圈可以在垂直方向上向下或向上延伸，以形成具有与第四偏转线圈350d形成角θ的无效弯曲部分330的垂直偏转线圈300。此时，延伸的垂直偏转线圈300的形状成为具有在垂直方向上的纵向中心线的椭圆形，而且如图14所示，对应于Y轴的垂直半径VR与对应于X轴的水平半径HR的比率为1∶0.5到0.8。

当对应于Y轴的垂直半径VR与对应于X轴的水平半径HR的比率为1∶0.5到0.8时，无效弯曲部分330与第四偏转线圈350d形成15到45度的角θ。

垂直偏转线圈300的垂直半径VR小于围绕垂直偏转线圈300的外侧的铁氧体磁芯的铁氧体水平半径。

电流I从垂直偏转线圈300的左或右上部流向垂直偏转线圈300的左或右下部通过弯曲线圈部分320和无效弯曲部分330。

在图14所示的垂直偏转线圈300的正视图中，电流I在第四偏转线圈350d和弯曲线圈部分320中以相反方向流动。根据弗来明定律，第四偏转线圈350d和弯曲线圈部分320各自的磁场为相反的方向。

由于无效弯曲部分330与第四偏转线圈350d形成15到45度的角θ，在根据本发明形成的偏转线圈中，会发生无效弯曲部分330的磁场被第四偏转线圈350d的磁场抵消的现象。

结果，第四偏转线圈350d的磁场弱于第一、第二、第三偏转线圈350a、350b、350c的磁场。

由于被第四偏转线圈350d的磁场抵消的弯曲线圈部分320的无效弯曲部分330产生的磁场是非必要磁场，所以，即使该弯曲线圈部分320的无效弯曲部分330的非必要磁场被第四偏转线圈350d抵消，电子束的偏转操作在偏转磁场VB中也不会受影响。

由于当无效弯曲部分330和第四偏转线圈350d在从各自的在传统装置中的传统的垂直偏转线圈的位置，移到如图14所示的位置并靠近平行位置放置，所以当角θ比在现有技术中的垂直偏转线圈中小时，抵消作用更有效而且最大。

由于第四偏转线圈350d的磁场能被无效弯曲部分330的磁场弱化，所以不必减少第四偏转线圈350d的绕组数量以弱化第四偏转线圈350d的磁场。

如图15所示，具有弱化的第四偏转线圈350d的磁场的偏转装置的垂直偏转磁场VB被表示为平滑的曲线形状。

与现有技术中的具有侧向区域concave(表示侧向区域的磁场强于其他区域)相比，垂直偏转磁场VB示出了如圆弧的平滑曲线形状的中心区域和侧向区域。垂直偏转磁场VB的两侧区域是通过改变L从现有技术中的偏转磁场变化而来，所以，减少了(弱化了)该垂直偏转磁场VB的侧向区域的磁场。

由于弱化了垂直偏转磁场VB的角区域的磁场，则由于现有技术中相对较强的现有技术中的第四偏转线圈的磁场而纵向延伸并向着屏幕的角区偏转的电子束，不再纵向偏转到屏幕的角区，而是即刻偏转到屏幕上对应的所希望的区域，因此，补偿了屏幕上显示的图像的枕形失真现象。

因为纵向延伸并向着屏幕的角区偏转的电子束被即刻偏转到了屏幕上对应的区域，所以通过校正现有技术中的垂直偏转磁场VB的圆桶形状而对枕形失真进行了校正。

当垂直偏转磁场VB变成接近于矩形的桶形时，枕形失真就得到了补偿。

如图16和17所示，水平偏转线圈200可以形成与垂直偏转线圈300相同的结构。图16示出了图12中所示的水平偏转线圈200的正视图，图17示出了图16所示的水平偏转线圈200中的水平偏转磁场HB和电子束之间的关系的简图。

形成的水平偏转线圈200与垂直偏转线圈300相似，只是水平偏转线圈200在水平方向上延伸，而垂直偏转线圈300在垂直方向上延伸。

水平偏转线圈200包括位于靠近CRT100的屏板11的弯曲线圈部分220，以及如同垂直偏转线圈200一样，具有有着无效弯曲部分230的偏转线圈部分，和从该弯曲线圈部分220延伸出的第一、第二、第三和第四偏转线圈250a、250b、250c和250d

第四偏转线圈250d位于与弯曲线圈部分220的无效弯曲部分230大致平行的位置，以形成与弯曲线圈部分220的无效弯曲部分230所成15到45度的水平角θ。

为了在弯曲线圈部分220的无效弯曲部分230与第四偏转线圈250d之间形成15到45度的水平角θ，弯曲线圈部分220的无效弯曲部分230的形状与现有技术中的偏转装置不同，并在尺寸上缩小了现有技术中的水平偏转线圈部分的无效弯曲部分。该弯曲线圈部分220在垂直方向上收缩，而在水平方向上伸展(左和右方向)。

