CN116758817A - 窗及包括其的显示装置 - Google Patents
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Abstract
实施方式提供了窗及包括其的显示装置,窗包括:基础层;第一层,设置在基础层上;第二层,设置在第一层上;以及第三层,设置在第二层上。第二层包括诸如熔融二氧化硅的二氧化硅(SiO2)、掺氟熔融二氧化硅、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化铝(AlF3)、氟化钇(YF3)、氟化镱(YbF3)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)或它们的任何组合,且第二层在约550nm的波长下具有在约1.3至约1.6的范围内的折射率。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求分别于2022年3月14日和2022年7月19日向韩国知识产权局提交的第10-2022-0031189号韩国专利申请和第10-2022-0088803号韩国专利申请的优先权以及由此产生的权益,所述韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本文中的公开涉及具有低反射率和优异的机械特性的窗及包括其的显示装置。
背景技术
显示装置用在诸如电视机、移动电话、平板计算机和游戏控制台的各种多媒体装置中以向用户提供图像信息。近来,已经开发了可折叠或可弯曲的各种类型的柔性显示装置。柔性显示装置可以在形状上进行多种改变,例如折叠、卷曲或弯曲,并且因此易于携带。
柔性显示装置可以包括可折叠或可弯曲的显示面板和窗。然而,柔性显示装置的窗由于折叠操作或弯曲操作而变形,或者有可能由于外部冲击而损坏。
发明内容
本公开提供了具有低反射率和优异的机械强度的窗。
本公开还提供了在改善显示效率的同时具有低反射率的显示装置。
实施方式提供了窗,其可以包括基础层;第一层,设置在基础层上;第二层,设置在第一层上;以及第三层,设置在第二层上。第二层可以包括诸如熔融二氧化硅的二氧化硅(SiO2)、掺氟熔融二氧化硅、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化铝(AlF3)、氟化钇(YF3)、氟化镱(YbF3)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)或它们的任何组合,且第二层可以在约550nm的波长下具有在约1.3至约1.6的范围内的折射率。
在实施方式中,第二层可以包括二氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化铝(Al2O3)或它们的任何组合。
在实施方式中,第二层可以直接设置在第一层上,且第三层可以直接设置在第二层上。
在实施方式中,第一层可以包括氟化镁(MgF2)、氧化镁(MgO)和它们的任何组合中的至少一种。
在实施方式中,第一层还可以包括氟氧化钇(YOF)。
在实施方式中,第一层可以包括其中混合有氧化镁、氟化镁和氟氧化钇的固溶体。
在实施方式中,窗可以在约550nm的波长下在第三层的上表面处具有小于或等于约6.5%的反射率。
在实施方式中,第三层可以包括含氟聚合物。
在实施方式中,第一层可以在约550nm的波长下具有在约1.3至约1.5的范围内的折射率,且第三层可以在约550nm的波长下具有在约1.3至约1.5的范围内的折射率。
在实施方式中,基础层可以包括玻璃衬底或聚合物膜。
在实施方式中,第一层可以具有在约50nm至约130nm的范围内的厚度,第二层可以具有在约5nm至约25nm的范围内的厚度,以及第三层可以具有在约5nm至约30nm的范围内的厚度。
在实施方式中,窗还可以包括设置在基础层和第一层之间并且包括氧化镁的第四层。
在实施方式中,窗还可以包括设置在基础层和第一层之间的第五层。第五层可以在约550nm的波长下具有在约1.7至约3.0的范围内的折射率。
在实施方式中,第五层可以包括氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铌(Nb2O5)、氧化钛(TiO2)、氧化镱(Y2O3)、氮化硅(Si3N4)、钛酸锶(SrTiO3)、氧化钨(WO3)、氮化铝(AlN)或它们的任何组合。
在实施方式中,窗还可以包括设置在基础层的下方的第六层。第六层可以在约550nm的波长下具有在约1.3至约1.5的范围内的折射率。
在实施方式中,第六层可以包括氧化镁、氟化镁、氟氧化钇或它们的任何组合。
在本公开的实施方式中,窗可以包括:基础层;第一层,设置在基础层上;第二层,设置在第一层上;以及第三层,设置在第二层上。第一层可以包括第一材料,且第二层可以包括第二材料。第一材料和第二材料可以分别独立地包括二氧化硅、熔融二氧化硅、掺氟熔融二氧化硅、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化铝(AlF3)、氟化钇(YF3)、氟化镱(YbF3)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)或它们的任何组合。
在本公开的实施方式中,显示装置可以包括显示模块;以及窗,设置在显示模块上。窗可以包括基础层;第一层,设置在基础层上;第二层,设置在第一层上;以及第三层,设置在第二层上。第二层可以包括诸如熔融二氧化硅的二氧化硅(SiO2)、掺氟熔融二氧化硅、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化铝(AlF3)、氟化钇(YF3)、氟化镱(YbF3)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)或它们的任何组合。第二层可以在约550nm的波长下具有在约1.3至约1.6的范围内的折射率。
在实施方式中,显示模块可以包括:基础衬底;电路层,设置在基础衬底上;发光元件层,设置在电路层上;封装层,设置在发光元件层上;以及抗反射层,设置在封装层上。抗反射层可以包括:分隔层,包括多个分隔开口,多个分隔开口分别在基础衬底的厚度方向上与多个发光元件重叠;以及多个滤色器,设置成分别与多个分隔开口对应。
在实施方式中,基础层可以设置在第一层和显示模块之间。
在实施方式中,第三层的上表面可以限定窗的最外表面。
在实施方式中,第一层、第二层和第三层的厚度之和可以小于或等于约150nm。
附图说明
附图被包括在内以提供对本公开的进一步理解,并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本公开的实施方式,并且与说明书一起用来解释本公开的原理。在附图中:
图1A是根据实施方式的显示装置的立体图;
图1B是根据实施方式的显示装置的分解立体图;
图2是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图;
图3是示出根据实施方式的显示模块的一部分的示意性剖视图;
图4A是根据实施方式的窗的示意性剖视图;
图4B是根据实施方式的窗的示意性剖视图;
图4C是根据实施方式的窗的示意性剖视图;以及
图4D是根据实施方式的窗的示意性剖视图。
具体实施方式
将理解,当诸如层的元件被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时,其可以直接在另一元件或层上、连接到或联接到另一元件或层,或者可以存在居间的元件或层。然而,当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时,不存在居间的元件或层。为此,术语“连接”可以指代在有或没有居间的元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。此外,当元件被称为与另一元件“接触”或“接触”另一元件等时,元件可以与另一元件“电接触”或“物理接触”,或者与另一元件“间接接触”或“直接接触”。
相同的数字或符号始终指代相同的元件。此外,在附图中,为了有效地描述技术内容,夸大了元件的厚度、比例和尺寸。术语“和/或”包括可以由相关元件限定的一个或更多个组合中的全部。
尽管术语“第一”、“第二”等可以用来描述各种元件,但这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如,在不背离本公开的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且类似地,第二元件也可以被称为第一元件。除非上下文另外清楚地指示,否则单数形式也包括复数形式。
为了描述的目的,可以在本文中使用诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下部”、“上方”、“上部”、“之上”、“较高”、“侧”(例如,如在“侧壁”中)等空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一(些)元件的关系。除了附图中描绘的取向之外,空间相对术语旨在包括设备在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如,如果附图中的设备被翻转,则被描述为在另一元件或特征的“下方”或“下面”的元件将被取向在另一元件或特征的“上方”。因此,术语“下方”例如可以包括上方和下方两种取向。此外,设备可以以其他方式取向(例如,旋转90度或处于其他取向),并且因此,本文中使用的空间相对描述语被相应地解释。
为了本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合,诸如例如,XYZ、XYY、YZ和ZZ。
在说明书和权利要求书中,为了其含义和解释的目的,术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如,“A和/或B”可以理解为意指“A、B或者A和B”。术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义使用,并且可以理解为等同于“和/或”。
将理解,术语“包括(includes)”或“包括(comprises)”,当在本说明书中使用时,指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的组合的存在,但不排除一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的组合的存在或添加。
在本申请中,“直接设置”意指在层、膜、区域的部分之间没有添加附加的层、膜、区域、板等。例如,“直接设置”可以意指在没有诸如粘合构件的附加的构件的情况下设置在两个层或两个构件之间。
除非另有定义,否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。此外,术语,诸如在常用词典中定义的术语应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义,并且除非在本文中明确地如此定义,否则不应以理想化的或过于形式化的意义来解释。
在下文中,将参考附图描述本公开的实施方式。
图1A是根据本公开的实施方式的显示装置的立体图。图1B是根据本公开的实施方式的显示装置的分解立体图。
参考图1A,显示装置DD可以是响应于电信号而被激活的装置。显示装置DD可以显示图像IM并且感测外部输入。显示装置DD可以包括各种实施方式。例如,显示装置DD可以包括计算机(例如,平板计算机、膝上型计算机)、智能电视机等。在此实施方式中,显示装置DD被示例性地示出为智能电话。
显示装置DD可以在与第一方向DR1和第二方向DR2中的每个平行的显示表面FS上在第三方向DR3上显示图像IM。其上显示图像IM的显示表面FS可以对应于显示装置DD的前表面,并且也可以对应于窗WM的前表面。在下文中,相同的参考符号用来表示显示表面、显示装置DD的前表面和窗WM的前表面。图像IM可以包括静态图像以及动态图像。在图1A中,作为图像IM的示例示出了时钟和多个图标。
在此实施方式中,每个构件的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)可以基于其中显示图像IM的方向来限定。前表面和后表面可以在第三方向DR3上彼此相对,并且前表面和后表面中的每个的法线方向可以平行于第三方向DR3。在第三方向DR3上的前表面和后表面之间的距离可以对应于显示装置DD在第三方向DR3上的厚度。这里,由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向可以具有相对概念,并且因此可以改变为其他方向。在下文中,第一方向、第二方向和第三方向可以是分别由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向,并且因此可以被表示为相同的参考数字或符号。在本说明书中,措辞“在平面图中”可以指示在第三方向DR3上观看的情况。
根据本公开的实施方式的显示装置DD可以感测从外部施加的用户的输入。例如,用户的输入可以包括诸如用户身体的一部分、光、热或压力的各种类型的外部输入。用户的输入可以以各种形式提供。此外,显示装置DD可以根据显示装置DD的结构来感测施加到显示装置DD的侧表面或后表面的用户的输入,但不限于任一个实施方式。
如图1A和图1B中所示,显示装置DD可以包括窗WM、显示模块DM和外壳HU。在此实施方式中,窗WM和外壳HU可以联接从而形成显示装置DD的外观。在此实施方式中,外壳HU、显示模块DM和窗WM可以在第三方向DR3上依次堆叠。
窗WM可以包括光学透明材料。窗WM可以包括绝缘材料。例如,窗WM可以由玻璃、塑料或它们的组合构成。
如上所述,窗WM的前表面FS可以限定显示装置DD的前表面。透射区域TA可以是光学透明区域。例如,透射区域TA可以是具有大于或等于约90%的可见光透射率的区域。
边框区域BZA可以是具有比透射区域TA相对低的光透射率的区域。边框区域BZA可以限定透射区域TA的形状。边框区域BZA可以设置成与透射区域TA相邻并且可以围绕透射区域TA。
边框区域BZA可以具有预定的(或可选择的)颜色。边框区域BZA可以覆盖显示模块DM的周边区域NAA从而防止从外部看到周边区域NAA。然而,本公开不限于此。在根据本公开的实施方式的窗WM中,可以省略边框区域BZA。
显示模块DM可以显示图像IM并且感测外部输入。图像IM可以显示在显示模块DM的前表面IS上。显示模块DM的前表面IS可以包括有源区域AA和周边区域NAA。有源区域AA可以是响应于电信号而被激活的区域。
在此实施方式中,有源区域AA可以是其中显示图像IM的区域,并且也可以是其中感测外部输入的区域。透射区域TA可以在第三方向DR3上与有源区域AA的至少一部分重叠。例如,透射区域TA可以在第三方向DR3上与有源区域AA的前表面或至少一部分重叠。因此,用户可以看到图像IM并且通过透射区域TA提供外部输入。然而,这仅仅是示例。在有源区域AA中,其中显示图像IM的区域和其中感测外部输入的区域可以彼此分离,并且有源区域AA不限于一个实施方式。
周边区域NAA可以是被边框区域BZA覆盖的区域。周边区域NAA可以设置成与有源区域AA相邻。周边区域NAA可以围绕有源区域AA。在周边区域NAA中可以设置有用于驱动有源区域AA的驱动电路、驱动线等。
显示模块DM可以包括显示面板和传感器层。图像IM可以基本上显示在显示面板上,并且外部输入可以基本上由传感器层感测。由于显示模块DM包括显示面板和传感器层两者,所以显示模块DM可以显示图像IM并且同时感测外部输入。这将稍后详细描述。
根据实施方式的显示装置DD还可以包括驱动电路。驱动电路可以包括柔性电路板和主电路板。柔性电路板可以电连接到显示模块DM。柔性电路板可以连接显示模块DM和主电路板。然而,这仅仅是示例,并且根据本公开的实施方式的柔性电路板可以不连接到主电路板,并且柔性电路板可以是刚性板。
柔性电路板可以连接到显示模块DM的、设置在周边区域NAA中的焊盘。柔性电路板可以向显示模块DM提供用于驱动显示模块DM的电信号。电信号可以从柔性电路板生成或者从主电路板生成。主电路板可以包括用于驱动显示模块DM的各种驱动电路或用于供应电力的连接器。主电路板可以通过柔性电路板连接到显示模块DM。
尽管图1B示出了显示模块DM的展开状态,但是显示模块DM的至少一部分可以弯曲。在此实施方式中,显示模块DM的一部分可以朝向显示模块DM的后表面弯曲,并且朝向后表面弯曲的部分可以是主电路板连接到其的部分。因此,主电路板可以在与显示模块DM的后表面重叠的同时被组装。
外壳HU可以联接到窗WM从而限定显示装置DD的外观。外壳HU可以提供内部空间。显示模块DM可以布置在内部空间中。
外壳HU可以包括具有相对较高的刚性的材料。例如,外壳HU可以包括玻璃、塑料或金属,或者可以包括由它们的组合构成的多个框架和/或板。外壳HU可以稳定地保护显示装置DD的、设置在内部空间中的组件免受外部冲击的影响。
图2是根据本公开的实施方式的显示装置的示意性剖视图。
参考图2,显示装置DD可以包括显示模块DM和窗WM。显示模块DM和窗WM可以通过粘合层AD结合。在根据实施方式的显示装置DD中,显示模块DM可以包括显示面板100、传感器层200和抗反射层300。在包括在显示模块DM中的层之中,抗反射层300可以通过粘合层AD结合到窗WM。
显示面板100可以是生成图像的构件。显示面板100可以是发光显示面板。例如,显示面板100可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板、微型LED显示面板或纳米LED显示面板。显示面板100也可以被称为显示层。
显示面板100可以包括基础衬底110、电路层120、发光元件层130和封装层140。
基础衬底110可以是提供在其上设置电路层120的基础表面的构件。基础衬底110可以是刚性衬底或能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性衬底。基础衬底110可以是玻璃衬底、金属衬底或聚合物衬底。然而,本公开的实施方式不限于此,并且基础衬底110可以包括无机层、有机层或复合材料层。
基础衬底110可以具有多层结构。例如,基础衬底110可以包括第一合成树脂层、多层的或单层的无机层以及设置在多层的或单层的无机层上的第二合成树脂层。第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每个可以包括聚酰亚胺基树脂,但是本公开不受特别限制。
电路层120可以设置在基础衬底110上。电路层120可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案、信号线等。
发光元件层130可以设置在电路层120上。发光元件层130可以包括发光元件。例如,发光元件可以包括有机发光材料、无机发光材料、有机-无机发光材料、量子点、量子棒、微型LED或纳米LED。
封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以保护发光元件层130不受诸如湿气、氧气和灰尘微粒的异物的影响。封装层140可以包括至少一个无机层。封装层140可以包括无机层、有机层和无机层的堆叠结构。
传感器层200可以设置在显示面板100上。传感器层200可以感测从外部施加的外部输入。外部输入可以是用户的输入。用户的输入可以包括诸如用户身体的一部分、光、热、笔或压力的各种类型的外部输入。
传感器层200可以通过连续工艺形成在显示面板100上。传感器层200可以直接设置在显示面板100上。措辞“直接设置在……上”可以意指在传感器层200和显示面板100之间未设置有居间的第三构件。例如,在传感器层200和显示面板100之间可以未设置有单独的粘合构件。
抗反射层300可以直接设置在传感器层200上。抗反射层300可以降低从显示装置DD的外部入射的外部光的反射率。抗反射层300可以通过连续工艺形成在传感器层200上。抗反射层300可以包括滤色器。滤色器可以具有预定的(或可选择的)布置。例如,滤色器可以通过考虑包括在显示面板100中的像素的发射颜色来布置。抗反射层300还可以包括与滤色器相邻的黑色矩阵。对抗反射层300的详细描述将稍后描述。
在本公开的实施方式中,可以省略传感器层200。抗反射层300可以直接设置在显示面板100上。在本公开的实施方式中,可以互换传感器层200和抗反射层300的位置。
尽管未示出,但是在本公开的实施方式中,显示装置DD还可以包括设置在抗反射层300上的光学层。例如,光学层可以通过连续工艺形成在抗反射层300上。光学层可以控制从显示面板100入射的光的方向从而改善显示装置DD的正面亮度。例如,光学层可以包括其中开口被限定成分别与包括在显示面板100中的像素的发光区域对应的有机绝缘层以及覆盖有机绝缘层并且填充开口的高折射层。高折射层可以具有比有机绝缘层的折射率高的折射率。
窗WM可以提供显示装置DD的前表面。窗WM可以包括玻璃膜或合成树脂膜作为基础膜。窗WM还可以包括诸如抗反射层或抗指纹层的功能层。将参考图4A和图4B更详细地描述对包括在窗WM中的功能层的描述。尽管未示出,窗WM还可以包括在第三方向DR3上与上述边框区域BZA(参见图1B)重叠的边框图案。
图3是示出根据本公开的实施方式的显示模块的一部分的示意性剖视图。图3示意性地示出了包括一个发光元件LD和像素电路PC的显示模块DM的部分截面。
包括在根据实施方式的显示模块DM中的显示面板100可以包括基础衬底110。基础衬底110可以是提供在其上设置电路层120的基础表面的构件。基础衬底110可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。然而,本公开的实施方式不限于此,并且基础衬底110可以包括无机层、有机层或复合材料层。
缓冲层10br可以设置在基础衬底110上。缓冲层10br可以防止金属原子或杂质从基础衬底110扩散到上覆的第一半导体图案SP1中。第一半导体图案SP1可以包括硅晶体管S-TFT的有源区域AC1。缓冲层10br可以在用于形成第一半导体图案SP1的结晶工艺期间控制热量供应速度,从而允许第一半导体图案SP1均匀地形成。
第一半导体图案SP1可以设置在缓冲层10br上。第一半导体图案SP1可以包括硅半导体。例如,硅半导体可以包括非晶硅、多晶硅等。例如,第一半导体图案SP1可以包括低温多晶硅。
图3仅示出了设置在缓冲层10br上的一个第一半导体图案SP1,并且在另一区域中可以设置有附加的第一半导体图案SP1。第一半导体图案SP1可以根据特定的规则跨像素布置。第一半导体图案SP1可以根据第一半导体图案SP1是否被掺杂而具有不同的电性质。第一半导体图案SP1可以包括具有高导电率的第一区域和具有低导电率的第二区域。第一区域可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可以包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区域,且N型晶体管可以包括掺杂有N型掺杂剂的掺杂区域。第二区域可以是未掺杂区域或以比第一区域的掺杂浓度低的掺杂浓度掺杂的区域。
第一区域可以具有比第二区域高的导电率,并且可以基本上起到电极或信号线的作用。第二区域可以基本上对应于晶体管的有源区域(或沟道)。换句话说,第一半导体图案SP1的一部分可以是晶体管的有源区域,另一部分可以是晶体管的源极或漏极,以及又一部分可以是连接电极或连接信号线。
硅晶体管S-TFT的源极区域(或源极)SE1、有源区域(或沟道)AC1和漏极区域(或漏极)DE1可以在第一半导体图案SP1中形成。源极区域SE1和漏极区域DE1可以在剖视图中在相反的方向上从有源区域AC1延伸。
尽管未示出,但是在硅晶体管S-TFT之下和氧化物晶体管O-TFT之下可以设置有背面金属层。背面金属层可以设置成在第三方向DR3上与像素电路PC重叠,并且可以阻挡外部光到达像素电路PC。背面金属层可以设置在基础衬底110和缓冲层10br之间。在另一实施方式中,背面金属层可以设置在第二绝缘层20和第三绝缘层30之间。背面金属层可以包括反射金属。例如,背面金属层可以包括银(Ag)、含Ag合金、钼(Mo)、含Mo合金、铝(Al)、含Al合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)以及p+掺杂的非晶硅。背面金属层可以连接到电极或布线,并且可以从电极或布线接收恒定电压或信号。根据本公开的实施方式,背面金属层可以是与其他电极或布线隔离的浮动电极。在本公开的实施方式中,在基础衬底110和缓冲层10br之间还可以设置有无机阻障层。
第一绝缘层10可以设置在缓冲层10br上。第一绝缘层10可以在第三方向DR3上公共地与多个像素重叠并且覆盖第一半导体图案SP1。第一绝缘层10可以包括无机层和/或有机层,并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在此实施方式中,第一绝缘层10可以是单层氧化硅层。与第一绝缘层10类似,将稍后描述的电路层120的绝缘层也可以包括无机层和/或有机层,并且可以具有单层结构或多层结构。无机层可以包括上述材料中的至少一种,但不限于此。
硅晶体管S-TFT的栅极GT1可以设置在第一绝缘层10上。栅极GT1可以是金属图案的一部分。栅极GT1可以在第三方向DR3上与有源区域AC1重叠。在掺杂第一半导体图案SP1的工艺中,栅极GT1可以发挥掩模的功能。栅极GT1可以包括钛(Ti)、银(Ag)、含Ag合金、钼(Mo)、含Mo合金、铝(Al)、含Al合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。但是本公开的实施方式不限于此。
第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上并且可以覆盖栅极GT1。第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。在第二绝缘层20和第三绝缘层30之间可以设置有存储电容器Cst的第二电极CE20。存储电容器Cst的第一电极CE10可以设置在第一绝缘层10和第二绝缘层20之间。
第二半导体图案SP2可以设置在第三绝缘层30上。第二半导体图案SP2可以包括将稍后描述的氧化物晶体管O-TFT的有源区域AC2。第二半导体图案SP2可以包括氧化物半导体。第二半导体图案SP2可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)的透明导电氧化物(TCO)。
氧化物半导体可以包括根据透明导电氧化物是否被还原而划分的多个区域。其中透明导电氧化物被还原的区域(下文中,称为还原区域)可以具有比其中透明导电氧化物未被还原的区域(下文中,称为非还原区域)大的导电率。还原区域可以基本上起到晶体管的源极/漏极或信号线的作用。非还原区域可以基本上对应于晶体管的半导体区域(或者有源区域或沟道)。换句话说,第二半导体图案SP2的一部分可以是晶体管的半导体区域,第二半导体图案SP2的另一部分可以是晶体管的源极区域/漏极区域,以及第二半导体图案SP2的又一部分可以是信号传输区域。
氧化物晶体管O-TFT的源极区域(或源极)SE2、有源区域(或沟道)AC2和漏极区域(或漏极)DE2可以在第二半导体图案SP2中形成。源极区域SE2和漏极区域DE2可以在剖视图中在相反的方向上从有源区域AC2延伸。
第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以在第三方向DR3上公共地与像素重叠并且覆盖第二半导体图案SP2。尽管未示出,但是第四绝缘层40可以在第三方向DR3上与氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2重叠并且可以设置成暴露氧化物晶体管O-TFT的源极区域SE2和漏极区域DE2的绝缘图案的形式。
氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2可以设置在第四绝缘层40上。氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2可以是金属图案的一部分。氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2可以在第三方向DR3上与有源区域AC2重叠。
第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上并且可以覆盖栅极GT2。第一连接电极CNE1可以设置在第五绝缘层50上。第一连接电极CNE1可以通过穿过第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔连接到硅晶体管S-TFT的漏极区域DE1。
第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上。第二连接电极CNE2可以设置在第六绝缘层60上。第二连接电极CNE2可以通过穿过第六绝缘层60的接触孔连接到第一连接电极CNE1。第七绝缘层70可以设置在第六绝缘层60上并且可以覆盖第二连接电极CNE2。第八绝缘层80可以设置在第七绝缘层70上。
第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每个可以是有机层。例如,第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每个可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物及它们的共混物。
发光元件LD可以包括第一电极(或像素电极)AE、发光层EML和第二电极(或公共电极)CE。发光层EML和第二电极CE中的每个可以在像素中公共地形成。
发光元件LD的第一电极AE可以设置在第八绝缘层80上。发光元件LD的第一电极AE可以是透射电极、半透射电极或反射电极。根据本公开的实施方式,发光元件LD的第一电极AE可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物形成的反射层以及形成在反射层上的透明电极层或半透明电极层。透明电极层或半透明电极层可以包括选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)和铝掺杂氧化锌(AZO)组成的组中的至少一种。例如,发光元件LD的第一电极AE可以包括ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定膜PDL可以设置在第八绝缘层80上。像素限定膜PDL可以具有吸光性质,并且例如,像素限定膜PDL可以具有黑色颜色。像素限定膜PDL可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料和黑色颜料。黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属或它们的氧化物。像素限定膜PDL可以对应于具有光阻挡特性的光阻挡图案。
像素限定膜PDL可以覆盖发光元件LD的第一电极AE的一部分。例如,在像素限定膜PDL中可以限定有暴露发光元件LD的第一电极AE的一部分的开口PDL-OP。像素限定膜PDL可以增加发光元件LD的第一电极AE的边缘和第二电极CE之间的距离。因此,像素限定膜PDL可以起到防止在第一电极AE的边缘处发生电弧的作用。
尽管未示出,但是在第一电极AE和发光层EML之间可以设置有空穴控制层。空穴控制层可以包括空穴传输层,并且还可以包括空穴注入层。在发光层EML和第二电极CE之间可以设置有电子控制层。电子控制层可以包括电子传输层,并且还可以包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可以通过使用开放式掩模来公共地形成在像素中。
封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以包括依次堆叠的第一无机层141、有机层142和第二无机层143,但是构成封装层140的层不限于此。
无机层141和143可以保护发光元件层130免受湿气和氧气的影响,且有机层142可以保护发光元件层130免受诸如灰尘微粒的异物的影响。无机层141和143可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层等。有机层142可以包括丙烯酸有机层,但是本公开的实施方式不限于此。
传感器层200可以设置在显示面板100上。传感器层200可以是传感器、输入感测层或输入感测面板。传感器层200可以包括基础层210、第一导电层220、感测绝缘层230和第二导电层240。
基础层210可以直接设置在显示面板100上。基础层210可以是包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种的无机层。在另一实施方式中,基础层210可以是包括环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺基树脂的有机层。基础层210可以具有单层结构或其中层在第三方向DR3上彼此堆叠的多层结构。
第一导电层220和第二导电层240中的每个可以具有单层结构或其中层在第三方向DR3上彼此堆叠的多层结构。第一导电层220和第二导电层240可以包括限定网状感测电极的导线。导线可以在第三方向DR3上不与开口PDL-OP重叠,并且可以在第三方向DR3上与像素限定膜PDL重叠。
单层导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锌锡(IZTO)的透明导电氧化物。透明导电层可以包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线、石墨烯等。
多层导电层可以包括依次堆叠的金属层。金属层可以具有例如钛/铝/钛的三层结构。多层导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
感测绝缘层230可以设置在第一导电层220和第二导电层240之间。感测绝缘层230可以包括无机膜。无机膜可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
在另一实施方式中,感测绝缘层230可以包括有机膜。有机膜可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和二萘嵌苯基树脂中的至少一种。
抗反射层300可以设置在传感器层200上。抗反射层300可以包括分隔层310、多个滤色器320和平坦化层330。
抗反射层300可以降低外部光的反射率。抗反射层300可以包括多个滤色器320,且滤色器320可以具有预定的(或可选择的)布置。滤色器320的布置可以通过考虑从包括在显示面板100中的发光元件LD发射的光的颜色来确定。在根据实施方式的显示模块DM中,抗反射层300可以不包括延迟器或偏振器,并且可以通过滤色器320降低显示模块DM的反射率。在根据实施方式的显示模块DM中,抗反射层300可以不包括偏振膜或偏振层。
构成分隔层310的材料不受特别限制,只要该材料吸收光即可。分隔层310可以具有黑色颜色,并且在本公开的实施方式中,分隔层310可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料和/或黑色颜料。黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属或它们的氧化物。
分隔层310可以覆盖传感器层200的第二导电层240。分隔层310可以防止外部光被第二导电层240反射。分隔层310可以与像素限定膜PDL的一部分重叠。
在分隔层310中可以限定有分隔开口310-OP2。分隔开口310-OP2可以在第三方向DR3上与发光元件LD的第一电极AE重叠。滤色器320中的一个可以在第三方向DR3上与发光元件LD的第一电极AE重叠。滤色器320中的一个可以覆盖分隔开口310-OP2。滤色器320可以分别接触分隔层310。
平坦化层330可以覆盖分隔层310和滤色器320。平坦化层330可以包括有机材料,并且在平坦化层330的上表面上提供平坦表面。在本公开的实施方式中,可以省略平坦化层330。
图4A至图4D分别是根据本公开的实施方式的窗的示意性剖视图。
参考图4A,根据本公开的实施方式的窗WM可以包括基础层BL、第一层LRL、第二层ML和第三层FL。在根据实施方式的窗WM中,基础层BL、第一层LRL、第二层ML和第三层FL可以依次堆叠。
基础层BL可以包括透明材料。在实施方式中,基础层BL可以包括玻璃、钢化玻璃或聚合物膜。在实施方式中,基础层BL可以是化学强化的玻璃衬底。在基础层BL是化学强化的玻璃衬底的情况下,基础层BL可以具有小厚度和高机械强度,并且因此窗WM可以用作可折叠显示装置的窗。在基础层BL包括聚合物膜的情况下,基础层BL可以包括聚酰亚胺(PI)膜或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。窗WM的基础层BL可以具有多层结构或单层结构。例如,基础层BL可以具有其中多个聚合物膜通过粘合构件结合的结构或者其中玻璃衬底和聚合物膜通过粘合剂结合的结构。基础层BL可以由柔性材料制成。
例如,基础层BL可以具有约20μm至约60μm或者约20μm至约40μm的厚度d1。图4A和图4B示出了基础层BL具有矩形形状,但基础层不限于此。根据实施方式的基础层BL可以具有其中基础层BL的上表面的边缘通过曲面圆化的形状。例如,基础层BL可以具有其中与边框区域BZA(图1B)重叠的上表面的边缘通过曲面圆化的形状。
第一层LRL可以是具有比基础层BL低的折射率的层,并且可以是用于降低窗WM的表面反射率的层。第一层LRL可以设置在基础层BL上。第一层LRL可以直接设置在基础层BL上。第一层LRL可以设置在基础层BL上,并且基础层BL的下表面可以是与上述显示模块DM(参见图2)相邻的表面。例如,第一层LRL可以与显示模块DM间隔开而基础层BL介于第一层LRL和显示模块DM之间。
第一层LRL可以包括具有低折射率和对基础层BL的优异的粘附性的材料。第一层LRL可以包括第一材料,并且第一材料可以包括具有比包括在基础层BL中的材料低的折射率的材料。例如,包括在第一层LRL中的第一材料可以包括二氧化硅、熔融二氧化硅、掺氟熔融二氧化硅、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化铝(AlF3)、氟化钇(YF3)、氟化镱(YbF3)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)或它们的任何组合。例如,第一层LRL可以包括氟化镁(MgF2)和氧化镁(MgO)中的至少一种。
在实施方式中,第一层LRL可以包括氧化镁(MgO)。除了氧化镁之外,第一层LRL还可以包括氟化镁(MgF2)和氟氧化钇(YOF)。第一层LRL可以包括具有其中包括有氧化镁的结构的固溶体。例如,第一层LRL可以包括其中混合有氧化镁、氟化镁和氟氧化钇的固溶体。在另一实施方式中,第一层LRL可以包括氟化镁(MgF2)。第一层LRL可以是由氟化镁(MgF2)制成的单个层。
例如,第一层LRL可以具有约50nm至约130nm的厚度d2。在第一层LRL具有小于约50nm的厚度d2的情况下,窗WM的表面反射率可能不会充分地降低。在第一层LRL具有大于约130nm的厚度d2的情况下,窗WM的机械强度可能减小并且因此窗的耐久性可能劣化,并且窗WM的总厚度可能增加从而过度增加显示装置的整体厚度。
第一层LRL可以在约550nm的波长下具有在约1.3至约1.5的范围内的折射率。在根据实施方式的窗WM中,第一层LRL可以在约550nm的波长下具有在约1.38至约1.40的范围内的折射率。在第一层LRL在约550nm的波长下的折射率满足以上范围的情况下,窗WM的表面反射率可以降低。
第一层LRL可以通过离子辅助沉积工艺形成。如上所述,第一层LRL可以由氧化镁、氟化镁和/或氟氧化钇形成。在形成第一层LRL的工艺中,氧化镁、氟化镁和氟氧化钇中的每个可以以微粒的形式沉积在基础层BL的表面上。在沉积工艺期间可以一起提供离子化的氩(Ar)气体或氧(O2)气体,从而可以改善沉积膜对基础层BL的表面的粘附性。在另一实施方式中,第一层LRL可以由氟化镁的单一材料形成,并且氟化镁可以以微粒的形式沉积在基础层BL的表面上。在沉积工艺期间可以一起提供离子化的氩(Ar)气体或氧(O2)气体,从而可以改善沉积膜对基础层BL的表面的粘附性。
第一层LRL可以具有由单一材料形成的单层结构。如上所述,第一层LRL可以是由氟化镁形成的单个层或由其中混合有氧化镁、氟化镁和氟氧化钇的固溶体形成的单个层。例如,第一层LRL可以不包括多个层。
第二层ML可以设置在第一层LRL上,并且可以是用于改善第一层LRL和第三层FL之间的粘附性的层。第二层ML可以是对第一层LRL和第三层FL中的每个具有优异的粘附性的粘附促进层,并且因此改善第一层LRL和第三层FL之间的层间粘附性。第二层ML可以直接设置在第一层LRL上。
第二层ML可以包括具有低折射特性、优异的机械强度和改善的粘附性的材料。第二层ML可以包括第二材料,并且第二材料可以包括具有比包括在基础层BL中的材料低的折射率的材料。例如,包括在第二层ML中的第二材料可以包括二氧化硅、熔融二氧化硅、掺氟熔融二氧化硅、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化铝(AlF3)、氟化钇(YF3)、氟化镱(YbF3)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)或它们的任何组合。例如,第二材料可以包括二氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化铝(Al2O3)或它们的任何组合。
在实施方式中,第二层ML可以包括氧化镁(MgO)。除了氧化镁之外,第二层ML还可以包括二氧化硅(SiO2)。第二层ML可以包括具有其中包括有氧化镁的结构的固溶体。例如,第二层ML可以包括其中混合有氧化镁和二氧化硅的固溶体。由于第二层ML包括包含氧化镁的固溶体,所以可以改善第二层ML对包括氧化镁的第一层LRL的粘附性。与第一层LRL一样,第二层ML可以通过离子辅助沉积工艺形成。
在另一实施方式中,第二层ML可以包括包含氧化铝和二氧化硅的固溶体。例如,第二层ML可以包括其中混合有氧化铝和二氧化硅的固溶体。例如,包括在第二层ML中的第二材料可以具有包括Si9Al2O10的固溶体结构。
例如,第二层ML可以具有约5nm至约25nm的厚度d3。在第二层ML具有小于约5nm的厚度d3的情况下,可能不会实现改善第一层LRL和第三层FL之间的粘附性的效果,并且窗WM的机械强度可能降低。在第二层ML具有大于约25nm的厚度d3的情况下,窗WM的反射率可能增加,并且窗WM的总厚度可能增加,从而可能过度增加显示装置的整体厚度。
第二层ML可以在约550nm的波长下具有在约1.3至约1.6的范围内的折射率。在根据实施方式的窗WM中,第二层ML可以在约550nm的波长下具有在约1.45至约1.50的范围内的折射率。在第二层ML在约550nm的波长下的折射率满足以上范围的情况下,窗WM的表面反射率可以降低。
第二层ML可以具有由单一材料形成的单层结构。如上所述,第二层ML可以是由其中混合有氧化镁和二氧化硅的固溶体形成的单个层或由其中混合有氧化铝和二氧化硅的固溶体形成的单个层。例如,第二层ML可以不包括多个层。
第三层FL可以设置在第二层ML上,并且可以是改善窗WM的表面的滑移特性和抗划伤性的层。在实施方式中,第三层FL可以是具有优异的抗指纹特性并且减少表面磨损的抗指纹层。第三层FL可以直接设置在第二层ML上。第三层FL可以设置在窗WM的最上层,并且第三层FL的上表面可以限定窗WM的最上表面。
第三层FL可以包括具有优异的抗划伤性、滑移特性和低折射特性的材料。在实施方式中,第三层FL可以包括含氟聚合物。例如,第三层FL可以包括全氟聚醚(PFPE)化合物。第三层FL可以包括全氟聚醚硅烷、全氟烷基醚烷氧基硅烷、全氟烷基醚共聚物等。由于第三层FL包括全氟聚醚化合物,所以可以改善第三层FL的抗指纹及抗划伤性。
例如,第三层FL可以具有约5nm至约30nm的厚度d4。在第三层FL具有小于约5nm的厚度d4的情况下,窗WM的抗指纹及抗划伤性可能降低。在第三层FL具有大于约30nm的厚度d4的情况下,窗WM的反射率可能增加,并且窗WM的总厚度可能增加,从而过度增加显示装置的整体厚度。
第三层FL可以在约550nm的波长下具有在约1.3至约1.5的范围内的折射率。在根据实施方式的窗WM中,第三层FL可以在约550nm的波长下具有在约1.30至约1.35的范围内的折射率。在第三层FL在约550nm的波长下的折射率满足以上范围的情况下,窗WM的表面反射率可以降低。
设置在基础层BL上的第一层LRL、第二层ML和第三层FL的总厚度(d2+d3+d4)可以小于或等于约150nm。在根据实施方式的窗WM中,设置在窗WM的基础层BL上的第一层LRL、第二层ML和第三层FL的总厚度(d2+d3+d4)可以被设定成小于或等于约150nm,从而可以实现具有低反射特性以及优异的耐磨性和硬度的窗WM。
在根据实施方式的窗WM中,窗WM的表面在约550nm的波长下的反射率可以小于或等于约6.5%。根据实施方式,第三层FL可以设置在窗WM的最上层,并且第三层FL的上表面在约550nm的波长下的反射率可以小于或等于约6.5%。第三层FL的上表面在约550nm的波长下的反射率可以是约5.5%至约6.0%。在本说明书中,措辞“窗WM的反射率”被定义为在从外部朝向窗WM入射的光中反射到外部的光所占的比率。反射到外部的光可以包括以与入射光相同的角度反射的镜面反射光以及在多个方向上反射的漫反射光。例如,在本说明书中,反射率被定义为包括镜面分量的(SCI)反射率。
参考图4B,根据实施方式的窗WM-1可以包括设置在基础层BL和第一层LRL之间的第四层SML。
第四层SML可以设置在基础层BL上,并且可以是用于改善基础层BL和第一层LRL之间的粘附性的层。第四层SML可以是对基础层BL和第一层LRL中的每个具有优异的粘附性的粘附促进层,并且因此改善基础层BL和第一层LRL之间的层间粘附性。第四层SML可以直接设置在基础层BL上。第四层SML可以接触基础层BL和第一层LRL。
第四层SML可以包括具有低折射特性、优异的机械强度和改善的粘附性的材料。在实施方式中,第四层SML可以包括氧化镁(MgO)。除了氧化镁之外,第四层SML还可以包括二氧化硅(SiO2)。第四层SML可以包括具有其中包括有氧化镁的结构的固溶体。例如,第四层SML可以包括其中混合有氧化镁和二氧化硅的固溶体。由于第四层SML包括包含氧化镁的固溶体,所以可以改善第四层SML对包括氧化镁的第一层LRL的粘附性。与第一层LRL一样,第四层SML可以通过离子辅助沉积工艺形成。
例如,第四层SML可以具有约5nm至约25nm的厚度。在第四层SML具有小于约5nm的厚度的情况下,可能不会实现改善基础层BL和第一层LRL之间的粘附性的效果。在第四层SML具有大于约25nm的厚度的情况下,窗WM-1的反射率可能增加,并且窗WM-1的总厚度可能增加,从而可能过度增加显示装置的整体厚度。
第四层SML可以在约550nm的波长下具有在约1.3至约1.6的范围内的折射率。在根据实施方式的窗WM-1中,第四层SML在约550nm的波长下可以具有在约1.45至约1.50范围内的折射率。在第四层SML在约550nm的波长下的折射率满足以上范围的情况下,窗WM-1的表面反射率可以降低。
参考图1B、图3、图4A和图4B,与其中抗反射层包括偏振层的显示装置相比,根据其中包括在显示模块DM中的抗反射层300包括多个滤色器320的实施方式的显示装置DD可以具有改善的显示效率但是可能具有增加的反射率。在根据本公开的实施方式的显示装置DD中,由于窗WM可以包括分别包括具有低折射率的材料的第一层LRL、第二层ML和第三层FL,所以窗WM的表面反射率可以降低。因此,即使显示模块DM的抗反射层300包括多个滤色器320,也可以将显示装置DD的整体反射率保持得较低。
在根据本公开的实施方式的窗WM中,在第一层LRL、第二层ML和第三层FL中的每个包括低折射率材料的同时,第二层ML可以包括氧化镁(MgO)。由于第二层ML包括包含氧化镁的固溶体,所以可以改善第二层ML对包括氧化镁的第一层LRL的粘附性,并且因此可以改善窗WM的耐磨性。根据实施方式的窗WM确保了低折射特性并且还具有改善的耐磨特性和机械强度,因为窗WM包括分别设置为单个层的第一层LRL和第二层ML的结构并且第一层LRL和第二层ML中的每个包括具有其中包括有氧化镁的结构的固溶体。因此,可以改善包括窗WM的显示装置DD的耐久性。
参考图4C,根据实施方式的窗WM-2可以包括设置在基础层BL和第一层LRL之间的第五层HRL。第五层HRL可以具有高折射率。在根据实施方式的窗WM-2中,第五层HRL可以在约550nm的波长下具有在约1.7至约3.0的范围内的折射率。第五层HRL可以在约550nm的波长下具有在约2.0至约2.5的范围内的折射率。第五层HRL可以在约550nm的波长下具有约2.33的折射率。第五层HRL可以对基础层BL和第一层LRL中的每个具有优异的粘附性。
第五层HRL可以设置在基础层BL上并且可以具有高折射率,从而可以进一步降低窗WM-2的表面反射率。根据实施方式的窗WM-2可以具有其中具有低折射率的第一层LRL、第二层ML和第三层FL依次堆叠在具有高折射率特性的第五层HRL上的结构,从而降低窗WM-2的表面反射率。由于第五层HRL可以对基础层BL和第一层LRL中的每个具有优异的粘附性,所以可以长时间保持基础层BL和第一层LRL之间的层间粘附性。第五层HRL可以直接设置在基础层BL上。第五层HRL可以接触基础层BL和第一层LRL。
第五层HRL可以包括具有高折射特性、优异的机械强度和改善的粘附性的材料。在实施方式中,第五层可以包括氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铌(Nb2O5)、氧化钛(TiO2)、氧化镱(Y2O3)、氮化硅(Si3N4)、钛酸锶(SrTiO3)、氧化钨(WO3)、氮化铝(AlN)或它们的任何组合。例如,第五层HRL可以包括氧化铌(Nb2O5)。由于第五层HRL包括氧化铌(Nb2O5)等,所以第五层HRL可以具有在上述范围内的高折射率,并且还可以对与第五层HRL接触的基础层BL和第一层LRL中的每个具有优异的粘附性。与第一层LRL一样,第五层HRL可以通过离子辅助沉积工艺形成。在形成第五层HRL的工艺中,诸如氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铌(Nb2O5)、氧化钛(TiO2)、氧化镱(Y2O3)、氮化硅(Si3N4)、钛酸锶(SrTiO3)、氧化钨(WO3)和氮化铝(AlN)的高折射材料可以以微粒的形式沉积在基础层BL的表面上。在沉积工艺期间可以一起提供离子化的氧(O2)气体,从而可以改善沉积膜对基础层BL的表面的粘附性。
第五层HRL可以具有约5nm至约25nm的厚度d5。例如,第五层HRL可以具有约10nm的厚度d5。在第五层HRL具有小于约5nm的厚度d5的情况下,窗WM-2的反射率可能增加,并且可能不会实现改善基础层BL和第一层LRL之间的粘附性的效果。在第五层HRL具有大于约25nm的厚度d5的情况下,窗WM-2的总厚度可能增加,并且因此可能过度增加显示装置的整体厚度。
在根据实施方式的窗WM-2中,窗WM-2在约550nm的波长下的表面反射率可以小于或等于约5.0%。第三层FL可以设置在根据实施方式的窗WM-2的最上层,并且第三层FL的上表面可以在约550nm的波长下具有小于或等于约5.0%的反射率。第三层FL可以在约550nm的波长下具有约4.0%至约4.5%的反射率。由于根据本公开的实施方式的窗WM-2还包括设置在第一层LRL和基础层BL之间的第五层HRL,所以与其中第一层LRL直接设置在基础层BL上的情况相比,窗WM-2可以具有更低的表面反射率。例如,在根据本公开的实施方式的窗WM-2中,具有高折射率的第五层HRL可以设置在基础层BL和第一层LRL之间,并且窗WM-2可以具有其中高折射率层和低折射率层依次设置在基础层BL上的结构。由此,窗WM-2可以实现进一步降低窗WM-2的表面反射率的结构。由于包括在窗WM-2中的第五层HRL可以通过经由离子辅助沉积工艺在基础层BL的上表面上沉积诸如氧化铌(Nb2O5)的材料来形成,所以第五层HRL可以具有对基础层BL的高粘附性。因此,窗WM-2可以具有与其中省略了第五层HRL的窗相同水平的耐磨性。因此,包括窗WM-2的显示装置可以在耐久性不劣化的情况下具有优异的低反射特性。
参考图4D,根据实施方式的窗WM-3可以包括设置在基础层BL下方的第六层CLRL。第六层CLRL可以具有低折射率。在根据实施方式的窗WM-3中,第六层CLRL可以在约550nm的波长下具有在约1.3至约1.5的范围内的折射率。第六层CLRL可以在约550nm的波长下具有在约1.38至约1.40的范围内的折射率。
第六层CLRL可以设置在基础层BL下方并且可以具有低折射率,从而可以进一步降低窗WM-3的表面反射率。由于根据实施方式的窗WM-3还包括设置在基础层BL下方的第六层CLRL,所以窗WM-3可以具有比不包括第六层CLRL的窗更好的反射颜色。第六层CLRL可以设置在基础层BL下方,并且可以与第一层LRL间隔开而基础层BL介于第六层CLRL和第一层LRL之间。例如,在根据实施方式的窗WM-3应用于显示装置DD(参见图2)的情况下,第六层CLRL可以与基础层BL、第一层LRL、第二层ML和第三层FL相比设置成与显示模块DM(参见图2)相邻。第六层CLRL可以直接设置在基础层BL下方。第六层CLRL可以与基础层BL的下表面接触。
第六层CLRL可以包括具有低折射率和对基础层BL的优异的粘附性的材料。第六层CLRL可以与第一层LRL一样包括第一材料,并且如上所述,第一材料可以包括具有比包括在基础层BL中的材料的折射率低的折射率的材料。例如,包括在第六层CLRL中的第一材料可以包括二氧化硅、熔融二氧化硅、掺氟熔融二氧化硅、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化铝(AlF3)、氟化钇(YF3)、氟化镱(YbF3)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)或它们的任何组合。例如,第六层CLRL可以包括氟化镁(MgF2)和氧化镁(MgO)中的至少一种作为第一材料。
在实施方式中,第六层CLRL可以包括氧化镁(MgO)。除了氧化镁之外,第六层CLRL还可以包括氟化镁(MgF2)和氟氧化钇(YOF)。第六层CLRL可以包括具有其中包括有氧化镁的结构的固溶体。例如,第六层CLRL可以包括其中混合有氧化镁、氟化镁和氟氧化钇的固溶体。在另一实施方式中,第六层CLRL可以包括氟化镁(MgF2)。第六层CLRL可以是由氟化镁(MgF2)制成的单个层。
第六层CLRL和第一层LRL可以包括相同的材料或不同的材料。例如,第一层LRL和第六层CLRL中的每个可以包括氟化镁。第一层LRL和第六层CLRL中的每个可以包括其中混合有氧化镁、氟化镁和氟氧化钇的固溶体。在另一实施方式中,第一层LRL和第六层CLRL中的一个可以包括氟化镁,且另一个可以包括其中混合有氧化镁、氟化镁和氟氧化钇的固溶体。
与第一层LRL一样,第六层CLRL可以通过离子辅助沉积工艺形成。在形成第六层CLRL的工艺中,诸如氧化镁、氟化镁和氟氧化钇的材料中的至少一种可以以微粒的形式沉积在基础层BL的表面上。在沉积工艺期间可以一起提供离子化的氩(Ar)气体或氧(O2)气体,从而可以改善沉积膜对基础层BL的表面的粘附性。
例如,第六层CLRL可以具有约50nm至约130nm的厚度d6。在第六层CLRL具有小于约50nm的厚度d6的情况下,窗WM-3的表面反射率可能不会充分地降低。在第六层CLRL具有大于约130nm的厚度d6的情况下,窗WM-3的机械强度可能减小并且因此窗的耐久性可能劣化,并且窗WM-3的总厚度可能增加从而过度增加显示装置的整体厚度。
在根据实施方式的窗WM-3中,窗WM-3的表面可以在约550nm的波长下具有小于或等于约5.0%的反射率。第三层FL可以设置在根据实施方式的窗WM-3的最上层,并且第三层FL的上表面可以在约550nm的波长下具有小于或等于约5.0%的反射率。第三层FL的上表面在约550nm的波长下可以具有约1.3%至约4.5%的反射率。由于根据本公开的实施方式的窗WM-3还包括设置在基础层BL下方的第六层CLRL,所以与在基础层BL之下未设置有单独的层的情况相比,窗WM-3可以具有更低的表面反射率。例如,根据本公开的实施方式的窗WM-3可以具有其中具有低折射特性的第一层LRL和第六层CLRL分别设置在基础层BL的两个表面上的结构,从而实现进一步降低窗WM-3的表面反射率的结构。因此,包括窗WM-3的显示装置可以具有优异的低反射特性。
根据本公开的实施方式,窗可以包括具有低折射率的第一层和第三层以及具有优异的粘附性的第二层,从而改善耐磨性和机械强度。因此,包括窗的显示装置可以具有改善的耐久性。
本文中已经公开了实施方式,且尽管采用了术语,但是它们仅以概述性和描述性的意义被使用和解释,而不是为了限制的目的。在一些情况下,如将对于本领域的普通技术人员来说显而易见的,除非另外特别指示,否则结合实施方式描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此,本领域的普通技术人员将理解,在不背离如在权利要求中阐述的本公开的精神和范围的情况下,可以在形式和细节上进行各种改变。
Claims (20)
1.一种窗,包括:
基础层;
第一层,设置在所述基础层上;
第二层,设置在所述第一层上;以及
第三层,设置在所述第二层上,
其中,所述第二层包括诸如熔融二氧化硅的二氧化硅、掺氟熔融二氧化硅、氟化镁、氟化钙、氟化铝、氟化钇、氟化镱、氧化铝、氧化镁或它们的组合,以及
所述第二层在550nm的波长下具有在1.3至1.6的范围内的折射率。
2.根据权利要求1所述的窗,其中,所述第二层包括二氧化硅、氧化镁、氧化铝或它们的组合。
3.根据权利要求1所述的窗,其中,
所述第二层直接设置在所述第一层上,以及
所述第三层直接设置在所述第二层上。
4.根据权利要求1所述的窗,其中,所述第一层包括氟化镁、氧化镁或它们的组合。
5.根据权利要求4所述的窗,其中,所述第一层还包括氟氧化钇。
6.根据权利要求5所述的窗,其中,所述第一层包括其中混合有氧化镁、氟化镁和氟氧化钇的固溶体。
7.根据权利要求1所述的窗,其中,所述窗在550nm的波长下在所述第三层的上表面处具有小于或等于6.5%的反射率。
8.根据权利要求1所述的窗,其中,所述第三层包括含氟聚合物。
9.根据权利要求1所述的窗,其中,
所述第一层在550nm的波长下具有在1.3至1.5的范围内的折射率,以及
所述第三层在550nm的波长下具有在1.3至1.5的范围内的折射率。
10.根据权利要求1所述的窗,其中,所述基础层包括玻璃衬底或聚合物膜。
11.根据权利要求1所述的窗,其中,
所述第一层具有在50nm至130nm的范围内的厚度,
所述第二层具有在5nm至25nm的范围内的厚度,以及
所述第三层具有在5nm至30nm的范围内的厚度。
12.根据权利要求1所述的窗,还包括:
第四层,设置在所述基础层和所述第一层之间并且包括氧化镁。
13.根据权利要求1所述的窗,还包括:
第五层,设置在所述基础层和所述第一层之间,
其中,所述第五层在550nm的波长下具有在1.7至3.0的范围内的折射率。
14.根据权利要求13所述的窗,其中,所述第五层包括氧化锆、氧化铪、氧化钽、氧化铌、氧化钛、氧化镱、氮化硅、钛酸锶、氧化钨、氮化铝或它们的组合。
15.根据权利要求1所述的窗,还包括:
第六层,设置在所述基础层的下方,
其中,所述第六层在550nm的波长下具有在1.3至1.5的范围内的折射率。
16.根据权利要求15所述的窗,其中,所述第六层包括氧化镁、氟化镁、氟氧化钇或它们的组合。
17.一种窗,包括:
基础层;
第一层,设置在所述基础层上;
第二层,设置在所述第一层上;以及
第三层,设置在所述第二层上,
其中,所述第一层包括第一材料,
所述第二层包括第二材料,以及
所述第一材料和所述第二材料分别独立地包括诸如熔融二氧化硅的二氧化硅、掺氟熔融二氧化硅、氟化镁、氟化钙、氟化铝、氟化钇、氟化镱、氧化铝、氧化镁或它们的组合。
18.一种显示装置,包括:
显示模块;以及
窗,设置在所述显示模块上,
其中,所述窗包括:
基础层;
第一层,设置在所述基础层上;
第二层,设置在所述第一层上;以及
第三层,设置在所述第二层上,
所述第二层包括诸如熔融二氧化硅的二氧化硅、掺氟熔融二氧化硅、氟化镁、氟化钙、氟化铝、氟化钇、氟化镱、氧化铝、氧化镁或它们的组合,以及
所述第二层在550nm的波长下具有在1.3至1.6的范围内的折射率。
19.根据权利要求18所述的显示装置,其中,
所述显示模块包括:
基础衬底;
电路层,设置在所述基础衬底上;
发光元件层,设置在所述电路层上;
封装层,设置在所述发光元件层上;以及
抗反射层,设置在所述封装层上,以及
所述抗反射层包括:
分隔层,包括多个分隔开口,所述多个分隔开口分别在所述基础衬底的厚度方向上与多个发光元件重叠;以及
多个滤色器,设置成分别与所述多个分隔开口对应。
20.根据权利要求18所述的显示装置,其中,所述基础层设置在所述第一层和所述显示模块之间。
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