CN1388608A - 具有同轴谐振器和陷波图形的介质滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种介质滤波器,该介质滤波器具有两个外侧谐振器、一个设置在两个外侧谐振器之间的中间谐振器,并设置陷波图形。在与外侧谐振器对应的侧表面的各侧面无涂层区域内分别形成输入衰减器和输出衰减器。将陷波图形形成在侧表面的一个延伸侧面无涂层区域内,该延伸侧面无涂层区域连接到一个侧面无涂层区域,上述侧面无涂层区域对应于与中间谐振器和一个外侧谐振器对应的侧表面的第三位置。陷波滤波器沿侧表面从输入衰减器或输出衰减器开始向与中间谐振器对应的中间位置延伸。陷波滤波器形成中间谐振器与输入衰减器或输出衰减器之间的电容器。

Description

具有同轴谐振器和陷波图形的介质滤波器

技术领域

本发明一般地涉及具有多个四分之一波长型同轴谐振器的介质滤波器，更具体地说，本发明涉及具有用于改善高频带衰减特性的陷波图形的介质滤波器。

背景技术

介质滤波器已经用于衰减要求频带的边带。通常，诸如陶瓷滤波器的介质滤波器包括由陶瓷材料制成的介质块以及多个在介质块内形成的同轴谐振器。在介质滤波器中应该实现要求频带的最小插入损耗和要求频带边带的最小衰减比。此外，高频带设备使用的介质滤波器需要进一步改善应该通过介质滤波器的高频带的衰减特性。然而，因为存在在介质滤波器内形成的分离的、独立陷波孔的附加空间，所以不可能将这些传统介质滤波器减小到最小以安装到尺寸缩减的设备内。

图1A至图1C示出了传统介质滤波器、图1A所示的传统介质滤波器的等效电路以及图1A所示的介质滤波器的典型特性曲线图。图1A所示的介质滤波器10包括：介质块，其具有上表面、与上表面分离并平行的下表面以及与上表面和下表面垂直的四壁。多个同轴谐振器10a、10b、10c包括在介质块内形成的各通孔11a、11b、11c。为了对高频通带提供衰减特性，将被用作分离的独立陷波孔的通孔11d形成在与外部同轴谐振器10a、10c之一平行并相邻的介质块内。在两个侧表面之间从一个端面到另一个端面按顺序排列通孔11a、11b、11c、11d。

将导电材料涂敷到下表面、侧壁以及上表面的周边部分。作为加载电容器图形，涂敷有导电材料的各上表面涂层区域13a、13b、13c、13d被形成在暴露在介质块上表面的各通孔11a、11b、11c、11d的周围，在上表面涂层周边部分与谐振器10a、10b、10c以及陷波孔10d的上表面涂层区域之间形成各上表面无涂层区域。

与各外部谐振器对应，临近上表面设置在一个侧壁22a上形成的输入衰减器(pad)13a和输出衰减器13b。侧面无涂层区域12a和侧面无涂层区域12b分别将输入衰减器13a和输出衰减器13b与涂敷在一个侧壁22a上的导电材料隔开。侧壁22a上的侧面无涂层区域12a与外部谐振器10a、10c之一的上表面无涂层区域14a相连，而一个侧壁22a的侧面无涂层区域12b与外部谐振器10a、10b、10c、10d中的另一个的上表面无涂层区域14c相连。

图1A所示的介质滤波器的等效电路示于图1B。输入端(In)和输出端(Out)表示输入衰减器13a和输出衰减器13b。由陷波孔的直径和长度定义NR。由加载电容器图形与输入衰减器和输出衰减器之间的距离定义CN1，而由陷波孔的加载电容器图形与上表面的周边涂层部分之间的距离定义CN2。图1C示出了介质滤波器10的反射损耗S11和传播特性或衰减特性S21。形成高频带插入损耗P1，并建立高频带衰减极点AP。

然而，因为这种介质滤波器需要为陷波孔提供附加空间，所以传统介质滤波器不能减小尺寸。与安装介质滤波器10的最小设备比较，传统介质滤波器的尺寸相对庞大。因此本发明人发现传统介质滤波器的尺寸不能减小，并且考虑到最近开发的最小化的设备，所以难于而且通常不便于将传统介质滤波器安装到相对小的设备内。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种根据本发明原理构建的具有多个谐振器以及输入衰减器和输出衰减器的改进型介质滤波器。

本发明的另一个目的是提供可以减小尺寸并具有改进的要求高频通带衰减特性的改进型介质滤波器。

本发明的又一个目的是提供一种可以节省陷波孔在该介质滤波器内占用的附加空间的改进型介质滤波器。

本发明的又一个目的是提供一种可以安装到安装介质滤波器的相对小型设备内的改进型介质滤波器。

本发明的进一步目的是提供一种可以降低制造成本的改进型介质滤波器。

本发明还有一个目的是提供一种可以缩短制造过程的改进型介质滤波器。

通过提供一种具有根据本发明原理构建的陷波图形的介质滤波器可以实现上述以及其它目的。该介质滤波器包括：诸如介电陶瓷块的介质块，介质块定义上表面、与上表面隔开并平行的下表面、两个互相隔开并与上表面和下表面都垂直的纵向侧表面以及两个设置在侧表面之间并与侧表面垂直的端面。侧表面和端面形成上表面与下表面之间的介质块的外侧。侧表面、端面、下表面以及上表面的周边外侧区域均涂敷有导电材料。三个谐振器，例如：第一外侧谐振器和第二外侧谐振器以及设置在两个外侧谐振器之间的中间谐振器，包括在介质块中形成的通孔，它们互相平行、从一个端面到另一个端面按顺序排列在侧表面之间并且各开口暴露在上表面上。

将导电材料涂敷到通孔的周边内壁。此外，为了对各谐振器提供加载电容图形，在各通孔开口周围涂敷导电材料以形成上表面涂层区域。将上表面涂层区域连接到通孔周边内壁上的导电材料。在谐振器的各上表面涂层区域周围以及在谐振器的周边外侧区域和各上表面涂层区域之间形成上表面无涂层区域。

在与上表面相邻并与上表面的各上表面无涂层区域相连的一个侧表面上形成两个侧面无涂层区域。在位于与第一谐振器对应的第一位置和与第二谐振器对应的第二位置，将输入衰减器和输出衰减器分别设置到侧表面的各侧面无涂层区域内。输入衰减器和输出衰减器与涂敷在侧表面的导电材料隔开并分别通过侧表面的各侧面无涂层区域和上表面的上表面无涂层区域电连接到第一谐振器和第二谐振器。

侧表面的两个侧面无涂层区域之一沿侧表面向两个侧面无涂层区域中的另一个连续延伸，并为了在输入衰减器与中间谐振器之间提供电容，将延伸的侧面无涂层区域的一端设置到与中间谐振器对应的侧表面的第三位置。覆盖在侧表面的延伸侧面无涂层区域与上表面的上表面无涂层区域之间的导电材料将延伸侧面无涂层区域与中间谐振器上表面无涂层区域隔开。

为了提供连接在中间谐振器与输入衰减器之间的电容，由导电材料制成并设置在侧表面之一的侧面无涂层区域和延伸侧面无涂层区域内的陷波图形从输入衰减器沿侧表面在与上表面平行的方向连续延伸到与中间谐振器的中间通孔对应的中间位置。

利用存在的陷波图形，在中间谐振器与输入衰减器或输出衰减器之间形成电场。由于根据与在输入衰减器与中间谐振器之间形成的电场等效的电容，在要求的高频带形成衰减极点，所以在要求的高频带建立衰减特性。

附图说明

通过参考以下结合附图进行的详细说明，能够更全面地理解本发明，并且本发明的许多其它优点将变得更加明显，附图中相同的标号表示相同的部件，附图包括：

图1A是介质滤波器的透视图；

图1B示出了图1A所示的同轴谐振器的等效电路图；

图1C是图1A所示的介质滤波器的典型频率传播特性曲线图；

图2A是具有根据本发明原理构建的陷波图形的介质滤波器的透视图；

图2B是图2A所示的介质滤波器的侧表面的前视图；

图2C是图2A所示的介质滤波器的等效电路图；

图2D是图2A所示的介质滤波器的典型频率传播特性曲线图；

图3A和图3B是根据本发明原理构建的第二实施例的透视图；

图4是根据本发明原理构建的第三实施例的透视图；

图5是根据本发明原理构建的第四实施例的透视图；

图6是显示根据本发明构建的介质滤波器的衰减频率和典型传播特性的漂移的曲线图。

具体实施方式

参见附图，图2A示出了介质滤波器200，介质滤波器200包括介质块200a，介质块200a定义上表面210、与上表面210隔开的下表面230、互相隔开并与上表面210和下表面230垂直的两个侧表面220a以及两个侧壁220b，两个侧表面220a和两个侧壁220b形成了介质块200a的外侧220。为了形成用作屏蔽电极或接地电极的外部导体228，将导电材料涂敷到上表面210的周边区域210a、下表面230、两个侧表面以及两个侧壁220上。

介质滤波器200设置有两个外侧谐振器201、203以及中间谐振器202，它们分别具有在介质块200a中形成的通孔211a、211c、211b，这些通孔互相平行，从一个端面220b到另一个端面220b按顺序排列在侧表面220a之间并且各开口暴露在上表面210上。将导电材料涂敷到通孔211a、211b、211c的周边内壁。围绕通孔211a、211b、211c的各开口形成涂敷有导电材料的上表面涂层区域213a、213b、213c，并将涂敷导电材料的上表面涂层区域213a、213b、213c连接到涂敷到通孔211a、211b、211c的周边内壁上的导电材料以为各个谐振器201、202、203提供加载电容图形。分别在谐振器201、202、203的上表面涂层区域213a、213b、213c周围和周边外侧区域210a与谐振器201、202、203的上表面涂层区域213a、213b、213c之间形成上表面无涂层区域212a、212b、212c。围绕中间谐振器202的上表面无涂层区域212b形成第二上表面导电区域210b。

在侧表面220a上形成与上表面210相邻的两个侧面无涂层区域221a、221b并将它们分别连接到上表面210的上表面无涂层区域212a、212c。将输入衰减器222a和输出衰减器221b分别设置到位于与第一外侧谐振器201对应的侧表面220a的第一位置和与第二外侧谐振器203对应的侧表面220a的第二位置的侧表面220a的各侧面无涂层区域221a、221b内。涂敷在侧表面220a上的导电材料将输入衰减器222a和侧面无涂层区域221a与外侧衰减器222b和侧面无涂层区域221b隔开。通过侧表面220a的侧面无涂层区域221a和上表面210的上表面无涂层区域212a，将输入衰减器222a电连接到第一外侧谐振器201。而通过侧表面220a的侧面无涂层区域221c和上表面210的上表面无涂层区域212c，将输出衰减器222b电连接到第二外侧谐振器203。

侧表面220a的侧面无涂层区域221a的延伸侧面无涂层区域221c从侧表面220a的侧面无涂层区域221a沿侧表面220a向侧面无涂层区域221b连续延伸，并且为了在输入衰减器222a与中间谐振器202之间提供电容，将延伸侧面无涂层区域221c的一端设置到中间谐振器202与第二外侧谐振器203之间的侧表面220a的第三位置。利用设置在侧表面220a的延伸侧面无涂层区域221c与上表面210的上表面无涂层区域212b之间的第二上表面导电涂层区域210b，将延伸侧面无涂层区域221c与中间谐振器202的上表面无涂层区域212b隔开。

将导电材料制成的陷波图形225设置在侧面无涂层区域221a和侧表面220a的延伸侧面无涂层区域221c内。陷波图形225的延伸衰减器225a从输入衰减器222a向与中间谐振器202的通孔211b对应的第三中间位置沿侧表面220a在与上表面210平行的方向连续延伸，并且为了形成连接在中间谐振器202与输入衰减器222a之间的电容，将端部226设置到与中间谐振器202的通孔211b对应的第三位置。将延伸衰减器225a和输入衰减器222a一体形成在单片结构内。虚线示出了重叠在介质滤波器200的侧表面前视图内的中间谐振器202的通孔211b与陷波图形225之间的关系。

如图2B所示，符号D1表示第一通孔211a的中心轴与中间通孔211b的中心轴之间的第一距离。输入衰减器221a与陷波图形225之间的第二长度D2大于第一外侧谐振器201与之间谐振器202的通孔211a、211b的中心轴之间的第一距离D1。陷波图形225的延伸衰减器225a与上表面210隔开第一高度H1，并且陷波图形225的延伸衰减器225a具有第二统一厚度H2，并且陷波图形225的端部226具有第三厚度H3，第三厚度H3大于延伸衰减器225a的第二厚度H2。陷波图形225的端部226的第三厚度H3可以等于延伸衰减器225a的第二厚度H2。利用可以等于或小于端部226的第三厚度H3或延伸衰减器225a与上表面210之间的第一厚度H1的第四厚度H4，将端部226与上表面210隔开。延伸衰减器225a具有第五长度D5，第五长度D5小于或大于或等于端部226的第四长度D4。陷波图形225的第三长度D3小于第二长度D2。端部226的第四长度D4可以等于延伸衰减器225a的第三长度D3。

图2C示出了图1A所示的介质滤波器的等效电路图。IN端和OUT端表示输入衰减器222a和输出衰减器222b。由输入衰减器222a与外部谐振器201之间的距离定义电容器Cin，而由输出衰减器222b与外部谐振器203之间的距离定义电容器Cout。各通孔211a、211b、211c的长度和直径分别定义分别与各节点n1、n2、n3相连的电感DR1、DR2、DR3。电容CR1、CR2、CR3均是外部导体228与谐振器201、202、203的加载电容器图形213a、213b、213c之间距离的函数。标号C1、C2表示在谐振器201、202、203之间形成的电场的等效电容。在谐振器201、202、203之间形成的磁场的等效电感分别定义电感L1、L2。根据陷波图形225，中间谐振器202与输入衰减器222a之间的等效电场定义连接在节点n2与输入衰减器222a的IN端之间的电容器C225。如果将陷波图形225连接到输出衰减器222b，则电容器C225连接到节点2与输出衰减器222b的OUT端之间。根据陷波图形225，由在中间谐振器202与输出衰减器222b形成的等效电场定义连接到节点n2与输出衰减器222b的输出端之间的电容器C225。

参考图2D，根据中间谐振器202和在中间谐振器202与连接到输入衰减器222a的陷波图形225之间形成的电场的等效电容，在高频通带形成衰减极点AP。根据存在的衰减极点AP，在高频通带的位置P1附近形成理想的插入损耗和衰减比。与图1C所示的插入损耗P1比较，位置P1处的插入损耗相对较低。

如上所述，利用根据本发明原理构建的陷波图形225可以建立更理想的高频通带衰减特性，并经过重复实验获得的图2D示出的高频通带衰减特性。例如，陷波图形225从输入衰减器222a开始延伸或与输入衰减器222a隔开。延伸输入衰减器225a可以具有一致的高度或非一致的高度，并且可以是线性的或非线性的。陷波图形225的形状根据要求的介质滤波器200的高频通带的衰减极点和插入损耗而变化。

图3A示出了根据本发明原理构建的介质滤波器200的第二实施例。侧面无涂层区域221a沿侧表面220a向中间谐振器202与第二外侧谐振器203中间的相应第三位置延伸。延伸衰减器225a在侧面无涂层区域221a和延伸无涂层区域221c内沿从输入衰减器222a到与中间谐振器202的通孔211b的中间位置的侧表面220a延伸。在介质滤波器的侧表面220a的前视图中，陷波图形225与中间谐振器202的通孔211b重叠。

在与输入衰减器222a相连的陷波图形225与围绕上表面210内的中间谐振器202的通孔211a的开口形成的加载电容器图形213b之间形成电容。如上所述，介质滤波器200的第二实施例包括具有从输入衰减器221a延伸的延伸衰减器225a的陷波图形225。如图3B所示，延伸衰减器225a可以从设置在侧表面220a的延伸侧面无涂层区域222c内的输出衰减器222b开始延伸。

在图4和图5中，可以将从主陷波图形225和输入衰减器222a延伸的并被设置到上表面无涂层区域212b上的子陷波图形215连接到中间谐振器202的上表面涂层区域213b的加载电容器图形，并且还可以将它与中间谐振器202的上表面涂层区域212b的加载电容器图形隔开预定距离。将子陷波图形215设置到上表面210上，而将输入衰减器225a和陷波图形225设置到侧表面220a上。

图4示出了根据本发明原理构建的第三实施例。将延伸无涂层侧表面221c不间断地连接到上表面无涂层区域。子陷波图形215从陷波图形225的端部226和延伸衰减器225a延伸并设置到上表面210的上表面无涂层区域212b内。延伸衰减器225a具有预定长度和预定高度，而陷波图形225的端部226与延伸输入衰减器225a不同或大于延伸输入衰减器225a。

子陷波图形215还从陷波图形225的端部226延伸到上表面无涂层区域212b，上表面无涂层区域212b向延伸侧面无涂层区域221c延伸并连接到延伸侧面无涂层区域221c。上表面无涂层区域212b向延伸侧面无涂层区域221c延伸并连接到延伸侧面无涂层区域221c。将导电材料无间断地涂敷到子陷波图形215、端部226、延伸输入衰减器225a以及输入衰减器222a上，并将它与上表面210内的中间谐振器202的加载电容器图形213b隔开。

如图5所示，侧面无涂层区域221a将陷波图形225与输入衰减器222a隔开。陷波图形225的两个端部225a、225b的高度高于连接在两端部225a、225b之间的中间部分225c的高度。将上表面无涂层区域212b向延伸侧面无涂层区域221c延伸并将它连接到延伸侧面无涂层区域221c。将从陷波图形225的一个端部225a延伸的子陷波图形215a设置到待连接到通过上表面无涂层区域212b设置在上表面210上的上表面涂层区域213b的加载电容器图形的上表面无涂层区域212b上。将导电材料无间断地涂敷到中间部分225c、端部225a、225b、子陷波图形215以及中间谐振器202的加载电容器图形213b。将陷波图形225与输入衰减器222a隔开，并将它连接到中间谐振器202的加载电容器图形213b。由陷波图形225的形状和输入衰减器222a与陷波图形225之间的距离定义电容C225。

图6示出了根据本发明原理构建的介质滤波器的衰减极点AP的频率响应特性。由于存在陷波图形，所以在中间谐振器与设置在侧表面的侧面无涂层区域内的输入衰减器或输出衰减器之间产生电场。由于根据与在输入衰减器与中间谐振器之间形成的电场等效的电容，在要求的高频带形成衰减极点，所以在要求的高频带建立衰减特性。根据中间谐振器202以及由陷波图形225的区域和加载电容器图形213b与陷波图形225之间的距离形成的电场的电容，对衰减极点进行调节。一对曲线S11′、S11″示出了对电容C225和谐振器频率进行调谐前后的频率特性。一对曲线S21′、S21″示出了对电容C225进行的调节在AR方向向高频通带漂移的频率特性。

如上所述，根据本发明原理，对介质滤波器设置在介质块的侧表面上形成的陷波图形非常具有优势，因为陷波图形提供连接在中间谐振器与输入衰减器或输出衰减器之间的直接电容器。利用在作为外部导体的同一侧表面上形成的陷波图形，可以去除传统陷波孔。此外，还可以减小介质滤波器的尺寸。不仅如此，无需传统陷波孔，仍可以获得更理想的通带衰减特性。

虽然已经利用典型优选实施例对本发明进行了说明，但是显然本发明范围并不局限于所披露的实施例。相反，本发明希望概括各种变换方案和类似排列。因此，为了包括所有变换方案和类似排列，权利要求所述的范围对本发明给予最广泛解释。

Claims (35)

1.一种介质滤波器，该介质滤波器包括：

介质块，定义上表面、与所述上表面隔开的下表面以及两个侧表面和两个端面，所述两个侧表面和两个端面均设置在所述上表面与下表面之间以形成所述介质块的外壁，所述介质块包括：

三个谐振器，具有在所述介质块内按顺序形成并与所述上表面垂直的第一通孔、中间通孔以及第二通孔；

外部导体，由涂敷在所述上表面的周边部分、所述下表面以及所述侧表面和端面的导电材料制成；

第一上表面涂层区域、中间上表面涂层区域以及第二上表面涂层区域，形成在所述上表面上，涂敷有导电材料，围绕各通孔设置；

第一上表面无涂层区域、中间上表面无涂层区域以及第二上表面无涂层区域，形成在所述上表面上，并围绕所述各上表面导电区域设置；

无涂层输入区域和无涂层输出区域，形成在一个所述侧表面上，并通过涂敷在所述无涂层输入区域与所述输出区域之间预定距离的外部导体互相隔开，它们被分别设置在分别与所述第一通孔和第二通孔对应的一个侧表面的第一位置和第二位置；以及

输入衰减器，涂敷有导电材料，并将它设置到所述无涂层输入区域内；以及

输出衰减器，涂敷有导电材料，并将它设置到所述无涂层输出区域内；

延伸无涂层区域，形成在与设置在所述第一通孔与所述第二通孔之间的所述中间通孔对应的一个侧表面的中间位置上，从所述无涂层输入区域和所述无涂层输出区域之一开始沿所述侧表面之一向所述中间位置延伸；以及

延伸衰减器，涂敷有导电材料，设置在所述延伸无涂层区域内并设置在所述中间位置。

2.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述上表面的延伸无涂层区域与所述上表面的第一上表面无涂层区域和第二上表面无涂层区域之一相连。

3.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述上表面的延伸无涂层区域与无涂层输入区域和无涂层输出区域之一和所述上表面的第一上表面无涂层区域和第二上表面无涂层区域之一相连。

4.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述上表面的延伸无涂层区域的高度比所述延伸衰减器的高度高。

5.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述上表面的延伸无涂层区域的长度大于第一通孔与中间通孔之间的距离。

6.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述上表面的延伸无涂层区域的高度高于所述延伸衰减器的高度。

7.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述延伸衰减器电连接到所述输入衰减器和所述输出衰减器之一。

8.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述延伸衰减器具有一致的高度。

9.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述延伸衰减器的预定长度长于所述输入衰减器的长度。

10.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述延伸衰减器的端部设置在所述侧表面之一的所述中间位置，而所述延伸衰减器的主要部分设置在所述第一位置与所述第二位置之间并电连接到所述端部与所述输入衰减器之间。

11.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述延伸衰减器的主要部分连接到所述输入衰减器，而其端部连接到所述主要部分，所述端部的高度高于所述主要部分，而所述主要部分的高度低于所述输入衰减器。

12.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述延伸衰减器的端部的长度大于所述中间通孔的直径。

13.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述延伸衰减器的主要部分的长度长于所述第一通孔与所述中间通孔之间的距离。

14.根据权利要求1所述的介质滤波器，其中在平行于上表面方向上所述输入衰减器的长度和所述延伸衰减器的长度之和大于所述第一通孔的一个外端与在平行于所述上表面方向上与所述第一通孔的所述一个外端相对的所述第二通孔另一端之间的第二长度。

15.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述中间无涂层区域与所述无涂层输入区域和所述延伸无涂层区域隔开，而所述第一无涂层区域连接到所述无涂层输入区域和所述延伸无涂层区域。

16.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述延伸衰减器与所述输入衰减器隔开预定距离，将所述延伸衰减器和所述输入衰减器分别设置到所述延伸输入区域和所述延伸无涂层区域。

17.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述中间无涂层区域与所述延伸无涂层区域相连，同时所述第一无涂层区域与所述无涂层输入区域相连。

18.根据权利要求17所述的介质滤波器，所述延伸衰减器与所述中间涂层区域相连。

19.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述延伸衰减器的端部设置在一个所述侧表面的延伸无涂层输入区域的第二位置上，并且其末端连接到所述端部并设置到所述上表面的所述无涂层区域。

20.一种介质滤波器，该介质滤波器包括：

介质块，包括三个具有第一通孔、第二通孔以及设置在所述第一通孔和所述第二通孔之间的中间通孔的谐振器；

外部导体，具有与所述通孔平行并涂敷有导电材料的所述介质块的一个侧表面；

无涂层输入区域和无涂层输出区域，形成在与所述通孔的纵轴平行的所述介质块的所述侧表面上，由预定距离的所述外部导体互相隔开，所述无涂层输入区域设置在与所述第一通孔对应的所述侧表面的第一位置，所述无涂层输出区域设置在所述侧表面的第二位置；

输入衰减器和输出衰减器，由导电材料制成，并设置在所述侧表面的所述各无涂层输入区域和各无涂层输出区域内；

延伸无涂层区域，形成在与所述中间通孔对应的所述侧表面的中间位置，从所述无涂层输入区域和所述无涂层输出区域之一开始沿所述侧表面延伸到所述中间位置；以及

延伸衰减器，涂敷有导电材料，并设置在所述侧表面的所述延伸无涂层区域内。

21.根据权利要求20所述的介质滤波器，该介质滤波器进一步包括：

所述介质块，包括上表面、与所述上表面隔开的下表面以及设置在所述上表面和所述下表面之间以形成所述介质块的外壁的三个端面和侧表面；

所述外部导体，具有所述上表面的周边部分、所述下表面以及所述端面；

涂敷有导电材料的第一上表面涂层区域、中间上表面涂层区域以及第二上表面涂层区域，形成在所述上表面上，涂敷有导电材料，并设置在各通孔周围；以及

第一上表面无涂层区域以及第二上表面无涂层区域，形成在所述上表面上并设置在所述各上表面导电区域周围。

22.根据权利要求21所述的介质滤波器，所述上表面的延伸无涂层区域与所述上表面的所述第一上表面无涂层区域和第二上表面无涂层区域之一相连。

23.根据权利要求21所述的介质滤波器，所述上表面的延伸无涂层区域与所述无涂层输入区域和所述无涂层输出区域之一和所述上表面的所述第一上表面无涂层区域和第二上表面无涂层区域之一相连。

24.根据权利要求21所述的介质滤波器，所述延伸衰减器的端部设置在所述一个所述侧表面的所述延伸无涂层输入区域的所述第二位置上，并且其末端连接到所述端部并设置到所述上表面的所述无涂层区域。

25.根据权利要求20所述的介质滤波器，所述延伸衰减器的端部设置在所述侧表面之一的所述中间位置，而所述延伸衰减器的主要部分设置在所述第一位置与所述第二位置之间，所述端部电连接到所述主要部分。

26.根据权利要求20所述的介质滤波器，所述延伸衰减器电连接到所述输入衰减器和所述输出衰减器之一。

27.根据权利要求20所述的介质滤波器，所述延伸衰减器具有一致的高度。

28.根据权利要求20所述的介质滤波器，所述延伸衰减器具有长于所述输入衰减器的长度的预定长度。

29.根据权利要求20所述的介质滤波器，所述中间无涂层区域与所述无涂层输入区域和所述延伸无涂层区域隔开，而所述第一无涂层区域连接到所述无涂层输入区域和所述延伸无涂层区域。

30.根据权利要求20所述的介质滤波器，所述延伸衰减器与所述输入衰减器隔开预定距离，将所述延伸衰减器和所述输入衰减器分别设置到所述延伸输入区域和所述延伸无涂层区域。

31.根据权利要求20所述的介质滤波器，所述中间无涂层区域与所述无涂层输入区域和所述延伸无涂层区域相连。

32.根据权利要求20所述的介质滤波器，所述延伸衰减器与所述中间涂层区域相连。

33.一种介质滤波器，该介质滤波器包括：

导体，连接到输入端与输出端之间，所述导体具有按顺序排列的第一节点、中间节点以及第二节点，将所述中间节点设置在所述第一节点与所述第二节点之间；

第一谐振器、中间谐振器以及第二谐振器，连接到外部导体的地线端，将所述谐振器分别按顺序连接到所述导体的所述第一外侧节点、所述中间节点以及所述第二外侧节点；

所述输入端和所述输出端，形成在所述介质滤波器的介质块的侧表面上，并分别设置与所述第一谐振器和所述第二谐振器之一对应的所述侧表面的第一位置和与所述中间位置对应的所述侧表面的第二位置；

等效电容器和等效电感器，均连接在所述第一节点与所述中间节点之间和所述中间节点与所述第二节点之间；

第一电容器，连接在所述输入端与所述第一节点之间和所述输出端与所述第二节点之间；以及

第二电容器，连接在所述输入端与所述输出端之一与所述中间节点之间，所述第二电容器具有在所述中间谐振器与陷波图形之间形成的电容，将所述陷波图形设置在与所述中间谐振器对应的所述侧表面的中间位置，将所述陷波图形连接到所述输入端和所述输出端之一。

34.根据权利要求33所述的介质滤波器，所述中间谐振器与所述第一谐振器和第二谐振器隔开。

35.根据权利要求34所述的介质滤波器，所述中间位置与所述第一位置和所述第二位置隔开。

Images