CN1300056C - 一种低温快速制备高纯六方氮化硼陶瓷材料的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种氮化硼陶瓷材料的制备方法。一种低温快速制备高纯六方氮化硼陶瓷材料的方法,其特征在于:将纯度≥98%的六方氮化硼粉末干燥后,置于高强石墨模具中,室温下以30-40Mpa压强预压后,放入大电流高压快速烧结炉中,抽真空使真空度达5Pa后,充入流动氮气,氮气压力1.05-1.08大气压;以150-180℃/分钟的速度升温到烧结温度进行烧结,烧结时间为20-30分钟,烧结温度:1650-1750℃,烧结压力:40-60MPa;断电后随炉冷却到室温,可获得密度大于95%的高纯度六方氮化硼陶瓷材料。该方法烧结时间短、烧结温度低,工艺过程快,高密实度(密度大于95%)。
Description
技术领域
本发明涉及一种氮化硼陶瓷材料的制备方法,具体涉及一种不含有烧结助剂的高纯六方氮化硼(h-BN)陶瓷材料的制备方法。
背景技术
六方氮化硼(h-BN)陶瓷是一种重要的工程材料,它具有热导率高、热膨胀系数小、抗热震性好、耐高温、耐腐蚀、不易受金属熔融体侵蚀、机械加工性能和电绝缘性能好等许多优点,在冶金、电子、化工、和原子能等领域有着广阔的应用前景。然而,纯的六方氮化硼是很难烧结的。通常是掺入烧结助剂(如B2O3,Y2O3等)来降低烧结温度,掺入烧结助剂后会降低氮化硼(h-BN)陶瓷的综合性能。从制备方法来看,一般采用热压烧结工艺,烧结温度高(大于1800度)、工艺时间长(大于4小时);常压烧结工艺难以获得高度致密的BN基复合陶瓷。
发明内容
针对上述不足,本发明的目的在于提供一种低温快速制备高纯六方氮化硼陶瓷材料的方法,该方法烧结时间短、烧结温度低,工艺过程快,高密实度(密度大于95%)。
本发明是通过以下技术构想来实现的:利用大电流高压快速烧结炉低温快速烧结的特点,在较低的温度、较短的时间内制备高密实度的高纯度六方氮化硼陶瓷材料。
本发明是这样实现的:将高纯度(纯度≥98%)六方氮化硼粉末干燥后,置于高强石墨模具中,室温下以30-40MPa压强预压后,放入大电流高压快速烧结炉中,抽真空使真空度达5Pa后,充入流动氮气,氮气压力1.05-1.08大气压;以150-180℃/分钟的速度升温到烧结温度进行烧结,烧结时间为20-30分钟,烧结温度:1650-1750℃,烧结压力:40-60Mpa;断电后随炉冷却到室温,可获得密度大于95%的高纯度六方氮化硼陶瓷材料。
采用的大电流高压快速烧结炉的主要技术参数为:加热功率:150千瓦,最大压力:50吨,极限真空:3Pa。
一般认为,氮化硼陶瓷难以烧结的主要原因是由于六方氮化硼陶瓷是强共价键化合物,固相扩散系数很低。大电流高压快速烧结是利用大电流通过模具体和模具内的粉术材料时,由于焦耳热的作用对模具体和模具内的粉末加热,同时对模具内的材料施加高的压力来实现快速致密化。在大电流高压快速烧结过程中,由于电流直接作用于氮化硼粉末,同时,大电流产生的电场和磁场能加快原子的迁移速度,这能够大大提高氮化硼陶瓷固相扩散系数,从而提高烧结速度。
本发明的优点在于比传统工艺相比,烧结时间短、烧结温度低,工艺过程快(总过程不大于60分钟),具有明显的节能效果和高效快速的特点,同时,制备的复合材料具有产品密实度高(密度大于95%)、纯度高(纯度≥98%)的优点。
具体实施方式
实施例1:
将100g六方氮化硼(h-BN)(纯度:98%、粒径小于1μm)粉术干燥后,置于高强石墨模具中,室温下以30MPa压强预压后,放入大电流高压快速烧结炉中,抽真空使真空度达5Pa,充入流动氮气,氮气压力1.05大气压。以150℃/分钟的速度升温到1650℃的温度进行烧结,烧结压力:40Mpa,烧结时间为30分钟。断电后随炉冷却到室温,得高纯六方氮化硼陶瓷材料。经测定高纯六方氮化硼陶瓷材料的密度为95.5%。
采用的大电流高压快速烧结炉的主要技术参数为:加热功率:150千瓦,最大压力:50吨,极限真空:3Pa。
实施例2:
将100g六方氮化硼(h-BN)(纯度:98%、粒径小于1μm)粉末干燥后,置于高强石墨模具中,室温下以40MPa压强预压后,放入大电流高压快速烧结炉中,抽真空使真空度达5Pa,充入流动氮气,氮气压力1.08大气压。以160℃每分钟的速度升温到1700℃的温度进行烧结,烧结压力:50Mpa,烧结时间为30分钟。断电后随炉冷却到室温,得高纯六方氮化硼陶瓷材料。经测定高纯六方氮化硼陶瓷材料的密度为96.7%。
采用的大电流高压快速烧结炉的主要技术参数为:加热功率:150千瓦,最大压力:50吨,极限真空:3Pa。
实施例3:
将100g六方氮化硼(纯度:99%、粒径小于1μm)粉末干燥后,置于高强石墨模具中,室温下以30Mpa压强预压后,放入大电流高压快速烧结炉中,抽真空使真空度达5Pa,充入流动氮气,氮气压力1.05大气压。以180℃每分钟的速度升温到1750℃的温度进行烧结,烧结压力:60MPa,烧结时间为30分钟。断电后随炉冷却到室温,得高纯六方氮化硼陶瓷材料。经测定高纯六方氮化硼陶瓷材料的密度为98%。
采用的大电流高压快速烧结炉的主要技术参数为:加热功率:150千瓦,最大压力:50吨,极限真空:3Pa。
实施例4:
将100g六方氮化硼(纯度:99%、粒径小于1μm)粉末干燥后,置于高强石墨模具中,室温下以30Mpa压强预压后,放入大电流高压快速烧结炉中,抽真空使真空度达5Pa,充入流动氮气,氮气压力1.05大气压。以170℃每分钟的速度升温到1750℃的温度进行烧结,烧结压力:50MPa,烧结时间为30分钟。断电后随炉冷却到室温,得高纯六方氮化硼陶瓷材料。经测定高纯六方氮化硼陶瓷材料的密度为97.7%。
采用的大电流高压快速烧结炉的主要技术参数为:加热功率:150千瓦,最大压力:50吨,极限真空:3Pa。
实施例5:
将100g六方氮化硼(纯度:99%、粒径小于1μm)粉末干燥后,置于高强石墨模具中,室温下以30Mpa压强预压后,放入大电流高压快速烧结炉中,抽真空使真空度达5Pa,充入流动氮气,氮气压力1.05大气压。以180℃每分钟的速度升温到1750℃的温度进行烧结,烧结压力:60MPa,烧结时间为20分钟。断电后随炉冷却到室温,得高纯六方氮化硼陶瓷材料。经测定高纯六方氮化硼陶瓷材料的密度为97%。
采用的大电流高压快速烧结炉的主要技术参数为:加热功率:150千瓦,最大压力:50吨,极限真空:3Pa。
Claims (1)
1.一种低温快速制备高纯六方氮化硼陶瓷材料的方法,其特征在于:将纯度≥98%的六方氮化硼粉末干燥后,置于高强石墨模具中,室温下以30-40MPa压强预压后,放入大电流高压快速烧结炉中,抽真空使真空度达5Pa后,充入流动氮气,氮气压力1.05-1.08大气压;以150-180℃/分钟的速度升温到烧结温度进行烧结,烧结时间为20-30分钟,烧结温度:1650-1750℃,烧结压力:40-60MPa;断电后随炉冷却到室温,可获得密度大于95%的高纯度六方氮化硼陶瓷材料。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1161947A (zh) * | 1997-02-03 | 1997-10-15 | 汪宁 | 一种含六方氮化硼的高技术复合陶瓷及其制备方法 |
EP0939066A1 (en) * | 1998-02-16 | 1999-09-01 | Advanced Ceramics Corporation | Method for forming high density boron nitride and high density agglomerated boron nitride particles |
CN1310149A (zh) * | 2000-12-11 | 2001-08-29 | 黑龙江省锐克复合材料有限公司 | 六方氮化硼基陶瓷燃烧合成工艺方法 |
JP2003128467A (ja) * | 2001-10-18 | 2003-05-08 | Mitsubishi Pencil Co Ltd | 窒化ホウ素/窒化ケイ素系複合摺動材料とその製造方法 |
US6831031B2 (en) * | 2001-08-17 | 2004-12-14 | Polymatech Co., Ltd. | Thermally conductive sheet |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1161947A (zh) * | 1997-02-03 | 1997-10-15 | 汪宁 | 一种含六方氮化硼的高技术复合陶瓷及其制备方法 |
EP0939066A1 (en) * | 1998-02-16 | 1999-09-01 | Advanced Ceramics Corporation | Method for forming high density boron nitride and high density agglomerated boron nitride particles |
CN1310149A (zh) * | 2000-12-11 | 2001-08-29 | 黑龙江省锐克复合材料有限公司 | 六方氮化硼基陶瓷燃烧合成工艺方法 |
US6831031B2 (en) * | 2001-08-17 | 2004-12-14 | Polymatech Co., Ltd. | Thermally conductive sheet |
JP2003128467A (ja) * | 2001-10-18 | 2003-05-08 | Mitsubishi Pencil Co Ltd | 窒化ホウ素/窒化ケイ素系複合摺動材料とその製造方法 |
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