CN1273873C - 多色调光掩模及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了多色调光掩模(12)及其制造方法。光掩模(12)包括在至少部分衬底(16)上形成的滤光层(20)。滤光层(20)包括利用第一刻蚀工艺形成的第一图案。在至少部分滤光层(20)上利用第二刻蚀工艺形成包括第一图案的阻挡层(22)。在至少部分阻挡层(22)上利用第三刻蚀工艺形成包括第二图案的吸收层(18)。阻挡层(22)用来终止第三刻蚀工艺。

Description

多色调光掩模及其制造方法
发明的技术领域
本发明一般涉及光刻技术，更具体地说，涉及多色调光掩模及其制造方法。
发明背景
随着半导体器件制造商不断生产越来越小的器件，对于制造这些器件所用的光掩模的要求也日益苛刻。光掩模，又称为标线板或掩模板，通常包括衬底(例如高纯度石英或玻璃)，在衬底上形成有吸收层(例如铬)。吸收层包括代表电路图像的图案，所述图案可以在光刻过程中转移到半导体晶片上。由于半导体器件的特征尺寸减小，所以光掩模上相应的电路图像也变得更小，更复杂。因此，掩模板的质量已成为建立健壮可靠的半导体制造工艺的最关键要素之一。
在某些半导体制造工艺中，可以使用特殊的光掩模将图案成像到表面上。特殊光掩模的一个示例就是三色调光掩模。传统的三色调光掩模包括在衬底上形成的至少两种材料层，其中每种类型的材料透射不同百分比的光刻系统的曝光波长。
三色调光掩模可以利用传统的加成法制造。在传统的加成法中，二元光掩模的形成是将图案成像到空白光掩模板的光致抗蚀剂层上，将光致抗蚀剂层显影，刻蚀吸收层的曝光部分，并除去其余的光致抗蚀剂层。淀积另一光致抗蚀剂层，将图案成像到光致抗蚀剂层上，将光致抗蚀剂层显影，刻蚀吸收层的曝光部分，就可将另一图案形成到光掩模上。在除去其余的光致抗蚀剂层之前，将光掩模送到第三方供应商，淀积一层部分透射材料的滤光层。将滤光层下其余的光致抗蚀剂层去除掉，形成三色调光掩模。
在制造过程中可能发生许多问题。通常，由于光掩模表面的垂直高度不同，部分透射材料在光掩模表面上淀积得不均匀，例如，部分透射材料在器件边界附近的厚度可能不同或不一致。在器件边界附近的厚度变化或不一致会引起光散射或影响反射率，而破坏投影图像。部分透射材料的较厚部分也比较脆，易受破坏，导致在吸收层和部分透射材料的界面处特征均匀性问题。
由于光掩模在制造工艺进行时必需送到第三方供应商处，故也会发生问题。当光掩模送到第三方供应商处时过多的转运也会引起缺陷。而且，由于制造商必需将掩模送到第三方供应商，光掩模制造商制造三色调光掩模所需的时间也增加了。
当光掩模用于制造过程中时还会继续发生问题。由于部分透射材料被曝光，它就可能氧化，而改变所述材料的透射性能。这会导致光掩模使用寿命的缩短。
发明概述
所以需要有一种多色调光掩模的制造方法，不需要在制造过程中将光掩模送到第三方供应商去添加滤光层。
还需要一种光掩模，它具有满足制造商提供的光学技术条件的预淀积滤光层。
还需要一种光掩模，它在滤光层上形成保护涂层，使得滤光层不随时间氧化。
按照本发明的内容，已经将与制造多色调光掩模关联的缺点和问题显著地减少或消除。光掩模上吸收层和滤光层之间的阻挡层作为吸收层的刻蚀终止点并提供保护涂层，防止滤光层在光掩模的寿命期间被氧化。
更具体地说，在至少部分衬底上形成的滤光层包括用湿法刻蚀工艺形成的第一图案。在至少部分滤光层上形成的阻挡层具有第二刻蚀特性并提供保护涂层，防止滤光层随时间氧化。阻挡层包括用干法刻蚀工艺形成的第一图案。在至少部分阻挡层上形成包括用湿法刻蚀工艺形成的第二图案的吸收层。阻挡层对湿法刻蚀工艺呈惰性，因而提供了湿法刻蚀工艺的刻蚀终止点。
在一个实施例中，光掩模包括在至少部分衬底上形成的滤光层、在至少部分滤光层上形成的阻挡层和在至少部分阻挡层上形成的吸收层。滤光层包括用第一刻蚀工艺形成的第一图案，而阻挡层包括用第二刻蚀工艺形成的第一图案。吸收层包括用第三刻蚀工艺形成的第二图案。阻挡层提供第三刻蚀工艺的刻蚀终止点。
在另一实施例中，吸收层和滤光层具有第一刻蚀特性，以便用湿法刻蚀工艺去除各层的曝光部分。阻挡层具有第二刻蚀特性，使得阻挡层的曝光部分对湿法刻蚀工艺呈惰性，所述曝光部分用干法刻蚀工艺去除。阻挡层还提供保护涂层，防止滤光层被氧化。
在又一实施例中，滤光层是中性密度材料，能透射少于50％的辐射能量，而吸收层透射大约0％的辐射能量。阻挡层是二氧化硅或氧化铝，其厚度大致等于曝光波长的四分之一。
在本发明的一个实施例中，光掩模包括具有第一刻蚀特性和第一透射率的滤光层。在滤光层上形成具有第二刻蚀特性的阻挡层。在阻挡层上形成吸收层，吸收层具有第一刻蚀特性和第二透射率。阻挡层的第二刻蚀特性对于在吸收层和滤光层上使用的刻蚀工艺呈惰性。
在本发明的附加实施例中，光掩模的制造方法包括形成在吸收层和滤光层之间具有阻挡层的光掩模。在吸收层上用第一刻蚀工艺形成第一图案。第一刻蚀工艺被阻挡层终止。在阻挡层上用第二刻蚀工艺形成第二图案。在滤光层中用第三刻蚀工艺形成第二图案。
本发明某些实施例的重要技术优点包括一种减少制造多色调光掩模所需时间的空白光掩模。空白光掩模包括在衬底上形成的预淀积滤光层。由于空白光掩模包括滤光层，所以光掩模制造商就不需要中断光掩模制造过程来将部分制成的光掩模送到第三方供应商处。而且，由于省去了与在制造设施之间运输光掩模关联的额外的转运步骤，所以可以提高产量和成品率。
本发明某些实施例的另一重要技术优点包括一种滤光层，可以在光掩模制造过程开始之前对该滤光层进行光学测量和考核。由于滤光层是在光掩模制造过程开始之前淀积的，所以滤光层就可按照光掩模制造商或半导体制造商提供的技术条件进行淀积。所以滤光层在光掩模的整个表面上可具有均匀的厚度。滤光层也可有不同的成分以符合制造商的光学技术条件。
本发明某些实施例的另一个重要技术优点包括一种阻挡层，所述阻挡层防止与滤光层关联的光学特性随时间而改变。阻挡层形成在至少部分滤光层上并提供保护涂层，该保护涂层有效地密封了未被吸收层覆盖的滤光层区域。所以在制造过程中，阻挡层保护了滤光层，防止滤光层氧化而改变其光学特性。
附图简要说明
参阅结合附图所进行的以下说明，可以对本发明的实施例及其优点有更全面和透彻的理解，附图中相同的标号表示相同的特征，附图中：
图1示出按照本发明内容的包括阻挡层的光掩模组件的截面图；以及
图2A到2F示出在光掩模制造过程的各个步骤时空白光掩模的截面图。
发明的详细说明
参阅图1和图2，可以最好地理解本发明的优选实施例，图中相同的标号用来表示相同和相应的部件。
光掩模是光刻系统中的关键部件，因为它用作将复杂的几何图案成像到表面上的模板。例如光掩模可用来将集成电路(IC)形成到晶片上或将设计形成到光敏聚合物薄膜上。某些集成电路和设计要求设计先进的光掩模，例如三色调或多色调光掩模。多色调光掩模通常包括透射率不同的多种类型的材料。在传统工艺中，部分透射材料可以由第三方供应商淀积到部分制成的光掩模上。在制造过程中，光掩模制造商将光掩模送到第三方供应商处去淀积部分透射材料。将光掩模送到第三方供应商处增加了生产时间并增加了因附加的转运步骤引起的缺陷而使光掩模受损的风险。本发明由于在制造过程开始之前就将滤光层淀积到空白光掩模上，故消除了附加的转运步骤，并减少了制造光掩模所需的时间。也可以利用光掩模制造商或半导体制造商提供的适合的技术条件来形成滤光层。
