CN1448696A

CN1448696A - 测光测距用固体摄像装置以及使用了该装置的摄像装置

Info

Publication number: CN1448696A
Application number: CN02132339A
Authority: CN
Inventors: 高桥秀和
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-09-27
Filing date: 2002-09-24
Publication date: 2003-10-15
Anticipated expiration: 2022-09-24
Also published as: JP2003107340A; CN100498496C

Abstract

本发明提供了用一片芯片实现具有高性能的AE功能和多点AF功能的测光测距用固体摄像装置及使用该装置的摄像装置，其中在同一半导体基板(107)上集成了用于相对于摄像区域的多个位置进行自动聚焦的多点测距的多个测距用光电变换元件列(1A～7A、1B～7B)，用于点式地进行多个测距位置的测光的点测光用光电变换元件(S1～S7)和用于进行摄像区域全部的测光的全体测光用光电变换元件(W0)。进而，根据本发明，通过进行点测光和全体测光并比较计算各自的测光值，可以判别是顺光状态还是逆光状态。

Description

测光测距用固体摄像装置以及使用了该装置的摄像装置

技术领域

本发明涉及具有测光功能的自动聚焦用固体摄像装置，特别涉及在透镜快门集约型照相机等中使用的测光测距用固体摄像装置以及使用了该装置的摄像装置。

技术背景

作为搭载了透镜快门集约型照相机用的测光(AE)功能的自动聚焦(AF)传感器，以往有，例如，美国专利USP5302997记载的固体摄像装置。该固体摄像装置的概略平面分布图示于图16。该图中，30是测光传感器阵列，32是测光用传感器部，34A～34D是测光用内部部，36A～36D是测光用外部部，40和42是测距传感器阵列，44_1-n和46_1-n是象素，50是Si半导体基板，H和W是测光区域的尺寸，D是基线长。

由于本传感器进行的是利用位相差检测的测距，故需要40和42两个线性传感器。如果象素间隔为P，测距用成像透镜的焦距为f，则表示测距精度的AF灵敏度可以表示为

AF灵敏度＝D×f/p

现在，已经实现了该AF灵敏度达5000左右的固体摄像装置。如果象素间隔是10μm程度、透镜焦距为数mm的话，则基线长D为5mm～8mm。因此，线性传感器40和线性传感器42之间将存在无效区域，但通过设置30的AE传感器，则可以有效地使用半导体基板。此外，通过用一块芯片做成AE传感器和AF传感器，还可以期望实现照相机的小型化和低价格化。

但是，在上述以往的AF传感器中，测距点只是中央的1点，没有述及用于进行多点测距的技术。此外，作为测光功能，还存在在逆光状态的摄影中不能获得适当的曝光，且由于测光传感器的输出是线性输出而导致测光范围狭窄之类的缺点。

发明内容

本发明是鉴于上述以往问题而进行的发明，其目的在于提供具有对应多点测距功能的测光测距用固体摄像装置以及使用了该装置的摄像装置。

为达到上述目的，在本发明的一个实施例中，将提供以在同一半导体基板上集成了用于相对于摄像区域中的多个位置进行自动聚焦的多点测距用的测距用光电变换元件，用于点状地根据上述多个测距用光电变换元件列的测距位置进行测光的第1测光用光电变换元件，用于进行摄像区域的测光的第2测光用光电变换元件为特征的测光测距用固体摄像装置。

此外，本发明在另一实施例中，将提供以在同一半导体基板上设置了用于相对于摄像区域中的多个位置进行自动聚焦的多点测距的测距用光电变换元件，用于点状地根据上述多个测距用光电变换元件列的测距位置进行测光的第1测光用光电变换元件，用于进行摄像区域的测光的第2测光用光电变换元件，分别对上述第1测光用光电变换元件以及上述第2测光用光电变换元件的光电流进行对数压缩的装置，控制上述测距用光电变换元件的积蓄时间的装置、用于驱动上述测距用光电变换元件和上述第1测光用光电变换元件以及上述第2测光用光电变换元件等光电变换元件的定时发生电路，用于产生基准电位的带隙电路和监视半导体基板的温度的温度计电路为特征的测光测距用固体摄像装置。

附图说明

图1所示是本发明的测光测距用固体摄像装置第1实施方式的平面分布图；

图2所示是本发明的第1实施方式的电路框图；

图3所示是第1实施方式的AF线性传感器电路的框图；

图4所示是第1实施方式的AF线性传感器电路的电路图；

图5所示是第1实施方式的AE传感器的电路图；

图6所示是第1实施方式的带隙(band gap)电路图；

图7所示是第1实施方式的测距位置与光点测光位置的光学位置关系图；

图8所示是本发明第2实施方式的平面分布图；

图9所示是将第2实施方式的5点测距做成了3点测距时的实施方式的平面分布图；

图10所示是本发明第3实施方式的平面分布图；

图11A、11B、11C是说明第3实施方式的摄像区域与所使用的传感器的关系的图；

图12所示是本发明第4实施方式中的AE线性传感器的图；

图13所示是本发明第5实施方式的框图；

图14所示是第5实施方式中的温度计电路图；

图15所示是使用了本发明的测光测距用固体摄像装置时摄像装置的一个实施方式的框图；

图16所示是以往例的自动聚焦传感器的图。

具体实施方式

下面，参照图面对本发明的实施方式详细地进行说明。

(第1实施方式)

图1所示是本发明的测光测距用固体摄像装置第1实施方式的平面分布图，图2是其电路框图。图中100以及101是用于相对于摄像区域的多个位置进行自动聚焦的多点测距的AF传感器模块。AF传感器模块100以及101分别排列7个AF线性传感器电路102，其中AF传感器模块100的AF线性传感器电路为1A～7A，AF传感器模块101的AF线性传感器电路为1B～7B。

103是包含7个点测光用光电二极管S1～S7、全体测光用光电二极管W0的AE传感器光电二极管区域。此外，104是进行AE传感器的信号处理的AE输出电路，105如后述那样，是包含AGC电路等的模拟电路，106是包含定时发生电路，多处理器及I/O电路等的数字电路，107是Si基板(Si半导体基板)。在本实施方式中，在Si基板107上集成化有AF传感器模块100、101、AF传感器光电二极管区域103、AE输出电路104、模拟电路105、数字电路106。这里，D表示基线长，H和W表示测光区域的垂直和水平方向的长度。

AF传感器模块100以及101如上述那样，分别由AF线性传感器电路1A～7A、1B～7B构成。图3是AF线性传感器电路的框图，图4所示是其具体电路图的例子。图3和图4所示的CMOS线列型AF传感器是本专利申请人先前在特开2000-180706号专利申请中提出的电路。

首先，如图3所示的那样，A像(基准部)对应AF线性传感器1A～7A，B像(参照部)对应AF线性传感器1B～7B。分别与A像、B像对应，设置有光电二极管阵列、传感器放大器阵列、噪声去除电路阵列、最大值检测电路阵列、噪声去除电路阵列、信号输出电路阵列、移位寄存器。

光电二极管阵列是进行光电转换的pn结光电二极管，传感器放大器阵列是放大光电二极管的光电转换信号的差动放大电路，最大值检测电路阵列是用于检测来自差动放大电路的信号的最大值的电路，信号输出电路阵列(最小值检测电路阵列)是用于检测来自差动放大电路的信号的最小值的电路(或者放大并输出传感器信号的电路)，移位寄存器阵列(扫描电路)是用于串行输出传感器信号的电路。以下，用图4的电路对这些图3所示的构成要素详细地进行说明。这里，图4中说明的最大值检测电路、最小值检测电路分别包含有图3的噪声去除电路阵列。

这里，在本实施方式中，通过AF传感器1A和1B、2A和2B、3A和3B、4A和4B、5A和5B、6A和6B、7A和7B对进行利用位相差检测的测距。图2的水平线性传感器1A～7A对应图1的AF传感器模块1A～7A，水平线性传感器1B～7B对应图1的AF传感器模块1B～7B。利用该1A～7A和1B～7B各对的位相差检测值分别输出给AGC电路1～7。

下面对图4的AF传感器的电路进行说明。图中，1是进行光电转换的pn结光电二极管，2是使光电二极管的电位复位到VRES的复位用MOS晶体管，3是差动放大器，由这些光电二极管1、复位用MOS晶体管2和差动放大器3构成一个光电转换象素21。4是箝位容量、5是用于输入箝位电位的MOS开关，4和5构成箝位电路。6～9是开关用MOS晶体管，10是最大值检测用差动放大器，11是最小值检测用差动放大器，各自的差动放大器构成电压随动电路。12是最大值输出用MOS开关，13是最小值输出用MOS开关，14是OR电路，15是扫描电路，16、17是恒流用MOS晶体管。在最大值检测电路用中，最终部构成nMOS的基极跟随电路，在最小值检测电路用中，最终部构成pMOS的基极跟随电路。20是输出来自象素的信号的公用输出线。

在本电路构成中，在最大值检测电路和最小值检测电路的前部，通过设置反馈型的噪声箝位电路，可以去除在光电二极管产生的复位噪声、在传感器放大器、最大值检测电路、最小值检测电路产生的FPN。此外，在最终输出部，通过逐个象素地设置作为基极跟随形式的电压跟随电路，在输出最小值时关闭各电压跟随的输出部的恒流源，并共同连接到连接于恒流源的输出线，可以得到图像信号的最小值。另外，在输出图像信号时，通过关闭各电压跟随的输出部的恒流源，并顺次地将各电压跟随电路连接到输出线，可以得到串行的图像信号。由于利用该动作可以兼用最小值检测电路和信号输出电路，故可以实现芯片的小型化。

其次，AE传感器光电二极管区域103由全体测光用光电二极管W0和7个点测光用光电二极管S1～S7构成。AE输出电路104包含有进行对数压缩并输出来自光电二极管的光电流的电路。图2的AE输出电路104内的AE传感器电路S1～S7、AE传感器电路W0分别对应光电二极管S1～S7、W0设置，并对数压缩输出各个光电二极管S1～S7、W0的光电流。

图5是包含光电二极管S1～S7以及W0的AE传感器电路的具体的电路图。其与图2的AE传感器电路S1～AE传感器电路S7、AE传感器电路W0对应。同图中，108是CMOS运算放大器，109是pn结光电二极管，110是pn结二极管。由于pn结光电二极管109两端的电位为基准电位Vc，故两端间的电位为零偏置状态。因而，由于抑制了耗尽层的扩展，故可以抑制来自耗尽层的暗电流的产生。通过让在pn结光电二极管109产生的光电流流经二极管110，可以进行电流电压变换。此时，根据二极管的电流电压特性，可以进行按照下式的对数变换输出。

【公式1】

V_{out} = V_{c} + \frac{kT}{q} \ln \frac{I_{p}}{I_{s}}

这里，k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度，q是单电荷电量，Ip是光电流，IS是二极管反向饱和电流。实际中，需要构成用于抑制因IS的波动所造成的特性变动的IS校正电路(参照图2)。IS校正电路的输出被信号放大电路放大，输出到数字电路106。

此外，模拟电路105由用于控制各AF传感器的积蓄时间的自动增益控制(AGC)电路1～7、用于产生基准电位的基准电位发生电路(带隙电路)、用于产生传感器电路所需要的VRES或VGR等的中间电位的中间电位发生电路、用于放大信号并向外部输出的信号放大电路构成。各AF传感器是电荷积蓄型光电变换元件。另外，上述的基准电位是确定AF传感器的复位电位或箝位电位所需要的基准电位。

图6所示是一例CMOS电路构成的带隙电路。D0、D1是二极管，R0～R1是电阻器，108是运算放大器。通过这样的构成，可以只用pn结型二极管或者NPN晶体管和CMOS运算放大器108即可构成带隙电路。

数字电路106由用于驱动传感器的定时发生电路(TG)、用于与外部微机进行通信的I/O电路，用于选择各信号并向外部输出的多路调制器(MPX)构成。这里，全体测光用光电二极管W0进行摄像区域的整体的测光，但也可以是进行摄像区域一部的测光的构成。这在后述的其他实施方式的情况中也是一样的。

图7所示是本实施方式AE传感器的测光区域和AF传感器的测距区域的光学位置关系图。在本实施方式中，特征是7个测距点与7个点测光区域的位置完全对应。进而，其特征还在于不仅是具有部分的测光区域，而且还具有进行摄像区域整体的测光的测光传感器。在本实施方式中，通过这样进行整体测光和点测光并比较计算各自的测光值，可以判别被摄物体是顺光状态还是逆光状态。例如，在点测光值低于整体测光值时可以判别其是逆光状态，如果相等则是顺光状态。此外，由于可以进行对应所有的测距位置的点测光，故即使被摄物体不在画面中央也可以进行逆光检测。

此外，在本实施方式中，由于各个AE传感器和AF传感器只用CMOS电路构成，故可以只用CMOS工艺进行制造。进而，因为与各种CMOS电路(模拟、数字)的单片化的整合性也较好，故也可以同时进行利用单片化各种周边电路的智能化。这样，在本实施方式中，可以实现搭载逆光检测AE功能的多点测距型AF传感器。这里，本发明不仅可以使用CMOS传感器，例如，还可以使用CCD、BASIS、SIT、CMD、AMI等。

(第2实施方式)

图8所示是本发明的测光测距用固体摄像装置第2实施方式的平面分布图。在第1实施方式中，给出的是对应7点测距的分布，但在本实施方式中，如图8所示的那样，减少测距点做成对应了5点测距的分布。其他的构成则与第1实施方式一样。

这样，通过将7点测距做成5点测距，可以进一步实现芯片的小型化。当然，为了进一步小型化，也可以如图9所示那样地做成3点测距型。在本实施方式中，可以通过减少测距点，实现更加低成本的、搭载AE功能的多点AF传感器。

(第3实施方式)

图10所示是本发明第3实施方式的平面分布图。虽然其具有在第1、第2实施方式中对应于测距点的点测光用AE传感器和全体测光用AE传感器，但在本实施方式中，特征在于将全体测光用的AE传感器分割成了多个。即，将AE传感器光电二极管区域103分割成W1～W4、M1～M4、T1。通过将AE传感器光电二极管区域分割成多个，可以进一步实现测光精度的提高。此外，在将其应用于3倍以上的变倍倍率较高的照相机时，特别有效。图11所示是在将全体测光用的AE传感器分割成了多个时的、在各变倍区域(广角区域、标准区域、望远区域)使用的AE传感器和AF传感器的例子。

图11A所示是广角区域摄像的情况。在广角区域中使用所有的AE传感器(16个区域)和AF传感器(7点)进行测光和测距。图11B是标准区域摄像的情况。在标准区域中使用S2～S6、M1～M4、T1的AE传感器(10个区域)和2A～6A(2B～6B)的AF传感器(5点)进行测光和测距。图11C所示是望远区域摄像的情况。在望远区域中使用S3～S5、T1的AE传感器(4个区域)和3A～5A(3B～5B)的AF传感器(3点)进行测光和测距。

在高倍率变倍集约型照相机中使用了本传感器时，通过对应各变倍区域分开使用多分割AE和多点AF的区域，可以进行纹理精细的测光。在本实施方式中，可以实现搭载提高了测光精度的、逆光检测AE功能的多点AF传感器。

(第4实施方式)

图12所示是本发明的第4实施方式。在第4实施方式中，给出了AE传感器的其他的实施方式。在本实施方式中，特征是为了进行对数压缩而使用了NMOS晶体管111。通过这样的构成，可以不使用图5所示的对数压缩用的PN结二极管110，只用MOS晶体管即可得到对数压缩信号。这里，在图12中，除了使用MOS晶体管111以外其他与图5相同。

(第5实施方式)

图13所示是本发明第5实施方式的电路框图。在本实施方式中，特征在于在模拟电路105内设置了用于监视芯片温度的CMOS电路构成的温度计电路。图14所示是一例温度计电路。该电路是利用了PN结的内藏电压的温度特性(约-2mV/℃)的电路，并通过下部的CMOS放大电路113将根据pn结二极管112的温度乘以R2/R1倍的增益后输出到外部。通过利用温度计电路测量芯片的温度，可以将之作为传感器的暗电流校正数据使用。由此，可以实现更高精度的测光性能和测距性能。这里，图14的114表示恒流电路。此外，图13中，AE输出电路104包含有AE电路W1～W4、AE电路M1～M4、AE电路T1，对应于第3实施方式的固体摄像装置。

在本实施方式中，可以实现用单片化了AE传感器、AF传感器、TG、I/O和各种电路的CMOS工艺制造测光测距用固体摄像装置。此外，在本实施方式中，由于内藏有温度计电路，故在高温时或低温时均可以实现测光性能和测距性能的性能劣化较少的测光测距用固体摄像装置。

(第6实施方式)

下面，对使用了在以上的实施方式说明过的测光测距用固体摄像装置的摄像装置进行说明。图15所示是在透镜快门数字集约型照相机中使用了本发明的测光测距用固体摄像装置时的一个实施方式的框图。图15中，201是兼做透镜的保护层和主开关的挡板，202是将被摄物体的光学像成在固体摄像元件上的透镜，203是用于改变通过透镜202的光通量的光阑，204是用于将由透镜202成像的被摄物体作为图像信号取入的固体摄像元件。

此外，205是在以上的实施方式中说明过的测光测距用固体摄像装置。例如，假定使用的是图1、图2的实施方式的构成。206是将固体摄像元件204或测光测距用固体摄像装置205输出的图像信号、测光信号、测距信号进行模拟-数字转换的A/D转换器，208是对从A/D转换器207输出的图像数据进行各种的校正、或数据压缩的信号处理部，209是对固体摄像元件204、摄像信号处理电路206、A/D转换器207、信号处理部208等输出各种定时信号的定时信号发生部，210是控制各种计算和照相机整体的整体控制/计算部，211是用于临时保存图像数据的存储器部。

进而，212是用于进行记录介质的记录或者读出的接口部，213是用于进行图像数据的记录或者读出的半导体存储器等可装拆的存储介质，214是用于与外部计算机等进行通信的接口部。

下面，对这样的透镜快门数字集约型照相机摄像时的动作进行说明。如果打开挡板201则主电源被打开，而后，打开控制系统的电源，再后打开A/D转换器207等摄像系统电路的电源。接着，用于控制曝光量的整体控制/计算部210使光阑203开放，在从测光测距用固体摄像元件205的AE传感器输出的信号被A/D转换器207进行了变换后，输入到信号处理部208，以其数据为基础由整体控制/计算部210进行曝光的计算。

整体控制/计算部210根据进行的该测光的结果判断亮度，并对应其结果调节光阑。此外，以从测光测距用固体摄像元件205的AF传感器输出的信号为基础，利用上述那样的位相差检测由整体控制/计算部210进行直到被摄物体的距离的计算。此后，驱动透镜202并判断是否对好了焦距，在判断为是没有对好焦距时，再次驱动透镜202进行测距以及进行自动聚焦控制。

下面，在确认是对好了焦距后开始正式曝光。曝光结束，从固体摄像元件204输出的图像信号被A/D转换器207进行A-D变换，并通过信号处理部208由整体控制/计算部210写入存储器部211。而后，保存在存储器部211的数据通过整体控制/计算部210的控制，经由记录介质控制I/F部212记录到可装拆的记录介质213中。此外，也可以通过外部I/F部214直接输入到计算机等中。这里，本发明的测光测距用固体摄像装置不仅可以使用于数字集约型照相机，而且也可以在银盐照相机等中使用。

如以上所说明的这样，根据本发明，通过在同一半导体基板上集成用于摄像区域中的多点测距的多个测距用光电变换元件列、点式地进行多个测距位置的测光的第1测光用光电变换元件和进行摄像区域的测光的第2测光用光电变换元件，可以用一个芯片实现具有高性能的AE功能和多点AF功能的固体摄像装置。因而，通过在透镜快门集约型照相机等中使用本发明的测光测距用固体摄像装置，可以实现小型化、高性能化、低价格化。此外，通过进行点测光和全体(或者一部分)测光并比较计算各自的测光值，可以判别是顺光状态还是逆光状态。

Claims

1.一种测光测距用固体摄像装置，其特征在于：在同一半导体基板上集成了用于相对于摄像区域的多个位置进行自动聚焦的多点测距的多个测距用光电变换元件列、用于点式地按照上述测距用光电变换元件的测距位置进行测光的第1测光用光电变换元件和进行摄像区域的测光的第2测光用光电变换元件。

2.根据权利要求1所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：上述测距用光电变换元件是线性传感器。

3.根据权利要求2所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：上述测距用光电变换元件由多个线性传感器构成。

4.根据权利要求1～3任一项所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：上述第2测光用光电变换元件被分割成多个。

5.根据权利要求4所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：对应视场角选择使用上述被分割成了多个的上述第2测光用光电变换元件。

6.根据权利要求1～3及5任一项所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：上述第1、第2测光用光电变换元件具有零偏置状态的pn结光电二极管和用于对来自上述光电二极管的光电流进行对数压缩以及电压变换输出的对数压缩变换装置。

7.根据权利要求4所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：上述第1、第2测光用光电变换元件具有零偏置状态的pn结光电二极管和用于对来自上述光电二极管的光电流进行对数压缩以及电压变换输出的对数压缩变换装置。

8.根据权利要求1～3任一项所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：对应摄像的视场角选择使用上述测距用光电变换元件。

