CN114551517A - 显示面板和包括显示面板的电子设备 - Google Patents
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- CN114551517A CN114551517A CN202111320187.XA CN202111320187A CN114551517A CN 114551517 A CN114551517 A CN 114551517A CN 202111320187 A CN202111320187 A CN 202111320187A CN 114551517 A CN114551517 A CN 114551517A
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 501
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 18
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 15
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- -1 regions Substances 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 208000006930 Pseudomyxoma Peritonei Diseases 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000013057 hereditary mucoepithelial dysplasia Diseases 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
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- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
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- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
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Abstract
本申请涉及显示面板和包括显示面板的电子设备。显示面板包括:第一显示区域,第一发光二极管被布置在第一显示区域中;第二显示区域,至少部分地被第一显示区域围绕,并且包括第二发光二极管的显示元件组和透射区域被布置在第二显示区域中;遮光绝缘层,限定第一发光二极管和第二发光二极管中的每一个的发光区域;以及抗反射层,在遮光绝缘层上并且包括遮光层和滤色器,其中,在平面图中,透射区域的最外线由遮光层和遮光绝缘层中的至少一个的弯曲边缘限定。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年11月11日提交的第10-2020-0150511号韩国专利申请的优先权以及从该专利申请中获得的所有权益,该专利申请的内容通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及显示面板和包括显示面板的电子设备。
背景技术
随着显示装置变得更薄和更轻,显示装置的使用正稳步多样化和扩展。
随着显示区域在显示装置中占据的面积正被扩展,与显示装置组合的或链接到显示装置的各种功能正被添加。作为在扩展显示区域的同时将各种功能添加到显示装置的方式,正在对具有在显示区域内部的、除了显示图像之外的各种功能被添加在其中的区域的显示装置进行研究。
发明内容
为了添加各种功能,诸如摄像头或传感器的部件可以被布置。部件可以被布置成与显示区域重叠以确保更大的显示区域。作为布置部件的方法,显示面板可以包括光或声音可以穿过的透射区域。本发明的实施例包括具有以上结构的显示面板和包括显示面板的电子设备。
本发明的附加特征将在下面的描述中被部分地阐述,并且部分地将从描述中显而易见,或者可以通过实施本发明的实施例来了解。
在本发明的实施例中,显示面板包括:第一显示区域,第一发光二极管被布置在第一显示区域中;第二显示区域,至少部分地被第一显示区域围绕,并且包括第二发光二极管的显示元件组和透射区域被布置在第二显示区域中;遮光绝缘层,限定第一发光二极管和第二发光二极管中的每一个的发光区域;以及抗反射层,在遮光绝缘层上并且包括遮光层和滤色器,其中,在平面图中,透射区域的最外线由遮光层和遮光绝缘层中的至少一个的弯曲边缘限定。
在实施例中,分别与第一发光二极管相对应的第一开口、分别与第二发光二极管相对应的第二开口以及在显示元件组之间的第三开口可以被限定在遮光绝缘层中。
在实施例中,分别与第一开口重叠的第四开口、分别与第二开口重叠的第五开口以及与第三开口的一部分重叠的第六开口可以被限定在遮光层中。
在实施例中,滤色器可以被设置在第四开口和第五开口中,并且抗反射层可以进一步包括保护层,其中,保护层的一部分被设置在第六开口中。
在实施例中,第一发光二极管和第二发光二极管中的每一个可以包括重叠结构,其中,重叠结构包括:第一电极;发射层,在第一电极上;以及第二电极,被提供为单体以与第一发光二极管和第二发光二极管相对应,其中,与第三开口和第六开口重叠的开口可以被限定在第二电极中。
在实施例中,显示面板可以进一步包括:薄膜晶体管,分别电连接到第一发光二极管和第二发光二极管,其中,薄膜晶体管中的每一个可以包括:半导体层;栅电极,与半导体层的一部分重叠;源电极和漏电极;以及绝缘层,被设置在源电极和漏电极当中的一个电极、半导体层和栅电极当中的至少两个之间。
在实施例中,与遮光绝缘层的第三开口重叠的开口可以被限定在绝缘层中。
在实施例中,显示面板可以进一步包括:有机绝缘层,在绝缘层上,其中,有机绝缘层的一部分被设置在绝缘层的开口中。
在实施例中,遮光层的第六开口的在与弯曲边缘交叉的第一方向上测量的宽度可以小于遮光绝缘层的第三开口的在第一方向上测量的宽度。
在实施例中,在平面图中,遮光层可以包括限定透射区域的最外线的弯曲边缘,并且在平面图中,遮光层的被设置在弯曲边缘的一侧处的一部分可以覆盖第三开口的一部分。
在实施例中,在平面图中,遮光绝缘层可以包括直边缘,并且与遮光层的弯曲边缘距第一显示区域相比,遮光绝缘层的直边缘可以被设置成更靠近第一显示区域。
在实施例中,在平面图中,遮光绝缘层可以包括弯曲边缘,并且与遮光层的弯曲边缘距第一显示区域相比,遮光绝缘层的弯曲边缘可以被设置成更靠近第一显示区域。
在实施例中,遮光层的第六开口的在与弯曲边缘交叉的第一方向上测量的宽度可以大于遮光绝缘层的第三开口的在第一方向上测量的宽度。
在实施例中,在平面图中,遮光绝缘层可以包括限定透射区域的最外线的弯曲边缘,并且在平面图中,第六开口可以与遮光绝缘层的被设置在弯曲边缘的一侧处的一部分重叠。
在实施例中,在平面图中,遮光层可以包括直边缘,并且与遮光绝缘层的弯曲边缘距第一显示区域相比,遮光层的直边缘可以被设置成更靠近第一显示区域。
在实施例中,第一显示区域与透射区域之间的虚设开口可以被限定在遮光层和遮光绝缘层当中的一个中。
在本发明的另一个实施例中,电子设备包括:显示面板,包括第一显示区域和第二显示区域,第一发光二极管被布置在第一显示区域中,第二发光二极管和透射区域被布置在第二显示区域中;以及部件,在显示面板的下表面上并且与第二显示区域重叠,其中,显示面板进一步包括:遮光绝缘层,限定第一发光二极管和第二发光二极管中的每一个的发光区域;以及抗反射层,在遮光绝缘层上并且包括遮光层和滤色器,并且在平面图中,透射区域的最外线由遮光层和遮光绝缘层中的至少一个的弯曲边缘限定。
在实施例中,在平面图中,部件的宽度可以大于由透射区域的最外线限定的形状的宽度,形状包括圆形或椭圆形。
在实施例中,分别与第一发光二极管相对应的第一开口,分别与第二发光二极管相对应的第二开口以及与透射区域相对应的第三开口可以被限定在遮光绝缘层中,并且分别与第一开口重叠的第四开口、分别与第二开口重叠的第五开口以及与第三开口重叠的第六开口可以被限定在遮光层中。
在实施例中,滤色器可以被设置在第四开口和第五开口中,并且抗反射层可以进一步包括保护层,保护层的一部分被设置在第六开口中。
在实施例中,第一发光二极管和第二发光二极管中的每一个可以包括重叠结构,重叠结构包括:第一电极;发射层,在第一电极上;以及第二电极,被提供为单体以与第一发光二极管和第二发光二极管相对应,其中,与第三开口和第六开口重叠的开口可以被限定在第二电极中。
在实施例中,电子设备可以进一步包括:薄膜晶体管,分别电连接到第一发光二极管和第二发光二极管,其中,薄膜晶体管中的每一个可以包括:半导体层;栅电极,与半导体层的一部分重叠;源电极和漏电极;以及绝缘层,被设置在源电极和漏电极当中的一个电极、半导体层和栅电极当中的至少两个之间。
在实施例中,与遮光绝缘层的第三开口重叠的开口可以被限定在绝缘层中,并且与遮光绝缘层的限定第三开口的边缘距透射区域相比,绝缘层的限定开口的边缘可以更靠近透射区域。
在实施例中,电子设备可以进一步包括:有机绝缘层,在绝缘层上,其中,有机绝缘层的一部分可以被设置在绝缘层的开口中。
在实施例中,遮光层的第六开口的在与弯曲边缘交叉的第一方向上测量的宽度可以小于遮光绝缘层的第三开口的在第一方向上测量的宽度。
在实施例中,遮光层的第六开口的在与弯曲边缘交叉的第一方向上测量的宽度可以大于遮光绝缘层的第三开口的在第一方向上测量的宽度。
在实施例中,在平面图中,遮光层可以包括限定透射区域的最外线的弯曲边缘;在平面图中,遮光绝缘层可以包括直边缘,并且与遮光层的弯曲边缘距第一显示区域相比,遮光绝缘层的直边缘可以被设置成更靠近第一显示区域。
在实施例中,在平面图中,遮光绝缘层可以包括限定透射区域的最外线的弯曲边缘;在平面图中,遮光层可以包括直边缘,并且与遮光绝缘层的弯曲边缘距第一显示区域相比,遮光层的直边缘可以被设置成更靠近第一显示区域。
在实施例中,在平面图中,遮光层可以包括第一弯曲边缘;在平面图中,遮光绝缘层可以包括第二弯曲边缘,并且限定透射区域的最外线的弯曲边缘可以与第一弯曲边缘或第二弯曲边缘相对应。