当对应于X轴的水平半径HR与对应于Y轴的垂直半径VR的比率为1∶0.5到0.8时，无效弯曲部分230与第四偏转线圈250d形成15到45度的角。

电流I从第四偏转线圈250d和无效弯曲部分230中沿图16中的圆环所示的相反方向流动，并产生相反的磁场。如同垂直偏转线圈300一样，水平偏转线圈200的弯曲线圈部分220的无效弯曲部分230的磁场被第四偏转线圈250d的磁场抵消了。

当弱化了第四偏转线圈250d产生的磁场后，通过改变图17所示的现有技术中的水平偏转线圈的现有技术中的水平磁场的L’而改变了水平偏转磁场HB。即与现有技术中的水平偏转线圈的现有技术中的水平磁场相比，该水平偏转磁场HB的上和下部区域比中心区域弱得多。

由于R、G、B电子束在屏幕的中心区域比在屏幕的上和下角区域偏转的强烈，所以水平偏转磁场HB的中心区域变得靠近R、G、B电子束。R、G、B电子束被集体称为电子束。

水平偏转磁场HB在屏幕的中心区域的水平方向上对于电子束的偏转比屏幕的上和下角区域强烈，以向着屏幕的最左或最右区域偏转电子束。

如果向着屏幕的最左或最右区域偏转电子束，现有技术中的偏转线圈产生的现有技术中的枕形失真现象，就能够通过形成代表水平偏转线圈200形成的水平偏转磁场HB的校正的圆桶形状而被补偿和校正。

因为靠近水平偏转磁场HB的中心区域的B和R电子束受到加强的水平偏转力的影响，所以B和R电子束向着屏幕的最左或最右区域偏转，从而形成具有G电子束的点，即使屏幕的表面是平面。结果，校正了失聚。

即，通过加强水平偏转磁场HB的中心区域，能够同时校正枕形失真和失聚。

根据本发明形成的水平偏转线圈200和垂直偏转线圈300可以用于具有在CRT的背后部分上以向外延伸的凸缘形状形成的平展的颈状弯曲部分240、340的偏转装置中。

图18示出了表示被偏转装置100校正的枕形失真的状态的简图。具有根据本发明的垂直偏转线圈300和水平偏转线圈200的偏转装置100能够同时校正枕形失真和失聚。

屏板11的屏幕2a中的虚线指出的部分为发生在现有技术中的偏转装置中的枕形失真，而屏板11的屏幕2a中的实线指出的部分为在屏板11的屏幕2a中，经如图18所示的根据本发明形成的偏转装置100补偿和校正的屏幕图像。

如上所述，因为与现有技术中的偏转装置相比，在现有技术中的偏转装置中向屏幕的角区偏转的电子束在偏转装置100中被即刻正确地偏转，所以磁场变成经校正的桶形以校正屏幕的枕形失真。

通过偏转装置100，通过形成磁场的经校正的桶形而使图像屏幕变成矩形。

水平偏转线圈200和垂直偏转线圈300可以通过使用绕线筒形式来取代绕组框架形式而形成。

图19到21示出了绕线筒形式的偏转线圈，图19示出了根据本发明的另一实施例的绕线筒形式的偏转装置的分解视图；图20A到20D分别示出了图19所示的偏转装置的正视图、后视图、平面视图和侧视图，图21示出了图19所示的偏转装置的垂直偏转线圈的前面的结构。

偏转装置100包括具有形成在线圈隔离器10的内侧上的水平偏转线圈200的线圈隔离器10，垂直偏转线圈500，以及围绕该垂直偏转线圈500的铁氧体磁芯40。

垂直偏转线圈500是通过在具有多个分别靠近CRT的屏幕和电子枪的前指状物(fingers)620和后指状物640的绕线筒600上缠绕线圈而形成的。

因为垂直偏转线圈500的线圈分别绕着位于绕线筒600的前部和后部的前指状物620和后指状物640缠绕，所以垂直偏转线圈500形成在绕线筒的前部和后部之间。

如图21所示，在垂直偏转线圈500的前部具有弯曲线圈部分520，它具有产生非必要磁场的无效弯曲部分530，该非必要磁场对于在垂直方向上偏转电子束是不必要的。偏转线圈部分550从该弯曲线圈部分520延伸以产生在垂直方向上偏转电子束的垂直偏转磁场VB。

该偏转线圈部分550在从该偏转线圈部分500的中心部分到侧部的方向上包括第一、第二、第三和第四偏转线圈550a、550b、550c和550d。该垂直偏转线圈部分500的线圈缠绕各自的指状物620以形成第一、第二、第三和第四偏转线圈550a、550b、550c和550d。

前指状物620中的一个靠近弯曲线圈部分520的无效弯曲部分530，而且第四偏转线圈550d缠绕前指状物620中的一个以与该弯曲线圈部分520形成15到45度的角θ。

当垂直偏转线圈500的垂直半径VR与水平半径HR的比率为1∶0.5到0.8时，无效弯曲部分530与第四偏转线圈550d形成15到45度的角θ。

垂直偏转线圈500的垂直半径VR小于围绕垂直偏转线圈500的外侧的铁氧体磁芯40的铁氧体水平半径。

电流I从垂直偏转线圈500的左或右上部流向垂直偏转线圈500的左或右下部通过弯曲线圈部分520和无效弯曲部分530。电流I在第四偏转线圈550d和弯曲线圈部分520中以相反方向流动以产生相反方向的磁场，而且无效弯曲部分530的磁场被第四偏转线圈550d的磁场抵消。

