CN118363256A - 利于定位光掩模缺陷位置的方法及系统 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种利于定位光掩模缺陷位置的方法及系统，应用于光掩模缺陷分析定位技术领域，其中，包括如下步骤：标记制作步骤：在光掩模上的目标缺陷位置制作出标记图形；光掩模处理步骤：通过定位标记图形，对在目标缺陷位置制作标记图形的光掩模进行处理分析，判断目标缺陷出处。本发明在光掩模上制作出具有定位特性的标志图形，裂片处理时能快速有效的定位缺陷位置，成分分析过程中可有效提高目标缺陷的辨识度，便于找到和区分目标缺陷，适用于光掩模缺陷分析过程中难定位的情况，可有效提高目标缺陷的辨识度，利于制样及在分析设备上便于找到和区分目标缺陷。

Description

利于定位光掩模缺陷位置的方法及系统

技术领域

本申请涉及光掩模缺陷分析定位技术领域，具体涉及一种利于定位光掩模缺陷位置的方法及系统。

背景技术

光掩模在生产、使用和保存过程中均有可能产生各种缺陷。光掩模生产出厂前及使用前均会对其进行缺陷检测，对于一般常见的缺陷通常会使用修补和清洗进行消除。但某些外来的异物缺陷，附着力较强，无法使用清洗去除，用修补成功率和效率都很低，可能导致光罩报废，因此需要找到成因从源头解决问题。

由于光掩模制成工序较多，仅由缺陷检测得到的光学影像很难判断缺陷来源，对缺陷进行多项目的物化分析，但分析测试设备如何对缺陷准确查找定位，常常是操作难点之一。

基于此，需要一种新技术方案。

发明内容

有鉴于此，本说明书实施例提供一种利于定位光掩模缺陷位置的方法及系统。

本说明书实施例提供以下技术方案：

本说明书实施例提供的一种利于定位光掩模缺陷位置的方法，包括如下步骤：

标记制作步骤：在光掩模上的目标缺陷位置制作出标记图形；

光掩模处理步骤：通过定位标记图形，对在目标缺陷位置制作标记图形的光掩模进行处理分析，判断目标缺陷出处。

优选的，在所述标记制作步骤中，所述标记图形为由内到外呈由小到大设置的图形。

优选的，在所述标记制作步骤中，通过对光掩模进行曝光操作，将标记图形制作在光掩模上的目标缺陷位置。

优选的，在所述标记制作步骤中，所述标记图形设置有框住目标缺陷的标记框，被配置为用于显示目标缺陷。

优选的，在所述标记制作步骤中，所述标记图形还设置有围绕标记框的多个分支，多个分支连接在标记框外。

优选的，在所述标记制作步骤中，多个所述分支以标记框为基础，由内向外呈由小到大设置。

优选的，在所述标记制作步骤中，所述分支通过划分多个分支块叠摞构成，且多个分支块垂直于叠摞方向的尺寸由内到外呈由小到大设置。

优选的，在所述标记制作步骤中，所述标记框位于标记图形的中心位置。

优选的，在所述光掩模处理步骤中，通过定位光掩模上的标记图形，对光掩模进行裂片处理，得到在目标缺陷位置制作标记图形的样品，定位样品上的标记图形，对样品上的目标缺陷进行分析，判断目标缺陷出处。

本说明书实施例还提供的一种利于定位光掩模缺陷位置的系统，包括如下模块：

标记制作模块：在光掩模上的目标缺陷位置制作出标记图形；

光掩模处理模块：通过定位标记图形，对在目标缺陷位置制作标记图形的光掩模进行处理分析，判断目标缺陷出处。

与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：

本发明在光掩模上制作出具有定位特性的标志图形，裂片处理时能快速有效的定位缺陷位置，成分分析过程中可有效提高目标缺陷的辨识度，便于找到和区分目标缺陷，适用于光掩模缺陷分析过程中难定位的情况，可有效提高目标缺陷的辨识度，利于制样及在分析设备上便于找到和区分目标缺陷。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本申请中的缺陷定位mark的示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。

以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

要说明的是，下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显而易见，本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中，且本文中所描述的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本申请，所属领域的技术人员应了解，本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施，且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说，可使用本文中所阐述的任何数目和方面来实施设备及/或实践方法。另外，可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或实践此方法。

还需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本申请的基本构想，图式中仅显示与本申请中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

另外，在以下描述中，提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而，所属领域的技术人员将理解，可在没有这些特定细节的情况下实践。

有鉴于此，申请人通过对光掩模缺陷，以及对定位光掩模缺陷位置进行深入研究及改进探索，发现：对缺陷进行物化分析有利于判断缺陷出处。目前所用的分析设备无法实现整版上机测试，需要进行裂片处理，常用手法是人为进行切片。缺陷尺寸一般为纳米级别，切片时根据检验坐标定位缺陷，该方法容易出现误差，且在上分析设备后不易区分目标缺陷。

常见缺陷会依据经验对其来源进行判断，成分分析可提高判断缺陷来源的准确性。分析光掩模缺陷来源是从根本解决缺陷产生的有效方法。对缺陷进行成分分析可提高判断缺陷出处的准确性，成分分析需要对缺陷进行精确定位，确保分析的是所需目标缺陷。使用电子束可在缺陷位置处做易于定位缺陷的处理，多数设备不具备电子束做精准定位功能，即多数设备不具备整版上机做电子束做精准定位。裂片处理根据检验坐标定位缺陷，对于纳米级别的缺陷会存在位置误差。因此，虽然对光掩模缺陷进行物化分析有利于判断缺陷出处，但是分析设备无法实现整版上机测试分析，需要进行裂片处理。裂片处理根据检验坐标定位缺陷，对于纳米级别的缺陷会存在位置误差，光掩模裂片样品上分析设备后不易定位和区分目标缺陷。

基于此，以下结合附图，说明本申请各实施例提供的技术方案。

本说明书实施例提出了一种利于定位光掩模缺陷位置的方法，如图1所示，包括如下步骤：

标记制作步骤：在光掩模上的目标缺陷位置通过技术流程制作出标记图形。

光掩模处理步骤：通过定位标记图形，对在目标缺陷位置制作标记图形的光掩模进行处理分析，判断目标缺陷出处。

一实施例中，在所述标记制作步骤中，所述标记图形为由内到外呈由小到大设置的图形，以实现标记图形肉眼可见。

一实施例中，在所述标记制作步骤中，通过对光掩模进行曝光操作，将标记图形制作在光掩模上的目标缺陷位置。

一实施例中，在所述标记制作步骤中，所述标记图形设置有框住目标缺陷的标记框，被配置为用于显示目标缺陷。标记框与目标缺陷隔开，标记框与目标缺陷不产生干涉，例如标记框为方形、圆形等形状。标记图形可以为开设的定位槽状、通过二次曝光等手段制作的标记图形或粘贴等手段设置的定位实体件。标记框也可以设计为定位槽中的标记槽、标记图形中的标记框图形或定位实体件中的标记实体件。标记框的尺寸能够应用于或者说容纳纳米级别的目标缺陷尺寸。标记图形只需满足从内而外增大到肉眼可辨识，标记图形可以是放射状、可以是圆形、外延方框等等。整个标识图形大小为1mm以上，达到在肉眼可视范围即可。中心留空不会覆盖到缺陷即可。

一实施例中，在所述标记制作步骤中，所述标记图形还设置有围绕标记框的多个分支，多个分支连接在标记框外。例如分支对称且均匀设置，分支每间隔预设角度设置，例如相邻分支间隔90度，分支设置为四个，例如呈十字标记设置。标记框位于十字中心位置。

一实施例中，在所述标记制作步骤中，多个所述分支以标记框为基础，由内向外呈由小到大设置。

一实施例中，在所述标记制作步骤中，所述分支通过划分多个分支块叠摞构成，且多个分支块垂直于叠摞方向的尺寸由内到外呈由小到大设置。叠摞的分支块沿叠摞方向的中心轴线对称设置，对称的两侧呈阶梯状设置。分支也可直接用斜线设计、仍在此专利应用范围，图1中呈阶梯状设计，也可以理解为在曝光时将格点放大，斜线根据格点切割为阶梯型。分支也可以设计为定位槽中的分支槽、标记图形中的分支图形或定位实体件中的分支实体件。分支实体件通过粘贴等固定手段设置在光掩模上。

一实施例中，在所述标记制作步骤中，所述标记框位于标记图形的中心位置。

一实施例中，在所述光掩模处理步骤中，通过定位光掩模上的标记图形，对光掩模进行裂片处理，得到在目标缺陷位置制作标记图形的样品，定位样品上的标记图形，对样品上的目标缺陷进行分析，判断目标缺陷出处。

本申请在光掩模上写上肉眼可见的Mark(标记图形)，裂片处理时可快速且准确的确定缺陷位置。Mark图像由内向外呈由小到大的图形，上机观测定位依旧可见Mark图形，利于定位和区分目标缺陷。缺陷尺寸一般为纳米级别，肉眼不可见。一般的分析设备无法实现整版光罩上机测试，需要事先进行裂片处理，常用手法是通过人眼识别定位。测试阶段会提前将切片图形进行可观化设计、但实际缺陷周围图形是不可视的，仅通过坐标定位难度很高。而且即使不需要裂片、很多分析设备不配置电子束显微镜放大观测功能也无法定位查找目标缺陷。因此在光掩模上制作设计由内到外逐渐增大的标记图形：在内为缺陷同量级尺寸，在外延伸至肉眼可视化尺寸。裂片处理时可快速且准确的确定缺陷位置。分析检测设备上机观测也可轻松找到标识图形，利于定位和区分目标缺陷。

