CN1423755A - Mems光开关及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

在平面光路基片(30)上的光开关(20)包括悬臂(40),其具有可选择性延伸至基片的波导斜槽(12)中的控制元件,可用于切换波导(24)所传输的光信号。臂(40)可以由热和压电驱动器来驱动,用于在允许信号继续沿波导传输的静止位置和采用在斜槽(12)中的控制元件(32)来堵塞或改变信号方向的第二位置之间偏转。第二臂可具有侧向移动并可根据悬臂的驱动以覆盖和锁定在第二位置上的悬臂(40),从而使得开关能在没有控制信号进一步作用下维持在驱动状态。MEMS开关阵列由单晶片采用腐蚀方法制成且与波导阵列键合在一起,以提供多个开关模块。

Description

MEMS光开关及其制造方法
技术领域
本发明涉及光开关，具体涉及MEMS开关。
背景技术
采用光波导的通讯系统要求使用光开关来选择性地将信号源与一个或多个目标相耦合。在平面的光学元件中，MEMS开关已经包括了定位在斜槽中的微镜，其中斜槽制成在面对斜槽具有端口的交叉平面波导的交叉部分。微镜可平面移动将来自一个波导的入射光反射到采用斜槽通讯的相邻波导中，以实现切换的功能。这类具有16×16输入/输出开关模块的器件要求256个MEMS开关的阵列。虽然早期MEMS器件已经提供了适用的切换功能，但是它们却难以制造且它们的结构也不允许在开关模块中制成能将电-光元件耦合到组合的MEMS和光元件的电路。
因此，就需要改进MEMS光开关和包括MEMS开关的光开关模块，在光开关模块中，MEMS开关阵列与平面光路相结合且具有接受与平面光路相耦合的电-光器件电路的能力。也需要生产多个开关阵列和与光开关模块大量产生相匹配的多个平面光路阵列的工艺。
发明内容
本发明的光开关满足了在晶片上制成MEMS开关阵列的需要，其中所集成的MEMS开关包括了在其一端上具有控制元件的悬臂，该控制元件可用于将悬臂移动至安装MEMS阵列的平面光路阵列的光波导斜槽中。控制元件以垂直于MEMS阵列和光路阵列的结的方向移动，且在推荐的实施例中，包含了微镜。悬臂可以采用热，压电，或静电的方式来驱动，使得悬臂能在静止和驱动位置之间偏转。在静止的位置上，来自波导端口的信号信息可通过斜槽进入到第二个波导的端口。当开关被驱动时，悬被的微镜一端可延伸至斜槽中，有选择性堵塞或改变输入信号的方向，使得信号能进入不同的波导端口。
在本发明的另一个实施例中，提供了第二悬臂，它可在垂直于第一悬臂的平面上移动且可有选择性根据第一悬臂的驱动来覆盖或锁定在驱动位置上的第一悬臂或者开关悬臂，从而使得MEMS开关保持着驱动状态而不需要控制信号对臂的进一步施加。在所有的实施例中，所制成的光开关模块都允许在其表面上的电导体的形成，以适用于电-光元件与平面光路的耦合以及适用于MEMS开关的驱动。本发明也包括采用掩膜，腐蚀，沉积和键合等步骤同时制成多个光开关模块的方法，该方法可制成这种多个光开关的模块，每个模块都具有多个纤维光波导阵列和MEMS开关阵列以及在其上面具有电路。
本发明的其它性能和优点将在以下的详细讨论中更加明确，对业内人士来说，通过以下结合权利要求和附图的讨论会更加清晰明了。
应该理解到：所进行的讨论仅仅是本发明的举例并企图提供理解权利要求所限定的本发明的性能和特征。附图的介绍提供对本发明的进一步理解并作为本说明书的一个组成部分。附图说明了本发明的各种性能以及各个实施例，结合它们的讨论以解释本发明的原理和操作。
附图说明
图1是实施本发明多个MEMS开关的开关模块的示意图；
图2是图1所示的一个开关结点的放大，局部俯视图；
图3是本发明第一实施例的MEMS开关垂直剖面图；
图4是图3所示的开关沿IV-VI剖线的剖面图；
图5是图3所示悬臂结构在开关臂处于第一静止位置的放大详细视图；
图6是图5所示开关臂偏转至第二位置上的示意图；
