CN1258135A - 信号接收装置 - Google Patents

Abstract

本发明是在天线部11中使用呈诸如线状或带状等形状的磁阻效应元件11b,对所接收到的电波信号中的磁成份实施检测的。磁阻效应元件11b的长度可以为0.1～10毫米,所以可以显著减小天线部11的尺寸。

Description

信号接收装置

本发明涉及一种具有天线部、调谐回路、检波回路的信号接收装置，特别涉及一种通过在所述天线部处使用磁阻效应元件的方式，而使天线部小型化、进而使整个信号接收装置小型化的信号接收装置。

图7为表示现有的信号接收装置用的方框图。

如图7所示的信号接收装置是通过天线部1将电波信号转换为电气信号的。对于将其作为中波用信号接收装置使用的场合，天线部1是由在诸如铁氧体等的、具有高导磁率的磁性芯体上缠绕的线圈等构成的。通过由缠绕在铁氧体芯体上的线圈构成的天线，便可以检测出电波信号中的磁场成份。

所述的缠绕线圈由一次侧线圈1a和二次侧线圈1b构成，而且在两个线圈间形成感应结合。所述的一次侧线圈1a与调谐用可变电容器2a并联连接，以构成为调谐回路2。可以使用这种调谐回路2对所接收到的信号实施频率选择。实施频率选择后的所接收到的信号由二次侧线圈1b处输出，并由高频放大回路3实施放大。由高频放大回路输出的信号是由载波和处于可收听频率段的信号构成的混合信号，设置在后侧处的检波回路4将载波从该混合信号中除去，以对处于可收听频率段的信号实施检波。随后根据需要，还可以利用低频放大回路5对检波后的、处于可收听频率段的信号实施放大，进而由扬声器6输出相应的声音或音乐。

然而，现有的使用在天线部1处的、具有铁氧体芯体的缠绕线圈具有难以小型化的缺点。一般说来，如果采用具有高导磁率的磁心为芯体，则当沿磁心的长度方向实施励磁时，在磁心内会形成反磁场，因此如果磁心小于10毫米，将会使其磁场检测敏感度急剧恶化。因此，现有铁氧体芯体天线的长度通常在大约50毫米以上。而且铁氧体材料为脆性材质，所以在制造安装等方面也存在有困难。

由检波回路4、放大回路3、5等构成的回路可以通过集成电路化而容易地实现小型化。然而由于如前所述的原因，天线部1需要具有一定的长度以上，所以使得整个装置难以小型化。

本发明就是解决上述问题用的发明，本发明的目的就是提供一种可以通过使天线部小型化的方式而使整个装置小型化、集成化的信号接收装置。

本发明所提供的一种信号接收装置可以是一种具有天线部、调谐回路、检波回路的信号接收装置，所述的天线部具有磁阻效应元件，向所述磁阻效应元件施加交流驱动信号用的驱动回路，对由所接收到的电波信号和由所述驱动回路输出的交流驱动信号构成的混合信号实施整流用的整流回路，以及从所述混合信号中分离获取所接收到的电波信号用的频率甄别器。

磁阻效应是一种如下所述的效应。当在呈诸如线状或带状等形状的磁性体上施加有位于兆赫兹带域的交流电流时，在磁性体的两端部处将由于材料所固有的阻抗而产生有输出电压。如果在这种状态下，沿磁性体的长度方向施加外部磁场，即使该外部磁场仅仅为数高斯的微弱磁场，磁性体输出电压的振幅也会由于其阻抗变化，而在数十个百分点的范围内相对于外部磁场的强度变化。

具有这种磁阻效应的元件是在沿元件的外侧周部方向实施励磁，因此不会产生反磁场，当磁化矢量沿元件的长度方向、即交流电流的流经方向产生有微小转动时，会使导磁率产生急剧变化。因此，它沿长度方向的反磁场非常小，即使元件长度仅为1毫米左右，对磁场检测的敏感度也基本上不会恶化。

而且，如果在所述磁阻效应元件的两端部处形成有与所述驱动回路相连接用的电极，并且使该磁阻效应元件在沿交流驱动信号流动方向呈难以被磁化的轴形，则可以沿该方向上进一步提高其导磁率，从而还可以进一步提高相对于所施加的外部磁场的检测敏感度。

而且，如果在所述磁阻效应元件处还沿所述交流驱动信号流动方向施加有偏置磁场，还可以相应于放送电波的磁成份变化，使位于磁阻效应元件两端部处的输出电压的变化进一步增大。

而且，所述的磁阻效应元件可以形成为带状形状，也可以形成为线状形状。

而且，所述交流驱动信号的频率最好比所接收到的电波信号的载波频率高。

如果交流驱动信号的频率不是高频频率，所述磁阻效应元件将难以显现出磁阻效应特性。所述交流驱动信号的频率最低也要为数百千赫兹，如果交流驱动信号的频率与所接收到的电波信号的载波频率相接近，将难以在后续阶段中从混合信号中除去该交流驱动信号。中波的放送频率位于500千赫兹以上的频带中，所以如果交流驱动信号的频率低于该频带，交流驱动信号与所接收到的电波信号之间的频率差充其量也只有数百千赫兹，因而难以通过高通滤波器除去交流驱动信号。在另一方面，如果使交流驱动信号的频率比所接收到的电波信号的频率高，则可以提高除去交流驱动信号用的低通滤波器的允许极限。从实用的角度看，交流驱动信号的频率最好为所接收到的电波信号频率的数十倍。

可用于制作根据本发明构造的磁阻效应元件的磁性体，为具有软磁性特性的强磁性体。而且，在数十兆赫兹～数百兆赫兹的高频区域中，其导磁率μ必须相当高。由于在高频范围内的导磁率μ相当高，所以电阻率ρ必然也相当大。而且，为了使加在磁阻效应元件上的外界产生的应力不至于使磁气特性恶化，最好使磁致伸缩常数λ比较小。如果举例来说，可以制作这种磁性体的材料可以为：

①由结构组成式(Fe_1-aCo_a)_100-x-y(Si_1-bB_b)_xM_y表示的非晶体型软磁性合金构成的材料，其中元素M为包含有Cr、Ru中的一种或两种的元素，表示结构组成比用的a、b分别为0.05≤a≤0.1，0.2≤b≤0.8，x、y按重量％分别为10≤x≤35，0≤y≤7。

如前所述，如果参数a不在0.05≤a≤0.1的范围之内，则磁致伸缩比较大，而使材料性能不好。如果参数b不在0.2≤b≤0.8的范围之内，则难以实现非结晶化，而使材料性能不好。如果参数x不在10≤x≤35的范围之内，则难以实现非结晶化，而使材料性能不好。而且如果参数x＞35，还将使磁气特性恶化，也会使材料性能不好。

②由结构组成式Co_lTa_mHf_n表示的、以非晶构造为主体的非晶体型软磁性合金构成的材料，其中l、m、n按重量％分别为70≤l≤90，5≤m≤21，6.6≤n≤15，1≤m/n≤2.5。

所述的Co_lTa_mHf_n类软磁性合金的饱和磁密度Bs与元素Co的含有量相关，为了能获得比较高的饱和磁密度Bs，就要使70≤l。然而当参数l≥90时，电阻率ρ将变小，从而使材料性能不好。

元素Ta和元素Hf是获得软磁性特性用的元素，通过使5≤m≤21、6.6≤n≤15的方式，可以获得饱和磁密度Bs比较大且电阻率ρ也比较大的软磁性材料。元素Hf为消除产生在Co-Ta类材料中的负磁致伸缩常数λ用的元素。磁致伸缩常数λ与元素Ta的含有量和元素Hf的含有量之比相关，当其位于1≤m/n≤2.5的范围之内时，可以良好地削减磁致伸缩常数λ。

③由结构组成式Fe_hM_iO_j表示的、以非晶构造为主体的微晶体型软磁性合金构成的材料，其中元素M为由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W和稀土类元素中选择出的一种或两种以上的元素，h、i、j按重量％分别为45≤h≤70，5≤i≤30，10≤j≤40，且h+i+j＝100。

元素Fe为获得比较大的饱和磁密度Bs用的元素，元素M为在非晶构造相中形成氧化物以增大电阻率ρ所使用的元素。

当参数h、i、j位于上述范围之内时，可以获得饱和磁密度Bs、电阻率ρ和导磁率μ均比较大的软磁性合金，当参数h、i、j位于上述范围之外时，软磁性特性将恶化。

而且在上述结构组成式中，如果元素M为由稀土类元素中选择出的一种或两种以上的元素，则参数h、j按重量％最好为50≤h≤70、10≤j≤30。

④为由结构组成式(Co_1-cT_c)_xM_yX_zO_w表示的微晶体型软磁性合金构成的材料，其中元素T为包含有Fe、Ni中的一种或两种的元素，元素M为由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、Si、P、C、W、B、Al、Ga、Ge和稀土类元素中选择出的一种或两种以上的元素，元素X为由Au、Ag、Cu、Ru、Rh、Os、Ir、Pt、Pd中选择出的一种或两种以上的元素，表示结构组成式用的c为0≤c≤0.7，参数x、y、z、w按原子％分别为3≤y≤30，0≤z≤20，7≤w≤40，20≤y+z+w≤60，其余为x。

如果软磁性合金为在包含有比较多的元素M的氧化物的非晶质材料相中，混入有以元素Co和元素T为主体的微结晶相，进而使微结晶相中包含有元素M的氧化物时为最好。

⑤为由结构组成式Co_aZr_bNb_c表示的、以非晶构造为主体的非晶体型软磁性合金构成的材料，其中参数a、b、c按重量％分别为78≤a≤91，0.5≤b/c≤0.8。

饱和磁密度Bs与元素Co的浓度相关，为了使饱和磁密度Bs比较大，就必须要使78≤a≤91。如果参数a＞91，则耐腐蚀性下降且难于形成非晶构造，而开始结晶化，从而使材料性能不好。当参数a＜78时，元素Co彼此间的邻接比例减少，由于磁结合被阻断，所以难于表现出软磁性特性，而使材料性能不好。而且导磁率μ也与元素Co的浓度相关，它为78≤a≤91范围中的比较高的值。

⑥为由结构组成式T_100-d-e-f-gX_dM_eZ_fQ_g表示的、以bcc-Fe、bcc-FeCo、bcc-Co中的一种或两种以上结晶颗粒为主体的微晶体型软磁性合金构成的材料，其中元素T为包含有Fe、Co中的一种或两种的元素，元素X为包含有Si、Al中的一种或两种的元素，元素M为由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W中选择出的一种或两种以上的元素，元素Z为由C、N中选择出的一种或两种以上的元素，元素Q为由Cr、Re、Ru、Rh、Ni、Pd、Pt、Au中选择出的一种或两种以上的元素，参数d、e、f、g按重量％分别为0≤d≤25，1≤e≤10，0.5≤f≤15，0≤g≤10。

如果各参数d、e、f、g位于上述范围之内，便可以获得导磁率μ比较大、顽磁力Hc比较小且磁致伸缩常数λ也比较小的软磁性合金。

⑦为由结构组成式T_{100-p-q-e-f-g}Si_pAl_qM_eZ_fQ_g表示的、以bcc-Fe、bcc-FeCo、bcc-Co中的一种或两种以上结晶颗粒为主体的微晶体型软磁性合金构成的材料，其中元素T为包含有Fe、Co中的一种或两种的元素，元素M为由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W中选择出的一种或两种以上的元素，元素Z为由C、N中选择出的一种或两种以上的元素，元素Q为由Cr、Re、Ru、Rh、Ni、Pd、Pt、Au中选择出的一种或两种以上的元素，参数p、q、e、f、g按重量％分别为8≤p≤15，0≤q≤10，1≤e≤10，0.5≤f≤15，0≤g≤10。

如果各参数p、q、e、f、g位于上述范围内，便可获得导磁率μ比较大、顽磁力Hc比较小且磁致伸缩常数λ也比较小的软磁性合金。

下面对应用在本发明实施例中的磁阻效应进行说明。

当对形成为诸如线状或带状等形状的软磁性材料施加微小高频电流时，在软磁性材料的两端部处会由于阻抗而产生出输出电压。磁阻效应指的就是在软磁性材料上施加有微小高频电流的条件下，如果施加有外部磁场，则软磁性材料的阻抗将敏感地随之产生变化，进而使位于软磁性材料两端部处的输出电压产生变化的效应。

众所周知，被施加有外部磁场的软磁性材料的阻抗变化，是一种在有交流电流流经该磁性材料时，交流电流会呈靠近其表面流动的“趋肤效应”，从而在外部磁场的作用下产生的变化。

如果具体地讲就是，磁阻效应是这样一种效应，即在如图6所示的闭合回路中，在向呈诸如薄膜状、线状或带状的磁性体Mi施加有由电源Eac给出的、位于兆赫兹频带内的交流电流Iac的状态下，如果沿磁性体Mi的长度方向施加外部磁场Hex，则在磁性体Mi的两端部处将由于材料所固有的阻抗而产生有输出电压Emi，而且该输出电压Emi的振幅相对于外部磁场Hex的强度，将在数十个百分点的范围内产生变化、即产生有阻抗变化的现象。

具有这种磁阻效应的元件是在沿元件的外侧周部方向实施励磁，因此将不会产生反磁场，磁化矢量沿元件的长度方向、即交流电流的Iac流经方向产生有微小转动时，会使导磁率产生急剧变化，所以其沿长度方向的反磁场非常小，即使元件长度仅为1毫米左右，对磁场检测的敏感度也基本上不会恶化。

而且，这种磁阻效应元件具有可以制作其分解率高达10^-5Oe左右的微弱磁场传感器的特性，具有为了实施数兆赫兹以上的励磁，将数百兆赫兹的高频励磁作为振幅调制载波自由使用，在作为磁场传感器使用时可以容易地将阻断频率设置在10兆赫兹以上的特性，并且具有可以使消耗电力小于10毫瓦的特性。

具有这种磁阻效应特性的软磁性材料可以采用Fe-Co-Si-B类材料，比如说诸如(Fe₆Co₉₄)_72.5Si_12.5B₁₅的非晶体型金属丝(毛利佳年雄等人，“磁阻(MI)元件”，电气学会磁研究会资料，Vol.1，MAG-94，No.75-84，p27-36，1994年发行)材料等。

这种Fe-Co-Si-B类材料的磁阻效应特性如图4所示，即相对于所施加的正负外部磁场Hex(Oe)，输出电压Emi(毫伏)，大体呈以外部磁场Hex＝0(Oe)的位置为中心左右对称的形状。对如图4所示的磁阻效应特性的测定，是在对呈线状的磁阻效应元件施加频率为3兆赫兹的交流驱动信号，并且使外部磁场强度在-5(Oe)～5(Oe)的范围内变化的条件下实施的。

现有的磁阻效应元件可以使用在诸如检测地磁用的方位传感器、作为检测诸如硬盘和软盘等驱动装置的主轴电动机用的旋转角传感器的旋转编码器等中。

根据本发明构造的磁阻效应元件还可以使用在信号接收装置的天线部中。

下面参考附图说明本发明的最佳实施例。

图1为表示本发明的信号接收装置的一个实施例用的示意性方框图。

图2为表示作为本发明中的驱动回路的一个实例用的回路图。

图3为表示如图1所示的信号接收装置中的磁阻效应元件的输出电压随所接收到的电波信号变化的曲线图。

图4为表示Fe-Co-Si-B类磁阻效应元件的磁阻效应特性用的曲线图。

图5为表示向磁阻效应元件施加偏置磁场用的一种方法的示意性说明图。

图6为表示向磁阻效应元件施加交流驱动信号、并施加外部磁场用的一种方法的示意性说明图。

图7为表示现有的信号接收装置用的方框图。

天线部11具有捕捉电波信号用的磁阻效应元件11b，向该磁阻效应元件11b施加交流驱动信号用的驱动回路11a，对由交流驱动信号和所接收到的电波信号混合而成的混合信号实施整流用的整流回路11c，以及除去交流驱动信号用的频率甄别器11d。

磁阻效应元件11b的形状可以呈诸如线状、带状等形状。呈线状、带状形状的磁阻效应元件可以通过诸如单轧法、铸造法、流体冷却法等方法制造。而且还可以采用通过诸如溅射法、蒸镀法等方法制造的、呈薄膜状的材料制造这种磁阻效应元件11b。

在磁阻效应元件11b的两端部处形成有与驱动回路11a相连接的电极，而且这种磁阻效应元件11b在沿交流驱动信号流动方向形成难以被磁化的轴形部件。因此，沿交流驱动信号流动方向的导磁率将上升，而且相对于所接收到的电波信号的检测敏感度也将上升。

作为磁阻效应元件11b在交流驱动信号的流动方向呈难以被磁化的轴形部件的方法，可以是将磁阻效应元件11b放置在磁场中并通过浸轧法等制作出薄膜的方法，也可以是在无磁场(或小磁场)的状态下通过单轧法、铸造法、流体冷却法、溅射法或蒸镀法等方法实施制造之后，再在高温环境中放置在磁场中并在磁场中实施退火的方法等。

磁阻效应元件11b的长度尺寸可以为0.1～10毫米，厚度尺寸可以为1～50微米。由于磁阻效应元件的长度和厚度尺寸不同，该磁阻效应元件的磁阻效应特性也不同，所以可根据信号接收装置所需的敏感度，及信号接收装置的用途，选择使用适当大小的磁阻效应元件。

如果举例来说，磁阻效应元件11b的结构构成可以为(Co_0.94Fe_0.06)_72.5Si_12.5B₁₅。除了这种结构构成之外，还可以采用诸如Fe-Co-Si-B类软磁性材料、以及诸如Co-T-M-X-O类(其中元素T为包含有Fe、Ni中的一种或两种的元素，元素M为由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、Si、P、C、W、B、Al、Ga、Ge和稀土类元素中选择出的一种或两种以上的元素，元素X为由Au、Ag、Cu、Ru、Rh、Os、Ir、Pt、Pd中选择出的一种或两种以上的元素)、Co-Ta-Hf类、Fe-M-O类(其中元素M为由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W和稀土类元素中选择出的一种或两种以上的元素)、Co-Zr-Nb类、T-Si-Al-M-Z-Q类(其中元素T为包含有Fe、Co中的一种或两种的元素，元素M为由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W中选择出的一种或两种以上的元素，元素Z为由C、N中选择出的一种或两种以上的元素，元素Q为由Cr、Re、Ru、Rh、Ni、Pd、Pt、Au中选择出的一种或两种以上的元素)等的软磁性材料，来制作磁阻效应元件11b。

如果举例来说，驱动回路11a施加至磁阻效应元件11b的交流驱动信号的电流和电压可以为10毫安、2伏。而且当驱动回路11a为按自振荡方式运行的回路时，磁阻效应元件11b还可以与驱动回路11a形成为一体，因此还可以防止由于回路漂移阻抗等产生的敏感度不稳定的现象发生。

按自振荡方式运行的驱动回路的一个实例，为如图2所示的稳定电容回授型振荡回路。

AM信号播放是根据声音和音乐等的、处于可收听频率段的信号，对位于诸如500千赫兹～2000千赫兹等频率带域内的传送载波实施振幅调制后实施发送的。本发明的信号接收装置可检测出所接收到的电波信号中的磁成份的变化，并将其转换为电气信号。

由驱动回路11a给出的交流驱动信号施加在诸如呈线状或带状等形状的磁阻效应元件11b上，从而在磁阻效应元件11b的两端部处由于阻抗而产生出输出电压。可以将交流驱动信号的频率设定为AM信号载波频率的10倍至20倍以上。在本实施例中，它为20兆赫兹。当AM信号的电波信号到达信号接收装置时，位于磁阻效应元件11b上的两端处输出电压的振幅，将相应于电波信号中磁成份的振幅变化而变化。

图3示出了位于磁阻效应元件11b上两端处的输出电压，随所接收到的电波信号的变化而变化的曲线形状。AM信号载波32由处于可收听频率段的信号31实施振幅调制。由于位于磁阻效应元件11b上两端处的输出电压的振幅将随着载波32的振幅变化而变化，所以由磁阻效应元件11b两端处输出的信号，为由所接收到的、具有载波32的电波信号和交流驱动信号33构成的混合信号。

图4示出了Fe-Co-Si-B类材料的磁阻效应特性，正如图4所示，相对于所施加的正负外部磁场，其输出电压大体呈以外部磁场Hex＝0为中心左右对称的形状。因此，不论载波32为正，还是为负，输出电压的振幅是相等的。载波32在解调制阶段需要进行整流，在整流时会除去载波32中为负的部分，而仅对为正的部分实施变换，但是这种磁阻效应元件11b是在不对载波32的正负实施区别的状态下实施变换的，因而可以正确地对处于可收听频率段的信号实施解调。

而且，当采用Fe-Co-Si-B类材料制作磁阻效应元件11b时，如果施加有0.5～1(Oe)的偏置磁场，则如图4所示的磁阻效应特征曲线将沿横向方向(磁场的轴向方向)漂移，而且磁场在0(Oe)附近时的输出电压变化为最大。采用这种施加偏置电压的方式，可以使位于磁阻效应元件11b上两端部处的输出电压，相对于放送电波中的磁成份的变化更为敏感。

如果举例来说，向磁阻效应元件处施加偏置磁场的方法可以如图5所示，即在磁阻效应元件11b的周围缠绕上具有适当圈数的线圈C，并通过使直流电流流经该线圈C的方式产生偏置磁场。

由磁阻效应元件11b上两端部处输出的、所接收到的具有载波32的电波信号和交流驱动信号33构成的混合信号，被输入至整流回路11c。在本实施例中，是利用由二极管11e、11e、11e、11e构成的桥式回路作为整流回路的，所以可以将混合信号中为负的部分变换为正的部分。整流回路11c并不仅限于这种采用二极管的桥式回路，还可以采用具有整流作用的各种回路作为这一回路。如果举例来说，也可以仅在磁阻效应元件11b和频率甄别器11d之间连接一个二极管。

由所接收到的具有载波32的电波信号和交流驱动信号33产生的混合信号，在实施整流后输入至频率甄别器11d，以除去交流驱动信号33。

对于交流驱动信号的频率设定的比所接收到的电波信号的频率高时，可以采用低通滤波器来构成频率甄别器11d，而对于交流驱动信号的频率设定的比所接收到的电波信号的频率低时，可以采用高通滤波器来构成频率甄别器11d。

在此，交流驱动信号的频率最好设定的比所接收到的电波信号的频率高。

如果交流驱动信号不处于高频频带，则磁阻效应元件11b将难以显现出磁阻效应。交流驱动信号的频率最低也要为数百千赫兹，如果交流驱动信号的频率与所接收到的电波信号的载波频率相接近，将难以由频率甄别器11d从所接收到的电波信号和交流驱动信号产生的混合信号中除去交流驱动信号。

中波的放送频率位于500千赫兹以上的频带中，当交流驱动信号的频率低于该频带时，交流驱动信号与所接收到的电波信号之间的频率差充其量也只有数百千赫兹，因而难以通过高通滤波器除去交流驱动信号。在另一方面，如果使交流驱动信号的频率比所接收到的电波信号的频率高，则可以提高除去交流驱动信号用的低通滤波器的允许极限。从实用的角度看，交流驱动信号的频率最好为所接收到的电波信号频率的数十倍。

在本实施例中，频率甄别器11d是利用由电容器11f和电阻器11g构成的低通滤波器构成的。电容器11h用于除去混入至由所接收到的电波信号和交流驱动信号产生的混合信号中的直流成份。

频率甄别器并不仅限于采用如本实施例中所使用的回路，也可以采用能够除去交流驱动信号的其它各种回路。如果举例来说，还可以不采用高通滤波器和低通滤波器，而是选择仅使所接收到的电波信号载波可以通过、而交流驱动信号不可以通过的带频阻塞滤波器。而且，也可以不采用由电容器和电阻器构成的滤波器，而仅仅设置偏置组件。如果仅仅设置偏置组件，也可以除去交流驱动信号并可以提高敏感度。

在由所接收到的具有载波32的电波信号和交流驱动信号33构成的混合信号中除去交流驱动信号33之后，由高频放大回路12对所获得的电波信号实施放大。

然而，天线部11并不具有对所接收到的电波信号载波频率实施选择的功能。换句话说就是，高频放大回路12的输入信号和输出信号，均为包含有所接收到的全部频率的电波信号的混合体。设置在其后位置处的调谐回路13可以由高频放大回路12的输出信号中，选择出所需要频率的信号，检波回路14可以由处于可收听频率段的信号和载波构成的混合信号中，获取出处于可收听频率段的信号。

调谐回路13和检波回路14可以采用常规AM信号放送的信号接收机中所使用的回路构成。换句话说就是，可以用由线圈和电容器构成的共振回路和带通滤波器等实施调制，并且可以用低通滤波器等除去载波而获取处于可收听频率段的信号。

根据需要还可以利用低频放大回路15对所获取到的、处于可收听频率段的信号实施放大，进而由扬声器16输出声音和音乐。

在如上所详细说明的本发明的信号接收装置中，是使用磁阻效应元件取代现有的、缠绕在铁氧体芯体上的线圈而构成天线部的，所以可以使其大幅度地小型化。

而且，磁阻效应元件为沿交流驱动信号的流动方向难以被磁化的轴型部件，通过沿交流驱动信号的流动方向施加偏置磁场的方法，还可以提高信号接收装置的信号接收敏感度。

Claims (12)

1.一种具有天线部、调谐回路、检波回路的信号接收装置，其特征在于所述的天线部具有磁阻效应元件，向所述磁阻效应元件施加交流驱动信号用的驱动回路，对由所接收到的电波信号和由所述驱动回路输出的交流驱动信号构成的混合信号实施整流用的整流回路，以及由所述混合信号中分离获取出所接收到的电波信号用的频率甄别器。

2.一种如权利要求1所述的信号接收装置，其特征在于在所述磁阻效应元件的两端部处形成有与所述驱动回路相连接用的电极，而且该磁阻效应元件为沿交流驱动信号的流动方向难以被磁化的轴形部件。

3.一种如权利要求1或2所述的信号接收装置，其特征在于在所述磁阻效应元件处还沿所述交流驱动信号流动方向施加有偏置磁场。

4.一种如权利要求1或2所述的信号接收装置，其特征在于所述的磁阻效应元件形成为线状或带状。

5.一种如权利要求1或2所述的信号接收装置，其特征在于所述的交流驱动信号的频率比所接收到的电波信号的载波频率高。

6.一种如权利要求1或2所述的信号接收装置，其特征在于所述的磁阻效应元件为由结构组成式(Fe_1-aCo_a)_100-x-y(Si_1-bB_b)_xM_y表示的非晶体型软磁性合金构成，其中M为包含有Cr、Ru中的一种或两种的元素，表示结构组成比用的a、b分别为0.05≤a≤0.1，0.2≤b≤0.8，x、y按重量％分别为10≤x≤35，0≤y≤7。

7.一种如权利要求1或2所述的信号接收装置，其特征在于所述的磁阻效应元件为由结构组成式Co_lTa_mHf_n表示的、以非晶构造为主体的非晶体型软磁性合金构成，其中l、m、n按重量％分别为70≤l≤90，5≤m≤21，6.6≤n≤15，1≤m/n≤2.5。

8.一种如权利要求1或2所述的信号接收装置，其特征在于所述的磁阻效应元件为由结构组成式Fe_hM_iO_j表示的、以非晶构造为主体的微晶体型软磁性合金构成，其中M为由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W和稀土类元素中选择出的一种或两种以上的元素，h、i、j按重量％分别为45≤h≤70，5≤i≤30，10≤j≤40，且h+i+j＝100。

9.一种如权利要求1或2所述的信号接收装置，其特征在于所述的磁阻效应元件为由结构组成式(Co_1-cT_c)_xM_yX_zO_w表示的微晶体型软磁性合金构成，其中元素T为包含有Fe、Ni中的一种或两种的元素，元素M为由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、Si、P、C、W、B、Al、Ga、Ge和稀土类元素中选择出的一种或两种以上的元素，元素X为由Au、Ag、Cu、Ru、Rh、Os、Ir、Pt、Pd中选择出的一种或两种以上的元素，表示结构组成比用的c为0≤c≤0.7，参数x、y、z、w按原子％分别为3≤y≤30，0≤z≤20，7≤w≤40，20≤y+z+w≤60，其余为x。

10.一种如权利要求1或2所述的信号接收装置，其特征在于所述的磁阻效应元件为由结构组成式Co_aZr_bNb_c表示的、以非晶构造为主体的非晶体型软磁性合金构成，其中参数a、b、c按重量％分别为78≤a≤91，0.5≤b/c≤0.8。

11.一种如权利要求1或2所述的信号接收装置，其特征在于所述的磁阻效应元件为由结构组成式T_100-d-e-f-gX_dM_eZ_fQ_g表示的、以bcc-Fe、bcc-FeCo、bcc-Co中的一种或两种以上结晶颗粒为主体的微晶体型软磁性合金构成，其中元素T为包含有Fe、Co中的一种或两种的元素，元素X为包含有Si、Al中的一种或两种的元素，元素M为由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W中选择出的一种或两种以上的元素，元素Z为由C、N中选择出的一种或两种以上的元素，元素Q为由Cr、Re、Ru、Rh、Ni、Pd、Pt、Au中选择出的一种或两种以上的元素，参数d、e、f、g按重量％分别为0≤d≤25，1≤e≤10，0.5≤f≤15，0≤g≤10。

12.一种如权利要求1或2所述的信号接收装置，其特征在于所述的磁阻效应元件为由结构组成式T_{100-p-q-e-f-g}Si_pAl_qM_eZ_fQ_g表示的、以bcc-Fe、bcc-FeCo、bcc-Co中的一种或两种以上结晶颗粒为主体的微晶体型软磁性合金构成，其中元素T为包含有Fe、Co中的一种或两种的元素，元素M为由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W中选择出的一种或两种以上的元素，元素Z为由C、N中选择出的一种或两种以上的元素，元素Q为由Cr、Re、Ru、Rh、Ni、Pd、Pt、Au中选择出的一种或两种以上的元素，参数p、q、e、f、g按重量％分别为8≤p≤15，0≤q≤10，1≤e≤10，0.5≤f≤15，0≤g≤10。

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