对光掩模进行加做二次曝光流程，例如对现有光掩模增加一轮二次曝光流程，将定位缺陷的Mark图案形成光掩模上，通过定位Mark在裂片处理及分析设备上准确定位缺陷位置。因用于缺陷分析的前一光罩已报废，通过二次曝光或其他流程在后一光罩大面积上二次制作新的定位标识图形。二次曝光即是重新涂敷光刻胶，进行光刻显影刻蚀产生新的图形，因为标记图形有明显的特征，将覆盖原光罩图形使得可以辨识出来。二次曝光流程是正常技术流程，会有图形对准功能，不会干涉缺陷位置。一次曝光为光罩制作，本申请是针对已制作完成的光罩进行的二次曝光。

如图1所示，Mark图形样式不做限制，具备同样工业图像均属于本申请范畴，图1中为6*6英寸的光掩模。Mark表示标记，Defect表示缺陷。

成分分析过程中需要准确找到目标缺陷，如没有特殊易辨识的标志，目标缺陷不易被找到且容易与其他缺陷混淆。本发明利用加做二次曝光流程在光掩模上制作出具有定位特性的标志图形，裂片处理时能快速有效的定位缺陷位置。成分分析过程中可有效提高目标缺陷的辨识度，便于找到和区分目标缺陷。本发明适用于光掩模缺陷分析过程中难定位的情况，可有效提高目标缺陷的辨识度，利于制样及在分析设备上便于找到和区分目标缺陷，即利于裂片制样及在分析设备上便于找到和区分目标缺陷。

本发明适用于对光掩模进行缺陷分析需准确定位缺陷位置的情况，可利于裂片制样及分析时快速找到缺陷位置，提高分析目标对象的精确度。即可适用于各类光掩模缺陷分析位置难定位的情况，可有效提高裂片时缺陷位置的准确性，在分析设备上便于找到和区分目标缺陷。

本说明书实施例还提供了一种利于定位光掩模缺陷位置的系统，包括如下模块：

标记制作模块：在光掩模上的目标缺陷位置通过技术流程制作出标记图形。

光掩模处理模块：通过定位标记图形，对在目标缺陷位置制作标记图形的光掩模进行处理分析，判断目标缺陷出处。

本说明书中，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例侧重说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于后面说明的实施例而言，描述比较简单，相关之处参见前述实施例的部分说明即可。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种利于定位光掩模缺陷位置的方法，其特征在于，包括如下步骤：

标记制作步骤：在光掩模上的目标缺陷位置制作出标记图形；

光掩模处理步骤：通过定位标记图形，对在目标缺陷位置制作标记图形的光掩模进行处理分析，判断目标缺陷出处。

2.根据权利要求1所述的利于定位光掩模缺陷位置的方法，其特征在于，在所述标记制作步骤中，所述标记图形为由内到外呈由小到大设置的图形。

3.根据权利要求1所述的利于定位光掩模缺陷位置的方法，其特征在于，在所述标记制作步骤中，通过对光掩模进行曝光操作，将标记图形制作在光掩模上的目标缺陷位置。

4.根据权利要求1所述的利于定位光掩模缺陷位置的方法，其特征在于，在所述标记制作步骤中，所述标记图形设置有框住目标缺陷的标记框，被配置为用于显示目标缺陷。

5.根据权利要求4所述的利于定位光掩模缺陷位置的方法，其特征在于，在所述标记制作步骤中，所述标记图形还设置有围绕标记框的多个分支，多个分支连接在标记框外。

6.根据权利要求5所述的利于定位光掩模缺陷位置的方法，其特征在于，在所述标记制作步骤中，多个所述分支以标记框为基础，由内向外呈由小到大设置。

7.根据权利要求6所述的利于定位光掩模缺陷位置的方法，其特征在于，在所述标记制作步骤中，所述分支通过划分多个分支块叠摞构成，且多个分支块垂直于叠摞方向的尺寸由内到外呈由小到大设置。

8.根据权利要求4所述的利于定位光掩模缺陷位置的方法，其特征在于，在所述标记制作步骤中，所述标记框位于标记图形的中心位置。

9.根据权利要求1所述的利于定位光掩模缺陷位置的方法，其特征在于，在所述光掩模处理步骤中，通过定位光掩模上的标记图形，对光掩模进行裂片处理，得到在目标缺陷位置制作标记图形的样品，定位样品上的标记图形，对样品上的目标缺陷进行分析，判断目标缺陷出处。

10.一种利于定位光掩模缺陷位置的系统，其特征在于，包括如下模块：

标记制作模块：在光掩模上的目标缺陷位置制作出标记图形；

光掩模处理模块：通过定位标记图形，对在目标缺陷位置制作标记图形的光掩模进行处理分析，判断目标缺陷出处。