图1示出光掩模组件10的截面图。在所示实施例中，光掩模组件10包括结合到半透膜组件14上的光掩模12。衬底16、吸收层18、滤光层20和阻挡层22形成光掩模12。虽然光掩模12的图示实施例包括衬底16上三种材料层，但可包括任何数量的材料层。在一个实施例中，光掩模12包括用多个阻挡层分隔开的多个吸收层和多个滤光层。
光掩模12，也称为掩模板或标线板，可具有各种尺寸和形状，包括(但不限于)圆形、矩形或方形。光掩模12可以是任何类型的光掩模，包括(但不限于)：单次掩模板、5英寸标线板、6英寸标线板、9英寸标线板或可以用来将图案投影到诸如晶片或薄膜表面上的任何其它合适尺寸的标线板。光掩模12还可以是二元掩模板、相移掩模板(PSM)、光学邻近效应校正(OPC)掩模板，或适合用在光刻系统中的任何类型的掩模板。
光掩模12包括形成在衬底16上的吸收层18和滤光层20，它们在光掩模12的表面上建立图案。当把光掩模组件10设置在光刻系统中时，由吸收层18和滤光层20形成的图案就投影到晶片或薄膜表面上(未示出)。
对于某些应用，衬底16可以是诸如石英、合成石英、石英玻璃、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)等材料，或能透射至少75％的波长在大约10毫微米(nm)到大约450毫微米(nm)之间的入射光的任何适合的材料。在另一实施例中，衬底16可以是反射材料，例如硅或能反射大于50％的波长在大约10毫微米(nm)到大约450毫微米(nm)之间的入射光的任何适合的材料。
吸收层18可以是诸如铬、氮化铬、金属的氧-碳-氮化物等材料，其中所述金属可从由以下金属构成的组中选择：铬、钴、铁、锌、钼、铌、钽、钛、钨、铝、镁和硅，以及能吸收波长在紫外(UV)范围、远紫外(DUV)范围、真空紫外(VUV)范围和/或超紫外(EUV)范围内的电磁能量的任何其它适合的材料。在另一实施例中，吸收层的透射率大约为零。在又一实施例中，吸收层18可以是部分透射材料，例如硅化钼(MoSi)，在UV、DUV、VUV和/或EUV范围内其透射率约为1％到30％。
滤光层20可以是任何中性密度(ND)材料，例如Inco AlloysInternational，Inc.制造的INCONELTM、镍合金、镍-铬合金、镍-铬-铁合金、铬合金或在UV、DUV、VUV和/或EUV范围内透射率大约为50％的任何其它适合的材料。在另一实施例中，滤光层材料可以是硅化钼或厚度可以调到对给定曝光波长给出正确透射率的任何类型的部分透射材料。在一个实施例中，滤光层的透射率大于吸收层的透射率。
阻挡层22可以是二氧化硅(SiO2)、氟化镁(MgF2)或氧化铝(Al2O3)。在另一实施例中，阻挡层22是诸如氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化钽(Ta2O5)、氧化钇(Y2O3)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、氟化锂(LiF)、氟化铝(AlF3)、氟化钙(CaF2)或能透射光并能耐受在滤光层20和/或吸收层18中形成图案所使用的刻蚀工艺的任何其它适合的材料。在一个实施例中，阻挡层22的厚度大约等于光刻系统中所使用的曝光波长的四分之一。
框架24和半透膜26形成半透膜组件14。框架24通常用阳极氧化处理的铝形成，虽然也可用不锈钢、塑料或当暴露在光刻系统中的电磁能量下时不退化不放气的其它合适的材料形成。半透膜26可以是用以下材料制成的薄膜片：诸如硝化纤维、醋酸纤维、非晶含氟聚合物等材料，例如E.I.Du Pont de Nemours and Company制造的TEFLONAF或Asahi Glass制造的CYTOP，或对UV、DUV、VUV和/或EUV范围内的波长基本上透明的其它合适的材料。半透膜26可以用传统技术例如旋涂来制备。
半透膜26通过确保污染物(例如灰尘颗粒)距光掩模12有一定的距离而保护光掩模12不受污染物影响。这一点在光刻系统中特别重要。在光刻过程中，光掩模组件10暴露在光刻系统中的能源所产生的电磁能量之下。电磁能量可以包括各种波长的光，例如在汞弧灯的I线和G线之间的波长，或DUV、VUV或EUV光。工作时，半透膜26应允许大部分的电磁能量能通过它。在半透膜26上聚集的污染物在加工的晶片或薄膜表面上很可能散焦，所以晶片或薄膜表面上曝光的图像应是清晰的。按照本发明的内容形成的半透膜26可以令人满意地和各种类型的电磁能量一起使用，不限于本申请所述的光波。
光掩模12可以用以下详述的制造过程由空白光掩模制成。在一个实施例中，可用来制造光掩模12的空白光掩模可包括光致抗蚀剂层、吸收层18、阻挡层22、滤光层22和衬底16。在衬底16上形成滤光层20，在滤光层20上形成阻挡层22。滤光层20可用来改变与光掩模12关联的光学特性，阻挡层22可用来终止刻蚀特性类似的两层之间的刻蚀过程。在阻挡层22上形成吸收层18，在吸收层18上形成光致抗蚀剂层。在空白光掩模上添加阻挡层和滤光层减少了光掩模制造过程中的转运次数，因为光掩模不再需要送到第三方供应商处去淀积滤光层20。滤光层20由于可以按照半导体制造商或光掩模制造商提供的技术条件来淀积，故可具有更均匀的特性。此外，阻挡层22也可以保护滤光层20在光掩模12的寿命期间不被氧化。
吸收层18和滤光层20二者都可利用标准的光刻工艺在光掩模12上形成。在标准光刻工艺过程中，包括用于吸收层18的数据的掩模板图案文件和包括用于滤光层20的数据的掩模板图案文件可由掩模板布局文件产生。
在一个实施例中，掩模板布局文件可以包括代表集成电路的晶体管和电连接的多边形。掩模板布局文件中的多边形还可代表集成电路的不同层，如果集成电路是在半导体晶片上制造的话。例如晶体管可形成在具有扩散层和多晶硅层的半导体晶片上。所以，掩模板布局文件可包括画在扩散层上的一个或多个多边形和画在多晶硅层上的一个或多个多边形。每一层的多边形可以转换成一个掩模板图案文件，代表集成电路的一层。每个掩模板图案文件可用来产生一个用于特定层的光掩模。
在另一实施例中，掩模板布局文件可包括要转换到光敏薄膜上的图案。掩模板布局文件还可代表在薄膜上制造的不同层的图案。每个掩模板图案文件可用来产生一个用于特定层的光掩模。
可以利用激光、电子束或X射线光刻系统把来自掩模板图案文件的所需图案成像到空白光掩模的光致抗蚀剂层中。在一个实施例中，激光光刻系统使用能发射波长约为364毫微米(nm)的氩离子激光器。在其它实施例中，激光光刻系统使用能发射光波长约从150nm到300nm的激光器。
将图案形成到光掩模12上的吸收层18中，方法如下：将光致抗蚀剂层中已曝光的区域显影；刻蚀吸收层18上未被光致抗蚀剂覆盖的部分；以及去除掉未显影的光致抗蚀剂，从而建立所述图案。在一个实施例中，刻蚀工艺可以是湿法刻蚀。空白光掩模上的阻挡层对于湿法刻蚀呈惰性，所以可用作终止湿法刻蚀的机构。在另一实施例中，刻蚀工艺可以是干法刻蚀。在所述实施例中，空白光掩模上的阻挡层对干法刻蚀呈惰性，可用来终止干法刻蚀工艺。一旦已去除了吸收层18的适当部分，形成了所需图案，就将另一层光致抗蚀剂层淀积到吸收层18上和阻挡层22的任何曝光区域上。使用有滤光层20的数据的掩模图案文件来曝光光致抗蚀剂层，建立另一图案。然后将光致抗蚀剂层显影。刻蚀阻挡层22和滤光层20，以曝露部分衬底16。在一个实施例中，用干法刻蚀工艺去除阻挡层22，而用湿法刻蚀工艺去除滤光层20。在另一实施例中，阻挡层22和滤光层20都用干法刻蚀工艺去除。在又一实施例中，用湿法刻蚀去除阻挡层22，而用干法刻蚀去除滤光层20。
