CN1233072A - 检测未完全腐蚀的通孔的方法 - Google Patents

Abstract

一种用于检测晶片叠层中的未完全腐蚀的通孔、间隔或未完全抛光的部分。晶片叠层包括设置在金属层上的绝缘层。绝缘层具有在其中腐蚀的多个通孔。晶片叠层,包括多个通孔,暴露于腐蚀剂中,其中腐蚀剂被构形为以基本上比绝缘层快的速率腐蚀金属层。结果,在适当腐蚀的通孔下面的金属层中形成腔。然后,用光学检测晶片叠层中的通孔,以检测和识别未完全腐蚀的通孔,其反射比在金属层中腐蚀的腔多的光。

Description

检测未完全腐蚀的通孔的方法

本发明涉及半导体集成电路(IC)的制造，特别是，本发明涉及用于检测未完全腐蚀的通孔的方法。

在半导体IC制造中，在一般由硅制成的半导体晶片或衬底上形成器件，例如元件晶体管。在晶片或衬底上可以淀积各种材料的连续层，以形成叠层。超大规模集成(VLSI)芯片通常需要一层以上的金属层以提供足够的互连能力。半导体IC制造工艺一般使用通孔以互连多层金属层。在制造工艺过程中，通孔通常被腐蚀或穿通介质或绝缘层。

但是不利的是，通过介质或绝缘层腐蚀或形成通孔通常会未完全腐蚀通孔。例如，现有技术图1表示具有多个通孔110、112、114、116、118和120的硅晶片叠层100的截面图。晶片叠层100包括晶片102，氧化层104，金属层106，和具有通孔110-120的绝缘层108。如图1中所示，通孔110、114、116和120没有与金属层106直接接触。通孔110、114、116和120统称为“未完全腐蚀”的通孔，这是由于它们没有被完全腐蚀通过绝缘108。由于防碍了可以相继淀积在绝缘层108上的上金属层和下金属层106之间电接触，这些未完全腐蚀的通孔可能导致开路。另一方面，通孔112和118被适当腐蚀，这是因为它们通过绝缘层108被完全腐蚀。由于通孔112和118与金属层106直接接触，所以在上金属层和下金属层106之间不会导致开路。本领域技术人员明白，层104、106和108可以以不同的顺序设置在晶片102上，并且通孔可以形成在层104、106和108的任何一层上。

还应该注意，现有技术图1的硅晶片叠层100只是用于举例的目的，这里没有说明的其它附加层也可以存在于所示层之上、之下和它们之间。这些其它层可以用于提供，例如，附加互连层或用于形成元件的层。另外，不是所有的表示出的层必须存在，其中部分或全部可以用其它不同层来代替。

在过去，由于晶片中的通孔的尺寸和数量使检测未完全腐蚀的通孔遇到很多问题，其中利用亚微米技术的一个芯片中的通孔的数量可达到上百万个。已经提出了几种常规方法用于检测晶片叠层中的未完全腐蚀的通孔。一种方法是使用扫描电子显微镜(SEM)以观察晶片的截面。更具体地说，晶片在截面截断。然后使用SEM沿着晶片的切割截面观察通孔。但是，SEM方法具有以下缺点。第一，SEM设备一般非常昂贵。第二，通过截面切割晶片需要非一般的制备，这是消耗时间的。最后，通过切割截面可观察的通孔与整个晶片上的通孔的数量相比是很小的，整个晶片上的通孔的数量可达到上百万。

另一现有技术方法使用轮廓仪检测未完全腐蚀的通孔。轮廓仪基本上是沿着晶片的轮廓而行的针。不利的是，轮廓仪不能用在规则晶片结构上，例如，0.25或亚-0.25微米技术。代替的是，必须产生大的测试结构以使用轮廓仪。这种大测试结构不能精确反映规则晶片样品的特征。例如，腐蚀率在规则晶片样品和大测试结构之间有很大区别。

另外，使用称为“原子力显微镜”(AFM)的传统方法也用于检测未完全腐蚀的通孔。具体是，AFM是将探针插入通孔以检测是否探针探测到金属或绝缘层。使用AFM的方法有以下缺陷。第一，AFM设备非常昂贵。第二，它只能检测有限数量的通孔。最后，由于机械针实际上必须插入通孔，所以AFM设备很难操作。

鉴于上述原因，希望提供用于检测晶片叠层中的未完全腐蚀的通孔的改进方法。

本发明提供用于检测晶片中的未完全腐蚀的通孔、间隔或未完全抛光部分的方法。该晶片叠层包括设置在金属层上的绝缘层。该绝缘层具有腐蚀在其中的多个通孔。包括多个通孔的该晶片叠层，暴露于被构形的腐蚀剂中，从而以比绝缘层快的速率腐蚀金属层。结果，在适当腐蚀的通孔的下面的金属层中形成腔。然后，光学检测晶片叠层中的通孔，从而检测和识别比腐蚀到金属层中的腔反射更多光的未完全腐蚀的通孔。

一种晶片叠层包括设置在绝缘层上的金属层。该金属层具有腐蚀在其中的多个间隔。包括多个通孔的该晶片叠层，暴露于被构形的腐蚀剂，从而以比金属层快的速率腐蚀绝缘层。结果，在多个间隔的适当腐蚀的间隔下面的绝缘层中形成腔。然后光学检查晶片叠层中的通孔，从而检测和识别未完全腐蚀的间隔，其反射比腐蚀到绝缘层中的腔更多的光。

另一种晶片叠层包括设置在绝缘层上的金属层。绝缘层形成具有多个部分的结构。包括多个部分的该晶片叠层，暴露于腐蚀剂中，腐蚀剂在基本上不腐蚀金属层中的金属的情况下，选择腐蚀绝缘层。结果，在适当抛光部分下面的绝缘层中形成腔。然后光学检测多个部分，从而检测和识别反射比腐蚀到绝缘层中的腔更多的光的未完全抛光金属部分。

通过下面结合附图的说明，能更好地理解本发明的特点，其中：

图1为现有技术，表示具有多个通孔的硅晶片叠层的截面图。

图2表示根据本发明的一个方案在暴露于基本上不腐蚀绝缘材料而选择腐蚀下层金属材料的腐蚀剂之后晶片叠层的截面图。

图3表示根据本发明的一个实施例在腐蚀在晶片叠层中的多个通孔当中检测未完全腐蚀的通孔中的步骤。

图4表示包括晶片、金属/氧化层、绝缘层和具有多个间隔的金属层的解释性的硅晶片叠层的截面图。

图5表示根据本发明的一个方案在暴露于被选择的具有相对于金属层的高绝缘层选择率的腐蚀剂之后晶片叠层的截面图。

图6表示包括绝缘层上的抛光金属层的硅晶片叠层的截面图。

图7表示根据本发明的一个实施例在暴露于被选择的具有相对于金属层的高绝缘层选择率的腐蚀剂之后晶片叠层的截面图。

所述本发明用于提供识别晶片叠层中的未完全腐蚀的通孔、间隔或未完全抛光部分，以节省成本和复杂性。在下面的说明中，为了完全理解本发明，给出了标号的具体细节。但是，对于本领域技术人员来说显然本发明可以在没有部分或全部这些具体细节的情况下实施本发明。换言之，为了使本发明更清楚，没有详细说明公知的工艺步骤。

本发明提供用于检测晶片叠层中的未完全腐蚀的通孔、间隔或未完全抛光的部分的方法。在本发明的一个方案中，通过首先用基本上不腐蚀绝缘材料而选择腐蚀下层金属层的腐蚀剂腐蚀晶片叠层，检测形成在设置在金属层上的绝缘层中的未完全腐蚀的通孔。然后，光学检测晶片叠层，从而确定未完全腐蚀的通孔的存在和密度。

在本发明的另一实施例中，通过首先用基本上不腐蚀金属而选择腐蚀下层绝缘层的腐蚀剂腐蚀晶片叠层，检测形成在设置在绝缘层上的金属层中的未完全腐蚀的线条。然后，光学检查晶片叠层，从而检测和识别未完全腐蚀的金属线。

在又一实施例中，在化学机械抛光(CMP)之后，本发明检测晶片结构中的未完全抛光的金属层部分，其中晶片结构包括设置在镶嵌(damascene)绝缘层结构上的金属层。绝缘层暴露于基本上不腐蚀金属层中的金属，而选择腐蚀氧化层以增强对比度的情况下的腐蚀剂。然后，通过光学检测晶片叠层，从而确定未完全抛光金属层部分和/或过抛光绝缘层部分的存在和密度。

为便于讨论，图2表示暴露于基本上不腐蚀绝缘材料的情况下选择腐蚀下层金属材料的腐蚀剂之后晶片叠层200的截面图。晶片叠层200包括设置在导电层206的顶部上的绝缘层208中腐蚀的多个通孔210、212、214、216、218和220。导电层包括，例如，金属。在这种构形中，由于绝缘层208的某些绝缘材料位于通孔210、214、216和220的金属层206之间，所以通孔210、214、216和220未被完全腐蚀。

相反，通孔212和218已经被适当腐蚀通过绝缘层208了。腐蚀剂最好选择具有相对于绝缘层208的高的金属层206选择率。即，腐蚀剂以基本上比绝缘层208快的速率腐蚀金属层206。结果，腐蚀剂分别在适当腐蚀的通孔212和218下面的导电层206中产生孔或腔224和226。相反，绝缘层208抑制腐蚀剂腐蚀未完全腐蚀的通孔210、214、216和220下面的导电层206。这样，在未完全腐蚀的通孔210、214、216和220下面的金属层206中一般不会形成孔或腔。在本发明中，导电层包括金属，例如钨(W)，铝(Al)，和铜(Cu)。虽然本发明中使用了这样的金属，但是在本发明中也可以使用其它金属以提供导电层。选择对这些金属的适合的腐蚀剂是现有技术中公知的，并包括，例如，HCl和HCl基溶液，NaOH和NaOH基溶液，磷酸和磷酸基溶液，醋酸，硝酸等。绝缘层208中使用的绝缘材料也是现有技术中公知的，并包括任何硅氧化物基材料，例如，TEOS(非掺杂硅酸盐玻璃)，BPSG(硼-磷掺杂硅酸盐玻璃)，PSG(p-掺杂硅酸盐玻璃)，NSG(n-掺杂硅酸盐玻璃)，SOG(旋涂玻璃)，氢silsesquioxane SOG(例如，Dow Corning′sFox)，等等。

参见图2，当光222照时，光可以是环境光或来自光源的光，通孔210、212、214、216、218和220反射回来变化的光的量取决于下面的孔或腔的存在和尺寸。例如，在一个通孔下面的金属层206中腐蚀的孔或腔将比平面更大程度的散射入射光，其中平面指的是未完全腐蚀的通孔下面的未腐蚀的金属表面。

相反，平面，即未完全腐蚀的通孔210、214、216和220下面的未腐蚀的金属表面趋于散射较少的光，因此将反射更多的光。于是，从未完全腐蚀的通孔210、214、216和220反射回来的光表现得比从孔或腔224和226反射回来的光更亮。反过来，孔或腔224和226由于散射而反射回来较少的光，因此表现得比未完全腐蚀的通孔210、214、216和220暗。

在一个实施例中，本发明使用光学显微镜设备用于识别未完全腐蚀的通孔和适当腐蚀的通孔。适用于检查整个晶片以确定成品的定位和统计(即，缺陷的百分比)的某些典型光学显微镜设备是KLA2135和KLA-TencorAIT(“KLA设备”)，它们都是KLA-Tencor of San Jose,California制造的。KLA设备将晶片叠层中的通孔暴露于光中，并识别较亮的通孔为未完全腐蚀的通孔，而较暗的通孔为适当腐蚀的通孔。具体是，在腐蚀工艺之前和之后，KLA设备给包括通孔的晶片叠层拍摄两个镜头，并将数字化图像储存在存储器中。然后KLA设备比较两个快照镜头的光对比度，并识别未完全腐蚀的通孔和适当腐蚀的通孔。虽然，本发明使用了上述KLA设备，但是也可以使用带有辨别晶片叠层中的通孔的分辨率的任何光学显微镜设备实施本发明。

