CN118318261A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents

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张勇
王建
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金红贵
段智龙
刘洋
周久磊
张冬华
杨越
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Abstract

一种显示面板，显示面板包括依次层叠的衬底基板、第一导电层(1)和有源层(2)，第一导电层(1)包括多条栅极信号线，栅极信号线包括主体部和多个增设部，主体部在衬底基板的正投影沿第一方向延伸，多个增设部在第一方向上间隔分布且在第二方向上连接于主体部的一侧，增设部用于形成驱动晶体管的栅极；有源层(2)包括多个有源结构，多个有源结构与多个增设部对应设置，多个有源结构在衬底基板的正投影彼此分离，有源结构包括彼此分离的多个有源部，有源部用于形成驱动晶体管的沟道区；其中，一个增设部对应多个有源部，且增设部在衬底基板的正投影覆盖与其对应的多个有源部在衬底基板的正投影。

Description

一种显示面板及显示装置 技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
近些年LCD显示产品展现出多元化趋势，穿戴产品衍生出低频低功耗需求，然而使用低刷新频率会导致显示面板存在抖动、闪烁(Flicker)风险。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种显示面板及显示装置。
根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括沿第一方向和第二方向阵列分布的多个像素驱动电路，所述像素驱动电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅极连接栅极信号线，所述第一方向与所述第二方向相交；所述显示面板还包括：衬底基板；第一导电层，位于所述衬底基板的一侧，所述第一导电层包括：多条栅极信号线，所述栅极信号线包括主体部和多个增设部，所述主体部在所述衬底基板的正投影沿所述第一方向延伸，所述多个增设部在所述第一方向上间隔分布且在所述第二方向上连接于所述主体部的一侧，所述增设部用于形成所述驱动晶体管的栅极；有源层，位于所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧，所述有源层包括：多个有源结构，与所述多个增设部对应设置，所述多个有源结构在所述衬底基板的正投影彼此分离，所述有源结构包括彼此分离的多个有源部，所述有源部用于形成所述驱动晶体管的沟道区；其中，一个所述增设部对应多个所述有源部，且所述增设部在 所述衬底基板的正投影覆盖与其对应的多个所述有源部在所述衬底基板的正投影。
在本公开的示例性实施例中，所述多个有源部包括第一有源部和第二有源部，所述第一有源部和所述第二有源部在所述第一方向上间隔设置；其中，所述增设部在所述衬底基板的正投影覆盖与其对应的所述第一有源部在所述衬底基板的正投影和所述第二有源部在所述衬底基板的正投影。
在本公开的示例性实施例中，所述驱动晶体管的第一极连接像素电极；所述第一方向为行方向，所述第二方向为列方向；所述显示面板还包括：第二导电层，位于所述有源层背离所述衬底基板的一侧，所述第二导电层包括：多个第一电极结构，与所述多个增设部一一对应，所述第一电极结构用于形成所述像素电极；其中，所述多个像素驱动电路包括第一像素驱动电路和第二像素驱动电路，所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路在所述行方向上依次交替分布，且所述第一像素驱动电路位于同一列，所述第二像素驱动电路位于同一列；所述第一像素驱动电路中的栅极信号线为第一栅极信号线，所述第二像素驱动电路中的栅极信号线为第二栅极信号线；本行所述第一栅极信号线、第二栅极信号线在所述衬底基板的正投影分别位于本行第一电极结构在所述衬底基板的正投影在列方向的两侧；本行第一栅极信号线中的增设部位于对应主体部与上一行第二栅极信号线的主体部之间，上一行第二栅极信号线中的增设部位于对应主体部与本行第一栅极信号线的主体部之间。
在本公开的示例性实施例中，所述增设部在所述衬底基板的正投影覆盖与其对应的所述有源结构在所述衬底基板的正投影。
在本公开的示例性实施例中，所述有源结构在所述衬底基板的正投影的边沿与所述增设部在所述衬底基板的正投影的边沿之间的距离大于等于2.5μm。
在本公开的示例性实施例中，所述主体部在所述衬底基板的正投影具有在列方向上相对的第一侧边和第二侧边，所述第一侧边位于所述第二侧边远离对应第一电极结构在所述衬底基板的正投影的一侧，所述第一侧边和所述第二侧边之间具有第一距离；所述第一电极结构在所述衬 底基板的正投影和与其对应的第二侧边之间具有第二距离，所述第二距离大于等于2.5μm，且所述第一距离大于所述第二距离。
在本公开的示例性实施例中，所述像素驱动电路还包括存储电容，所述存储电容的第一极连接所述像素电极，第二极连接公共电极；所述显示面板还包括：第四导电层，位于所述第二导电层背离所述衬底基板的一侧，所述第四导电层包括：多个第二电极结构，各所述第二电极结构彼此连接形成网格结构，所述第二电极结构在所述衬底基板的正投影与所述第一电极结构在所述衬底基板的正投影部分交叠；其中，所述第一电极结构还用于形成所述存储电容的第一极，所述第二电极结构还用于形成所述存储电容的第二极。
在本公开的示例性实施例中，所述第一电极结构包括第一电极部和第二电极部，所述第一电极部的延伸方向与所述第二电极部的延伸方向相交；所述第一电极部的延伸方向与所述列方向具有第一夹角，所述第二电极部的延伸方向与所述列方向具有第二夹角，所述第一夹角与所述第二夹角相同，且所述第一电极部和所述第二电极部的延伸长度相同，且连接于第一弯折部。
在本公开的示例性实施例中，所述第一导电层还包括：第一导电线，在所述衬底基板的正投影沿所述行方向延伸，所述第一导电线连接所述第二电极结构，所述第一导电线在所述衬底基板的正投影与所述第一弯折部在所述衬底基板的正投影至少部分交叠。
在本公开的示例性实施例中，所述第一导电线在所述衬底基板的正投影覆盖所述第一弯折部在所述衬底基板的正投影。
在本公开的示例性实施例中，所述第一导电线在所述衬底基板的正投影具有在列方向上具有相对的第三侧边和第四侧边，所述第三侧边与所述第四侧边在所述列方向具有第一宽度；所述第一电极结构在衬底基板的正投影在所述列方向具有相对的第五侧边和第六侧边，所述第五侧边和所述第六侧边在所述列方向具有第二宽度；所述第一宽度与所述第二宽度之比为0.05～0.06。
在本公开的示例性实施例中，所述显示面板包括多个重复单元，所述重复单元包括在行方向相邻的所述第一像素驱动电路和所述第二像素 驱动电路；所述第一导电层还包括：第二导电线，在所述衬底基板的正投影沿所述行方向延伸，所述第二导电线连接所述第二电极结构；第三导电线，在所述衬底基板的正投影沿所述行方向延伸，所述第三导电线连接所述第二电极结构；其中，同一重复单元中，所述第二导电线和所述第三导电线位于所述第一栅极信号线和所述第二栅极信号线之间，所述第二导电线在所述衬底基板的正投影与所述第一电极部远离所述第一弯折部的一端在所述衬底基板的正投影相交；所述第三导电线在所述衬底基板的正投影与所述第二电极部远离所述第一弯折部的一端在所述衬底基板的正投影相交。
在本公开的示例性实施例中，所述第二导电线和所述第三导电线在所衬底基板的正投影均具有在列方向相对的第七侧边和第八侧边，所述第七侧边与所述第八侧边在所述列方向上具有第三宽度；所述第一电极结构在衬底基板的正投影在所述列方向具有相对的第五侧边和第六侧边，所述第五侧边和所述第六侧边在所述列方向具有第二宽度；所述第三宽度与所述第二宽度之比为0.05～0.06。
在本公开的示例性实施例中，同一重复单元中的所述第一电极结构在所述衬底基板的正投影与所述第二电极结构在所述衬底基板的正投影具有第二交叠面积S2；在行方向相邻的任意两个重复单元中，第一像素驱动电路中的第一电极结构在所述衬底基板的正投影和相邻重复单元中的第二像素驱动电路中的第一电极在所述衬底基板的正投影之间在所述水平方向上具有第六距离。
在本公开的示例性实施例中，所述显示面板还包括：第三导电层，位于所述第二导电层背离所述衬底基板的一侧，所述第三导电层包括：虚拟信号线，在所述衬底基板的正投影沿列方向延伸，且位于行方向相邻的两个重复单元在所述衬底基板的正投影之间；其中，同一重复单元中，所述第一电极结构在所述衬底基板的正投影与所述第二电极结构在所述衬底基板的正投影具有第一交叠面积S1，所述第一交叠面积小于所述第二交叠面积S2；第一像素驱动电路中的第一电极结构在所述衬底基板的正投影与行方向相邻重复单元中的第二像素驱动电路中的第一电极结构在所述衬底基板的正投影之间在所述行方向上具有第五距离，所述 第五距离大于所述第六距离。
在本公开的示例性实施例中，所述第二交叠面积与所述第一交叠面积之比为0.77～0.79。
在本公开的示例性实施例中，所述驱动晶体管的第一极连接数据信号端；所述有源结构还包括：第一子有源部，与所述第一有源部对应设置且连接于所述第一有源部的一侧，所述第一子有源部用于形成所述驱动晶体管的第一极；第二子有源部，与所述第二有源部对应设置且连接于所述第二有源部远离所述第一有源部的一侧，所述第二子有源部用于形成所述驱动晶体管的第二极；第三子有源部，连接于与其对应的所述第一有源部和所述第二有源部之间；所述显示面板还包括：第三导电层，位于所述第二导电层背离所述衬底基板的一侧，所述第三导电层包括：第一导电部，在所述衬底基板的正投影覆盖所述第一子有源部在所述衬底基板的正投影，且所述第一导电部与所述第一子有源部电连接，以连接所述驱动晶体管的第一极；第二导电部，在所述衬底基板的正投影覆盖所述第二子有源部在所述衬底基板的正投影，且所述第二导电部与所述第二子有源部电连接，以连接所述驱动晶体管的第二极；第三导电部，与所述第三子有源部一一对应设置，所述第三导电部位于所述第一导电部和所述第二导电部之间，所述第三导电部在所述衬底基板的正投影覆盖对应所述第三子有源部在所述衬底基板的正投影。
在本公开的示例性实施例中，所述第三导电层还包括：数据信号线，在所述衬底基板的正投影沿所述列方向延伸，所述数据信号线连接所述第一导电部，以连接所述驱动晶体管的第一极；其中，所述显示面板包括多个重复单元，所述重复单元包括在行方向相邻的所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路；本行重复单元中的第一像素驱动电路与上一行重复单元中的第二像素驱动电路复用同一所述数据信号线。
在本公开的示例性实施例中，所述第二导电层还包括：备用导电部，位于相邻所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路之间；其中，所述备用导电部在所述衬底基板的正投影位于对应所述数据信号线在所述衬底基板的正投影内。
根据本公开的另一个方面，还提供一种显示装置，包括本公开任意 实施例所述的显示面板。
本公开提供的显示面板，栅极信号线的增设部在第二方向上突出于主体部的一侧，用于形成驱动晶体管的栅极，从而驱动晶体管的栅极为一整体结构。多个有源部均用于形成驱动晶体管的栅极，并且增设部在衬底基板的正投影覆盖与其对应的多个有源部在衬底基板的正投影，从而使得驱动晶体管形成多栅结构，换言之，本公开驱动晶体管为多栅结构且多个栅极为一体结构，通过该方式可以提升驱动晶体管对关态漏电流的抑制能力，从而减小驱动晶体管的关态漏电流，由此可以减轻显示面板在低频驱动时的屏幕闪烁现象。并且，本公开驱动晶体管的栅极为一整体的多栅结构，其相比于现有技术中的栅极分离的多栅结构，可以进一步提升对于关态漏电流的抑制能力，对于减轻显示面板在低频驱动下的屏闪现象效果更好。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为根据本公开一种实施方式的像素驱动电路的电路结构示意图；
图2为根据本公开该一种实施方式的显示面板的结构版图；
图3为图2中第一导电层的结构版图；
图4为图2中有源层的结构版图；
图5为第一导电层和有源层的叠层版图；
图6为图2中第二导电层的结构版图；
图7为图2中第三导电层的结构版图；
图8为图2中第四导电层的结构版图；
图9为第一导电层和有源层在行方向上重叠的结构示意图；
图10为图2中完整第一电极结构的结构示意图；
图11a为图2中完整第二电极结构的结构示意图；
图11b为第一导电层和第三导电层的叠层版图；
图12为根据本公开另一种实施方式的显示面板的结构版图；
图13为图12中第一导电层的结构版图；
图14为第一导电层和第二导电层的叠层版图；
图15为根据本公开再一种实施方式的显示面板的结构版图；
图16a为图15中第一导电层的结构版图；
图16b为图15中第一导电层的一个重复单元的结构版图；
图17为第一导电层和第二导电层的叠层版图；
图18为图12中第三导电层的结构版图；
图19为图15中第三导电层的结构版图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流可以流过漏电极、沟道区域以及源电极。沟道区域是指电流主要流过的区域。
第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源 电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
LCD显示产品展现出多元化趋势，不同的产品都在寻求性能上的提升。针对穿戴产品，例如智能手表、手环等，越来越趋向于轻巧便捷，因此低功耗成为其性能提升的方向。显示行业为应对这一趋势，考虑到其显示需求的特性，推出低频低功耗的解决方案，通过降低屏幕刷新频率达到低功耗的效果。
市面上大部分显示产品的刷新频率为60Hz，原因是人眼能捕捉的最快电子影像的速度就是60帧。降低屏幕刷新率会影像人眼视觉效果，出现画面不流畅，卡顿等体验。智能手表、手环等穿戴产品画面简单，且不存在画面快速切换，可接受刷新频率降低，但发明人发现，频率降低意味着屏幕每行驱动时间增加，驱动时间变长会引起像素间更大的耦合和漏电，屏幕存在Flicker风险。
具体而言，当像素电压随着正负帧变化进行反转，ΔVp耦合、ΔVp漏电不一致时，像素的亮度随着帧的变换而变化，从而使人眼感受到闪烁。低频状态下，由于一帧保持时间增加，像素电极Vpixel上漏电量增加，屏幕闪烁会加重。像素的亮度会随着帧的变换而变化，从而使人眼感受到闪烁。
式中：△Vp为像素电极由于Gate/Data的开启或者关闭导致的电容耦合效应而改变的值，Cgs为TFT栅极与像素电极电容，Cst为公共电极与像素电极间电容，Clc为液晶电容，VGH和VGL分别为TFT的开启和关闭电压。
由上述公式(1)、(2)可知：ΔVp漏电与Ioff、帧频f frame、Cst有关，Ioff下降则ΔVp漏电减少；帧频f frame降低，则ΔVp漏电增加；Cst升高则ΔVp漏电减少。
由此，发明人提出通过增加存储电容和降低关态漏电流的技术方案 来解决低频驱动下屏幕Flicker问题，下面结合附图对本公开技术方案进行具体介绍。
图1为根据本公开一种实施方式的像素驱动电路的电路结构示意图。该像素驱动电路可以包括驱动晶体管T和存储电容Cst，驱动晶体管T的栅极连接栅极驱动信号端Gate，第一极连接数据信号端Vdata，第二极连接像素电极Vpixel。存储电容Cst的第一极连接像素电极Vpixel，第二极连接公共电极Vcom。
本公开实施方式提供了一种显示面板，图2为根据本公开该一种实施方式的显示面板的结构版图，图3为图2中第一导电层的结构版图，图4为图2中有源层的结构版图，图5为第一导电层和有源层的叠层版图，如图2～图5所示，该显示面板包括沿第一方向X和第二方向Y阵列分布的多个像素驱动电路，像素驱动电路用于驱动发光器件发光，发光器件例如可以为液晶，相应地，本公开所述的显示面板可以为液晶显示面板，第一方向X与第二方向Y相交。显示面板可以还包括：衬底基板、第一导电层1和有源层2，其中，第一导电层1位于衬底基板的一侧，第一导电层1可以包括多条栅极信号线Gate，栅极信号线Gate包括主体部G0和多个增设部G1，主体部G0在衬底基板的正投影沿第一方向X延伸，多个增设部G1在第一方向X上间隔分布且在第二方向Y上连接于主体部G0的一侧，增设部G1用于形成驱动晶体管T的栅极；有源层2位于第一导电层1的一侧，有源层2可以包括多个有源结构AC，多个有源结构AC在衬底基板的正投影彼此分离，有源结构AC包括多个彼此分离的有源部，有源部用于形成驱动晶体管T的沟道区；其中，一个增设部G1对应多个有源部，且增设部G1在衬底基板的正投影覆盖与其对应的多个有源部在衬底基板的正投影。
本公开提供的显示面板，栅极信号线Gate的增设部G1在第二方向Y上突出于主体部G0的一侧，用于形成驱动晶体管T的栅极，从而驱动晶体管T的栅极为一整体结构。多个有源部均用于形成驱动晶体管T的栅极，并且增设部G1在衬底基板的正投影覆盖与其对应的多个有源部在衬底基板的正投影，从而使得驱动晶体管T形成多栅结构，换言之，本公开驱动晶体管T为多栅结构且多个栅极为一体结构，通过该方式可 以提升驱动晶体管T对关态漏电流的抑制能力，从而减小驱动晶体管T的关态漏电流，由此可以减轻显示面板在低频驱动时的屏幕闪烁现象。并且，本公开驱动晶体管T的栅极为一整体的多栅结构，其相比于现有技术中的栅极分离的多栅结构，可以进一步提升对于关态漏电流的抑制能力，对于减轻显示面板在低频驱动下的屏闪现象效果更好。
如图2～图5所示，在示例性实施例中，第一方向X可以为行方向，第二方向Y可以为列方向。此外，应该理解的，本公开有源层2可以是位于第一导电层1背离衬底基板1的一侧，形成底栅结构的驱动晶体管T；或者有源层2也可以位于第一导电层1和衬底基板之间，形成顶栅结构的驱动晶体管T。本公开仅以底栅结构为例进行示例性说明，不应理解为对本公开的限制。
栅极信号线Gate可以用于提供图1中的栅极驱动信号端Gate，栅极信号线Gate的主体部G0在衬底基板的正投影沿第一方向X延伸，栅极信号线Gate的增设部G1在第二方向Y上位于主体部G0的一侧，并且同一栅极信号线Gate上的各个增设部G1可以在第二方向Y上位于主体部G0的同一侧。栅极信号线Gate的增设部G1可用于形成驱动晶体管T的栅极。
应该理解的，本公开所述的某一结构A沿C方向延伸是指，A可以包括主要部分和与主要部分连接的次要部分，主要部分为线、线段或条形状体，主要部分沿C方向伸展，且主要部分沿C方向伸展的长度大于次要部分沿其他方向伸展的长度。
多个有源结构AC在衬底基板的正投影彼此分离，表明多个有源结构AC在有源层2间隔分布。一个有源结构AC上包括多个彼此独立的有源部，有源部用于形成驱动晶体管T的沟道区，由此一个有源结构AC形成驱动晶体管T的多个沟道区。
应该理解的，本公开所述的某一结构A与另一结构B在衬底基板的正投影彼此分离，表明结构A在衬底基板的正投影与结构B在衬底基板的正投影没有重叠区域，亦即结构A与结构B为相互独立的结构。
本公开增设部G1在衬底基板的正投影覆盖有源部在衬底基板的正投影，增设部G1可包括多个子结构，并且各子结构与各有源部一一对 应，子结构在衬底基板的正投影可以覆盖对应有源部在衬底基板的正投影，相应地，增设部G1的子结构即形成驱动晶体管T的栅极，因此，一个增设部G1在衬底基板的正投影覆盖与其对应的多个有源部在衬底基板的正投影，表明一个增设部G1形成了驱动晶体管T的多个栅极，进一步而言是一个整体结构的增设部G1形成了驱动晶体管T的多个栅极。本公开通过将驱动晶体管T形成多栅结构来增大驱动晶体管T的沟道长度，从而减小驱动晶体管T的关态漏电流。
具体而言，根据驱动晶体管T输出电流公式I＝(μWCox/2L)(Vgs-Vth) 2，其中，μ为载流子迁移率，Cox为单位面积栅极电容量，W为驱动晶体管T沟道的宽度，L驱动晶体管T沟道的长度，Vgs为驱动晶体管T栅源电压差，Vth为驱动晶体管T阈值电压。可以看出，本公开通过形成多栅结构的驱动晶体管，增大了驱动晶体管T的沟道长度L，从而降低了驱动晶体管T的关态漏电流，由此可以降低显示面板在低频驱动时的闪烁、抖动现象。
应该理解的是，本公开所述的某一结构A在衬底基板的正投影覆盖另一结构B在衬底基板的正投影可以理解为，B在衬底基板平面的投影的轮廓完全位于A在同一平面内投影的轮廓的内部。
如图4、图5所示，在示例性实施例中，多个有源部可以包括多个第一有源部AC1和多个第二有源部AC2，第一有源部AC1和第二有源部AC2在第一方向X上间隔设置；其中，一个增设部G1对应一个第一有源部AC1和一个第二有源部AC2，且增设部G1在衬底基板的正投影覆盖与其对应的第一有源部AC1在衬底基板的正投影和第二有源部AC2在衬底基板的正投影。具体地，一个有源结构AC包括第一有源部AC1和第二有源部AC2，即一个有源结构AC包括两个沟道区。第一有源部AC1和第二有源部AC2在第一方向X上间隔设置，即第一有源部AC1和第二有源部AC2在第一方向X上分开设置。一个增设部G1对应一个第一有源部AC1和一个第二有源部AC2，即一个增设部G1对应两个沟道区，即一个增设部G1形成驱动晶体管T的两个栅极，即本示例性实施例中的晶体管为双栅结构，并且两个栅极之间没有镂空结构。
值得注意的是，本公开通过形成双栅结构的驱动晶体管T来提升驱 动晶体管T的沟道长度，相比于同等沟道长度的单栅结构的驱动晶体管T结构，本公开驱动晶体管T具有双栅结构能够进一步提升驱动晶体管T对于关态漏电流的抑制能力，即有利于进一步减小显示面板的低频驱动抖动问题。示例性的，表1示例性给出了本公开的一仿真对比结果，从表1可以看出，通过增加驱动晶体管T的沟道长度，本公开双栅结构的驱动晶体管T可以将关态漏电流减小至1.43pA，显著小于沟道长度小的驱动单栅结构的驱动晶体管T的关态漏电流。并且，在沟道长度相同的情况下，单栅结构的驱动晶体管T的关态漏电流为1.53pA，其明显大于本公开中双栅结构的驱动晶体管T的关态漏电流，因此，通过形成双栅结构来提升驱动晶体管T的沟道长度的结构可以进一步提升对于关态漏电流的抑制能力，即能够进一步减小驱动晶体管T的关态漏电流，从而进一步减轻屏幕抖动现象。
表1
TFT类型 单栅一字型 双栅一字型 单栅一字型
W/L(μm) 4/2.9 6.5/(2.9+2.9) 6.5/5.8
Ioff(pA) 2.86 1.43 1.53
如图2、图5所示，在示例性实施例中，增设部G1在衬底基板的正投影可以覆盖与其对应的有源结构AC在衬底基板的正投影。即有源结构AC在衬底基板的正投影完全位于对应增设部G1在衬底基板的正投影内，换言之，增设部G1在衬底基板的正投影的边沿要超出对应有源结构AC在衬底基板的正投影的边沿一定距离。示例性的，有源结构AC在衬底基板的正投影的边沿与增设部G1在衬底基板的正投影的边沿之间的距离可以大于等于2.5μm，例如可以为2.5μm，2.6μm，2.7μm，2.8μm等。由此可以使得栅极信号线Gate在入光侧完全遮挡入射光，可以阻挡入射光线照射到有源结构AC，从而避免光线对有源结构AC的干扰。本示例性实施例中，增设部G1、有源结构AC在衬底基板的正投影均可以为矩形，有源结构AC在衬底基板的正投影的边沿与增设部G1在衬底基板的正投影的边沿之间的距离可以理解为，有源结构AC在衬底基板的正投影形成的矩形的侧边与包裹在其外围的增设部G1在衬底基板的正投影形成的矩形侧边在行方向或列方向上之间的距离。在其他 实施例中，有源结构AC、增设部G1在衬底基板的正投影还可以为其他结构，例如可以为圆形、椭圆形等，此时，有源结构AC在衬底基板的正投影的边沿由多个离散的节点组成，任一节点K与有源结构AC在衬底基板的中心的连线与增设部G1在衬底基板的正投影的边沿形成交点M，节点K与交点M之间的距离即为有源结构AC在衬底基板的正投影的边沿与增设部G1在衬底基板的正投影的边沿之间的距离。
可以理解的，有源结构AC可以包括经导体化处理后的导体部和未经导体化处理的半导体部(有源部)，其中的半导体部用于形成晶体管的沟道区，导体部例如可以用于连接晶体管的源漏电极。如图2所示，在示例性实施例中，有源层2中的有源结构AC还可以包括第一子有源部AC-1、第二子有源部AC-2和第三子有源部AC-3，其中的第一子有源部AC-1与第一有源部AC1对应设置且连接于第一有源部AC1的一侧，第一子有源部AC-1可以用于形成驱动晶体管T的第一极。第二子有源部AC-2与第二有源部AC2对应设置且连接于第二有源部AC2远离第一有源部AC1的一侧，第二子有源部AC-2可以用于形成驱动晶体管T的第二极，第三子有源部AC-3连接于与其对应的第一有源部AC1和第二有源部AC2之间。本示例性实施例可以对第一子有源部AC-1～第三子有源部AC-3进行导体化，使得第一子有源部AC-1～第三子有源部AC-3均为导体结构。可以理解的，本公开驱动晶体管为双栅结构，其相当于两个晶体管，并且两个晶体管通过导体化的第三子有源部AC-3进行连接，换言之，第三子有源部AC-3既作为其中一个晶体管的第一极又作为另一晶体管的第二极。
本公开显示面板除了包括第一导电层1和有源层2外，还可以包括第二导电层3、第三导电层4和第四导电层5，第一导电层1、有源层2、第二导电层3、第三导电层4和第四导电层5在衬底基板的一侧依次层叠设置，上述功能层之间可以设置有绝缘层，例如，在第一导电层1和有源层2之间可具有栅绝缘层。图6为图2中第二导电层的结构版图，图7为图2中第三导电层的结构版图，图8为图2中第四导电层的结构 版图，图9为第一导电层和有源层在行方向上重叠的结构示意图。
如图6所示，在示例性实施例中，第二导电层3可以包括多个第一电极结构Pix，第一电极结构Pix与增设部G1一一对应设置，即一个增设部G1对应一个第一电极结构Pix，第一电极结构Pix可以用于形成像素电极Vpixel以及存储电容Cst的第一电极。本示例性实施例中，第一电极结构Pix可以为电极块，示例性的，图10为图2中完整第一电极结构的结构示意图，如图10所示，第一电极结构Pix可以包括第一电极部Pix1和第二电极部Pix2，第一电极部Pix1的延伸方向与第二电极部Pix2的延伸方向相交，且第一电极部Pix1和第二电极部Pix2相交于第一弯折部Pix3。如图10所示，第一电极部Pix1和第二电极部Pix2可以均偏离列方向一定角度延伸，从而在第一弯折部Pix3处连接。本示例性实施例中，第一电极部Pix1的延伸方向与列方向可以具有第一夹角α，第二电极部Pix2的延伸方向与列方向可以具有第二夹角β，第一夹角α可以与第二夹角β相同，并且第一电极部Pix1的延伸长度可以与第二电极部Pix2的延伸长度相同，由此而使得第一弯折部Pix3位于第一电极结构Pix在第二方向Y的中间位置，即第一电极部Pix1和第二电极部Pix2在第一电极结构Pix沿列方向的中间位置相交于一弯折部Pix3。值得注意的是，本示例性实施例中所述的第一电极部Pix1的延伸长度与第二电极部Pix2的延伸长度相同，其可以是第一电极部Pix1的延伸长度与第二电极部Pix2的延伸长度完全相同，也可以是第一电极部Pix1的延伸长度与第二电极部Pix2的延伸长度非常接近，例如，第一电极部Pix1的延伸长度与第二电极部Pix2的延伸长度的比值在0.8～1.2之间，或者又例如，第一电极部Pix1的延伸长度与第二电极部Pix2的延伸长度的差值绝对值在设定的冗余范围内，这些均可以认为第一电极部Pix1的延伸长度与第二电极部Pix2的延伸长度相同。应该理解的，在其他实施例中，第一电极结构Pix还可以为其他结构，例如可以为狭缝电极等。
如图6所示，在示例性实施例中，第二导电层3还可以包括备用导电部30，备用导电部30位于在第一方向X上相邻的两个第一电极结构Pix之间，即备用导电部30分布于第一方向X上相邻的两个第一电极结构Pix之间的间隙内，并且备用导电部30与第一电极结构Pix分离，亦 即备用导电部30和第一电极结构Pix不连接。备用导电部30可以与第三导电层4的数据信号线Data一一对应设置，并且备用导电部30在衬底基板的正投影可以与数据信号线Data在衬底基板的正投影的延伸方向相同且在延伸方向上至少部分交叠，例如数据信号线Data在衬底基板的正投影可以覆盖备用导电部30在衬底基板的正投影。备用导电部30可通过过孔连接第三导电层4的数据信号线Data，从而备用导电部30成为数据信号线Data的并联结构，这样在产品的使用过程中，即便数据信号线Data局部断裂，依然可以通过与其连接的备用导电部30进行数据信号传输，从而不会因为数据信号线Data的断裂而造成显示面板无法使用，一定程度上提升了显示面板的使用寿命和可靠性。
此外，在第三导电层4包括虚拟信号线D-line时，可以在对应虚拟信号线D-line的位置也设置备用导电部30，例如，虚拟信号线D-line在衬底基板的正投影可以覆盖与其对应的备用导电部30在衬底基板的正投影。
在示例性实施例中，可以将虚拟信号线D-line连接非显示区的公共电极线，从而虚拟信号线D-line与公共电极等电位。
如图9所示，在示例性实施例中，多个像素驱动电路可以包括第一像素驱动电路P1和第二像素驱动电路P2，第一像素驱动电路P1和第二像素驱动电路P2在行方向上依次交替分布，且第一像素驱动电路P1位于同一列，第二像素驱动电路P2位于同一列；第一像素驱动电路P1中的栅极信号线为第一栅极信号线Gate1，第二像素驱动电路P2中的栅极信号线为第二栅极信号线Gate2；本行第一栅极信号线Gate1、第二栅极信号线Gate2在衬底基板的正投影分别位于本行第一电极结构Pix在衬底基板的正投影的在列方向的两侧；本行第一栅极信号线Gate1中的增设部位于对应主体部靠近上一行第二栅极信号线Gate2的一侧，上一行第二栅极信号线Gate2中的增设部位于对应主体部靠近本行第一栅极信号线Gate1的一侧。由此，本行的第一像素驱动电路P1中的栅极结构与上一行的第二像素驱动电路P2中的栅极结构在行方向上依次交替分布。
如图7所示，在示例性实施例中，第三导电层4可以包括数据信号 线Data，数据信号线Data在衬底基板的正投影可以沿第二方向Y延伸，数据信号线Data可用于提供图1中的数据信号端Vdata。第三导电层4还可以包括第一导电部31、第二导电部32和第三导电部33，其中，第一导电部31在衬底基板的正投影可以覆盖第一子有源部AC-1在衬底基板的正投影，且第一导电部31与第一子有源部AC-1电连接，以连接驱动晶体管T的第一极。第二导电部32在衬底基板的正投影可以覆盖第二子有源部AC-2在衬底基板的正投影，且第二导电部32与第二子有源部AC-2电连接，以连接驱动晶体管T的第二极。第三导电部33与第三子有源部AC-3一一对应设置，第三导电部33位于第一导电部31和第二导电部32之间，第三导电部33在衬底基板的正投影覆盖对应第三子有源部AC-3在衬底基板的正投影，并且第三导电部33与第一导电部31和第二导电部32均不连接。
在示例性实施例中，相邻的两个像素单元可以复用同一数据信号线Data。示例性的，如图2所示，本公开多个像素驱动电路可以包括第一像素驱动电路P1和第二像素驱动电路P2，第一像素驱动电路P1和第二像素驱动电路P2在第一方向X上依次间隔分布，即在第一方向X上相邻的两个第一像素驱动电路P1之间具有一个第二像素驱动电路P2，换言之，在第一方向X上相邻的两个相邻的第二像素驱动电路P2之间具有一个第一像素驱动电路P1。在第一方向X上相邻的第一像素驱动电路P1和第二像素驱动电路P2可以构成一个重复单元Q，并且在第二方向Y上相邻的两个重复单元Q可以复用同一数据信号线Data，具体地，本行重复单元Q中的第一像素驱动电路P1可以与上一行重复单元Q中的第二像素驱动电路P2复用同一数据信号线Data。通过复用数据信号线Data，可以减少数据信号线Data的布设数量，有利于优化版图空间，提高版图的空间利用率。
如图2、图7所示，在示例性实施例中，第三导电层4还可以包括虚拟信号线D-line，虚拟信号线D-line在衬底基板的正投影的延伸方向可以与数据信号线Data在衬底基板的延伸方向相同，虚拟信号线D-line可以位于在第一方向X上相邻的两个重复单元Q之间的间隙内，从而在同一重复单元Q内的第一像素驱动电路P1和第二像素驱动电路P2之间 的间隙内分布有数据信号线Data，在行方向相邻的两个重复单元Q之间的间隙内分布有虚拟信号线D-line，通过设置虚拟信号线D-line可以提升显示面板的显示均一性。
如图8所示，在示例性实施例中，第四导电层5可以包括第二电极结构Com，第二电极结构Com可以用于形成公共电极Vcom以及存储电容Cst的第二电极。图11a为图2中完整第二电极结构的结构示意图，如图8、图11a所示，第二电极结构Com可以包括狭缝电极，具体地，狭缝电极可以包括狭缝部Com1和位于相邻狭缝部Com1之间的条状电极部，条状电极部可以包括多个第一条状部Com2和多个第二条状部Com3，第一条状部Com2的延伸方向与第二条状部Com3的延伸方向相交，并且第一条状部Com2和第二条状部Com3在第二弯折部Com4处连接。与第一电极结构Pix中的第一弯折部Pix3类似，第二弯折部Com4可以位于第二电极结构Com在列方向的中间位置，并且第二弯折部Com4和第一弯折部Pix3在衬底基板的正投影可以重合。当然，在其他实施例中，第二电极结构Com还可以为其他结构，例如可以为电极块等。
第二电极结构Com在衬底基板的正投影与第一电极结构Pix在衬底基板的正投影具有交叠部，因为第一电极结构Pix可以形成存储电容Cst的第一极，第二电极结构Com可以形成存储电容Cst的第二极，因此，第一电极结构Pix与第二电极结构Com在衬底基板的正投影的交叠面积决定了存储电容Cst的大小。在示例性实施例中，可以增加第一电极结构Pix在衬底基板的正投影面积来提升第一端电极结构与第二电极结构Com的交叠面积，从而增大存储电容Cst，具体可参见后续实施例的介绍。
可以理解的，显示面板可以包括显示区和非显示区，非显示区围绕于显示区，本公开可以在非显示区设置公共电极线，第二电极结构Com可以延伸至非显示区与公共电极线进行连接。
图11b为第一导电层和第三导电层的叠层版图，如图11b所示，在示例性实施例中，栅极信号线Gate的主体部G0在衬底基板的正投影具有在列方向上相对的第一侧边L1和第二侧边L2，第一侧边L1位于第二 侧边L2远离对应第一电极结构Pix在衬底基板的正投影的一侧，第一侧边L1和第二侧边L2之间具有第一距离d1；第一电极结构Pix在衬底基板的正投影和与其对应的第二侧边L2之间具有第二距离d2，第二距离d2大于等于2.5μm，且第一距离d1大于第二距离d2。本示例性实施例通过将栅极信号线与第一电极结构Pix在列方向的距离设置为大于等于2.5μm，可以防止像素电极与栅极信号线之间因为距离过近而产生较大的栅极与像素电极电容Cgs，由此可以避免公式(1)中的△vp增大而引起的flicker不良现象。
图12为根据本公开另一种实施方式的显示面板的结构版图，图13为图12中第一导电层的结构版图，图14为第一导电层和第二导电层的叠层版图。如图12、图14所示，在示例性实施例中，第一导电层1还可以包括第一导电线11，第一导电线11在衬底基板的正投影可以沿行方向延伸，第一导电线11可以由显示区延伸至非显示区，并连接非显示区的公共电极线，第一导电线11在衬底基板的正投影与第一弯折部Pix3在衬底基板的正投影至少部分交叠。其中，第一导电线11连接公共电极线，因此第一导电线11构成公共电极Vcom的一部分，由此通过将第一导电线11与第一弯折部Pix3进行交叠，从而增加像素电极Vpixel与公共电极Vcom的交叠面积而增大存储电容Cst。如上文所述，第一弯折部Pix3可以位于第一电极结构Pix在列方向的中间位置，由此本示例性实施例即是在第一电极结构Pix在列方向的中间位置形成第一导电线11来提升公共电极Vcom与像素电极Vpixel的交叠面积，从而增大存储电容Cst。本示例性实施例中，通过在第一电极结构Pix在列方向的中间位置形成第一导电线11，该位置与第一导电层1的其他结构(包括栅极信号线Gate)之间的距离较远，因此不会影响显示面板在Array阶段产品的设计参数。
如图12、图14所示，在示例性实施例中，第一导电线11在衬底基板的正投影可以覆盖第一弯折部Pix3在衬底基板的正投影，这样在不影响像素开口率的情况下可以充分利用像素空间提升第一导电线11在列方向的宽度，从而增加第一导电线11与像素电极Vpixel之间的交叠量， 进而增大存储电容Cst的增加量。
如图14所示，在示例性实施例中，第一导电线11在衬底基板的正投影具有在列方向上具有相对的第三侧边L3和第四侧边L4，第三侧边L3与第四侧边L4在列方向具有第一宽度D1；第一电极结构Pix在衬底基板的正投影在列方向具有相对的第五侧边L5和第六侧边L6，第五侧边L5和第六侧边L6在列方向具有第二宽度D2；第一宽度D1与第二宽度D2之比可以为0.05～0.06，例如可以为0.05，0.054，0.055，0.058，0.06等。由此，可以在Array阶段根据像素电极的尺寸来确定第一导电线11的宽度，确定出存储电容Cst的电容增加量。
图15为根据本公开再一种实施方式的显示面板的结构版图，图16a为图15中第一导电层的结构版图，图16b为图15中第一导电层的一个重复单元的结构版图，图17为第一导电层和第二导电层的叠层版图。如图15、图16a所示，在示例性实施例中，第一导电层1还可以包括第二导电线12和第三导电线13，第二导电线12、第三导电线13在衬底基板的正投影均可以沿行方向延伸，并且第二导电线12、第三导电线13均可以延伸至非显示区连接公共电极线，从而第二导电线12、第三导电线13形成公共电极Vcom的部分结构。如上文所述，在第一方向X上相邻的第一像素驱动电路P1和第二像素驱动电路P2可以构成一个重复单元Q，如图16b所示，在同一重复单元Q中，第二导电线12和第三导电线13位于第一栅极信号线Gate11和第二栅极信号线Gate22之间，第二导电线12在衬底基板的正投影与第一电极部Pix1远离第一弯折部Pix3的一端在衬底基板的正投影相交；第三导电线13在衬底基板的正投影与第二电极部Pix2远离第一弯折部Pix3的一端在衬底基板的正投影相交。换言之，第二导电线12在第一电极结构Pix靠近第一栅极信号线Gate1的一侧与第一电极结构Pix交叠，第三导电线13在像素单元的第一电极结构Pix靠近第二栅极信号线Gate2的一侧与第一电极结构Pix交叠。相当于在像素电极Vpixel在列方向的两端形成与像素电极Vpixel交叠的第二导电线12和第三导电线13，由此来增加公共电极Vcom与像素电极Vpixel的交叠面积，从而增大存储电容Cst。本示例性实施例通过在像素 单元在列方向的两侧设置第二导电线12和第三导电线13，通过形成双导电线来与像素电极Vpixel进行交叠，由此可增加的电容量较大，即能够利用像素空间充分增大存储电容Cst的电容增加量。第一栅极信号线Gate11为第一像素驱动电路P1中的栅极信号线，第二栅极信号线Gate22为第二像素驱动电路P2中的栅极信号线。
本示例性实施例中，第二导电线12和第三导电线13可具有相同的结构，并且第二导电线12和第三导电线13在衬底基板的正投影可以关于第一弯折部Pix3在衬底基板的正投影轴对称。
如图17所示，在示例性实施例中，第二导电线12和第三导电线13在所衬底基板的正投影均具有在列方向相对的第七侧边L7和第八侧边L8，第七侧边L7位于第八侧边L8靠近对应栅极信号线在衬底基板的正投影的一侧，且第七侧边L7与第八侧边L8在列方向上具有第三宽度D3；栅极信号线的主体部在衬底基板的正投影具有在列方向上相对的第一侧边L1和第二侧边L2，第一侧边L1位于第二侧边L2远离对应第一电极结构Pix在衬底基板的正投影的一侧，第七侧边L7与对应栅极信号线在衬底基板的正投影的第二侧边L2在列方向上具有第四距离d4。本示例性实施例中，可以通过减小栅极信号线Gate在列方向的宽度来给第二导电线12和第三导电线13预留一定空间，从而可以将第一电极结构Pix沿列方向向两侧延伸，使得第一电极结构Pix在列方向的两端与所设置的第二导电线12和第三导电线13分别交叠，由此来增大存储电容Cst，由此可增加的存储电容Cst的电容量更大。可以理解的，第四距离d4受限于工艺条件，在工艺能力允许的情况下，第四距离d4可以尽量小，以增大第二导电线12和第三导电线13在列方向的宽度，增大其与第一电极结构Pix的交叠面积。
如图17所述，在示例性实施例中，第七侧边L7与第八侧边L8在列方向上具有第三宽度D3；第一电极结构Pix在衬底基板的正投影在列方向具有相对的第五侧边L5和第六侧边L6，第五侧边L5和第六侧边L6在列方向具有第二宽度D2；第三宽度D3与第二宽度D2之比可以为0.05～0.06，例如可以为0.05，0.054，0.055，0.058，0.06等。从而可以在Array阶段根据像素电极的尺寸来确定第二导电线12和第三导电线13 的宽度。
图18为图12中第三导电层的结构版图，图19为图15中第三导电层的结构版图，如图18、图19所示，在示例性实施例中，第三导电层4还可以不包括虚拟信号线D-line，即在行方向相邻的两个重复单元Q的间隙内不设置虚拟信号线D-line，在此基础上，因为该间隙的存在，可以增加第二导电层3中第一电极结构Pix在行方向的延伸长度，从而提升第一电极结构Pix于第二电极结构Com的交叠面积，由此来增大存储电容Cst的电容量。本示例性实施例可以在不影响像素显示效果的情况下增大存储电容Cst的电容量。
参考图2和图15，在图2所示版图结构中，第三导电层4包含有虚拟信号线D-line，相应地，如图10所示，第一像素驱动电路P1中的第一电极结构Pix在衬底基板的正投影与行方向相邻重复单元中的第二像素驱动电路P2中的第一电极结构Pix在衬底基板的正投影之间在行方向上具有第五距离d5。在图15所示结构中，第三导电层4取消虚拟信号线D-line，相应地，如图17所示，在行方向相邻的任意两个重复单元中，第一像素驱动电路P1中的第一电极结构Pix在衬底基板的正投影和相邻重复单元中的第二像素驱动电路P2中的第一电极结构Pix在衬底基板的正投影之间在水平方向上具有第六距离d6。第五距离d5大于第六距离d6。
继续参考图2和图15，在图2所示版图结构中，第三导电层4包含有虚拟信号线D-line，此结构下，如图10所示，同一重复单元中，第一电极结构Pix在衬底基板的正投影与第二电极结构Com在衬底基板的正投影具有第一交叠面积S1，第一交叠面积S1小于第二交叠面积S2。在图15所示版图结构中，第三导电层4取消虚拟信号线D-line，此结构下，如图17所示，第一电极结构Pix的面积被增加，同一重复单元中的第一电极结构Pix在衬底基板的正投影与第二电极结构Com在衬底基板的正投影具有第二交叠面积S2，第一交叠面积S1小于第二交叠面积S2，即在第四导电层5中的第二电极结构Com的尺寸不变的情况下，通过取消第三导电层4的虚拟信号线D-line来提升第二导电层3的第一电极结构 Pix的尺寸，从而增加第一电极结构Pix和第二电极结构Com的交叠面积，由此而增大了存储电容Cst。在示例性实施例中，第一交叠面积S1与第二交叠面积S2之比可以为0.77～0.79，例如可以为0.77，0.775，0.78,0.785，0.79等。
值得注意的是，本公开上述实施例通过增加存储电容Cst的电容量来改善屏幕抖动的方案中，如表2所示，虽然存储电容Cst的电容量增加，但是并不会显著增加显示面板的负载。由于产品使用了低频驱动，产品的整体功耗下降。通过图1的像素等效电路图可知，存储电容Cst与液晶电容Clc并联，且Clc电容较小，实际Cst的变化对屏幕整体loading影响较小。可见，本公开通过增加存储电容Cst的电容量，可以改善显示面板在低频驱动时的抖动现象，并且还不会显著增加显示面板的负载。
表2
此外，本公开还提供一种显示装置，该显示装置包括本公开上述任意实施例所述的显示面板。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (20)

  1. 一种显示面板，其中，所述显示面板包括沿第一方向和第二方向阵列分布的多个像素驱动电路，所述像素驱动电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅极连接栅极信号线，所述第一方向与所述第二方向相交；所述显示面板还包括：
    衬底基板；
    第一导电层，位于所述衬底基板的一侧，所述第一导电层包括：
    多条栅极信号线，所述栅极信号线包括主体部和多个增设部，所述主体部在所述衬底基板的正投影沿所述第一方向延伸，所述多个增设部在所述第一方向上间隔分布且在所述第二方向上连接于所述主体部的一侧，所述增设部用于形成所述驱动晶体管的栅极；
    有源层，位于所述第一导电层的一侧，所述有源层包括：
    多个有源结构，与所述多个增设部对应设置，所述多个有源结构在所述衬底基板的正投影彼此分离，所述有源结构包括彼此分离的多个有源部，所述有源部用于形成所述驱动晶体管的沟道区；
    其中，一个所述增设部对应多个所述有源部，且所述增设部在所述衬底基板的正投影覆盖与其对应的多个所述有源部在所述衬底基板的正投影。
  2. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多个有源部包括第一有源部和第二有源部，所述第一有源部和所述第二有源部在所述第一方向上间隔设置；
    其中，所述增设部在所述衬底基板的正投影覆盖与其对应的所述第一有源部在所述衬底基板的正投影和所述第二有源部在所述衬底基板的正投影。
  3. 根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述驱动晶体管的第一极连接像素电极；所述第一方向为行方向，所述第二方向为列方向；
    所述显示面板还包括：
    第二导电层，位于所述有源层背离所述衬底基板的一侧，所述第二导电层包括：
    多个第一电极结构，与所述多个增设部一一对应，所述第一电极结 构用于形成所述像素电极；
    其中，所述多个像素驱动电路包括第一像素驱动电路和第二像素驱动电路，所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路在所述行方向上依次交替分布，且所述第一像素驱动电路位于同一列，所述第二像素驱动电路位于同一列；
    所述第一像素驱动电路中的栅极信号线为第一栅极信号线，所述第二像素驱动电路中的栅极信号线为第二栅极信号线；
    本行所述第一栅极信号线、第二栅极信号线在所述衬底基板的正投影分别位于本行第一电极结构在所述衬底基板的正投影在列方向的两侧；
    本行第一栅极信号线中的增设部位于对应主体部与上一行第二栅极信号线的主体部之间，上一行第二栅极信号线中的增设部位于对应主体部与本行第一栅极信号线的主体部之间。
  4. 根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述增设部在所述衬底基板的正投影覆盖与其对应的所述有源结构在所述衬底基板的正投影。
  5. 根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述有源结构在所述衬底基板的正投影的边沿与所述增设部在所述衬底基板的正投影的边沿之间的距离大于等于2.5μm。
  6. 根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述主体部在所述衬底基板的正投影具有在列方向上相对的第一侧边和第二侧边，所述第一侧边位于所述第二侧边远离对应第一电极结构在所述衬底基板的正投影的一侧，所述第一侧边和所述第二侧边之间具有第一距离；
    所述第一电极结构在所述衬底基板的正投影和与其对应的第二侧边之间具有第二距离，所述第二距离大于等于2.5μm，且所述第一距离大于所述第二距离。
  7. 根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述像素驱动电路还包括存储电容，所述存储电容的第一极连接所述像素电极，第二极连接公共电极；所述显示面板还包括：
    第四导电层，位于所述第二导电层背离所述衬底基板的一侧，所述第四导电层包括：
    多个第二电极结构，各所述第二电极结构彼此连接形成网格结构， 所述第二电极结构在所述衬底基板的正投影与所述第一电极结构在所述衬底基板的正投影部分交叠；
    其中，所述第一电极结构还用于形成所述存储电容的第一极，所述第二电极结构还用于形成所述存储电容的第二极。
  8. 根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述第一电极结构包括第一电极部和第二电极部，所述第一电极部的延伸方向与所述第二电极部的延伸方向相交；
    所述第一电极部的延伸方向与所述列方向具有第一夹角，所述第二电极部的延伸方向与所述列方向具有第二夹角，所述第一夹角与所述第二夹角相同，且所述第一电极部和所述第二电极部的延伸长度相同，且连接于第一弯折部。
  9. 根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述第一导电层还包括：
    第一导电线，在所述衬底基板的正投影沿所述行方向延伸，所述第一导电线连接所述第二电极结构，所述第一导电线在所述衬底基板的正投影与所述第一弯折部在所述衬底基板的正投影至少部分交叠。
  10. 根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述第一导电线在所述衬底基板的正投影覆盖所述第一弯折部在所述衬底基板的正投影。
  11. 根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述第一导电线在所述衬底基板的正投影具有在列方向上具有相对的第三侧边和第四侧边，所述第三侧边与所述第四侧边在所述列方向具有第一宽度；
    所述第一电极结构在衬底基板的正投影在所述列方向具有相对的第五侧边和第六侧边，所述第五侧边和所述第六侧边在所述列方向具有第二宽度；
    所述第一宽度与所述第二宽度之比为0.05～0.06。
  12. 根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述显示面板包括多个重复单元，所述重复单元包括在行方向相邻的所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路；
    所述第一导电层还包括：
    第二导电线，在所述衬底基板的正投影沿所述行方向延伸，所述第二导电线连接所述第二电极结构；
    第三导电线，在所述衬底基板的正投影沿所述行方向延伸，所述第三导电线连接所述第二电极结构；
    其中，同一重复单元中，所述第二导电线和所述第三导电线位于所述第一栅极信号线和所述第二栅极信号线之间，
    所述第二导电线在所述衬底基板的正投影与所述第一电极部远离所述第一弯折部的一端在所述衬底基板的正投影相交；
    所述第三导电线在所述衬底基板的正投影与所述第二电极部远离所述第一弯折部的一端在所述衬底基板的正投影相交。
  13. 根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述第二导电线和所述第三导电线在所衬底基板的正投影均具有在列方向相对的第七侧边和第八侧边，所述第七侧边与所述第八侧边在所述列方向上具有第三宽度；所述第一电极结构在衬底基板的正投影在所述列方向具有相对的第五侧边和第六侧边，所述第五侧边和所述第六侧边在所述列方向具有第二宽度；
    所述第三宽度与所述第二宽度之比为0.05～0.06。
  14. 根据权利要求9或12所述的显示面板，其中，同一重复单元中的所述第一电极结构在所述衬底基板的正投影与所述第二电极结构在所述衬底基板的正投影具有第二交叠面积；
    在行方向相邻的任意两个重复单元中，第一像素驱动电路中的第一电极结构在所述衬底基板的正投影和相邻重复单元中的第二像素驱动电路中的第一电极在所述衬底基板的正投影之间在所述水平方向上具有第六距离。
  15. 根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括：
    第三导电层，位于所述第二导电层背离所述衬底基板的一侧，所述第三导电层包括：
    虚拟信号线，在所述衬底基板的正投影沿列方向延伸，且位于行方向相邻的两个重复单元在所述衬底基板的正投影之间；
    其中，同一重复单元中，所述第一电极结构在所述衬底基板的正投影与所述第二电极结构在所述衬底基板的正投影具有第一交叠面积，所述第一交叠面积小于所述第二交叠面积；
    第一像素驱动电路中的第一电极结构在所述衬底基板的正投影与行方向相邻重复单元中的第二像素驱动电路中的第一电极结构在所述衬底基板的正投影之间在所述行方向上具有第五距离，所述第五距离大于所述第六距离。
  16. 根据权利要求15所述的显示面板，其中，所述第二交叠面积与所述第一交叠面积之比为0.77～0.79。
  17. 根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述驱动晶体管的第一极连接数据信号端；
    所述有源结构还包括：
    第一子有源部，与所述第一有源部对应设置且连接于所述第一有源部的一侧，所述第一子有源部用于形成所述驱动晶体管的第一极；
    第二子有源部，与所述第二有源部对应设置且连接于所述第二有源部远离所述第一有源部的一侧，所述第二子有源部用于形成所述驱动晶体管的第二极；
    第三子有源部，连接于与其对应的所述第一有源部和所述第二有源部之间；
    所述显示面板还包括：
    第三导电层，位于所述第二导电层背离所述衬底基板的一侧，所述第三导电层包括：
    第一导电部，在所述衬底基板的正投影覆盖所述第一子有源部在所述衬底基板的正投影，且所述第一导电部与所述第一子有源部电连接，以连接所述驱动晶体管的第一极；
    第二导电部，在所述衬底基板的正投影覆盖所述第二子有源部在所述衬底基板的正投影，且所述第二导电部与所述第二子有源部电连接，以连接所述驱动晶体管的第二极；
    第三导电部，与所述第三子有源部一一对应设置，所述第三导电部位于所述第一导电部和所述第二导电部之间，所述第三导电部在所述衬底基板的正投影覆盖对应所述第三子有源部在所述衬底基板的正投影。
  18. 根据权利要求17所述的显示面板，其中，
    所述第三导电层还包括：
    数据信号线，在所述衬底基板的正投影沿所述列方向延伸，所述数据信号线连接所述第一导电部，以连接所述驱动晶体管的第一极；
    其中，所述显示面板包括多个重复单元，所述重复单元包括在行方向相邻的所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路；
    本行重复单元中的第一像素驱动电路与上一行重复单元中的第二像素驱动电路复用同一所述数据信号线。
  19. 根据权利要求18所述的显示面板，其中，
    所述第二导电层还包括：
    备用导电部，位于相邻所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路之间；
    其中，所述备用导电部在所述衬底基板的正投影位于对应所述数据信号线在所述衬底基板的正投影内。
  20. 一种显示装置，其中，包括权利要求1-19任一项所述的显示面板。
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