图2A到2F示出在制造过程的不同步骤时光掩模12的截面图。通常，用传统的光刻、显影、刻蚀和去除技术从空白光掩模制造出光掩模12。可以使用刻蚀工艺从光掩模的表面上去除一种材料(例如，用来形成吸收层18、滤光层20和/或阻挡层22的材料)。湿法和干法刻蚀工艺都可使用。在湿法刻蚀中，用液体刻蚀剂来去除表面上的已曝光区域。在一个实施例中，用醋酸和硝酸铵高铈液体溶液湿法刻蚀诸如铬等材料。在干法刻蚀中，用等离子体从表面上去除已曝光材料。在一个实施例中，可以用甲烷，氯和三氯化硼的等离子混合物干法刻蚀诸如铝等材料。在另外的实施例中，各种化学制品包括酸、碱和氧化剂都可用于湿法和干法刻蚀工艺。
在具体刻蚀工艺中所使用的化学制品取决于需由刻蚀去除的材料类型。例如，材料具有的刻蚀特性可使其与某些化学制品发生反应，于是可从光掩模的表面去除部分材料，但对另一些化学制品却呈惰性。所以，与材料关联的刻蚀特性决定了可用何种类型的刻蚀工艺(例如湿法刻蚀或干法刻蚀)来从空白光掩模30的表面上去除部分材料。在一个实施例中，可用湿法过程来去除不同类型的材料，例如吸收层18和滤光层20。在另一实施例中，使用不止一种刻蚀工艺来去除某一类型的材料。同理，不同的干法刻蚀工艺可以去除某一类型的材料，且一种干法刻蚀工艺可以去除不止一类材料。
虽然空白光掩模30的图示实施例包括在衬底16上形成的四种材料层，但可包括任何数量的材料层。如图2A所示，空白光掩模30可以包括在吸收层18上形成的光致抗蚀剂层28。光致抗蚀剂层28可以是正或负的光致抗蚀剂，可用大约在150nm到350nm之间的波长曝光。在一个实施例中，光致抗蚀剂层28的厚度大约为5000到6000。在另一实施例中，光致抗蚀剂层28的厚度可以是适用于特定光刻系统的任何数值。
在一个实施例中，吸收层18可以是透射率大约0％的材料。在另一实施例中，吸收层18可以是透射率在大约1％到30％的材料。吸收层18的厚度在大约500到大约2000之间。在其它实施例中，吸收层18的厚度可以是适用于特定制造过程的任何数值。
阻挡层22可以位于吸收层18和滤光层20之间，滤光层20形成在衬底16上。阻挡层22可以是二氧化硅(SiO2)、氟化镁(MgF2)或氧化铝(Al2O3)。在另一实施例中，阻挡层是诸如氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化钽(Ta2O5)、氧化钇(Y2O3)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、氟化锂(LiF)、氟化铝(AlF3)、氟化钙(CaF2)或刻蚀特性不同于吸收层18和滤光层20的任何合适的材料，使得阻挡层可以用来终止刻蚀工艺。阻挡层22还可密封滤光层22，防止在制造过程中和光掩模12的整个寿命期间滤光层20发生氧化和改变光学特性。通过调节阻挡层22的厚度，还可调节阻挡层22以获得用于所选光刻系统的特定光学特性。在一个实施例中，阻挡层22的厚度约为100。在另一实施例中，阻挡层22的厚度大约等于曝光波长的四分之一。在又一实施例中，阻挡层22可具有适用于特定制造过程的厚度。
滤光层20可以是Inco Alloys International，Inc.，制造的INCONELTM、硅化钼、任何适合的镍合金(例如，镍-铬合金、镍-铬-铁合金)、铬合金或当电磁能量投影到光掩模上时能改变与光掩模关联的光学特性的任何合适的中性密度(ND)材料。这种电磁能量包括(但不限于)：紫外(UV)、远紫外(DUV)，超紫外(EUV)和X射线。滤光层20的厚度可按照光掩模制造商或半导体制造商提供的技术条件而定。滤光层20也可以具有不同的成分以满足制造商的光学技术条件。在一个实施例中，衬底16的厚度为大约0.25英寸。
如图2B所示，掩模图案文件的图案可以用光刻系统成像到光致抗蚀剂层28中。将光致抗蚀剂层28显影，去除已曝光区域中的光致抗蚀剂材料，并刻蚀吸收层18，去除吸收剂材料并暴露出部分阻挡层22。在一个实施例中，吸收层18和滤光层22可具有类似的刻蚀特性，使得一次湿法刻蚀就可去除用来形成吸收层18和滤光层22的材料。在另一实施例中，吸收层18和滤光层22具有不同的刻蚀特性，使得吸收层18可用一种类型的化学制品用湿法刻蚀工艺去除，而滤光层20可用另一类化学制品用不同的湿法刻蚀工艺去除。无论在哪一种实施例中，阻挡层22的刻蚀特性都不同于吸收层18和/或滤光层20，所以阻挡层22对湿法刻蚀工艺都呈惰性，可用干法刻蚀工艺去除。所以，在吸收层18和阻挡层22的界面，阻挡层22可以终止用来去除吸收层18的湿法刻蚀工艺。
在又一实施例中，干法刻蚀工艺可用来去除部分吸收层18，滤光层20和阻挡层22。吸收层18和滤光层20具有不同于阻挡层22的刻蚀特性，使得可以使用不同类型的等离子体来去除吸收层18和滤光层20。阻挡层22又可以终止用来去除部分吸收层18的干法刻蚀工艺。在另外的实施例中，滤光层20和阻挡层22可具有类似的刻蚀特性，而吸收层18可具有不同的刻蚀特性。滤光层20和阻挡层22可用干法刻蚀工艺去除，而吸收层18可用湿法刻蚀工艺去除。在已经在吸收层18中形成适当的图案后，从剩余的吸收剂材料上去除剩余的光致抗蚀剂材料。
如图2C所示，在吸收层18和阻挡层22的已曝光区域上形成光致抗蚀剂层32。将包括滤光层20的数据的另一掩模图案文件的另一图案成像到光致抗蚀剂层32中。
如图2D所示，将光致抗蚀剂层32显影，去除已曝光区域中的光致抗蚀剂。然后刻蚀阻挡层22和滤光层20，去除阻挡层材料和滤光层材料，暴露出部分衬底16，如图2E所示。在一个实施例中，阻挡层22用干法刻蚀工艺去除，滤光层20用湿法刻蚀工艺去除。在另一实施例中，阻挡层22和滤光层20都用干法刻蚀工艺去除。在又一实施例中，阻挡层22用湿法刻蚀去除，而滤光层20用干法刻蚀去除。在又一实施例中，用干法刻蚀工艺来去除光致抗蚀剂材料。在此实例中，阻挡层22不终止刻蚀，刻蚀工艺在同一过程中同时去除光致抗蚀剂材料、阻挡层材料和滤光层材料。
如图2F所示，将光致抗蚀剂层32的剩余部分去除掉，形成光掩模12。然后清洁光掩模12，并将半透膜组件14安装到光掩模12上，形成光掩模组件10。
虽然已针对具体的优选实施例对本发明作了说明，但是，对于本专业的技术人员来说可以提出各种变化和修改，本发明应包括属于所附权利要求书范围内的这些变化和修改。

Claims (26)

1.一种光掩模，它包括：
在至少部分衬底上形成的滤光层，所述滤光层包括利用第一刻蚀工艺形成的第一图案；
在至少部分所述滤光层上形成的阻挡层，所述阻挡层包括利用第二刻蚀工艺形成的第一图案；以及
在至少部分所述阻挡层上形成的吸收层，所述吸收层包括利用第三刻蚀工艺形成的第二图案，所述阻挡层可以用来终止所述第三刻蚀工艺。
2.如权利要求1所述的光掩模，其特征在于：
所述吸收层和所述滤光层具有第一刻蚀特性；以及
所述阻挡层具有不同于所述第一刻蚀特性的第二刻蚀特性。
3.如权利要求1所述的光掩模，其特征在于：
所述滤光层可以用来透射第一个百分数的辐射能量；以及
所述吸收层可以用来透射第二个百分数的辐射能量，所述第一个百分数大于所述第二个百分数。
4.如权利要求1所述的光掩模，其特征在于：
所述第一和第三刻蚀工艺包括湿法刻蚀；以及
所述第二刻蚀工艺包括干法刻蚀。
5.如权利要求1所述的光掩模，其特征在于：
所述第一和第三刻蚀工艺包括第一干法刻蚀；以及
所述第二刻蚀工艺包括第二干法刻蚀。
6.如权利要求1所述的光掩模，其特征在于：
所述第一和第三刻蚀工艺包括干法刻蚀；以及
所述第二刻蚀工艺包括湿法刻蚀。
7.如权利要求1所述的光掩模，其特征在于：所述滤光层包括中性密度材料。
8.如权利要求1所述的光掩模，其特征在于：所述滤光层包括硅化钼。
9.如权利要求1所述的光掩模，其特征在于：所述阻挡层包括从由以下材料构成的组中选择的一种材料：二氧化硅、氟化镁和氧化铝。
10.如权利要求1所述的光掩模，其特征在于：所述阻挡层具有等于四分之一曝光波长的厚度。
11.如权利要求1所述的光掩模，其特征在于：所述阻挡层在所述滤光层上提供保护涂层，以防止所述滤光层氧化。
12.一种光掩模，它包括：
在至少部分衬底上形成的滤光层，所述滤光层具有第一刻蚀特性和第一透射率；
在至少部分所述滤光层上形成的阻挡层，所述阻挡层具有第二刻蚀特性；以及
在至少部分所述阻挡层上形成吸收层，所述吸收层具有第一刻蚀特性和第二透射率，所述阻挡层的所述第二刻蚀特性对用于在所述吸收层和滤光层中形成图案的刻蚀工艺呈惰性。
13.如权利要求12所述的光掩模，其特征在于：与所述滤光层关联的所述第一透射率大于与所述吸收层关联的所述第二透射率。
14.如权利要求12所述的光掩模，其特征在于：与所述吸收层关联的所述第二透射率等于零。
15.如权利要求12所述的光掩模，其特征在于：与所述滤光层关联的所述第一透射率小于50％。
16.如权利要求12所述的光掩模，其特征在于还包括由多个阻挡层分隔开的多个吸收层和多个滤光层。
17.如权利要求12所述的光掩模，其特征在于：
所述第二刻蚀特性不同于所述第一刻蚀特性。
18.如权利要求12所述的光掩模，其特征在于：所述滤光层包括从以下材料组中选择的一种材料：镍合金和铬合金。
19.如权利要求18所述的光掩模，其特征在于：所述镍合金和铬合金是镍-铬合金和镍-铬-铁合金。
20.如权利要求12所述的光掩模，其特征在于：所述阻挡层包括从以下材料组中选择的一种材料：氮化铝、氮化硅、氧化钽、氧化钇、氧化镁、氧化锆、氟化锂、氟化铝和氟化钙。
21.一种制造光掩模的方法，所述方法包括：
提供空白光掩模，所述空白光掩模包括位于吸收层和滤光层之间的阻挡层，所述滤光层形成在至少部分衬底上；
利用第一刻蚀工艺在所述吸收层中形成第一图案，所述阻挡层可以用来终止所述第一刻蚀工艺；
利用第二刻蚀工艺在所述阻挡层中形成第二图案；以及
利用第三刻蚀工艺在所述滤光层中形成所述第二图案。
22.如权利要求21所述的方法，其特征在于：
所述第一和第三刻蚀工艺包括湿法刻蚀；以及
所述第二刻蚀工艺包括干法刻蚀。
23.如权利要求21所述的方法，其特征在于：
所述吸收层和滤光层具有第一刻蚀特性；
所述阻挡层具有第二刻蚀特性；以及
所述第一、第二和第三刻蚀工艺包括干法刻蚀。
24.如权利要求21所述的方法，其特征在于：所述阻挡层包括对所述第三刻蚀工艺呈惰性的材料。
25.如权利要求21所述的方法，其特征在于：所述滤光层包括中性密度材料。
26.如权利要求21所述的方法，其特征在于：
所述滤光层具有第一透射率；以及
所述吸收层具有第二透射率，所述第一透射率大于所述第二透射率。
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