图7是另一个实施例悬臂在开关臂处于第一静止位置上的垂直剖面图；
图8是图7所示悬臂且显示驱动至第二位置上的视图；
图9是包括锁定臂的MEMS开关的另一个实施例的俯视图；
图10是图9所示的开关沿X-X剖线的剖面图；
图11是图9和图10所示开关在锁定位置上的俯视图；
图12是图11所示的开关沿XII-XII剖线的剖面图；
图13是另一个用于本发明的MEMS开关的锁定构件的示意图；
图14是说明在根据本发明制造MEMS开关中第一步骤的侧视示意图；
图15是图14所示结构的剖面图；
图16是说明在根据本发明制造MEMS开关中第二步骤的侧视示意图；
图17是图16所示结构的剖面图；
图18是说明在根据本发明制造MEMS开关中第三步骤的侧视示意图；
图19是图18所示结构的剖面图；
图20是说明在根据本发明制造MEMS开关中第四步骤的侧视示意图；
图21是图20所示结构的剖面图；
图22是说明在根据本发明制造MEMS开关中第五步骤的侧视示意图；
图23是图22所示结构的剖面图；
图24是说明在根据本发明制造MEMS开关中第六步骤的侧视示意图；
图25是图24所示结构的剖面图；
图26是说明在根据本发明制造MEMS开关中第七步骤的侧视示意图；
图27是图26所示结构的剖面图；
图28是说明在根据本发明制造MEMS开关中第八步骤的侧视示意图；
图29是图28所示结构的剖面图；
图30是说明在根据本发明制造MEMS开关中第九步骤的侧视示意图；
图31是图30所示结构的剖面图。
具体实施方式
图1是显示在X/Y平面上具有平面波导阵列的光开关模块10的示意图，在图中，波导A，B，C和D是水平排列，而相交叉的波导1，2，3和4是垂直排列。在每个波导的交点都制成了一个斜槽12，正如图2放大的详细示意图所示。该斜槽确定面对波导A的端口15和17以及波导3的端口11和13。在开关模块的各个斜槽中，可用于垂直方向移动(例如，图1和图2的平面的入和出的方向)的可移动定位的就是本发明所包含的MEMS开关20。于是，每个波导的交点，如在图1的开关10中所示，都包括了含有微镜的MEMS开关，当该开关没有驱动时，允许光输入信号导通，例如，波导A从端口15至端口17接通，使得信号能沿着波导A的输入端口传输到输出端口。当MEMS开关被驱动时，(例如，图1和图2中的开关20)，从波导A的端口15输入的信号就会被MEMS开关中的微镜反射到波导3的端口13，将输入A的信号切换到输出3。
另外，取代含有微镜的MEMS开关可以包括采用不透明的材料来有选择性地在信号波导中堵塞所传输的信号，以提供“开/关”的功能。这种结构在环形保护电路中是有用的，在所沿着的光路出现故障需要修理的时期，就要求能停止信号的传输。然而，更典型的是，具有多路输入线的开关网络可以有选择性地与多路输出线相耦合。
图3显示了包括本发明MEMS开关20的光开关模块的一个实施例。然而，应该理解到：这类开关的连续阵列是同时制成的以与对应的波导阵列相对准。在图3中，平面的光波光路30具有二氧化硅的基片22，且以常规方法在基片上沉积了在包层23下面的掺杂二氧化硅波导24(图4)，以及在层25上的掺杂二氧化硅。正如图2所示，阻断波导24，例如，垂直定位的波导，是一个斜槽12，它可有选择性允许微镜32集成制成在悬臂40的一端，从而可有选择性地从斜槽12的末端位置，如图3和图4所示，移动到斜槽内的位置，如图3和图4的阴影线所示，和移动到波导24的光路中。
图14至图31显示了在单晶上形成一个阵列和多个阵列的一个开关的MEMS开关的制造方法。开关的阵列制成在<110>晶向的单晶硅晶片上，典型的晶片直径为100mm，当然其它尺寸的晶片也可以同样采用。平面光波电路的阵列30，每个都与MEMS开关的阵列相对应，同样采用标准制造技术，包括多层的燃烧水解沉积和选择性腐蚀等平面光路制造技术，来集成制成在硅晶片上的开关斜槽12。
包含了多个MEMS开关的阵列和多个光波光路的晶片采用阳极键合(采用诸如1KV的高场强)，在约1000℃温度下的融接键合，或采用将MEMS开关阵列与光路阵列相组合的界面粘合层。在制成的MEMS开关和二氧化硅光波光路的硅片之间侧面的键合精度约为+/-2微米，可以利用晶片上的校准标志采用商业化设备，诸如SUSS ABS 150焊接机，来完成。一旦键合之后，就可使用激光切割机以及更普通地采用精密金刚石刀将其切割成各个独立的阵列。由键合的光波光路阵列和对应的MEMS开关阵列所定义的光模块的数目取决于各个阵列的尺寸，但是，例如，214×4阵列可以从100mm直径的晶片获得。随着所耗用的面积的几何增长，在单一晶片上只有四个32×32的开关模式可资利用。
平面光波电路的制成可采用常规工艺来生产，它将MEMS开关与平面光波电路上的阵列相键合。然而，MEMS开关的制成方法是独特的，将结合图14至31来讨论，并可产生图5至13中所示的各种尺寸。
初始，如在图14和图15中所示，在一个实施例中所提供的单晶硅晶片的基片具有约20微米的厚度和约100mm的直径。正如图16和图17中所看到的，下表面采用氮化硅(Si3N4)的掩膜，可允许随后采用光刻法的腐蚀来制成所确定的各个开关阵列的矩阵图形。其它掩膜的材料也可以同样使用，只要它们能够经受住随后工艺步骤中所讨论的晶体光刻腐蚀溶液就行。
接着，正如图18和图19所指出的，采用光刻法和反应离子腐蚀法对Si3N4曝光，以制成MEMS开关的初始几何图形，该图形确定各个开关的臂40和微镜端30。于是，在Si3N4引脚213(如图18所示)下端32的末端随后变成为各个MEMS开关的控制元件。随后，硅晶片200的下表面201再采用约4摩尔的氢氧化钾(KOH)来腐蚀，接着将Si3N4清洗掉，形成图20和21所示的结构，在该结构中，已部分制成了作为控制元件32的臂40。其它一些晶体光刻腐蚀液也可以用来取代KOH腐蚀液，例如，乙二胺邻苯二酚和TMAH(四乙基氢氧化胺)等。然而，很重要的是晶体光刻腐蚀液能提供高质量的硅微镜，该微镜具有平整的表面，能接受沉积的反射层，例如，金，正如图22和23所示，反射层可采用热蒸发的方法在控制元件32的侧面沉积40nm的厚度。
接着，部分完成的MEMS开关阵列20可采用先前已提到的阳极，融接和面际粘结键合的方法与平面光路30相键合。这就部分完成了如图24和图25所示的光路。硅晶片的上表面203根据要求或需要进行抛光，以便于如图28和图29所示的电路能够沉积在上面。
随后，在臂40的上表面43上沉积一层绝缘材料44。绝缘层可以是任何适用于臂的挠曲的材料，例如，二氧化硅(SiO2)。最后，在绝缘带40上沉积可接受电流加热应用的导电材料层46，以形成L形状的导电构件，当控制信号施加到元件46和臂40的基层42之间时，如图6所示，由于构件46的热膨胀大于硅基层的热膨胀，因此臂就会向下挠曲。由导电层46所确定的加热带约有2微米的深度，且导电引脚49沉积在基层42上，如图6和图29所示，它允许控制电压能施加在导电层46和基层42之间，从而当加热臂时，就会引起它偏转到驱动位置上。在结构的这点上，同时沉积了触点49，电导体48，以及触点引脚51，53(图3和图4)，它用于将电-光器件粘合在MEMS开关阵列的上表面43，使得电-光元件能够集成安装在开关阵列10上。电导体48一般是通过能提供给定电路结构所需要的导体图形的掩膜采用金制成的。在这制造工艺的同时，悬臂40还不能自由的移动且反应离子刻蚀应用于臂40的其中一面，最好见图31，以去除桥的材料，使得臂能去除在基层41和臂40之间的侧面支撑。
集成制成光开关模块的每个MEMS开关具有第二基层41’，该第二基层上附有臂40’的MEMS开关20’的第二阵列，如图3所示。这样制成的MEMS开关的控制是由图6中50所说明的功率电源提供，它表示对加热元件46施加电流开关电的控制可以选择性地加热臂40，臂随之向下挠曲，如图6中箭头C所表示的方向，以图1中的网络为例说明，要能堵塞一个信号或开通一个信号，只要约20微米的距离就足以堵塞或反射波导24中的信号。
间隙12一般应具有尽可能小的宽度，例如，6微米或更小些，而悬臂40的控制元件的宽度约为对MEMS开关元件穿过间隙12进入和退出光路提供足够空隙的间隙的三分之一。臂40足够的薄允许其具有热加热的灵活性，如图6所示，反之，也足够厚能保证它在静止或关闭的位置上具有满意的刚性，如图3-5中的实线所示。
对驱动一个约为20微米厚，约350微米长以及约50微米宽的臂来说，对应于所加电压约为10伏所需的电流量级小于10毫安。电压以及最终的电流可根据臂所给定尺寸的要求而变化，然而，都仅仅需要较低的电压和电流。用于在平面光路10上面制成MEMS开关阵列20的基层200(图14)可以包括多个其它电导体，例如，在图3中所说明的51和53，它可用于耦合其它电-光器件，例如，发光二极管，固态激光器，等等，这些器件都可在集成制造MEMS开关的平面光路30中使用。于是，没有被开关阵列所占用的MEMS开关的上表面区域提供了可用于电导体沉积和用于在上面安装电-光元件的集成平台。
MEMS开关20的悬臂结构允许热驱动，热驱动采用电驱动发热的条46以引起如图5和图6所说明的臂的偏转，以用于有选择性地在光网路中切换信号，正如图1所示，它通过在垂直方向上的移动，使得能排除在安装了电-光元件基层的悬臂上的空间。也可以采用其它驱动的臂，以取代热驱动的悬臂，正如在现在讨论的图7和图8中所示意。
在图7中，制成了采用悬臂的MEMS开关，它包括在类似于第一实施例的相同步骤中制成的反射控制元件61。开关阵列也与相同结构的光路(未显示)相键合并采用基本上与图3-6中所示实施例的相同方法来制成。然而，在臂的主体64的上表面63沉积一层约为4微米的压电材料62，以取代一层绝缘材料和热驱动元件。压电材料可以是，例如，PZT。具有2微米厚的金属导体的覆盖层66覆盖着压电层62。于是，压电层定位于上层导电层66和硅基层64之间。
在图7和图8所示的实施例中，导电引脚71和73都制成在导体66和基层64的表面上，使得由电压源70表示的驱动控制信号能够施加到悬臂60上，且引起悬臂的偏转，如图8所示的。臂60具有与先前实施例所示的控制臂40基本相同的尺寸。10伏的控制信号可提供20微米的偏转，可使得臂移动于静止位置(如图7所示)与驱动位置(如图8所示)之间。
在某些应用中，希望使光开关，例如，MEMS开关20，能维持在驱动状态以延长一段时间，例如，在光通讯网络的修理期间作为环形电路的保护元件使用。在该例子和其它例子(开关可以诸如20毫秒的速率正常驱动)中，需要在图7和图8所示的实施例中提供连续电压，或者在图3-6所示的实施例中提供连续电流。为了能避免这类控制信号的连续应用的需要，如图9-12中所示的锁定结构能够有选择性地将MEMS开关锁定在基片斜槽12中的向下光堵塞或光反射位置。为了能说明本发明的这方面内容的目的，在这些图中所说明的支撑开关和锁定臂的平面光波导结构就没有详细显示。
现在参照图9-12，具有一对锁定MEMS开关的组件75，每个组件都包括一个悬臂式开关悬臂80，其具有如图3-6或7以及8所示的结构且包括以垂直于臂80的平面延伸的微镜。于是，臂80可向上或向下移动或者以图10中箭头D所指示方向垂直于平面光波电路移动，而锁定臂90则以图10和图12中的箭头E所指示方向作侧向或水平的移动。臂90的结构基本上与图3-8中所示驱动臂的结构相同，除了所制成的驱动臂可以在垂直于臂80移动的平面上移动，并根据控制信号按照开关臂80的次序来操作，将开关臂锁定在“开”或驱动的位置上，现在将作讨论。
正如以前所讨论的，根据臂的结构，将电流或电压施加到臂80上，使其能向下移动进入驱动位置，如在图12中所看到的，用于堵塞或反射通过平面光波导的光。当它被驱动到了如图11和图12所示的它的下部位置时，锁定臂也受驱动它的电流或电压的作用且引起它以箭头E所示方向作侧向移动，覆盖和结合在开关臂80的上表面81使得臂90的下表面91与臂80的上表面81摩擦结合在一起。当控制信号施加到锁定臂90时，控制信号就从臂80上消除，以致于向上移动，但是受到它与臂90的结合的影响阻止了它离开驱动位置的移动。随后，施加到臂90上的控制信号可以消除，以及在臂80和臂90之间界面85处的摩擦结合防止两个臂的进一步移动，从而使得开关75锁定在驱动状态。当要求从光波导电路的斜槽12中移动光的堵塞或反射构件时，驱动信号可再次施加到臂80，引起臂稍微向下偏转，以致能去除在85处的摩擦结合且能允许臂90返回到它的静止位置，如图9和图10所示的未偏转位置。接着，从臂80上消除控制信号，并使得返回到它未偏转“关”的位置。
锁定开关的另一个实施例如图13中的75所示，在该图中，提供了一个驱动开关臂80以及将锁定臂100定位以在邻近和在臂80上表面81作侧向移动。臂100是一个可静电移动的臂，它包括垂直延伸的硅基片102及其具有多个从基片向外伸展的间隔的导电板104，它可用于接受另一组交错的导电板106，该导电板制成在利用可折叠安装结构110与平面光波电路的侧壁109相耦合的硅绝缘基片108上，正如以下所说明的。电控制信号通过功率源112(图13所示意显示的)分别施加到与板104和106电性能相耦合的导电表面113和114上，产生能引起锁定引脚按图13的箭头F方向移动的静电引力，使之能有选择性的覆盖开关驱动臂80。操作的顺序相同于在图9-12所示实施例的操作顺序，首先是驱动开关臂80，随后再驱动锁定臂100，当开关臂信号随之消除时引起臂100的下表面和臂80上表面81之间摩擦结合，这时，来自源12的控制信号就可以断开驱动臂100，且光开关保持着驱动位置。
于是，采用本发明的MEMS开关，就能够制成多个开关模块，每个开关模块都包括了MEMS阵列和平面光路，以允许信号的网路开关能从一系列波导到另一系列波导中，利用集成制成的光路和MEMS开关提供了开/关的切换功能以及其它光开关的功能，MEMS开关也能于电导体融和在一起可将电-光元件安装在光路的模块中。另外，本发明也提供锁定臂，使得MEMS开关能够锁定在驱动的状态而不需要连续施加控制信号。
很显然，对业内人士来说，本发明上述讨论的推荐实施例可以有各种各样的改进，但是这些都没有脱离有附加权利要求所限定的本发明的精神范围。

Claims (36)

1.一种光开关包括：
包括光波导的基片，其中波导又包括了空间相分开的端口；
以悬臂方式安装在基片上的臂；
用于以垂直于基片平面的平面内偏转上述的臂的驱动器；以及，
安装在上述臂上的控制元件，从而臂的驱动使得控制元件在端口之间移动以控制波导中光能量的传输。
2.权利要求1所述的光开关，其特征在于：基片确定所集成的平面光路包括至少一个波导。
3.权利要求2所述的光开关，其特征在于：光路包括在其中制成的用于确定波导端口的斜槽。
4.权利要求3所述的光开关，其特征在于：悬臂的控制元件可有选择性地延伸至斜槽中。
5.权利要求4所述的光开关，其特征在于：控制元件是反射镜。
6.权利要求1所述的光开关，其特征在于：驱动器是热驱动器。
7.权利要求6所述的光开关，其特征在于：臂是采用硅材料制成的而热驱动器包括薄的导电膜。
8.权利要求1所述的光开关，其特征在于：驱动器包括与臂相耦合的压电元件，用于偏转所述臂。
9.权利要求1所述的光开关，进一步包括安装在基片上的锁定臂，是有选择性与臂相耦合以保持臂处于驱动位置。
10.权利要求9所述的光开关，其特征在于：锁定臂包括驱动器，其用于当臂和锁定臂被驱动时以垂直于臂的方向移动锁定臂且使之能覆盖臂。
11.权利要求10所述的光开关，其特征在于：锁定臂的驱动器是热驱动器。
12.权利要求10所述的光开关，其特征在于：锁定臂的驱动器是压电驱动器。
13.权利要求10所述的光开关，其特征在于：锁定臂的驱动器是静电驱动器。
14.一种光开关模块包括：
