CN1392754A - 具有甚高频并联谐振天线的等离子体处理设备 - Google Patents

具有甚高频并联谐振天线的等离子体处理设备 Download PDF

Info

Publication number
CN1392754A
CN1392754A CN02123074A CN02123074A CN1392754A CN 1392754 A CN1392754 A CN 1392754A CN 02123074 A CN02123074 A CN 02123074A CN 02123074 A CN02123074 A CN 02123074A CN 1392754 A CN1392754 A CN 1392754A
Authority
CN
China
Prior art keywords
vhf
antenna
parallel resonance
plasma
insulated tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN02123074A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1220410C (zh
Inventor
权奇清
边洪植
李承原
金洪习
韩淳锡
高富珍
金祯植
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CHU-SONG ENGINEERING Co Ltd
Original Assignee
CHU-SONG ENGINEERING Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CHU-SONG ENGINEERING Co Ltd filed Critical CHU-SONG ENGINEERING Co Ltd
Publication of CN1392754A publication Critical patent/CN1392754A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1220410C publication Critical patent/CN1220410C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明涉及一种等离子体处理设备，在其中进行使用等离子体的半导体装置的制造过程，所述设备包括：在其中进行半导体装置制造过程的真空室；产生甚高频(VHF)电能的VHF电源；VHF并联谐振天线，它具有多个互相并联连接的天线线圈以及串联地插入安装在天线线圈中的多个可变电容，天线安装在真空室的外面的上部，并从VHF电源供给VHF电能；以及用于VHF电能和VHF并联谐振天线间阻抗匹配的阻抗匹配盒。优选的是，可变电容是同轴电容，其包括：第一绝缘管；分别从第一绝缘管的两个端部延伸出来的第一两个金属管；围绕第一绝缘管并且部分围绕装在邻接第一绝缘管两侧的第一两个金属管的第二绝缘管；围绕第二绝缘管并且其安装能沿第二绝缘管外侧表面滑动的第二金属管。

Description

具有甚高频并联谐振天线的等离子体处理设备
发明领域
本发明涉及等离子体处理设备，更具体地说，涉及具有甚高频(veryhigh frequency)并联谐振天线的电感耦合等离子体处理设备。
背景技术
在半导体装置的制造过程中，常常进行使用等离子体的过程。干腐蚀、化学气相沉积(CVD)和溅射是这些过程的例子。为了重新考虑这些过程的效率，目前常常使用离子浓度为1×1011～2×1011离子/cm3的高密度等离子体(HDP)。通过电感耦合等离子体(ICP)能获得这种高密度等离子是公知的。
图1a是表示传统电感耦合等离子体处理设备的示意图。
参看图1a，晶片卡盘20放置在真空室10中。晶片30装在晶片卡盘20上。真空室10有一个气体注入孔12和气体排出孔14。通过以一个稳定的流速将气体从气体注入孔12注入并将气体从气体排出孔14排出，使真空室10维持在恒压状态。
真空室10包括绝缘板50，它装在真空室的上部。在绝缘板50上装有并联谐振天线60。如果通过一个射频(RF)电源75将RF电源施加到并联谐振天线60上，由于并联谐振天线60具有如图1b所示的结构，就在并联谐振天线中感生磁场，并由此再产生感应电场。感应电场将真空室10中的气体激活，由此产生等离子体40。在并联谐振天线60和真空室10之间形成寄生电容Cs。
为了达到RF电源75与并联谐振天线60间的阻抗匹配，安装了阻抗匹配盒(IMB)70。尽管没有在图中表示出来，为了产生等离子体，甚至将一个独立的RF电源连接到晶片卡盘20上并将RF电源施加到上面。
图1b是表示图1a中并联谐振天线60和阻抗匹配盒70之间位置关系的示意图，图1c和1d是等价电路图，其中包括图1b中的寄生电容Cs。
参看图1b到1d，并联谐振天线60包括天线线圈L1、L2、L3和L4，相互之间并联。这里，各个天线线圈的环形直径互不相同。天线线圈L4排在最外边。
在阻抗匹配盒70和最外圈天线线圈L4之间装有一个谐振电容C3，这在图1a中没有示出。在图1b中，符号La代表并联谐振天线60的总电感。
如果故意忽略内部天线线圈L1、L2和L3，寄生电容Cs就处于与最外天线线圈L4并联的状态。当从RF电源75施加的RF电能的频率增大时，能转换成等离子体能量的电容能量高于感生能量。换句话说，当等离子体电能的频率增大时，寄生电容Cs的贡献增大，因此等离子体40通过电容耦合类型形成。因此，电容耦合等离子体(CCP)对电感耦合等离子体(ICP)的影响增大到不可忽略的程度，破坏了等离子体的均匀性。
同时，谐振电容C3和并联谐振天线607之间的谐振频率ω可用方程式1/(La·C3)1/2表示。这样，由于La是由并联谐振天线60的几何结构确定的，因此仅用很小的C3值就能产生20MHz至300MHz的RF区内的谐振。但是，传统的用作谐振电容C3的可变电容器所制作的产品的电容为5pF或更大，所以实际上不能产生所需的20MHz至300MHz的RF区内的谐振。
这样，如果不能产生所需的谐振，寄生电容Cs的贡献将增大，因此等离子体40主要是由电容耦合类型产生的。
发明内容
因此，本发明的技术目标是通过在20MHz至300MHz甚高频区在并联谐振天线中产生谐振，提供能获得均匀的高密度等离子体的等离子体处理设备，并将并联谐振天线和真空室之间的寄生电容减小到最低程度。
为了达到上述目标，提供一种等离子体处理设备，在其中进行使用等离子体的半导体装置的制造过程。该设备包括：在其中进行半导体制造过程的真空室；产生甚高频(VHF)电能的VHF电源；具有多个相互间并联连接的天线线圈的VHF并联谐振天线；与天线线圈串联的多个可变电容器，天线安装在真空室外面的上部，由VHF电源提供VHF电能；以及用于在VHF电能和VHF并联谐振天线间阻抗匹配的阻抗匹配盒。
可变电容器优选安装在VHF并联谐振天线中最外边的天线线圈中。优选的是，可变电容器的电容量范围为1pF～5pF。
VHF并联谐振天线可选择螺旋形并联天线，并需要将可变电容器分别安装到天线线圈中。VHF并联谐振天线包括相互间并联并有不同直径的环形线圈天线。
优选的是，可变电容器是同轴电容器，其包括：第一绝缘管；分别从第一绝缘管的两个端部延伸出来的第一两个金属管；围绕第一绝缘管并部分围绕装在邻接第一绝缘管两侧的第一两个金属管的第二绝缘管；以及围绕第二绝缘管并且能沿第二绝缘管外侧表面滑动的第二金属管。
附图的简要说明
通过参考附图并对优选的实施方式进行详细描述，本发明的上述目标和其它优势将更加明显，其中：
图1a至1d是表示传统电感耦合等离子体处理设备的示意图；
图2a至2c是表示按照本发明的甚高频并联谐振天线的示意图；
图3是表示按照本发明的作为可变电容器的同轴电容器的示意图；
图4a到4c是表示按照本发明的不同应用实例的示意图。
优选实施方式的详细描述
现在，参考附图对本发明的优选实施方式进行详细描述。对于各个附图中指定各元件的参考数字，应注意的是与指定给传统工艺中元件的数字相同的数字代表执行相同功能的元件，因此有意省去了对它们的重复描述。
图2a至2c是表示按照本发明的甚高频并联谐振天线的示意图。具体地说，图2a和2b是表示甚高频(VHF)并联谐振天线60′和阻抗匹配盒70之间位置关系的示意图，图2c表示的是等价电路图，其中包括了图2a和2b中的寄生电容。
参看图2a至2c，VHF并联谐振天线60′包括天线线圈L1、L2、L3和L4，相互间并联连接。各个天线线圈有不同的环形直径。天线线圈L4位于最外边。
通过RF(射频)电源75施加20MHz至300MHz范围内的VHF电能。传递到内部天线线圈L1、L2和L3的VHF电能用于产生电感等离子体，而传递到天线线圈L4上的VHF电能用于产生电容等离子体。
为了减小寄生电容Cs的影响，需要将谐振电容的容量减小到最低，从而在谐振电容C3和VHF并联谐振天线60′之间产生谐振。
但是，传统的作为谐振电容C3的真空可变电容器中没有容量为5pF或更小的产品。为了达到上述目的，即为了减小谐振电容C3的容量，应将几个可变电容串联，从而能简单地将总电容降低。此时，使用新型的容量为5pF或更小的可变电容将具有最大的效果。
多个可变电容串联后装在最外边的天线线圈L4上。如果仅通过新插入的可变电容能有效降低总电容，就不需要传统谐振电容C3。
由于寄生电容受内部天线线圈L1、L2和L3的影响小于最外边的天线线圈L4，多个可变电容仅装在最外边的天线线圈L4上。
图3是表示按照本发明的作为可变电容器的同轴电容器的示意图。
参看图3，第一两个金属管110和112通过第一绝缘管120相互连接。在连接位置处安装了第二绝缘管130，它围绕着第一绝缘管120。第二绝缘管130围绕着第一绝缘管并部分围绕着装在邻接第一绝缘管两侧的第一两个金属管110和112。
第二金属管140围绕第二绝缘管，它的安装能沿第二绝缘管的外侧表面滑动。在第二绝缘管130的一个末端装有挡板150，以挡住第二金属管140的滑动。最外边的天线线圈L4缠绕在每一个第一两个金属管110和112上，因此形成同轴电容，被插入安装在最外天线线圈L4上。
此同轴电容的优点在于可保证电容的范围为1pF～5pF，并且能精确控制电容量值。另外，可在第一两个金属管110和112以及第一绝缘管120中通过冷却水，其优势在于将VHF电能产生的热能辐射到外界。
图4a至4c是表示按照本发明的不同应用实例的示意图。具体地说，图4a表示多个同轴电容装在缠绕一次的天线线圈中，图4b表示多个同轴电容装在天线线圈缠绕几次的螺旋形串联天线中，图4c表示多个同轴电容装在螺旋形并联天线中，其中多个天线线圈互相并联连接。
在图4c的情况中，由于各个天线线圈完全起到最外边天线线圈的功能，优选的是，在各个天线线圈上安装同轴电容。由于并联型天线的总感应值小于串联型天线的，因此并联型天线对于VHF等离子体设备更有利。因此，对于VHF设备，图4c的情况比图4a和4b的更有优势。
如前所述，根据本发明的等离子体处理设备，甚至在VHF区域也能在并联谐振天线中产生谐振，因此将并联谐振天线与真空室之间的寄生电容对等离子处理设备的影响减小到了最低。这样，通过使用本发明的等离子体处理设备，产生均匀的高密度等离子体就变成可能。
尽管为了说明的目的对本发明的优选实施方式进行了描述，但本领域技术人员应理解的是，在不偏离由所附的权利要求所限定的本发明的范围和精神的条件下能对本发明作出各种修改、增添和替代。

Claims (8)

1、一种等离子体处理设备，在其中进行使用等离子体的半导体装置的制造过程，所述设备包括：
在其中进行半导体装置制造过程的真空室；
产生甚高频(VHF)电能的VHF电源；
VHF并联谐振天线，它具有多个互相并联连接的天线线圈以及串联地插入安装在天线线圈中的多个可变电容，天线安装在真空室的外面的上部，并从VHF电源供给VHF电能；
用于VHF电能和VHF并联谐振天线间阻抗匹配的阻抗匹配盒。
2、如权利要求1所述的等离子体处理设备，其中可变电容安装在位于最外边的天线线圈上。
3、如权利要求1所述的等离子体处理设备，其中VHF并联谐振天线是螺旋形并联天线，可变电容分别安装在天线线圈中。
4、如权利要求1所述的等离子体处理设备，其中VHF并联谐振天线包括互相间并联连接并具有不同直径的环形天线线圈。
5、如权利要求1所述的等离子体处理设备，其中VHF电能的频率范围为20MHz至300MHz。
6、如权利要求1所述的等离子体处理设备，其中可变电容是同轴电容，其包括：
第一绝缘管；
分别从第一绝缘管的两个端部延伸出来的第一两个金属管；
围绕第一绝缘管并且部分围绕装在邻接第一绝缘管两侧的第一两个金属管的第二绝缘管；
围绕第二绝缘管并且其安装能沿第二绝缘管外侧表面滑动的第二金属管。
7、如权利要求6所述的等离子体处理设备，其中冷却剂流过第一两个金属管和第一绝缘管。
8、如权利要求1所述的等离子体处理设备，其中可变电容的容量范围为1pF至5pF。
CNB021230749A 2001-06-19 2002-06-13 具有甚高频并联谐振天线的等离子体处理设备 Expired - Fee Related CN1220410C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0034612A KR100396214B1 (ko) 2001-06-19 2001-06-19 초단파 병렬 공명 안테나를 구비하는 플라즈마 공정장치
KR20010034612 2001-06-19
KRPATENT-2001-00 2001-06-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1392754A true CN1392754A (zh) 2003-01-22
CN1220410C CN1220410C (zh) 2005-09-21

Family

ID=19711035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021230749A Expired - Fee Related CN1220410C (zh) 2001-06-19 2002-06-13 具有甚高频并联谐振天线的等离子体处理设备

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20020189763A1 (zh)
KR (1) KR100396214B1 (zh)
CN (1) CN1220410C (zh)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100411088C (zh) * 2003-07-14 2008-08-13 周星工程股份有限公司 使用混合耦合等离子体的装置
CN100435273C (zh) * 2004-06-02 2008-11-19 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和阻抗调整方法
CN1833296B (zh) * 2003-02-24 2010-10-20 兰姆研究有限公司 用于产生均匀处理速率的天线
CN102054649A (zh) * 2009-10-27 2011-05-11 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置以及等离子体处理方法
CN102056396A (zh) * 2009-10-27 2011-05-11 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN102056395A (zh) * 2009-10-27 2011-05-11 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN102421238A (zh) * 2010-09-28 2012-04-18 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN102737943A (zh) * 2011-03-30 2012-10-17 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN101740303B (zh) * 2008-11-05 2012-10-31 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
US8741097B2 (en) 2009-10-27 2014-06-03 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
CN109148073A (zh) * 2017-06-16 2019-01-04 北京北方华创微电子装备有限公司 线圈组件、等离子体发生装置及等离子体设备
CN110291847A (zh) * 2017-02-16 2019-09-27 日新电机株式会社 等离子体产生用的天线、具有所述天线的等离子体处理装置以及天线构造
CN111656475A (zh) * 2018-01-25 2020-09-11 日新电机株式会社 电容元件及等离子体处理装置

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7469381B2 (en) 2007-01-07 2008-12-23 Apple Inc. List scrolling and document translation, scaling, and rotation on a touch-screen display
US7487444B2 (en) 2002-03-19 2009-02-03 Aol Llc Reformatting columns of content for display
US7871490B2 (en) * 2003-03-18 2011-01-18 Top Engineering Co., Ltd. Inductively coupled plasma generation system with a parallel antenna array having evenly distributed power input and ground nodes and improved field distribution
US20040182319A1 (en) * 2003-03-18 2004-09-23 Harqkyun Kim Inductively coupled plasma generation system with a parallel antenna array having evenly distributed power input and ground nodes
EP1480250A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-24 HELYSSEN S.à.r.l. A high density plasma reactor and RF-antenna therefor
US20050059234A1 (en) * 2003-09-16 2005-03-17 Applied Materials, Inc. Method of fabricating a dual damascene interconnect structure
US7748344B2 (en) * 2003-11-06 2010-07-06 Axcelis Technologies, Inc. Segmented resonant antenna for radio frequency inductively coupled plasmas
US7274333B1 (en) 2004-12-03 2007-09-25 Igor Alexeff Pulsed plasma element
US7789993B2 (en) * 2007-02-02 2010-09-07 Applied Materials, Inc. Internal balanced coil for inductively coupled high density plasma processing chamber
JP5694721B2 (ja) * 2009-10-27 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6289860B2 (ja) * 2012-10-23 2018-03-07 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ プラズマエッチングチャンバ用のｔｃｃｔマッチング回路
US10017857B2 (en) * 2015-05-02 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling plasma near the edge of a substrate
GB201806783D0 (en) 2018-04-25 2018-06-06 Spts Technologies Ltd A plasma generating arrangement
TW202402105A (zh) * 2020-02-19 2024-01-01 南韓商源多可股份有限公司 天線結構以及使用其之電感耦合電漿產生裝置
KR102324789B1 (ko) * 2020-02-19 2021-11-12 인투코어테크놀로지 주식회사 안테나 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 발생 장치
US20240162619A1 (en) * 2022-11-11 2024-05-16 Tokyo Electron Limited Parallel Resonance Antenna for Radial Plasma Control
CN116133224B (zh) * 2023-04-13 2023-07-04 安徽曦融兆波科技有限公司 一种用于激发高功率螺旋波等离子体的共振型天线装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3279038B2 (ja) * 1994-01-31 2002-04-30 ソニー株式会社 プラズマ装置およびこれを用いたプラズマ処理方法
US5580385A (en) * 1994-06-30 1996-12-03 Texas Instruments, Incorporated Structure and method for incorporating an inductively coupled plasma source in a plasma processing chamber
JP3105403B2 (ja) * 1994-09-14 2000-10-30 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置
KR970064327A (ko) * 1996-02-27 1997-09-12 모리시다 요이치 고주파 전력 인가장치, 플라즈마 발생장치, 플라즈마 처리장치, 고주파 전력 인가방법, 플라즈마 발생방법 및 플라즈마 처리방법
JPH11144894A (ja) * 1997-08-29 1999-05-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
JP2001023797A (ja) * 1999-07-02 2001-01-26 Tokyo Electron Ltd 誘導結合プラズマ処理装置
KR100338057B1 (ko) * 1999-08-26 2002-05-24 황 철 주 유도 결합형 플라즈마 발생용 안테나 장치

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1833296B (zh) * 2003-02-24 2010-10-20 兰姆研究有限公司 用于产生均匀处理速率的天线
CN100411088C (zh) * 2003-07-14 2008-08-13 周星工程股份有限公司 使用混合耦合等离子体的装置
CN100435273C (zh) * 2004-06-02 2008-11-19 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和阻抗调整方法
CN101740303B (zh) * 2008-11-05 2012-10-31 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN102056396A (zh) * 2009-10-27 2011-05-11 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN102056395B (zh) * 2009-10-27 2014-05-07 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
US9313872B2 (en) 2009-10-27 2016-04-12 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
US9899191B2 (en) 2009-10-27 2018-02-20 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN102054649A (zh) * 2009-10-27 2011-05-11 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置以及等离子体处理方法
CN102056396B (zh) * 2009-10-27 2013-06-19 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
US8608903B2 (en) 2009-10-27 2013-12-17 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
CN102056395A (zh) * 2009-10-27 2011-05-11 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
US8741097B2 (en) 2009-10-27 2014-06-03 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
US10804076B2 (en) 2009-10-27 2020-10-13 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
US9997332B2 (en) 2009-10-27 2018-06-12 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
US9253867B2 (en) 2009-10-27 2016-02-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
US9941097B2 (en) 2009-10-27 2018-04-10 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN102421238A (zh) * 2010-09-28 2012-04-18 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
US9627181B2 (en) 2010-09-28 2017-04-18 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN102737943A (zh) * 2011-03-30 2012-10-17 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
US9293299B2 (en) 2011-03-30 2016-03-22 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN104994676A (zh) * 2011-03-30 2015-10-21 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
US10020167B2 (en) 2011-03-30 2018-07-10 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN102737943B (zh) * 2011-03-30 2015-08-12 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN110291847A (zh) * 2017-02-16 2019-09-27 日新电机株式会社 等离子体产生用的天线、具有所述天线的等离子体处理装置以及天线构造
CN109148073A (zh) * 2017-06-16 2019-01-04 北京北方华创微电子装备有限公司 线圈组件、等离子体发生装置及等离子体设备
CN111656475A (zh) * 2018-01-25 2020-09-11 日新电机株式会社 电容元件及等离子体处理装置
CN111656475B (zh) * 2018-01-25 2022-07-05 日新电机株式会社 电容元件及等离子体处理装置
US11615922B2 (en) 2018-01-25 2023-03-28 Nissin Electric Co., Ltd. Capacitive element and plasma processing device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020096259A (ko) 2002-12-31
CN1220410C (zh) 2005-09-21
KR100396214B1 (ko) 2003-09-02
US20020189763A1 (en) 2002-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1220410C (zh) 具有甚高频并联谐振天线的等离子体处理设备
US5309063A (en) Inductive coil for inductively coupled plasma production apparatus
US6030667A (en) Apparatus and method for applying RF power apparatus and method for generating plasma and apparatus and method for processing with plasma
US11495443B2 (en) Filter device and plasma processing apparatus
US7442273B2 (en) Apparatus using hybrid coupled plasma
JP3090615B2 (ja) 誘導プラズマ発生装置および容量結合を与える方法
JP5315243B2 (ja) 誘導結合コイルおよび該誘導結合コイルを用いた誘導結合プラズマ装置
KR100645469B1 (ko) 유도적으로 결합된 플라즈마 발생 시스템을 위한 다중코일 안테나
US6685798B1 (en) Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna
US5210466A (en) VHF/UHF reactor system
CN1662114A (zh) 等离子天线
KR100444189B1 (ko) 유도결합 플라즈마 소스의 임피던스 정합 회로
US20040011465A1 (en) Plasma Processing apparatus
KR102070471B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 필터 유닛
TW200405402A (en) Plasma processing apparatus
WO1997002588A1 (en) Low inductance large area coil for an inductively coupled plasma source
US20150200078A1 (en) Plasma etching apparatus
US20020170677A1 (en) RF power process apparatus and methods
US6251241B1 (en) Inductive-coupled plasma apparatus employing shield and method for manufacturing the shield
US20020007794A1 (en) Plasma processing apparatus
WO2008031321A1 (fr) Bobine de couplage inductif et appareil au plasma à couplage inductif correspondant
US6653988B2 (en) Parallel resonance whirl antenna
CN1640210A (zh) 低纵横比电感耦合等离子发生器
CN1430247A (zh) 匹配电路和等离子加工装置
CN110416054B (zh) 感应线圈组及反应腔室

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20050921

Termination date: 20130613