CN1412346A - 紫外光子复合辉光放电化学气相沉积制备金刚石薄膜的方法 - Google Patents
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Abstract
紫外光子复合辉光放电化学气相沉积制备金刚石薄膜的方法，其特征是，它是用紫外光对直流辉光放电化学气相沉积金刚石膜反应腔中的生长衬底表面进行照射。用该方法制备金刚石薄膜具有生长速度快和质量高的优点。
Description
(一)技术领域：本发明涉及化学气相沉积。
(二)背景技术：目前有多种化学气相沉积(CVD)制备金刚石薄膜的方法，如热丝CVD法、微波CVD法、直流辉光放电CVD法、等离子体喷射CVD法等。从质量及成本综合考虑，直流辉光放电CVD法制备金刚石薄膜的产业化前景较为乐观，但它仍存在电极易受辉光放电的高温影响而烧蚀挥发，影响金刚石薄膜质量的缺点。而降低辉光温度，又会降低薄膜的生长速度和质量。
(三)发明内容：本发明的目的是提供一种在降低辉光温度情况下，可保持和提高金刚石薄膜的生长速度和质量的制备金刚石薄膜的方法，本发明是这样实现的，它是在已有直流辉光放电化学气相沉积制备金刚石薄膜方法的基础上，再复合以紫外光对反应腔中的生长衬底表面进行照射。用该方法制备金刚石薄膜具有生长速度快和质量高的优点。
(四)实施例：它是在一直流辉光放电化学气相沉积金刚石膜反应腔内安设一套可发射波长为200-300nm紫外光的紫外光源，经聚光系统聚光后照射在生长衬底表面。用该方法制备金刚石薄膜，生长速度达12μm/h，热导率达15W/cm·K。
Claims (1)
- 紫外光子复合辉光放电化学气相沉积制备金刚石薄膜的方法，其特征是，它是用紫外光对直流辉光放电化学气相沉积金刚石膜反应腔中的生长衬底表面进行照射。
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| CN 01136303 CN1412346A (zh) | 2001-10-09 | 2001-10-09 | 紫外光子复合辉光放电化学气相沉积制备金刚石薄膜的方法 |
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|---|---|---|---|---|
| CN103184438A (zh) * | 2011-12-30 | 2013-07-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 薄膜的热处理方法及热处理装置、化学气相沉积装置 |
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2001
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| CN103184438A (zh) * | 2011-12-30 | 2013-07-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 薄膜的热处理方法及热处理装置、化学气相沉积装置 |
| CN103184438B (zh) * | 2011-12-30 | 2016-02-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 薄膜的热处理方法及热处理装置、化学气相沉积装置 |
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