由于无效弯曲部分530的产生的相反的磁场被第四偏转线圈550d的磁场抵消，所以垂直偏转磁场VB的角区域被弱化。电子束不再向着屏幕的角区纵向延伸，从而防止了枕形失真。

在偏转装置中校正枕形失真的垂直偏转磁场VB的操作与图11到18所示的偏转装置100相同，在此省略了对于该垂直偏转磁场VB的操作的说明。

水平偏转线圈200可以形成为与垂直偏转线圈500相同的结构，当水平偏转线圈200形成为与垂直偏转线圈500相同的结构时，枕形失真和失聚会被同时校正。

如上所述，偏转装置100可以不用调整水平和垂直偏转线圈200、300、500的绕组数量(匝数比)而校正枕形失真和失聚。

因为不必附装额外的永久磁体或磁性材料以校正枕形失真，可以减少部件的数量和生产成本。

由于与现有技术中的偏转装置相比，现有技术中的偏转装置中的向屏幕的角区偏转的电子束被校正到向着偏转装置中的屏幕的对应的所希望的区域偏转，磁场变成了经校正的桶形以校正枕形失真和失聚。

尽管示出并说明了本发明的优选实施例，本领域中的普通技术人员可以理解，在不脱离权利要求及其等同物的本发明的精神和范围内，可以对实施例进行修改。

Claims (9)

1.一种附装于阴极射线管以将电子枪产生的电子束向着屏幕的区域偏转的偏转装置，包括：

线圈隔离器，具有喇叭形状；

水平偏转线圈，具有一对位于线圈隔离器内侧的第一线圈，以产生在水平方向上偏转电子束的水平偏转磁场；

垂直偏转线圈，具有位于线圈隔离器外侧的一对第二线圈，以产生在垂直方向上偏转电子束的垂直偏转磁场，每个第二线圈具有偏转线圈部分，从各自的偏转线圈部分向着屏幕延伸出的弯曲线圈部分，以及位于该弯曲线圈部分之间以产生磁场的无效弯曲部分，该磁场与位于靠近该弯曲线圈部分的无效弯曲部分的偏转线圈部分的对应部分产生的另一个磁场的方向相反，而且弱化了该偏转线圈部分的对应部分产生的另一个磁场，而且每个第二线圈具有垂直半径和不同于垂直半径的水平半径；以及

铁氧体磁芯，具有盖住该垂直偏转线圈的偏转线圈部分的一部分的圆柱形状，以加强垂直偏转磁场和水平偏转磁场。

2.根据权利要求1所述的偏转装置，其中垂直偏转线圈的垂直半径和水平半径的比例为1∶0.5到0.8。

3.根据权利要求1所述的偏转装置，其中靠近屏幕的弯曲线圈部分的无效弯曲部分与偏转线圈部分的对应部分形成在15到45度范围之间的角。

4.根据权利要求1所述的偏转装置，还包括：附装在线圈隔离器外侧的绕线筒，其中垂直偏转线圈形成在绕线筒上。

5.根据权利要求1所述的偏转装置，其中垂直偏转线圈的水平半径小于铁氧体磁芯的半径。

6.一种附装于阴极射线管以将电子枪产生的电子束向着屏幕的区域偏转的偏转装置，包括：

线圈隔离器，具有喇叭形状；

水平偏转线圈，具有一对位于线圈隔离器内侧的第一线圈，以产生在水平方向上偏转电子束的水平偏转磁场，每个第一线圈具有偏转线圈部分，从各自的偏转线圈部分向着屏幕延伸出的弯曲线圈部分，以及位于该弯曲线圈部分之间以产生磁场的无效弯曲部分，该磁场与位于靠近该弯曲线圈部分的无效弯曲部分的偏转线圈部分的对应部分产生的另一个磁场的方向相反，而且弱化了该偏转线圈部分的对应部分产生的另一个磁场，而且具有垂直半径和不同于垂直半径的水平半径；以及

垂直偏转线圈，具有位于线圈隔离器外侧的一对第二线圈，以产生在垂直方向上偏转电子束的垂直偏转磁场；

铁氧体磁芯，具有盖住该垂直偏转线圈的偏转线圈部分的一部分的圆柱形状，以加强垂直偏转磁场和水平偏转磁场。

7.根据权利要求6所述的偏转装置，其中垂直偏转线圈的垂直半径和水平半径的比例为1∶0.5到0.8。

8.根据权利要求6所述的偏转装置，其中靠近屏幕的弯曲线圈部分的无效弯曲部分与偏转线圈部分的对应部分形成在15到45度范围之间的角。

9.根据权利要求6所述的偏转装置，还包括：附装在线圈隔离器外侧的绕线筒，其中垂直偏转线圈形成在绕线筒上。

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