CN1476110A - 硫化氢半导体传感器气敏元件的制造方法 - Google Patents
硫化氢半导体传感器气敏元件的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1476110A CN1476110A CNA03141513XA CN03141513A CN1476110A CN 1476110 A CN1476110 A CN 1476110A CN A03141513X A CNA03141513X A CN A03141513XA CN 03141513 A CN03141513 A CN 03141513A CN 1476110 A CN1476110 A CN 1476110A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tin ash
- gas sensor
- alumina substrate
- base
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 19
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 title abstract description 15
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 14
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 13
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 6
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 4
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000008107 starch Substances 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N ethanethiol Chemical compound CCS DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 1
- 229910001922 gold oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
本发明涉及一种对硫化氢气体敏感的半导体传感器气敏元件的制造方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制造方法的特征在于，采用厚膜工艺在氧化铝衬底上制备二氧化锡层，再在二氧化锡层表面制备氧化铜层，形成氧化铜/二氧化锡复合膜的气敏元件。本发明制备所得的氧化铜/二氧化锡复合膜气敏元件，可使该气敏元件大大提高对硫化氢气体的敏感性能和选择性能。本发明方法能提供一种制造工艺简便，价格低廉的检测硫化氢的半导体传感器气敏元件。
Description
技术领域
本发明涉及一种对硫化氢气体敏感的半导体传感器气敏元件的制造方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。
背景技术
半导体气体传感器主要是指将半导体材料加上电极和加热电阻制备而成的气敏元件。由于环境气体成分的变化引起半导体气体传感器的电性能改变，通过测量半导体气体传感器的电阻而检测环境中存在的气体的种类和浓度。
众所周知，硫化氢是一种具有恶臭的有毒气体，是环境监测中的主要检测对象之一。通常用于硫化氢检测的化学传感器以掺杂二氧化锡为主，但是选择性较差，不能满足环境实时监测的应用需要。
发明内容
本发明的目的是提供一种能检测硫化氢气体的高选择性半导体传感器气敏元件及其制备方法。本发明的另一目的是提供一种氧化铜/二氧化锡复合膜制造工艺，以制备工艺简便、成本低廉、具有高选择性的硫化氢气体敏感元件。
本发明的一种硫化氢半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，采用厚膜工艺在氧化铝衬底上制备二氧化锡层，再在二氧化锡层表面制备氧化铜层，形成氧化铜/二氧化锡复合膜的气敏元件，其制造工艺步骤为：
a.制备二氧化锡基料：采用共沉淀法制备，将四氯化锡溶解于水中形成溶液，
再和氨水混和后，经反应得到沉淀，沉淀经洗涤后，在600℃下煅烧5小时，
取出后粉碎并研磨均匀，即得到二氧化锡厚膜基料，在该基料中加入一定量
的掺杂物质，掺杂物可以是CaCO3、SrCO3、CrSO4、ZrO2中的一种或两种，
然后共同研磨均匀；
b.在掺杂后的基料粉料中加入一定量的去离子水，并研磨至浆状；然后将该浆
料以丝网方式印刷在事先做好的金电极和氧化钌电阻加热层的氧化铝衬底的
顶面上，并在550℃下热处理5小时，生成二氧化锡层；
c.将上述准备好的二氧化锡层的氧化铝衬底浸入醋酸铜熔液中，10分钟后取出
烘干，重复浸入—烘干过程10-20次，然后在600℃下热处理5小时，得到
氧化铜/二氧化锡复合膜气敏元件。
所述的事先做好的金电极和氧化钌电阻加热层的氧化铝衬底，其制作方法是：在尺寸为3×5mm的氧化铝衬底上先用金浆在衬底正反两面的两端各画一条横线，共有四条，在950℃温度下烧结10分钟，形成四条金电极；在衬底背面印刷上氧化钌浆料，在600℃温度下烧结30分钟，形成氧化钌电阻加热层。
本发明的优点和效果是：制备所得的氧化铜/二氧化锡复合膜气敏元件，可使该气敏元件大大提高对硫化氢气体的敏感性能和选择性能，故它能应用于环境污染和气体分析等领域。本发明方法能提供一种制造工艺简便，价格低廉的检测硫化氢的半导体传感器气敏元件。
附图说明
图1为本发明的半导体传感器气敏元件的结构示意图。
其中：1-氧化铜层，2-二氧化锡层，3-氧化钌加热层，4-金电极，5-氧化铝衬底。
