CN118338706A - 窗和包括窗的显示装置 - Google Patents
窗和包括窗的显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN118338706A CN118338706A CN202410019173.1A CN202410019173A CN118338706A CN 118338706 A CN118338706 A CN 118338706A CN 202410019173 A CN202410019173 A CN 202410019173A CN 118338706 A CN118338706 A CN 118338706A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- window
- disposed
- oxide
- fluoride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 67
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims abstract description 66
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 38
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 claims abstract description 20
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 19
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminium flouride Chemical compound F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 10
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 10
- XASAPYQVQBKMIN-UHFFFAOYSA-K ytterbium(iii) fluoride Chemical compound F[Yb](F)F XASAPYQVQBKMIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 10
- 229940105963 yttrium fluoride Drugs 0.000 claims abstract description 10
- RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K yttrium(iii) fluoride Chemical compound F[Y](F)F RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 34
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 21
- CHBIYWIUHAZZNR-UHFFFAOYSA-N [Y].FOF Chemical compound [Y].FOF CHBIYWIUHAZZNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 10
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 6
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910003454 ytterbium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229940075624 ytterbium oxide Drugs 0.000 claims description 4
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 claims description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 692
- 239000000463 material Substances 0.000 description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 34
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 26
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 23
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 20
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 238000000869 ion-assisted deposition Methods 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 6
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 5
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 5
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101150080924 CNE1 gene Proteins 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 3
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- -1 moisture Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003666 anti-fingerprint Effects 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012854 evaluation process Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
提供了窗和包括窗的显示装置。窗包括基础层、设置在基础层上的第一层、设置在第一层上的第二层、设置在第二层上的第三层以及设置在第三层上的第四层。第二层包括二氧化硅(SiO2)、熔融硅石、掺氟熔融硅石、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化铝(AlF3)、氟化钇(YF3)、氟化镱(YbF3)、氧化铝(Al2O3)和/或氧化镁(MgO)。第三层包括铁(Fe)、铜(Cu)、镍(Ni)、锆(Zr)、铪(Hf)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铬(Cr)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)和/或钛(Ti)。
Description
相关申请的交叉引用
本专利申请要求于2023年1月10日提交的第10-2023-0003686号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开在本文中涉及显示器,并且更具体地,涉及窗和包括窗的显示装置。
背景技术
显示装置用于诸如电视、移动电话、平板计算机、游戏机和类似物的各种多媒体装置中,以向用户提供图像信息。近来,正在开发可折叠或可弯曲的各种类型的柔性显示装置。柔性显示装置可通过折叠、卷曲或弯曲而改变为各种形状,并且因此,电子装置可搭载柔性显示装置以更便于携带。
柔性显示装置可包括各自可折叠或可弯曲的显示面板和窗。然而,与柔性显示装置结合使用的柔性窗可能更容易被外部冲击损坏。
发明内容
窗包括基础层、设置在基础层上的第一层、设置在第一层上的第二层、设置在第二层上的第三层以及设置在第三层上的第四层。第二层包括二氧化硅(SiO2)、熔融硅石、掺氟熔融硅石、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化铝(AlF3)、氟化钇(YF3)、氟化镱(YbF3)、氧化铝(Al2O3)和/或氧化镁(MgO)。第三层包括铁(Fe)、铜(Cu)、镍(Ni)、锆(Zr)、铪(Hf)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铬(Cr)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)和/或钛(Ti)。
第三层的厚度可为约2nm至约10nm。
在约550nm的波长下,第二层的折射率可为约1.3至约1.6。
