CN105118865A - 薄膜晶体管、像素结构、显示基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

薄膜晶体管、像素结构、显示基板、显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105118865A
CN105118865A CN201510608752.0A CN201510608752A CN105118865A CN 105118865 A CN105118865 A CN 105118865A CN 201510608752 A CN201510608752 A CN 201510608752A CN 105118865 A CN105118865 A CN 105118865A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film transistor
thin
drain electrode
source electrode
display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510608752.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105118865B (zh
Inventor
赵婷婷
杨通
王盛
朴求铉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201510608752.0A priority Critical patent/CN105118865B/zh
Publication of CN105118865A publication Critical patent/CN105118865A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105118865B publication Critical patent/CN105118865B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种薄膜晶体管、像素结构、显示基板、显示面板及显示装置。所述薄膜晶体管包括源极和漏极，所述源极和漏极的图形彼此圆心对称，且所述源极和漏极的图形不相平行。上述薄膜晶体管，其源极和漏极的图形不相平行，即：源极和漏极为曲线，或者多段线，而不是直线，源极和漏极为这样的形状可以增大薄膜晶体管中沟道的宽长比(W/L)，这样可以减少数据线对包含所述薄膜晶体管的像素结构进行充电所需的时间，满足显示的需要。同时，所述源极和漏极的图形彼此圆心对称，可以避免在正负帧切换时导致薄膜晶体管特性的变化，从而使像素的保持电压基本不变，避免出现闪烁不良。

Description

薄膜晶体管、像素结构、显示基板、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种薄膜晶体管、像素结构、显示基板、显示面板及显示装置。
背景技术
薄膜晶体管一般包括栅极、有源层、源极和漏极。在显示技术领域，栅极一般与栅线连接，源极一般与数据线连接，漏极一般与像素电极连接。
图1为现有一种薄膜晶体管的俯视示意图。如图1所示，所述薄膜晶体管的源极3和漏极4为直线状，其二者相互平行，且以有源层2上的某一位置呈圆心对称。图1所示薄膜晶体管中沟道的宽长比(W/L)较小，数据线对薄膜晶体管进行充电需要较长的时间，在实际中，很难满足显示的需要。
图2为现有的另一种薄膜晶体管的俯视示意图。如图2所示，所述薄膜晶体管的源极3为U型，漏极4呈直线状。该薄膜晶体管中沟道的W/L较大，能够减少数据线对薄膜晶体管进行充电所需的时间，满足显示的需要。但对于该薄膜晶体管而言，由于源极3和漏极4的图形非对称，这样在正负帧切换时，会导致薄膜晶体管特性差异大。如图3所示，实线表示理想状态下，像素的保持电压，虚线表示实际正负帧切换时，像素的保持电压，可见，由于薄膜晶体管特性的差异，在正负帧切换时，像素的保持电压相差较大，这样会造成闪烁不良。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜晶体管、像素结构、显示基板、显示面板及显示装置，其可以增大沟道的宽长比，同时在正负帧切换时，避免薄膜晶体管特性的差异。
为实现本发明的目的而提供一种薄膜晶体管，包括源极和漏极，所述源极和漏极的图形彼此圆心对称，且所述源极和漏极的图形不相平行。
其中，所述源极和漏极的图形为U型。
其中，所述U型的开口平行于数据线的方向。
其中，所述U型的开口垂直于数据线的方向。
其中，所述源极的U型开口与漏极的U型开口交叉在一起。
其中，所述源极和漏极的图形包括连接在一起的多个U型图形。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种像素结构，其包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管采用本发明提供的上述薄膜晶体管。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种显示基板，其包括多个像素结构，所述像素结构采用本发明提供的上述像素结构。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种显示面板，其包括显示基板和与所述显示基板对盒的对盒基板，所述显示基板采用本发明提供的上述显示基板。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种显示装置，其包括显示面板，所述显示面板采用本发明提供的上述显示面板。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的薄膜晶体管，其源极和漏极的图形不相平行，即：源极和漏极为曲线，或者多段线，而不是直线，源极和漏极为这样的形状可以增大薄膜晶体管中沟道的宽长比(W/L)，这样可以减少数据线对包含所述薄膜晶体管的像素结构进行充电所需的时间，满足显示的需要。同时，所述源极和漏极的图形彼此圆心对称，可以避免在正负帧切换时导致薄膜晶体管特性的变化，从而使像素的保持电压基本不变，避免出现闪烁不良。
本发明提供的像素结构、显示基板、显示面板和显示装置，包含本发明提供的薄膜晶体管，因此，也可以增大薄膜晶体管中沟道的宽长比，以满足显示的需要，同时，还可以避免正负帧切换时的薄膜
晶体管特性的变化，从而避免由此导致的闪烁不良。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为现有一种薄膜晶体管的俯视示意图；
图2为现有的另一种薄膜晶体管的俯视示意图；
图3为像素结构的保持电压的示意图；
图4为第一种实施方式中薄膜晶体管的示意图；
图5为图4所示薄膜晶体管的一种替代实施例的示意图；
图6为第二种实施方式中薄膜晶体管的示意图；
图7为图6所示薄膜晶体管的一种替代实施例的示意图。
其中，附图标记：
1：栅极；2：有源层；3：源极；4：漏极。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
本发明提供一种薄膜晶体管的多个实施方式。图4为第一种实施方式中薄膜晶体管的示意图。如图4所示，所述薄膜晶体管包括栅极1、有源层2、源极3和漏极4，所述源极3和漏极4的图形彼此圆心对称，且所述源极3和漏极4的图形不相平行。
所述源极3和漏极4的图形不相平行，排除了源极3和漏极4为直线的情形，即其不同于背景技术中图1所示的形状。具体地，源极3和漏极4的图形可以为曲线，或者多段线，源极3和漏极4为这样的形状可以增大薄膜晶体管中沟道的宽长比(W/L)，这样可以减少数据线对包含所述薄膜晶体管的像素结构进行充电所需的时间，满足显示的需要。同时，在本实施方式中，所述源极3和漏极4的图形彼此圆心对称，可以避免在正负帧切换时导致薄膜晶体管特性的变化，从而使像素的保持电压基本不变，避免出现闪烁不良。
具体地，如图4所示，所述源极3和漏极4的图形可以为U型；且所述源极的U型开口与漏极的U型开口交叉在一起。相比于图1所示的直线型，U型可以使源极3和漏极4之间的导电沟道的W/L更大。
在图4所示实施例中，所述U型的开口垂直于数据线的方向。但在本实施方式并不限于此，在实际中，如图5所示，所述U型的开口还可以平行于数据线的方向。
图6为第二种实施方式中薄膜晶体管的示意图。与上述第一种实施方式相比，本实施方式中源极3和漏极4的图形由多个单元图形组成；具体地，所述源极3和漏极4的图形包括连接在一起的多个U型图形。
从图6可以看出，与上述第一种实施方式相比，本实施方式中，源极3和漏极4之间的导电沟道的W/L会更大，从而可以进一步降低数据线对像素进行充电所需的时间，更好地满足显示的需要，从而提高显示效果。
具体地，在本实施方式中，每个单元图形除了由多条直线段依次衔接组成外，还可以为一体的曲线，例如，如图7所示，每个U型的单元图形可以为一条曲线。
综上所述，本发明提供的薄膜晶体管，其源极3和漏极4的图形不相平行，即：源极3和漏极4为曲线，或者多段线，而不是直线，源极3和漏极4为这样的形状可以增大薄膜晶体管中沟道的宽长比(W/L)，这样可以减少数据线对包含所述薄膜晶体管的像素结构进行充电所需的时间，满足显示的需要。同时，在本实施方式中，所述源极3和漏极4的图形彼此圆心对称，可以避免在正负帧切换时导致薄膜晶体管特性的变化，从而使像素的保持电压基本不变，避免出现闪烁不良。
本发明还提供一种像素结构的实施方式。在本实施方式中，所述像素结构包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管采用上述实施方式提供的薄膜晶体管。
本发明提供的像素结构，其采用本发明提供的上述薄膜晶体管，可以增大薄膜晶体管中沟道的宽长比，以满足显示的需要，同时，还可以避免正负帧切换时的薄膜晶体管特性的变化，从而避免由此导致的闪烁不良。
本发明还提供一种显示基板的实施方式。在本实施方式中，所述显示基板包括多个像素结构，所述像素结构采用本发明上述实施方式提供的像素结构。
本发明提供的显示基板，其采用本发明提供的上述像素结构，可以增大薄膜晶体管中沟道的宽长比，以满足显示的需要，同时，还可以避免正负帧切换时的薄膜晶体管特性的变化，从而避免由此导致的闪烁不良。
本发明还提供一种显示面板的实施方式。在本实施方式中，所述显示面板包括显示基板和与所述显示基板对盒的对盒基板，所述显示基板采用本发明上述实施方式提供的显示基板。
本发明提供的显示面板，其采用本发明提供的上述显示基板，可以增大薄膜晶体管中沟道的宽长比，以满足显示的需要，同时，还可以避免正负帧切换时的薄膜晶体管特性的变化，从而避免由此导致的闪烁不良。
本发明还提供一种显示装置的实施方式。在本实施方式中，所述显示装置包括显示面板，所述显示面板采用本发明上述实施方式提供的显示面板。
本发明提供的显示装置，其采用本发明提供的上述显示面板，可以增大薄膜晶体管中沟道的宽长比，以满足显示的需要，同时，还可以避免正负帧切换时的薄膜晶体管特性的变化，从而避免由此导致的闪烁不良。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种薄膜晶体管，包括源极和漏极，其特征在于，所述源极和漏极的图形彼此圆心对称，且所述源极和漏极的图形不相平行。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和漏极的图形为U型。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述U型的开口平行于数据线的方向。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述U型的开口垂直于数据线的方向。
5.根据权利要求2～4任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极的U型开口与漏极的U型开口交叉在一起。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和漏极的图形包括连接在一起的多个U型图形。
7.一种像素结构，包括薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用权利要求1～6任意一项所述的薄膜晶体管。
8.一种显示基板，包括多个像素结构，其特征在于，所述像素结构采用权利要求7所述的像素结构。
9.一种显示面板，包括显示基板和与所述显示基板对盒的对盒基板，其特征在于，所述显示基板采用权利要求8所述的显示基板。
10.一种显示装置，包括显示面板，其特征在于，所述显示面板采用权利要求9所述的显示面板。
CN201510608752.0A 2015-09-22 2015-09-22 薄膜晶体管、像素结构、显示基板、显示面板及显示装置 Active CN105118865B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510608752.0A CN105118865B (zh) 2015-09-22 2015-09-22 薄膜晶体管、像素结构、显示基板、显示面板及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510608752.0A CN105118865B (zh) 2015-09-22 2015-09-22 薄膜晶体管、像素结构、显示基板、显示面板及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105118865A true CN105118865A (zh) 2015-12-02
CN105118865B CN105118865B (zh) 2018-06-29

Family

ID=54666812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510608752.0A Active CN105118865B (zh) 2015-09-22 2015-09-22 薄膜晶体管、像素结构、显示基板、显示面板及显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105118865B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106876409A (zh) * 2017-02-22 2017-06-20 武汉华星光电技术有限公司 一种ltps制程中的tft器件的分布结构
WO2018223427A1 (zh) * 2017-06-07 2018-12-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种薄膜晶体管、tft基板以及显示面板
US10509279B2 (en) 2017-06-07 2019-12-17 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd Thin film transistor, TFT substrate, and display panel having source eletrodes and gate electrodes comprising U-shape structures
CN111092091A (zh) * 2018-10-08 2020-05-01 Tcl集团股份有限公司 a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组
CN111092093A (zh) * 2018-10-08 2020-05-01 Tcl集团股份有限公司 a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组
CN111092092A (zh) * 2018-10-08 2020-05-01 Tcl集团股份有限公司 a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1679170A (zh) * 2002-08-30 2005-10-05 夏普株式会社 薄膜晶体管、液晶显示设备及其制备方法
CN102800692A (zh) * 2012-08-09 2012-11-28 深圳市华星光电技术有限公司 具有大通道宽度的薄膜晶体管构造及薄膜晶体管基板电路
CN102856391A (zh) * 2012-06-08 2013-01-02 友达光电股份有限公司 主动元件、驱动电路结构以及显示面板
US8624239B2 (en) * 2010-05-20 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1679170A (zh) * 2002-08-30 2005-10-05 夏普株式会社 薄膜晶体管、液晶显示设备及其制备方法
US8624239B2 (en) * 2010-05-20 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102856391A (zh) * 2012-06-08 2013-01-02 友达光电股份有限公司 主动元件、驱动电路结构以及显示面板
CN102800692A (zh) * 2012-08-09 2012-11-28 深圳市华星光电技术有限公司 具有大通道宽度的薄膜晶体管构造及薄膜晶体管基板电路

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106876409A (zh) * 2017-02-22 2017-06-20 武汉华星光电技术有限公司 一种ltps制程中的tft器件的分布结构
WO2018152888A1 (zh) * 2017-02-22 2018-08-30 武汉华星光电技术有限公司 一种ltps制程中的tft器件的分布结构
WO2018223427A1 (zh) * 2017-06-07 2018-12-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种薄膜晶体管、tft基板以及显示面板
US10509279B2 (en) 2017-06-07 2019-12-17 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd Thin film transistor, TFT substrate, and display panel having source eletrodes and gate electrodes comprising U-shape structures
CN111092091A (zh) * 2018-10-08 2020-05-01 Tcl集团股份有限公司 a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组
CN111092093A (zh) * 2018-10-08 2020-05-01 Tcl集团股份有限公司 a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组
CN111092092A (zh) * 2018-10-08 2020-05-01 Tcl集团股份有限公司 a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组

Also Published As

Publication number Publication date
CN105118865B (zh) 2018-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105118865A (zh) 薄膜晶体管、像素结构、显示基板、显示面板及显示装置
CN103000132B (zh) 像素驱动电路及显示面板
CN105372891B (zh) 一种阵列基板以及显示装置
CN102109718B (zh) 像素结构和薄膜晶体管阵列基板
CN206098392U (zh) 一种显示面板及显示装置
CN202142535U (zh) 一种薄膜场效应晶体管和液晶显示器
CN205539837U (zh) 一种液晶显示面板及显示装置
US20150177570A1 (en) Electrode structure, display panel and display device
CN106373966A (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN106527003B (zh) 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
US20150015469A1 (en) Display panel and driving method thereof, and display device
CN103185997A (zh) 像素结构及薄膜晶体管阵列基板
CN104280959A (zh) 像素结构、显示面板及其制造方法
CN105633136B (zh) 一种薄膜晶体管、其驱动方法、阵列基板及显示装置
CN106356408A (zh) 一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置
CN204315573U (zh) 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN104317126B (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN102289114A (zh) 液晶显示装置
CN103278990A (zh) 像素结构及液晶面板
US20160306247A1 (en) Liquid crystal panel and active matrix substrate used therefor
CN102542977A (zh) 有机发光二极管像素结构、显示面板及电子显示装置
US9373646B2 (en) Polysilicon TFT device and manufacturing method thereof
CN202282354U (zh) 一种薄膜晶体管及显示装置
CN104218070A (zh) 阵列基板及显示装置
WO2015074346A1 (zh) 显示面板及其中像素结构以及驱动方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant