CN1359854A - 高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶及其制备方法,特征在于将高锰酸钾和水合肼反应,收集沉淀并烘干;所得纳米晶粒径分布在10-15纳米,颗粒度均匀,纯度达99%,不易氧化,不易吸湿,便于贮存;适用于制作软磁性材料如高频转换器、磁头、锰锌铁氧体磁芯,以及锂电池和锰干电池中的阳电极材料和用于去除废气中的CO、SO2、NO等气体的催化剂;本发明方法反应速度快、能耗低、成本低,容易实现工业化生产。

Description

高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶及制备方法
本发明涉及γ-三氧化二锰纳米晶及其制备方法,以及其分子单层膜的制备方法。
据英国《晶体生长杂志》(J.of Crystal Growth)1997年180卷280至283页报道,在一定pH值和表面活性剂十八烷基磺酸钠存在下,用双氧水氧化二氯化锰溶液产生沉淀,该沉淀为非晶态,将该沉淀在高温下退火结晶,能得到尺寸在20纳米至50纳米的四方相γ-三氧化二锰纳米晶,但该纳米晶的颗粒大小不均匀,且因添加的表面活性剂在高温下会分解成无机盐而使产物不纯。该方法控制条件苛刻,生产成本较高,尚停留在实验室探讨阶段。
国内外文献中虽有不少氧化锰生产工艺的报道,但未见除上述以外有其它关于高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶生产工艺的报道。
日本专利JP57209833A2显示,高纯的氧化锰材料是电子工业生产软磁材料的重要原料之一。
据专利号为EP0345695、JP07060123A2和JP06126179A2的文献显示,三氧化二锰是去除废气中的CO、SO2、NO等气体的重要催化剂,由于纳米材料的巨大比表面积和高表面活性,若用三氧化二锰纳米晶替代原有大颗粒的三氧化二锰,其催化性能肯定能大幅提高。
本发明提供一种高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶及其制备方法,以及其分子单层膜的制备方法。
本发明的高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶的制备方法,其特征在于:将高锰酸钾和水合肼反应,产生土黄色沉淀,收集沉淀并烘干,即可得到高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶;其反应式为:
由上述制备方法获得的高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶,特征在于该纳米晶的粒径分布在10-15纳米,颗粒度均匀,纯度达99%以上。
本发明高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶的分子单层膜的制备方法,其特征在于:将四方相γ-三氧化二锰纳米晶粒均匀分散于有机溶液中,将此含有γ-三氧化二锰纳米晶粒的溶剂涂覆于衬底上,待有机溶剂挥发完毕,衬底表面形成均匀的γ-三氧化二锰的分子单层膜。
所述有机溶剂包括无水乙醇、丙酮。
由于本发明采用水合肼还原高锰酸钾,反应速度快,可在常温下直接得到晶化的γ-三氧化二锰纳米晶;采用本发明方法反应物中不用加表面活性剂,因而产物的纯度非常高,能达到99%以上;本发明只需普通的化工生产设备,不需其它辅助手段,因而控制方法方便容易、产品质量稳定;且两种起始反应物都是普通的化工原料,成本低、工业生产投资少、能耗低、产率高,锰的转化率达百分之九十九以上,容易实现工业化生产。
本发明的四方相γ-三氧化二锰纳米晶纯度高,粒径分布窄,颗粒规则、颗粒度均匀,不易氧化,不易吸湿,便于贮存。由于纳米材料具有巨大比表面积和高表面活性,具有特有的表面效应,小尺寸效应,量子效应等独特性能,因此本发明的高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶特别适用于制作软磁性材料如高频转换器、磁头、锰锌铁氧体磁芯,锂电池和锰干电池中的阳电极材料以及用于去除废气中的CO、SO2、NO等气体的催化剂。
附图1是本发明四方相γ-三氧化二锰纳米晶的X射线衍射图谱;
图2是本发明纳米晶放大15万倍的透射电镜照片。
下面是本发明的实施例。
实施例1:高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶的制备
将高锰酸钾配制成0.2M的水溶液,边搅拌边滴加浓度为85%(wt)的水合肼溶液,即产生土黄色沉淀,继续滴加到高锰酸钾溶液的紫红色完全退去,反应结束;收集沉淀并烘干即可得到产物。
用X射线衍射和透射电镜对产物的结构和形貌进行表征。
图1是本发明产物的X射线衍射图谱。该图谱的横坐标为2θ角度,纵坐标为衍射的相对强度。将该图谱与粉末衍射卡片JCPDS18-803相比较,图谱中所有的衍射峰均能同粉末衍射卡片JCPDS18-803相对应,证明产物为四方相γ-三氧化二锰。从图谱中可以看到,除γ-三氧化二锰的衍射峰外,并无其它杂峰出现,说明产物的纯度非常高,纯度在百分之九十九以上。从图谱中还可以看到γ-三氧化二锰的X射线衍射峰的宽化,从宽化峰的半宽峰可计算出该产物为纳米级,并且在10-15纳米。
图2是本发明产物放大15万倍的透射电镜照片。从电镜照片可以看到,本发明产物无团聚,颗粒规则、均匀,单个颗粒尺度在10-15个纳米。
由此说明,本发明产物是高纯度的四方相γ-三氧化二锰的纳米晶。
实施例2:高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶的分子单层膜的制备
本发明产物四方相γ-三氧化二锰纳米晶粒很容易均匀分散于有机溶液(如无水乙醇、丙酮)中,将此含有γ-三氧化二锰纳米晶粒的、浓度为10%(wt)的溶剂涂覆于衬底上,待有机溶剂挥发完毕,该衬底表面能形成均匀的γ-三氧化二锰的分子单层膜。
按上述同样的方法,另分别采用了浓度为1%(wt)、5%(wt)和15%(wt)的溶剂涂覆于衬底上,该衬底表面也都能形成均匀的γ-三氧化二锰的分子单层膜。

Claims (3)

1、一种高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶的制备方法,其特征在于:将高锰酸钾和水合肼反应,产生土黄色沉淀,收集沉淀并烘干,即可得到高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶;其反应式为:
2、一种高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶,特征在于该纳米晶的粒径分布在10-15纳米,颗粒度均匀,纯度达99%以上。
3、一种高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶的分子单层膜的制备方法,其特征在于:将四方相γ-三氧化二锰纳米晶粒均匀分散于有机溶液中,将此含有γ-三氧化二锰纳米晶粒的溶剂涂覆于衬底上,待有机溶剂挥发完毕,衬底表面形成均匀的γ-三氧化二锰的分子单层膜。
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