第二层可包括二氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)和/或氧化铝(Al2O3)。
第二层可直接设置在第一层上,第三层可直接设置在第二层上,并且第四层可直接设置在第三层上。
第一层可包括氟化镁(MgF2)和/或氧化镁(MgO)。
第一层还可包括氟氧化钇(YOF)。
第一层可包括其中混合有氧化镁、氟化镁和氟氧化钇的固溶体。
在约550nm的波长下,第四层的上表面上的反射率可为约6.0%或更小。
第四层可包括含氟聚合物。
在约550nm的波长下,第一层的折射率可为约1.3至约1.5,并且在约550nm的波长下,第四层的折射率可为约1.3至约1.5。
基础层可包括玻璃衬底或聚合物膜。
第一层的厚度可为约50nm至约90nm,第二层的厚度可为约10nm至约25nm,并且第四层的厚度可为约20nm至约45nm。
窗还可包括设置在基础层与第一层之间并且包括氧化镁的第五层。
窗还可包括设置在基础层与第一层之间并且包括氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铌(Nb2O5)、氧化钛(TiO2)、氧化镱(Y2O3)、氮化硅(Si3N4)、钛酸锶(SrTiO3)、氧化钨(WO3)和/或氮化铝(AlN)的第六层。
窗还可包括设置在基础层下方并且包括氧化镁、氟化镁和/或氟氧化钇的第七层。
显示装置包括显示模块和设置在显示模块上的窗。窗包括基础层、设置在基础层上的第一层、设置在第一层上的第二层、设置在第二层上的第三层以及设置在第三层上的第四层。第二层包括二氧化硅(SiO2)、熔融硅石、掺氟熔融硅石、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化铝(AlF3)、氟化钇(YF3)、氟化镱(YbF3)、氧化铝(Al2O3)和/或氧化镁(MgO)。第三层包括铁(Fe)、铜(Cu)、镍(Ni)、锆(Zr)、铪(Hf)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铬(Cr)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)和/或钛(Ti)。
显示模块可包括基础衬底、设置在基础衬底上的电路层、设置在电路层上并且包括多个发光元件的发光元件层以及设置在发光元件层上的抗反射层。抗反射层可包括其中限定有与多个发光元件分别重叠的多个分隔开口的分隔层以及分别与多个分隔开口对应地设置的多个滤色器。
第一层可隔着基础层与显示模块间隔开。
第四层的上表面可限定窗的最外表面。
附图说明
附图被包括以提供对本发明构思的进一步理解,并且附图被并入并构成本说明书的一部分。附图示出了本发明构思的示例性实施方式,并且与描述一起用于解释本发明构思的原理。在附图中:
图1A是根据本发明构思的实施方式的显示装置的透视图;
图1B是根据本发明构思的实施方式的显示装置的分解透视图;
图2是根据本发明构思的实施方式的显示装置的剖面图;
图3是示出根据本发明构思的实施方式的显示模块的一部分的剖面图;以及
图4A至图4D是根据本发明构思的实施方式的窗的剖面图。
具体实施方式
在本公开中,当元件(或区、层、部分等)被称为在另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时,这意味着该元件可直接设置在另一元件上、直接连接到/联接到另一元件,或者在它们之间可设置有一个或多个附加元件。
在整个说明书和附图中,相似的附图标记可指示相似的元件。另外,在附图中,为了有效地描述技术内容,元件的厚度、比例和尺寸可被夸大。术语“和/或”包括相关联的元件中的一个或多个可限定的任何和所有组合。
应理解,虽然术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件,但是这些元件不应必须受这些术语的限制。这些术语可用于将一个元件与另一个区分开。例如,在不背离本发明的权利范围的情况下,第一元件可被称为第二元件,并且第二元件也可以类似的方式被称为第一元件。除非上下文另有明确指示,否则单数形式的术语可包括复数形式。
另外,诸如“下方”、“下部”、“上方”、“上部”和类似词语的术语用于描述附图中所示的元件的关系。这些术语用作相对概念,并且参照附图中指示的方向进行描述。
应理解,术语“包括”或“具有”旨在指定本公开中所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在,但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在或添加。相反,术语“由……组成”旨在排除其它元件。
在本公开中,“直接设置”可意味着不存在添加在层、膜、区、板或类似物的一部分与其它部分之间的层、膜、区、板或类似物。例如,“直接设置”可意味着在两个层或两个元件之间没有诸如粘合元件的附加元件的情况下设置。
在下文中,将参照附图对本发明构思的实施方式进行描述。
图1A是根据本发明构思的实施方式的显示装置的透视图。图1B是根据本发明构思的实施方式的显示装置的分解透视图。
参照图1A,显示装置DD可为根据电信号激活的装置。显示装置DD可显示图像IM并且感测诸如由触摸屏的动作产生的外部输入。显示装置DD可被搭载到各种不同类型的装置中。例如,显示装置DD可为平板计算机、膝上型计算机、计算机监视器、智能电视和类似物的部分。在本实施方式中,显示装置DD被示例性地示出为智能电话。
显示装置DD可在与第一方向DR1和第二方向DR2中的每个平行的显示表面FS上朝向第三方向DR3显示图像IM。在其上显示图像IM的显示表面FS可对应于显示装置DD的前表面,并且可对应于窗WM的前表面FS。在下文中,相同的附图标记可用于显示装置DD的显示表面和前表面,并且用于窗WM的前表面。图像IM可包括运动图像和静止图像两者。在图1A中,作为图像IM的实例,示出了时钟和多个图标。
在本实施方式中,每个元件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)基于其中显示图像IM的方向来限定。前表面和后表面在第三方向DR3上彼此相对,并且前表面和后表面中的每个的法线方向可与第三方向DR3平行。前表面与后表面之间在第三方向DR3上的分离距离可对应于显示装置DD在第三方向DR3上的厚度。由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向为相对概念,并且可转换为不同的方向。在下文中,第一方向至第三方向分别为由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向,并且被赋予相同的附图标记。另外,在本公开中,“在平面上”或“在平面图中”可意味着当在第三方向DR3上观察时。
根据本发明构思的实施方式的显示装置DD可感测从外部施加的用户输入。用户输入包括各种形式的外部输入,诸如由用户的身体的一部分进行的触摸、光、热或压力。用户输入可以各种形式提供,并且取决于显示装置DD的结构,显示装置DD可感测施加到显示装置DD的侧表面或后表面的用户输入,但是本发明构思的实施方式不一定限于任一个实施方式。
如图1A和图1B中所示,显示装置DD包括窗WM、显示模块DM和外壳HU。在本实施方式中,窗WM和外壳HU联接在一起以构成所示的显示装置DD的外观。在本实施方式中,外壳HU、显示模块DM和窗WM可沿第三方向DR3顺序地堆叠。
窗WM可包括光学透明材料。窗WM可包括绝缘面板。例如,窗WM可由玻璃、塑料或其组合组成。
如上所述,窗WM的前表面FS限定显示装置DD的前表面。透射区TA可为光学透明区。例如,透射区TA可为具有约90%或更高的可见光透射率的区。
边框区BZA可为与透射区TA相比具有相对低的透光率的区。边框区BZA限定透射区TA的形状。边框区BZA可与透射区TA相邻,并且可至少部分地围绕透射区TA。
边框区BZA可具有预定颜色。边框区BZA可覆盖显示模块DM的外围区NAA以阻挡从外部观察到外围区NAA。然而,该布置仅是示例性地示出的,并且在窗WM中,根据本发明构思的实施方式,边框区BZA可被省略。
显示模块DM可显示图像IM并且可感测外部输入。图像IM可显示在显示模块DM的前表面IS上。显示模块DM的前表面IS包括有源区AA和外围区NAA。有源区AA可为根据电信号激活的区。
在本实施方式中,有源区AA可为其中图像IM被显示的区,并且同时可为其中感测外部输入的区。透射区TA至少与有源区AA重叠。例如,透射区TA与有源区AA的前表面或至少一部分重叠。相应地,用户可通过透射区TA视觉地识别图像IM,或者可提供外部输入。然而,这仅为示例性的,并且在有源区AA中,其中图像IM被显示的区和其中感测外部输入的区可彼此分离,但是本发明构思的实施方式不一定限于任一个实施方式。
外围区NAA可为由边框区BZA覆盖的区。外围区NAA与有源区AA相邻。外围区NAA可至少部分地围绕有源区AA。在外围区NAA中,可设置有用于驱动有源区AA的驱动电路、驱动线或类似物。
显示模块DM可包括显示面板和传感器层。可实质上在显示面板上显示图像IM,并且可实质上在传感器层中感测外部输入。显示模块DM包括显示面板和传感器层两者,并且因此可同时显示图像IM并且感测外部输入。稍后将给出其详细描述。
实施方式的显示装置DD还可包括驱动电路。驱动电路可包括柔性电路板和主电路板。柔性电路板可电连接到显示模块DM。柔性电路板可将显示模块DM和主电路板彼此连接。然而,这是示例性地示出的,并且根据本发明构思,柔性电路板可不连接到主电路板,或者柔性电路板可为刚性衬底。
柔性电路板可连接到显示模块DM的设置在外围区NAA中的焊盘。柔性电路板可向显示模块DM提供用于驱动显示模块DM的电信号。电信号可在柔性电路板中生成或者可在主电路板中生成。主电路板可包括用于驱动显示模块DM的各种驱动电路、用于供给电力的连接器或类似物。主电路板可通过柔性电路板连接到显示模块DM。
图1B示例性地示出了处于展开状态的显示模块DM,但是显示模块DM的至少一部分可被弯曲。在本实施方式中,显示模块DM的一部分可朝向显示模块DM的后表面弯曲,并且朝向后表面弯曲的部分可为与主电路板连接的部分。相应地,主电路板可在与显示模块DM的后表面重叠的同时被组装。
外壳HU联接到窗WM并且限定显示装置DD的外观。外壳HU提供预定的内部空间。显示模块DM可容纳在内部空间中。
外壳HU可包括具有相对高的刚性的材料。例如,外壳HU可包括玻璃、塑料或金属,或者可包括由其组合组成的多个框架和/或板。外壳HU可稳定地保护显示装置DD的容纳在内部空间中的部件免受外部冲击的影响。
图2是根据本发明构思的实施方式的显示装置的剖面图。
参照图2,显示装置DD可包括显示模块DM和窗WM。显示模块DM和窗WM可用粘合层AD彼此联接。在实施方式的显示装置DD中,显示模块DM可包括显示面板100、传感器层200和抗反射层300。在显示模块DM的多个层之中,抗反射层300可通过粘合层AD联接到窗WM。
显示面板100可为实质上生成图像的部件。显示面板100可为发光型显示面板。例如,显示面板100可为有机发光显示面板、无机发光显示面板、微型LED显示面板或纳米LED显示面板。显示面板100也可被称为显示层。
显示面板100可包括基础衬底110、电路层120、发光元件层130和封装层140。
基础衬底110可为提供在其上设置有电路层120的基础表面的元件。基础衬底110可为刚性衬底,或者为能够弯曲、折叠、卷曲和类似行为的柔性衬底。基础衬底110可为玻璃衬底、金属衬底、聚合物衬底或类似物。然而,本发明构思的实施方式不一定限于此,并且基础衬底110可为无机层、有机层或复合材料层。
基础衬底110可具有多层结构。例如,基础衬底110可包括第一合成树脂层、多层或单层的无机层以及设置在多层或单层的无机层上方的第二合成树脂层。第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每个可包括聚酰亚胺基树脂,但是不一定限于此。
电路层120可设置在基础衬底110上。电路层120可包括绝缘层、半导体图案、导电图案、信号线和类似物。
发光元件层130可设置在电路层120上。发光元件层130可包括发光元件。例如,发光元件可包括有机发光材料、无机发光材料、有机-无机发光材料、量子点、量子棒、微型LED或纳米LED。
封装层140可设置在发光元件层130上。封装层140可保护发光元件层130免受诸如湿气、氧气和灰尘粒子的异物的影响。封装层140可包括至少一个无机层。封装层140可包括无机层/有机层/无机层的堆叠结构。
传感器层200可设置在显示面板100上。传感器层200可感测外部输入。外部输入可为用户输入。用户输入可包括各种形式的外部输入,诸如用户的身体的一部分、光、热、笔、压力或类似物。
传感器层200可通过连续工艺提供在显示面板100上。在这种情况下,传感器层200可直接设置在显示面板100上。此处,“直接设置”可意味着在传感器层200与显示面板100之间不设置第三部件。例如,单独的粘合元件可不设置在传感器层200与显示面板100之间。
抗反射层300可直接设置在传感器层200上。抗反射层300可降低从显示装置DD的外部入射的外部光的反射率。抗反射层300可通过连续工艺提供在传感器层200上方。抗反射层300可包括滤色器。滤色器可具有预定布置。例如,滤色器可考虑包括在显示面板100中的像素的光发射颜色来布置。另外,抗反射层300还可包括与滤色器相邻的黑矩阵。稍后将详细描述抗反射层300。
在本发明构思的实施方式中,传感器层200可被省略。在这种情况下,抗反射层300可直接设置在显示面板100上。在本发明构思的实施方式中,传感器层200和抗反射层300的位置是可互换的。
在本发明构思的实施方式中,显示装置DD还可包括设置在抗反射层300上方的光学层。例如,光学层可通过连续工艺形成在抗反射层300上方。光学层可通过控制从显示面板100入射的光的方向来增加显示装置DD的前表面亮度。例如,光学层可包括其中限定有与包括在显示面板100中的像素的发光区分别对应的开口的有机绝缘层以及覆盖有机绝缘层并且填充在开口中的高折射层。高折射层可具有比有机绝缘层的折射率高的折射率。
窗WM可提供显示装置DD的前表面。窗WM可包括玻璃膜或合成树脂膜作为基础膜。窗WM还可包括诸如抗反射层或抗指纹层的功能层。将参照图4A至图4D详细描述包括在窗WM中的功能层。窗WM还可包括与上述边框区BZA(参见图1B)重叠的边框图案。
图3是示出根据本发明构思的实施方式的显示模块的一部分的剖面图。在图3中,示出了包括在显示模块DM中的一个发光元件LD和像素电路PC的部分剖面。
包括在实施方式的显示模块DM中的显示面板100可包括基础衬底110。基础衬底110可为提供在其上设置有电路层120的基础表面的元件。基础衬底110可为玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底或硅衬底。然而,本发明构思的实施方式不一定限于此,并且基础衬底110可为无机层、有机层或复合材料层。
缓冲层10br可设置在基础衬底110上。缓冲层10br可防止其中来自基础衬底110的金属原子或杂质扩散到位于上侧上的第一半导体图案SP1中的现象。第一半导体图案SP1包括硅晶体管S-TFT的沟道区AC1。缓冲层10br可控制在用于形成第一半导体图案SP1的结晶工艺期间提供热量的速率以允许第一半导体图案SP1被均匀地形成。
第一半导体图案SP1可设置在缓冲层10br上。第一半导体图案SP1可包括硅半导体。例如,硅半导体可包括非晶硅、多晶硅、单晶硅或类似物。例如,第一半导体图案SP1可包括低温多晶硅。
图3示出了设置在缓冲层10br上的第一半导体图案SP1的一部分,并且第一半导体图案SP1还可设置在其它区中。第一半导体图案SP1可根据特定规则跨像素布置。第一半导体图案SP1可具有取决于其是否被掺杂而不同的电性质。第一半导体图案SP1可包括具有相对高的电导率的第一区和具有相对低的电导率的第二区。第一区可掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可包括已掺杂有P型掺杂剂的掺杂区,并且N型晶体管可包括已掺杂有N型掺杂剂的掺杂区。第二区可为非掺杂区或者掺杂到比第一区的浓度低的浓度的区。
第一区的电导率可大于第二区的电导率,并且第一区可实质上用作电极或信号线。第二区可实质上对应于晶体管的有源区(或沟道)。第一半导体图案SP1的一部分可为晶体管的有源区,第一半导体图案SP1的另一部分可为晶体管的源极或漏极,并且第一半导体图案SP1的其它部分可为连接电极或连接信号线。
硅晶体管S-TFT的源极区SE1(或源极)、沟道区AC1(或沟道)和漏极区DE1(或漏极)可由第一半导体图案SP1形成。在剖面上,源极区SE1和漏极区DE1可从沟道区AC1在相反的方向上延伸。
背部金属层可分别设置在硅晶体管S-TFT下面和氧化物晶体管O-TFT下面。背部金属层可与像素电路PC重叠,并且可阻挡外部光到达像素电路PC。背部金属层可设置在基础衬底110与缓冲层10br之间。替代性地,背部金属层可设置在第二绝缘层20与第三绝缘层30之间。背部金属层可包括反射金属。例如,背部金属层可包括银(Ag)、含银合金、钼(Mo)、含钼合金、铝(Al)、含铝合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、p+掺杂非晶硅或类似物。背部金属层可连接到电极或线,并且可从电极或线接收恒定电压或信号。根据本发明构思的实施方式,背部金属层可为与另一电极或线呈孤立形式的浮置电极。在本发明构思的实施方式中,无机阻挡层可进一步设置在基础衬底110与缓冲层10br之间。
第一绝缘层10可设置在缓冲层10br上。第一绝缘层10与多个像素公共地重叠,并且可覆盖第一半导体图案SP1。第一绝缘层10可为无机层和/或有机层,并且可具有单层或多层结构。第一绝缘层10可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和/或氧化铪。在本实施方式中,第一绝缘层10可为单层的氧化硅层。不仅第一绝缘层10而且稍后将描述的电路层120的绝缘层可为无机层和/或有机层,并且可具有单层结构或多层结构。无机层可包括上述材料中的至少一种,但是不一定限于此。
硅晶体管S-TFT的栅极GT1设置在第一绝缘层10上。栅极GT1可为金属图案的一部分。栅极GT1与沟道区AC1重叠。在掺杂第一半导体图案SP1的工艺中,栅极GT1可用作掩模。栅极GT1可包括钛(Ti)、银(Ag)、含银合金、钼(Mo)、含钼合金、铝(Al)、含铝合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或类似物,但是不一定限于此。
第二绝缘层20设置在第一绝缘层10上,并且可覆盖栅极GT1。第三绝缘层30可设置在第二绝缘层20上。存储电容器Cst的第二电极CE20可设置在第二绝缘层20与第三绝缘层30之间。另外,存储电容器Cst的第一电极CE10可设置在第一绝缘层10与第二绝缘层20之间。
第二半导体图案SP2可设置在第三绝缘层30上。第二半导体图案SP2可包括稍后将描述的氧化物晶体管O-TFT的沟道区AC2。第二半导体图案SP2可包括氧化物半导体。第二半导体图案SP2可包括透明导电氧化物(TCO),诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)或类似物。
氧化物半导体可包括取决于透明导电氧化物是否已被还原而区分的多个区。其中透明导电氧化物已被还原的区(在下文中,还原区)具有比其中透明导电氧化物未被还原的区(在下文中,非还原区)的电导率大的电导率。还原区实质上用作晶体管的源极/漏极或信号线。非还原区实质上对应于晶体管的半导体区(或者有源区或沟道)。第二半导体图案SP2的部分区可为晶体管的半导体区,第二半导体图案SP2的另一部分区可为晶体管的源极区/漏极区,并且第二半导体图案SP2的其它部分区可为信号传输区。
氧化物晶体管O-TFT的源极区SE2(或源极)、沟道区AC2(或沟道)和漏极区DE2(或漏极)可由第二半导体图案SP2形成。在剖面上,源极区SE2和漏极区DE2可从沟道区AC2在相反的方向上延伸。
第四绝缘层40可设置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40与多个像素公共地重叠,并且可覆盖第二半导体图案SP2。第四绝缘层40与氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2重叠,并且可以暴露氧化物晶体管O-TFT的源极区SE2和漏极区DE2的绝缘图案的形式提供。
氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2设置在第四绝缘层40上。氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2可为金属图案的一部分。氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2与沟道区AC2重叠。
第五绝缘层50设置在第四绝缘层40上,并且可覆盖栅极GT2。第一连接电极CNE1可设置在第五绝缘层50上。第一连接电极CNE1可通过穿过第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔而连接到硅晶体管S-TFT的漏极区DE1。
第六绝缘层60可设置在第五绝缘层50上。第二连接电极CNE2可设置在第六绝缘层60上。第二连接电极CNE2可通过穿过第六绝缘层60的接触孔而连接到第一连接电极CNE1。第七绝缘层70设置在第六绝缘层60上,并且可覆盖第二连接电极CNE2。第八绝缘层80可设置在第七绝缘层70上。
第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80可各自为有机层。例如,第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80可各自包括通用聚合物(诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或其共混物。
发光元件LD可包括第一电极AE(或像素电极)、发光层EML和第二电极CE(或公共电极)。发光层EML和第二电极CE可各自公共地提供到多个像素。
发光元件LD的第一电极AE可设置在第八绝缘层80上。发光元件LD的第一电极AE可为(半)透射电极或反射电极。根据本发明构思的实施方式,发光元件LD的第一电极AE中的每个可包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物形成的反射层以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可利用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)和/或铝掺杂氧化锌(AZO)来提供。例如,发光元件LD的第一电极AE可包括ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定膜PDL可设置在第八绝缘层80上。像素限定膜PDL可具有吸收(或反射)光的性质,并且例如,像素限定膜PDL可具有黑色。像素限定膜PDL可包括黑色着色剂。黑色着色剂可包括黑色染料和黑色颜料。黑色着色剂可包括炭黑、金属(诸如铬)或其氧化物。像素限定膜PDL可对应于具有阻光性质的阻光图案。
像素限定膜PDL可覆盖发光元件LD的第一电极AE的一部分。例如,在像素限定膜PDL中,可限定有暴露发光元件LD的第一电极AE的一部分的开口PDL-OP。像素限定膜PDL可增加发光元件LD的第一电极AE的边缘与第二电极CE之间的距离。因此,像素限定膜PDL可用于防止在第一电极AE的边缘处出现电弧和类似物。
空穴控制层可设置在第一电极AE与发光层EML之间。空穴控制层包括空穴传输层,并且还可包括空穴注入层。电子控制层可设置在发光层EML与第二电极CE之间。电子控制层包括电子传输层,并且还可包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可使用开口掩模公共地提供到多个像素。
封装层140可设置在发光元件层130上。封装层140可包括顺序地堆叠的无机层141、有机层142和无机层143,但是构成封装层140的层不一定限于此。
无机层141和143可保护发光元件层130免受湿气和氧气的影响,并且有机层142可保护发光元件层130免受诸如灰尘粒子的异物的影响。无机层141和143可包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层或类似层。有机层142可包括丙烯酸有机层,但是不一定限于此。
传感器层200可设置在显示面板100上。传感器层200可被称为传感器、输入感测层或输入感测面板。传感器层200可包括传感器基础层210、第一导电层220、感测绝缘层230和第二导电层240。
传感器基础层210可直接设置在显示面板100上。传感器基础层210可为包括氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机层。替代性地,传感器基础层210可为包括环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺基树脂的有机层。传感器基础层210可具有单层结构或者其中多个层沿第三方向DR3堆叠的多层结构。
第一导电层220和第二导电层240中的每个可具有单层结构或者其中多个层沿第三方向DR3堆叠的多层结构。第一导电层220和第二导电层240可包括以网格形状来限定感测电极的导电线。导电线可不与开口PDL-OP重叠,并且可与像素限定膜PDL重叠。
单层结构的导电层可包括金属层或透明导电层。金属层可包括钼、银、钛、铜、铝或其合金。透明导电层可包括透明导电氧化物,诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)或类似物。另外,透明导电层可包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线、石墨烯或类似物。
多层结构的导电层可包括多个金属层。多个金属层可具有例如钛/铝/钛的三层结构。多层结构的导电层可包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
感测绝缘层230可设置在第一导电层220与第二导电层240之间。感测绝缘层230可包括无机膜。无机膜可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和/或氧化铪。
替代性地,感测绝缘层230可包括有机膜。有机膜可包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和/或苝基树脂。
抗反射层300可设置在传感器层200上。抗反射层300可包括阻光图案310、多个滤色器320和平坦化层330。
抗反射层300可降低外部光的反射率。抗反射层300包括多个滤色器320,并且多个滤色器320可具有预定布置。多个滤色器320可考虑包括在显示面板100中的像素的发射颜色来布置。在实施方式的显示模块DM中,抗反射层300可不包括相位延迟器和偏振器,并且可通过多个滤色器320来降低显示模块DM的反射率。在实施方式的显示模块DM中,抗反射层300可不包括偏振膜或偏振层。
构成阻光图案310的材料不一定限于上述材料,只要其为吸收光的材料即可。阻光图案310为具有黑色的层,并且在实施方式中,阻光图案310可包括黑色着色剂。黑色着色剂可包括黑色染料和黑色颜料。黑色着色剂可包括炭黑、金属(诸如铬)或其氧化物。
阻光图案310可覆盖传感器层200的第二导电层240。阻光图案310可防止由第二导电层240进行的外部光的反射。阻光图案310可与像素限定膜PDL的一部分重叠。
分隔开口310-OP2可限定在阻光图案310中。分隔开口310-OP2可与发光元件LD的第一电极AE重叠。多个滤色器320中的任一个可与发光元件LD的第一电极AE重叠。多个滤色器320中的任一个可覆盖分隔开口310-OP2。多个滤色器320中的每个可与阻光图案310接触。
平坦化层330可覆盖阻光图案310和滤色器320。平坦化层330可包括有机物质,并且平坦表面可提供在平坦化层330的上表面上。在本发明构思的实施方式中,平坦化层330可被省略。
图4A至图4D各自为根据本发明构思的实施方式的窗的剖面图。
参照图4A,本发明构思的实施方式的窗WM包括基础层BL、第一层LRL、第二层ML、第三层SRM和第四层FL。在实施方式的窗WM中,基础层BL、第一层LRL、第二层ML、第三层SRM和第四层FL可顺序地堆叠。
基础层BL可包括透明材料。在实施方式中,基础层BL可包括玻璃、钢化玻璃或聚合物膜。在实施方式中,基础层BL可为化学强化玻璃衬底。当基础层BL为化学强化玻璃衬底时,基础层BL可在薄的同时具有增加的机械强度,并且因此可用于可折叠显示装置的窗。当基础层BL包括聚合物膜时,基础层BL可包括聚酰亚胺(PI)膜或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。窗WM的基础层BL可具有多层结构或单层结构。例如,基础层BL可具有其中多个聚合物膜通过粘合元件联接的结构,或者可具有其中玻璃衬底和聚合物膜通过粘合剂联接的结构。基础层BL可由软材料制成。
基础层BL可具有例如约20μm至约60μm的厚度d1。优选地,基础层BL的厚度d1可为约20μm至约40μm。图4A和图4B示例性地示出了具有矩形形状的基础层BL,但是本发明构思的实施方式不一定限于此,并且根据实施方式的基础层BL可具有其中基础层BL的上表面的边缘部分通过弯折表面来倒圆的形状。例如,基础层BL可具有其中其上表面的与边框区BZA(参见图1B)重叠的边缘部分通过弯折表面来倒圆的形状。
第一层LRL为具有比基础层BL的折射率低的折射率的层,并且可为用于降低窗WM的表面反射率的层。第一层LRL可设置在基础层BL上。第一层LRL可为直接设置在基础层BL上的层。第一层LRL设置在基础层BL的上表面上,并且基础层BL的下表面可为与上述显示模块DM(参见图2)相邻的表面。例如,第一层LRL可隔着基础层BL与显示模块DM间隔开。
第一层LRL可包括具有低折射率并且对基础层BL具有优异的粘合力的材料。第一层LRL可包括第一材料,并且第一材料可包括具有比包括在基础层BL中的材料的折射率低的折射率的材料。包括在第一层LRL中的第一材料可包括二氧化硅(SiO2)、熔融硅石、掺氟熔融硅石、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化铝(AlF3)、氟化钇(YF3)、氟化镱(YbF3)、氧化铝(Al2O3)和/或氧化镁(MgO)。例如,第一层LRL可包括氟化镁(MgF2)和/或氧化镁(MgO)作为第一材料。
在实施方式中,第一层LRL可包括氟化镁(MgF2)。第一层LRL可为由氟化镁组成的单个层。
替代性地,除了氟化镁之外,第一层LRL还可包括氧化镁(MgO)和氟氧化钇(YOF)。第一层LRL可包括在结构中包含氧化镁的固溶体。第一层LRL可包括例如其中混合有氧化镁、氟化镁和氟氧化钇的固溶体。
第一层LRL可具有例如约50nm至约90nm的厚度d2。当第一层LRL的厚度d2小于约50nm时,窗WM的表面反射率可能无法充分降低。当第一层LRL的厚度d2大于约90nm时,窗WM的总厚度会增加,从而过度增加显示装置的整体厚度。
在约550nm的波长下,第一层LRL的折射率可为约1.3至约1.5。在实施方式的窗WM中,在约550nm的波长下,第一层LRL的折射率可为约1.38至约1.40。当在约550nm的波长下,第一层LRL的折射率满足该范围时,窗WM的表面反射率可降低。
第一层LRL可通过离子辅助沉积工艺来提供。如上所述,第一层LRL可通过氧化镁、氟化镁和氟氧化钇来提供。在提供第一层LRL的工艺中,以粒子的形式将氧化镁、氟化镁和氟氧化钇中的每个沉积在基础层BL的表面上,而在沉积工艺期间一起提供电离的氩气(Ar)或氧气(O2),以使得可增加沉积膜对基础层BL的表面的粘合力。替代性地,第一层LRL由氟化镁的单一材料形成,并且以粒子的形式将氟化镁沉积在基础层BL的表面上,而在沉积工艺期间一起提供电离的氩气(Ar)或氧气(O2),以使得可增加沉积膜对基础层BL的表面的粘合力。
第一层LRL可具有由单一材料形成的单层结构。第一层LRL可为由如上所述的氟化镁形成的单个层,或者为由其中混合有氧化镁、氟化镁和氟氧化钇的固溶体形成的单个层。例如,第一层LRL可不包括多个层。
第二层ML设置在第一层LRL上,并且可为用于增加第一层LRL与第三层SRM之间的粘合力的层。第二层ML可为相对于第一层LRL和第三层SRM中的每个具有优异的粘合力的粘合促进剂,从而增加第一层LRL与第三层SRM之间的层间粘合力。第二层ML可直接设置在第一层LRL上。
第二层ML在具有低折射性质的同时具有优异的机械强度,并且可包括用于增加粘合力的材料。第二层ML可包括第二材料,并且第二材料可包括具有比包括在基础层BL中的材料的折射率低的折射率的材料。包括在第二层ML中的第二材料可包括二氧化硅(SiO2)、熔融硅石、掺氟熔融硅石、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化铝(AlF3)、氟化钇(YF3)、氟化镱(YbF3)、氧化铝(Al2O3)和/或氧化镁(MgO)。例如,第二材料可包括二氧化硅(SiO2或硅石)、氧化镁(MgO)和/或氧化铝(Al2O3)。
在实施方式中,第二层ML可包括氧化镁(MgO)。除了氧化镁之外,第二层ML还可包括二氧化硅(SiO2)。第二层ML可包括在结构中包含氧化镁的固溶体。第二层ML可包括例如其中混合有氧化镁和二氧化硅的固溶体。因为第二层ML包括包含氧化镁的固溶体,所以可增加其对也包含氧化镁的第一层LRL的粘合力。与第一层LRL一样,第二层ML也可通过离子辅助沉积工艺来提供。
替代性地,第二层ML可包括具有氧化铝和二氧化硅的固溶体。第二层ML可包括例如其中混合有氧化铝和二氧化硅的固溶体。例如,包括在第二层ML中的第二材料可具有包含Si9Al2O10的固溶体结构。
第二层ML可具有例如约10nm至约25nm的厚度d3。当第二层ML的厚度d3小于约10nm时,可能无法实现增加第一层LRL与第三层SRM之间的粘合力的作用,并且窗WM的机械强度可能降低。当第二层ML的厚度d3大于约25nm时,窗WM的反射率可能增加,并且窗WM的总厚度会增加,从而过度增加显示装置的整体厚度。
在约550nm的波长下,第二层ML的折射率可为约1.3至约1.6。在实施方式的窗WM中,在约550nm的波长下,第二层ML的折射率可为约1.45至约1.50。当在约550nm的波长下,第二层ML的折射率满足该范围时,窗WM的表面反射率可降低。与第一层LRL相比,第二层ML可具有高折射率。
第二层ML可具有由单一材料形成的单层结构。第二层ML可为由如上所述的其中混合有氧化镁和二氧化硅的固溶体形成的单个层,或者为由其中混合有氧化铝和二氧化硅的固溶体形成的单个层。第二层ML可为由Si9Al2O10形成的单个层。例如,第二层ML可不包括多个层。
第三层SRM设置在第二层ML上,并且可为用于增加窗WM的耐化学性、耐溶剂性和耐研磨性的层。第三层SRM可对第二层ML和第四层FL中的每个具有优异的粘合力,从而不使窗WM的耐磨性劣化。第三层SRM可直接设置在第二层ML上。
第三层SRM可为具有优异的耐化学性和耐溶剂性的金属材料层。第三层SRM具有优异的机械强度,并且可包括具有优异的耐化学性和耐溶剂性的金属材料。第三层SRM可为包括耐溶剂金属的层。在本说明书中,“耐溶剂金属”是指具有耐受性以使得由对应的金属形成的金属膜相对于诸如醇的化学品不被磨损和丢失的金属,并且耐溶剂金属可包括例如铁(Fe)、铜(Cu)、镍(Ni)、锆(Zr)、铪(Hf)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铬(Cr)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)和/或钛(Ti)。
第三层SRM包括铁(Fe)、铜(Cu)、镍(Ni)、锆(Zr)、铪(Hf)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铬(Cr)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)和/或钛(Ti)。例如,第三层SRM可包括铁(Fe)、铜(Cu)和/或镍(Ni)。
与第一层LRL和第二层ML一样,第三层SRM也可通过离子辅助沉积工艺来提供。然而,本发明构思的实施方式不一定限于此,并且可通过各种沉积方法来提供第三层SRM。例如,第三层SRM也可通过原子层沉积(ALD)形成。
第三层SRM可具有例如约2nm至约10nm的厚度d4。当第三层SRM的厚度d4小于约2nm时,难以均匀地沉积用于形成第三层SRM的金属膜,使得无法形成具有均匀厚度的膜,并且作为结果,可能无法实现增加窗WM的耐化学性和耐溶剂性的作用。当第三层SRM的厚度d4大于约10nm时,窗WM的外部光反射率可能因厚的金属膜而增加并且可能发生色移,使得当第三层SRM施加到显示装置时,显示装置可能具有反射颜色缺陷。
第三层SRM可为包含上述耐溶剂金属中的一种的单个层,或者为包含其中混合有上述耐溶剂金属中的两种或更多种金属的合金的单个层。例如,第三层SRM可为由铁(Fe)组成的单个金属层。替代性地,第三层SRM可为由铜(Cu)或镍(Ni)组成的单个金属层。
第四层FL设置在第三层SRM上,并且可为增加窗WM的表面的滑动性质、耐刮擦性和类似性质的层。在实施方式中,第四层FL可为具有优异的抗指纹性并且抑制表面磨损的抗指纹层。第四层FL可直接设置在第三层SRM上。第四层FL设置为窗WM的最上层,并且第四层FL的上表面可限定窗WM的最上表面。
第四层FL可包括具有优异的耐刮擦性和滑动性质以及低折射性质的材料。在一个实施方式中,第四层FL可包括含氟聚合物。第四层FL可包括例如全氟聚醚(PFPE)化合物。第四层FL可包括全氟聚醚硅烷、全氟烷基醚烷氧基硅烷、全氟烷基醚共聚物或类似物。因为第四层FL包括全氟聚醚化合物,所以可增加第四层FL的抗指纹性和耐刮擦性。
第四层FL可具有例如约20nm至约45nm的厚度d5。当第四层FL的厚度d4小于约20nm时,窗WM的抗指纹性和耐刮擦性可能降低。当第四层FL的厚度d4大于约45nm时,窗WM的反射率可能增加,并且窗WM的总厚度会增加,从而过度增加显示装置的整体厚度。
在约550nm的波长下,第四层FL的折射率可为约1.3至约1.5。在实施方式的窗WM中,在约550nm的波长下,第四层FL的折射率可为约1.30至约1.35。当在约550nm的波长下,第四层FL的折射率满足该范围时,窗WM的表面反射率可降低。
设置在基础层BL上的第一层LRL、第二层ML、第三层SRM和第四层FL中的每一个的厚度的总和(d2+d3+d4+d5)可为约160nm或更小。在实施方式的窗WM中,通过使设置在窗WM的基础层BL上的第一层LRL、第二层ML、第三层SRM和第四层FL的总厚度为约160nm或更小,能够实现在具有低反射性质的同时具有优异的耐磨性、耐化学性、耐研磨性和硬度的窗WM。
在实施方式的窗WM中,在约550nm的波长下,窗WM的表面反射率可为约6.0%或更小。第四层FL设置为实施方式的窗WM的最上层,并且在约550nm的波长下,第四层FL的上表面上的反射率可为约6.0%或更小。在约550nm的波长下,第四层FL的上表面上的反射率可为约5.5%至约5.95%。在本说明书中,窗WM的“反射率”被限定为反射到外部的光相对于从窗WM的外部朝向内部入射的光的比率。反射到外部的光包括在入射后以相同角度反射的镜面反射光以及在各个方向上散射和反射的漫反射光两者。例如,在本说明书中,反射率被限定为包含镜面反射分量(SCI)的反射率。
一同参照图1B、图3和图4A,当如在实施方式的显示装置DD中那样,包括在显示模块DM中的抗反射层300包括多个滤色器320时,与其中包括偏振层的情况相比,可增加显示效率,但是可能增加反射率。在根据本发明构思的实施方式的显示装置DD中,因为窗WM包括包含具有低折射率的材料的第一层LRL、第二层ML和第四层FL,所以可降低窗WM的表面反射率。相应地,整个显示装置DD的反射率可保持在低值。
在根据本发明构思的实施方式的窗WM中,第一层LRL、第二层ML和第四层FL中的每个包括低折射材料,而第二层ML包括二氧化硅(SiO2)、熔融硅石、掺氟熔融硅石、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化铝(AlF3)、氟化钇(YF3)、氟化镱(YbF3)、氧化铝(Al2O3)和/或氧化镁(MgO)。由于第二层ML包括上述材料中的一种,所以可增加其对设置在下部并且具有低折射性质的第一层LRL的粘合力,并且作为结果,可增加窗WM的耐磨性。实施方式的窗WM包括在确保低折射性质的同时作为单层提供的第一层LRL和第二层ML的结构,其中第二层ML包括二氧化硅、熔融硅石、掺氟熔融硅石、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化铝(AlF3)、氟化钇(YF3)、氟化镱(YbF3)、氧化铝(Al2O3)和/或氧化镁(MgO),使得可增加耐磨性质和机械强度。相应地,可增加包括窗WM的显示装置DD的耐久性。
因为根据本发明构思的实施方式的窗WM包括介于第二层ML与第四层FL之间的第三层SRM,所以可增加窗WM的耐化学性和耐研磨性。当第三层SRM未设置在第二层ML与第四层FL之间时,在其中施加诸如醇的溶剂的条件下进行摩擦的耐化学性评估中或者在其中通过钢丝绒或类似物进行摩擦的耐研磨性评估中,第二层ML可能被磨损和丢失。在实施方式的窗WM中,因为包括具有优异的耐化学性和耐研磨性的耐溶剂金属的第三层SRM设置在第二层ML的上部,所以当在其中施加诸如醇的溶剂的条件下进行摩擦时,可防止其中第二层ML丢失的局限性,并且因为第二层ML由包括金属材料的第三层SRM保护,所以即使当通过钢丝绒或类似物进行摩擦时,也可防止其中第二层ML丢失的局限性。因此,可增加窗WM的耐化学性和耐研磨性,并且相应地,可增加包括窗WM的显示装置DD的耐久性和可靠性。
下面的表1示出了实例的窗的耐化学性评估的结果,并且表2示出了比较例的窗的耐化学性评估的结果。表3示出了实例的窗的耐研磨性评估的结果,并且表4示出了比较例的窗的耐研磨性评估的结果。在表1至表4中,实例的窗为具有如图4A中所示的其中第一层至第四层顺序地堆叠在基础层上的结构的窗,并且与实施方式不同,比较例的窗为具有其中不包括第三层并且第四层设置在第二层上的结构的窗。在实例的窗中,基础层由玻璃衬底形成,第一层由氟化镁(MgF2)形成且厚度为约70nm,第二层由Si9Al2O10固溶体形成且厚度为约15nm,第三层由铁(Fe)形成且厚度为约2nm,并且第四层由全氟聚醚(PFPE)形成且厚度为约36nm。除了作为实例的窗中的第三层的Fe层外,比较例的窗具有以与实例的窗的材料和厚度相同的材料和厚度形成的堆叠结构。
在表1和表2中,通过测量窗的表面的初始接触角以及在其中施加醇的条件下通过工业橡皮擦以1kgf的负载对其进行摩擦3000次之后的窗的表面的接触角中的每个,并且然后比较初始角和接触角来执行耐化学性评估。在表3和表4中,通过测量窗的表面的初始接触角以及通过钢丝绒以1kgf的负载对其进行摩擦2500或3000次之后的窗的表面的接触角中的每个来执行耐研磨性评估。
[表1]
[表2]
样品 | 初始接触角(°) | 耐化学性(醇)3K后(°) |
1 | 112.9 | 95.9 |
2 | 114.9 | 82.8 |
3 | 113.1 | 88.2 |
4 | 113.2 | 87.3 |
5 | 114.8 | 86.8 |
6 | 113.9 | 91.7 |
[表3]
样品 | 初始接触角(°) | 钢丝绒3K后(°) |
1 | 108.6 | 108.1 |
2 | 107.1 | 103.6 |
3 | 103.8 | 104.5 |
4 | 115.3 | 107.5 |
5 | 116.0 | 108.5 |
6 | 117.1 | 109.7 |
[表4]
样品 | 初始接触角(°) | 钢丝绒2.5K后(°) |
1 | 112.9 | 99.8 |
2 | 114.9 | 96.6 |
3 | 113.1 | 91.4 |
4 | 113.2 | 64.8 |
5 | 114.8 | 65.3 |
6 | 113.9 | 86.2 |
参照表1和表2的结果,能够确认的是,与比较例的窗相比,实例的窗在耐化学性评估过程后具有降低的接触角与初始接触角相比的减小程度。另外,参照表3和表4的结果,能够确认的是,与比较例的窗相比,实例的窗在耐研磨性评估过程后具有降低的接触角与初始接触角相比的减小程度。根据表1至表4的结果,能够确认的是,实例的窗通过包括介于第二层与第四层之间并且包括作为耐溶剂金属的铁(Fe)的第三层而具有增加的耐化学性和耐研磨性。
下面的表5示出了实例的窗和比较例的窗中的每个中的表面反射率和反射颜色。表5示出了在表1至表4中描述的具有实例的堆叠结构的窗的表面反射率和反射颜色以及具有比较例的堆叠结构的窗的表面反射率和反射颜色,其中,反射颜色通过基于不包含镜面反射分量(SCE)的反射来测量颜色坐标a*和b*中的每个的色移值来示出。对包括在实例和比较例中的每个中的层应用与上面在表1至表4中描述的材料相同的材料,并且在表5的实例的情况下,测量了具有不同厚度的包含铁(Fe)的第三层的三种规格的窗的表面反射率和反射颜色,并且对其它层中的每个应用与上面在表1至表4中描述的厚度相同的厚度。
[表5]