图2表示硫化氢气敏元件中氧化铜层厚度对灵敏度的影响曲线
图3表示硫化氢气敏元件灵敏度与硫化氢气体浓度间关系曲线图。
具体实施方式
现结合附图和实施例将本发明进一步叙述于后：
实施例一：首先制备二氧化锡基料，采用共沉淀法制备，将四氯化锡溶解于水中形成溶液，再和氨水混合，得到沉淀，沉淀经洗涤后在600℃下煅烧5小时，取出后粉碎并研磨均匀，即得二氧化锡厚膜基料。在该基料中0.5mol％CaCO3和0.5mol％SrCO3作为掺杂物质，然后共同研磨均匀。
其次，在掺杂后的基料粉料中的加入3摩尔的去离子水，并研磨至浆状，然后将浆料以丝网方式印刷在事先做好金电极和氧化钌电阻加热层3的氧化铝衬底5的顶面上，并在550℃下热处理5小时，生成二氧化锡层2。该二氧化锡层厚度为30至50微米。
最后将上述制备好二氧化锡层的氧化铝衬底5浸入醋酸铜溶液中，10分钟后取出烘干，重复浸入一烘干的过程15次，在600℃下热处理5小时，得到在二氧化锡层2上面形成的氧化铜层1，其厚度为10-20纳米，由此制得氧化铜/二氧化锡复合膜气体敏感元件。
参见图1，所述的氧化铝衬底5，其两端设置有金电极4，在氧化铝衬底5的背面设置有氧化钌电阻加热层3，其制备方法是在尺寸为3×5mm的氧化铝衬底5上先用金浆在衬底正反两面的两端各画一条横线，共有四条，在950℃温度下烧结10分钟，形成四条金电极4；在衬底背面印刷上氧化钌浆料，在600℃温度下烧结30分钟，形成氧化钌电阻加热层3。
最终制得的检测硫化氢的氧化铜/二氧化锡复合膜气体敏感元件。实施例二：二氧化锡层的制备方法与实施例一完全相同。所不同的是加入的掺杂物质为0.5mol％CrSO4和0.5mol％ZrO2，其以后的工艺步骤与实施例一完全相同。
本发明的半导体传感器气敏元件在实际使用时，即在含有硫化氢环境中进行检测时，由于气敏元件上的氧化铜/二氧化锡复合膜敏感层的电性能发生了变化，因此通过测量电阻大小就可得知环境中硫化氢气体的浓度。在工作时还必需通过金电极输入直流电压，使氧化钌电阻加热层处于200℃的工作温度下，使传感器能正常工作。
参见图2，图2表示硫化氢气敏元件中氧化铜层厚度对灵敏度的影响，由此可见，氧化铜层的厚度应在8-10nm左右具有较高的灵敏度。
参见图3，图3表示硫化氢气敏元件的灵敏度与硫化氢气体浓度间关系的曲线图。
从图3可见，当在较低温度1500C时，硫化氢浓度在100ppm时，该气敏元件具有最高的灵敏度。
Claims (3)
1.一种硫化氢半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，采用厚膜工艺在氧化铝衬底上制备二氧化锡层，再在二氧化锡层表面制备氧化铜层，形成氧化铜/二氧化锡复合膜的气敏元件，其制造工艺步骤为：
a.制备二氧化锡基料：采用共沉淀法制备，将四氯化锡溶解于水中形成溶液，
再和氨水混和后，经反应得到沉淀，沉淀经洗涤后，在600℃下煅烧5小时，
取出后粉碎并研磨均匀，即得到二氧化锡厚膜基料，在该基料中加入一定量
的掺杂物质，掺杂物可以是CaCO3、SrCO3、CrSO4、ZrO2中的一种或两种，
然后共同研磨均匀；
b.在掺杂后的基料粉料中加入一定量的去离子水，并研磨至浆状；然后将该浆
料以丝网方式印刷在事先做好的金电极和氧化钌电阻加热层的氧化铝衬底的
顶面上，并在550℃下热处理5小时，生成二氧化锡层；
c.将上述准备好的二氧化锡层的氧化铝衬底浸入醋酸铜溶液中，10分钟后取出
烘干，重复浸入一烘干过程10-20次，然后在600℃下热处理5小时，得到
氧化铜/二氧化锡复合膜气敏元件。
2.根据权利要求1所述的一种硫化氢半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，事先做好的金电极和氧化钌电阻加热层的氧化铝衬底，其制作方法是：在尺寸为3×5mm的氧化铝衬底上先用金浆在衬底正反两面的两端各画一条横线，共有四条，在950℃温度下烧结10分钟，形成四条金电极；在衬底背面印刷上氧化钌浆料，在600℃温度下烧结30分钟，形成氧化钌电阻加热层。
3.根据权利要求1所述的一种硫化氢半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，所述的二氧化锡基料中加入的掺杂物质，其使用的化学物质及用量可以是0.5mol％的CaCO3和0.5mo％的SrCO3；也可以是0.5mol％的CrSO4和0.5mol％的ZrO2。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB03141513XA CN1320667C (zh) | 2003-07-10 | 2003-07-10 | 硫化氢半导体传感器气敏元件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB03141513XA CN1320667C (zh) | 2003-07-10 | 2003-07-10 | 硫化氢半导体传感器气敏元件的制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1476110A true CN1476110A (zh) | 2004-02-18 |
| CN1320667C CN1320667C (zh) | 2007-06-06 |
Family
ID=34155325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB03141513XA Expired - Fee Related CN1320667C (zh) | 2003-07-10 | 2003-07-10 | 硫化氢半导体传感器气敏元件的制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1320667C (zh) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100383995C (zh) * | 2004-04-27 | 2008-04-23 | 上海大学 | 钨酸锌湿度传感器件的制造方法 |
| CN102507657A (zh) * | 2011-11-08 | 2012-06-20 | 中南大学 | 一种高灵敏度的铋掺杂二氧化锡传感材料的制备方法 |
| CN102866189A (zh) * | 2012-08-26 | 2013-01-09 | 吉林大学 | 复合金属氧化物为敏感电极的nasicon基h2s传感器 |
| CN104990959A (zh) * | 2015-07-10 | 2015-10-21 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一种铜和氧化锡复合的硫化氢气敏材料的制备方法 |
| CN105548263A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-05-04 | 武汉工程大学 | 硫化氢气敏材料及其制备以及硫化氢气敏器件的制备方法 |
| CN106841320A (zh) * | 2017-02-14 | 2017-06-13 | 上海博历机械科技有限公司 | 一种便携式汽车尾气检测设备 |
| CN107315035A (zh) * | 2017-05-24 | 2017-11-03 | 江苏时瑞电子科技有限公司 | 一种氧化锡氧化钼复合气体传感器的制备方法 |
| CN108318542A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-07-24 | 苏州慧闻纳米科技有限公司 | 二氧化锡基气敏材料及硫化氢气体传感器芯片的制备方法、硫化氢气体传感器 |
| CN110161088A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-08-23 | 电子科技大学 | 一种基于壳聚糖/氧化石墨烯复合膜的低温硫化氢气体传感器 |
| CN111116231A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-05-08 | 苏州麦茂思传感技术有限公司 | 一种硫化氢气体传感器敏感材料的合成方法 |
| CN114235903A (zh) * | 2020-09-09 | 2022-03-25 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种气体传感器及其制作方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102175380B (zh) * | 2011-03-01 | 2012-08-08 | 上海大学 | 一种用于气体轴承气膜压力测量的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2921033B2 (ja) * | 1990-05-25 | 1999-07-19 | 東陶機器株式会社 | 硫化水素ガスセンサ |
| JPH0560714A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | Toto Ltd | ガスセンサ及びその製造方法 |
| CN1269234C (zh) * | 2002-12-31 | 2006-08-09 | 上海大学 | 检测二氧化碳的半导体传感器气敏元件的制造方法 |
-
2003
- 2003-07-10 CN CNB03141513XA patent/CN1320667C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100383995C (zh) * | 2004-04-27 | 2008-04-23 | 上海大学 | 钨酸锌湿度传感器件的制造方法 |
| CN102507657A (zh) * | 2011-11-08 | 2012-06-20 | 中南大学 | 一种高灵敏度的铋掺杂二氧化锡传感材料的制备方法 |
| CN102866189A (zh) * | 2012-08-26 | 2013-01-09 | 吉林大学 | 复合金属氧化物为敏感电极的nasicon基h2s传感器 |
| CN104990959A (zh) * | 2015-07-10 | 2015-10-21 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一种铜和氧化锡复合的硫化氢气敏材料的制备方法 |
| CN104990959B (zh) * | 2015-07-10 | 2018-07-13 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一种铜和氧化锡复合的硫化氢气敏材料的制备方法 |
| CN105548263A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-05-04 | 武汉工程大学 | 硫化氢气敏材料及其制备以及硫化氢气敏器件的制备方法 |
| CN106841320A (zh) * | 2017-02-14 | 2017-06-13 | 上海博历机械科技有限公司 | 一种便携式汽车尾气检测设备 |
| CN107315035A (zh) * | 2017-05-24 | 2017-11-03 | 江苏时瑞电子科技有限公司 | 一种氧化锡氧化钼复合气体传感器的制备方法 |
| CN108318542A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-07-24 | 苏州慧闻纳米科技有限公司 | 二氧化锡基气敏材料及硫化氢气体传感器芯片的制备方法、硫化氢气体传感器 |
| CN110161088A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-08-23 | 电子科技大学 | 一种基于壳聚糖/氧化石墨烯复合膜的低温硫化氢气体传感器 |
| CN111116231A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-05-08 | 苏州麦茂思传感技术有限公司 | 一种硫化氢气体传感器敏感材料的合成方法 |
| CN114235903A (zh) * | 2020-09-09 | 2022-03-25 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种气体传感器及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1320667C (zh) | 2007-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sharma et al. | Recent advances on H2 sensor technologies based on MOX and FET devices: A review | |
| CN1320667C (zh) | 硫化氢半导体传感器气敏元件的制造方法 | |
| Mattana et al. | Woven temperature and humidity sensors on flexible plastic substrates for e-textile applications | |
| CN103852496A (zh) | 基于准定向氧化钨纳米线的气敏传感器元件的制备方法 | |
| CN108225621A (zh) | 一种基于有机场效应管压力传感器及其制备方法 | |
| CN108508062A (zh) | 一种基于MoO3纳米敏感材料的三乙胺传感器、制备方法及其应用 | |
| Ahn et al. | Preparation of flexible resistive humidity sensors with different electrode gaps by screen printing and their humidity-sensing properties | |
| CN1299110C (zh) | 电阻型氧传感器和使用它的氧传感器装置以及空燃比控制系统 | |
| Manjunath et al. | Low-temperature reducible particle-free screen-printable silver ink for the fabrication of high conductive electrodes | |
| CN107085027A (zh) | 一种室温检测硫化氢的复合纳米材料及其制备方法和应用 | |
| Dubourg et al. | Flexible and highly sensitive humidity sensors using screen-printed TiO2 nanoparticles as sensitive layer | |
| CN1269234C (zh) | 检测二氧化碳的半导体传感器气敏元件的制造方法 | |
| Hossein-Babaei et al. | Direct current powered humidity sensor based on a polymer composite with humidity sensitive electronic conduction | |
| CN1547269A (zh) | 氧化铁/二氧化锡双层薄膜乙醇敏感元件的制造方法 | |
| Yan et al. | Electrochemical synthesis of ZnO nanorods/porous silicon composites and their gas-sensing properties at room temperature | |
| Cincy et al. | Fabrication of a flexible carbon cloth based solid contact iodide selective electrode | |
| JPH0727730A (ja) | 窒素酸化物検出センサ | |
| Song et al. | Facile synthesis of hierarchical CuO microspheres and their gas sensing properties for NOx at room temperature | |
| CN114062443B (zh) | 一种用于包装顶空湿度监测的柔性传感器 | |
| CN1844906A (zh) | 结露感测器及其制造方法 | |
| CN101131373A (zh) | 一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器 | |
| WO2010043470A1 (de) | Material einer elektrisch leitfähigen cermet-schicht für elektrochemische gassensoren | |
| CN1085837C (zh) | 一种含有纳米金属氧化物的固体pH电极及其制备方法 | |
| CN1298100A (zh) | 正温度系数热敏材料加热式气敏传感器 | |
| CN105390615B (zh) | 一种紫外光传感器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070606 Termination date: 20110710 |