CN1302513C - 光电倍增管 - Google Patents
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Abstract
一种耐振性良好、脉冲(直)线性特性和时间响应性高的光电倍增管,第4级及第6级~第9级倍增极(Dy4、Dy6~Dy9)使用和第2级倍增极(Dy2)的形状基本相同的倍增极。另外,第3级及第5级倍增极(Dy3~Dy5)使用比第2级倍增极(Dy2)小的倍增极。以形成于相互相向的倍增极之间的倍增极内部空间路线横穿管轴(X)的方式排列10级的倍增极(Dy1~Dy10)。阳极(A)使用网眼状阳极(A),网眼状阳极(A)相对于管轴(X)来说,配设在与第2级倍增极(Dy2)相反一侧。
Description
技术领域
本发明涉及光电倍增管,尤其是涉及耐振性良好、脉冲(直)线性特性和时间响应性高的光电倍增管。
背景技术
特开平2-291655号公报中,记载了具有圆规形电子倍增部的光电倍增管。在圆规形电子倍增部中,形成于相向的倍增极之间的倍增极内部空间路线围绕着垂直于管轴的轴形成圆弧状,第2级倍增极和阳极分别位于管轴的两侧。因此,光电倍增管在管轴方向上可以缩短,可使整体形状小型化。
该光电倍增管中,由于倍增极内部空间路线形成圆弧状,故将凹面状的倍增极配置在圆弧外侧,将大致平面状的、且具有比外侧的倍增极小的表面积的倍增极配置在圆弧内侧。阳极形成杆状,以包围最终级倍增极的形式配置。由于阳极呈杆状,故耐振性良好。
但是,这种构造中,由于配置在内侧的倍增极的表面积比配置在外侧的倍增极的小,故配置在内侧的倍增极附近的电子密度增大。尤其是随着向阳极靠近而使电子倍增,故最终级的前面一个倍增极之表面积小,所以其附近的电子密度非常大。因此,存在着易产生空间电荷效应的问题。而且,由于阳极形成杆状,故电场强度弱。由于这些空间电荷效应和电场强度弱,故特开平2-291655号公报所记载的圆规形电子倍增结构的脉冲(直)线性特性不好。即,输出信号不随着输入的光强度的增大而呈直线地增大,反而导致输出信号水平减弱的现象。
作为提高了脉冲(直)线性的光电倍增管,有特开平7-245078号公报中记载的光电倍增管。在该公报中,记载了和上述特开平2-291655号公报所记载的光电倍增管一样,通过将第2级倍增管和阳极分别配置在管轴的相反侧,使得管轴方向上的长度缩短的光电倍增管。该光电倍增管中,多级倍增管所构成的电子倍增部是由数个箱形和栅极(gria)形倍增极构成的前级部,和数个行聚焦型倍增极构成的后级部构成。通过在前级部设数个箱形倍增极,使形成于相互对着的倍增极之间的倍增极内部空间路线弯曲,在后级部,数个行聚焦型倍增极内部空间路线配置成直线状。阳极设成形成于平面上的网眼形状,配置在最终级倍增极和最终级倍增极的前面一个倍增极之间。
根据这种结构,在电子密度高的后级部使用彼此的体积相等的行聚焦型倍增极,故可防止高电子密度化,可抑制空间电荷效应。
特平开7-245078号公报所记载的光电倍增管中,由于阳极设成网眼状,故可使电场强度增大。因此,与特开平2-291655号公报所记载的圆规形电子倍增构造不同,可提高脉冲(直)线性特性。
如上所述,特开平7-245078号公报的光电倍增管中,其电子倍增部使用箱形倍增极。箱形倍增极是由箱形2次电子发射部和栅极构成的复杂且大型的结构,难以实现小型化,另外在耐振性方面也存在着问题。
由于使用箱形倍增极,故电子的飞越时间长,时间响应性不够好。
因此,本发明的目的在于提供一种光电倍增管,这种光电倍增管的耐振性和脉冲(直)线性特性良好,而且时间响应性提高了。
发明内容
本发明的光电倍增管由以下部分构成:沿着管轴延伸的管状真空容器;位于该管状真空容器的管轴方向端面,对入射的光进行光电变换而发射电子的光电面;内壁具有二次电子面,当n是8以上的所定的整数时,依次对该电子进行倍增用的n级倍增极;接受经过n级倍增极倍增之后的电子用的阳极;其特征在于:将初级倍增极与该光电面相向配置,假设i为包含2以上、n-1以下的范围的任意整数时,第i级倍增极的该二次电子面与第i-1级和第i+1级倍增极的二次电子面相向配置:第n-2级及第n-1级倍增极使用和该第2级倍增极的形状相同的倍增极,而且,第3级及第5级倍增极使用此第2级倍增极小的倍增极,以形成于相互相向的倍增极之间的倍增极内部空间路线横穿管轴的方式配列该n级倍增极,阳极使用网眼状阳极,该网眼状阳极相对于管轴来说,设备在与第2级倍增极相反一侧。
根据这种光电倍增管,第3级及第5级倍增管比第2级倍增管小。因此,相对于管轴来说,可将阳极设在与第2级倍增管相反的一侧,可使光电倍增管在管轴方向上小型化。