图3表示在晶片叠层200中腐蚀的多个通孔当中检测未完全腐蚀的通孔的步骤。在步骤302中，包括通孔的晶片叠层暴露于腐蚀剂中。最好是，腐蚀剂的特征在于，腐蚀率选择性，或单值选择率，以基本上比它腐蚀绝缘层快的速率腐蚀导电层，从而腐蚀剂基本上不腐蚀绝缘层。简言之，最好的腐蚀剂表现为相对于绝缘层的高金属选择率。在腐蚀工艺过程中，适当腐蚀的通孔容许腐蚀剂与金属层直接接触并在金属层中腐蚀孔或腔。相反，未完全腐蚀的通孔下面的绝缘层形成对腐蚀剂的阻挡层，从而防止腐蚀剂达到未完全腐蚀的通孔中的绝缘层下面的金属层。这样晶片叠层暴露于腐蚀剂中，直到适当腐蚀的通孔下面的金属层被腐蚀到所要求的厚度为止。腐蚀工艺之后，晶片叠层被清洗和/或干燥。

本发明优选的腐蚀方法是湿腐蚀工艺，其中例如，通过浸渍或浸泡，晶片叠层暴露于例如盐酸(HCl)的腐蚀溶液中。虽然优选的腐蚀技术是湿腐蚀，但是本领域技术人员应了解，选择腐蚀金属层的其它腐蚀技术也可以使用，例如干腐蚀，等离子体腐蚀等。

然后在步骤304中，光学检测晶片叠层，以检测和识别未完全腐蚀的通孔和适当腐蚀的通孔。当晶片叠层的通孔暴露于光中时，未完全腐蚀的通孔下面的金属层通过通孔反射回来较多的光。另一方面，限定形成在金属层中的孔或腔的壁散射一部分光。因此，通过适当腐蚀的通孔反射回来较少的光。结果，未完全腐蚀的通孔表现为比适当腐蚀的通孔更亮。因此，可以在根据通过通孔反射回来的光的对比检测和识别未完全腐蚀的通孔和适当腐蚀的通孔。然后在步骤306中结束工艺。

在另一实施例中，本发明检测包括设置在氧化层上的金属层的晶片叠层中的金属层中的未完全腐蚀的间隔(例如线间隔)。为了便于讨论，图4表示典型的硅晶片叠层400的截面图，其中硅晶片叠层400包括晶片402，金属/氧化层404，绝缘层406，和金属层408。金属层408包括多个间隔410、412、414、416、418和420，它们可以是用公知常规腐蚀工艺在金属层408上腐蚀的，例如金属反应离子腐蚀(RIE)工艺。

金属层408中的间隔(如线间隔)的主要用途之一是将金属层部分与邻近金属层部分电隔离。例如，间隔412和414限定它们之间的隔离金属层部分，并因此用于电隔离金属层和它的邻近金属层部分。另外，金属层408中的间隔还可用于提供任何一层和通过通孔可以相继淀积在金属层408上的层之间的连接。

图4中的间隔可分类为两类：第一类，由于金属下层的存在，间隔410、416和420没有与绝缘层406直接接触，因此称为“未完全腐蚀”线间隔。另一方面，间隔412、414和418被适当腐蚀，这是由于它们通过金属层408被完全腐蚀，从而与下层氧化层406直接接触。

本领域技术人员应该明白，层404、406和408可以以其它不同的顺序设置在晶片叠层402上，并且间隔可以形成在层404、406和408的任何一层上。还应该注意到，图4的硅晶片叠层400只是用于举例的目的，这里没有说明的其它附加层也可以存在所示层之上、之下和它们之间。这些其它层可以用于提供，例如附加互连层或可以形成元件的层。另外，不是所有所示层都必须存在的，其中的部分或全部可以用其它不同层代替。

为了检测晶片叠层400中的未完全腐蚀的间隔，本发明在基本上不腐蚀未完全腐蚀的间隔的情况下腐蚀适当腐蚀的间隔下面的绝缘层406。特别是，包括间隔的晶片叠层400暴露于腐蚀剂中。腐蚀剂最好选择得具有相对于金属层408的高绝缘层406选择率，从而腐蚀剂以基本上比金属层408快的速率腐蚀绝缘层406。

在腐蚀工艺过程中，适当腐蚀的间隔412、414和418容许腐蚀剂与绝缘层406直接接触，并由此使腐蚀剂在绝缘层406中腐蚀槽或腔。相反，直接位于未完全腐蚀的间隔410、416和420下面的金属层408可以形成对腐蚀剂的阻挡层，从而防止腐蚀剂到达金属层408下面的绝缘层406。晶片叠层400暴露于腐蚀剂中，直到适当腐蚀的间隔412、414和418下面的绝缘层406被腐蚀到所要求的厚度为止。腐蚀工艺之后，晶片叠层可以清洗和/或干燥。

在本实施例中，用于金属层408的金属可以是适用于图2的金属层206的前述任何金属。同样，用于绝缘层406的绝缘材料可以是适用于图2的绝缘层208的绝缘材料的任何一种。可以在基本上不腐蚀金属的情况下选择腐蚀这些绝缘材料的合适的腐蚀剂是现有技术中公开的，并包括，例如，氢氟酸(HF)和HF-基溶液。

本发明优选的腐蚀方法是湿腐蚀工艺，其中，例如通过浸渍或浸泡，晶片叠层暴露于腐蚀溶液中。虽然优选的腐蚀技术是湿腐蚀，但是本领域技术人员应该了解，能选择腐蚀金属层的其它腐蚀技术也可以使用，例如干腐蚀，等离子体腐蚀等。

图5表示在暴露于选择得具有相对于导电层408的高绝缘层406选择率的腐蚀剂之后晶片叠层400的截面图。选择的腐蚀剂分别在适当腐蚀的线间隔412、414和418下面的绝缘层406中腐蚀槽或腔502、504和506。相反，金属层408防止腐蚀剂腐蚀未完全腐蚀的间隔410、416和420下面的绝缘层406。于是，在直接位于未完全腐蚀的间隔410、416和420下面的绝缘层406中一般不会形成孔或腔。这增强了未完全腐蚀的间隔上的金属层408的表面和适当腐蚀的间隔上的绝缘层406的表面之间存在对比度。

腐蚀工艺之后，光学检测晶片叠层400，以检测和识别未完全腐蚀的间隔和适当腐蚀的间隔。当晶片叠层400的间隔暴露于光中508时，限定在绝缘层406中腐蚀的槽或腔502、504和506的壁可散射入射光508。而且，一部分光可能穿过孔或腔502、504和506的壁。结果，通过适当腐蚀的间隔412、414和418反射回来少量的光。相反，在未完全腐蚀的间隔410、416和420底部的金属层408通过间隔反射回来较多的光。于是，通过未完全腐蚀的间隔410、416和420反射的光比通过适当腐蚀的间隔412、414和418反射的光多。因而，当暴露于光中时，未完全腐蚀的间隔410、416和420表现为比适当腐蚀的间隔412、414和418更亮。通过这种方式，可以根据通过间隔反射回来的光的对比检测和识别未完全腐蚀的间隔和适当腐蚀的间隔。

在又一实施例中，本发明检测在晶片叠层中的镶嵌绝缘层结构上的未完全抛光金属层部分。金属层可以使用适当的淀积工艺淀积在镶嵌绝缘层结构上，然后用化学机械抛光(CMP)工艺抛光除去绝缘层上的部分。为便于讨论，图6表示包括在晶片602上的绝缘层604上淀积和抛光的金属层606的硅晶片叠层600的截面图。绝缘层604的结构包括多个凹槽部分610、612、614、616和618和由绝缘层604的侧面或壁限定的多个突出部分620、622、624、626和628。

参见图6，金属层606的表面已经用CMP工艺抛光以抛光除去金属层606，以便基本上与绝缘层604的突出部分620、622、624、626和628的表面一样平坦。但是，通常金属CMP不能抛光除去均匀地位于绝缘层604结构的突出部分620、622、624、626和628上的所有金属剩余物。例如，用CMP工艺不能抛光除去绝缘层604的突出部分620、622、624、626和628限定的上表面上的金属层606部分。因而，绝缘层604、部分610、612、616、618、620、622和628上的金属层606被称为未完全抛光金属层606部分。未完全抛光金属层部分可能在相邻结构当中无意地引起电短路。

相反，绝缘层604结构的部分614、624和626上的金属层606已经被适当抛掉了。即，部分614、624和626上的金属层部分的上表面基本上与突出部分624和626的表面一样平坦。突出部分624和626称为适当抛光绝缘层部分。适当抛光绝缘层部分624和626便于金属层614和邻近金属层部分隔离，由此保证适当的电隔离。

为了检测和识别晶片叠层600中的未完全抛光金属层部分，本发明在基本上不腐蚀金属层606的情况下腐蚀绝缘层604以增强未完全抛光和适当抛光部分之间的对比度。特别是，包括适当抛光绝缘层的晶片叠层600暴露于腐蚀剂。腐蚀剂最好选择得具有相对于金属层606的高的绝缘层604选择率，从而使腐蚀剂以基本上比金属层606快的速率腐蚀绝缘层604。

在腐蚀工艺过程中，腐蚀剂与绝级层604的适当抛光绝缘层部分624和626直接接触，由此在绝缘层604中腐蚀槽或腔。相反，绝缘层604部分610、612、616、618、620、622和628上的未完全抛光金属层606部分以基本上较慢的速率被腐蚀，从而基本上防止腐蚀剂到达未完全抛光金属层606部分620、622和628下面的绝缘层604。晶片叠层600以这种方式暴露于腐蚀剂中，直到适当抛光部分624和626下面的绝缘层604被腐蚀到所要求的厚度为止。腐蚀工艺之后，晶片叠层可以清洗和/或干燥。

在本实施例中，用于金属层606的金属可以是适用于图2的金属层206的前述任何金属。同样，用于绝缘层604的绝缘材料可以是适用于图2的绝缘层208的任何绝缘材料。同样，能在基本上不腐蚀金属的情况下选择腐蚀这些绝缘材料的腐蚀剂可以是适用于图4和5的金属层408和绝缘层406的任何腐蚀剂。

本发明优选的腐蚀方法是湿腐蚀工艺，其中，例如通过浸渍或浸泡，晶片叠层暴露于腐蚀溶液中。虽然优选的腐蚀技术是湿腐蚀，但是本领域技术人员应该承认，能选择腐蚀金属层的其它腐蚀技术也可以使用，例如干腐蚀，等离子体腐蚀等。

图7表示在暴露于选择得具有相对于金属层606的高的绝缘层604选择率的腐蚀剂之后，晶片叠层600的截面图。选择的腐蚀剂分别在适当抛光绝缘层604部分624和626下面的绝缘层604中腐蚀槽或腔704和706。相反，金属层606基本上防止腐蚀剂腐蚀未完全抛光的金属层606部分下面的绝缘层604部分610、612、616、618、620、622和628。一般情况下，在直接位于未完全抛光金属层606下面的绝缘层604中不会形成槽或腔。

腐蚀工艺之后，光学检测晶片叠层600，从而检测和识别未完全抛光金属层部分和适当抛光绝缘层部分。当晶片叠层600暴露于光中702时，限定在绝缘层604中腐蚀的槽或腔704和706的壁散射一部分入射光702。而且，一部分光702还可以穿过槽或腔704和706的壁。结果，通过在绝缘层604中腐蚀的槽或腔704和706反射回来很少的光。

相反，未完全抛光绝缘层606部分610、612、616、618、620、622和628上的未完全抛光金属层606部分反射回来较多的光702。于是，从未完全抛光金属层606部分反射回来的光比从适当抛光的绝缘层604部分反射回来的光多。因而，当暴露于光中702时，未完全抛光金属层部分表现为比适当抛光的绝缘层部分更亮。通过这种方式，根据从表面反射回来的光的对比可检测和识别未完全抛光金属层部分和适当抛光绝缘层部分。

与有限地检测晶片的有限区域或截面的常规技术不同，本发明的实施例容许在整个晶片叠层中检测上述特征。另外，本发明用于检测不需要大的测试结构。而且，与需要使用精密针的常规方法不一样，本发明很容易实施。因此，本发明的方法节省时间和成本，同时保证了检测结果的精度。此外，与检测工具，例如KLA2135或KLA-Tencor AIT结合在一起，在使用了本发明的方法之后可以立刻确定芯片的成品率，而不用象常规技术那样等待电测试的结果。

前面已经通过几个优选实施例说明了本发明，它们应该包括落入本发明的范围内的改型、变更和等效做法。还应注意，本发明还包括在实施本发明的方法时的各种替换方式。因此，本发明的权利要求书应该包括落入本发明的精神和范围内的所有改型、变更和等效做法。

Claims (29)

1．一种检测晶片叠层中的未完全腐蚀的通孔的方法，其中晶片叠层包括排列在金属层上的绝缘层，所述绝缘层具有在其中腐蚀的多个通孔，所述方法包括；

将包括所述多个通孔的所述晶片叠层暴露于腐蚀剂，所述腐蚀剂被构形得以基本上比所述绝缘层快的速率腐蚀所述金属层，从而在所述多个通孔的适当腐蚀的通孔下面的所述金属层中形成腔；和

光学检测所述晶片叠层中的所述多个通孔，从而在所述多个通孔当中检测未完全腐蚀的通孔，其中未完全腐蚀的通孔比在所述金属层中腐蚀的所述腔反射的光多。

2．根据权利要求l所述的方法，其中所述光学检测步骤还包括：

将在所述晶片中包括所述腔的所述多个通孔暴露于光中；

观察在所述晶片叠层中包括所述腔的所述多个通孔；和

检测未完全腐蚀的通孔。

3．根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片叠层在湿腐蚀工艺中暴露于所述腐蚀剂中。

4．根据权利要求1所述的方法，其中所述腐蚀剂通过所述多个通孔的所述适当腐蚀的通孔腐蚀所述金属层。

5．根据权利要求1所述的方法，其中在所述金属层中腐蚀的所述腔散射光，由此反射比未完全腐蚀的通孔少的光。

6．根据权利要求1所述的方法，其中未完全腐蚀的通孔是用光学显微镜检测的。

7．根据权利要求6所述的方法，其中所述光学微镜比较所述多个通孔当中光的对比度，以识别未完全腐蚀的通孔。

8．根据权利要求1所述的方法，其中用于所述金属层的金属选自基本上由下列金属构成的组：钨(W)，铝(Al)，和铜(Cu)。

9．根据权利要求1所述的方法，其中所述腐蚀剂选自基本上由下列材料构成的组：HCl-基溶液，NaOH-基溶液，磷酸基溶液，醋酸和硝酸。

10．根据权利要求1所述的方法，其中用于所述绝缘层的绝缘材料基本上选自：TEOS(非掺杂硅酸盐玻璃)，BPSG(硼-磷掺杂硅酸盐玻璃)，PSG(p-掺杂硅酸盐玻璃)，NSG(n-掺杂硅酸盐玻璃)，SOG(旋涂玻璃)，和HSQ(FOX)。

11．一种检测晶片叠层中的未完全腐蚀的间隔的方法，其中晶片叠层包括设置在绝缘层上的金属层，所述金属层具有在其中腐蚀的多个通孔，所述方法包括：

将包括所述多个间隔的所述晶片叠层暴露于腐蚀剂，所述腐蚀剂被构形得以基本上比所述金属层快的速率腐蚀所述绝缘层，从而在所述多个间隔的适当腐蚀的间隔下面的所述绝缘层中形成腔；和

光学检测所述晶片叠层中的所述多个间隔，从而在所述多个间隔当中检测未完全腐蚀的间隔，其中未完全腐蚀的间隔比在所述绝缘层中腐蚀的所述腔反射的光多。

12．根据权利要求11所述的方法，其中所述光学检测还包括：

将在所述晶片中包括所述腔的所述多个间隔暴露于光中；

观察在所述晶片叠层中包括所述腔的所述多个间隔；和

检测未完全腐蚀的间隔。

13．根据权利要求11所述的方法，其中所述晶片叠层在湿腐蚀工艺中暴露于所述腐蚀剂中。

14．根据权利要求11所述的方法，其中所述腐蚀剂通过所述多个间隔的所述适当腐蚀的间隔腐蚀所述绝缘层。

15．根据权利要求11所述的方法，其中在所述绝缘层中腐蚀的所述腔散射光，由此反射比未完全腐蚀的间隔少的光。

16．根据权利要求11所述的方法，其中未完全腐蚀的间隔是用光学显微镜检测的。

17．根据权利要求16所述的方法，其中所述光学显微镜比较所述多个间隔当中光的对比度，以识别未完全腐蚀的间隔。

18．根据权利要求11所述的方法，其中用于所述金属层的金属选自基本上由下列金属构成的组：钨(W)，铝(Al)，和铜(Cu)。

19．根据权利要求11所述的方法，其中所述腐蚀剂选自基本上由HF-基溶液构成的组。

20．根据权利要求11所述的方法，其中用于所述绝缘层的绝缘材料选自基本上由下列材料构成的组：TEOS(非掺杂硅酸盐玻璃)，BPSG(硼-磷掺杂硅酸盐玻璃)，PSG(p-掺杂硅酸盐玻璃)，NSG(n-掺杂硅酸盐玻璃)，SOG(旋涂玻璃)，和HSQ(FOX)。

21．一种检测晶片叠层中的未完全抛光部分的光，其中晶片叠层包括设置在绝缘层上的金属层，所述绝缘层形成具有多个部分的结构，所述方法包括：

将包括所述多个部分的所述晶片叠层暴露于腐蚀剂，所述腐蚀剂被构形得以基本上比所述金属层快的速率腐蚀所述绝缘层，从而在所述多个部分的适当抛光的部分下面的所述绝缘层中形成腔；和

光学检测所述晶片叠层中的所述多个部分，从而检测未完全抛光部分，其中未完全抛光的部分比在所述绝缘层中腐蚀的所述腔反射的光多。

22．根据权利要求21所述的方法，其中所述光学检测还包括：

将在所述晶片中包括所述腔的所述多个部分暴露于光中；

观察在所述晶片叠层中包括所述腔的所述多个部分；和

检测未完全抛光的部分。

23．根据权利要求21所述的方法，其中所述晶片叠层在湿腐蚀工艺中暴露于所述腐蚀剂中。

24．根据权利要求21所述的方法，其中在所述绝缘层中腐蚀的所述腔散射光，由此反射比未完全抛光的部分少的光。

25．根据权利要求21所述的方法，其中未完全腐蚀的间隔是用光学显微镜检测的。

26．根据权利要求25所述的方法，其中所述光学显微镜比较所述多个部分当中光的对比度，以识别未完全抛光的部分。

27．根据权利要求21所述的方法，其中用于所述金属层的金属选自基本上由下列金属构成的组：钨(W)，铝(Al)，和铜(Cu)。

28．根据权利要求21所述的方法，其中所述腐蚀剂选自基本上由HF-基溶液构成的组。

29．根据权利要求21所述的方法，其中用于所述绝缘层的绝缘材料选自基本上由下列材料构成的组：TEOS(非掺杂硅酸盐玻璃)，BPSG(硼-磷掺杂硅酸盐玻璃)，PSG(p-掺杂硅酸盐玻璃)，NSG(n-掺杂硅酸盐玻璃)，SOG(旋涂玻璃)，和HSQ(FOX)。

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