CN118281695A - 一种半导体激光器 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种半导体激光器，包括：基板，包括上表面和下表面；半导体叠层，形成于所述基板上表面上，包括沿第三方向依次堆叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述半导体叠层包括脊部，所述脊部沿所述第一方向延伸，所述第一方向和所述第三方向垂直；第一电极，位于所述半导体叠层上表面上，所述脊部电接触；第二电极，位于所述基板下表面上，与所述基板电接触；其中，所述半导体激光器包括第三台面，所述第三台面露出部分基板表面，所述第三台面沿所述第三方向具有第三深度，所述第三深度度介于1~30μm。

Description

一种半导体激光器

技术领域

本申请涉及半导体相关技术领域，尤其涉及一种半导体激光器。

背景技术

近年来，半导体激光器发展迅速，其因具备功率高、可靠性强、寿命长、体积小以及成本低等诸多优点，而在激光显示，激光通信，激光手术等领域都有着相当广泛的应用。

发明内容

本申请的目的是提供一种半导体激光器，包括：

基板，包括上表面和下表面；

半导体叠层，形成于所述基板上表面上，包括沿第三方向依次堆叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述半导体叠层包括脊部，所述脊部沿所述第一方向延伸，所述第一方向和所述第三方向垂直；

第一电极，位于所述半导体叠层上表面上，所述脊部电接触；

第二电极，位于所述基板下表面上，与所述基板电接触；

其中，所述半导体激光器包括第三台面，所述第三台面露出部分基板表面，所述第三台面沿所述第三方向具有第三深度，所述第三深度度介于1~30μm。

在一实施例中，所述第三深度度介于2~15μm。

在一实施例中，还包括形成于半导体叠层表面的绝缘层，所述绝缘层还覆盖于第三台面上。

在一实施例中，还包括与所述脊部相邻的第一台面、与所述第一台面相邻的第二台面，所述第一台面露出部分所述第二半导体层表面，所述第二台面露出所述第一半导体层表面，所述脊部沿第二方向所述半导体激光器边缘分布所述第一台面、第二台面和第三台面，所述第一方向和所述第二方向垂直，所述第三方向和所述第二方向垂直。

在一实施例中，所诉第三台面沿所述第二方向具有第三宽度，所述第三宽度介于5~50μm。

在一实施例中，所述半导体叠层包括谐振器端面，所述谐振器端面包括光出射端面和光反射端面，所述光出射端面和所述光反射端面分别位于所述脊部延伸方向的两端。

在一实施例中，还包括端面覆盖膜，所述端面覆盖膜包括第一端面覆盖膜和第二端面覆盖膜，所述第一端面覆盖膜形成于所述光出射端面上，所述第二端面覆盖膜形成于所述光反射端面上。

在一实施例中，所述第三台面与所述谐振器端面在所述第一方向上具有第三距离，所述第三距离介于5~50μm 。

在一实施例中，所述第一台面和所述第二台面之间具有第一侧壁，所述第二台面和所述第三台面之间具有第二侧壁，所述第一侧壁的长度小于所述第二侧壁的长度。

在一实施例中，所述第一侧壁与所述第二台面之间的角度为第一夹角，所述第二侧壁与所述第三台面之间的角度为第二夹角，所述第二夹角小于所述第一夹角。

在一实施例中，所述基板包括依次连接的第一侧面、第二侧面、第三侧面以及第四侧面，所述第一侧面和第三侧面沿所述第一方向延伸，所述第二侧面和第四侧面沿所述第二方向延伸，所述第一侧面或者第三侧面包括沿所述第一方向分布的第一区域、第二区域以及第一区域，所述第一区域邻近所述第二侧面或者第四侧面，所述第二区域介于所述第一区域之间，所述第一区域具有光滑表面，所述第二区域具有粗糙表面。

在一实施例中，所述第一区域沿所述第一方向延伸的距离为5~50 μm。

在一实施例中，所述第二区域沿半导体叠层厚度方向具有第一部分和第二部分，所述第一部分靠近所述第一电极，所述第二部分靠近所述第二电极，所述第一部分的高度大于所述第二部分的高度。

在一实施例中，所述第一部分粗糙表面的纹理为间隔的竖条纹，所述第二部分粗糙表面包括靠近所述第一部分的上部分和靠近所述第二电极的下部分，所述上部分的粗糙度小于所述下部分的粗糙度。

附图说明

通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制。

图1是本发明一实施例所揭示的半导体激光器的俯视图；

图2沿着图1的切线A-A’的剖视图；

图3沿着图1的切线B-B’的剖视图；

图4沿着图1的切线C-C’的剖视图；

图5为本申请一实施例所揭示的半导体激光器的立体图；

图6为图5的俯视图；

图7和图8都为沿着图5的切线I-I’的剖视图；

图9为基板的第一侧面或者第三侧面的表面图；

图10为半导体激光器Bar条单元化的过程。

具体实施方式

以下通过特定的具体实施例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或营业，本申请中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”和“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”和“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

图1是本发明一实施例所揭示的半导体激光器的俯视图，图2沿着图1的切线A-A’的剖视图，图3沿着图1的切线B-B’的剖视图，图4沿着图1的切线C-C’的剖视图。

半导体激光器可以具有多边形，例如三角形、六角形、矩形或正方形的外形。如图1所示，半导体激光器的尺寸例如可以是1200μm×200μm、600μm×200μm、600μm×150μm、1200μm×150μm、1100μm×120μm、800μm×200μm及800μm×150μm的正方形形状或类似大小的矩形形状，但不特别限定于此。

如图1至图3所示，半导体激光器包括第一方向X、第二方向Y以及第三方向Z，第一方向X、第二方向Y以及第三方向Z相互垂直。

半导体激光器包括基板110、形成于基板110上表面上的由氮化物类半导体构成的半导体叠层120；形成于半导体叠层120上的第一电极160（p侧电极）；和形成于基板110的下表面上的第二电极170（n侧电极）。另外，相对于激光的射出方向(第一方向X)分别垂直地形成的半导体叠层120的光出射端面181和光反射端面182构成一对谐振器端面。

基板110可以为一成长基板，包括氮化物半导体、SiC或者是高阻抗基板如蓝宝石基板。在一实施例中，基板110优选包含氮化物半导体，更优选包含n型GaN。包含n型氮化物半导体的基板因热传导系数高于蓝宝石而可提高散热效率，从而可减少位错等缺陷，使结晶性良好。而且，优选在包含n型氮化物半导体的基板的C面上使激光二极管生长。若在氮化物半导体的C面上形成激光二极管，则解理面(m面)简单地出现，且C面化学性稳定，因此可获得易于实施处理、且具有后续制程所需程度的蚀刻耐受性等优点。在另一实施例中，基板110可以为一支撑基板，原先用以外延成长半导体叠层120的成长基板可以依据应用的需要而选择性地移除，再将半导体叠层120移转至前述的支撑基板。

在本发明的一实施例中，基板110的厚度例如为至少40μm和/或最高400μm，优选50μm、60μm、80μm、100μm、120μm以及150μm。

半导体叠层120形成在基板110的上表面上，半导体叠层120包括第一半导体层121、有源层122和第二半导体层123，沿第三方向Z依次设置在基板110的上表面上。

在本发明的一实施例中，通过金属有机化学气相沉积法(MOCVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相沉积法(HVPE)、物理气相沉积法(PVD)、或离子电镀方法以于基板110上形成半导体叠层120。

在本发明的一实施例中，第一半导体层121可包括缓冲层(图未示)、第一包覆层(图未示)和第一波导层(图未示)，它们沿第三方向Z被依次设置在基板110的第一表面110a上。

缓冲层是由以GaN为基的、III-V族氮化物半导体制成的n型材料层，或是未掺杂的材料层。更具体地，例如，缓冲层121是n-GaN层，并且Si适用作n型掺杂剂。此外，缓冲层121的膜厚度优选为，例如，从100nm至2000nm。第一包覆层形成在缓冲层上，并且第一包覆层由添加了n型掺杂剂的一个或多个氮化镓基半导体层构成。更具体地，例如，第一包覆层可以由n型GaN层、n型AlGaN层、n型InAlGaN层等构成，并且Si适用作n型掺杂剂。此外，第一包覆层122的膜厚度优选为，例如从500nm至3000nm。第一波导层形成在第一包覆层上，并且第一波导层由一个或多个氮化镓基半导体层构成。更具体地，例如，第一波导层可以由n型GaN层、n型InGaN层、n型InAlGaN层等构成。除此之外，第一波导层也可以由非掺杂的氮化镓基半导体层构成，或者第一波导层可以具有由n型层与非掺杂层构成的层压结构。此外，第一波导层的膜厚度优选为，例如，从10nm至500nm。

在本发明的一实施例中，有源层122形成在第一半导体层121上，并且具有以下构造，其中，例如，由未添加杂质的非掺杂氮化镓基半导体层构成的阱层(未图示)和屏障层(未示出)交替设置。更具体地，例如，阱层和屏障层可以由AlGaN层、GaN层、InGaN层、InAlGaN层等构成。可替代地，有源层 (具体地，屏障层)可以由掺杂有n型掺杂剂的氮化镓基半导体层构成。在这种情况下，屏障层的带隙被设定为与阱层的带隙相比较大的值。此外，各层的膜厚度均优选为，例如，从1nm至100nm。有源层可以具有包括单个阱层的单量子阱结构，或有源层可以具有其中多个阱层和多个屏障层交替设置的多量子阱结构。

在本发明的一实施例中，第二半导体层123包括第二波导层（图未示）、载流子阻挡层 (电子阻挡层，图未示)、第二包覆层（图未示）和接触层（图未示），它们沿第三方向Z被依次设置在有源层上。

第二波导层形成在有源层122上，并且第二波导层由一个或多个氮化镓基半导体层构成。更具体地，例如，第二波导层可以由GaN层、InGaN层等构成，并且掺杂了Mg的p型氮化镓基半导体层适用于第二波导层。此外，第二波导层的膜厚度优选为，例如，从10nm至500nm。载流子阻挡层形成在第二波导层上，并且载流子阻挡层由添加了p型掺杂剂的氮化镓基半导体层构成。更具体地，例如，载流子阻挡层可以由p型AlGaN层等构成，并且Mg适用作p型掺杂剂。此外，载流子阻挡层的膜厚度优选为，例如，从5nm至100nm。应当注意的是，在本发明的一实施例中，载流子阻挡层可以形成在有源层122和第二波导层之间，或者可以形成在第二波导层的中间。此外，可以采用其中载流子阻挡层不设置在半导体叠层120中的构造。即使不设置载流子阻挡层，仍维持作为半导体激光器的功能。第二包覆层形成在载流子阻挡层上，并且第二包覆层由一个或多个氮化镓基半导体层构成。更具体地，例如，第二包覆层可以由p型GaN层、p型AlGaN层、p型InAlGaN层等构成，而Mg适用作p型掺杂剂。此外，第二包覆层的膜厚度优选为，例如，从100nm至1000nm。接触层形成在第二包覆层上，并且接触层由添加了p型掺杂剂的氮化镓基半导体层构成。更具体地说，例如，接触层可以由p型GaN层构成，而Mg适用作p型掺杂剂。此外，接触层的膜厚度优选为，例如，从5nm至100nm。

第二半导体层123上表面设置有带状脊部130，由此能够形成有效折射率型的波导。脊部130沿第一方向X延伸。

在本发明的一实施例中，在半导体叠层120上进行选择性蚀刻，形成脊部130、与脊部130相邻的第一台面M1以及与第一台面M1相邻的第二台面M2于半导体叠层120上。具体而言，半导体叠层120通过移除部分的第二半导体层123形成脊部130和与脊部130相邻的第一台面M1。半导体叠层120通过移除部分的第二半导体层123、有源层122以及部分第一半导体层121形成第二台面M2。

在脊部130上表面上形成欧姆接触电极140，例如，可以采用溅镀等方法进行制备。具体地，欧姆接触电极140的主要作用是提高横向扩展能力，扩大电流作用的区域，欧姆接触电极140的材料可以采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化镓(GaO3)等，欧姆接触电极140的材料也可以采用镍、金等金属。

在半导体叠层120上形成绝缘层150。绝缘层150包括覆盖脊部130侧表面130b及形成在脊部130的部分上表面，确保作为与脊部130相邻的第一台面M1露出的第二半导体层123表面与脊部130的侧面之间的绝缘性，并且相对于第二半导体层123确保折射率差。其中位于脊部130上表面的绝缘层150具有露出欧姆接触电极140的开口。绝缘层150还覆盖第一台面M1以及第二台面M2。

作为绝缘层150，例如，含有SiO2、SiN、Al2O3和ZrO2一种以上的绝缘材料是适用的。绝缘层的膜厚度优选为，例如，从100nm至500nm。

第一电极160形成在脊部130上，并且通过绝缘层150开口与欧姆接触电极接触，从而与第二半导体层123电连接。形成第一电极160的区域不仅限于脊部130的上表面，也可以隔着绝缘层150延伸至第一台面M1。作为第一电极160的材料，例如可包含Pd、Pt、Ni、Au、Ti、W、Cu、Ag、Zn、Sn、In、AI、Ir、Rh或ITO中的任一者。

第二电极170形成在基板110的下表面上，与第一半导体层121电连接。

在本发明的一实施例中，所述第二电极170的材质包括Ni、Ti、Pd、Pt、Au、Al、TiN、ITO和IGZO等中的任意一种或两种以上的组合，且不限于此。

如图1和图4所示，由于将脊部130的带状方向（即，第一方向）作为谐振器方向，能够通过劈开或蚀刻等形成设在端面的一对谐振器端面180。在劈开形成时，需要基板110或半导体叠层120具有劈开性，利用其劈开性能够容易得到优良的镜面。此外，即使没有劈开性，也能够通过蚀刻形成谐振器端面180。通过劈开或蚀刻形成的谐振器端面通过ECR等镀膜工艺形成由单一膜或多层膜构成的端面覆盖膜190，以便能高效率地反射有源层122的光线。谐振器端面180的一面为光反射端面181，由相对高反射率的面构成，主要具有作为向波导区内反射光的光反射侧的谐振器面的功能；另一面为光出射端面182，由相对低反射率的面构成，主要具有作为向外部出射光的光出射侧谐振器面的功能。

最后，通过将半导体激光器Bar条沿脊部130延伸的方向（第一方向X）平行的方向进行单元化分离，形成图1所示的半导体激光器。

为了使第一台面M1、第二台面M2、第三台面M3更加形象立体，在图5至图7去除欧姆接触电极、绝缘层、第一电极的示意，其中图5为本申请一实施例所揭示的半导体激光器的立体图，图6为图5的俯视图，图7和图8都为沿着图5的切线I-I’的剖视图。

在本申请中，如图5至图8所示，半导体激光器包括第三台面M3，半导体叠层120通过移除部分的第二半导体层123、有源层122、第一半导体层121以及部分基板110形成第三台面M3，第三台面M3露出部分基板110表面。沿第二方向Y，脊部130分别向半导体激光器边缘分布第一台面M1、第二台面M2以及第三台面M3。如图3所示，绝缘层150覆盖第三台面M3上。

如图6所示，第三台面M3沿第二方向Y具有第三宽度K3，第三宽度K3介于5~50μm。

如图7所示，第二台面M2沿第三方向Z具有第二深度S2（相当于第一台面M1和第二台面M2之间的高度），第二深度S2介于1~4μm。第三台面M3沿第三方向Z具有第三深度S3（相当于第二台面M 2和第三台面M3之间的高度），第三台面M3的第三深度S3介于1~30μm，优选介于2~15μm。

半导体激光器单元化的过程中，由于本申请设计半导体激光器具有露出基板110部分表面的第三台面M3，且覆盖半导体激光器的绝缘层150的边缘位于第三台面M3上，因而可以将绝缘层150由于外应力导致的破裂控制在第三台面M3内。在大功率半导体激光器中，通常将第一电极160（P侧电极）与封装基板通过AuSn焊料共晶连接在一起，第三台面M3可以避免AuSn焊料中的Sn沿着绝缘层150的外边缘延伸到第三台面M3，一来相对于第二台面M2，第三台面M3更位于半导体激光器的边缘， Sn较难延伸到第三台面M3上；二来在第二台面M2的基础上，第三台面M3的第三深度S3介于1~30μm， Sn很难顺着第三台面M3的侧壁延伸到第三台面M3上；因此覆盖第三台面M3的绝缘层150即使由于外应力破裂，半导体激光器封装器件也能大大降低爬Sn概率，降低短路风险。

在一实施例中，如图8所示，第一台面M1和第二台面M2之间具有第一侧壁B1，第二台面M2和第三台面M3之间具有第二侧壁B2，由于第二台面M2的第二深度S2介于1~4μm，第三台面M3的深度介于2~15μm，因而第二侧壁B2的长度大于第一侧壁B1的长度。

在一实施例中，第一侧壁B1与第二台面M2之间的夹角为第一夹角α1，第二侧壁B2与第三台面M3之间的夹角为第二夹角α2，第一夹角α1大于第二夹角α2。

在一实施例中，第一夹角α1大于90°，第二夹角α2小于90°。

在一实施例中，如图6所示，第三台面M3与谐振器端面180之间具有一最小距离，该最小距离为第三距离C3，第三距离C3介于5~50μm，优选介于15~40μm。

如图6所示，基板110具有依次连接第一侧面110a、第二侧面110b、第三侧面110c以及第四侧面110d。第一侧面110a和第三侧面110c沿第一方向X延伸，第二侧面110b和第四侧面110d沿第二方向Y延伸。第二侧面110b和第四侧面110d上覆盖端面覆盖膜190。

图9为基板的第一侧面或者第三侧面的表面图，图10为半导体激光器Bar条单元化的过程。

如图9所示，第一侧面110a和第三侧面110c分别包括沿第一方向X分布的第一区域Q1、第二区域Q2以及第一区域Q1。其中，第一区域Q1邻近第二侧面110b或者第四侧面110d，第二区域Q2介于两个第一区域Q1之间（即，远离第二侧面110b或者第四侧面110d）。

如图9和图10所示，半导体激光器Bar条在单元化的过程中，第三台面M3作为单元化的切割道，将第三台面M3与谐振器端面180（光出射端面181或者光反射端面182）之间在第一方向X上预留第三距离C3，在该距离范围内的基板110未被砖石刀或者激光切割，对应于基板110的第一侧面110a或者第三侧面110c的第一区域Q1，第三台面M3的基板被因而钻石刀或者激光切割，对应于基板110的第一侧面110a或者第三侧面110c的第二区域Q2。因此，第一区域Q1具有光滑表面，第二区域Q2具有粗糙表面。在一实施例中，第一区域Q1沿第一方向X延伸的距离为5~50 μm。若钻石刀或者激光从半导体激光器Bar条的谐振器端面处开始切割，可能会使得端面覆盖膜受到外应力作用破膜碎晶，影响激光在谐振腔内进行有效的增益。本申请在第三台面M3与谐振器端面180（光出射端面181或者光反射端面182）之间在第一方向X上预留第三距离C3，并且露出基板表面的第三台面M3作为切割道，外应力主要作用在第三台面M3以及第三台面对应的基板110的第一侧面110a或者第三侧面110c的第二区域Q2，从而降低端面覆盖膜破膜碎晶的风险。

在一实施例中，半导体激光器Bar条在第二电极170（N侧电极）先用激光进行表切，然后在第一电极160（P侧电极）进行钻石刀划裂。因而，如图9所示，第二区域Q2沿第三方向Z（半导体叠层厚度方向）具有靠近第一电极160的第一部分Q21和靠近第二电极170的第二部分Q22。沿第三方向，第一部分Q21的高度大于第二部分Q22的高度。由于第一部分Q21和第二部分Q22是采用不同的切割方法，其表面的的粗糙痕迹不一样。第一部分Q21为间隔的竖条纹。由于激光表切的深度有限，第二部分Q22分为靠近第一部分Q21的上半部Q221和靠近第二电极170的下半部Q222，上半部Q221介于第一部分Q21和下半部部Q222之间。下半部Q222表面直接被激光烧灼，上半部Q221表面由激光余热影响，因而上半部Q221的粗糙度小于下半部Q222的粗糙度。

Claims (14)

1.一种半导体激光器，包括：

基板，包括上表面和下表面；

半导体叠层，形成于所述基板上表面上，包括沿第三方向依次堆叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述半导体叠层包括脊部，所述脊部沿所述第一方向延伸，所述第一方向和所述第三方向垂直；

第一电极，位于所述半导体叠层上表面上，所述脊部电接触；

第二电极，位于所述基板下表面上，与所述基板电接触；

其中，所述半导体激光器包括第三台面，所述第三台面露出部分基板表面，所述第三台面沿所述第三方向具有第三深度，所述第三深度度介于1~30μm。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第三深度度介于2~15μm。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，还包括形成于半导体叠层表面的绝缘层，所述绝缘层还覆盖于第三台面上。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，还包括与所述脊部相邻的第一台面、与所述第一台面相邻的第二台面，所述第一台面露出部分所述第二半导体层表面，所述第二台面露出所述第一半导体层表面，所述脊部沿第二方向所述半导体激光器边缘分布所述第一台面、第二台面和第三台面，所述第一方向和所述第二方向垂直，所述第三方向和所述第二方向垂直。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所诉第三台面沿所述第二方向具有第三宽度，所述第三宽度介于5~50μm。

6.根据权利要求 1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体叠层包括谐振器端面，所述谐振器端面包括光出射端面和光反射端面，所述光出射端面和所述光反射端面分别位于所述脊部延伸方向的两端。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器，其特征在于，还包括端面覆盖膜，所述端面覆盖膜包括第一端面覆盖膜和第二端面覆盖膜，所述第一端面覆盖膜形成于所述光出射端面上，所述第二端面覆盖膜形成于所述光反射端面上。

8.根据权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，所述第三台面与所述谐振器端面在所述第一方向上具有第三距离，所述第三距离介于5~50μm 。

9.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一台面和所述第二台面之间具有第一侧壁，所述第二台面和所述第三台面之间具有第二侧壁，所述第一侧壁的长度小于所述第二侧壁的长度。

10.根据权利要求9所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一侧壁与所述第二台面之间的角度为第一夹角，所述第二侧壁与所述第三台面之间的角度为第二夹角，所述第二夹角小于所述第一夹角。

11.根据权利要求 4所述的半导体激光器，其特征在于，所述基板包括依次连接的第一侧面、第二侧面、第三侧面以及第四侧面，所述第一侧面和第三侧面沿所述第一方向延伸，所述第二侧面和第四侧面沿所述第二方向延伸，所述第一侧面或者第三侧面包括沿所述第一方向分布的第一区域、第二区域以及第一区域，所述第一区域邻近所述第二侧面或者第四侧面，所述第二区域介于所述第一区域之间，所述第一区域具有光滑表面，所述第二区域具有粗糙表面。

12.根据权利要求 11所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一区域沿所述第一方向延伸的距离为5~50 μm。

13.根据权利要求 11所述的半导体激光器，其特征在于，所述第二区域沿半导体叠层厚度方向具有第一部分和第二部分，所述第一部分靠近所述第一电极，所述第二部分靠近所述第二电极，所述第一部分的高度大于所述第二部分的高度。

14.根据权利要求 13所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一部分粗糙表面的纹理为间隔的竖条纹，所述第二部分粗糙表面包括靠近所述第一部分的上部分和靠近所述第二电极的下部分，所述上部分的粗糙度小于所述下部分的粗糙度。