而且,由于第n-1级及第n-2级倍增极的形状大致和第2倍增极一样,故在第n-1级及第n-2级倍增极附近,电子密度不会过度增大。因此,可减小空间电荷的影响,提高脉冲(直)线性。又,因阳极呈网眼状,使得阳极靠近最终级倍增极,可用平行电场提高电场强度,抑制空间电荷效应。于是,可进一步提高脉冲(直)线性。而且,可在比较大的范围内接受、夺取电子。
本发明的光电倍增管中,第2级倍增极的二次电子面由断面呈圆弧状的曲面以及与该曲面连成一体的平面构成。
根据该光电倍增管,与使用箱形和栅极形倍增极的场合相比,倍增极的结构简单、体积小,故耐振性好。因此,也可在石油资源勘探等要求高耐振性的环境中使用。而且,响应性能好。
本发明的光电倍增管中,第(n-3)级倍增极的形状和第2级倍增极相同。
根据这种光电倍增管,可防止第(n-3)级倍增极附近的电子密度过度增大,可进一步提高脉冲(直)线性。
本发明的光电倍增管中,第(n-4)级倍增极的形状大致和第2级倍增极一样。
根据这种光电倍增管,可防止第(n-4)级倍增极附近的电子密度过度增大,使脉冲(直)线性进一步提高。
本发明的光电倍增管中,第3级及第5级倍增极的二次电子面仅由断面呈圆弧状的曲面形成。
根据这种光电倍增管,容易接受前一级倍增极发射的电子,而且通过使二次电子的发射方向稍朝向前一级倍增极的方向进行发射,便可使二次电子相对于下一级倍增极获得合适的轨道。
本发明的光电倍增管中,第3级及第5级倍增极的形状也可和第2级倍增极相似。
根据这种光电倍增管,由于第3级及第5级倍增极的形状和第2级倍增极相似,其形状是将第2级倍增极缩小后的形状,故可获得和第3级及第5级倍增极的二次电子面仅由断面呈圆弧状的曲面构成的场合同样的效果。
在本发明的光电倍增管中,也可将遮光板设在(n-3)级~n级倍增管和第1级倍增管之间的位置上。
根据这种光电倍增管,可防止电子撞击(n-3)级~n级倍增极时产生的光或离子到达光电面。
附图说明
图1是表示本发明实施形式的光电倍增管1的剖面图。
图2是表示本发明实施形式的光电倍增管1的第2级、第4级、第6~第9级倍增极Dy2、Dy4、Dy6~Dy9的图,图2(a)是正视图,图2(b)是仰视图,图2(c)是侧视图,图2(d)是轴测图。
图3是表示本发明实施形式的光电倍增管1的第3级及第5级倍增极Dy3、Dy5的图,图3(a)是正视图,图3(b)是仰视图,图3(c)是侧视图,图3(d)是轴测图。
图4是表示本发明实施形式的倍增管1的阳极A的正视图。
图5是表示倍增极Dy1~Dy10和阳极A被支承在基板4上的状态之正视图。
图6是表示倍增极Dy1~Dy10和阳极A插入基板5的状态的轴测图。
具体实施方式
参照图1~图6对本发明的实施形式的光电倍增管作说明。本实施形式的光电倍增管1配备有具有管轴X的管状真空容器2。图1是表示沿着管轴X切断光电倍增管1后的状态的剖面图。管状真空容器2是由例如科瓦铁镍钴合金玻璃之类的材料制成的。
该管状真空容器2的管轴X方向两端部封闭,一端呈平面状,其内面形成受光后便发射电子的光电面2A。光电面2A,例如是通过使碱金属蒸汽与锑进行反应而形成的,该锑预先蒸镀在管状真空容器2的一端部的内面上。管状真空容器2的另一端设有多个导线光销2B,这些导线销用于赋予各倍增极Dy1~Dy10和阳极A所要求的电位。为了方便,图1中仅表示了2根导线销2B。光电面2A通过未图示的连接构件与该导线销2B连接,被施加-1000V的电压。
在面对管状真空容器2的光电面2A的位置上配设有杯状聚焦电极3,该聚焦电极具有垂直于管轴X的面。该聚焦电极3上形成有中央开口部3a,该开口部位于垂直于管轴X的面上,以与管轴X交差的位置为中心,中央开口部3a上安装有网眼电极3A。聚焦电极3和网眼电极3A分别与相应的导线销2B连接,和第1级倍增极Dy1的电位相同。
在与面对聚焦电极3的光电面2A一侧的相反侧,配设有依次倍增电子用的倍增极Dy1~Dy10。倍增极Dy1~Dy10各自具有二次电子面。
在面对聚焦电极3的中央开口部3a的位置上设置有第1级倍增极Dy1。第1级倍增极Dy1设在横跨管轴X的位置上。第1级~第10级倍增极Dy1~Dy10配置成使依次相接邻的倍增极的二次电子面之间相向。相接邻的倍增极之间的空间相互连通而形成的倍增极内部空间路线横穿管轴X地排列倍增极Dy1~Dy10,阳极A相对于管轴X来说,设在与第2级倍增极Dy2相反一侧。也就是说,如图1所示,第2级倍增极Dy2位于管轴X左侧,阳极A位于管轴X右侧。在最终级即第10倍增极Dy10和其上一级的第9级倍增级Dy9之间配置有网眼状的阳极A。
