CN1383162A - 离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体材料的方法 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 36
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 8
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- -1 Mn and Fe Chemical class 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000005418 spin wave Effects 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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Abstract
离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体薄膜材料的方法,将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AlN半导体薄膜中,即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子,然后在850－900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入,将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入AlN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长方法相比,能够实现较高的离子掺杂浓度,因而可以制备出高居里温度的磁性半导体材料。
Description
一、技术领域
本发明涉及一种利用离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体薄膜材料的方法。
二、技术背景
自从晶体管发明以后，半导体电子技术的所有应用都是基于电子电荷的探索。二十实际末期，大量的研究努力开始集中于电子自旋的应用。利用电子自旋波函数的量子性质(自旋子学)的器件在光电转换，超敏感磁场传感器，特别是用于高速计算的基于量子效应的逻辑和记忆器件的研究方面获得了很大的进展。但是，由于材料的本质(如晶体结构，键，物理和化学性质)不同，直接将电子材料(半导体)和旋转材料(铁磁性金属)融合起来产生很多的问题。另一个解决办法是使用稀释磁性半导体(重掺杂磁性离子的半导体)，可以直接与现有的半导体器件集成。
稀释磁性半导体材料(Diluted Magnetic Semiconductor，DMS)是在非磁性半导体(如IV-VI族、II-VI族或III-V族)中掺杂磁性离子，利用载流子控制技术产生磁性的新型功能材料。通过改变稀释半导体材料中载流子密度可以改变磁性的大小。由于磁性离子局域磁矩与能带电子自旋存在交换作用，因此通过改变磁性杂质浓度和外磁场强度可以有效控制他们的光电、磁光、光吸收和输运特性。它同时应用了电子电荷和电子自旋性质，因而DMS器件可以直接与现有的半导体器件集成，在光、电、磁功能集成等的新型器件方面具有重要的应用。
II-VI族稀释磁性半导体材料已经广泛地被研究了。但是基于III-V族的稀释半导体还没有进行详尽地研究。目前普遍研究的(In，Mn)As和(Ga，Mn)As的居里温度(Tc)都很低(35和110K)。从实际应用的角度考虑，寻找具有更高居里温度的材料是迫切需要的。理论工作表明，宽带隙半导体如GaN和ZnO可能是室温或更高温度下能够实现载流子引起铁磁性的合适的代表性材料。由于氮化镓极其相关材料在短波段蓝色光电子学方面是最有前景的材料；而MnxGa1-xN属于具有独特磁性性质的III-V族稀释磁性半导体材料。因此，基于III族氮化物基的DMS半导体材料研究在最近几年获得了足够的重视。
研究已经显示，相对较低的Mn浓度足够使相对应的MnxGa1-xN产生铁磁性。AlN是与GaN相类似的材料，晶格常数非常接近，因此有望获得AlN基的稀释磁性半导体材料。而AlN基稀释磁性半导体的实现，有望将磁、光、电集成器件的应用扩展到整个可见光的范围。
III-V族DMS半导体材料面临的主要困难是，目前还没有合适的生长方法直接外延生长。由于磁性离子在III-V族DMS材料中较低的溶解度，很难获得不形成第二相的外延材料。离子注入过程是一个引入不同的磁性离子进入不同主材料中的很简便的方法，与其他直接生长方法相比，能够实现较高的离子掺杂浓度，很容易被用于制备自旋极化电流注入装置结构作为选区接触区。所以，在目前没有发现较好的直接外延生长III-V族的DMS半导体材料之前，离子注入是一个令人满意的替代方法。通过离子注入，将Fe、Mn和Ni等磁性离子注入III-V族半导体材料中，可以用来研究DMS材料铁磁性的起源和本质，制备出高质量的磁性半导体材料。
三、发明内容
本发明目的是，采用离子注入法，将磁性离子(如Mn、Fe、Co或Ni等)注入AlN半导体薄膜中，制备出具有室温下的磁性半导体薄膜材料AlN∶M。M代表铁磁性离子，如Mn、Fe、Co或Ni等。
本发明的技术解决方案是：
DMS的离子注入法是通过离子注入，将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入AlN基半导体材料中，可以用来研究DMS材料铁磁性的起源和本质，制备出高质量的磁性半导体材料。
在本发明中，采用离子注入法，将磁性离子Mn注入AlN基半导体薄膜中，制备出具有较高居里温度的铁磁性半导体薄膜材料AlN∶Mn。本发明将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AlN半导体薄膜中，即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子，然后在850-900℃、NH3气氛条件下退火处理。同样地，我们也用离子注入的方法获得了掺杂其他铁磁性离子(如Fe、Co或Ni等)的AlN基磁性半导体材料。
本发明的机理和特点是：
DMS离子注入法是通过离子注入，将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入AlN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长方法相比，能够实现较高的离子掺杂浓度，因而可以制备出高居里温度的磁性半导体材料。如AlN∶Mn，退火前高能离子的注入使表面AlN层的晶格被打乱，适当地退火处理以后，Mn已被激活，并取代了AlN晶格中Al的位置，AlN∶Mn表现出较好的质量。
四、附图说明
图1是室温下AlN∶Mn薄膜的M-H曲线
五、具体实施方式
该方法主要包括一下步骤：
1、 首先获得高质量AlN薄膜样品，可以采用金属有机物气相外延、分子束外延或
氢化物气相外延等方法生长的AlN薄膜。本发明中所例举的AlN样品均是用金
属有机物气相外延(MOVPE)的方法在Si衬底上生长的。
2、 以离子注入设备，用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子Mn。
其Mn的浓度分布峰值在2000处；注入浓度每立方厘米在7×1020～2×1022，
通过控制离子流密度及注入时间来获得不同的注入浓度。
3、 在850-900℃、NH3气氛条件下退火处理，时间1小时左右。
4、 按照上述步骤，也可以制备含Fe、Co或Ni等磁性离子的AlN基磁性半导体材
料。Fe、Co和Ni等离子的注入浓度范围和注入条件与Mn离子注入条件相同。
利用离子注入的方法，我们成功地获得了室温下的AlN基稀释磁性半导体材料。如AlN∶Mn，其磁学性质如图1所示。X射线衍射结构分析表明，Mn离子被注入AlN并经过退火处理后，Mn离子基本取代了AlN晶格中Al的位置，而不是N位或填隙式。Mn占据Al位后晶格常数没有太大变化。
Claims (2)
1、离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体薄膜材料的方法，其特征是将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AlN半导体薄膜中，即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子，然后在850-900℃、NH3气氛条件下退火处理。
2、由权利要求1所述的离子注入法制备稀释磁性半导体薄膜材料的方法，其特征是注入磁性离子的注入浓度每立方厘米在7×1020～2×1022。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB021130884A CN1177335C (zh) | 2002-05-31 | 2002-05-31 | 离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体材料的方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB021130884A CN1177335C (zh) | 2002-05-31 | 2002-05-31 | 离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体材料的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1383162A true CN1383162A (zh) | 2002-12-04 |
| CN1177335C CN1177335C (zh) | 2004-11-24 |
Family
ID=4742433
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB021130884A Expired - Fee Related CN1177335C (zh) | 2002-05-31 | 2002-05-31 | 离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体材料的方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN1177335C (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN101887793A (zh) * | 2010-06-29 | 2010-11-17 | 华南理工大学 | 一种掺杂铜的氮化铝基稀磁半导体纳米棒的制备方法 |
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-
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| CN1177335C (zh) | 2004-11-24 |
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