9.根据权利要求1～3及5任一项所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：上述测光测距用固体摄像装置由CMOS电路构成。

10.根据权利要求4所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：上述测光测距用固体摄像装置由CMOS电路构成。

11.根据权利要求6所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：上述测光测距用固体摄像装置由CMOS电路构成。

12.根据权利要求7所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：上述测光测距用固体摄像装置由CMOS电路构成。

13.根据权利要求8所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：上述测光测距用固体摄像装置由CMOS电路构成。

14.根据权利要求1所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：在上述测距用光电变换元件和上述测光用光电变换元件之间至少设置有一个模拟电路或者AE输出电路。

15.根据权利要求14所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：上述模拟电路包含AGC电路。

16.根据权利要求14所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：上述AE输出电路进行AE传感器的信号处理。

17.根据权利要求1所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：数字电路被集成在具有定时发生器和I/O电路的同一半导体基板上。

18.根据权利要求1所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：在同一半导体基板上设置了分别对数地压缩上述第1测光用光电变换元件以及上述第2测光用光电变换元件的光电流的装置，控制上述测距用光电变换元件的积蓄时间的装置，用于驱动上述测距用光电变换元件和上述第1测光用光电变换元件以及上述第2测光用光电变换元件的定时发生电路，用于产生基准电位的带隙电路和监视半导体基板的温度的温度计电路。

19.根据权利要求18所述的测光测距用固体摄像装置，其特征在于：上述所有的构成要素均由CMOS电路构成。

20.一种摄像装置，其特征在于具有：根据权利要求1～3、5及14～19之任一项所述的测光测距用固体摄像装置；检测被摄物体像的检测区域；使光成像到上述检测区域的透镜；基于来自上述测光测距用固体摄像装置的信号进行测距控制以及测光控制的信号处理电路。

21.一种摄像装置，其特征在于具有：根据权利要求4所述的测光测距用固体摄像装置；检测被摄物体像的检测区域；使光成像到上述检测区域的透镜；基于来自上述测光测距用固体摄像装置的信号进行测距控制以及测光控制的信号处理电路。

22.一种摄像装置，其特征在于具有：根据权利要求6所述的测光测距用固体摄像装置；检测被摄物体像的检测区域；使光成像到上述检测区域的透镜；基于来自上述测光测距用固体摄像装置的信号进行测距控制以及测光控制的信号处理电路。

23.一种摄像装置，其特征在于具有：根据权利要求7所述的测光测距用固体摄像装置；检测被摄物体像的检测区域；使光成像到上述检测区域的透镜；基于来自上述测光测距用固体摄像装置的信号进行测距控制以及测光控制的信号处理电路。

24.一种摄像装置，其特征在于具有：根据权利要求8所述的测光测距用固体摄像装置；检测被摄物体像的检测区域；使光成像到上述检测区域的透镜；基于来自上述测光测距用固体摄像装置的信号进行测距控制以及测光控制的信号处理电路。

25.一种摄像装置，其特征在于具有：根据权利要求9所述的测光测距用固体摄像装置；检测被摄物体像的检测区域；使光成像到上述检测区域的透镜；基于来自上述测光测距用固体摄像装置的信号进行测距控制以及测光控制的信号处理电路。

26.一种摄像装置，其特征在于具有：根据权利要求10所述的测光测距用固体摄像装置；检测被摄物体像的检测区域；使光成像到上述检测区域的透镜；基于来自上述测光测距用固体摄像装置的信号进行测距控制以及测光控制的信号处理电路。

27.一种摄像装置，其特征在于具有：根据权利要求11所述的测光测距用固体摄像装置；检测被摄物体像的检测区域；使光成像到上述检测区域的透镜；基于来自上述测光测距用固体摄像装置的信号进行测距控制以及测光控制的信号处理电路。

28.一种摄像装置，其特征在于具有：根据权利要求12所述的测光测距用固体摄像装置；检测被摄物体像的检测区域；使光成像到上述检测区域的透镜；基于来自上述测光测距用固体摄像装置的信号进行测距控制以及测光控制的信号处理电路。

29.一种摄像装置，其特征在于具有：根据权利要求13所述的测光测距用固体摄像装置；检测被摄物体像的检测区域；使光成像到上述检测区域的透镜；基于来自上述测光测距用固体摄像装置的信号进行测距控制以及测光控制的信号处理电路。