倍增极Dy1~Dy10、阳极A通过未图示的配线与各自相对应的导线销2B连接,施加各自规定的电位。本实施形式中,向各级倍增极Dy1~Dy10施加的电压如下所述。第1级倍增极Dy1为-800V,第2级倍增级Dy2为-720V,第3级倍增极Dy3为-640V,第4级倍增极Dy4为-560V,第5级倍增极Dy5为-480V,第6级倍增极Dy6为-400V,第7级倍增极Dy7为-320V,第8级倍增极Dy8为-240V,第9级倍增极Dy9为-160V,第10级倍增极Dy10为-80V,阳极A为0V。
第2级倍增极Dy2、第4级倍增极Dy4、第6~第9级倍增极Dy6~Dy9设成同一形状。图2所示为第2级倍增极Dy2的详细形状。第2级倍增极Dy2具有断面呈圆弧状的曲面部Dy2A和与该曲面部连成一面的平面部Dy2B,曲面部Dy2A和平面部Dy2B构成二次电子面。曲面部Dy2A的长度方向两端部上冲压形成有从Dy2A立设的侧面部Dy2C。从两侧面部Dy2C向外方延伸形成第1耳部Dy2D。另外,在平面部Dy2B的长度方向两端部同样形成有向外方延伸的第2耳部Dy2E。第1耳部Dy2D和第2耳部Dy2E不形成相互平行的平行面,而具有一定角度。在第1耳部Dy2D和第2耳部Dy2E的中央,在各自的厚度方向上形成有锻造加工部。
第3级倍增极Dy3及第5级倍增极Dy5形成同一形状。图3所示为第3级部增极Dy3的详细形状。第3级倍增极Dy3具有断面呈圆弧状的曲面部Dy3A。曲面部Dy3A构成二次电子面,比其他级的倍增极的二次电子面(Dy2A+Dy2B)的面积小。因此,第3级倍增极Dy3(及第5级倍增极Dy5)比其他级的倍增极小,形成小型倍增极。另外,在曲面部Dy3A的长度方向两端上冲压形成有从曲面部Dy3A立设的侧面部Dy3B、Dy3B。在侧面部Dy3B的与曲面部Dy3A相连一侧的相反侧面上形成有从侧面部Dy3B垂直地向外方延伸的平面状第1耳部Dy3C。第1耳部Dy3C的中央,在厚度方向上形成有锻造加工部。
从图6可知,第1级倍增极Dy1的二次电子面Dy1A的长度方向两端上形成有从二次电子面Dy1A立设的侧面部Dy1B,侧面部Dy1B上形成有向外方延伸的第1耳部Dy1C。第1耳部Dy1C的中央,在厚度方向上形成有锻造加工部。
从图5可知,第10级倍增极Dy10具有平面状的二次电子面Dy10A,和由其两端立设而成的2个面Dy10B、Dy10C,断面形成“コ”字状。二次电子面Dy10A,面Dy10B、Dy10C的长度方向两端部,在各自的二次电子面Dy10A、面Dy10B、Dy10C的长度方向上形成有延伸成一面的3个耳部Dy10D、Dy10E、Dy 10F。耳部Dy10E和Dy10F相互平行,耳部Dy10D形成垂直于耳部Dy 10E、Dy10F的形式。耳部Dy10D、Dy10E、Dy10F的中央部,在各自的厚度方向上形成有锻造加工部。
如图4所示,阳极A具有形成于平面上的呈网眼状的二次电子接收部A1,二次电子接收部A1长度方向的两端上形成有耳部A2、A 3,该耳部和二次电子接收部A1形成一个面地延伸。
如图6所示,倍增极Dy1~Dy10和阳极A的长度方向两端部被基板4、5支承着。基板5上穿设有狭缝状的固定贯通孔Dy1C、Dy2d、Dy2e、Dy3c、Dy4d、Dy4e、Dy5c、Dy10d、Dy10e、Dy10f、a2、a3。基板4上也同样设有狭缝状的固定贯通孔,但未图示。
图5是从正面看倍增极Dy1~Dy10及阳极A保持在基板4上、尚未保持在基板5上的形态的图。图6是表示各倍增极Dy1~Dy10及阳极A保持在基板5上时的形态。另外,倍增极Dy1~Dy10及阳极A的耳部Dy1C、Dy2D、Dy2E、Dy3C、Dy4D、Dy4E、Dy5C、Dy10D、Dy10E、Dy10F保持在基板4上的情况下,也同以下的说明一样。
第一级倍增极Dy1通过将第1耳部Dy1C插入固定贯通孔Dy1C内而保持在基板5上。第2级倍增极Dy2通过将第1耳部Dy2D插入固定贯通孔Dy2d,将第2耳部Dy2E插入固定贯通孔Dy2e,便可保持在基板5上。第3级倍增极Dy3通过将第1耳部Dy3C插入固定贯通孔Dy3C中而保持在基板5上。第4级倍增极Dy4通过将第1耳部Dy4D插入固定贯穿孔Dy4d内,将第2耳部Dy4E插入固定贯通孔Dy4e内而保持在基板5上。第5级倍增极Dy5通过将第1耳部Dy5C插入固定贯穿孔Dy5C内而保持在基板5上。第6级~第9级倍增极Dy6~Dy9和第2级及第4级倍增极Dy2、Dy4一样,通过将第1耳部及第2耳部插入各自对应的固定贯通孔内而保持在基板5上。倍增极Dy10通过将耳部Dy10D插入固定贯通孔Dy10d内,将耳部Dy10E插入固定贯通孔Dy10e内,将耳部Dy10F插入固定贯通孔Dy10f内而保持在基板5上。阳极A通过将耳部A2插入固定贯通孔a2内,将耳部A3插入固定贯通孔a3内而保持在基板5上。
这时,由于各耳部上如上述那样形成有锻造加工部,故将耳部压入相对应的固定贯通孔内,倍增极Dy1~Dy10便可良好地固定在基板5上。第6级~第9级倍增极Dy1~Dy10的耳部也一样。
这时,第1耳部Dy1C、Dy2D、Dy3C、Dy4D、Dy5C及耳部Dy10E、Dy10F、A2、A3也形成得比基板5的厚度长,从基板5突出,成为连接导线销2B的端子。第6~第9级倍增极Dy6~Dy9的第1耳部也一样。通过拧紧这些耳部Dy1C、Dy2D、Dy3C、Dy4D、Dy5C、Dy10E、Dy10F、A2、A3从基板5突出的部分,便可更牢固地将倍增极Dy1~Dy5、Dy10、阳极A固定在基板5上。第6级~第9级倍增极Dy6~Dy9也一样。
另外,第2耳部Dy2E、Dy4E及耳部Dy10D分别形成得比基板5的厚度短,不突出到基板5的外侧,不干扰配线。第6级到第9级倍增极Dy6~Dy9的第2耳部也一样。又,因可以减少从基板5突出的耳部,故可避免倍增极Dy1~Dy10的耳部之间相接近地配置,不存在耐压的问题。
通常,为了使第i级倍增极Dyi的二次电子面发射出的二次电子射入第(i+1)级倍增极Dy(i+1)的二次电子面的效率高的部分,配置成第(i+2)级倍增极Dy(i+2)进入第i级倍增极Dyi的二次电子面和第(i+1)级倍增极Dy(i+1)的二次电子面之间的形式。本实施形式的光电倍增管1中,倍增极Dy1~Dy10以倍增极内部空间路线横穿管轴的形式配置成弯曲的排列,故配置在弯曲外侧的倍增极之间的距离加大。因此,配置在弯曲外侧的第(i+2)级倍增极Dy(i+2)不容易进入第i级倍增极Dyi的二次电子面和第(i+1)级倍增极Dy(i+1)的二次电子面之间。但是,在本实施形式中,配置在弯曲外侧的第2级、第4级、第6级、第8级倍增极Dy2、Dy4、Dy6、Dy8的二次电子面是由断面呈圆弧状的曲面部Dy2A、Dy4A、Dy6A、Dy8A,和与曲面部Dy2A、Dy4A、Dy6A、Dy8A连成一面的平面部Dy2B、Dy4B、Dy6B、Dy8B形成的,故如图1所示,配置成第(i+2)级倍增极Dy(i+2)进入第i级倍增极Dyi的二次电子面和第(i+1)级倍增极Dy(i+1)的二次电子面之间。这样,第(i+2)级倍增极Dy(i+2)的电位便贯穿第i级倍增极Dyi和第(i+1)级倍增极Dy(i+1)之间。于是,第i级倍增极Dyi的二次电子面发射出的二次电子便被第(i+2)级倍增极Dy(i+2)拉近,可射入第(i+1)级倍增极Dy(i+1)的二次电子面的效率高的部分。
这里,第3级及第5级倍增极Dy3、Dy5的二次电子面仅由断面呈圆弧状的部分构成,是因为易接收前一级倍增极Dy2、Dy4发射的电子,而且使二次电子的发射方向稍朝向前一级倍增极Dy2、Dy4方向,使得二次电子相对于下一级倍增极Dy4、Dy6能获得合适轨道的缘故。若第3级和第5级倍增极Dy3、Dy5的二次电子面为平面状,则第3级及第5级倍增极Dy3、Dy5的电位向前一级倍增极Dy2、Dy4,和再前一级倍增极Dy1、Dy3之间贯穿过大,第1级及第3级倍增极Dy1、Dy3发射的电子被拉到第3级及第5级倍增极Dy3、Dy5的背面,难以入射到第2级和第4级倍增极Dy2、Dy4的二次电子面上。另外,从第2级及第4级倍增极Dy2、Dy4的二次电子面发射的电子被第5级及第7级倍增电极Dy5、Dy7的电位拉引,故不进入下一级的第3级和第5级倍增极Dy3、Dy5的理想位置,或者跳过下一级倍增极面而入射到第5级和第7级倍增极Dy5、Dy7的背面。
将第3级和第5级倍增极Dy3、Dy5的二次电子面的面积形成得比第2级、第4级、第6级~第9级倍增极Dy2、Dy4、Dy6~Dy9的二次电子面的小,是因为通过减小配置在弯曲的排列内侧的第3级及第5级倍增极Dy3、Dy5,使得能以倍增极内部空间路线横穿管轴的形式将倍增极Dy1~Dy10配置成弯曲的排列的缘故。另一方面,其所以使配置在弯曲的排列内侧的第7级及第9级倍增极Dy7、Dy9的二次电子面具有和配置在弯曲的排列外侧的第2级、第4级、第6级、第8级倍增极Dy2、Dy4、Dy6、Dy8的二次电子面具有相等的面积,是因为这样可以缓和在位于较下级的倍增极Dy7、Dy9的二次电子面附近,电子的空间密度增大的程度的缘故。
如图1所示,在包围倍增极Dy1~Dy10的位置上设置有平行于光电面2A的遮光板6。遮光板6位于最终级附近的倍增极Dy7~Dy10和第1级倍增极Dy1之间,以防止电子碰撞最终级附近的倍增极Dy7~Dy10时产生的光和离子到达光电面2A。遮光板6与对应的导线销2B连接,便可实现规定的电位。
参照图1对本发明实施形式的光电倍增管1的动作进行说明。光入射到光电面2A上时,发射光电子,通过聚焦电极3聚束之后送到第1级倍增极Dy1。于是,第1级倍增极Dy1发射二次电子,依次将该电子送到第2级~第10级倍增极Dy2~Dy10,接连不断地发射二次电子进行级联倍增。最后,收集到阳极上,作为输出信号从阳极A取出。
本发明的光电倍增管不局限于上述实施形式,在权利要求范围所述的范围内,可进行各种变形和改进。例如,在上述实施形式中,第3级倍增极及第5级倍增极的二次电子面的断面形成圆弧状,但,也可和第2级、第4级、第6级~第9级倍增极一样,形成断面呈圆弧状的曲面部和与其连成一面的平面部的复合形状,是与第2级、第4级、第6级~第9级倍增极相似的形状,是设成将它们缩小了的形状。
产业上利用的可能性
如上所述,本发明可广泛用于石油勘探等要求高耐振性的场合,和要求高脉冲(直)线性特性、要求高精度的光检测的场合。
Claims (12)
1.一种光电倍增管,它由以下部分构成:
沿着管轴(X)延伸的管状真空容器(2);
位于该管状真空容器(2)的管轴方向端面,对入射的光进行光电变换而发射电子的光电面(2A);
内壁具有二次电子面,当n是8以上的所定的整数时,依次对该电子进行倍增用的n级倍增极;
接受经过该n级倍增极倍增之后的电子用的阳极(A);
其特征在于:
将初级倍增极与该光电面(2A)相向配置,假设i为包含2以上、n-1以下的范围的任意整数时,第i级倍增极的该二次电子面与第i-1级和第i+1级倍增极的该二次电子面相向配置;
第n-2级及第n-1级倍增极使用和该第2级倍增极(Dy2)的形状相同的倍增极,而且,第3级及第5级倍增极(Dy3、Dy5)使用比第2级倍增极(Dy2)小的倍增极,以形成于相互相向的倍增极之间的倍增极内部空间路线横穿该管轴(X)的方式,配列该n级倍增极,阳极(A)使用网眼状阳极,该网眼状阳极相对于管轴(X)来说,设置在与第2级倍增极(Dy2)相反一侧。
2.根据权利要求1所述的光电倍增管,其特征在于,该第2级倍增极(Dy2)的二次电子面是由断面呈圆弧状的曲面(Dy2A)和与该曲面(Dy2A)连成一体的平面(Dy2B)构成的。
3.根据权利要求1或2所述的光电倍增管,其特征在于,所述所定的整数是9以上,第n-3级倍增极(Dy7)的形状和该第二级倍增极(Dy2)一样。
4.根据权利要求1或2所述的光电倍增管,其特征在于,所述所定的整数是10以上,第n-4级倍增极(Dy6)的形状和该第2级倍增极(Dy2)一样。
5.根据权利要求3所述的光电倍增管,其特征在于,所述所定的整数是10以上,第n-4级倍增极(Dy6)的形状和该第2级倍增极(Dy2)一样。
6.根据权利要求1、2、5所述的光电倍增管,其特征在于,该第3级及第5级倍增极(Dy3、Dy5)的二次电子面仅由断面呈圆弧状的曲面(Dy3A)形成。
7.根据权利要求3所述的电子倍增管,其特征在于,该第3级及第5级倍增极(Dy3、Dy5)的二次电子面仅由断面呈圆弧状的曲面(Dy3A)形成。
8.根据权利要求4所述的光电倍增管,其特征在于,该第3级及第5级倍增极(Dy3、Dy5)的二次电子面仅由断面呈圆弧状的曲面(Dy3A)形成。
9.根据权利要求1、2、5所述的光电倍增管,其特征在于,该第3级及第5级倍增极(Dy3、Dy5)的形状和该第2级倍增极(Dy2)相似。
10.根据权利要求3所述的光电倍增管,其特征在于,该第3级及第5级倍增极(Dy3、Dy5)的形状和该第2级倍增极(Dy2)相似。
11.根据权利要求4所述的光电倍增管,其特征在于,该第3级及第5级倍增极(Dy3、Dy5)的形状和该第2级倍增极(Dy2)相似。
12.根据权利要求1所述的光电倍增管,其特征在于,在第n-3级~n级倍增极(Dy7~Dy10)和第1级倍增极(Dy1)之间的位置上设置有遮光板(6)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP227382/00 | 2000-07-27 | ||
JP227382/2000 | 2000-07-27 | ||
JP2000227382A JP4640881B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 光電子増倍管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1444770A CN1444770A (zh) | 2003-09-24 |
CN1302513C true CN1302513C (zh) | 2007-02-28 |
Family
ID=18720843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB018134181A Expired - Lifetime CN1302513C (zh) | 2000-07-27 | 2001-07-19 | 光电倍增管 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6946792B2 (zh) |
EP (1) | EP1313133B1 (zh) |
JP (1) | JP4640881B2 (zh) |
CN (1) | CN1302513C (zh) |
AU (1) | AU2001272762A1 (zh) |
WO (1) | WO2002011179A1 (zh) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4573407B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2010-11-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
JP4473585B2 (ja) * | 2004-01-08 | 2010-06-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
US7492097B2 (en) * | 2005-01-25 | 2009-02-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron multiplier unit including first and second support members and photomultiplier including the same |
US7397184B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-07-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier |
US7317283B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-01-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier |
US7427835B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-09-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier including a photocathode, a dynode unit, a focusing electrode, and an accelerating electrode |
JP4804173B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管および放射線検出装置 |
JP4849521B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2012-01-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管および放射線検出装置 |
JP4804172B2 (ja) | 2006-02-28 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管、放射線検出装置および光電子増倍管の製造方法 |
JP4711420B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-06-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管および放射線検出装置 |
US9184034B2 (en) * | 2012-03-19 | 2015-11-10 | Kla-Tencor Corporation | Photomultiplier tube with extended dynamic range |
CN104752146B (zh) * | 2013-12-27 | 2018-09-18 | 浜松光子学株式会社 | 光电倍增管和包含其的传感器模块 |
CN103972017B (zh) * | 2014-05-20 | 2016-07-06 | 江苏鑫知源仪器有限公司 | 一种直读光谱仪的u形pmt |
JP7033501B2 (ja) * | 2018-06-06 | 2022-03-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 第1段ダイノード及び光電子増倍管 |
JP6695387B2 (ja) * | 2018-06-06 | 2020-05-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 第1段ダイノード及び光電子増倍管 |
CN110828277A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-02-21 | 上海裕达实业有限公司 | 集成式倍增检测装置 |
JP7362477B2 (ja) | 2019-12-27 | 2023-10-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍器およびそれを含む光電子増倍器 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2670702B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1997-10-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
JP3392240B2 (ja) * | 1994-11-18 | 2003-03-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍管 |
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US6232715B1 (en) | 1997-01-28 | 2001-05-15 | Photonis | Photoelectric multiplier tube of reduced length |
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-
2000
- 2000-07-27 JP JP2000227382A patent/JP4640881B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-07-19 WO PCT/JP2001/006279 patent/WO2002011179A1/ja active Application Filing
- 2001-07-19 AU AU2001272762A patent/AU2001272762A1/en not_active Abandoned
- 2001-07-19 US US10/333,846 patent/US6946792B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-19 CN CNB018134181A patent/CN1302513C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-19 EP EP01951936A patent/EP1313133B1/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030132370A1 (en) | 2003-07-17 |
EP1313133A1 (en) | 2003-05-21 |
CN1444770A (zh) | 2003-09-24 |
AU2001272762A1 (en) | 2002-02-13 |
WO2002011179A1 (en) | 2002-02-07 |
EP1313133B1 (en) | 2011-08-24 |
JP4640881B2 (ja) | 2011-03-02 |
EP1313133A4 (en) | 2007-04-11 |
JP2002042719A (ja) | 2002-02-08 |
US6946792B2 (en) | 2005-09-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20070228 |