CN1388078A - 阶跃折射率光纤、预制棒以及制造光纤的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种阶跃折射率光纤,它呈现具有折射率低于石英的折射率的包层,并且纤芯具有折射率高于石英的折射率。该光纤是通过拉制通过使用沉积管折射率低于石英折射率的化学蒸气沉积法制造预制棒获得的。内包层的折射率大体上等于该沉积管的折射率,然后接着沉积其中纤芯的折射率高于该内包层的折射率。本发明使获得一种具有很大的有效面积、减少衰减并且适用于通过化学蒸汽沉积法以低成本制造光纤成为可能。

Description

阶跃折射率光纤、 预制棒以及制造光纤的方法

技术领域

本发明涉及光纤传输领域，更准确地说涉及在上述的传输系统中用作线路光纤的阶跃折射率光纤。

背景技术

一个光纤的折射率分布通常按照与半径有关光纤的折射率绘制的图形的外部特性描述。在常规的方式中，到光纤中心的距离r被沿着横坐标轴绘制，并且在该折射率和光纤包层的折射率之间的差值被绘制在纵标轴上。因此该折射率分布对于分别为阶跃、梯形或者三角形图形的可以被称为“阶跃形状的”、“梯形的”或者“三角形的”。上述的特性曲线通常对于光纤是理想化的外形或者参考外形，并且光纤制作的限制可以导致轮廓与此显然地偏离。

在光纤传输系统中用于线路光纤常规的是阶跃折射率光纤，也称为单模光纤(SMF)。该申请人公司因此销售单模阶跃折射率光纤，在基准ASMF 200之下，在1300毫微米(nm)至1320nm范围内它存在色散消除波长λ0，并且在1285nm至1330nm范围内色散小于或等于每毫微米千米3.5皮可秒(ps/(nm.km))，以及在1550nm是17ps/(nm.km)。在1550nm，色散斜率大约是0.06ps/(nm².km)。

WO-A-00 36443描述了一种存在纤芯折射率大于包层折射率的阶跃折射率光纤。该包层被以积炭层包围。该纤芯存在一个处于范围9.5微米(μm)至12.0μm的直径。在纤芯和包层之间的折射率的相对差处于范围0.3％至0.5％。在那些文献中，据说光纤可以使用石英，通过对纤芯掺杂锗并且使用石英包层制造；一个备选方案是对包层掺杂氟。同时使用石英纤芯。

这些方法都存在缺点。首先，为了相对于石英包层获得需要的折光率差，以锗掺杂该纤芯需要使用高浓度锗，按重量计算一般地大于5％。上述的浓缩锗增加了在光纤中的衰减。此外，如在文献中提出的，制造具有掺杂包层的石英纤芯光纤，在制造时使用蒸汽轴向的沉积(VAD)技术，或使用一个外部汽相氧化(OVPO)技术。WO-A-00 42458描述了一种用于远距离传输系统的传输光纤，该包层是掺杂氟的，以及该纤芯是掺杂氯的。使用VAD技术制造该光纤。

为了制造光纤，也使用改进的化学汽相沉积(MCVD)技术。包括用于改变其折射率的掺杂物的石英层被连续地沉积在沉积管的内部。此后，该管被收缩或者紧缩以便构成第一预制棒。这个第一预制棒被插入一个或多个套筒，它被依次收缩或者紧缩以便压在第一预制棒上。该产生的预制棒被拉制去形成光纤。上述的用于制造光纤的技术对于所属技术领域的专业人员来说是为大家所熟知的。

因此，EP-A-0 972 752描述了MCVD制造，以及其提出在沉积管内部沉积包覆材料和纤芯材料的连续层。在收缩之后，该沉积管插入一个或多个套筒中，有人提出该内部套筒应该呈现掺杂降低其折射率，以便构成掩蔽包层光纤。沉积在该沉积管内部的该包层可以掺杂氟。该纤芯掺杂锗。提供沉积管的纯净是充分的，可以避免沉积包层。该沉积管是玻璃管，其中按重量计算OHions的浓度小于百万分之0.05。因此，US-A-4 566 754或者US-A 5 692 087提出了一种由MCVD制造阶跃折射率光纤，其中掺杂氟包层和掺杂锗纤芯被沉积在石英沉积管内部。

对于同类型的预制棒，US-A-5 942 296建议通过作用于石英沉积管的粘性和热传导率，以及包围其的套筒简化拉制该预制棒。这些方法使避免加热该预制棒的纤芯成为可能。在那些文献中详细说明了随着减少掺杂氟包层的厚度，减少了MCVD制造的成本。

EP-A-0 899 243也提出了一种阶跃折射率光纤，存在掺杂锗纤芯，内包层被掺杂氟。以及外面的包层是未掺杂石英的。该应用提出以每分钟大于20克(g/min)的速度拉制该光纤。

EP-A-0 863 108描述了一种通过等离子沉积在该沉积管外面外附材料制造预制棒的方法。

发明内容

本发明的问题是通过MCVD制造阶跃折射率光纤。与在那些文献中提出的方法相比较，石英沉积管、掺杂氟包层以及掺杂锗纤芯，本发明使简化预制棒制造过程，使降低其持续时间和其成本成为可能。本发明也使获得一种具有增加了有效面积和减少了衰减的阶跃折射率光纤成为可能。

更确切地说，本发明提供一种制造用于被拉制成光纤的预预棒的方法，该方法包括：

·使用化学蒸气沉积法在沉积管内形成内包层，该沉积管存在一个低于石英的折射率，并且该内包层存在一个大体上等于沉积管的折射率的折射率，在内包层的折射率和沉积管的折射率之间的相对差具有一个小于0.02％的绝对值；和

·使用化学蒸气沉积法在包层内形成一个纤芯，该纤芯存在一个高于石英的折射率的折射率。

在一个实施中，在沉积管的折射率和石英的折射率之间的差值小于-0.5×10^-3。

在另一个实施中，在纤芯的折射率和内包层的折射率之间的差值处于范围4.3×10^-3和5×10^-3。

该方法可以进一步包括：

·收缩具有内包层和纤芯的该沉积管；和

·围绕该收缩的管沉积外附材料，该外附材料具有一个大体上等于沉积管的折射率的折射率。

也可能提供：

·收缩具有内包层和纤芯的该沉积管；和

·收缩该收缩的管套筒，该套筒具有一个大体上等于沉积管的折射率的折射率。

本发明也提供一种用于拉成一个光纤的预制棒，该预制棒包括：

·一个沉积管具有一个低于石英的折射率的折射率；

·在沉积管内的包层具有一个大体上等于沉积管的折射率的折射率，在内包层的折射率和沉积管的折射率之间的相对差具有一个的小于0.02％的绝对值；和

·在包层内的纤芯具有一个大于石英的折射率的折射率。

对于在沉积管的折射率和石英的折射率之间的差值小于-0.5×10^-3是有利的。有利地，在纤芯的折射率和内包层的折射率之间的差值处于4.3×10^-3和5×10^-3范围内。

围绕该沉积的管可以提供外附材料，该材料具有一个大体上等于沉积管的折射率的折射率，或可以提供一个套筒，具有一个大体上等于该沉积管折射率的折射率。

本发明也提供一种制造光纤的方法，包括从上述的预制棒拉制一个光纤。

最后，本发明提出一种光纤包括：

·包层具有一个低于石英的折射率的折射率；

·内包层在所述包层内延伸，并且具有一个大体上等于该包层折射率的折射率，在内包层折射率和包层折射率之间的相对折射率差具有一个小于0.02％的绝对值；和

·一个在内包层内延伸的纤芯，并且具有一个高于石英折射率的折射率。

在一个实施例中，该光纤呈现：

·在纤芯的折射率和内包层的折射率之间的差值Δn处于4.3×10^-3和5×10^-3的范围；

·纤芯半径r1处于范围4.8μm至5.7μm；和

·纤芯半径乘以所述差值的平方根的乘积r₁×

处于范围0.336μm至0.378μm。

该光纤可以存在包层，它的相对于石英的折射率的折射率差小于-5×10^-3，以及在内包层的折射率和该包层的折射率之间的相对折射率差绝对值小于0.02％。

该内包层的特点在于，折射率拟周期变化绝对值处于范围0.3×10^-3至0.5×10^-3，在光纤的轴的周围以大约0.6μm至1.4μm的周期性呈现对称性。这个内包层可以使用锎C₂F₆掺杂，在这样的情况下，以在折射率峰-峰差值和变量的半周期之间的比值给出的折射率变化的比率处于范围0.4×10^-3μm^-1和1.7×10^-3μm^-1。该内包层还可以掺杂SiF₄，在这样的情况下，该周期保持不变，以及在绝对峰-峰折光率差和该变量的半周期之间的比值处于范围0.2×10^-3μm^-1和0.7×10^-3μm^-1。

对于在该包层中折射率变化的比率小于0.1×10^-3μm^-1也是有利的。

该光纤还可以在1.55μm波长，或者理论上小于或等于1.65μm的截止波长上存在一个大于或等于90μm²的有效面积。

就纵剖面而言，该光纤的特点在于一个或多个下列的相互关系：

·在沉积管的半径r₂(在μm)和纤芯的半径r₁(在μm)之间的比值大于或等于-7.33×r₁×

+4.36，这里r₁× 是纤芯的半径乘以在纤芯折射率和内包层折射率之间差值的平方根的乘积；

·在沉积管的半径r₂和纤芯的半径r₁之间的比值小于或等于-10.71×r₁×

+6.7，这里r₁×

是纤芯半径乘以在纤芯折射率和内包层折射率之间差值的平方根的乘积。

对于那些在对应于沉积管的光纤部分中处于0.025％至1.4％范围内的功率传送其也是有利的。

附图说明

阅读下面通过举例和参考附图给出的本发明的实施例的描述，本发明的其他的特征和优点将显现，其中唯一的附图是一个示出本发明光纤折射率分布的示意图。

具体实施方式

为了通过改进的化学气相沉积法(MCVD)制造一种阶跃折射率光纤，本发明建议使用一个具有折射率降低掺杂剂的沉积管；掺杂内包层是沉积在该管内部的，包层呈现大体上与沉积管相同的折射率；其次沉积的掺杂纤芯呈现高于该包层和沉积管的折射率的折射率。在缩棒以后，也有利地提供外附材料，它也被掺杂以降低其折射率至沉积管的折射率值。

在拉制使用这个方法制造的上述的预制棒之后获得的光纤存在一个纤芯，对应于作为沉积在沉积管内部的内包层的掺杂内包层，以及对应于该沉积管的包层；在以这种方法获得的光纤中，分清楚光纤的包层、内包层以及纤芯是可能的。来自沉积管的该包层，其具有一个大体上恒定的折射率，无论怎样该包层没有理由存在实质上周期性变化的折射率，该折射率是关于光纤的轴圆形地对称的。类似地，该外附材料或者套筒的折射率不超出包层的折射率多于0.5×10^-3，它们中任何一个的折射率都不存在任何实质上周期性变化。相比之下，该内包层由化学蒸气沉积法(CVD)在沉积管的内部产生。就上述的沉积而言是以多个途径实施，该内包层存在多个界面或者小的幅度折射率波动。因此可以确定给定的光纤是否既存在包层又存在内包层。

当制造一个光纤的时候，无线电波束曲折损耗的水平是一个供考虑的重要的特征。在一个阶跃折射率光纤中，无线电波束曲折损耗取决于包层的折射率和比值r₂/r₁，该比值规定标记包层从光纤的轴开始测量的半径r₂与纤芯的半径r₁的比值。对于给定的包层折射率，无线电波束曲折损耗随减少比值r₂/r₁而增加。类似地，对于给定的比值r₂/r₁，无线电波束曲折损耗随包层折射率而增加。为了保持低水平的无线电波束曲折损耗，对于30mm弯曲半径小于10^-5分贝每米(dB/m)，该半径r₂必须保持大于随增加包层折射率而增加的最小值r_2m。假定该包层折射率保持大于或等于该内包层的折射率，当该包层的折射率等于该内包层的折射率的时候，该r_2m值是在最小值。这尤其是适用于本发明的光纤，其中沉积管的折射率和外附材料的折射率大体上等于内包层的折射率。相比之下，这不适用于使用OVD或者AVD技术制造的单纯的石英纤芯光纤(PSCF)，其中石英包层的折射率等于该纤芯的折射率。因此PSCFs其特征在于，如在上面限定的用于半径r₂的很大的值，以及为了保持一个低水平的无线电波束曲折损耗，它们需要对于该内包层很大的沉积部分。与PSCFs比较起来，本发明的方法的优越性在于包层折射率和外附材料指数大体上等于内包层的折射率，因此使很大程度上限制内包层的厚度成为可能，并且因此获得在造价上可比较的降低。对于本发明的光纤，内包层的作用主要是减少沉积管对频谱衰减的影响，其作用与在该管中传送的光场的功率成正比，以及与在工作波长上该管的吸光率成正比。

本发明存在另一个涉及频谱衰减的优点。存在于纤芯沉积层的小的比例的锗掺杂物限制了在光纤纤芯中的Rayleigh漫射，因此限制了频谱衰减。使用Δn_c表示在纤芯的折射率n_c和包层的折射率n_g之间的差值，可以写出下面的等式：

(1)Δn_c＝n_c-n_g，＝(n_c-n_si)+(n_si-n_g)，这里：

(n_g＜n_si)，以及n_si指定石英的折射率。

在本发明的光纤的纤芯沉积的锗的数量是与(n_c-n_si)成正比的，并且不与n_c-n_g成正比，它示出使用以折射率低于石英的折射率的掺杂氟包层的优点。

接着有一个使用改进的化学汽相沉积技术实施本发明的预制棒和光纤的例子。使用的沉积管已经掺杂并具有一个低于石英的折射率：该掺杂可以是掺杂氟，按重量计算以浓度处于2500ppm至3500ppm范围的浓度，因此具有降低管的折射率低于石英的折射率至少0.5×10^-3的结果。该沉积管一般地存在一个34mm的内径，一个39mm的外径，以及长度处于1300mm至1690mm范围。可能使用以标记F320 HERAEUS销售的沉积管。

相对于石英的折射率降低其折射率的掺杂的内包层被在沉积管的里面形成。该内包层具有一个接近于该沉积管折射率的折射率。对于内包层存在一个等于沉积管折射率的折射率是有利的，在内包层和沉积管之间提供其保持在-0.3×10^-3和0范围中的折射率差是可以接受的。在相应的术语中，对于在内包层的折射率和沉积管的折射率之间的相对差的绝对值小于0.02％是有利的。上述的差值在产生的光纤的传输性能上限制了入射角。尤其是，为了降低该包层的折射率，按氟的重量计算以0.3％至1％的浓度使用掺杂氟是可能的。为了形成这个内包层，使用常规的化学蒸气沉积法技术。

此后，在该沉积管的内部形成一个纤芯，该纤芯被掺杂，以便与石英的折射率相比较增加其折射率。有利地，在纤芯的折射率和内包层的折射率之间的差值处于4.3×10^-3至5×10^-3范围内。举例来说，当在该内包层和该石英的折射率之间的折光率差是-1×10^-3的时候，对应于折光率差的这些值相对于石英的折射率处于3.3×10^-3至4×10^-3范围内。

在内包层和纤芯已经沉积在该沉积管的内部之后，该预制棒被收棒，以便关闭气体通过沉积管内部的该开口。在该沉积管已经收棒之后，环绕它可以放置一个套筒，或者外附材料可以放置在其上，在常规的方式中：围绕该预制棒的一个套筒被收缩，但是外附材料是使用化学蒸气沉积法或者等离子沉积而沉积的。该套筒具有一个大体上恒定的、没有任何波动的折射率。随着制造工艺上适当的变化而定，例如在掺杂物中的变化，该外附材料可以存在波动。该套筒或者外附材料的折射率尽可能接近于沉积管的折射率是有利的。该套筒或者该外附材料可以掺杂，例如使用氟。至于内包层，在该套筒或者外附材料的折射率和该沉积管的折射率之间的差值小于0.3×10^-3是可以接受的。

预制棒的尺寸可以如下：

·该纤芯的外径：3.5mm至4mm；

·该沉积管的内径：8mm至10mm；

·该沉积管的外径：18mm至22mm；以及

·该外附或者套筒的预制棒的最终直径：39mm至45mm。

上述的预制棒可以被使用常规的光纤拉制方法拉制，以获得呈现在图1示出的参考折射率外形的光纤。到光纤中心的距离r被沿着横坐标轴绘制，并且在该折射率和光纤包层的折射率之间的差值被沿纵坐标轴绘制。在图1示出的分布是一种阶跃折射率分布。在那里可以看到，围绕光纤的轴，光纤纤芯呈现折射率大于石英的折射率，该纤芯半径r₁处于4.8μm至5.7μm范围。

围绕该纤芯，该光纤呈现一个大体上恒定的折射率，而且小于石英的折射率。在半径r₁和r₂之间延伸着对应于内包层的光纤部分，r₂一般地处于12.5μm至15.7μm范围。这个光纤部分在下面被称为“内包层”。如在上面解释的，由于在其折射率中存在波动，其不同于对应于该沉积管的光纤部分。这个波动在折射率值中沿着折射率分布的半径构成拟周期变化，即沿着光纤的半径。其周期取决于沉积在沉积管内部层的厚度，以及当该预制棒被缩棒和随后当其正在拉制的时候尺寸变化。这些拟周期变化可以取决于使用的掺杂物。C₂F₆可以被用作掺杂物用于内包层，它的折射率相对于石英的折射率低于-1.5×10^-3。通常的做法是使用SiF₄去达到相对于石英的折射率小于-1.5×10^-3的折射率值。该折射率波动的相应的峰-峰大小可以取决于该使用的掺杂物变化。用于以C₂F₆作为掺杂物变化的典型值处于0.3×10^-3至0.5×10^-3范围。给定波动的该拟周期的特性，在这个峰-峰变化之间的比值以及半周期处于0.4×10^-3μm^-1和1.7×10^-3μm^-1范围。当使用SiF₄作为掺杂物的时候用于变化的典型值是较小的，其一般地位于大约0.2×10^-3，它导致峰-峰变化对半周期的比值处于0.2×10^-3μm^-1至0.7×10^-3μm^-1范围。对于在内包层中的掺杂物由锗按重量计算以0.3％至1％的浓度和/或由磷按重量计算以0.3％至0.4％的浓度构成也是可能的。在必要处，锗使限制频谱衰减，同时磷提供更好的沉积的透明化成为可能。

在半径r₂以外，在那里延伸的光纤部分对应于沉积管和外附。对应于该沉积管的部分在下面被称为“包层”。在包层折射率中的变化是与在沉积管中折射率的均匀性有关的。在该包层中，折射率通常是慢慢地变化的，并且这些变化通常保持小于0.1×10^-3。比较起来，不同于该内包层，这些变化是不定期的。经1μm距离径向测量的变化比率小于0.1×10^-3μm^-1，换句话说是小于在该内包层中的径向折射率变化。

在光纤的纤芯和内包层之间的折光率差，即在光纤中的折射率步进一般地处于4.3×10^-3至5×10^-3范围。

本发明的光纤在1550nm测量时呈现下列传播特性：

·色散现象：在18.7ps/(nm.km)至20.3ps/(nm.km)范围；

·色散斜率：在0.058ps/(nm².km)至0.61ps/(mn².km)范围；

·理论的截止波长：小于或等于1650nm；

·对于10mm的弯曲损耗：小于或等于15dB/m；

·有效面积：大于或等于90μm²；

·模式直径：大于或等于10.7μm；和

·衰减：小于或等于0.22dB/km。

弯曲损耗是通过围绕具有10mm直径的套筒缠绕该光纤测量的。

举例来说，一个具有纤芯半径5.7μm的光纤，呈现具有外半径13.68μm的内包层，随一个低于石英折射率的1.2×10^-3的折射率，以及在1550nm，在内包层和纤芯之间一个折射率阶跃4.4×10^-3具有下列传播特性：

·色散现象：19.6ps/(nm.km)；

·色散斜率：0.06ps/(nm².km)；

·理论的截止波长：1645nm；

·弯曲损耗：12.3dB/m；

·有效面积：113μm²；

·模式直径：11.8μm；以及

·衰减：0.18dB/km。

本发明使使用MCVD去获得一种呈现很大有效面积和低的衰减的阶跃折射率光纤成为可能。获得的衰减值来源于在光纤纤芯中的掺杂剂浓度，并且这低于目前发展水平的光纤。本发明的方法使以低的成本制造成为可能，因为减少了需要沉积在沉积管内部的内包层的厚度。

本发明的光纤可以用于任何已知的阶跃折射率光纤的应用，并且尤其是作为在光纤传输系统中的线路光纤。其通常呈现下列传播特性。对于具有一个折射率小于石英折射率至少0.5×10^-3的掺氟管，并且对于具有一个折射率值相对于管折射率处于4×10^-3至5×10^-3范围的纤芯，相对于石英折射率该折射率阶跃值保持小于4.5×10^-3。如上面解释的，这个值小于对于常规的石英包层阶跃折射率光纤获得的值，这个在本发明的光纤中相对于石英折射率的纤芯折射率中的降低对应于在该光纤中Rayleigh漫射降低。

当前段的条件满足的时候，获得的分布遵循下列不等式：

·4.3×10^-3≤Δn≤5×10^-3，这里Δn是在纤芯折射率和内包层折射率之间的差值；

·4.8μm≤r₁≤5.7μm，这里r₁是该光纤纤芯的半径；和

·0.336μm≤r₁×

≤0.378μm。

第三个相互关系是用于保证光纤具有一个大于或等于90μm²和小于或等于115μm²的有效面积，理论上的截止波长小于1.65μm。

也可能去确定用于沉积管的与半径有关和用于折射率的极限位置，为了这个目的，可能使用下列的相互关系： ${(r_2/r_1)}_{\min }=-7.33\×r_1\×\sqrt{\mathrm{\Δn}}+4.36$ 和 ${(r_2/r_1)}_{\max }=-10.71\×r_1\×\sqrt{\mathrm{\Δn}}+6.7$

当上述的相互关系满足的时候，在沉积管中的模式传送的功率处于在光纤中总的功率传送的0.025％至1.4％范围，以及由于由沉积管吸收的衰减增量保持小于大约0.01dB/km。

在以上所述的说明中，未描述改进的化学汽相沉积的实施细节，因为它们对于所属技术领域的专业人员来说是公知的。本发明在改进的化学气相沉积法范围内描述。其还可以使用等离子体辅助化学蒸气沉积法(PCVD)，或者任何用于在沉积管内沉积的其他的技术来实现。本发明也使获得一种呈现不同的外形轮廓的光纤成为可能。

Claims (23)

1.一种制造用于被拉制成光纤的预制棒的方法，该方法包括：

·使用化学蒸气沉积法在沉积管内形成内包层，该沉积管存在一个低于石英的折射率，并且该内包层存在一个大体上等于沉积管的折射率的折射率，在内包层的折射率和沉积管的折射率之间的相对差具有一个小于0.02％的绝对值；和

·使用化学蒸气沉积法在包层内形成一个纤芯，该纤芯存在一个高于石英的折射率的折射率。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在沉积管的折射率和石英的折射率之间的差值小于-0.5×10^-3。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在纤芯的折射率和内包层的折射率之间的差值处于4.3×10^-3和5×10^-3范围内。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

·收缩具有内包层和纤芯的该沉积管；和

·围绕该收缩的管沉积外附材料，该外附材料具有一个大体上等于沉积管的折射率的折射率。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

·收缩具有内包层和纤芯的该沉积管；和

·收缩围绕该收缩的管的套筒，该套筒具有一个大体上等于沉积管的折射率的折射率。

6.一种用于拉制光纤的预制棒，该预制棒包括：

·一个沉积管，具有一个小于石英的折射率的折射率；

·在沉积管内的包层，具有一个大体上等于沉积管的折射率的折射率，在内包层的折射率和沉积管的折射率之间的相对差具有一个小于0.02％的绝对值；和

·在包层内的纤芯具有一个高于石英的折射率的折射率。

7.根据权利要求6所述的预制棒，其中在沉积管的折射率和石英的折射率之间的差值小于-0.5×10^-3。

8.根据权利要求6所述的预制棒，其中在纤芯的折射率和内包层的折射率之间的差值处于4.3×10^-3和5×10^-3范围内。

9.根据权利要求6所述的预制棒，围绕该沉积管具有外附材料，该外附材料具有一个大体上等于沉积管的折射率的折射率。

10.根据权利要求6所述的预制棒，围绕该管具有套筒，该套筒具有一个大体上等于沉积管的折射率的折射率。

11.一种制作光纤的方法，包括按照权利要求6拉制预制棒。

12.一种光纤存在：

·包层具有一个小于石英的折射率的折射率；

·内包层在所述包层内延伸，并且具有一个大体上等于该包层折射率的折射率，在内包层折射率和包层折射率之间的相对折射率差具有一个小于0.02％的绝对值；和

·一个在内包层内延伸的纤芯，并且具有一个大于石英折射率的折射率。

13.按照权利要求12的光纤，存在：

·在纤芯的折射率和内包层的折射率之间的差值Δn处于4.3×10^-3和5×10^-3的范围内；

·纤芯半径r₁处于4.8μm至5.7μm的范围内；和

·纤芯半径乘以所述差值的平方根的乘积r₁×

处于0.336μm至0.378μm的范围内。

14.根据权利要求12所述的光纤，具有一个包层，它的折射率相对于石英的折射率的差小于-0.5×10^-3。

15.根据权利要求12所述的光纤，其中内包层折射率具有对称于光纤的轴的拟周期变化。

16.根据权利要求15所述的光纤，其中使用C₂F₆掺杂内包层，并且其中在折射率中峰-峰绝对差值和变量的半周期之间的比值处于范围0.4×10^-3μm^-1至1.7×10^-3μm^-1。

17.根据权利要求15所述的光纤，其中使用SiF₄掺杂内包层，并且其中在峰-峰折射率差和变量的半周期之间的比值处于范围0.2×10^-3μm^-1至0.7×10^-3μm^-1。

18.根据权利要求12所述的光纤，其中当径向地经1μm距离测量之时，在包层中折射率变化的比率小于0.1×10^-3。

19.根据权利要求12所述的光纤，在1.55μm的波长上呈现一个大于或等于90μm²的有效面积。

20.根据权利要求12所述的光纤，呈现一个理论上小于或等于1.65μm的截止波长。

21.根据权利要求12所述的光纤，其中在该沉积管的半径r₂和该纤芯的半径r₁之间的比值大于或等于：

-7.33×r₁× +4.36，

这里r₁× 是纤芯半径乘以在纤芯折射率和内包层折射率之间差值的平方根的乘积。

22.根据权利要求12所述的光纤，其中在该沉积管的半径r2和该纤芯的半径r₁之间的比值小于或等于：

-10.71×r₁×

+6.7，

这里r₁×

是纤芯半径乘以在纤芯折射率和内包层折射率之间的差值的平方根的乘积。

23.根据权利要求12所述的光纤，其中在对应于沉积管光纤部分中的该模式传播的功率处于0.025％至1.4％范围内。