CN118390024A - 一种两级喷淋的原子层沉积装备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种两级喷淋的原子层沉积装备及沉积方法。两级喷淋的原子层沉积装备包括腔室；喷淋装置，至少部分设于腔室，喷淋装置包括自上而下依次连通的喷淋头、等离子体发生器、前驱体进气件以及喷淋板组件，喷淋头用于通入反应气体，前驱体进气件用于通入前驱体；载具，设于腔室内，并间隔设于喷淋装置的下方，载具用于承载待沉积件。反应气体经过喷淋头进行第一级扩散后，能够被等离子体发生器接收，进行电离而形成高活性自由基，再经喷淋板组件进行第二级扩散，经第二级扩散的反应气体能够获得更均匀的状态；前驱体经过前驱体进气件后，可经喷淋板组件进行扩散获得更均匀的状态，如此，在较大尺寸的待沉积件上获得较为致密均匀的沉积。

Description

一种两级喷淋的原子层沉积装备

技术领域

本申请涉及原子层沉积技术领域，特别是涉及一种两级喷淋的原子层沉积装备。

背景技术

随着集成电路电子元件的微型化、集成化发展，原子层沉积技术被广泛应用于超薄薄膜沉积工艺中。原子层沉积装备作为原子层沉积的硬件基础，对于沉积的均匀性有着巨大的考验。相关技术中，由于喷淋装置的单一性和沉积设备排气系统的偏心性，往往导致喷入的工艺气体的气流不均匀分布，这对于较大尺寸的晶圆的均匀沉积是不利的。

发明内容

基于此，有必要针对相关技术中，原子层沉积装备导入工艺气体的气流不均匀分布，造成较大尺寸的晶圆的沉积不均匀的问题，提供一种能使较大尺寸的晶圆沉积均匀的两级喷淋的原子层沉积装备。

第一方面，提供一种两级喷淋的原子层沉积装备，包括：

腔室；

喷淋装置，至少部分设于腔室，喷淋装置包括自上而下依次连通的喷淋头、等离子体发生器、前驱体进气件以及喷淋板组件，喷淋头用于通入反应气体，前驱体进气件用于通入前驱体； 以及

载具，设于腔室内，并间隔设于喷淋装置的下方，载具用于承载待沉积件。

上述两级喷淋的原子层沉积装备，将待沉积件放置在载具上后，喷淋头、等离子体发生器、前驱体进气件以及喷淋板组件由于在载具的上方自上而下依次设置，因此，反应气体经过喷淋头进行第一级扩散后，能够被等离子体发生器接收，进行电离而形成高活性自由基，再经喷淋板组件进行第二级扩散，经第二级扩散的反应气体能够获得更均匀的状态；并且，前驱体经过前驱体进气件后，可经喷淋板组件进行扩散，经扩散的前驱体能够获得更均匀的状态，如此，当用在较大尺寸的待沉积件上进行沉积时，能够在待沉积件上获得较为致密均匀的沉积。

在其中一个实施例中，喷淋装置包括第二扩散腔，第二扩散腔设于等离子体发生器的下方，且与等离子体发生器连通，前驱体进气件以及喷淋板组件彼此间隔地设于第二扩散腔。

在其中一个实施例中，第二扩散腔的截面面积自上而下逐渐扩大。

在其中一个实施例中，前驱体进气件包括前驱体进气管，前驱体进气管沿第二扩散腔的周向延伸，前驱体进气管沿其延伸方向开设有多个前驱体进气孔。

在其中一个实施例中，喷淋板组件包括第一喷淋板和第二喷淋板，第一喷淋板间隔地设于第二喷淋板的上方。

在其中一个实施例中，第一喷淋板上开设有多个第一喷淋孔，第二喷淋板上开设有多个第二喷淋孔，第一喷淋板上开设的第一喷淋孔的密度小于第二喷淋板上开设的第二喷淋孔的密度。

在其中一个实施例中，载具包括加热托盘，第二喷淋板与加热托盘之间相对设置，第二喷淋板与加热托盘能够配合外部偏压电源在腔室内形成可控电场。

在其中一个实施例中，喷淋头呈半球型，并形成有半球型的喷淋腔。

在其中一个实施例中，喷淋头上开设有多个与喷淋腔连通的反应气进气孔，反应气进气孔至少具有由喷淋腔内向喷淋腔外孔径逐渐增大的扩张段。

在其中一个实施例中，腔室的对称中心线与喷淋头的中心线、等离子体发生器、前驱体进气件、喷淋板组件的中心线均重合。

在其中一个实施例中，原子层沉积装备还包括内衬，内衬位于喷淋板组件的下方，且内衬贴合于腔室的内壁设置；

其中，内衬上涂覆有氧化钇涂层。

在其中一个实施例中，腔室设有铠装加热器，用于对腔室进行加热。

在其中一个实施例中，原子层沉积装备包括上盖和底座，喷淋头、等离子体发生器、前驱体进气件以及喷淋板组件均安装于上盖，载具设于底座内；

其中，上盖与底座可转动地相分离和相拼接，且在相拼接时能够形成腔室。

在其中一个实施例中，原子层沉积装备还包括氟橡胶密封件，氟橡胶密封件设于上盖与底座之间。

附图说明

图1为本申请一实施例中的原子层沉积装备的结构示意图。

图2为图1所示的原子层沉积装备的剖面结构示意图。

图3为图1所示的原子层沉积装备中的喷淋装置的剖面结构示意图。

图4为图1所示的原子层沉积装备中的喷淋头的结构示意图。

图5为图4所示的喷淋头的剖面结构示意图。

图6为图5所示的喷淋头中的A处局部放大示意图。

图7为图1所示的原子层沉积装备中的喷淋板组件的结构示意图。

图8为图7所示的喷淋板组件的俯视图。

图9为图8所示的喷淋板组件的仰视图。

图10为本申请一实施例中的前驱体进气体的结构示意图。

附图标记说明：

原子层沉积装备100、腔室10、喷淋装置20、喷淋头21、喷淋腔211、反应气进气孔212、等离子体发生器22、前驱体进气件23、前驱体进气孔231、喷淋板组件24、第一喷淋板241、第一喷淋孔2411、第二喷淋板242、第二喷淋孔2421、第一扩散腔25、等离子体腔26、第二扩散腔27、载具30、加热托盘31、上盖40、上腔室41、底座50、下腔室51、进样孔511、排气口512、转轴60、待沉积件200。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

在本申请的描述中，需要理解的是，若有出现这些术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等，这些术语指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，若有出现这些术语“第一”、“第二”，这些术语仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，若有出现术语“多个”，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等，这些术语应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现第一特征在第二特征“上”或“下”等类似的描述，其含义可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

需要说明的是，若元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。若一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。如若存在，本申请所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

参阅图1和图2，图1为本申请一实施例中的原子层沉积装备的结构示意图，图2为图1所示的原子层沉积装备的剖面结构示意图。本申请一实施例提供的两级喷淋的原子层沉积装备100，包括腔室10、喷淋装置20以及载具30。喷淋装置20至少部分设于腔室10，喷淋装置20包括自上而下依次连通的喷淋头21、等离子体发生器22、前驱体进气件23以及喷淋板组件24，喷淋头21用于通入反应气体，前驱体进气件23用于通入前驱体。载具30设于腔室10内，并间隔设于喷淋装置20的下方，载具30用于承载待沉积件200。

本申请实施例提供的两级喷淋的原子层沉积装备100可以是四寸、八寸、最大至十二寸的晶圆的原子层沉积工艺的处理装置。具体地，原子层沉积装备100可以是热原子沉积工艺和等离子体增强原子层沉积工艺的处理装置。原子层沉积工艺是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。

腔室10作为主要供晶圆进行原子层沉积工艺的处理环境。喷淋装置能够将反应物引入晶圆的上方反应区域，从而在晶圆表面沉积薄膜。上述反应物可以是前驱体进气件23引入的前驱体（Precursor），也可以是喷淋头21引入的反应气体（Reactant gas）。该前驱体选自一种能够参与化学反应的化学物质，能与反应气体发生化学反应以达到成膜的效果。

本申请实施例中的两级喷淋的原子层沉积装备100，当将待沉积件200放置在载具30上后，喷淋头21、等离子体发生器22、前驱体进气件23以及喷淋板组件24由于在载具30的上方自上而下依次设置，因此，反应气体经过喷淋头21进行第一级扩散后，能够被等离子体发生器22接收，进行电离而形成高活性自由基，再经喷淋板组件24进行第二级扩散，经第二级扩散的反应气体能够获得更均匀的状态；并且，前驱体经过前驱体进气件23后，可经喷淋板组件24进行扩散，经扩散的前驱体能够获得更均匀的状态，如此，当用在较大尺寸的待沉积件200上进行沉积时，能够在待沉积件200上获得较为致密均匀的沉积。

需要指出的是，在本申请的实施例中，前驱体与反应气体并非同时进入腔室10，前驱体先通入并进入腔室10而吸附在待沉积件200上，之后再通入反应气体进入腔室10与吸附在待沉积件200上的前驱体反应，进而形成薄膜。

因此，本申请实施例不仅能够在待沉积件200上获得较为致密均匀的沉积，并且由于前驱体与反应气体的进入均使用了同一喷淋装置20，因此，也简化了原子层沉积装备100的结构，使原子层沉积装备100的结构更紧凑。

具体到本申请的实施例中，原子层沉积装备100包括上盖40和底座50，上盖40可以盖设在底座50上，以形成腔室10。喷淋装置20可以安装于上盖40上，载具30设于底座50内。并且，上盖40与底座50之间可转动地相分离或相拼接，在相拼接时能够形成腔室10。具体地，上盖40与底座50的同一侧通过转轴60进行铰接。

如此，可通过抬升旋转上盖40完成开盖动作，进而使底座50内的载具30显露，方便完成对待沉积件200的上料或者沉积完成后的沉积件200的下料过程。

具体地，上盖40内形成有上腔室41，底座50内形成有下腔室51，上腔室41与下腔室51组合形成腔室10。当喷淋装置20安装于上盖40时，喷淋装置20至少部分设于上腔室41内，以使从喷淋板组件24喷淋出的反应气体或者前驱体能够顺利进入下方的下腔室51内。

结合图3，在一些实施例中，喷淋装置20包括自上而下依次连通的第一扩散腔25、等离子体腔26以及第二扩散腔27。喷淋头21设于第一扩散腔25，等离子体发生器22设于等离子体腔26，前驱体进气件23和喷淋板组件24彼此间隔地设于第二扩散腔27。

如此，反应气体能够经喷淋头21进行第一级扩散后，在第一扩散腔25内能够进行匀气后再进入等离子体腔26内，同样的，由于前驱体进气件23和喷淋板组件24彼此间隔地设于第二扩散腔27，因此，从前驱体进气件23进入第二扩散腔27的前驱体，能够先在第二扩散腔27进行匀气后再进入喷淋板组件24进行扩散。另外，当仅反应气体经等离子体发生器22进入第二扩散腔27内时，也可以再次进行匀气后再进入喷淋板组件24进行扩散。

具体到本申请的实施方式中，第一扩散腔25的截面面积自上而下逐渐扩大。如此，能够对反应气体进行扩散，有利于其实现均匀性。

同样的，第二扩散腔27的截面面积也自上而下逐渐扩大。如此，也能够对反应气体及前驱体进行能扩散，有利于其实现均匀性。

请再次参阅图1和图2，为了便于操作上盖40和底座50的转动运动，在一些实施方式中，上盖40与转轴60相对的一侧设有把手，通过操作把手，例如抬升或降下，即可完成上盖40相对底座50的转动运动，进而实现上盖40与底座50之间的相分离或相拼接。

更进一步地，原子层沉积装备100还包括设置在上盖40和底座50之间的密封件，密封件用于对上盖40和底座50之间的间隙进行密封，以避免外部环境中的气体进入腔室10的内部气体泄露，进而对沉积处理过程产生影响，导致目标薄膜质量差。