在实施例中,第一显示区域与透射区域之间的虚设开口可以被限定在遮光层和遮光绝缘层当中的一个中。
在实施例中,部件可以包括传感器或摄像头。
从以下对实施例、附图和权利要求的详细描述中,这些和/或其它特征将变得显而易见并且更易于理解。
附图说明
从以下结合附图的描述中,本发明的实施例的以上和其它实施例、特征和优点将更显而易见,在附图中:
图1是图示电子设备的实施例的透视图;
图2A和图2B是可折叠电子设备的实施例的透视图;
图2A是图示可折叠电子设备的折叠状态的实施例的透视图;
图2B是图示可折叠电子设备的展开状态的实施例的透视图;
图3是示意性地图示电子设备的实施例的平面图;
图4是图示电子设备的一部分的实施例的截面图;
图5是示意性地图示电连接到显示面板的发光二极管的像素电路的实施例的等效电路图;
图6是图示显示面板的第一显示区域的一部分的实施例的平面图;
图7A和图7B是图示显示面板的第二显示区域的一部分的实施例的平面图;
图8是图示显示面板的第二显示区域和第二显示区域周围的第一显示区域的实施例的平面图;
图9是图示图8中的显示面板的一部分的平面图;
图10是图9中的显示面板的沿着线A-A’截取的实施例的截面图;
图11是图9中的显示面板的沿着线B-B’截取的实施例的截面图;
图12A是图示显示面板的遮光绝缘层的实施例的平面图;
图12B是图示显示面板的遮光层的实施例的平面图;
图12C是图示图12A中的遮光绝缘层与图12B中的遮光层彼此重叠的实施例的平面图;
图13A和图13B是图示透射区域的实施例的平面图;
图14A是图示显示面板的遮光绝缘层的实施例的平面图;
图14B是图示显示面板的遮光层的实施例的平面图;
图14C是图示图14A中的遮光绝缘层与图14B中的遮光层彼此重叠的实施例的平面图;
图15是图14C中的显示面板的沿着线C-C’截取的实施例的截面图;
图16A是图示显示面板的遮光绝缘层的实施例的平面图;
图16B是图示显示面板的遮光层的实施例的平面图;
图16C是图示图16A中的遮光绝缘层与图16B中的遮光层彼此重叠的实施例的平面图;以及
图17是显示面板的一部分的实施例的平面图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例,实施例的示例在附图中被图示,其中遍及本公开,相同的附图标记指代相同的元件。在这点上,实施例可以具有不同的形式和配置,并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此,下面仅通过参考附图来描述实施例,以解释本公开的特征。如本文中所使用的,术语“和/或”包括相关联的列出项中的一个或多个的任意组合和全部组合。遍及本公开,表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或者其任意变型。
因为本公开可以具有各种修改的实施例,所以实施例在附图中被图示并且关于实施例被描述。通过参考参照附图描述的实施例,本公开的效果和特征以及实现它们的方法将显而易见。然而,本公开可以以许多不同的形式和配置实施,并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。
在下文中,将参照附图描述实施例,其中遍及本公开,相同的附图标记指代相同的元件,并且其重复描述被省略。
虽然诸如“第一”、“第二”等的术语可以被用于描述各种部件,但是此类部件不限于以上术语。以上术语仅被用于区分一个部件与另一个部件。
除非上下文另外明确地指示,否则以单数使用的表述涵盖复数的表述。
将理解,本文中使用的术语“包括”和/或“包含”表明陈述的特征或元件的存在,但是不排除一个或多个其它特征或元件的存在或添加。
将进一步理解,当层、区或元件被称为“被设置在”另一个层、区或元件“上”时,它可以被直接或间接设置在另一个层、区或元件上。也就是说,例如,一个或多个居间的层、区或元件可以存在于其间。
在本公开中,术语“和/或”包括相关联的列出项中的一个或多个的任意组合和全部组合。例如,“A和/或B”可以包括“A”、“B”或“A和B”。
为了便于说明,附图中的元件的大小可能被夸大或被缩小。换句话说,因为附图中的部件的大小和厚度为了便于说明而被任意地图示,所以以下实施例不限于此。
当实施例可以被不同地实现时,特定的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如,两个连续描述的工艺可以基本上同时执行,或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
将理解,当层、区或部件被称为连接到另一个层、区或部件时,它能够直接或间接连接到另一个层、区或部件。也就是说,例如,可以存在居间的层、区或部件。例如,当层、区或部件等被称为“电连接”时,它们可以直接电连接,或者层、区或部件可以间接电连接,并且居间的层、区或部件等可以存在于其间。
考虑到有争议的测量以及与特定量的测量相关联的误差(即,测量系统的限制),如本文中所使用的,“大约”或“近似”包括所陈述的值,并且意指在由本领域普通技术人员确定的特定值的偏差的可接受的范围内。例如,“大约”可以意指在一个或多个标准偏差内,或者在所陈述的值的±30%、±20%、±10%、±5%内。
图1是图示电子设备1的实施例的透视图。
参考图1,电子设备1可以是用于显示运动图像或静止图像的设备,并且可以被用作诸如电视、笔记本计算机、监控器、广告牌和物联网(“IoT”)的各种产品以及诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(“PC”)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(“PMP”)、导航设备和超移动PC(“UMPC”)的便携式电子设备的显示屏。另外,电子设备1可以被用在诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器和头戴式显示器(“HMD”)的可穿戴装置中。另外,实施例中的电子设备1可以被用作被设置在车辆的仪表板或者车辆的中央饰板或仪表盘处的中央信息显示器(“CID”)、代替车辆的侧视镜的车内镜显示器或者被设置在车辆的前排座椅的后侧处作为车辆的后排座椅的娱乐设施的显示器。为了便于说明,图1图示电子设备1被用作智能电话。
参考图1,电子设备1可以包括显示区域DA和在显示区域DA外部的非显示区域NDA。电子设备1可以通过被二维布置在显示区域DA中的多个像素的阵列来提供图像。
非显示区域NDA可以是不提供图像的区域,并且可以完全围绕显示区域DA。用于将电信号或电力提供到被布置在显示区域DA中的显示元件的驱动器等可以被布置在非显示区域NDA中。非显示区域NDA可以包括是电子元件或印刷电路板等可以电连接到的区域的焊盘。
显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。第二显示区域DA2是用于将各种功能添加到电子设备1的部件被布置在其中的区域,并且可以与部件区域相对应。
图2A和图2B是可折叠电子设备的实施例的透视图,图2A图示可折叠电子设备的折叠状态,并且图2B图示可折叠电子设备的展开状态。
实施例中的电子设备1可以是可折叠电子设备。电子设备1可以围绕折叠轴FAX被折叠。显示区域DA可以被设置在电子设备1外部和/或内部。在实施例中,图2A和图2B分别图示显示区域DA被设置在电子设备1的外部和内部。
参考图2A,显示区域DA可以被布置在电子设备1的外部。被折叠的电子设备1的外表面可以包括显示区域DA,并且显示区域DA可以包括占据显示区域DA的大部分的第一显示区域DA1以及与第一显示区域DA1相比具有相对小的面积的第二显示区域DA2。
参考图2B,显示区域DA可以被布置在电子设备1的内部。被展开的电子设备1的内表面可以包括显示区域DA,并且显示区域DA可以包括占据显示区域DA的大部分的第一显示区域DA1以及与第一显示区域DA1相比具有相对小的面积的第二显示区域DA2。
图2B图示第一显示区域DA1包括被布置在折叠轴FAX的相对侧处的左显示区域DA1L和右显示区域DA1R,并且图示第二显示区域DA2被设置在右显示区域DA1R的内部。然而,本发明不限于此。在另一个实施例中,第二显示区域DA2可以被布置在左显示区域DA1L内部。
图1、图2A和图2B图示第二显示区域DA2被第一显示区域DA1完全围绕,但是本发明不限于此。图3是示意性地图示实施例中的电子设备1的平面图,并且如图3中所示,第二显示区域DA2可以被第一显示区域DA1部分地围绕。
图4是图示电子设备1的一部分的实施例的截面图。
参考图4,电子设备1可以包括显示面板10和部件20,其中部件20被布置在显示面板10的下表面上、与显示面板10重叠。部件20可以被设置在第二显示区域DA2中。部件20可以与第二显示区域DA2重叠。
显示面板10可以包括基板100、被布置在基板100上的薄膜晶体管TFT、电连接到薄膜晶体管TFT的显示元件(例如,发光二极管LED)、覆盖显示元件的封装层300、输入感测层400、抗反射层600和窗口700。
基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。包括聚合物树脂的基板100可以是柔性的、可折叠的或可弯折的。基板100可以具有包括包含前述聚合物树脂的层和无机层(未被示出)的多层结构。
下保护膜PB可以被布置在基板100的下表面上。下保护膜PB可以被附接到基板100的下表面。粘合剂层可以被设置在下保护膜PB与基板100之间。在一些实施例中,下保护膜PB可以被直接设置在基板100的后表面上,并且在这种情况下,没有粘合剂层被设置在下保护膜PB与基板100之间。
下保护膜PB可以支撑和保护基板100。与第二显示区域DA2相对应的开口PB-OP可以被限定在下保护膜PB中。在实施例中,例如,下保护膜PB可以包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)或聚酰亚胺(“PI”)的有机绝缘材料。
薄膜晶体管TFT和是电连接到薄膜晶体管TFT的显示元件的发光二极管LED可以被布置在基板100的上表面上。发光二极管LED可以是包括有机材料的有机发光二极管。在实施例中,例如,有机发光二极管可以发射红光、绿光和蓝光。
发光二极管LED可以是包括无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括包含无机半导体类材料的PN结二极管。当电压在正向方向上被施加到PN结二极管时,空穴和电子被注入,并且一颜色的光可以通过将由于空穴与电子的复合而生成的能量转换为光能来发射。前述无机发光二极管可以具有几微米至几百微米或几纳米至几百纳米的宽度。在实施例中,发光二极管LED可以包括量子点发光二极管。在实施例中,例如,发光二极管LED的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点或者无机材料和量子点。
发光二极管LED可以电连接到被布置在发光二极管LED下方的薄膜晶体管TFT。在这点上,图4图示缓冲层111被布置在基板100上并且薄膜晶体管TFT被布置在缓冲层111上。薄膜晶体管TFT和电连接到薄膜晶体管TFT的发光二极管LED可以被布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的每一个中。
透射区域TA可以被设置在第二显示区域DA2中。透射区域TA是从部件20发射的光和/或被导向部件20的光可以穿过的区域。在实施例中,例如,在显示面板10中,透射区域TA的透射率可以是大约百分之(%)30以上、大约40%以上、大约50%以上、大约60%以上、大约70%以上、大约75%以上、大约80%以上、大约85%以上或者大约90%以上。
部件20可以包括诸如接近度传感器、照度传感器、虹膜传感器和面部识别传感器的传感器以及摄像头(或图像传感器)。部件20可以使用光。在实施例中,部件20可以发射和/或接收红外波段、紫外波段和可见波段中的光。例如,使用红外线的接近度传感器可以检测被布置成靠近电子设备1的上表面的对象,并且照度传感器可以检测入射到电子设备1的上表面上的光的亮度。另外,虹膜传感器可以拍摄被布置在电子设备1的上表面上的人的虹膜,并且摄像头可以接收来自被布置在电子设备1的上表面上的对象的光。
为了防止被布置在第二显示区域DA2中的薄膜晶体管TFT的功能由于光通过透射区域TA而劣化,阻挡金属层BML可以被布置在基板100与缓冲层111之间。阻挡金属层BML可以不被设置在第一显示区域DA1中。阻挡金属层BML可以被设置在第二显示区域DA2中,并且与透射区域TA重叠的开口可以被限定在阻挡金属层BML中。
封装层300可以覆盖发光二极管LED。封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中,封装层300可以包括第一无机封装层、第二无机封装层以及第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层。
输入感测层400可以被设置在封装层300上。输入感测层400可以根据外部输入(例如,诸如手指或手写笔的对象的触摸事件)获得坐标信息。输入感测层400可以包括触摸电极和连接到触摸电极的迹线。输入感测层400可以通过互电容方法或自电容方法来检测外部输入。
抗反射层600可以减小从外部朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。抗反射层600可以包括遮光层610、滤色器620和保护层630。与第一显示区域DA1中的发光二极管LED重叠的开口610OP1以及与第二显示区域DA2中的发光二极管LED重叠的开口610OP2可以被限定在遮光层610中,并且滤色器620可以被分别布置在开口610OP1和610OP2中。不与发光二极管LED重叠的开口610OP3可以被限定在遮光层610中。前述开口610OP3是与透射区域TA相对应的区域,并且保护层630的一部分可以被设置在开口610OP3中。
窗口700被布置在抗反射层600上。窗口700可以通过诸如光学透明粘合剂的粘合剂层联接到抗反射层600。窗口700可以包括玻璃材料或塑料材料。玻璃材料可以包括超薄玻璃。在实施例中,例如,塑料可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、PET、聚苯硫醚、聚芳酯、PI、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。
图5是示意性地图示电连接到显示面板10的发光二极管LED的像素电路PC的实施例的等效电路图。
参考图5,像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。
在本文中也被称为开关薄膜晶体管的第二薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL,并且可以根据经由扫描线SL接收的开关电压(或开关信号Sn)将经由数据线DL接收的数据电压(或数据信号Dm)传送到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL,并且可以存储与经由第二薄膜晶体管T2接收的数据电压和被施加到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD之间的电压差相对应的电压。
在本文中也被称为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst,并且可以对应于被存储在存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电压线PL流到发光二极管LED的驱动电流。发光二极管LED可以根据驱动电流发射具有亮度的光。发光二极管LED的电极(例如,阴极)可以接收第二电力电压ELVSS。在实施例中,第二电力电压ELVSS的电压电平可以小于第一电力电压ELVDD的电压电平。在实施例中,发光二极管LED的电极(例如,阴极)可以连接到地并且接收0伏(V)的电压。
在图5中,像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器,但是本发明不限于此。薄膜晶体管的数量和/或存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而变化而不脱离本发明的范围。在实施例中,像素电路PC可以包括三个或更多个薄膜晶体管。
图6是图示显示面板10的第一显示区域DA1的一部分的实施例的平面图。
参考图6,像素被布置在第一显示区域DA1中,并且像素可以包括发射不同颜色的光的第一至第三像素。在下文中,为了便于说明,将描述第一像素是红色像素Pr,第二像素是绿色像素Pg,并且第三像素是蓝色像素Pb。
红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以根据图案被布置在第一显示区域DA1中。在一些实施例中,红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以被布置成如图6中所示的菱形PenTileTM型。
在实施例中,例如,多个红色像素Pr和多个蓝色像素Pb被交替地布置在第一行1N中,多个绿色像素Pg以一定间隔被布置在与第一行1N相邻的第二行2N中,蓝色像素Pb和红色像素Pr被交替地布置在与第二行2N相邻的第三行3N中,多个绿色像素Pg以一定间隔被布置在与第三行3N相邻的第四行4N中,并且该像素布置被重复直到第n行,其中,n是除零之外的自然数。在这种情况下,蓝色像素Pb和红色像素Pr中的每一个的大小(或宽度)可以大于绿色像素Pg的大小(或宽度)。
被布置在第一行1N中的多个红色像素Pr和多个蓝色像素Pb以及被布置在第二行2N中的多个绿色像素Pg被交替地布置。因此,红色像素Pr和蓝色像素Pb被交替地布置在第一列1M中,并且多个绿色像素Pg以一定间隔被布置在与第一列1M相邻的第二列2M中,蓝色像素Pb和红色像素Pr被交替地布置在与第二列2M相邻的第三列3M中,多个绿色像素Pg以一定间隔被布置在与第三列3M相邻的第四列4M中,并且该像素布置被重复直到第m列,其中,m是除零之外的自然数。
换句话说,在以绿色像素Pg的中心为其中心的虚拟四边形VS的顶点当中,红色像素Pr可以被布置在彼此面对的第一顶点和第三顶点处,并且蓝色像素Pb可以被布置在其余顶点处,即,第二顶点和第四顶点处。这里,虚拟四边形VS可以被不同地修改为例如矩形、菱形、正方形等。
这种像素布置结构也被称为菱形PenTileTM型,并且通过应用经由共享相邻的像素来表示颜色的渲染驱动,可以用少量像素来实现高分辨率。
图6中所示的红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以通过被布置在对应的像素中的发光二极管LED分别发射红光、绿光和蓝光。因此,像素的布置可以与是显示元件的发光二极管LED的布置相对应。在实施例中,例如,图6中所示的红色像素Pr的位置可以指示发射红光的发光二极管LED的位置。类似地,绿色像素Pg的位置指示发射绿光的发光二极管LED的位置,并且蓝色像素Pb的位置指示发射蓝光的发光二极管LED的位置。
图7A和图7B是图示显示面板10的第二显示区域DA2的一部分的实施例的平面图。
参考图7A和图7B,像素组PG可以在第二显示区域DA2中彼此间隔开。像素组PG中的每一个可以被透射区域TA围绕,并且可以包括发射不同颜色的光的像素,例如,红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb。在实施例中,像素组PG中的每一个可以包括两个红色像素Pr、四个绿色像素Pg和两个蓝色像素Pb。
如以上参考图6所描述的,红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以通过被布置在对应的像素中的发光二极管LED分别发射红光、绿光和蓝光,并且因此,像素的布置可以与是显示元件的发光二极管LED的布置相对应。因此,参考图7A和图7B描述的像素组PG可以与包括发射红光的发光二极管LED、发射绿光的发光二极管LED和发射蓝光的发光二极管LED的显示元件组相对应。在实施例中,例如,当各自包括红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb的像素组PG彼此分离时,包括分别发射红光、绿光和蓝光的发光二极管LED的显示元件组可以彼此分离。
像素组PG可以关于像素组PG的中心PGC被对称地布置。在实施例中,例如,红色像素Pr和蓝色像素Pb可以被布置在第一列1M’中,并且四个绿色像素Pg可以在第二列2M’中以一定间隔彼此间隔开。另外,蓝色像素Pb和红色像素Pr可以被布置在第三列3M’中。在这种情况下,被布置在第一列1M’中的红色像素Pr和被布置在第三列3M’中的红色像素Pr可以关于像素组PG的中心PGC被对称地布置。被布置在第一列1M’中的蓝色像素Pb和被布置在第三列3M’中的蓝色像素Pb可以关于像素组PG的中心PGC被对称地布置。被布置在第二列2M’中的绿色像素Pg可以关于像素组PG的中心PGC被对称地布置。
在实施例中,蓝色像素Pb在y方向上的长度可以大于红色像素Pr在y方向上的长度。蓝色像素Pb在y方向上的长度可以等于或大于两个绿色像素Pg在y方向上的长度的总和。
参考图7A,红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb中的每一个在平面图中可以基本上是四边形。在实施例中,例如,红色像素Pr和蓝色像素Pb中的每一个可以具有包括在x方向上的短边和在y方向上的长边的四边形形状。绿色像素Pg可以具有包括在x方向上的长边和在y方向上的短边的四边形形状。
在另一个实施例中,红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb中的至少一个可以是n边形(n是5以上的正整数)。在实施例中,例如,如图7B中所示,绿色像素Pg可以是四边形,但是红色像素Pr和蓝色像素Pb中的每一个的与透射区域TA邻近的边缘可以被弯折至少一次,并且因此,红色像素Pr和蓝色像素Pb中的每一个可以具有n边形(n是5以上的正整数)形状。
图8是图示实施例中的显示面板10的第二显示区域DA2以及第二显示区域DA2周围的第一显示区域DA1的平面图,并且图9是图示图8中的显示面板10的一部分的平面图。
参考图8和图9,红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb被布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中。红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb在第一显示区域DA1中的布置可以与红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb在第二显示区域DA2中的布置相同或不同。在实施例中,图8和图9图示像素在第一显示区域DA1中的布置和像素在第二显示区域DA2中的布置彼此不同,并且其详细结构如以上参考图6、图7A和图7B所描述的。在另一个实施例中,被布置在第二显示区域DA2中的像素组PG中的每一个中的红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb可以具有如以上参考图6所描述的菱形PenTileTM结构。
第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间的边界线BL1在平面图中可以具有如图8中所示的多边形形状。在实施例中,图8图示边界线BL1是具有十二条边的(例如,具有大致十字形形状的)多边形,并且以上描述的多边形的拐角部分可以具有阶梯配置。在另一个实施例中,由边界线BL1提供的边的数量可以小于或大于12。在实施例中,例如,第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间的边界线BL1可以具有四条边(像四边形),或者可以是具有多于十二条边的多边形。
参考图9,第一显示区域DA1中的像素和第二显示区域DA2中的像素彼此间隔开一定距离,该距离可以大于被布置在第一显示区域DA1中的相邻的像素之间的距离,并且可以大于被布置在第二显示区域DA2中的一个像素组PG中的相邻的像素之间的距离。将参考图10在对应的部分中描述被布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的像素的截面结构。
透射区域TA可以被设置在第二显示区域DA2中,并且透射区域TA的最外线OL在平面图中可以具有圆形(或弯曲的)形状。在实施例中,例如,如图8中所示,透射区域TA的最外线OL可以具有整体上或大体上圆形形状或椭圆形形状。
透射区域TA的最外线OL可以由包括遮光材料的层的边缘限定。显示面板10可以包括遮光绝缘层123和包括遮光材料的遮光层610。遮光绝缘层123是包括遮光材料并且限定发光二极管LED的发光区域的层。遮光层610被包括在抗反射层600中并且包括遮光材料。透射区域TA的最外线OL可以由选自遮光绝缘层123和遮光层610当中的一个或两个的弯曲边缘(例如,弧形边缘)限定。换句话说,遮光绝缘层123和遮光层610中的至少一个的弯曲边缘可以限定透射区域TA的最外线OL。在实施例中,图8和图9图示透射区域TA的最外线OL由遮光层610的弯曲边缘AC-E限定。
透射区域TA是光和/或声音可以传输通过的区域,如以上参考图4所描述的,并且部件CM可以被布置成与透射区域TA重叠,如由图8中的虚线所指示的。部件CM的宽度(或直径)可以大于由图8中所示的最外线OL限定的圆形形状或椭圆形形状的宽度(或直径,或短轴的长度,或长轴的长度)。
在平面图中,由最外线OL围绕的区域可以小于由被设置在第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间的边界线BL1围绕的区域。如图9中图示的,第二显示区域DA2可以包括第二外显示区域DA21和第二内显示区域DA22,其中,第二外显示区域DA21被设置在最外线OL的外部,并且第二内显示区域DA22被设置在最外线OL的内部。第二外显示区域DA21中的相邻的像素组PG之间的一些区域可以与遮光绝缘层123和遮光层610重叠,并且其它区域可以与遮光绝缘层123和遮光层610当中的一个重叠。在这点上,图9图示第二外显示区域DA21的第一区域SP1与遮光绝缘层123和遮光层610中的全部重叠,而第二区域SP2与选自遮光绝缘层123和遮光层610中的一个(即,遮光层610)重叠。
透射区域TA可以被布置在第二内显示区域DA22中。参考图9,透射区域TA可以被布置在第一像素组PG1的像素(红色像素Pr)与第二像素组PG2的像素(红色像素Pr)之间,其中第一像素组PG1和第二像素组PG2在与弯曲边缘AC-E交叉的ob方向上布置。因为发光二极管LED被设置在像素中,所以透射区域TA可以被认为被设置在一个显示元件组的发光二极管LED与另一个显示元件组的发光二极管LED之间。图9中的ob方向是与x方向和y方向交叉的方向,并且可以与朝向由最外线OL限定的圆(或椭圆)的中心C(参见图8)的径向方向相对应。
被布置成靠近最外线OL的透射区域TA的平面形状可以与被布置成远离最外线OL的透射区域TA的平面形状不同。在实施例中,参考图8和图9,被布置成远离最外线OL的透射区域TA可以具有大致十字形形状,而被布置成靠近最外线OL的透射区域TA的一个边缘可以是圆形的。在实施例中,例如,在平面图中,被布置成最靠近最外线OL的透射区域TA可以具有包括弯曲边缘AC-E的闭合曲线形状。
图10是图9中的显示面板10的沿着线A-A’截取的实施例的截面图。图10图示显示面板10的发光二极管LED包括有机发光二极管的情况。有机发光二极管可以作为发光二极管LED被布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的每一个中,并且为了便于说明,被布置在第一显示区域DA1中的有机发光二极管还将被称为第一有机发光二极管OLED1,并且被布置在第二显示区域DA2中的有机发光二极管还将被称为第二有机发光二极管OLED2。
参考图10,第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2被设置在基板100上。
基板100可以包括第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103和第二阻挡层104。第一基底层101和第二基底层103中的每一个可以包括聚合物树脂,并且第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每一个可以包括无机绝缘材料。在实施例中,例如,聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、PET、聚苯硫醚、聚芳酯、PI、聚碳酸酯和/或醋酸丙酸纤维素。
缓冲层111被布置在基板100上。缓冲层111可以减少或阻挡异物、湿气或环境空气从基板100的底部渗透。缓冲层111可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料,并且可以具有包括以上材料的单层结构或多层结构。
阻挡金属层BML可以被设置在基板100与缓冲层111之间,并且可以被设置在第二显示区域DA2中。阻挡金属层BML可以防止行进到被布置在第二显示区域DA2中的部件CM(参考图8)的光或从部件CM(参考图8)发射的光影响诸如像素电路PC的薄膜晶体管TFT的电子元件。阻挡金属层BML可以包括诸如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)的导电金属。
第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2可以分别电连接到像素电路PC。第一有机发光二极管OLED1可以电连接到基板100与第一有机发光二极管OLED1之间的像素电路PC,并且第二有机发光二极管OLED2可以电连接到基板100与第二有机发光二极管OLED2之间的像素电路PC。
像素电路PC可以包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE,其中栅电极GE与半导体层Act的沟道区重叠,并且源电极SE和漏电极DE分别连接到半导体层Act的源区和漏区。栅绝缘层113可以被设置在半导体层Act与栅电极GE之间,并且第一层间绝缘层115和第二层间绝缘层117可以被设置在栅电极GE与源电极SE之间或栅电极GE与漏电极DE之间。
存储电容器Cst可以被布置成与薄膜晶体管TFT重叠。存储电容器Cst可以包括彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2。在一些实施例中,薄膜晶体管TFT的栅电极GE可以包括存储电容器Cst的下电极CE1。第一层间绝缘层115可以被布置在下电极CE1与上电极CE2之间。
半导体层Act可以包括多晶硅。在一些实施例中,半导体层Act可以包括非晶硅。在一些实施例中,半导体层Act可以包括选自包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)或锌(Zn)的组中的至少一种材料的氧化物半导体。半导体层Act可以包括沟道区、源区和漏区,其中,源区和漏区被掺杂有杂质。
在实施例中,栅绝缘层113可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料,并且可以具有包括以上材料的单层结构或多层结构。
在实施例中,栅电极GE或下电极CE1可以包括诸如Mo、Al、Cu和/或Ti的低电阻导电材料,并且可以具有包含以上描述的材料的单层结构或多层结构。
在实施例中,第一层间绝缘层115可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料,并且可以具有包括以上材料的单层结构或多层结构。
在实施例中,上电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu),并且可以具有包括以上材料的单层结构或多层结构。
在实施例中,第二层间绝缘层117可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料,并且可以具有包括以上材料的单层结构或多层结构。
在实施例中,源电极SE和/或漏电极DE可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu),并且可以具有包括以上材料的单层结构或多层结构。在实施例中,例如,源电极SE和漏电极DE中的每一个可以具有包括Ti层、Al层和另一个Ti层的三层结构。
第一有机绝缘层119被设置在薄膜晶体管TFT上,并且薄膜晶体管TFT可以通过被布置在第一有机绝缘层119上的连接电极层CML电连接到对应的有机发光二极管的第一电极210。连接电极层CML可以通过第一有机绝缘层119中的接触孔连接到薄膜晶体管TFT,并且第一电极210可以通过第二有机绝缘层121中的接触孔连接到连接电极层CML。
第一有机绝缘层119和第二有机绝缘层121中的每一个可以包括诸如丙烯酸、苯并环丁烯(“BCB”)、PI或六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)等的有机绝缘材料。在一些实施例中,连接电极层CML和第二有机绝缘层121可以被省略,在这种情况下,第一电极210可以通过第一有机绝缘层119的接触孔直接连接到薄膜晶体管TFT。
第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2中的每一个可以包括第一电极210、发射层222和第二电极230的重叠结构。以上描述的重叠结构可以进一步包括第一电极210与发射层222之间的第一功能层221和/或发射层222与第二电极230之间的第二功能层223。
第一电极210可以被设置在第二有机绝缘层121上。第一电极210可以是阳极电极。在实施例中,第一电极210可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的任意化合物的反射膜。第一电极210可以包括包含前述材料的反射膜以及被布置在反射膜上方和/或下方的透明导电膜。在实施例中,透明导电膜可以包括氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(“ZnO”)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(“IGO”)和/或氧化铝锌(“AZO”)。在实施例中,第一电极210可以具有ITO层、Ag层和另一个ITO层的三层结构。
遮光绝缘层123覆盖第一电极210的边缘,并且与第一电极210重叠的开口可以被限定在遮光绝缘层123中。在这点上,图10图示与第一有机发光二极管OLED1的第一电极210重叠的开口(在下文中被称为第一开口123OP1)以及与第二有机发光二极管OLED2的第一电极210重叠的开口(在下文中被称为第二开口123OP2)。
遮光绝缘层123的第一开口123OP1和第二开口123OP2可以分别限定第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2的发光区域。在实施例中,例如,遮光绝缘层123的第一开口123OP1的宽度可以与第一有机发光二极管OLED1的发光区域的宽度相对应,并且遮光绝缘层123的第二开口123OP2的宽度可以与第二有机发光二极管OLED2的发光区域的宽度相对应。
遮光绝缘层123是彩色绝缘层,并且例如可以是黑色的。在实施例中,例如,遮光绝缘层123可以包括PI类粘合剂以及红色、绿色和蓝色在其中被混合的颜料。在一些实施例中,遮光绝缘层123可以包括卡多类粘合剂树脂、内酰胺黑色颜料和蓝色颜料的组合。在一些实施例中,遮光绝缘层123可以包括炭黑。遮光绝缘层123与将在下面描述的抗反射层600一起可以防止外部光的反射并且提高显示面板10的对比度。
间隔件125可以被布置在遮光绝缘层123上。间隔件125可以包括与遮光绝缘层123的材料不同的材料。在实施例中,例如,遮光绝缘层123可以包括负光敏材料,而间隔件125可以包括正光敏材料并且可以通过单独的掩模工艺来提供。
发射层222被设置成与遮光绝缘层123的第一开口123OP1和第二开口123OP2中的每一个相对应,并且可以与第一电极210重叠。发射层222可以包括发射一颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。第一功能层221可以被设置在发射层222下方,并且第二功能层223可以被设置在发射层222上方。
第一功能层221可以包括空穴传输层(“HTL”)和/或空穴注入层(“HIL”)。第二功能层223可以包括电子传输层(“ETL”)和/或电子注入层(“EIL”)。与发射层222不同,第一功能层221和/或第二功能层223可以被完全设置在基板100上。换句话说,第一功能层221和/或第二功能层223可以覆盖第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。
封装层300可以覆盖第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2。在实施例中,封装层300可以包括第一无机封装层310、第二无机封装层330以及第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每一个可以包括一种或多种无机绝缘材料。在实施例中,无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
有机封装层320可以包括聚合物类材料。在实施例中,聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、PI和聚乙烯等。在实施例中,有机封装层320可以包括丙烯酸类树脂,例如,聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸。有机封装层320可以通过固化单体或涂覆聚合物来提供。
输入感测层400可以包括触摸电极,触摸电极可以包括金属线ML。触摸电极可以包括在平面图中具有围绕第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2的发光区域的网状结构的金属线ML。金属线ML可以包括第一金属层ML1和第二金属层ML2的连接结构,如图10中所示。在另一个实施例中,金属线ML可以包括第一金属层ML1和第二金属层ML2当中的一个。在实施例中,金属线ML可以包括钼(Mo)、钆(Mb)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)和它们的任意合金。输入感测层400的电极(例如,金属线ML)可以被遮光层610覆盖。
输入感测层400可以包括封装层300上的第一触摸绝缘层401、第一触摸绝缘层401上的第二触摸绝缘层403以及第二触摸绝缘层403上的第三触摸绝缘层405。第一金属层ML1可以被设置在第一触摸绝缘层401与第二触摸绝缘层403之间,并且第二金属层ML2可以被设置在第二触摸绝缘层403与第三触摸绝缘层405之间。
第一至第三触摸绝缘层401、403和405中的每一个可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。在实施例中,第一触摸绝缘层401和第二触摸绝缘层403中的每一个可以包括无机绝缘材料,并且第三触摸绝缘层405可以包括有机绝缘材料。
分别与第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2的发光区域重叠的开口可以被限定在抗反射层600的遮光层610中。在这点上,图10图示与第一有机发光二极管OLED1的发光区域和/或遮光绝缘层123的第一开口123OP1重叠的开口(在下文中被称为第四开口610OP1)以及与第二有机发光二极管OLED2的发光区域和/或遮光绝缘层123的第二开口123OP2重叠的开口(在下文中被称为第五开口610OP2)。
遮光层610的第四开口610OP1的宽度可以等于或大于第一有机发光二极管OLED1的发光区域和/或遮光绝缘层123的第一开口123OP1的宽度。在这点上,图10图示遮光层610的第四开口610OP1的宽度大于第一有机发光二极管OLED1的发光区域和/或遮光绝缘层123的第一开口123OP1的宽度。在这种情况下,到达用户肉眼的、与抗反射层600的上表面形成锐角的光L可以被确保,并且因此,显示面板10的侧面可视性可以被提高。
类似地,遮光层610的第五开口610OP2的宽度可以等于或大于第二有机发光二极管OLED2的发光区域的宽度和/或遮光绝缘层123的第二开口123OP2的宽度。在这点上,图10图示遮光层610的第五开口610OP2的宽度大于第二有机发光二极管OLED2的发光区域的宽度和/或遮光绝缘层123的第二开口123OP2的宽度。
滤色器620可以被设置在遮光层610的第四开口610OP1和第五开口610OP2中的每一个中。每个滤色器620可以具有与从被布置在对应滤色器620下方的发光二极管LED发射的光的颜色相同的颜色。在实施例中,例如,如图10中所示,当第一显示区域DA1中的任意一个第一有机发光二极管OLED1发射绿光时,被布置在第四开口610OP1中以与前述第一有机发光二极管OLED1重叠的滤色器620可以包括绿色滤色器。类似地,如图10中所示,当第二显示区域DA2中的任意一个第二有机发光二极管OLED2发射蓝光时,被布置在第五开口610OP2中以与前述第二有机发光二极管OLED2重叠的滤色器620可以包括蓝色滤色器。
保护层630可以被布置在遮光层610和滤色器620上。保护层630是不具有在可见光带中的颜色的透光层,并且可以使遮光层610的上表面和滤色器620的上表面平坦化。保护层630可以包括诸如丙烯酸类树脂的透光有机材料。
在实施例中,图11是图9中的显示面板10的沿着线B-B’截取的截面图,图示如图9中所示的实施例中的多个透射区域TA中的被布置在外周边处的透射区域TA和透射区域TA周围的截面结构。
参考图11,透射区域TA可以被布置在被布置于第二显示区域DA2中的多个第二有机发光二极管OLED2当中的两个相邻的第二有机发光二极管OLED2之间。第二有机发光二极管OLED2可以分别电连接到像素电路PC。基板100上的像素电路PC包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst,并且第二有机发光二极管OLED2可以具有第一电极210、发射层222和第二电极230的重叠结构,并且可以被封装层300覆盖。如以上所描述的,输入感测层400和抗反射层600可以被布置在封装层300上。
与透射区域TA相对应的开口(在下文中被称为第三开口123OP3)可以被限定在遮光绝缘层123中,并且与透射区域TA相对应的开口(在下文中被称为第六开口610OP3)可以被限定在遮光层610中。保护层630的一部分可以被设置在第六开口610OP3中。在实施例中,例如,保护层630的第一部分631可以至少部分地填充第六开口610OP3,并且与第一部分631一起被提供为单体的第二部分632可以完全覆盖遮光层610和滤色器620。
第六开口610OP3与第三开口123OP3重叠,但是第六开口610OP3的大小(或宽度)可以小于第三开口123OP3的大小(或宽度)。换句话说,第三开口123OP3的一部分可以被遮光层610的被布置在弯曲边缘AC-E的一侧的一部分覆盖。
参考图9和图11,与弯曲边缘AC-E邻近的透射区域TA可以由遮光层610的第六开口610OP3限定。图11中所示的遮光层610的被布置在第六开口610OP3的两侧处的边缘分别与遮光绝缘层123的被布置在第三开口123OP3的两侧处的边缘间隔开,并且间隔距离可以彼此不同。在实施例中,图11中所示的遮光层610的被布置在第六开口610OP3的左侧的边缘(例如,弯曲边缘AC-E)可以与遮光绝缘层123的被布置在第三开口123OP3的左侧的边缘间隔开第一距离d1,并且遮光层610的被布置在第六开口610OP3的右侧的边缘可以与遮光绝缘层123的被布置在第三开口123OP3的右侧的边缘间隔开第二距离d2。在这种情况下,第一距离d1可以大于第二距离d2,并且第三开口123OP3的一部分可以与第六开口610OP3重叠,但是剩余部分可以被遮光层610覆盖。
第一功能层221和第二功能层223也可以存在于与透射区域TA相对应的一部分中。与透射区域TA相对应的开口(在下文中被称为第七开口230OP)可以被限定在包括金属元素的第二电极230中。透射区域TA的透射率可以通过第七开口230OP来提高。第二电极230的第七开口230OP的大小(或宽度)可以小于第三开口123OP3的大小(或宽度)。
与透射区域TA相对应的开口也可以被限定在被布置在第一电极210下方的绝缘层当中的一些绝缘层(例如,无机绝缘层)中。在实施例中,例如,第二阻挡层104、缓冲层111、栅绝缘层113、第一层间绝缘层115和第二层间绝缘层117的堆叠可以包括无机绝缘材料,并且与透射区域TA相对应的开口(在下文中被称为第八开口IL-OP)可以被限定在以上描述的堆叠中。被布置在以上描述的堆叠上的第一有机绝缘层119的一部分可以存在于第八开口IL-OP中。图11图示第八开口IL-OP包括通孔和第二阻挡层104的盲孔的重叠结构,其中通孔穿透缓冲层111、栅绝缘层113、第一层间绝缘层115和第二层间绝缘层117。在另一个实施例中,第八开口IL-OP可以不在第二阻挡层104中限定盲孔。
与透射区域TA重叠的开口(在下文中被称为第九开口BML-OP)可以被限定在被布置在基板100与像素电路PC之间的阻挡金属层BML中,并且第九开口BML-OP的大小(或宽度)可以大于无机绝缘层的堆叠的第八开口IL-OP的大小(或宽度)。第九开口BML-OP的大小(或宽度)可以小于第三开口123OP3的大小(或宽度)。
与遮光绝缘层123的限定第三开口123OP3的边缘距透射区域TA相比,阻挡金属层BML的限定第九开口BML-OP的边缘被布置成更靠近透射区域TA,并且与遮光绝缘层123的限定第三开口123OP3的边缘距透射区域TA相比,无机绝缘层的限定第八开口IL-OP的边缘可以被布置成更靠近透射区域TA。
图12A是图示显示面板10的遮光绝缘层123的实施例的平面图,图12B是图示显示面板10的遮光层610的实施例的平面图,并且图12C是图12A中的遮光绝缘层123与图12B中的遮光层610在其中彼此重叠的平面图。
参考图12A和图12C,各自与像素(例如,红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb)相对应的第一开口123OP1和第二开口123OP2可以被限定在遮光绝缘层123中。第一开口123OP1的布置可以与参考图6描述的像素的布置基本上相同。第二开口123OP2的布置可以与参考图7A和图7B描述的像素的布置基本上相同。
第二显示区域DA2中的第三开口123OP3可以被限定在遮光绝缘层123中。第三开口123OP3被布置在第二显示区域DA2的第二内显示区域DA22中,但是可以不被布置在第二外显示区域DA21中。在实施例中,例如,开口可以不被布置在第一显示区域DA1的像素与第二显示区域DA2的最靠近第一显示区域DA1的像素之间。第三开口123OP3可以在第二内显示区域DA22中在x方向、y方向和ob方向上布置。
第三开口123OP3可以彼此间隔开。遮光绝缘层123可以包括在x方向和y方向上彼此相邻的第三开口123OP3之间的部分,并且对应的该部分可以覆盖在x方向上延伸的第一线(或横向线)HL和在y方向上延伸的第二线(或垂直线)VL。第一线HL可以包括参考图5描述的扫描线SL,并且第二线VL可以包括数据线DL和/或驱动电压线PL。
参考图12B和图12C,各自与像素(例如,红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb)相对应的第四开口610OP1和第五开口610OP2可以被限定在遮光层610中。第四开口610OP1的布置可以与第一开口123OP1的布置基本上相同。第四开口610OP1的布置可以与参考图6描述的像素的布置基本上相同。第五开口610OP2的布置可以与第二开口123OP2的布置基本上相同。在实施例中,例如,第五开口610OP2的布置可以与参考图7A和图7B描述的像素的布置基本上相同。
第二显示区域DA2中的第六开口610OP3可以被限定在遮光层610中。第六开口610OP3被布置在第二显示区域DA2的第二内显示区域DA22中,但是可以不被布置在第二外显示区域DA21中。第六开口610OP3可以在第二内显示区域DA22中在x方向、y方向和ob方向上布置。
第六开口610OP3可以彼此间隔开。遮光层610可以包括在x方向和y方向上彼此相邻的第六开口610OP3之间的部分,并且对应的该部分可以覆盖在x方向上延伸的第一线(或横向线)HL和在y方向上延伸的第二线(或垂直线)VL。遮光层610的覆盖第一线HL和第二线VL的该部分与遮光绝缘层123的覆盖第一线HL和第二线VL的该部分重叠,但是遮光绝缘层123的该部分的宽度与遮光层610的该部分的宽度可以彼此相同或不同。在这点上,图12A至图12C图示遮光绝缘层123的该部分的第一宽度w1小于遮光层610的该部分的第二宽度w2,但是第一宽度w1可以等于或大于第二宽度w2。
第六开口610OP3当中的被布置在外周边处的第六开口610OP3可以具有与被布置在内部的第六开口610OP3的平面形状不同的平面形状。被布置在外周边处的第六开口610OP3的一侧的边缘在平面图中可以是弯曲边缘AC-E,并且因此,被布置在外周边处的第六开口610OP3可以具有与被布置在内部的第六开口610OP3的平面形状不同的平面形状。
遮光层610的限定被布置在外周边处的第六开口610OP3的边缘当中的与第一显示区域DA1邻近的边缘是弯曲边缘AC-E,而遮光绝缘层123的限定被布置在外周边处的第三开口123OP3的边缘当中的与第一显示区域DA1邻近的边缘可以是直边缘SL-E。直边缘SL-E可以在不同的方向上延伸以在平面图中具有阶梯配置。
与遮光层610的弯曲边缘AC-E距第一显示区域DA1相比,遮光绝缘层123的直边缘SL-E可以更靠近第一显示区域DA1。因此,被布置在外周边处的第三开口123OP3的一部分可以与遮光层610重叠。换句话说,如图12C中所示,遮光绝缘层123的直边缘SL-E与遮光层610的弯曲边缘AC-E之间的区域不与遮光绝缘层123重叠,但是可以与遮光层610重叠。
图13A和图13B是图示透射区域TA的实施例的平面图。
参考图13A和图13B,透射区域TA在平面图中可以具有大致十字形形状。与透射区域TA相对应的第三开口123OP3和第六开口610OP3可以被分别限定在以上参考图12A至图12C描述的遮光绝缘层123和遮光层610中,并且第三开口123OP3和第六开口610OP3中的至少一个可以包括直边缘或具有细微的不规则性的边缘。
在实施例中,图13A图示第六开口610OP3包括直边缘,并且图13B图示第六开口610OP3包括具有细微的不规则性的边缘。换句话说,遮光层610的限定第六开口610OP3的边缘可以如图13A中所示是直的,或者可以如图13B中所示具有重复的、不平坦的结构,并且在平面图中,透射区域TA可以包括直边缘或者可以包括具有重复的、不平坦的结构的边缘。当透射区域TA包括重复的、不平坦的结构的边缘时,穿过透射区域TA的光的衍射可以被防止或被最小化。
图13A和图13B图示遮光层610的边缘是直的或具有细微的不规则性,但是本发明不限于此。在另一个实施例中,遮光绝缘层123的限定第三开口123OP3的边缘可以包括一个(些)直边缘或一个(些)具有细微的不规则性的边缘。
图14A是图示显示面板10的遮光绝缘层123的实施例的平面图,图14B是图示显示面板10的遮光层610的实施例的平面图,并且图14C是图14A中的遮光绝缘层123与图14B中的遮光层610在其中彼此重叠的平面图。
参考图14A至图14C,第一至第三开口123OP1、123OP2和123OP3可以被限定在遮光绝缘层123中,并且第四至第六开口610OP1、610OP2和610OP3可以被限定在遮光层610中,如以上参考图12A至图12C所描述的。图12A至图12C图示遮光层610包括弯曲边缘AC-E,并且遮光绝缘层123包括与遮光层610的弯曲边缘AC-E距第一显示区域DA1相比更靠近第一显示区域DA1的直边缘SL-E。相反,图14A至图14C图示遮光绝缘层123包括弯曲边缘AC-E’,并且遮光层610包括与遮光绝缘层123的弯曲边缘AC-E’距第一显示区域DA1相比更靠近第一显示区域DA1的直边缘SL-E’。在这种情况下,透射区域TA的最外线OL(参考图14C)可以由遮光绝缘层123的弯曲边缘AC-E’限定。
图15是图14C中的显示面板10的沿着线C-C’截取的实施例的截面图。图15图示多个透射区域TA当中的被布置在外周边处的透射区域TA及其周围的截面结构,并且图15中所示的除了遮光绝缘层123和遮光层610的结构之外的其它结构与参考图11描述的结构相同,并且因此,下面将主要描述不同之处。
参考图14C和图15,透射区域TA当中的最外透射区域TA的大小(或宽度)可以由遮光绝缘层123限定。与透射区域TA相对应的第三开口123OP3可以被限定在遮光绝缘层123中,并且与透射区域TA相对应的第六开口610OP3可以被限定在遮光层610中。第六开口610OP3与第三开口123OP3重叠,但是第六开口610OP3的大小(或宽度)可以大于第三开口123OP3的大小(或宽度)。换句话说,第六开口610OP3可以与跟弯曲边缘AC-E’邻近的遮光绝缘层123以及遮光绝缘层123的靠近弯曲边缘AC-E’的一部分重叠。
图15中所示的遮光绝缘层123的被布置在第三开口123OP3的两侧的边缘分别与遮光层610的被布置在第六开口610OP3的两侧的边缘间隔开,但是间隔距离可以彼此不同。在实施例中,例如,图15中所示的遮光绝缘层123的被布置在第三开口123OP3的左侧的边缘(例如,弯曲边缘AC-E’)可以与遮光层610的被布置在第六开口610OP3的左侧的边缘间隔开第一距离d1’,并且遮光绝缘层123的被布置在第三开口123OP3的右侧的边缘可以与遮光层610的被布置在第六开口610OP3的右侧的边缘间隔开第二距离d2’。在这种情况下,第一距离d1’可以大于第二距离d2’。
与透射区域TA重叠的开口可以被限定在第二电极230、阻挡金属层BML和无机绝缘层的堆叠中的每一个中。第二电极230的第七开口230OP的大小(或宽度)可以大于第三开口123OP3的大小(或宽度)。
阻挡金属层BML的第九开口BML-OP的大小(或宽度)可以大于无机绝缘层的堆叠的第八开口IL-OP的大小(或宽度)。第九开口BML-OP的大小(或宽度)可以大于第三开口123OP3的大小(或宽度)。
与阻挡金属层BML的限定第九开口BML-OP的边缘距透射区域TA相比,遮光绝缘层123的限定第三开口123OP3的边缘可以更靠近透射区域TA。与无机绝缘层的限定第八开口IL-OP的边缘距透射区域TA相比,遮光绝缘层123的限定第三开口123OP3的边缘可以更靠近透射区域TA。
图16A是图示显示面板10的遮光绝缘层123的实施例的平面图,图16B是图示显示面板10的遮光层610的实施例的平面图,并且图16C是图16A中的遮光绝缘层123与图16B中的遮光层610在其中彼此重叠的平面图。
参考图16A至图16C,第一至第三开口123OP1、123OP2和123OP3被限定在遮光绝缘层123中,并且第四至第六开口610OP1、610OP2和610OP3可以被限定在遮光层610中,如以上参考图14A至图14C所描述的。参考图12A至图12C以及图14A至图14C描述了遮光层610和遮光绝缘层123当中的一个包括弯曲边缘AC-E或AC-E’,并且另一个包括与弯曲边缘AC-E或AC-E’距第一显示区域DA1相比更靠近第一显示区域DA1的直边缘SL-E或SL-E’。相反,图16A至图16C图示遮光绝缘层123和遮光层610可以分别包括弯曲边缘AC-E1和AC-E2。
参考图16C,与遮光层610的弯曲边缘AC-E2距第一显示区域DA1相比,遮光绝缘层123的弯曲边缘AC-E1可以更靠近第一显示区域DA1,并且在这种情况下,透射区域TA的最外线OL可以由遮光层610的弯曲边缘AC-E2限定。
在另一个实施例中,与遮光绝缘层123的弯曲边缘AC-E1距第一显示区域DA1相比,遮光层610的弯曲边缘AC-E2可以更靠近第一显示区域DA1,并且在这种情况下,透射区域TA的最外线OL可以由遮光绝缘层123的弯曲边缘AC-E1限定。
图17是显示面板10的一部分的实施例的平面图。图17中所示的结构与参考图9、图10、图11、图12A、图12B和图12C描述的结构相同,并且下面将主要描述不同之处。
实施例中的显示面板10可以防止外部光被遮光层610和遮光绝缘层123反射。此外,在显示面板10的平面图中在遮光层610与遮光绝缘层123之间具有相对大的重叠区域的第一显示区域DA1中的外部光的反射似乎小于包括透射区域TA的第二内显示区域DA22中的外部光反射。随着第一显示区域DA1中的外部光反射率与第二内显示区域DA22中的外部光反射率之间的差异变得更大,第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间的边界线BL1(例如,参考图8)对于用户变得更可见。为了防止这种情况,第二外显示区域DA21中的虚设开口可以被限定在遮光层610和遮光绝缘层123当中的一个中。虚设开口既不用于图像表示(诸如第一开口123OP1和第二开口123OP2以及第四开口610OP1和第五开口610OP2),也不用于由部件CM使用的光的透射(诸如第三开口123OP3和第六开口610OP3)。虚设开口用于调节每个区域的外部光的反射率的差异,并且图17图示虚设开口610DOP被限定在遮光层610中。遮光层610的虚设开口610DOP可以与遮光绝缘层123的一部分重叠。
在另一个实施例中,第二外显示区域DA21中的虚设开口可以被限定在遮光绝缘层123中。参考图17描述的虚设开口可以被同样地应用于参考图14A至图14C以及图16A至图16C描述的显示面板10。
应理解,本文中描述的实施例应仅被认为是描述性的,并且不是为了限制的目的。实施例中的每一个内的特征或优点的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或优点。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例,但是本领域普通技术人员将理解,可以对其进行形式和细节上的各种改变而不脱离本发明的精神和范围。
Claims (30)
1.一种显示面板,包括:
第一显示区域,第一发光二极管被布置在所述第一显示区域中;
第二显示区域,至少部分地被所述第一显示区域围绕,并且包括第二发光二极管的显示元件组和透射区域被布置在所述第二显示区域中;
遮光绝缘层,限定所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的每一个的发光区域;以及
抗反射层,在所述遮光绝缘层上并且包括遮光层和滤色器,
其中,在平面图中,所述透射区域的最外线由所述遮光层和所述遮光绝缘层中的至少一个的弯曲边缘限定。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,分别与所述第一发光二极管相对应的第一开口、分别与所述第二发光二极管相对应的第二开口以及在所述显示元件组之间的第三开口被限定在所述遮光绝缘层中,并且
分别与所述第一开口重叠的第四开口、分别与所述第二开口重叠的第五开口以及与所述第三开口的一部分重叠的第六开口被限定在所述遮光层中。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述滤色器被设置在所述第四开口和所述第五开口中,并且
所述抗反射层进一步包括保护层,其中,所述保护层的一部分被设置在所述第六开口中。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的每一个包括重叠结构,其中,所述重叠结构包括:
第一电极;
发射层,在所述第一电极上;以及
第二电极,被提供为单体以与所述第一发光二极管和所述第二发光二极管相对应,
其中,与所述第三开口和所述第六开口重叠的开口被限定在所述第二电极中。
5.根据权利要求2所述的显示面板,进一步包括:
薄膜晶体管,分别电连接到所述第一发光二极管和所述第二发光二极管,
其中,所述薄膜晶体管中的每一个包括:
半导体层;
栅电极,与所述半导体层的一部分重叠;
源电极和漏电极;以及
绝缘层,被设置在所述源电极和所述漏电极当中的一个电极、所述半导体层和所述栅电极当中的至少两个之间。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其中,与所述遮光绝缘层的所述第三开口重叠的开口被限定在所述绝缘层中。
7.根据权利要求6所述的显示面板,进一步包括:
有机绝缘层,在所述绝缘层上,
其中,所述有机绝缘层的一部分被设置在所述绝缘层的所述开口中。
8.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述遮光层的所述第六开口的在与所述弯曲边缘交叉的第一方向上测量的宽度小于所述遮光绝缘层的所述第三开口的在所述第一方向上测量的宽度。
9.根据权利要求2所述的显示面板,其中,在所述平面图中,所述遮光层包括限定所述透射区域的所述最外线的所述弯曲边缘,并且
在所述平面图中,所述遮光层的被设置在所述弯曲边缘的一侧处的一部分覆盖所述第三开口的一部分。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其中,在所述平面图中,所述遮光绝缘层包括直边缘,并且与所述遮光层的所述弯曲边缘距所述第一显示区域相比,所述遮光绝缘层的所述直边缘被设置成更靠近所述第一显示区域。
11.根据权利要求9所述的显示面板,其中,在所述平面图中,所述遮光绝缘层包括弯曲边缘,并且与所述遮光层的所述弯曲边缘距所述第一显示区域相比,所述遮光绝缘层的所述弯曲边缘被设置成更靠近所述第一显示区域。
12.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述遮光层的所述第六开口的在与所述弯曲边缘交叉的第一方向上测量的宽度大于所述遮光绝缘层的所述第三开口的在所述第一方向上测量的宽度。
13.根据权利要求2所述的显示面板,其中,在所述平面图中,所述遮光绝缘层包括限定所述透射区域的所述最外线的所述弯曲边缘,并且
在所述平面图中,所述第六开口与所述遮光绝缘层的被设置在所述弯曲边缘的一侧处的一部分重叠。
14.根据权利要求13所述的显示面板,其中,在所述平面图中,所述遮光层包括直边缘,并且与所述遮光绝缘层的所述弯曲边缘距所述第一显示区域相比,所述遮光层的所述直边缘被设置成更靠近所述第一显示区域。
15.根据权利要求2至14中的任一项所述的显示面板,其中,所述第一显示区域与所述透射区域之间的虚设开口被限定在所述遮光层和所述遮光绝缘层当中的一个中。
16.一种电子设备,包括:
显示面板,包括:第一显示区域,第一发光二极管被布置在所述第一显示区域中;和第二显示区域,第二发光二极管和透射区域被布置在所述第二显示区域中;以及
部件,在所述显示面板的下表面上并且与所述第二显示区域重叠,
所述显示面板进一步包括:
遮光绝缘层,限定所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的每一个的发光区域;以及
抗反射层,在所述遮光绝缘层上并且包括遮光层和滤色器;
其中,在平面图中,所述透射区域的最外线由所述遮光层和所述遮光绝缘层中的至少一个的弯曲边缘限定。
17.根据权利要求16所述的电子设备,其中,在所述平面图中,所述部件的宽度大于由所述透射区域的所述最外线限定的形状的宽度,所述形状包括圆形或椭圆形。
18.根据权利要求16所述的电子设备,其中,分别与所述第一发光二极管相对应的第一开口、分别与所述第二发光二极管相对应的第二开口以及与所述透射区域相对应的第三开口被限定在所述遮光绝缘层中,并且
分别与所述第一开口重叠的第四开口、分别与所述第二开口重叠的第五开口以及与所述第三开口重叠的第六开口被限定在所述遮光层中。
19.根据权利要求18所述的电子设备,其中,所述滤色器被设置在所述第四开口和所述第五开口中,并且
所述抗反射层进一步包括保护层,所述保护层的一部分被设置在所述第六开口中。
20.根据权利要求18所述的电子设备,其中,所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的每一个包括重叠结构,所述重叠结构包括:
第一电极;
发射层,在所述第一电极上;以及
第二电极,被提供为单体以与所述第一发光二极管和所述第二发光二极管相对应,并且
与所述第三开口和所述第六开口重叠的开口被限定在所述第二电极中。
21.根据权利要求18所述的电子设备,进一步包括:
薄膜晶体管,分别电连接到所述第一发光二极管和所述第二发光二极管,
其中,所述薄膜晶体管中的每一个包括:
半导体层;
栅电极,与所述半导体层的一部分重叠;
源电极和漏电极;以及
绝缘层,被设置在所述源电极和所述漏电极当中的一个电极、所述半导体层和所述栅电极当中的至少两个之间。
22.根据权利要求21所述的电子设备,其中,与所述遮光绝缘层的所述第三开口重叠的开口被限定在所述绝缘层中,并且与所述遮光绝缘层的限定所述第三开口的边缘距所述透射区域相比,所述绝缘层的限定所述开口的边缘更靠近所述透射区域。
23.根据权利要求22所述的电子设备,进一步包括:
有机绝缘层,在所述绝缘层上,
其中,所述有机绝缘层的一部分被设置在所述绝缘层的所述开口中。
24.根据权利要求18所述的电子设备,其中,所述遮光层的所述第六开口的在与所述弯曲边缘交叉的第一方向上测量的宽度小于所述遮光绝缘层的所述第三开口的在所述第一方向上测量的宽度。
25.根据权利要求18所述的电子设备,其中,所述遮光层的所述第六开口的在与所述弯曲边缘交叉的第一方向上测量的宽度大于所述遮光绝缘层的所述第三开口的在所述第一方向上测量的宽度。
26.根据权利要求16所述的电子设备,其中,在所述平面图中,所述遮光层包括限定所述透射区域的所述最外线的所述弯曲边缘,
在所述平面图中,所述遮光绝缘层包括直边缘,并且
与所述遮光层的所述弯曲边缘距所述第一显示区域相比,所述遮光绝缘层的所述直边缘被设置成更靠近所述第一显示区域。
27.根据权利要求16所述的电子设备,其中,在所述平面图中,所述遮光绝缘层包括限定所述透射区域的所述最外线的所述弯曲边缘,
在所述平面图中,所述遮光层包括直边缘,并且
与所述遮光绝缘层的所述弯曲边缘距所述第一显示区域相比,所述遮光层的所述直边缘被设置成更靠近所述第一显示区域。
28.根据权利要求16所述的电子设备,其中,在所述平面图中,所述遮光层包括第一弯曲边缘,
在所述平面图中,所述遮光绝缘层包括第二弯曲边缘,并且
限定所述透射区域的所述最外线的所述弯曲边缘与所述第一弯曲边缘或所述第二弯曲边缘相对应。
29.根据权利要求16至28中的任一项所述的电子设备,其中,所述第一显示区域与所述透射区域之间的虚设开口被限定在所述遮光层和所述遮光绝缘层当中的一个中。
30.根据权利要求16至28中的任一项所述的电子设备,其中,所述部件包括传感器或摄像头。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200150511A KR20220064480A (ko) | 2020-11-11 | 2020-11-11 | 표시 패널 및 전자 기기 |
KR10-2020-0150511 | 2020-11-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114551517A true CN114551517A (zh) | 2022-05-27 |
Family
ID=78598860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111320187.XA Pending CN114551517A (zh) | 2020-11-11 | 2021-11-09 | 显示面板和包括显示面板的电子设备 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220149135A1 (zh) |
EP (1) | EP4002476B1 (zh) |
KR (1) | KR20220064480A (zh) |
CN (1) | CN114551517A (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220097674A (ko) * | 2020-12-30 | 2022-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 표시장치 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017091878A (ja) * | 2015-11-12 | 2017-05-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、及びその製造方法 |
KR102651060B1 (ko) * | 2016-08-11 | 2024-03-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102598230B1 (ko) * | 2018-08-13 | 2023-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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CN111554829B (zh) * | 2020-05-15 | 2023-04-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制备方法、oled显示装置 |
KR20230003833A (ko) * | 2021-06-30 | 2023-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
-
2020
- 2020-11-11 KR KR1020200150511A patent/KR20220064480A/ko active Search and Examination
-
2021
- 2021-06-04 US US17/339,218 patent/US20220149135A1/en active Pending
- 2021-11-09 CN CN202111320187.XA patent/CN114551517A/zh active Pending
- 2021-11-10 EP EP21207614.5A patent/EP4002476B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4002476B1 (en) | 2024-04-10 |
EP4002476A1 (en) | 2022-05-25 |
US20220149135A1 (en) | 2022-05-12 |
KR20220064480A (ko) | 2022-05-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |