CN1264687A - 纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法 - Google Patents

纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1264687A
CN1264687A CN 00114425 CN00114425A CN1264687A CN 1264687 A CN1264687 A CN 1264687A CN 00114425 CN00114425 CN 00114425 CN 00114425 A CN00114425 A CN 00114425A CN 1264687 A CN1264687 A CN 1264687A
Authority
CN
China
Prior art keywords
carbon
rbsc
powder
ceramic material
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN 00114425
Other languages
English (en)
Inventor
武七德
魏明坤
王怀德
韩建军
洪小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Polytechnic University
Original Assignee
Wuhan Polytechnic University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan Polytechnic University filed Critical Wuhan Polytechnic University
Priority to CN 00114425 priority Critical patent/CN1264687A/zh
Publication of CN1264687A publication Critical patent/CN1264687A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

一种用水为分散剂,以纯碳粉取代碳化硅粉制造高性能反应烧结碳化硅陶瓷的方法,采用添加外加剂的方法制成高分散的水基泥浆(料),采用注浆、挤塑、凝胶注成型的方法制成生坯,用控制粉料粒径以及烧蚀剂、填充剂加入量的方法,调整生(素)坯的孔径分布和单位体积碳含量,生坯经干燥后,经1550~21650℃真空下或1850~2050℃氩气气氛下渗硅烧结2小时,制得反应烧结碳化硅陶瓷材料。

Description

纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法
本发明属于反应烧结碳化硅材料的低成本制备。
国内近年来,反应烧结碳化硅(RBSC)作为一种高载荷、抗氧化、长寿命的高温结构陶瓷,开始进入耐火材料领域。RBSC是一种含少量游离碳(fC)和游离硅(fSi),几乎没有气孔的致密陶瓷材料,在800~1200℃所谓多孔SiC材料的抗氧化性能的劣化温区,RBSC的强度和抗氧化性能是其它SiC耐火材料所无法比拟的。但是,由于传统方法制造RBSC需要使用人工高温合成的SiC作为原料,然后加上少量碳粉混合成型后,再在高温下渗硅反应烧结而成。这种方法工艺路线长,原料成本和烧结费用高昂。
前俄罗斯学者发明了硅化石墨的生产技术,它主要是沿用石墨制品的制造方法,制成碳质素坯,然后在高温下渗硅,制成以SiC为主晶相的材料。该工艺使用沥青等非极性材料作为粘结剂,干压或热挤塑成型,焙烧后的素坯结构无法精确控制,材料的性能偏低。美国学者发明了一种渗入反应烧结碳化硅技术,该方法系采用有机聚合物材料为原料,经高温控制热解后,得到具有精细碳骨架结构的素坯,然后再渗硅烧结,得到高性能的RBSC材料。由于该技术所用原料成本高,聚合物的高温热解难以控制,无法进入工业应用。
本发明的目的是针对以上存在的问题,利用低廉的工业碳素材料为原料,加入适当的外加剂,用简易的工艺路线制备出成本低、易於工业性生产材料。
下面对本发明的内容进行具体说明。
利用工业碳素材料或石墨粉为原料,以水作为分散介质,加入适当的外加剂,使碳粉在静电位阻和空间位阻的作用下,形成无团聚和聚集的高稳定水基泥浆或泥料;采用水基湿法成型,通过调整碳粉和烧蚀剂、填充剂的粒径和粒径分布以及加入量,精确控制生(素)坯的碳含量和气孔孔径分布;得到具有精细碳骨架结构的生坯,再经渗硅烧结后,获得高性能的RBSC材料,从而实现将SiC原料的合成和RBSC陶瓷材料的制备一步完成,达到降低RBSC陶瓷的制造成本的目的。
本技术与渗入反应烧结法的本质差别,在于采用构筑法制备具有精细碳骨架结构的素坯。
1.无团聚、窄粒径分布的碳粉泥浆的制备
以石化工业的副产品—石油焦(冶金焦、沥青焦、石墨、工业碳黑或者高纯的低灰分煤等)为原料,经1000~1200℃隔氧焙烧(焙烧温度和保温时间依原料中挥发分排除的难易而异,一般焙烧保温时间为1~4小时,含较少挥发分的碳质原料可不经焙烧),以排除焦和煤中的挥发分。
将焙烧焦粗碎至1~2mm,称量后,加入少量的水分散剂、粘结剂、塑化剂和消泡剂,经球磨得到含不同粒径的碳粉泥浆。将泥浆稀释后经水力旋流器分级,得到d90=45μm,d10=5μm的泥浆。原料粉碎也可以采用干法粉碎——分级,得到同样粒径分布的粉末,再加水和添加剂,经高速搅拌混合后,得到均匀分散的泥浆。
由于各厂家碳质原料表面性能的差异,水的用量和分散剂的种类及用量,要根据粉体的实际情况加以选择和调整。2.成型
将上述泥浆或泥料采用注浆或其它湿法成型方法,如凝胶注,直接凝固成型方法制成生(素)坯。也可用挤塑、轧膜、印模、拉坯等可塑成型方法制成生坯。3.烧结
将生(素)坯自然阴干和110℃烘干后,置于电阻炉或感应炉中的石墨坩埚内,按碳∶硅=1∶2.5的比例加入粒径为5~15mm的硅粒,将生(素)坯掩埋,在真空下以150~200℃/h的速率升温至1550~1650℃,保温1~2h止火。烧成后的制品经喷砂除去表面的粘附物,得到RBSC陶瓷产品。
生坯的烧结也可以在氩气的保护下,于1850~2050℃常压下进行。4.RBSC制品性能的调整
为了得到导热性好,摩擦系数低的材料,可加入粗粒径的石墨,并使素坯的碳含量略高于理论值(0.96g/cm3),使材料中保留部分fc。为了获得抗氧化性和机械性能好的RBSC制品,可使素坯的碳含量为理论值的87~96%。一般碳粉的粒径越小,素坯的碳含量低于理论值越多。
素坯的碳骨架结构—单位体积的碳含量、碳的粒径及粒径分布和孔径分布,可以用添加烧蚀剂和填充剂的方法调整,前者如木粉、塑料粉、核桃壳粉、淀粉、石英粉及白碳黑粉;后者可采用一定粒度金属硅粉。
本发明制备的RBSC产品的性能,超过了国内外硅化石墨产品,达到或超过了传统的RBSC材料的性能水平的性能。
表1列出了本发明制备的RBSC与国内外相应产品的主要性能
                   表1 本发明制备的RBSC与国内外产品性能的比较项目                 本发明制备的RBSC  国外硅化石墨  国内硅化石墨  国内RBSC窑具密度g/cm3                 3.00~3.13       2.95~3.10      1.85        >2.97抗折强度MPa室温            400~450         200~250        150         250气孔率%                   ≤0.5            0.5             -           ≤0.5热膨胀系数×10-6-1     4.0              3.9~4.1        4.0~4.2    4.0热传导系数Wk-1m-1        50               30~70          30~70      50弹性模量GPa                280~320                                     300
本发明的特点在于:
(1)全部以碳质原料取代SiC为主要原料,碳粉为辅料的制备RBSC的传统工艺,使SiC的合成和SiC材料的烧结合二为一,大幅度地降低了制造成本。
(2)以水作为分散剂,采用注浆、挤塑等湿法成型工艺,取代硅化石墨技术采用的沥青或酚醛树脂为粘结剂的捏练分散,干压及挤塑成型技术,碳质泥浆中加入少量添加剂,在静电位阻和空间位阻的双重作用下,获得了无团聚和聚集的高稳定泥浆。
(3)采用调整碳粉和烧蚀剂、填充剂的粒径和粒径分布,改变各自掺入量的方法,对碳质生(素)坯的气孔率和孔径分布进行精细控制。
(4)采用水溶性的成型剂,可以省去耗能费时的高温排胶过程,使生坯的焙烧和RBSC陶瓷的烧结可以在一个高温过程中完成,降低了材料的烧结成本。
(5)碳的硬度低,化学稳定性高,加工能耗低,易于得到高纯超细的原料。
(6)全部SiC皆为次生的SiC,控制反应烧结的条件,可以获得细晶粒结构,使RBSC材料具有很高的性能。
实施例1:
(1)碳粉泥浆的制备
a)碳粉泥浆的湿法制备
采用炼油厂的副产品——石油焦为原料,在流动N2气保护下焙烧至1200℃保温3小时。将焙烧焦粗碎至粒径为1~2mm,按料∶球∶水=1∶2∶0.5的比例球磨4~8小时,料浆稀释后,用水力旋流器将粒径d90=45μm的颗粒分出;将泥浆用压滤或离心的方法脱除部分水,加入0.5%的木质素磺酸钙,1.0%的阿拉伯树胶,0.3%的聚乙烯醇以及0.1‰的磷酸三丁酯,调整PH值为8.5,搅拌混合均匀备用。
(b)干法制粉后再制备水分散泥浆
将上述粗碳粉用流化床气流磨加工至相同的粒径,然后加入同样的分散剂、粘结剂、消泡剂等,加入水后经高速搅拌混合2~4小时,得到水基泥浆备用。
(2)生坯成型
按照陶瓷注浆成型的工艺,用石膏模成型为所需要形状的生坯,将生坯在干燥避风处自然干燥48小时后,在110℃温度下烘干至水分小于1%。
(3)素坯单位体积碳含量的控制
将干坯在流动N2气的保护下,以1~2℃/min的速率升温至800℃,保温3小时得到素坯。测定素坯的密度,计算素坯的碳含量。素坯单位体积的碳含量等于或略小0.96g/cm3为合格。密度不符合要求时,则以改变石膏模的吸水率、改变泥浆中水的用量、泥浆中添加剂的浓度以及金属硅的含量来加以调整,直至素坯单位体积的碳含量符合要求。
(4)反应烧结
将干燥后的生坯(为节省高温真空烧结炉的占用时间,可将生坯先行焙烧成为素坯)置于表面涂以BN保护层的石墨板中上,添加素坯2.5倍重量的硅粒将样品掩埋。以3~5℃/min的速率升温至1800~2050℃,保温2小时。整个烧结过程炉内通入流动Ar气,以防止试样、石墨板和炉体氧化。试样烧结后随炉冷却至300℃以下出炉。
反应烧结也可以在真空中进行,烧结温度为1650℃,保温2小时。真空度一般在1~8×10-1Pa。实施例2:
(1)碳质可塑泥料的湿法制备
将上述原料中加入碳粉重量38%粒径为30μm核桃壳粉,加入塑化剂和粘合剂——羧甲基纤维素3~5%(或桐油4%,糊精5%)和木质素磺酸钙0.5%,含水量一般≤30%,在搅拌机中混合1小时。
(2)生坯成型
将上述泥料经真空练泥机练制两遍,再在挤塑成型机上挤制成为管、棒生坯,按实施例一同样的工艺干燥和素烧(或不经素烧)。
(3)单位体积碳含量的控制
素坯单位体积碳含量不符合要求时,用改变核桃壳粉的添加量来加以调节,烧蚀剂的粒径和加入量根据碳粉的粒度、表面性质以及素坯的密度而定。一般素坯的碳含量为0.82~0.92g/cm3
(5)反应烧结
反应烧结的方法同实施例1实施例3:
(1)碳粉泥浆的制备
用石墨粉作为碳质原料,配料后按实施例1的方法制备碳粉泥浆。
(2)生坯成型
在上述泥浆中加入5.2%的丙烯酰胺,0.4%的N′-N-亚甲基双丙烯酰胺,0.3%的过硫酸铵。将泥浆注入预先准备好的模型内,置入烘箱内加热到60~70℃,有机单体凝聚成水凝胶后,开模取出生坯。生坯的干燥与焙烧同实施例1。
(3)单位体积碳含量的控制
单位体积碳含量的检测同实施例1。一般情况下素坯碳含量不需要调整,必要时用d90=7μm的金属硅粉3~5%加以调整。
(4)反应烧结
反应烧结的方法同实施例1。

Claims (5)

1.一种用纯碳粉水基分散一步烧结法制造反应烧结碳化硅(RBSC)陶瓷材料的方法,其特征在于:以工业碳素材料、石墨纯碳粉为原料,经1000~1200隔氧焙烧,保1~4小时,将焙烧焦粗碎至1~2mm,加水分散剂、粘结剂、塑化剂、消泡剂经球磨,稀释后,水力旋流器分级,得d90=45μm,d10=5μm的碳粉泥浆;将该泥浆采用湿法成型法制成生坯;将生坯自然阴干和110℃烘干后,置于感应炉中的石墨坩埚内,按碳∶硅=1∶2.5比例加入粒径为5~15mm的硅粉,将生坯掩埋,在真空下以150~200℃/h的速度升温至1550~1650℃,保温1-2h止火或1800~2050℃氩气保护常压下气相渗硅,而制得反应烧结碳化硅陶瓷材料。
2.如权利要求所述的纯碳粉水基分散一步烧结法制备反应烧结碳化硅(RBSC)陶瓷材料的方法,其特征在于所述的生(素)坯的碳骨架结构——单位体积碳的含量、碳的粒径及粒径分布和生(素)坯的孔径分布,用控制碳粉、烧蚀剂、填充剂的掺入量及其粒径和粒径分布的方法加以调整。
3.如权利要求2所述的纯碳粉水基分散一步烧结法制备反应烧结碳化硅(RBSC)陶瓷材料的方法,其特征在于所述的烧蚀剂可采用有机物如木粉、核桃壳粉、塑料粉和无机物如石英粉、白碳黑粉。
4.如权利要求1所述的高性能RBSC的制造方法,其特征在于所述的填充剂采用d90=7μm的金属硅粉加以调整。
5.如权利要求1所述的高性能RBSC的制造方法,其特征在于:将粒径1-2mm的粗碳粉用流化床气流磨加工至d90=45μm,d10=5μm,然后加入水、分散剂、粘结剂、塑化剂、消泡剂,经高述搅拌制得碳粉泥浆。
CN 00114425 2000-03-15 2000-03-15 纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法 Pending CN1264687A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 00114425 CN1264687A (zh) 2000-03-15 2000-03-15 纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 00114425 CN1264687A (zh) 2000-03-15 2000-03-15 纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1264687A true CN1264687A (zh) 2000-08-30

Family

ID=4584109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 00114425 Pending CN1264687A (zh) 2000-03-15 2000-03-15 纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1264687A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100402423C (zh) * 2006-09-07 2008-07-16 郑州华硕精密陶瓷有限公司 常压烧结碳化硅制品的快速烧结法
CN101195538B (zh) * 2007-12-13 2010-04-14 武汉钢铁(集团)公司 碳化硅陶瓷耐磨结构件及其制造方法
CN107903068A (zh) * 2017-10-27 2018-04-13 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 减小大尺寸反应烧结碳化硅内应力的工艺
CN108752002A (zh) * 2018-07-27 2018-11-06 中国人民解放军国防科技大学 SiC陶瓷基热弯模具及其制备方法
CN108821776A (zh) * 2018-06-27 2018-11-16 浙江东新新材料科技有限公司 纯碳坯体的碳化硅密封件的制备方法
CN112174675A (zh) * 2020-10-21 2021-01-05 上海德宝密封件有限公司 一种反应烧结碳化硅的制备方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100402423C (zh) * 2006-09-07 2008-07-16 郑州华硕精密陶瓷有限公司 常压烧结碳化硅制品的快速烧结法
CN101195538B (zh) * 2007-12-13 2010-04-14 武汉钢铁(集团)公司 碳化硅陶瓷耐磨结构件及其制造方法
CN107903068A (zh) * 2017-10-27 2018-04-13 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 减小大尺寸反应烧结碳化硅内应力的工艺
CN107903068B (zh) * 2017-10-27 2018-12-14 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 减小大尺寸反应烧结碳化硅内应力的工艺
CN108821776A (zh) * 2018-06-27 2018-11-16 浙江东新新材料科技有限公司 纯碳坯体的碳化硅密封件的制备方法
CN108752002A (zh) * 2018-07-27 2018-11-06 中国人民解放军国防科技大学 SiC陶瓷基热弯模具及其制备方法
CN112174675A (zh) * 2020-10-21 2021-01-05 上海德宝密封件有限公司 一种反应烧结碳化硅的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101323524B (zh) 一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法
US20140131928A1 (en) Reactive liquid ceramic binder resin
CN106938922B (zh) 硅刚玉耐磨砖
JPS6363514B2 (zh)
CN106145976B (zh) 水泥窑用红柱石-莫来石-碳化硅砖及其制备方法
CN106938923B (zh) 硅刚玉耐磨复合砖
CN114988879B (zh) 一种大型复相反应烧结碳化硅制品及制备方法
CN111233441A (zh) 一种应用于高温竖窑的镁铝铬质不烧砖及其制备方法
NO20172052A1 (en) Sinterable powder for making a dense slip casted pressureless sintered sic based ceramic product
CN115894041A (zh) 一种粉末挤出3d打印成型反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法
CN1264687A (zh) 纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法
US4661740A (en) Polycrystalline sintered bodies based on lanthanum hexaboride, and a process for their manufacture
US5525555A (en) High density titanium carbide ceramics
US5527748A (en) High density zirconium diboride ceramics prepared with preceramic polymer binders
CN105859297A (zh) 一种碳化硅复合耐火材料及其制备方法
KR101343806B1 (ko) 경량도자기용 소지 조성물 및 이를 이용한 경량도자기의 제조방법
CN113979761B (zh) 一种三元复合自修复免烧滑板砖及其制备方法
JPH0228539B2 (zh)
CN1587189A (zh) 低温烧结高强度刚玉耐火材料制备方法
JP2000016872A (ja) 多孔質炭化珪素焼結体及びその製造方法
CN1252397A (zh) 碳化硅质烧结材料的制备方法
CN106673669A (zh) 一种镁铝尖晶石‑氮化硅基蜂窝陶瓷吸热体及其制备方法
JPH09268085A (ja) 炭化珪素質多孔体の製造方法
CN1226536A (zh) 高强度莫来石陶瓷的制备方法
JPS638069B2 (zh)

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication