CN1291266C - 图像显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种充分取得对一线的图像信号的写入时间，以进行高分辨率显示或者快速图像显示的图像显示装置。为了达到此目的，图像显示装置构成为：在基板的像素形成侧的面上，形成在其一个方向上延伸在与该方向交叉的方向上并列设置的各漏极信号线，这些各漏极信号线在大致中央部上分离，在一方一侧的漏极信号线上从第1图像信号驱动电路供给图像信号，在另一方一侧的漏极信号线上从第2图像信号驱动电路供给图像信号，上述各漏极信号线所分离的端部设为检查用端子。
Description
技术领域
本发明涉及图像显示装置，例如涉及液晶显示装置等的图像显示装置。
背景技术
有源矩阵型的液晶显示装置，在间隔着液晶对置配置的各基板中，其一方的基板的液晶侧的面上形成有，并列设置的多个栅极信号线和与这些栅极信号线交叉并列设置的多个漏极信号线，在被这些各信号线所包围的各像素区上，具有依照来自栅极信号线的扫描信号而动作的开关元件和经由该开关元件供给来自漏极信号线的图像信号的像素电极。
由此，各栅极信号线GL，由供给它们的扫描信号依次选择其一(线)，分别给各漏极信号线DL，与栅极信号线GL的选择的定时相吻合地来供给图像信号。
但是，在这样结构的液晶显示装置中，随着近年来的高分辨率显示或者快速图像显示，人们指出存在对每线的图像信号的写入时间不足的问题。
发明内容
本发明就是基于这种情况而完成的，其目的在于提供能够充分取得对一线的图像信号的写入时间，以进行高分辨率显示或者快速图像显示的图像显示装置。
下面，简单地说明在本申请所公开的发明中，有代表性的发明的概要。
(方案1)
本发明的图像显示装置，例如，在基板上形成有在一个方向延伸的多条漏极信号线和与该多条漏极信号线大致正交配置的多条栅极信号线，与由该多条漏极信号线和该多条栅极信号线围成的区域相对应地形成有像素；上述多条漏极信号线在其大致中央部分离成上侧漏极信号线和下侧漏极信号线，上述上侧漏极信号线由第1图像信号驱动电路供给图像信号，上述下侧漏极信号线由第2图像信号驱动电路供给图像信号；上述上侧漏极信号线和上述下侧漏极信号线分离而成的各自的端部，在与上述栅极信号线的布线方向相同的方向延伸，从而构成检查用端子；上述上侧漏极信号线的端部的检查用端子，一直配置到上述像素在上述栅极信号线的布线方向的一方的中央附近，上述下侧漏极信号线的端部的检查用端子，一直配置到上述像素在上述栅极信号线的布线方向的另一方的中央附近。
(方案2)
本发明的图像显示装置，例如，以方案1的结构为前提，由上述多条栅极信号线和上述该多条漏极信号线所包围的各区域形成像素区；形成有上述检查用端子的部分，用与形成在形成有各条上述栅极信号线的部分上的遮光膜大致同形、同宽度的遮光膜遮光。
(方案3)
本发明的图像显示装置，例如，在基板上形成有在一个方向延伸的多条漏极信号线和与该多条漏极信号线大致正交配置的多条栅极信号线，与由该多条漏极信号线和该多条栅极信号线围成的区域相对应地形成有像素；上述多条漏极信号线，在其大致中央部分别经由开关元件连接起来；相对于该开关元件配置在上侧的漏极信号线的端部，一直配置到上述像素在上述栅极信号线的布线方向的一方的中央附近，与构成上述开关元件的半导体层重叠，相对于该开关元件配置在下侧的漏极信号线的端部，一直配置到上述像素在上述栅极信号线的布线方向的另一方的中央附近，与构成上述开关元件的半导体层重叠；上述开关元件的上侧的漏极信号线由第1图像信号驱动电路供给图像信号，上述开关元件的下侧的漏极信号线由第2图像信号驱动电路供给图像信号；上述开关元件具有公共的检查用栅极信号线，该检查用栅极信号线，连接在供给关断电压的电压生成电路上。
(方案4)
本发明的图像显示装置，例如，在基板上形成有在一个方向延伸的多条漏极信号线和与该多条漏极信号线大致正交配置的多条栅极信号线，与由该多条漏极信号线和该多条栅极信号线围成的区域相对应地形成有像素，其特征在于：上述多条漏极信号线，在其大致中央部分别经由开关元件连接起来；相对于该开关元件配置在上侧的漏极信号线的端部，一直配置到上述像素在上述栅极信号线的布线方向的一方的中央附近，与构成上述开关元件的半导体层重叠，相对于该开关元件配置在下侧的漏极信号线的端部，一直配置到上述像素在上述栅极信号线的布线方向的另一方的中央附近，与构成上述开关元件的半导体层重叠；上述开关元件的上侧的漏极信号线由第1图像信号驱动电路供给图像信号，上述开关元件的下侧的漏极信号线由第2图像信号驱动电路供给图像信号；上述开关元件具有公共的检查用栅极信号线，该检查用栅极信号线，经由以该检查用栅极信号线侧作为阴极的二极管分别连接在上述多条栅极信号线上。
此外，本申请说明书中所公开的各发明并不限定上面那样的结构，在不脱离本发明的技术思想的范围内可以有各种各样的变更。
附图说明
图1是表示本发明的图像显示装置的像素的一个实施例的结构图。
图2是表示本发明的图像显示装置的一个实施例的概略俯视图。
图3是表示本发明的图像显示装置的像素的一个实施例的结构图。
图4是表示本发明的图像显示装置的像素的其他实施例的俯视图。
图5是表示本发明的图像显示装置的像素的其他实施例的结构图。
图6是表示本发明的图像显示装置的像素的其他实施例的俯视图。
图7是表示本发明的图像显示装置的效果的说明图。
图8是表示本发明的图像显示装置的像素的其他实施例的俯视图。
图9是表示本发明的图像显示装置的像素的其他实施例的俯视图。
图10是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的结构图。
图11是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的结构图
图12是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的结构图
图13是表示本发明的图像显示装置的像素的其他实施例的俯视图。
图14是表示本发明的图像显示装置的像素的其他实施例的俯视图。
图15是表示本发明的图像显示装置的像素的其他实施例的俯视图。
图16是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的俯视图。
图17是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的俯视图。
图18是图17所示的图像显示装置的动作定时波形图。
图19是表示本发明的图像显示装置的像素的其他实施例的俯视图。
图20是表示本发明的图像显示装置的像素的其他实施例的俯视图。
图21是表示本发明的图像显示装置的像素的其他实施例的俯视图。
图22是表示本发明的图像显示装置的像素的其他实施例的俯视图。
具体实施方式
下面，使用附图说明本发明的图像显示装置的实施例。
(实施例1)
[整体概略结构]
图2是表示本发明的液晶显示装置的一个实施例的整体概略结构图。
图2是形成在间隔着液晶对置配置的各透明基板中一方的透明基板SUB1的液晶侧的面上的电路，是对应实际的几何学配置描绘的。
在图2中，形成有在其x方向延伸在y方向并列设置的栅极信号线GL，和在y方向延伸在x方向并列设置的漏极信号线DL。
由用邻接的一对栅极信号线GL和同样邻接的一对漏极信号线DL所包围的区域构成像素区，如后面详细叙述的那样，在这些各像素区上，具有依照来自一侧的栅极信号线GL而动作的薄膜晶体管TFT和经由该薄膜晶体管TFT供给来自一侧的漏极信号线DL的图像信号的像素电极PX等。
由这样的结构构成的各像素区的像素，被矩阵状配置构成液晶显示部AR。
而且，该液晶显示部AR，例如像分割其上下那样，在其边界部中各漏极信号线DL被物理地和电地分割。
放置于上方的液晶显示部AR的各栅极信号线GL，其一端(例如图中左侧)连接在扫描信号驱动电路V(1)上。各漏极信号线DL，其一端(例如图中上侧)连接在图像信号驱动电路He(1)上。
这里，扫描信号驱动电路V及图像信号驱动电路He，分别由多个半导体电路构成，通常是对相互邻接的多个信号线分配一个半导体电路。
同样，放置于下方的液晶显示部AR的各栅极信号线GL，其一端(例如图中左侧)连接在扫描信号驱动电路V(2)上。各漏极信号线DL，其一端(例如图中下侧)连接在图像信号驱动电路He(2)上。
在这样构成的液晶显示装置中，各栅极信号线GL由从扫描信号驱动电路V(1)及扫描信号驱动电路V(2)供给的扫描信号，顺序选择其一(线)，与该栅极信号线GL的选择的定时相吻合，从图像信号驱动电路He(1)或者图像信号驱动电路He(2)在各漏极信号线DL的各自上供给图像信号。
因此，漏极信号线DL在其长度变短的状态下，能够进行液晶显示驱动，能够充分取得对一线的图像信号的写入时间。
所以，就能够实现具有可靠性的高分辨率显示或者快速图像显示。
[像素结构]
图3(a)是表示在液晶显示部AR内，上侧的液晶显示部AR的一个实施例的俯视图，图3(b)是图3(a)的b-b线中的剖面图。
首先，在透明基板SUB1的液晶侧的面上，形成有在x方向上延伸在y方向上并列设置的一对栅极信号线GL。
这些栅极信号线GL与后述的一对漏极信号线DL一起包围矩形状的区域，并由该区域构成像素区。
还有，在各栅极信号线GL之间的中央上形成有与栅极信号线GL大体平行的电容信号线StL。该电容信号线StL例如在栅极信号线GL形成时同时形成。
这样在形成有栅极信号线GL及电容信号线StL的透明基板SUB1的表面上，例如由SiN构成的绝缘膜GI也覆盖该栅极信号线GL等来形成。
该绝缘膜GI，在后述的漏极信号线DL的形成区中，具有作为对于栅极信号线GL的层间绝缘膜的功能，在后述的薄膜晶体管TFT的形成区中具有作为其栅绝缘膜的功能。
而且，在该绝缘膜GI的表面，例如形成有由非晶Si构成的半导体层AS，使之重叠在栅极信号线GL的一部分上。
该半导体层AS是薄膜晶体管TFT的半导体层，在其上面形成漏电极SD1及源电极SD2，由此就能够构成将栅极信号线的一部分作为栅电极的逆交错结构的MIS(金属-绝缘体-半导体)型晶体管。
在漏极信号线DL形成的同时形成漏电极SD1及源电极SD2。
即，形成在y方向上延伸在x方向上并列设置的漏极信号线DL，其一部分延伸到半导体层AS的上面上形成漏电极SD1。还有，与该漏电极SD1仅离开薄膜晶体管TFT的沟道长度的量形成源电极SD2。
还有，该源电极SD2与在像素区内形成的像素电极PX一体形成。
即，像素电极PX由使像素区内在其y方向上延伸在x方向上并列设置的例如一根电极构成。该像素电极PX的一方的端部兼作源电极SD2。
这样，在形成了薄膜晶体管TFT、漏极信号线DL、漏电极SD1、源电极SD2及像素电极PX的透明基板SUB1的表面上形成有保护膜PAS。该保护膜PAS是避免与薄膜晶体管TFT的液晶直接的接触的膜，以防止薄膜晶体管TFT的特性劣化。
此外，该保护膜PAS由树脂等的有机材料层，或者SiN那样的无机材料层和树脂等的有机材料层的顺序叠层体构成。这样，作为保护膜PAS至少使用有机材料层是为了降低保护膜自身的介电常数。
在保护膜PAS的上面上形成对置电极CT。该对置电极CT与上述的像素电极PX同样地由在y方向上延伸在x方向上并列设置的多个(在图中是2根)的电极群构成，在俯视时，那些各电极是将像素电极PX放在中间来布置的。
即，对置电极CT和像素电极PX是从一方一侧的漏极信号线到另一方一侧的漏极信号线，以对置电极、像素电极、对置电极的顺序分别等间隔地来配置。
这里，放置于像素区的两侧的对置电极CT，其一部分重叠在漏极信号线DL上形成，同时与邻接的像素区的对应的对置电极CT共通地形成。
换句话说，在漏极信号线DL上，对置电极CT与其中心轴大体一致重叠，对置电极CT的宽度形成为比漏极信号线DL的宽度大。相对漏极信号线DL左侧的对置电极CT构成左侧的像素区的各对置电极CT的一个，右侧的对置电极CT构成右侧的像素区的各对置电极CT的一个。
这样，通过在漏极信号线DL的上方，形成比漏极信号线DL的宽度还要宽的对置电极CT，就能够具有使来自漏极信号线DL的电力线终结在对置电极CT上而避免终结在像素电极PX上的效果。这是因为当来自漏极信号线DL的电力线终结在像素电极PX上的情况下，将造成噪声的缘故。
由电极群构成的各对置电极CT与充分覆盖栅极信号线GL所形成的由同一材料构成的对置电压信号线CL一体地形成，通过该对置电压信号线CL供给基准电压。
此外，像素电极PX其一部分与电容信号线StL或者对置电压信号线CL重合形成，由此，在像素电极PX和对置电压信号线CL之间形成以保护膜PAS等作为电介质膜的电容元件Cstg。
该电容元件Cstg例如具备使供给像素电极PX的图像信号比较长的蓄积等的功能。
而且，这样在对置电极CT形成的透明基板SUB 1的上面上覆盖对置电极CT形成取向膜AL1。该取向膜AL1是与液晶直接接触的膜，由形成在其表面上的摩擦决定该液晶分子的初始取向方向。
此外，在这样构成的透明基板SUB1和间隔着液晶LC对置配置的透明基板SUB2的液晶侧的面上，依次形成滤色器CF、平坦化膜OC、取向膜AL2。
[漏极信号线的分离部附近的像素结构]
图1(a)是表示漏极信号线DL的分离部的附近的像素的一个实施例的俯视图，是相当于图2的虚线框的部分的图。还有，图1(b)是沿图1(a)的b-b线的剖面图，图1(c)示出沿图1(a)的c-c线的剖面图。
这里，将各漏极信号线DL的分离部作为边界，其上侧的像素由依照来自从该分离部仅离开一像素部的上侧所配置的栅极信号线GL的扫描信号而动作的薄膜晶体管TFT所驱动。与此相对照，下侧的像素由依照来自从分离部仅离开一像素部的下侧所配置的栅极信号线GL的扫描信号而动作的薄膜晶体管TFT所驱动。
通过这样的配置，如后所述那样，就能够将在各漏极信号线DL的分离部中的间隙设定成与各像素(配置在y方向上的各像素)之间的间隙相等。
而且，在各漏极信号线DL的分离部中，放置于其上侧像素的左侧的漏极信号线DL的端部形成为使之在x方向右侧弯曲延伸，放置于下侧像素的右侧的漏极信号线DL的端部，形成为使之在x方向左侧弯曲延伸。
即，各漏极信号线DL的延伸部在x方向上断续地配置成直线状。
在这种情况下，各漏极信号线DL的延伸部就分别实现检查端子IT1、IT2的功能。即，以各漏极信号线DL的分离部作为边界上侧的液晶显示部AR中的各漏极信号线DL，在其图像信号驱动电路He(1)侧也具备其他的检查端子，在该检查端子和上述检查端子IT1之间能够实施例如断线等的检查。
同样地，以各漏极信号线DL的分离部作为边界下侧的液晶显示部AR中的各漏极信号线DL，在其图像信号驱动电路He(2)侧也具备其他的检查端子，在该检查端子和上述检查端子IT2之间能够实施例如断线等的检查。
此外，各漏极信号线DL的检查端子IT1、IT2，对置电压信号线CL通过保护膜PAS与栅极信号线GL的形成区同样地形成在其上层上。
因此，就能够由该对置电压信号线CL屏蔽来自检查端子IT1、IT2的漏泄电场，进而，由于在对置电压信号线CL侧能够吸收由检查端子IT1、IT2的电位差产生的它们之间的电场，故能够防止伴随因来自检查端子IT1、IT2的漏泄电场引起的液晶排列的紊乱带来的显示不良。
(实施例2)
图4是表示本发明的液晶显示装置的其他实施例的结构图，是与图1(a)对应的图。
与图1(a)比较不同的结构是，本发明能够应用的液晶显示装置也可以是所谓的纵电场方式的像素。
该方式的像素电极PX用覆盖像素区的大部分所形成的例如ITO(铟锡氧化物)、ITZO(铟锡锌氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、SnO2(氧化锡)、In2O3(氧化铟)等那样的透光性的导电膜形成。
使在该像素电极PX之间产生电场的对置电极CT，在与透明基板SUB1对置配置的其他的透明基板的液晶侧的面上，用在各像素区共通地形成的上述ITO(铟锡氧化物)等那样的透光性的导电膜形成。
此外，在该实施例中，由于像素电极PX形成在保护膜PAS的上面上，故通过形成在保护膜PAS上的通孔TH与薄膜晶体管TFT的源电极SD2电连接。
(实施例3)
图5(a)是表示本发明的液晶显示装置的其他实施例的结构图，是与图1(a)对应的图。还有，图5(b)是沿图5(a)的b-b线的剖面图。
与图1(a)比较不同的结构在于，用ITO(铟锡氧化物)等那样的透光性的导电膜构成像素电极PX，同时与对置电极CT形成在同层。
由于采用这样的结构，能够提高像素的开口率。
在这种情况下，在像素电极PX中，与它的薄膜晶体管TFT的源电极SD2的电导通，是由从源电极SD2引出的金属层S和通过形成在电容信号线StL上的保护膜PAS的通孔的连接进行的。
通过电容信号线StL上的通孔谋求像素电极PX和薄膜晶体管TFT的源电极SD2的连接，是因为以提高像素的开口率为目的。
(实施例4)
图6是表示本发明的液晶显示装置的其他实施例的结构图，是与图1(a)对应的图。
与图1(a)的情况比较不同的结构在于薄膜晶体管TFT，它的漏电极SD1和源电极SD2分别配置在x线上，由那些电极的间隔距离及电极的宽度，来设定沟道长度及沟道宽度。
而且，薄膜晶体管TFT的栅电极构成为使栅极信号线GL的一部分延伸在像素区内，它的延伸部的两侧的各片与y方向大体平行。
进而，源电极SD2从半导体层AS上引出使之在延伸部的各片上大体正交。
在这样进行构成的情况下，即使在漏极信号线DL及像素电极PX形成时的掩模上例如产生上下方向的偏离，也能够维持各薄膜晶体管TFT中的源电极SD2和栅极信号线GL的重叠面积为一定，能够抑制各薄膜晶体管TFT的寄生电容Cgs的差异。
即，在这种情况下，如图7(a)所示，即使源电极SD2对栅极信号线GL在上下方向上偏离配置，也能够构成使得栅电极GT和源电极SD2的重合面积不变，此时，可以说在上下方向反转形成的像素中也是同样的。
就是说，能够在图2的虚线框的附近防止寄生电容Csg的不连续的变化。因此，能够防止亮度的不均匀。
所以，根据漏极信号线DL及像素电极PX的形成时产生了多少掩模偏离量的经验法则，如图7(b)所示，最好是设定半导体层AS对于漏电极SD2的y方向的越出量L1、L2及栅电极GT对于漏电极SD2的y方向的越出量L3、L4。
(实施例5)
图8是表示本发明的液晶显示装置的其他实施例的结构图，是与图1(a)对应的图。
与图1(a)比较不同的结构在于具有黑底(black matrix)(遮光膜)BM的结构。
黑底BM沿各栅极信号线GL覆盖栅极信号线GL形成，同时也覆盖在各漏极信号线DL的一端的延伸部形成的检查端子IT1、IT2。而且，构成为覆盖各栅极信号线GL的黑底BM和覆盖检查端子IT1、IT2的黑底BM它们的宽度相同。由于这样的结构，就能够收到在构造上被分割成2个的液晶显示部AR不能区别它们的各分割区的交界线的效果。
还有，由于覆盖各栅极信号线GL的黑底BM具备也覆盖薄膜晶体管TFT的延伸部，故即使在覆盖检查端子IT1、IT2的黑底BM中，尽管在近旁没有形成薄膜晶体管，也使图中L1＝L2，用同样的图形构成。这是考虑使上述的交界线尽量不显眼的缘故。
从同样的宗旨，图9做成用黑底BM也覆盖漏极信号线DL的图形，构成为覆盖各栅极信号线GL的黑底BM的图形和覆盖检查端子IT1、IT2的黑底BM的图形相同。
(实施例6)
图10(a)是表示本发明的液晶显示装置的其他实施例的俯视图，是与图1(a)对应的图。还有图10(b)是沿图10(a)的b-b线的剖面图。
与图1(a)的情况比较不同的结构是，形成检查用栅极信号线GLi使之沿各漏极信号线DL的分离地方走线。
而且，通过绝缘膜GI在该检查用栅极信号线GLi的上面上形成半导体层ASc，在该半导体层ASc上，相同列中配置的液晶显示部AR的上侧的漏极信号线DL的另一端和该液晶显示部AR的下侧的漏极信号线DL的另一端对置进行配置。
即，半导体层ASc构成薄膜晶体管TFTc的半导体层，当在检查用栅极信号线GLi上施加电压时，通过半导体层ASc同列配置的上下的各漏极信号线DL相互电连接。
此外，该薄膜晶体管TFTc能够与各像素区的薄膜晶体管TFT并行形成。
在液晶显示部AR的上侧的漏极信号线DL的图像信号驱动电路He(1)的附近形成检查用端子，还有，在液晶显示部AR的下侧的漏极信号线DL的图像信号驱动电路He(1)的附近也形成检查用端子，因此使用这些各检查用端子，就能够检查如上述那样各电连接的上下的漏极信号线DL的断线等。
还有，图10(c)是表示具备上述的像素的液晶显示装置的液晶显示部AR及其附近的图。
在液晶显示部AR的大体中央沿x方向走线的检查用栅极信号线Gli，在其一端中形成检查用焊盘PAD，在断线检查时在检查用焊盘PAD上施加电压使上下的漏极信号线DL电连接，同时除此以外用来解除向检查用焊盘PAD的电压。
(实施例7)
图11是表示本发明的液晶显示装置的其他实施例的结构图，是与图10(c)对应的图。
与图10(c)的情况不同的结构是，在作为产品完成的液晶显示装置中，检查用栅极信号线GLi的检查用焊盘PAD，成为连接在用于主动地使由检查用栅极信号线Gli所驱动的薄膜晶体管TFTc切断的OFF电压供给线OFL上的状态。
而且，该OFF电压供给线例如连接在电压生成电路GNR上。
在使用检查用栅极信号线GLi进行漏极信号线DL的断线等的检查后，由于需要使液晶显示部AR的上下中的各漏极信号线DL相互电分离，故在其后的制造工艺中形成OFF电压供给线OFL及电压生成电路GNR。
(实施例8)
图12(a)是表示本发明的液晶显示装置的其他实施例的结构图，是与图11对应的图。
与图11的情况比较不同的结构是，OFF电压供给线OFL在各栅极信号线GL之间分别连接将阴极作为该OFF电压供给线OFL侧的二极管D1而构成。
在这样构成的液晶显示装置中，通过在其检查时，在检查用焊盘PAD上施加ON电位，检查用栅极信号线GLi成为ON电位。
在这种情况下，ON电位经由二极管DI也供给到其他的栅极信号线GL上，在漏极信号线DL的断线检查中由于栅极信号线GL的动作没有关系，故不会特别产生问题。
还有，动作时，仅栅极信号线GL的OFF电位由二极管DI供给OFF电压供给线OFL。因此，就在检查用栅极信号线GLi中维持稳定的OFF状态。
此外，图12(b)是表示上述二极管DI的结构的一例。图中的TH1、TH2是通孔，GLd是与栅极信号线GL同层的电极。这些各二极管DI，例如，与像素区内的薄膜晶体管TFT一同形成，由此避免增大制造工时数目。
(实施例9)
图13是表示本发明的液晶显示装置的其他实施例的结构图，是与图1(a)对应的图。
与图1(1)的情况比较不同的结构在于：液晶显示部AR中的上下的各漏极信号线DL通过由检查用栅极信号线GLi所驱动的薄膜晶体管TFTc连接。
在这种情况下，用同一薄膜晶体管TFTc连接的一方的漏极信号线DL对像素是一方一侧的漏极信号线，另一方的漏极信号线DL对像素成为另一方一侧的漏极信号线。由这样的结构构成的液晶显示装置，用点反转驱动特别有效。
即，在从液晶显示部AR的上下方向同时顺序选择栅极信号线GL的情况下，为了用相反的极性写入再次邻接的上侧的像素和下侧的像素，需要在上侧和下侧使漏极信号线DL的极性相互反转。
因此，在通常动作时，在检查用栅极信号线GLi的薄膜晶体管TFTc的一方的电极和另一方的电极上施加相反极性的电位。
由此，就能够谋求降低在薄膜晶体管TFTc的漏电流，进而降低消耗功率。
(实施例10)
图14是表示本发明的液晶显示装置的其他实施例的结构图，是与图13对应的图。
与图13的情况比较不同的结构在于，通过检查用栅极信号线GLi的薄膜晶体管TFTc连接的各漏极信号线DL，成为同列配置的漏极信号线DL。
在这种情况下，例如，最初驱动检查用栅极信号线GLi的一个下侧的像素列，其次，同时驱动配置在该像素列的两侧(外侧)的各像素列，进而，同时驱动配置在该各像素列的外侧的各像素列，通过在其过程中使其进行所谓的点反转，就能够收到与图13所示同样的效果。
(实施例11)
图15(a)、(b)是表示本发明的液晶显示装置的其他实施例的结构图，图15(a)示出漏极信号线DL的断线等的检查前的结构，图15(b)是在漏极信号线DL的断线等的检查后的结构，作为产品完成后也是同样的结构。
即，漏极信号线DL在液晶显示部AR的上下的各部分中一体地形成，在漏极信号线DL的断线等的检查后，例如通过激光的扫描等成为相互切断的状态。
此外，分别在与图13(a)对应的图16(a)，和与图13(b)对应的图16(b)中示出作为液晶显示部AR的整体的结构。
(实施例12)
图17是表示本发明的液晶显示装置的其他实施例的结构图，是与图11对应的图。
与图11的情况比较不同的结构在于：代替检查用栅极信号线GLi使之作为电容信号线发挥功能，在位于该电容信号线StL的两侧的各像素列的像素电极PX之间形成电容。
此外，在其以外的各像素中，与驱动该像素的栅极信号线GL不同的其他的邻接的栅极信号线GL之间形成电容元件Cadd。
在这样的结构中，由于电容元件Cadd在大画面中能够进行Cgs校正，能够降低在栅极信号线GL的延伸方向的亮度不均匀。
因此，在上述画面分割方式中用在液晶显示部AR的上侧区和下侧区的边界上设置电容信号线StL来实现该电容元件Cadd的结构。
而且，在该实施例中，谋求了画质的进一步改善。
即，如图所示，在纵方向观察时，连接在电容信号线StL上的电容元件Cadd的数目是2个，而连接在栅极信号线GL上的电容元件Cadd的数目是1个，成为不同的值。
因此，上侧区和下侧区的边界的像素2个(各区域分别1个像素)对于除此以外的其他的像素，当写入薄膜晶体管TFT时有损于电容信号线StL的稳定度，使在像素上写入的电压产生偏离。
由此原因，可发现在横方向上2线的部分、在中央部上产生线状的亮度不均匀。
因此，上侧区和下侧区的各写入定时至少错开1线。
即，如图所示，将扫描顺序定为最初驱动电容信号线StL的一个下侧的像素列，其次，同时驱动配置在像素列的两侧(外侧)的各像素列，进而，同时驱动配置在各像素列的外侧的各像素列，将这一顺序反复进行。
因此，以时间平均观察时，由于电容信号线StL也与栅极信号线GL同样受到因一个的电容元件Cadd的投入电压的影响，条件成为相等，能够消除线状的亮度不均匀。由控制器能够容易地实现这样的信号的变换。
此外，图18在用供给各栅极信号线GL的扫描信号GL(A)乃至GL(F)表示上述扫描的同时，表示由来自漏极信号线D(A)、D(B)的图像信号蓄积的电容元件(用A至F表示)的电位状态。
由此，即使用相同极性驱动漏极信号线DL(A)、DL(B)，邻接的像素彼此的极性反转能够写入信号，能够简单地实现点反转驱动。
(实施例13)
图19是表示本发明的液晶显示装置的其他实施例的结构图，是具体地示出图12的像素的俯视图。
例如在形成栅极信号线GL时同时形成电容信号线StL，在该电容信号线StL上，分别重合形成它的两侧的各像素的像素电极PX的一端。
在这种情况下，由于电容元件Cadd的电容值大，像素电极PX的一端弯曲使之延伸在电容信号线StL的长度方向。
(实施例14)
图20是表示本发明的液晶显示装置的其他实施例的结构图，是与图19对应的图。
与图19的情况比较不同的结构在于：位于电容信号线StL的两侧的像素以外的像素中，它的像素电极PX的一端指向与薄膜晶体管TFT一侧相反侧，使之在栅极信号线GL上延伸构成。这是为了预先避免TFT的电接触。
(实施例15)
图21是表示本发明的液晶显示装置的其他实施例的结构图，是与图19对应的图。
与图19的情况比较不同的结构在于：其为在各像素区上不设置电容信号线StL的结构。
此外，从实施例13到实施例15，都是采用液晶显示部AR的上下的各漏极信号线DL相互分离的结构，但是，毫无疑问经由形成在电容信号线StL上的薄膜晶体管TFT相互连接的结构也能够得到同样的效果。
(实施例16)
图22是表示本发明的液晶显示装置的其他实施例的结构图，是将上述的思想应用于所谓的纵电场方式中的例子。
即，形成了电容信号线StL的两侧的像素的像素电极PX，使之重合在形成在液晶显示部AR的上下的各漏极信号线DL之间的电容信号线StL上。
此外，上述图像显示装置，是就例如液晶显示装置进行了说明，毫无疑问也能够将它应用于例如有机EL(场致发光)等其他的图像显示装置。
如以上的说明所明了的那样，采用本发明的图像显示装置，能够充分得到对于一线的图像信号的写入时间，实现高分辨率显示或者快速图象显示。
Claims (4)
1.一种图像显示装置，在基板上形成有在一个方向延伸的多条漏极信号线和与该多条漏极信号线大致正交配置的多条栅极信号线，与由该多条漏极信号线和该多条栅极信号线围成的区域相对应地形成有像素，其特征在于：
上述多条漏极信号线在其大致中央部分离成上侧漏极信号线和下侧漏极信号线，上述上侧漏极信号线由第1图像信号驱动电路供给图像信号，上述下侧漏极信号线由第2图像信号驱动电路供给图像信号，
上述上侧漏极信号线和上述下侧漏极信号线分离而成的各自的端部，在与上述栅极信号线的布线方向相同的方向延伸，由此构成检查用端子，
上述上侧漏极信号线的端部的检查用端子，一直配置到上述像素在上述栅极信号线的布线方向的一方的中央附近，
上述下侧漏极信号线的端部的检查用端子，一直配置到上述像素在上述栅极信号线的布线方向的另一方的中央附近。
2.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：
由上述多条栅极信号线和上述该多条漏极信号线所包围的各区域形成像素区；
形成有上述检查用端子的部分，用与形成在形成有各条上述栅极信号线的部分上的遮光膜大致同形、同宽度的遮光膜遮光。
3.一种图像显示装置，在基板上形成有在一个方向延伸的多条漏极信号线和与该多条漏极信号线大致正交配置的多条栅极信号线，与由该多条漏极信号线和该多条栅极信号线围成的区域相对应地形成有像素，其特征在于：
上述多条漏极信号线，在其大致中央部分别经由开关元件连接起来；
相对于该开关元件配置在上侧的漏极信号线的端部，一直配置到上述像素在上述栅极信号线的布线方向的一方的中央附近，与构成上述开关元件的半导体层重叠，
相对于该开关元件配置在下侧的漏极信号线的端部，一直配置到上述像素在上述栅极信号线的布线方向的另一方的中央附近，与构成上述开关元件的半导体层重叠；
上述开关元件的上侧的漏极信号线由第1图像信号驱动电路供给图像信号，
上述开关元件的下侧的漏极信号线由第2图像信号驱动电路供给图像信号；
上述开关元件具有公共的检查用栅极信号线，
该检查用栅极信号线，连接在供给关断电压的电压生成电路上。
4.一种图像显示装置，在基板上形成有在一个方向延伸的多条漏极信号线和与该多条漏极信号线大致正交配置的多条栅极信号线，与由该多条漏极信号线和该多条栅极信号线围成的区域相对应地形成有像素，其特征在于：上述多条漏极信号线，在其大致中央部分别经由开关元件连接起来；
相对于该开关元件配置在上侧的漏极信号线的端部，一直配置到上述像素在上述栅极信号线的布线方向的一方的中央附近，与构成上述开关元件的半导体层重叠，
相对于该开关元件配置在下侧的漏极信号线的端部，一直配置到上述像素在上述栅极信号线的布线方向的另一方的中央附近，与构成上述开关元件的半导体层重叠；上述开关元件的上侧的漏极信号线由第1图像信号驱动电路供给图像信号，
上述开关元件的下侧的漏极信号线由第2图像信号驱动电路供给图像信号；
上述开关元件具有公共的检查用栅极信号线，
该检查用栅极信号线，经由以该检查用栅极信号线侧作为阴极的二极管分别连接在上述多条栅极信号线上。
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| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20031210 Assignee: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd. Assignor: JAPAN DISPLAY Inc.|Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd. Contract record no.: 2013990000688 Denomination of invention: Projection lens for image display equipment Granted publication date: 20061220 License type: Common License Record date: 20131016 |
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| LICC | Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20061220 Termination date: 20190515 |