可选地，密封件为氟橡胶密封件。氟橡胶密封件具有出色的耐化学性。此外，氟橡胶密封件还具有较高的热稳定性和较低的透气性。

考虑到氟橡胶密封件的高温敏感性，在本申请的实施例中，还设有一些冷却通道，冷却通道设于底座50，一部分冷却通道靠近氟橡胶密封件设置，例如可以设置在下腔室51的顶部，或者上腔室41的底部。进一步地，一部分冷却通道靠近下腔室51的底部设置，这是由于下腔室51的底部往往有一些走线需求，因此设置冷却通道能够防止线路高温产生的风险。

具体地，冷却通道可以外界冷却源，冷却源能够向冷却通道输送冷却介质，冷却介质可以是冷却水，也可以是其他气体、液体介质。

在本申请的实施例中，为了满足沉积处理工艺过程中的温度需求，同时达到对腔室10的内部的保温需求，腔室10还设有铠装加热器，用于对腔室10进行加热。

在一些实施例中，原子层沉积装备100还包括内衬，内衬位于所述喷淋板组件的下方，且所述内衬贴合于所述腔室的内壁设置。其中，内衬上涂覆有氧化钇涂层。

氧化钇涂层主要是防止反应物和腔体侧壁金属反应生成一些副产物污染腔体和晶圆，因此涂覆有氧化钇涂层的内衬可以有效保障腔室内壁环境的洁净，有助于保障工艺稳定性和目标薄膜性能。

可选地，内衬贴合于下腔室51的内壁设置。

在一些实施例中，下腔室51还开设有进样孔511，进样孔511用于从外部传送待沉积件200至下腔室51。

具体地，进样孔511开设在下腔室51的侧壁上，可通过机械手将待沉积件200自进样孔511传送至下腔室51内的载具30上。

原子层沉积装备100还可以设置顶升机构，顶升机构可以与载具30相连，以驱动载具30作升降运动，进而使待沉积件200稳靠地承载在载具30上。

在一些实施例中，下腔室51的底部还开设有排气口512，排气口512能够将沉积处理过程中产生的反应副产物和多余的吹扫气体排出。

具体地，排气口512连通有分子泵和机械泵组，分子泵和机械泵组能够在排气口512处产生抽离力。

参阅图4~图6，在一些实施例中，喷淋头21呈半球型，并形成有半球形的喷淋腔211。

如此，进入喷淋腔211内的反应气体能够经喷淋头21均匀地向外周进行扩散，并且扩散的角度范围更广，提高了扩散的效率。

进一步地，喷淋头21上开设有多个与喷淋腔211连通的反应气进气孔212，反应气进气孔212至少具有由喷淋腔211内向喷淋腔211外孔径逐渐增大的扩张段。

通过设置扩张段，能够使从喷淋腔211内进入反应气进气孔212的反应气先进行压缩提高其速度后，再向喷淋腔211外进行快速扩散。

具体地，扩张段的反应气进气孔212的最小孔径为2毫米，最大孔径为3毫米。

另外，多个反应气进气孔212可以沿喷淋头21的中心呈放射状均匀分布。

参阅图7，在一些实施例中，前驱体进气件23包括前驱体进气管，前驱体进气管沿第二扩散腔27的周向延伸，前驱体进气管沿其延伸方向开设有多个前驱体进气孔231。

如此，能够使前驱体通过前驱体进气管的延伸方向的多个前驱体进气孔231进入第二扩散腔27内，对进入喷淋板组件24前的前驱体进行了有效扩散。

具体地，前驱体进气管沿第二扩散腔27的周向延伸可以形成一个封闭的环状，也可以形成具有开口的非封闭的环状。

另外，多个前驱体进气孔231可以沿前驱体进气管的延伸方向均匀地间隔布设。具体地，前驱体进气孔231的孔径可以为2毫米。

参阅图8~图10，在一些实施例中，喷淋板组件24包括第一喷淋板241和第二喷淋板242，第一喷淋板241间隔地设于第二喷淋板242的上方。

通过设置间隔的第一喷淋板241和第二喷淋板242，使得进入喷淋板组件24的反应气体或者前驱体，能够先经过第一喷淋板241进行一次扩散后，在第一喷淋板241与第二喷淋板242之间的间隔空间内进行匀气后，再进入第二喷淋板242进行二次扩散，使得反应气体或者前驱体能够更加均匀地进入载具30的上方空间。

具体地，第一喷淋板241上开设有多个第一喷淋孔2411，第二喷淋板242上开设有多个第二喷淋孔2421，第一喷淋板241上开设的第一喷淋孔2411的密度小于第二喷淋板242上开设的第二喷淋孔2421的密度。

如此，在第二喷淋板242的作用下，能够使反应气体或者前驱体进一步地扩散，以实现大面积扩散效果。

在本申请的实施方式会中，第一喷淋板241上的多个第一喷淋孔2411可以沿第一喷淋板241的中心呈放射状均匀分布，第二喷淋板242上的多个第二喷淋孔2421可以沿第二喷淋板242的中心呈放射状均匀分布。

可选地，第一喷淋板241及第二喷淋板242的形状呈圆形，在其他实施方式中，也可以呈正方形或者六边形等。

在一些实施例中，载具30包括加热托盘31，第二喷淋板242与加热托盘31之间相对设置，第二喷淋板242与加热托盘31能够配合外部偏压电源300在腔室10内形成可控电场。

如此，能够增加原子层沉积装备100的功能，在薄膜沉积中，可控电场也用于增加离子能量，促进和改善薄膜生长，也用于改善薄膜结合。

另外，加热托盘31还可以实现给待沉积件200加热，提供腔室10反应所需要的温度环境。

在本申请的实施例中，腔室10的对称中心线与喷淋头21的中心线、等离子体发生器22的中心线、前驱体进气件23的中心线及喷淋板组件24的中心线均重合。

由于腔室10具有对称中心线，故腔室10的内部对称设置，当腔室10的对称中心线与喷淋头21的中心线、等离子体发生器22的中心线、前驱体进气件23的中心线及喷淋板组件24的中心线均重合时，能够使扩散的气体均匀在腔室10内分布，如此，进一步地提高了沉积的均匀性，可在待沉积件200上形成具有均匀厚度的目标薄膜。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种原子层沉积方法，应用于上述任意实施例中的原子层沉积装备100上，原子层沉积方法包括：

S10：将待沉积件200放置在腔室10的载具30上；

S20：向前驱体进气件23通入载气带前驱体，以使前驱体吸附在待沉积件200上；

其中，载气是指把前驱体带入，并不与其中任一物质反应的惰性气体。载气可以为氮气。

S30：向前驱体进气件23中通入载气，以清洗过量的前驱体；

S40：向喷淋头21通入反应气体，以与吸附在待沉积件200上的前驱体反应；

S50：向前驱体进气件23再次通入载气，以清洗反应气体与前驱体反应产生的副产物。

如此，可在待沉积件200上形成一层一层均匀的薄膜，该沉积的薄膜保形性高、台阶覆盖率高、精准可控及薄膜粗糙度低。

其中高形性：指可以沉积后仍旧维持原有沉积件的固有形状，厚度上会增加。

台阶覆盖率：台阶覆盖率是衡量薄膜在跨过表面台阶（如孔底部或侧壁），一般指孔底部或者侧壁上沉积薄膜厚度和平坦处沉积总厚度之比。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (14)

1.一种两级喷淋的原子层沉积装备，其特征在于，包括：

腔室（10）；

喷淋装置（20），至少部分设于所述腔室（10），所述喷淋装置（20）包括自上而下依次连通的喷淋头（21）、等离子体发生器（22）、前驱体进气件（23）以及喷淋板组件（24），所述喷淋头（21）用于通入反应气体，所述前驱体进气件（23）用于通入前驱体； 以及载具（30），设于所述腔室（10）内，并间隔设于所述喷淋装置（20）的下方，所述载具（30）用于承载待沉积件（200）。

2.根据权利要求1所述的两级喷淋的原子层沉积装备，其特征在于，所述喷淋装置（20）包括第二扩散腔（27），所述第二扩散腔（27）设于所述等离子体发生器（22）的下方，且与所述等离子体发生器（22）连通，所述前驱体进气件（23）以及所述喷淋板组件（24）彼此间隔地设于所述第二扩散腔（27）。

3.根据权利要求2所述的两级喷淋的原子层沉积装备，其特征在于，所述第二扩散腔（27）的截面面积自上而下逐渐扩大。

4.根据权利要求2所述的两级喷淋的原子层沉积装备，其特征在于，所述前驱体进气件（23）包括前驱体进气管，所述前驱体进气管沿所述第二扩散腔（27）的周向延伸，所述前驱体进气管沿其延伸方向开设有多个前驱体进气孔（231）。

5.根据权利要求1所述的两级喷淋的原子层沉积装备，其特征在于，所述喷淋板组件（24）包括第一喷淋板（241）和第二喷淋板（242），所述第一喷淋板（241）间隔地设于所述第二喷淋板（242）的上方。

6.根据权利要求5所述的两级喷淋的原子层沉积装备，其特征在于，所述第一喷淋板（241）上开设有多个第一喷淋孔（2411），所述第二喷淋板（242）上开设有多个第二喷淋孔（2421），所述第一喷淋板（241）上开设的所述第一喷淋孔（2411）的密度小于所述第二喷淋板（242）上开设的所述第二喷淋孔（2421）的密度。

7.根据权利要求5所述的两级喷淋的原子层沉积装备，其特征在于，所述载具（30）包括加热托盘（31），所述第二喷淋板（242）与所述加热托盘（31）之间相对设置，所述第二喷淋板（242）与所述加热托盘（31）能够配合外部偏压电源在所述腔室（10）内形成可控电场。

8.根据权利要求1所述的两级喷淋的原子层沉积装备，其特征在于，所述喷淋头（21）呈半球型，并形成有半球型的喷淋腔（211）。

9.根据权利要求8所述的两级喷淋的原子层沉积装备，其特征在于，所述喷淋头（21）上开设有多个与所述喷淋腔（211）连通的反应气进气孔（212），所述反应气进气孔（212）至少具有由所述喷淋腔（211）内向所述喷淋腔（211）外孔径逐渐增大的扩张段。

10.根据权利要求1~9任一项所述的两级喷淋的原子层沉积装备，其特征在于，所述腔室（10）的对称中心线与所述喷淋头（21）的中心线、所述等离子体发生器（22）、所述前驱体进气件（23）、所述喷淋板组件（24）的中心线均重合。

11.根据权利要求1~9任一项所述的两级喷淋的原子层沉积装备，其特征在于，所述原子层沉积装备（100）还包括内衬，所述内衬位于所述喷淋板组件（24）的下方，且所述内衬贴合于所述腔室（10）的内壁设置；

其中，所述内衬上涂覆有氧化钇涂层。

12.根据权利要求1~9任一项所述的两级喷淋的原子层沉积装备，其特征在于，所述腔室（10）设有铠装加热器，用于对所述腔室（10）进行加热。

13.根据权利要求1~9任一项所述的两级喷淋的原子层沉积装备，其特征在于，所述原子层沉积装备（100）包括上盖（40）和底座（50），所述喷淋头（21）、所述等离子体发生器（22）、所述前驱体进气件（23）以及所述喷淋板组件（24）均安装于所述上盖（40），所述载具（30）设于所述底座（50）内；

其中，所述上盖（40）与所述底座（50）可转动地相分离和相拼接，且在相拼接时能够形成所述腔室（10）。

14.根据权利要求13所述的两级喷淋的原子层沉积装备，其特征在于，所述原子层沉积装备（100）还包括氟橡胶密封件，所述氟橡胶密封件设于所述上盖（40）与所述底座（50）之间。