在有斜槽的平面基片上制成垂直延伸光波导的阵列，该斜槽制成在确定波导输入/输出端口的交叉部分；
安装在平面基片上的MEMS开关阵列，其中，每个MEMS开关包括了以悬臂方式安装在基片上的臂，用于移动以有选择性地延伸至斜槽中，将光的能量从基片上的一个波导切换至另一个波导；以及，电导体沉积在基片另一面的MEMS开关阵列的表面上。
15.权利要求14所述的光开关，其特征在于：上述的MEMS开关阵列是集成制成在单晶硅晶片上。
16.制造MEMS开关阵列的方法，包括步骤有：
制备单晶硅晶片基片；
采用光刻薄膜来覆盖基片的表面；
采用光刻光源曝光薄膜上的蚀刻图形；
反应离子刻蚀薄膜；
采用晶体腐蚀溶液来处理曝光过的晶片基片，以确定多个臂，控制元件，和相互间集成耦合的基层；以及，
腐蚀邻近各个控制元件的硅晶片以确定悬臂，每个悬臂都具有从其一端延伸出的控制元件。
17.权利要求16所述的方法，进一步包括在每个控制元件的另一面上沉积反射薄膜。
18.权利要求17所述的方法，其特征在于：沉积步骤包括在控制元件侧面上沉积金。
19.权利要求17所述的方法，进一步包括在每个悬臂上涂覆驱动器。
20.权利要求19所述的方法，其特征在于：涂覆的步骤包括在每个臂上沉积绝缘层以及在每层绝缘层上沉积热导体的元件。
21.权利要求19所述的方法，其特征在于：涂覆的步骤包括在每个臂上涂覆压电材料以及在每层压电层上涂覆导电材料。
22.权利要求16所述的方法，进一步包括将硅晶片对准光路阵列键合起来。
23.一种锁定光开关包括：
包括光波导的基片，其中波导包括空间相分开的端口；
开关臂以悬臂方式安装在基片上的且包括驱动器用于以垂直于基片平面的平面内偏转上述的臂，使得安装在上述臂上的控制元件能在端口之间移动，从而控制在波导内传输的光能量；以及，
锁定臂安装在基片上且包括驱动器，用于有选择性地在开关臂上移动锁定臂，从而使得开关臂保持在驱动的位置上。
24.一种光开关模块包括：
在有斜槽的平面基片上制成垂直延伸光波导的阵列，该斜槽制成在确定波导输入/输出端口的交叉部分；
安装在平面基片上的MEMS开关阵列，其中，每个MEMS开关包括了以悬臂方式安装在基片上的臂；
用于以垂直于基片的平面偏转臂的驱动器；以及，
安装在臂上的控制元件，使得臂和控制元件能定位在基片上可有选择性地延伸至斜槽中，将基片的一个波导光能量切换至基片的另一个波导中。
25.权利要求24所述的光开关，其特征在于：控制元件是反射镜。
26.权利要求24所述的光开关，其特征在于：驱动器是热驱动器。
27.权利要求26所述的光开关，其特征在于：臂是由硅材料制成的，以及热驱动器包括薄的导电薄膜。
28.权利要求24所述的光开关，其特征在于：驱动器包括与臂相耦合且用于偏转上述臂的压电元件。
29.权利要求24所述的光开关，进一步包括安装在基片上的锁定臂，且可有选择性地与臂相耦合，用于将臂保持在驱动位置上。
30.权利要求29所述的光开关，其特征在于：锁定臂包括驱动器，用于以垂直于臂的方向移动锁定臂，当臂和锁定臂被驱动时，其覆盖着臂。
31.权利要求30所述的光开关，其特征在于：锁定臂的驱动器是热驱动器。
32.权利要求30所述的光开关，其特征在于：锁定臂的驱动器是压电驱动器。
33.权利要求30所述的光开关，其特征在于：锁定臂的驱动器是静电驱动器。
34.一种制造多个光开关模块的方法，其中每个模块都包括MEMS开关阵列和光波导阵列，该方法所包括的步骤：
制备单晶硅晶片基片；
采用晶体腐蚀溶液来有选择性地腐蚀晶片基片，以确定多个悬臂，控制元件，和相互间集成耦合的基层；以及，
将硅晶片对准包括光波导的晶片相键合。
35.权利要求34所述的方法，其特征在于：键合步骤是阳极键合。
36.权利要求34所述的方法，其特征在于：键合步骤是融接键合。
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