CN1277752A - 具有自动增益控制和片上调谐功能的晶体振荡器 - Google Patents

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Abstract

一种具有自动增益控制(AGC)的非常稳定的单片晶体控制振荡器。一振幅检测器(15)监测一晶体控制振荡放大器(12)的输出,并且产生与该放大器(12)的输出信号成比例的反馈信号,从而确保振荡在启动时减小,而在运行过程中将振幅限制到一预选值以保持放大器的功耗.接至放大器(12)输入端的槽路电容电路(13)包括一电压可变电容器(Cvaricap),在制造时开始先建立该电压可变电容器(Cvaricap)两端的电压,用以将振荡频率调谐到一预选值。也调整该电压可变电容器(Cvaricap)两端的电压以补偿该电路(11)中的温度变化。

Description

具有自动增益控制和片上调谐功能的晶体振荡器
本发明涉及晶体振荡器，尤其涉及一种具有自动增益控制功能的非常稳定的单片压控晶体振荡器。
射频通信技术在近几年有了惊人的进步。例如，无线通信技术的应用已经增加的许多倍，而采用这些无线通信设备的用户数量急剧增长。对数字调制技术如时分多址(TDMA)和码分多址(CDMA)更大的利用，连同在使用这些调制技术的系统中通信量密度的显著增长，需要更短的载频间隔和减小的调制带宽。在这种环境中，基准振荡器的频率稳定性变得日益重要。
尽管晶体控制振荡器作为基准频率用于电子系统中已经有数十年了，但是在各种负载、温度和电源条件下，这样的振荡器在其不同特性方面如输出波形、频率稳定性和振幅稳定性方面变化很大。许多这样的振荡器采用双极晶体管作为有源元件。可是，对于现在大多数集成电路的制作来说，主要技术是CMOS，而在该技术中对非常稳定的晶体振荡器的设计技术鲜为人知。
如上所述，高性能无线通讯应用需要非常准确的基准频率源。通常，振荡器的准确性和频率稳定性受各种因素影响，如生产、温度和老化变化，这要求振荡器频率变化能够受到补偿。大多数包括补偿电路的已有技术振荡电路结构已经包括了在含振荡器本身的集成电路外部的那些补偿电路。从生产观点看，这更昂贵，而且从小型化观点看，这更缺乏紧凑性，在无线设备的现代设计中，这些是非常重要的因素。
在设计非常稳定的晶体振荡电路中，两个重要的要素是，由振荡器本身控制功耗和在运行期间对振荡器在生产变化和温度变化方面进行频率补偿。诸如授予Watanabi等人的美国专利US 5,548,252中所示的已有技术试图解决这些问题。该专利公开了一种数字温度补偿晶体振荡器，这种振荡器具有与频率稳定晶体振荡器有关的某些特征；但是，在对用于无线通信设备如蜂窝电话用户终端中的晶体振荡器设计方面非常重要的因素即用于功耗控制技术以及频率补偿技术与本发明有明显不同，并且不如本发明振荡器中采用的那些技术更有利。
一方面，本发明包括一种晶体控制振荡电路，该电路包括具有一输出端和一输入端的振荡放大器。该输入端接至用来在一预选频率范围内产生振荡的晶体谐振器。一振幅检测器容性耦合到振荡放大器的输出端，用来对振荡器输出端的输出信号进行整流，并且对整流后的信号进行低通滤波，从而产生一个与输出振幅电平成比例的直流信号。一反馈环把来自振幅检测器的直流信号连接回振荡放大器的电流源，用以把振荡器输出信号的振幅电平调节到一预选值，并且限制振荡电路的功耗。
另一方面，本发明包括一种晶体控制振荡电路，该电路包括具有一输入端和一输出端的振荡放大器。该输入端接至用来在一预选频率范围内产生振荡的晶体谐振器。一谐振槽路电容器电路也接至振荡放大器的输入端，该电路具有一选定的电容值，用以把放大器的振荡频率调谐到一预选值。该槽路电容器电路包括至少一个电压可变电容器，在该电压可变电容器两端建立一个初始电压值以调谐谐振槽路电容器电路，并且因此将振荡放大器调谐到一预选振荡频率。通过以下步骤建立该初始电压值：产生一个数位；把该数位转换为与其成比例的一个模拟值；然后将该模拟值转换为与其成比例的一个电压值。
为了理解本发明及其进一步的目的和优点，可以结合附图参考以下描述，这些附图中：
图1是示出本发明晶体振荡器的各部件的示意性方框图；
图2是NMOS晶体管的电容与电压之间总的依赖关系的曲线图；
图3是示出作为寄生电容的函数的总电容范围的曲线图；
图4是一D-A转换器的方框图，该转换器包括在本发明的电路中，它具有4位段解码和4位电流加权功能。
本发明的晶体振荡器包括一个具有控制电路的晶体振荡放大器，其中除石英晶体之外的所有元件都集成安装在单独一个集成电路基底中。本发明的晶体控制振荡器的CMOS结构包括一个电压控制晶体振荡器(VCXO)，该振荡器具有自动增益控制(AGC)功能和片上调谐与片上稳定补偿(PTAT)两功能。本发明振荡电路的两个主要有利特征包括：它的自动增益控制电路结构，该结构明显降低了振荡器的功耗；以及对生产和温度变化进行片上频率补偿的电路结构。
在对高性能数字无线通讯电路的设计中，非常需要极其准确和稳定性高的基准频率源。另外，非常希望能够将尽可能多的元件集中安装在单独一个基底上，并且在满足其它约束条件下能够使电路尽可能小而且便宜。由于许多现代的无线通讯设备如蜂窝式无线电通信用户站由电池供电，所以在包括基准晶体振荡器的一个设备内，所有线路的功耗也相当可观。
首先参见图1，图中示出了本发明晶体控制振荡器结构的方框图。该结构优选地在单独一个芯片11上包括振荡放大器12，它接至负载电容阵列13和一外部石英晶体14，用来产生中央振荡频率。可以包括一个标准皮尔斯振荡器的振荡放大器12的输出端接至振幅检测器15，振幅检测器15的输出端在自动增益控制(AGC)环16中被接回振荡放大器12。
负载电容13包括第一和第二槽路电容器C1和C2。固定电容器C2与一电压可变电容器Cvaricap串联连接。电压可变电容器Cvaricap接至一加法电路17的输出端，加法电路17的一个输入端接至电流-电压(I-V)变换器18。加法电路17的另一个输入端接至绝对温度比例补偿电路(PTAT)19。电流-电压变换器18的输入端由一数-模(D/A)转换器21驱动，数-模转换器21从一数码发生器22接收一数字输入信号。I-V转换器18和PTAT电路19的输出电压在电路17中相加，并且连接用以驱动电压可变电容器Cvaricap，由此建立其电容值。Cvaricap电容器的变化改变振荡放大器12两端的总负载电容13，由此改变振荡频率。
图1的晶体控制振荡器包括一个极其准确的基准频率，在实际所有的运行条件下，该基准频率在频率和振幅两方面都很稳定。晶体振荡的频率部分地由接至振荡放大器12的负载电容13确定。通过改变接至振荡放大器12的总负载电容13，例如通过改变可变电容Cvaricap的电容值，可以将振荡放大器12的振荡频率调谐到一特定频率。元件Cvaricap的电容值由其两端的电压值确定，而施加给Cvaricap的电压由加法电路17中两个不同的电压之和产生。首先，这些电压包括来自电路(PTAT)19的电压和来自电阻转移(trans-resistance)放大器(I-V变换器18)的电压，来自电路19的电压与绝对温度成比例，来自电阻转移放大器的电压把来自数-模转换器21的电流转换成一电压值。在晶体控制振荡器的生产过程中，借助一数字输入装置22把一数字值写入DAC21，数字输入装置22将振荡器在其最初生产时校准到一给定的频率。这样，可以非常容易地在其本身的生产过程中进行对生产变化的补偿。在运行过程中，PTAT电路19传送一个电压，该电压和其上构造有振荡器的芯片11的周围环境温度成比例，由此补偿运行条件过程中的温度变化。
包括振幅检测器15和AGC环16的自动增益控制(AGC)电路实现两个重要功能。第一个功能是在其最初启动期间在振荡放大器12中提供一个高环路增益，以便在所有运行条件下安全可靠地振荡。第二个功能是在持续运行过程中将振荡放大器12的振荡保持在一个规定的幅值处，以便保存电路中的能量。振荡放大器12输出端的幅值由振幅检测器15检测，而与该幅值成比例的信号在AGC环16中被反馈以控制放大器增益。在振荡放大器12中，该反馈信号的电压调节放大器中的电流，由此调节放大器的前向增益和环路增益。
负载电容电路
振荡放大器谐振槽路电路13由电容C1、C2和Cvaricap组成。这些电容用来根据晶体谐振器14的一个特别典型的结构给出约20pF范围内的总负载电容值。晶体振荡的频率部分地由其负载电容确定。C1和C2可以是直接形成于基底11上的固定电容，而Cvaricap是一个也直接形成于基底11上的电压控制电容。归因于基底11上及其之外寄生电容的电容值必须包括在总负载电容中。
可变电容器Cvaricap用来补偿以下参数中的变化：(1)形成于基底11上的固定电容C1和C2值的生产公差；(2)基底11上及其之外的寄生电容；(3)振荡电路的温度变化；(4)晶体谐振器14的公差。Cvaricap补偿范围的典型代表值是±35ppm。这给出了约3.2pF的总负载电容变化(假定有20pF的总电容)，因为晶体振荡器的典型微调灵敏度可以约为10.8ppm/pF。
Cvaricap优选实施为一个NMOS晶体管，其中源极和漏极接为一端，而另一端作为栅极。该NMOS晶体管工作于反型区域，在反型区域中，电容随栅极电压及反型层的增长而减小。图2示出一NMOS晶体管的电容-电压关系曲线图，该曲线示出了电容的有用区域。靠近NMOS器件的氧化层处，因栅极金属和半导体的不同功函数而出现一个薄的耗尽区。该耗尽区随外加电压增大而增大，并且导致产生该曲线左边部分中电容的减小值。在该耗尽区的中部(即该曲线的下部)，在靠近氧化层处半导体表现为本征，在此点处，电容达到其最小值。当电压进一步增大时，半导体接近反型模式(inverse mode)，导电层出现，并且越来越排斥所到达耗尽区的影响，结果是一个增大的电容。
以基本上与Cvaricap相同的方式构造固定电容C1和C2，但是要重地掺杂栅氧化层下面的基底，以便实现一个反型层和一个与电压无关的电容器。
形成本发明主题并且给出约20pF±3.2pF的总负载电容Ctotal以及产生理想调谐范围的这类振荡器中的典型结构参数包括：C1＝123pF；C2＝70pF；Cvaricap＝14.5-39pF。这些是有代表性的值，并且相对于寄生电容的影响受到优化。
图3是一个曲线图，它示出作为寄生电容Cpar函数的理想和实际Ctotal。该函数可以在Cpar在1.5-4pF的典型范围内时得到。估计芯片上的寄生电容约为1pF。芯片外寄生电容可以在0.5-3.0pF的范围内，也就是说，该结构相对于安装有该芯片的印刷电路板上的寄生电容来说不太灵敏。
数-模转换电路
在生产本发明的晶体控制振荡器过程中，其频率被校准到一特定值。这是通过把一数字字写入数-模转换器(DAC)21中来进行的。然后，把来自DAC21的电流转换成一输出电压，该电压施加给Cvaricap。改变Cvaricap的电容值，由此改变振荡放大器12的总负载电容13，将振荡频率调整到所期望的准确值。
该应用的数-模转换器结构涉及许多因素，包括速度极限、单调性、所占的芯片面积和功耗。单调性对于该应用来说很重要，因为在校准过程中DAC是一个环路的一部分，而输出函数中局部极大值或极小值可以使得校准无法实现。功耗也很重要，因为振荡器由电池供电。以电流为基础的DAC21由组成一组的4位电流加权开关和一个4位段解码器32构成。输入端33处数字字的输入在输出端34处产生一个相应的电流。如图5所示，组31中的每一个都接至四个最低有效位(LSB)。四个最高有效位(MSB)受到段解码，并且随更高的输入值使各组激活。一个新电流随更高的数字输入值加给前一个电流。这样，单调性由图5所示的电路保证。
绝对温度比例电路
绝对温度比例(PTAT)电路19用来补偿因基底11的温度变化而导致的振荡电路中的变化。PTAT电路19产生一个与芯片温度成比例的电压。在加法器17中把该电压加到由DAC21的输出电流得到的电压上，将它们的和加到该端。这样，Cvaricap值中的变化改变了本机电容器13的总电容，从而改变振荡频率。由此由PTAT电路19改变总负载电容，以为温度变化而补偿振荡放大器12的频率。PTAT输出电压基于一MOS晶体管的温度依赖性，并且通过取一稳定的基准电压和将其连接到一个分压器上构建而成，该分压器包括一个负温度系数的高掺杂电阻。
电流-电压变换器
电流-电压(I-V)变换器18把来自DAC21的电流转换为一个电压，并且将该电压加到来自PTAT19的电压上。I-V变换器18被构造成一个电阻转移放大器，它由一个两级运算放大器组成，该放大器的输出端和负输入端之间接有一个电阻。把来自DAC21的电流加至负输入端，而把来自PTAT的电压加在运算放大器的另一输入端。输出结果是这两个输入电压之和，表示为加法器17，将输出结果加到Cvaricap上。
振荡放大器
将振荡放大器12构造为一个单输出端的差分放大器，它提供一个可便于调整的高增益。该放大器设计成具有一个电压输入端，它控制该放大器中的电流源。该电流的大小确定振荡器的环路增益。通过自动增益控制(AGC)16将一电压加到该输入端上，并且把环路增益调节到AGC16所控制的一个适当值。
在启动过程中，当没有振荡时，AGC16向该放大器提供一个反馈信号，使得该放大器中有最大电流。这导致产生一个很高的环路增益，确保振幅远离该放大器本身中的噪声。随着振幅的增长，AGC16减小振荡放大器中的电流，由此减小环路增益。在稳态振荡时，AGC16产生一个规定的低幅值振荡。把电流限定于刚好在其正常运行中的临界值之上，由此将功耗保持在最小值。振幅调节还消除了该放大器中的非线性影响，非线性影响会降低振荡器的频率稳定性。
AGC环
容性耦合来自振荡放大器12的输出信号，以消除任何D-C分量，然后对其进行整流和低通滤波以得到一个与振幅检测器15中振幅成比例的信号。把来自振幅检测器15的信号反馈给放大器的电流源，由此把电路的振幅调节到一预选值，从而精确地把放大器的功耗控制到一预选最小值。
如可从以上描述看到的那样，本发明的晶体振荡器为需要高精确度和紧密性的电子线路中所用的高稳定晶体控制振荡器提供了两个非常理想的特征。更具体地说，本发明的振荡器提供一种AGC电路，该电路确保了启动时振荡的可靠开始和运行过程中振荡器对功耗细致的控制。另外，本发明的振荡器提供了一种高可靠准确的装置，它用来对生产变化以及振荡器运行过程中的温度变化对振荡器进行频率补偿。
尽管本发明方法和装置的优选实施例已经在附图中示出并且在前面的描述中得到了说明，但是可以理解的是，本发明并不限于所公开的这些实施例，而是在不脱离前述和随后的权利要求书所限定的本发明实质的情况下，可以有许多变换、修改和替换。

Claims (23)

1.一种晶体控制振荡电路，包括：
具有一输入端和一输出端的振荡放大器，所述输入端接至一晶体谐振器，用来产生一预选频率范围内的振荡；
对来自所述振荡放大器的输出信号进行整流的装置；
把所述振荡放大器的输出端容性耦合到所述整流装置上的装置；
用来对来自所述整流装置的输出信号进行低通滤波以产生一直流信号的装置，该直流信号与所述振荡放大器的输出信号幅值成比例；和
一反馈环，它用来把来自所述振幅检测器的所述直流信号接回所述振荡放大器的电流源，以把振荡器输出信号的振幅电平调节到一预选值，并且限制所述振荡电路的功耗。
2.如权利要求1所述的晶体控制振荡电路，其中所述振荡放大器包括一具有电压输入端的差分放大器，它用来控制该放大器中的一个电流源以产生所述放大器的环路增益。
3.如权利要求1所述的晶体控制振荡电路，其中所述反馈环在启动时将一信号提供给所述振荡放大器的电流源，该信号使得所述放大器中有最大电流，从而产生一非常高的环路增益并引起该放大器振荡。
4.如权利要求1所述的晶体控制振荡电路，其中所有的元件都构建在单独一个基底上。
5.一种晶体控制振荡电路，包括：
具有一输入端和一输出端的振荡放大器，所述输入端接至一晶体谐振器，用来产生一预选频率范围内的振荡；
一谐振槽路电容电路，接至所述振荡放大器的输入端并且具有一选定电容值以把所述放大器的振荡频率调谐到一预选值，所述槽路电容电路包括至少一个电压可变电容器；
用来在所述电压可变电容器两端建立一初始电压值的装置，该装置用以将所述谐振槽路电容电路调谐到一预选振荡频率，由此调谐所述振荡放大器，该装置包括：
用来产生一数字值的装置；
用来将所述数字值转换成一模拟电流值的装置，该模拟电流值与所述数字值的值成比例；
用来将所述模拟电流值转换成一电压值的装置，该电压值与所述电流值成比例；和
用来将所述电压值耦合到所述电压可变电容器上以建立其电容值的装置。
6.如权利要求5所述的晶体控制振荡电路，还包括：
用来将一温度补偿电压值加到所述初始电压值上的装置，该装置用以响应于该电路中的温度变化也调节所述电压可变电容器的电容值，并且将所述振荡频率保持在所述预选值处。
7.如权利要求5所述的晶体控制振荡电路，还包括：
用来将所述初始电压值耦合到所述电压可变电容器上以通过一加法电路建立其电容值的装置；和
用来产生一温度补偿电压值的装置，该温度补偿电压值与所述振荡电路的绝对温度成比例；和
用来将所述温度补偿电压值接至所述加法电路的装置，该装置用以将所述温度补偿电压值加到所述初始电压值上。
8.如权利要求5所述的晶体控制振荡器，其中所有的元件都构建在单独一个基底上。
9.一种晶体控制振荡电路，包括：
具有一输入端和一输出端的振荡放大器，所述输入端接至一晶体谐振器，用来产生一预选频率范围内的振荡；
一接至所述振荡放大器输出端的振幅检测器，该振幅检测器用来检测振荡器输出信号的振幅电平，并且产生与所述振荡器输出振幅电平成比例的直流信号；
一反馈环，用来把来自所述振幅检测器的所述直流信号接回所述振荡放大器的电流源，以把振荡器输出振幅电平调节到一预选值，并且限制所述振荡电路的功耗；
一谐振槽路电容电路，该谐振槽路电容电路接至所述振荡放大器的输入端并且具有一选定电容值把所述放大器的振荡频率调谐到一预选值，所述槽路电容电路包括至少一个电压可变电容器；和
用来在所述电压可变电容器两端建立一初始电压值的装置，该装置用以将所述谐振槽路电容电路调谐到一预选振荡频率，由此调谐所述振荡放大器。
10.如权利要求9所述的晶体控制振荡电路，还包括：
用来将一温度补偿电压值加到所述初始电压值上的装置，该装置用以响应于该电路中的温度变化也调节所述电压可变电容器的电容值，并且将所述振荡频率保持在所述预选值处。
11.如权利要求10所述的晶体控制振荡电路，其中：
所述温度补偿电压相加装置包括产生与该电路的绝对温度成比例的一电压值的电路。
12.如权利要求11所述的晶体控制振荡电路，其中：
所述产生与该电路的绝对温度成比例的电压值的电路包括：接至一分压器的稳定基准电压，该分压器包括作为一个部件的负温度系数的高掺杂电阻。
13.如权利要求9所述的晶体控制振荡电路，其中：
所述振幅检测器包括，
对来自所述振荡放大器的输出信号进行整流的装置；
把所述振荡放大器的输出端容性耦合到所述整流装置上的装置；
对来自所述整流装置的输出信号进行低通滤波以产生一信号的装置，该信号与所述振荡放大器的振幅成比例；和
所述初始电压值产生装置包括，
用来产生一数字字的装置；
用来将所述数字字转换成一模拟电流值的装置，该模拟电流值与所述数字字的值成比例；
用来将所述模拟电流值转换成一电压值的装置，该电压值与所述电流值成比例；和
用来将所述电压值耦合到所述电压可变电容器上以建立其电容值的装置。
14.一种用来产生一振荡输出信号同时控制振荡器功耗的方法，所述方法包括：
提供具有一输入端和一输出端的振荡放大器，所述输入端接至一晶体谐振器，用来产生一预选频率范围内的振荡；
对来自所述振荡放大器的输出信号进行整流；
把所述振荡放大器的输出容性耦合到所述整流装置上；
对来自所述整流装置的输出信号进行低通滤波，以产生与所述振荡放大器的输出振幅成比例的直流信号；和
在一反馈环中把所述直流信号从所述振幅检测器接回所述振荡放大器的电流源，以把该振荡器输出振幅电平调节到一预选值，并且限制所述振荡电路的功耗。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述在一反馈环中连接一直流信号的步骤包括：
在启动时将一信号提供给所述振荡放大器的电流源，以使所述放大器中有最大电流，从而产生一个非常高的环路增益并引起所述放大器振荡。
16.一种用来产生一振荡信号的方法，包括：
提供具有一输入端和一输出端的振荡放大器，所述输入端接至一晶体谐振器，用来产生一预选频率范围内的振荡；
将一谐振槽路电容电路接至所述振荡放大器的输入端，并且具有一选定电容值以把所述放大器的振荡频率调谐到一预选值，所述槽路电容电路包括至少一个电压可变电容器；
在所述电压可变电容器两端建立一个初始电压值，从而通过以下步骤将所述谐振槽路电容电路调谐到一预选振荡频率，由此调谐所述振荡放大器：
产生一数字字；
将所述数字字转换为与所述数字字值成比例的模拟电流值；
将所述模拟电流值转换为与所述电流值成比例的电压值；和
将所述电压值耦合到所述电压可变电容器上以建立其电容值。
17.权利要求16所述的方法，还包括：
将一个温度补偿电压值加到所述初始电压值上，以便也响应于电路中的温度变化调整所述电压可变电容器的电容值，并且将所述振荡频率保持在所述预选值。
18.权利要求16所述的方法，还包括：
将所述初始电压值耦合到所述电压可变电容器上，以建立其电容值；和
产生一个温度补偿电压值，该温度补偿电压值与所述振荡电路的绝对温度成比例；和
将所述温度补偿电压值接至所述耦合装置，以将所述温度补偿电压值加到所述初始电压值上。
19.一种产生一振荡输出信号同时控制振荡器的功耗的方法，所述方法包括：
提供具有一输入端和一输出端的振荡放大器，所述输入端接至一晶体谐振器，用来产生一预选频率范围内的振荡；
将一振幅检测器接至所述振荡放大器的输出端，以检测振荡器输出信号的振幅电平，并且产生与所述振荡器的输出振幅电平成比例的直流信号；
在一反馈环中将所述直流信号从所述振幅检测器接回所述振荡放大器的电流源，用以把振荡器输出信号的振幅电平调节至一预选值，并且限制所述振荡电路的功耗；
把具有一选定电容值的谐振槽路电容电路接至所述振荡放大器的输入端，用以把所述放大器的振荡频率调谐至一预选值，所述槽路电容电路包括至少一个电压可变电容器；和
在所述电压可变电容器两端建立一个初始电压值，用以将所述谐振槽路电容电路调谐到一预选振荡频率，由此调谐所述振荡放大器。
20.如权利要求19所述产生一振荡输出信号的方法，包括以下附加步骤：
将一温度补偿电压值加至所述初始电压值上，用以也响应于电路中的温度变化调整所述电压可变电容器的电容值，并且将所述振荡频率保持在所述预选值。
21.如权利要求20所述产生一振荡输出信号的方法，其中所述加至所述初始电压值的步骤还包括：
产生一个与电路绝对温度成比例的电压值。
22.如权利要求21所述产生一振荡输出信号的方法，其中所述产生一个电压值的步骤还包括：
提供一个稳定的基准电压，该基准电压接至一分压器，该分压器包括作为一个元件的负温度系数高掺杂电阻。
23.如权利要求19所述产生一振荡输出信号的方法，其中所述连接一振幅检测器的步骤还包括：
对来自所述振荡放大器的输出信号进行整流；
把所述振荡放大器的输出容性耦合到所述整流装置上；和
对来自所述整流装置的输出信号进行低通滤波，以产生与所述振荡放大器的振幅成比例的一个信号；以及
所述建立一初始电压值的步骤还包括：
产生一个数字字；
将所述数字字转换为与所述数字字的值成比例的模拟电流值；
将所述模拟电流值转换为与所述电流值成比例的电压值；以及
将所述电压值耦合到所述电压可变电容器，以建立其电容值。
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