参照表5的结果,能够确认的是,尽管实例规格1和2包括具有金属材料的第三层,但是与不包括第三层的比较例的表面反射率相比,其表面反射率未显著增加,并且具有约6%或更小的值,并且能够确认的是,未发生显著色移。如在实例规格3的情况下,当第三层形成为约12nm的厚度(其是在大于10nm的范围内的厚度)时,能够确认的是,窗具有大于约6%的高的表面反射率值并且在反射颜色评估中也具有高的色移值。通过表5的结果,能够预期的是,因为实施方式的窗包括具有约10nm或更小的厚度的第三层,所以耐化学性和耐研磨性将如上所述地增加,而不显著增加表面反射率并且不具有反射颜色缺陷。
下面的表6示出了除表1至表5中描述的实例之外的实例的窗的表面反射率以及耐化学性评估和耐研磨性评估的结果。表6示出了其中在具有上述的表1至表5中描述的实例的堆叠结构的窗中分别通过Cu和Ni而不是Fe形成第三层的实例的表面反射率以及耐化学性评估和耐研磨性评估的结果。应用与在表1至表4的描述中描述的耐化学性评估和耐研磨性评估相同的耐化学性评估和耐研磨性评估。另外,对实例的窗中除第三层之外的其余层中的每个应用与在表1至表4的描述中描述的厚度和材料相同的厚度和材料,并且第三层的厚度设置为2nm。
[表6]
一起参照表2、表4和表6的结果,能够确认的是,如在实例a和实例b中的每个中,即使当通过与Fe是不同类型的耐溶剂金属的Cu和Ni分别形成第三层时,表面反射率未显著增加,并且接触角与初始接触角相比的减小程度降低。例如,通过表1至表4和表6的结果,能够确认的是,实例的窗通过包括介于第二层与第四层之间并且包括作为耐溶剂金属的铜(Cu)、镍(Ni)、铁(Fe)或类似物的第三层而具有增加的耐化学性和耐研磨性。
参照图4B,实施方式的窗WM-1还可包括设置在基础层BL与第一层LRL之间的第五层SML。
第五层SML设置在基础层BL上,并且可为用于增加基础层BL与第一层LRL之间的粘合力的层。第五层SML可为相对于基础层BL和第一层LRL中的每个具有优异的粘合力的粘合促进剂,从而增加基础层BL与第一层LRL之间的层间粘合力。第五层SML可直接设置在基础层BL上。第五层SML可与基础层BL和第一层LRL接触。
第五层SML在具有低折射性质的同时具有优异的机械强度,并且可包括用于增加粘合力的材料。在实施方式中,第五层SML可包括氧化镁(MgO)。除了氧化镁之外,第五层SML还可包括二氧化硅(SiO2)。第五层SML可包括在结构中包含氧化镁的固溶体。第五层SML可包括例如其中混合有氧化镁和二氧化硅的固溶体。因为第五层SML包括包含氧化镁的固溶体,所以可增加其对也包含氧化镁的第一层LRL的粘合力。与第一层LRL一样,第五层SML也可通过离子辅助沉积工艺来提供。
第五层SML可具有例如约5nm至约25nm的厚度。当第五层SML的厚度小于约5nm时,可能无法实现增加基础层BL与第一层LRL之间的粘合力的作用。当第五层SML的厚度大于约25nm时,窗WM-1的反射率可能增加,并且窗WM-1的总厚度会增加,从而过度增加显示装置的整体厚度。
在约550nm的波长下,第五层SML的折射率可为约1.3至约1.6。在实施方式的窗WM-1中,在约550nm的波长下,第五层SML的折射率可为约1.45至约1.50。因为在约550nm的波长下,第五层SML的折射率满足该范围,所以可降低窗WM-1的表面反射率。
参照图4C,实施方式的窗WM-2还可包括设置在基础层BL与第一层LRL之间的第六层HRL。与其它层相比,第六层HRL可为具有高折射率的层。在实施方式的窗WM-2中,在约550nm的波长下,第六层HRL的折射率可为约1.7至约3.0。在约550nm的波长下,第六层HRL的折射率可为约2.0至约2.5。在约550nm的波长下,第六层HRL的折射率可为约2.33。
第六层HRL设置在基础层BL上并且具有高折射性质,并且因此可进一步降低窗WM-2的表面反射率。由于实施方式的窗WM-2具有其中具有低折射性质的第一层LRL、第二层ML和第四层FL顺序地堆叠在具有高折射性质的第六层HRL上的结构,因此降低了窗WM-2的表面反射率,并且第六层HRL对基础层BL和第一层LRL中的每个具有优异的粘合力,使得可将基础层BL与第一层LRL之间的层间粘合力保持为高的。第六层HRL可直接设置在基础层BL上。第六层HRL可与基础层BL和第一层LRL接触。
第六层HRL在具有高折射性质的同时具有优异的机械强度,并且可包括用于增加粘合力的材料。在实施方式中,第六层HRL可包括氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铌(Nb2O5)、氧化钛(TiO2)、氧化镱(Y2O3)、氮化硅(Si3N4)、钛酸锶(SrTiO3)、氧化钨(WO3)和/或氮化铝(AlN)。例如,第六层HRL可包括氧化铌(Nb2O5)。因为第六层HRL包括氧化铌(Nb2O5)或类似物,所以第六层HRL具有位于上述范围内的高折射率,并且可相对于与第六层HRL接触的基础层BL和第一层LRL中的每个具有优异的粘合力。与第一层LRL一样,第六层HRL也可通过离子辅助沉积工艺来提供。在提供第六层HRL的工艺中,诸如氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铌(Nb2O5)、氧化钛(TiO2)、氧化镱(Y2O3)、氮化硅(Si3N4)、钛酸锶(SrTiO3)、氧化钨(WO3)、氮化铝(AlN)或类似物的高折射材料以粒子的形式沉积在基础层BL的表面上,而在沉积工艺期间一起提供离子化的氧气(O2),以使得可增加沉积膜对基础层BL的表面的粘合力。
第六层HRL可具有例如约5nm至约25nm的厚度d6。例如,第六层HRL的厚度d6可为约10nm。当第六层HRL的厚度d6小于约5nm时,窗WM-2的反射率可增加,并且可能无法实现增加基础层BL与第一层LRL之间的粘合力的作用。当第六层HRL的厚度d6大于约25nm时,窗WM-2的总厚度会增加,从而过度增加显示装置的整体厚度。
在实施方式的窗WM-2中,在约550nm的波长下,窗WM-2的表面反射率可为约5.0%或更小。第四层FL设置为实施方式的窗WM-2的最上层,并且在约550nm的波长下,第四层FL的上表面上的反射率可为约5.0%或更小。在约550nm的波长下,第四层FL的上表面上的反射率可为约4.0%至约4.5%。因为根据本发明构思的实施方式的窗WM-2还包括提供在第一层LRL与基础层BL之间的第六层HRL,所以与其中第一层LRL直接设置在基础层BL上而没有第六层HRL的情况相比,表面反射率可进一步降低。例如,在根据实施方式的窗WM-2中,具有高折射性质的第六层HRL提供在基础层BL与第一层LRL之间,使得窗WM-2可具有其中高折射层和低折射层顺序地设置在基础层BL上的结构,通过其可实现进一步降低窗WM-2的表面反射率的结构。由于诸如氧化铌(Nb2O5)的材料通过离子辅助沉积工艺沉积在基础层BL的上表面上,因此包括在窗WM-2中的第六层HRL相对于基础层BL具有高粘合力,并且因此,与其中第六层HRL被省略的窗相比,可具有相同水平的耐磨性质、耐化学性质和耐研磨性质。相应地,包括窗WM-2的显示装置可在不降低耐久性的情况下具有优异的低反射性质。
参照图4D,实施方式的窗WM-3还可包括设置在基础层BL下方的第七层CLRL。第七层CLRL可为具有低折射率的层。在实施方式的窗WM-3中,在约550nm的波长下,第七层CLRL的折射率可为约1.3至约1.5。在约550nm的波长下,第七层CLRL的折射率可为约1.38至约1.40。
第七层CLRL设置在基础层BL下方,并且可进一步降低窗WM-3的表面反射率。另外,因为实施方式的窗WM-3还包括设置在基础层BL下方的第七层CLRL,所以反射颜色可优于不包括第七层CLRL的窗的反射颜色。第七层CLRL设置在基础层BL下方,并且可隔着基础层BL与第一层LRL间隔开。例如,当实施方式的窗WM-3应用于显示装置DD(参见图2)时,第七层CLRL可为相对于基础层BL、第一层LRL、第二层ML和第四层FL与显示模块DM(参见图2)相邻的层。第七层CLRL可直接设置在基础层BL下方。第七层CLRL可与基础层BL的下表面接触。
第七层CLRL可包括具有低折射率并且对基础层BL具有优异的粘合力的材料。如在第一层LRL的情况中一样,第七层CLRL可包括第一材料,并且如上所述,第一材料可包括具有比包括在基础层BL中的材料的折射率低的折射率的材料。包括在第七层CLRL中的第一材料可包括二氧化硅、熔融硅石、掺氟熔融硅石、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化铝(AlF3)、氟化钇(YF3)、氟化镱(YbF3)、氧化铝(Al2O3)和/或氧化镁(MgO)。例如,第七层CLRL可包括氟化镁(MgF2)和/或氧化镁(MgO)作为第一材料。
在实施方式中,第七层CLRL可包括氧化镁(MgO)。除了氧化镁之外,第七层CLRL还可包括氟化镁(MgF2)和氟氧化钇(YOF)。第七层CLRL可包括在结构中包含氧化镁的固溶体。第七层CLRL可包括例如其中混合有氧化镁、氟化镁和氟氧化钇的固溶体。替代性地,第七层CLRL可包括氟化镁(MgF2)。第七层CLRL可为由氟化镁(MgF2)组成的单个层。
第七层CLRL可包括与第一层LRL的材料相同的材料或与第一层LRL的材料不同的材料。例如,第一层LRL和第七层CLRL这两者可包括氟化镁。第一层LRL和第七层CLRL中的每个可包括其中混合有氧化镁、氟化镁和氟氧化钇的固溶体。替代性地,第一层LRL和第七层CLRL中的一个可包括氟化镁,并且其中的另一个可包括其中混合有氧化镁、氟化镁和氟氧化钇的固溶体。
与第一层LRL一样,第七层CLRL也可通过离子辅助沉积工艺来提供。在提供第七层CLRL的工艺中,以粒子的形式将诸如氧化镁、氟化镁、氟氧化钇和类似物的材料中的至少一种沉积在基础层BL的表面上,而在沉积工艺期间一起提供电离的氩气(Ar)或氧气(O2),以使得可增加沉积膜对基础层BL的表面的粘合力。
第七层CLRL可具有例如约50nm至约130nm的厚度d7。当第七层CLRL的厚度d7小于约50nm时,可能无法充分降低窗WM-3的表面反射率。当第七层CLRL的厚度d7大于约130nm时,窗WM-3的机械强度可能降低,从而降低耐久性,并且窗WM-3的总厚度会增加,从而过度增加显示装置的整体厚度。
在实施方式的窗WM-3中,在约550nm的波长下,窗WM-3的表面反射率可为约5.0%或更小。第四层FL设置为实施方式的窗WM-3的最上层,并且在约550nm的波长下,第四层FL的上表面上的反射率可为约5.0%或更小。在约550nm的波长下,第四层FL的上表面上的反射率可为约4.0%至约4.5%。因为根据本发明构思的实施方式的窗WM-3还包括提供在基础层BL下方的第七层CLRL,所以与其中没有单独的层设置在基础层BL下方的情况相比,表面反射率可进一步降低。例如,根据实施方式的窗WM-3可具有其中具有低折射性质的第一层LRL和第七层CLRL可提供在基础层BL的两侧的每一侧上的结构,通过其可实现进一步降低窗WM-3的表面反射率的结构。相应地,包括窗WM-3的显示装置可具有优异的低反射性质。
根据本发明构思的实施方式,窗包括设置在基础层上并且包括特定材料的多个层,并且因此,可在具有低折射性质的同时在层之间具有优异的粘合力,并且可具有增加的机械强度,诸如耐磨性、耐化学性和耐研磨性。相应地,可增加包括窗的显示装置的耐久性和可靠性。
虽然已参照本发明构思的各种实施方式对本发明构思进行了描述,但是本领域技术人员将理解,在不背离如在本文中记载的本发明构思的精神和范围的情况下,可在其中作出形式和细节上的各种改变。
Claims (20)
1.一种窗,包括:
基础层;
第一层,所述第一层设置在所述基础层上;
第二层,所述第二层设置在所述第一层上;
第三层,所述第三层设置在所述第二层上;以及
第四层,所述第四层设置在所述第三层上,
其中,所述第二层包括二氧化硅、熔融硅石、掺氟熔融硅石、氟化镁、氟化钙、氟化铝、氟化钇、氟化镱、氧化铝和/或氧化镁,以及
其中,所述第三层包括铁、铜、镍、锆、铪、铝、银、金、铬、锡、锌、铟和/或钛。
2.如权利要求1所述的窗,其中,所述第三层的厚度为2nm至10nm。
3.如权利要求1所述的窗,其中,在550nm的波长下,所述第二层的折射率为1.3至1.6。
4.如权利要求1所述的窗,其中,所述第二层包括二氧化硅、氧化镁和/或氧化铝。
5.如权利要求1所述的窗,其中:
所述第二层直接设置在所述第一层上;
所述第三层直接设置在所述第二层上;以及
所述第四层直接设置在所述第三层上。
6.如权利要求1所述的窗,其中,所述第一层包括氟化镁和/或氧化镁。
7.如权利要求6所述的窗,其中,所述第一层还包括氟氧化钇。
8.如权利要求7所述的窗,其中,所述第一层包括混合有氧化镁、氟化镁和氟氧化钇的固溶体。
9.如权利要求1所述的窗,其中,在550nm的波长下,所述第四层的上表面上的反射率为6.0%或更小。
10.如权利要求1所述的窗,其中,所述第四层包括含氟聚合物。
11.如权利要求1所述的窗,其中:
在550nm的波长下,所述第一层的折射率为1.3至1.5;以及
在550nm的波长下,所述第四层的折射率为1.3至1.5。
12.如权利要求1所述的窗,其中,所述基础层包括玻璃衬底或聚合物膜。
13.如权利要求1所述的窗,其中:
所述第一层的厚度为50nm至90nm;
所述第二层的厚度为10nm至25nm;以及
所述第四层的厚度为20nm至45nm。
14.如权利要求1所述的窗,还包括:
第五层,所述第五层设置在所述基础层与所述第一层之间并且包括氧化镁。
15.如权利要求1所述的窗,还包括:
第六层,所述第六层设置在所述基础层与所述第一层之间并且包括氧化锆、氧化铪、氧化钽、氧化铌、氧化钛、氧化镱、氮化硅、钛酸锶、氧化钨和/或氮化铝。
16.如权利要求1所述的窗,还包括:
第七层,所述第七层设置在所述基础层下方并且包括氧化镁、氟化镁和/或氟氧化钇。
17.一种显示装置,包括:
显示模块;以及
窗,所述窗设置在所述显示模块上,
其中,所述窗包括:
基础层;
第一层,所述第一层设置在所述基础层上;
第二层,所述第二层设置在所述第一层上;
第三层,所述第三层设置在所述第二层上;以及
第四层,所述第四层设置在所述第三层上,
其中,所述第二层包括二氧化硅、熔融硅石、掺氟熔融硅石、
氟化镁、氟化钙、氟化铝、氟化钇、氟化镱、氧化铝和/或氧化镁,以及
其中,所述第三层包括铁、铜、镍、锆、铪、铝、银、金、铬、锡、锌、铟和/或钛。
18.如权利要求17所述的显示装置,其中,所述显示模块包括:
基础衬底;
电路层,所述电路层设置在所述基础衬底上;
发光元件层,所述发光元件层设置在所述电路层上并且包括多个发光元件;以及
抗反射层,所述抗反射层设置在所述发光元件层上,
其中,所述抗反射层包括:限定有与所述多个发光元件分别重叠的多个分隔开口的分隔层以及分别与所述多个分隔开口对应地设置的多个滤色器。
19.如权利要求17所述的显示装置,其中,所述第一层隔着所述基础层与所述显示模块间隔开。
20.如权利要求17所述的显示装置,其中,所述第四层的上表面限定所述窗的最外表面。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2023-0003686 | 2023-01-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN118338706A true CN118338706A (zh) | 2024-07-12 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10319792B2 (en) | Display device | |
US8305350B2 (en) | Touch panel | |
KR102179691B1 (ko) | 터치 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
US9823388B2 (en) | Composite substrate structure and touch-sensitive device | |
WO2018000830A1 (zh) | 触控基板及其制作方法、触控显示装置 | |
CN106970439B (zh) | 触控显示装置与触控面板 | |
CN113161388A (zh) | 显示设备 | |
KR102080131B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
CN111863879A (zh) | 显示设备及制造所述显示设备的方法 | |
CN220554266U (zh) | 显示面板 | |
US20180314361A1 (en) | Touch display device | |
CN118338706A (zh) | 窗和包括窗的显示装置 | |
US20240237492A1 (en) | Window and display device including the same | |
US20230041968A1 (en) | Cover window and display apparatus having the same | |
US20230292576A1 (en) | Window and display device including the same | |
CN116758817A (zh) | 窗及包括其的显示装置 | |
KR20230134964A (ko) | 윈도우 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
CN219741156U (zh) | 显示装置 | |
CN219288075U (zh) | 显示设备 | |
KR20200079977A (ko) | 커버 윈도우 및 이를 포함한 플렉서블 표시 장치 | |
CN220545415U (zh) | 显示设备 | |
US20230418399A1 (en) | Display device and manufacturing method of the same | |
US20230209881A1 (en) | Window, display panel including the window, and electronic device including the display panel | |
US20240237467A1 (en) | Display apparatus | |
EP4164359A1 (en) | Electronic device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication |