CN118265946A - 显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置，包括：衬底基板(101)；有机层(102)，位于衬底基板(101)的一侧，有机层(102)包括平坦层(1021)和多个支撑结构(1022)，其中，平坦层(1021)包括多个过孔，支撑结构(1022)位于平坦层(1021)远离衬底基板(101)的一侧且与平坦层(1021)一体设置，支撑结构(1022)在衬底基板(101)上的正投影与过孔在衬底基板(101)上的正投影互不交叠。
Description
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置。
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有重量轻、耗电少、画质高、辐射低和携带方便等优点，已逐渐取代传统的阴极射线管显示装置(Cathode Ray Tube display，CRT)，而被广泛应用于现代化信息设备，如增强现实(AR)/虚拟现实(VR)显示设备、笔记本电脑、电视、移动电话和数字产品等。
发明内容
本公开实施例提供的显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置，具体方案如下：
一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：
衬底基板；
有机层，位于所述衬底基板的一侧，所述有机层包括平坦层和多个支撑结构，其中，所述平坦层包括多个过孔，所述支撑结构位于所述平坦层远离所述衬底基板的一侧且与所述平坦层一体设置，所述支撑结构在所述衬底基板上的正投影与所述过孔在所述衬底基板上的正投影互不交叠。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述有机层还包括位于所述平坦层远离所述衬底基板一侧且与所述平坦层一体设置的多个平台结构，所述过孔延伸至贯穿所述平台结构。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述平台结构远离所述过孔一侧的外表面与所述过孔之间的最小距离大于等于5μm。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，还包括位于所述有机层与所述衬底基板之间的多个晶体管，以及位于所述有机层远离所述衬底基板一侧的多个像素电极；
所述多个过孔包括多个第一过孔，所述第一过孔连接所述晶体管的第一极与所述像素电极；
所述多个平台结构包括多个第一平台结构，所述第一平台结构被所述第一过孔贯穿。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，部分所述第一平台结构与各所述支撑结构一体设置。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述第一平台结构与所述支撑结构之间的最小距离小于2μm。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，在所述有机层远离所述衬底基板的方向上，所述过孔的孔径逐渐增大，所述第一过孔的顶部端口到所述支撑结构之间的最小距离大于等于2μm。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，还包括多个第一连接部，所述第一连接部连接所述支撑结构与所述第一平台结构。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，还包括位于所述多个像素电极所在层与所述有机层之间的公共电极，以及与所述晶体管的第一极同层、同材料的多个转接电极；
所述多个过孔还包括多个第二过孔，所述第二过孔连接所述公共电极与所述转接电极；
所述多个平台结构包括多个第二平台结构，所述第二平台结构被所述第二过孔贯穿。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，各所述第二平台结构与部分所述第一平台结构一体设置，且所述第二平台结构、所述支撑结构分别与不同的所述第一平台结构一体设置。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，还包括多个 第二连接部，所述第二连接部连接所述第二平台结构与所述第一平台结构。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，在所述有机层远离所述衬底基板的方向上，所述平台结构的厚度与所述支撑结构的厚度大致相同。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述有机层远离所述衬底基板一侧的表面凹凸不平。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，还包括位于所述有机层与所述衬底基板之间且沿第一方向延伸、沿第二方向排布的多条栅线，所述第一方向与所述第二方向交叉设置；
在所述有机层远离所述衬底基板的方向上，所述支撑结构的尺寸逐渐减小，所述支撑结构包括远离所述衬底基板一侧的顶端，所述顶端在所述第一方向上的宽度大于等于6μm且小于等于12μm；所述支撑结构在所述第二方向上的长度大于等于25μm且小于等于50μm。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述支撑结构的坡度角大于等于30°且小于等于60°。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述平坦层在所述有机层远离所述衬底基板的方向上的厚度大于2μm。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，在所述有机层远离所述衬底基板的方向上，所述平台结构的厚度大于等于0.5μm且小于等于1.2μm。
另一方面，本公开实施例提供了一种上述显示基板的制作方法，包括：
提供一衬底基板；
采用半透过率掩膜板在所述衬底基板上形成有机层，所述有机层包括平坦层和多个支撑结构，其中，所述平坦层包括多个过孔，所述支撑结构位于所述平坦层远离所述衬底基板的一侧且与所述平坦层一体设置，所述支撑结构在所述衬底基板上的正投影与所述过孔在所述衬底基板上的正投影互不交叠。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述制作方法中，采用半透过率掩膜板在所述衬底基板上形成有机层，具体包括：
采用所述半透过率掩膜板的不透光区形成多个支撑结构、被所述支撑结构遮挡的第一平坦部、多个平台结构、以及被所述平台结构遮挡的第二平坦部；采用所述半透过率掩膜板的半透光区形成未被所述支撑结构和所述平台结构遮挡的第三平坦部；采用所述半透过率掩膜板的全透光区形成贯穿所述平台结构和所述第二平坦部的多个过孔，所述有机层的平坦层包括所述第一平坦部、所述第二平坦部和所述第三平坦部。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述制作方法中，所述半透过率掩膜板的半透光区的透过率大于等于15％且小于等于35％。
另一方面，本公开实施例还提供了一种显示面板，包括相对而置的显示基板和对向基板，以及位于所述显示基板与所述对向基板之间的液晶层，其中，所述显示基板为本公开实施例提供的上述显示基板。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示面板中，所述对向基板包括黑矩阵，所述平台在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影内。
另一方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括背光模组、以及位于所述背光模组出光侧的显示面板，其中，所述显示面板为本公开实施例提供的上述显示面板。
图1为相关技术中显示面板的一种结构示意图；
图2为本公开实施例提供的显示基板的一种结构示意图；
图3为沿图2中I-I’线的截面图；
图4为沿图2中II-II’线的截面图；
图5为图2中遮光层的结构示意图；
图6为图2中有源层的结构示意图；
图7为图2中栅线所在层的结构示意图；
图8为图2中层间介质层与栅绝缘层的结构示意图；
图9为图2中数据线所在层的结构示意图；
图10为图2中平坦层的结构示意图；
图11为图2中公共电极的结构示意图；
图12为图2中无机绝缘层的结构示意图；
图13为图2中像素电极的结构示意图；
图14为采用半透过率掩膜板在有机层中所形成的菱形凸台和过孔的一种图片；
图15为采用半透过率掩膜板在有机层中所形成的菱形凸台和过孔的又一种图片；
图16为本公开实施例提供的有机层的一种局部结构示意图；
图17为本公开实施例提供的有机层的又一种局部结构示意图；
图18为本公开实施例提供的支撑结构与第一平台结构的一种连接示意图；
图19为本公开实施例提供的支撑结构与第一平台结构的又一种连接示意图；
图20为本公开实施例提供的支撑结构与第一平台结构的又一种连接示意图；
图21为本公开实施例提供的第一平台结构与第二平台结构的一种连接示意图；
图22为本公开实施例提供的第一平台结构与第二平台结构的又一种连接示意图；
图23为本公开实施例提供的第一平台结构与第二平台结构的又一种连接示意图；
图24为本公开实施例提供的显示基板的制作方法的流程图；
图25为本公开实施例提供的采用半透过率掩膜板制作有机层的示意图；
图26为沿图25中III-III’线的截面图；
图27为本公开实施例提供的显示面板的一种结构示意图；
图28为本公开实施例提供的显示面板的又一种结构示意图；
图29为本公开实施例提供的显示面板的又一种结构示意图；
图30为本公开实施例提供的显示装置的一种结构示意图；
图31为本公开实施例提供的显示装置的又一种结构示意图；
图32为本公开实施例提供的显示装置的又一种结构示意图。
附图标记：
衬底基板-101，有机层-102，平坦层-1021，第一平坦部-10211，第二平坦部-10212，第三平坦部-10213，支撑结构-1022，平台结构-1023，第一平台结构-10231，第二平台结构-10232，晶体管-103，第一极-1031，第二极-1032，栅极-1033，有源层-1034，公共电极-104，像素电极-105，转接电极-106，栅线-107，无机绝缘层-108，公共电极线-109，层间介质层-110，栅绝缘层-111，数据线-112，遮光层-113；显示基板-001，对向基板-002，液晶层-003，黑矩阵-201，衬底-202。
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同， 而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
随着液晶显示产品走进人们生活的方方面面，人们对液晶显示产品的显示效果越来越关注，要求越来越严格。精细化的设计和工艺是必然要求。其中，中大尺寸车载产品、触控屏(TPC)、显示器(MNT)等产品因环境温度变化或产品受到外力作用冲击，会对产品显示有影响。这是因为目前这些产品中位于对向基板(CF)上的隔垫物(PS)设计效果不佳，导致显示基板(array)与对向基板之间对盒偏移形成条纹(PS Mura)、漏光等不良。并且当液晶面板强度不足时，在受到外力冲击后隔垫物(PS)会存在滑入平坦(PLN)层的过孔的风险，失去隔垫物(PS)维持盒厚均一性的作用，产生不可恢复性色斑，造成条纹(PS Mura)不良。
通过在显示基板(array)上设置支撑结构(Smart PS，SPS)来实现对隔垫物(PS)的稳定支撑，可以有效改善上述技术问题，降低产品不良，提高液晶显示产品的品质和良率，降低成本。图1所示为相关技术中采用支撑结构(Smart PS，SPS)来支撑隔垫物(PS)的一种方案。由图1可见，在该方案中，需在显示基板(Array)中形成两个有机层，其中一个有机层为平坦(PLN)层，起到平坦下方膜层、并防止下方膜层与公共电极(CITO)、像素电极(PITO)形成寄生电容的作用；另一个有机层为支撑结构(Smart PS，SPS)的膜层，可有效防止隔垫物(PS)滑入平坦(PLN)层的过孔中，从而使得隔垫物(PS)可以更好地发挥维持盒厚均一性的作用。然而目前的瓶颈之一就是有机层专用的曝光机，图1所示的方案造成了较大的产能压力；且因有机层的厚度较大，所以膜厚、尺寸(CD)稳定性均较差，两次有机层的涂覆(Coating)、曝光、显影工艺，大大降低了工艺稳定性，对隔垫物(PS)支撑力的均一性造成不良的影响，从而增加了隔垫物(PS)受力不均引起的条纹(PS Mura)、透过率不足等风险。
为了改善相关技术中存在的上述技术问题，本公开实施例提供了一种显 示基板，如图2至图13所示，包括：
衬底基板101，可选地，衬底基板101为刚性基板，例如玻璃基板；
有机层102，位于衬底基板101的一侧，有机层102包括平坦层1021和多个支撑结构1022，其中，平坦层1021包括多个过孔h，支撑结构1022位于平坦层1021远离衬底基板101的一侧且与平坦层1021一体设置，支撑结构1022在衬底基板101上的正投影与过孔h在衬底基板101上的正投影互不交叠；可选地，有机层102的材料可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(也称为亚克力)、聚丙烯酸树脂、聚环氧丙烯酸树脂、感光性聚酰亚胺树脂、聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯树脂、酚醛环氧树脂等有机绝缘材料中的至少一种，在此不做限定。
在本公开实施例提供的上述显示基板中，平坦层1021可以起到平坦下方膜层、并防止平坦层1021的下方导电膜层(例如晶体管103的源漏金属层)与平坦层1021的上方导电膜层(例如公共电极104所在层)之间产生寄生电容的作用，支撑结构1022可以起到支撑隔垫物(PS)的作用，贯穿平坦层1021的过孔h可用于连接像素电极105与晶体管103的第一极1031，或者，用于实现公共电极104与转接电极106的电连接；且由于支撑结构1022位于平坦层1021远离衬底基板101的一侧，设置支撑结构1022在衬底基板101上的正投影与过孔h在衬底基板101上的正投影互不交叠，可以避免支撑结构1022遮挡过孔h，保证了支撑结构1022、过孔h可以正常起到相应的作用。
相较于相关技术中采用两个有机层102分别形成平坦层1021和支撑结构1022的方案，本公开通过使支撑结构1022与平坦层1021一体设置，即利用一个有机层102同时形成平坦层1021和支撑结构1022，可减少有机层102的一道构图(Mask)工艺、固化工艺，从而减轻了曝光机产能压力，同时减小了因两次构图(Mask)工艺和两次固化工艺造成的工艺波动，提高了支撑结构1022的尺寸(CD)及膜厚均一性，使得支撑结构1022对隔垫物(PS)的支撑力均一性较好，最终提升了显示画质的均一性。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，可利用半透 过率掩膜板(Half-Tone Mask，HTM)在有机层102的不同区域形成不同的形貌。例如可利用半透过率掩膜板的不透光区(即透过率大致等于0％的区域)来形成支撑结构1022所在区的图案，利用半透过率掩膜板的全透光区(即透过率大致等于100％的区域)来形成过孔h所在区的图案，并利用半透过率掩膜板的半透光区(即透过率大于0％且小于100％的区域)形成未被支撑结构1022遮挡的平坦层1021的至少部分区域的图案。本公开中“大致等于”可以理解为相等或在因制作、测量等因素造成的合理误差(例如±5％)范围内。
然而，发明人发现半透光区和全透光区之间距离太近的话，会相互造成影响，不仅使得全透光区对应形成的过孔h形貌不佳，还会造成半透光区存在过曝，半透光区对应形成的平坦层1021不平整。在一些实施例中，可通过增大全透过区与半透光区之间的距离，来减小全透光区与半透光区之间的相互影响，从而形成形貌较好的过孔h和平坦层1021。基于此，如图3、图4和图10所示，可在有机层102中平坦层1021远离衬底基板101一侧设置与平坦层1021一体的多个平台结构1023，并使过孔h延伸至贯穿平台结构1021。
图14和图15分别示出了采用半透过率掩膜板在有机层中所形成的菱形凸台BP和过孔h的图片，其中，图14为采用全透光区与半透光区之间距离3.5μm的半透过率掩膜板在有机层中所形成的菱形凸台BP和过孔h的图片，图15为采用全透光区与半透光区之间距离5μm的半透过率掩膜板在有机层中所形成的菱形凸台BP和过孔h的图片。对比图14和图15可知，在全透光区与半透光区之间距离3.5μm的情况下，全透光区对应形成的过孔h有边缘毛刺，形貌不佳，且不透光区对应形成的菱形凸台BP的坡度角不佳，未形成明显的菱形；在全透光区与半透光区之间距离5μm的情况下，全透光区对应形成的过孔h形貌良好，且不透光区对应形成的菱形凸台BP表现出完整的菱形形貌。
由以上内容可知，在全透光区与半透光区之间距离5μm以上时，二者之间的相互影响很小。因此，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图3和图4所示，平台结构1023远离过孔h一侧的外表面与过孔h之间的最小距 离s
1可以大于等于5μm。可选地，在实际产品的分辨率较大、像素尺寸较小的情况下，可设置平台结构1023远离过孔h一侧的外表面与过孔h之间的最小距离s
1等于5μm；在实际产品的分辨率较小、像素尺寸较大的情况下，可设置平台结构1023远离过孔h一侧的外表面与过孔h之间的最小距离s
1大于5μm且小于像素尺寸。在一些实施例中，还可以通过使用低感的有机材料搭配精度更高的曝光机来减小全透光区和半透光区之间的相互影响，未来有望可将全透光区和半透光区之间的过渡区取消。
继续参见图3和图4可知，过孔h为在有机层102远离衬底基板101的方向Z上孔径逐渐增大的过孔，平台结构1023为在有机层102远离衬底基板101的方向Z上尺寸逐渐减小的平台，在本公开中，平台结构1023远离过孔h一侧的外表面与过孔h之间的最小距离s
1可以理解为过孔h中最大孔径的顶部端口到平台结构1023中最小尺寸的顶部的外表面之间的距离。
由于半透过率掩膜板包括全透光区、半透光区与不透光区三种区域，因此，位于全透光区与半透光区之间的区域为不透光区，基于此，在本公开实施例提供的上述显示基板中，平台结构1023可采用不透光区形成。另外，本公开中相对于平坦层1021凸出设置的支撑结构1022也是采用不透光区形成的。在有机层102远离衬底基板101的方向Z上，均由不透光区形成的平台结构1023和支撑结构1022二者的厚度可以大致相同。本公开中“大致相同”可以理解为相同或在因制作、测量等因素造成的合理误差(例如±5％)范围内。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，在有机层102远离衬底基板101的方向Z上，平台结构1023的厚度可以大于等于0.5μm且小于等于1.2μm，例如平台结构1023的厚度可以为0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1μm、1.1μm、1.2μm等。平台结构1023的厚度越大，所形成的支撑结构102形状越稳定，对过孔h的保护效果越好，但较大厚度的平台结构1023会增加工艺难度，因此，在综合考虑支撑效果与制作工艺的情况下，本公开中设置平台结构1023的厚度在0.5μm到1.2μm之间。且由于平台结构1023的厚度和支撑结构1022的厚度大致相同，因此支撑结构1022的厚度也 可以在0.5μm到1.2μm之间，在此厚度范围内的支撑结构1022可以稳定支撑隔垫物(PS)。
需要说明的是，半透光区的透过率越高，相同剂量(Dose)光照下，不透光区所形成的支撑结构1022及其遮挡的平坦层1021、与半透光区形成的平坦层1022之间形成的段差(相当于支撑结构1022的厚度)越高。但是如果半透光区的透过率太小，为了达成相应段差(相当于支撑结构1022的厚度)，则需要更大剂量(Dose)的光照，大剂量(Dose)的光照易使得全透光区形成的过孔h过大；相反，半透光区的透过率太大，为了达成所需段差(相当于支撑结构1022的厚度)，则需采用很小剂量(Dose)的光照，小剂量(Dose)的光照易使得全透光区形成的过孔h过小，甚至可能不会形成完全贯穿有机层102的过孔h。因此，为在满足相应段差(相当于支撑结构1022的厚度)的同时，保证所制作的过孔h大小适宜，本公开中可以设置半透光区的透过率大于等于15％且小于等于35％，例如半透光区的透过率为15％、20％、25％、30％、35％等。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图2至图4、图7和图16所示，还可以包括位于有机层102与衬底基板101之间且沿第一方向X延伸、沿第二方向Y排布的多条栅线107，第一方向X与第二方向Y交叉设置；在有机层102远离衬底基板101的方向Z上，支撑结构1022的尺寸逐渐减小，支撑结构1022包括远离衬底基板101一侧的顶端，顶端在第一方向X上的宽度w大于等于6μm且小于等于12μm，例如支撑结构1022的顶端宽度w为6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、11μm、12μm等。支撑结构1022的顶端宽度w的最小需求为6μm才能与隔垫物(PS)更好地匹配，达成支撑力的最低要求；为更稳定地支撑隔垫物(PS)，支撑结构1022的顶端宽度w可以做的较大(例如12μm)。但是在考虑到像素透过率(也可以称为像素开口率)及支撑结构1022的图案(Pattern)设计限制的情况下，本公开中支撑结构1022的顶端宽度w不宜过大，可选地，支撑结构1022的顶端宽度w为10μm，既可以较好地满足支撑力要求，又可以避免影响像素透过率。
在一些实施例中，在本公开实施例提供地上述显示基板中，为防止支撑结构1022与隔垫物(PS)搭接不良，以保证支撑结构1022稳定支撑隔垫物(PS)，如图10所示，可以设置支撑结构1022在第二方向Y上的长度l大于等于25μm且小于等于50μm，例如支撑结构1022在第二方向Y上的长度l为25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm等。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图3、图4和图16所示，支撑结构1022的坡度角α大于等于30°且小于等于60°，例如支撑结构1022的坡度角α为30°、35°、40°、45°、50°、55°、60°等，以使得支撑结构1022的侧面坡度较平缓，保证后续制作的公共电极104、无机绝缘层108、像素电极105在支撑结构1022处的镀膜无裂纹(Crack)不良和剥离(Peeling)风险。图16所示支撑结构1022的顶端宽度w约6.5μm，支撑结构1022的底端宽度约为8μm，支撑结构1022的厚度约为1μm，支撑结构1022的坡度角α约35°，利于保证后续制作的公共电极104、无机绝缘层108、像素电极105在支撑结构1022处的镀膜良好，无不良发生。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图3、图4和图17所示，平坦层1021在过孔h处的坡度角β大于等于50°且小于等于60°，例如平坦层1021在过孔h处的坡度角β为50°、51°、52°、53°、54°、55°、56°、57°、58°、59°、60°等。平坦层1021在过孔h处的坡度角β在此角度范围内，既可使得过孔h的顶部端口孔径较小，保证过孔h与相关膜层之间的工艺极限(Margin)，又可以保证像素电极105或公共电极104在过孔h内的良好搭接。结合图17可见，平坦层1021在过孔h处的坡度角β约为55°，且受平台结构1023的保护，过孔h的形貌较好。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图3、图4和图17所示，在有机层102远离衬底基板101的方向Z上，过孔h的孔径逐渐增大，过孔h包括靠近衬底基板101的底部端口，该底部端口的孔径D大于等于4μm且小于等于7μm，例如过孔h的底部端口孔径D为4μm、5μm、6μm、7μm等。平坦层1021在过孔h处的坡度角β大于等于50°且小于等于 60°的一些情况下，为形成形貌完好的过孔h，需保证过孔h的底部端口比顶部端口单边小1.4-2μm，例如1.7μm左右，双边即3.4μm，因此，过孔h的底部端口的孔径D需保证大于4μm。本公开中设置过孔h的底部端口的孔径D大于等于4μm且小于等于7μm，可以保证过孔h的形貌较好，如图17所示。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，平坦层1021在有机层102远离衬底基板101的方向Z上的厚度可以大于2μm，例如平坦层1021在有机层102远离衬底基板101的方向Z上的厚度约为2.5μm，以使得平坦层1021可以很好地起到平坦下方膜层、并防止平坦层1021的下方导电膜层(例如晶体管103的源漏金属层)与平坦层1021的上方导电膜层(例如公共电极104所在层)之间产生寄生电容的作用。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，有机层102远离衬底基板101一侧的表面可以凹凸不平，即有机层102远离衬底基板101一侧的表面较粗糙，从而增加有机层102与公共电极104之间的接触面积，进而提高有机层102与公共电极104之间的粘附力，防止公共电极104所在膜层发生剥离(Peeling)不良。可选地，通过对有机层102远离衬底基板101一侧的表面进行离子轰击(Descum)，使得有机层102远离衬底基板101一侧的表面变得凹凸不平。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图2、图3和图10所示，多个晶体管103位于有机层102与衬底基板101之间，多个像素电极105位于有机层102远离衬底基板101的一侧；多个过孔h包括多个第一过孔h
1，第一过孔h
1连接晶体管103的第一极1031与像素电极105；多个平台结构1023包括多个第一平台结构10231，第一平台结构10231被第一过孔h
1贯穿，以通过第一平台结构10231的保护形成形貌较好的第一过孔h
1。可选地，图10、图18至图20所示，部分第一平台结构10231与各支撑结构1022一体设置。因为第一过孔h
1是有一定坡度的，支撑结构1022若落在第一过孔h
1的斜坡上，将导致支撑结构1022失去支撑作用；因此，在一些实施例中，第一过孔h
1的顶部端口比底部端口单边要大约1μm，为了保证工艺极 限(Margin)，第一过孔h
1的顶部端口到支撑结构1022底端之间的距离s
3应大于等于2μm。并且考虑到第一平台结构10231环绕第一过孔h
1设置，因此，在本公开中若第一平台结构10231与支撑结构1022之间的最小距离s
2(由于第一平台结构10231和支撑结构1022均为在有机层102远离衬底基板101的方向Z上尺寸逐渐减小的平台，因此，第一平台结构10231与支撑结构1022之间的最小距离s
2可理解为第一平台结构10231的底端与支撑结构1022的底端之间的距离)非常小(例如小于2μm)，则可将第一平台结构10231与支撑结构1022连接起来，使得第一平台结构10231与支撑结构1022合二为一；这样设置还可以防止用于形成第一平台结构10231的不透光区与用于形成支撑结构1022的不透光区之间预夹极小的半透光区，造成该半透光区对应形成的平坦层1021的形貌异常。
当然，在一些实施例中，可根据实际像素设计来决定第一平台结构10231是否与支撑结构1022合为一处，因为在用于形成第一过孔h
1的全透光区与用于形成平坦层1021的半透光区之间的距离(可以相当于第一平台结构10231远离第一过孔h
1一侧的外表面与第一过孔h
1之间的最小距离s
1)大于5μm的情况下，第一平台结构10231的存在可以满足第一过孔h
1的顶部端口到支撑结构1022之间的最小距离s
3(由于第一过孔h
1为在有机层102远离衬底基板101的方向Z上孔径逐渐增大的过孔，支撑结构1022为在有机层102远离衬底基板101的方向Z上尺寸逐渐减小的平台，因此，第一过孔h
1的顶部端口到支撑结构1022之间的最小距离s
3可理解为第一过孔h
1的顶部端口与支撑结构1022的底端之间的距离)大于等于2μm的条件，所以是否将第一平台结构10231与支撑结构1022合为一处，在设计和工艺上都是没有问题的，可根据实际像素设计来决定，在满足全透光区与半透光区互不影响的条件下，第一平台结构10231与支撑结构1022是否合为一处均在本公开范围内。
支撑结构1022与第一平台结构10231可分开设置，或者在一些实施例中，针对一体设置的支撑结构1022与第一平台结构10231，如图10所示，第一平台结构10231与支撑结构1022可以直接相连，或者，如图18至图20所示， 第一平台结构10231与支撑结构1022可以通过第一连接部Lk
1相连。可选地，如图18所示，可以直接将第一平台结构10231的a边延长至与支撑结构1022接触，来形成第一连接部LK
1；或者，如图19所示，可以直接将第一平台结构10231的b边延长至与支撑结构1022接触，来形成第一连接部LK
1；或者，如图20所示，可以直接将第一平台结构10231的c边两个顶点连接至支撑结构1022，来形成第一连接部LK
1。考虑到图18所示第一连接部LK
1有尖角，液晶在此可能会有排列和流动问题，图20所示第一连接部LK
1的宽度较小，因此为避免影响液晶排列和流动，并保证工艺稳定性，在具体实施时，可采用图19所示的第一连接部LK
1。需要说明的是，图10、图18至图20均以第一平台结构10231为八边形平台为例进行示意，在本公开中第一平台结构10231还可以为四边形平台、六边形平台等多边形平台，在一些实施例中，受曝光精度等因素的影响，第一平台结构10231、支撑结构1022以及第一连接部LK
1的棱角处不会那么尖锐而是会形成弧角，因此，第一平台结构10231支撑结构1022以及第一连接部LK
1还可以包括圆弧段。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图2、图4图9和图10所示，公共电极104位于多个像素电极105所在层与有机层102之间的，转接电极106可以与晶体管103的第一极1031同层、同材料设置；多个过孔h还包括多个第二过孔h
2，第二过孔h
2连接公共电极104与转接电极106；多个平台结构1023包括多个第二平台结构10232，第二平台结构10232被第二过孔h
2贯穿，以通过第二平台结构10232的保护形成形貌较好的第二过孔h
2。可选地，各第二平台结构10232与部分第一平台结构10231一体设置，且第二平台结构10232、支撑结构1022分别与不同的第一平台结构10231一体设置，可选地，在与第二平台结构10232一体设置的第一平台结构10231、以及与支撑结构1022一体设置的第一平台结构10231之间具有一个独立设置的第一平台结构10231。在本公开中若第一平台结构10231与第二平台结构10232之间的距离非常小(例如小于2μm)，可将第一平台结构10231与第二平台结构10232连接起来，使得第一平台结构10231与第二平台结构10232 合二为一，这样可以防止用于形成第一平台结构10231的不透光区与用于形成第二平台结构10232的不透光区之间预夹极小的半透光区，造成该半透光区对应形成的平坦层1021的形貌异常。
第一平台结构10231与第二平台结构10232可分开单独设置，或者在一些实施例中，针对一体设置的第一平台结构10231与第二平台结构10232，如图10所示，第二平台结构10232与第一平台结构10231可以直接相连，或者，如图21至图23所示，第一平台结构10231与第二平台结构10232在第一方向和/或者第二方向上具有一定距离。第二平台结构10232与第一平台结构10231可以通过第二连接部Lk
2相连。可选地，如图21所示，第一平台结构10231与第二平台结构10232在第一方向和第二方向上均具有一定距离，可选的，贯穿第一平台结构10231与第二平台结构10232的第一过孔h1与第二过孔h2的中心可在第一方向和第二方向错开，可以直接将第一平台结构10231的d边延长至与第二平台结构10232接触，并将第二平台结构10232的e边延长至与第一平台结构10231接触，来形成第二连接部LK
2；或者贯穿第一平台结构10231与第二平台结构10232的第一过孔h1与第二过孔h2的中心连线沿第一/第二方向或者第三方向，其中第三方向不同于第一方向和第二方向如图22所示，可以直接从第一平台结构10231的f边的两个顶点与第二平台结构10232连接，来形成第二连接部LK
2；或者，如图23所示，可以直接将第二平台结构10232的g边两个顶点连接至第一平台结构10231，来形成第二连接部LK
2。需要说明的是，图10、图21至图23均以第二平台结构10232为八边形平台为例进行示意，在本公开中第二平台结构10232还可以为四边形平台、六边形平台等多边形平台，在一些实施例中，受曝光精度等因素的影响，第二平台结构10232的棱角处可能不会那么尖锐而是会形成圆弧角，因此，第二平台结构10232还可以包括圆弧段。
需要说明的是，在本公开中，“同层、同材料”指的是采用同一成膜工艺形成用于制作特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。即一次构图工艺对应一道掩模板(mask，也称光罩)。根据特定图形 的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而所形成层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形可能处于相同的高度或者具有相同的厚度、也可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图4、图7至图9所示，还可以包括与栅线107同层、同材料设置的公共电极线109，公共电极线109通过贯穿层间介质层110的第三过孔h
3与转接电极106电连接，进而通过转接电极106为公共电极104提供信号；并且，公共电极线109的存在还可以有效降低公共电极104的整体电阻，利于保持公共电极104上的信号均一性。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图3和图4所示，晶体管103除了具有第一极1031之外，还可以包括第二极1032、栅极1033和有源层1034，其中，第一极1031可以为源极、第二极1032可以为漏极，或者，第一极1031可以为漏极、第二极1032可以为源极。第一极1031、第二极1032和栅极1033的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层(如钛、铝及钛三层金属叠层(Ti/Al/Ti)；有源层1034的材料可以包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体(例如，氧化锢稼锌)。可选地，晶体管103可以为底栅型晶体管、顶栅型晶体管、双栅型晶体管等。在一些实施例中，晶体管103可以为P型晶体管或N型晶体管，其中，P型晶体管在其栅极与其源极之间的电压差V
gs与其阈值电压V
th满足关系式V
gs<V
th时导通，在其栅极与其源极之间的电压差V
gs与其阈值电压V
th满足关系式V
gs≥V
th时截止；N型晶体管在其栅极与其源极之间的电压差V
gs与其阈值电压V
th满足关系式V
gs＞V
th时导通，在其栅极与其源极之间的电压差V
gs与其阈值电压V
th满足关系式V
gs≤V
th时截止。
参见图3、图4、图8和图9可见，第一极1031可以通过贯穿层间介质层110和栅绝缘层111的第四过孔h
4与有源层1034电连接，第二极1032可以通过贯穿层间介质层110和栅绝缘层111的第五过孔h
5与有源层1034电连 接；在具体实施时，可在涂覆层间介质层110的材料和栅绝缘层111的材料之后，采用一次构图工艺，同时形成贯穿层间介质层110和栅绝缘层111的第四过孔h
4和第五过孔h
5，以避免分别对层间介质层110和栅绝缘层111进行构图形成过孔。
另外，如图6所示，有源层1034的形状可近似为U型；如图7所示，栅线107与有源层1034交叠的部分可作为栅极1033，本公开中栅线107与有源层1034具有两个交叠部分，使得晶体管103具有两个栅极，形成了双栅晶体管；当然，在一些实施例中，有源层1034的形状也可以可近似为I型，对应的晶体管103可以为单栅晶体管。如图9所示，可将数据线112中与有源层1034的一个端部交叠的部分作为第二极1032，且为了便于第二极1032搭接有源层1034，可以将数据线112中作为第二极1032的部分加宽设置。
在一些实施例中，如图3至图5所示，为了避免光线影响有源层1034而导致晶体管103出现漏电流，本公开中还可以在有源层1034的下方设置遮光层113，在一些实施例中，为提高显示基板的透过率，遮光层113仅遮挡有源层1034的沟道区(相当于栅极1033所在区)，示例性的，遮光层113遮挡有源层1034的沟道区且在第一方向X上相较于有源层1034的沟道区(相当于栅极1033所在区)单边延伸出1μm。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图13所示，像素电极105可以为狭缝电极，公共电极104为面状电极。可选地，如图11和图12所示，公共电极104在对应第一过孔h
1的位置具有镂空结构k，无机绝缘层108在对应第一过孔h
1的位置具有第六过孔h
6，以使得像素电极105通过贯穿设置的第六过孔h
6、镂空结构k和第一过孔h
1与晶体管103的第一极1031电连接。在一些实施例中，像素电极105的材料、以及公共电极104的材料分别可以为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电材料。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，还可以包括本领域的普通技术人员应该理解具有的其它的组成部分(例如位于像素电极105远离衬底基板101一侧的取向层)，在此不做赘述，也不应作为对本公开 的限制。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种上述显示基板的制作方法。由于该制作方法解决问题的原理与上述显示基板解决问题的原理相似，因此，本公开实施例提供的该制作方法的实施可以参见上述显示基板的实施，重复之处不再赘述。
基板的制作方法，如图24所示，可以包括以下步骤：
S2401、提供一衬底基板；
S2402、采用半透过率掩膜板在衬底基板上形成有机层，有机层包括平坦层和多个支撑结构，其中，平坦层包括多个过孔，支撑结构位于平坦层远离衬底基板的一侧且与平坦层一体设置，支撑结构在衬底基板上的正投影与过孔在衬底基板上的正投影互不交叠。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述制作方法中，上述步骤S2402、采用半透过率掩膜板在衬底基板上形成有机层，具体可以通过以下方式进行实现：
如图25和图26所示，采用半透过率掩膜板的不透光区NA形成多个支撑结构1022、被支撑结构1022遮挡的第一平坦部10211、多个平台结构1023、以及被平台结构1023遮挡的第二平坦部10212；采用半透过率掩膜板的半透光区HA形成未被支撑结构1022和平台结构1023遮挡的第三平坦部10213；采用半透过率掩膜板的全透光区FA形成贯穿平台结构1023和第二平坦部10212的多个过孔h，有机层102的平坦层1021包括第一平坦部10211、第二平坦部10212和第三平坦部10213。可选地，半透过率掩膜板的半透光区的透过率大于等于15％且小于等于35％。
需要说明的是，在本公开实施例提供的上述制作方法中，形成各层结构涉及到的构图工艺，不仅可以包括沉积、光刻胶涂覆、掩模板掩模、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等部分或全部的工艺过程，还可以包括其他工艺过程，具体以实际制作过程中形成所需构图的图形为准，在此不做限定。例如，在显影之后和刻蚀之前还可以包括后烘工艺。其中，沉积工艺可以为化学气 相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法或物理气相沉积法，在此不做限定。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种显示面板，如图27和图28所示，包括相对而置的显示基板001和对向基板002，以及位于显示基板001与对向基板002之间的液晶层003，其中，显示基板001为本公开实施例提供的上述显示基板001。由于该显示面板解决问题的原理与上述显示基板解决问题的原理相似，因此，本公开实施例提供的该显示面板的实施可以参见上述显示基板的实施，重复之处不再赘述。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示面板中，如图29所示，对向基板002包括黑矩阵201，平台结构1023(可以包括第一平台结构10231和第二平台结构10232)在衬底基板101上的正投影位于黑矩阵201在衬底基板101上的正投影内，以通过黑矩阵BM遮挡平台结构1023，防止平台结构1023处漏光。
可选地，如图27和图28所示，对向基板002还可以包括衬底202、色阻(图中未示出)等。可选地，黑矩阵201为网格状结构，色阻可以位于网格状结构的网格内，像素电极105在衬底基板101上的正投影位于色阻在衬底基板101上的正投影内，色阻可以包括红光色阻、绿光色阻、蓝光色阻等。在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述对向基板002中，还可以包括本领域的普通技术人员应该理解具有的其它的组成部分(例如位于黑矩阵201所在层面向液晶层003一侧的取向层)，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。
在一些实施例中，本公开实施例提供的上述显示面板还可以包括位于显示基板001与对向基板002之间且包围液晶层003的封框胶，位于显示基板001远离对向基板002一侧的第一偏光片，以及位于对向基板002远离显示基板001一侧的第二偏光片等，其中，第一偏光片的透光轴与第二片偏光片的透光轴相互垂直。另外，对于本领域的普通技术人员应该理解具有的其它的组成部分，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括背光模 组、以及位于背光模组出光侧的显示面板，其中，显示面板为本公开实施例提供的上述显示面板。由于该显示装置解决问题的原理与上述显示面板解决问题的原理相似，因此，本公开实施例提供的该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施，重复之处不再赘述。
在一些实施例中，本公开实施例提供的上述背光模组可以为直下式背光模组，也可以为侧入式背光模组。可选地，侧入式背光模组可以包括灯条、层叠设置的反射片、导光板、扩散片、棱镜组等，灯条位于导光板厚度方向的一侧。直下式背光模组可以包括矩阵光源、在矩阵光源出光侧层叠设置的反射片、扩散板和增亮膜等，反射片包括与矩阵光源中各灯珠的位置正对设置的开孔。灯条中的灯珠、矩阵光源中的灯珠可以为发光二极管(LED)，例如微型发光二极管(Mini LED、Micro LED等)。
亚毫米量级甚至微米量级的微型发光二极管和有机发光二极管(OLED)一样属于自发光器件。其与有机发光二极管一样，有着高亮度、超低延迟、超大可视角度等一系列优势。并且由于无机发光二极管发光是基于性质更加稳定、电阻更低的金属半导体实现发光，因此它相比基于有机物实现发光的有机发光二极管来说，有着功耗更低、更耐高温和低温、使用寿命更长的优势。且在微型发光二极管作为背光源时，能够实现更精密的动态背光效果，在有效提高屏幕亮度和对比度的同时，还能解决传统动态背光在屏幕亮暗区之间造成的眩光现象，优化视觉体验。
可选地，本公开实施例提供地上述显示装置可适用于中大尺寸的车载显示产品(如图30所示)、触控屏(TPC，如图31所示)、显示器(MNT，如图32所示)，这主要是因为，首先小尺寸的应用场景没有大的弯曲、震动，不需要采用本公开的方案来保证显示基板001和对向基板002可以有大的滑动而不受影响；其次，小尺寸追求高分辨率(PPI)，没有充足的空间来满足本公开的方案。具体的，在图30中具体示出了车载显示产品中将本公开的显示装置集成在方向盘SS的中央区域，且在图30中示出了显示装置的显示区AA、以及承载方向盘SS的箱体BX，箱体BX内部可设置有电源、控制电路、 散热器等部件，在此不做限定；在一些实施例中，本公开的显示装置还可以独立于方向盘SS设置，例如可以为设置在方向盘SS附近的中控大屏、或为设置在车子顶部的大屏车顶天窗、或可以利用显示装置作为车窗使用，在此不做限定。在图31中示出了触控屏的返回键H(即Home键)、显示区AA和摄像头C。图32示出了显示器的显示区AA和底座B。对于在大尺寸的车载显示产品、触控屏、显示器中，对于本领域的普通技术人员应该理解具有的其它的组成部分，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。
在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示装置中，还可以包括但不限于：射频单元、网络模块、音频输出&输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元以及控制芯片等部件。可选地，控制芯片为中央处理器、数字信号处理器、系统芯片(SoC)等。例如，控制芯片还可以包括存储器，还可以包括电源模块等，且通过另外设置的导线、信号线等实现供电以及信号输入输出功能。例如，控制芯片还可以包括硬件电路以及计算机可执行代码等。硬件电路可以包括常规的超大规模集成(VLSI)电路或者门阵列以及诸如逻辑芯片、晶体管之类的现有半导体或者其它分立的元件；硬件电路还可以包括现场可编程门阵列、可编程阵列逻辑、可编程逻辑设备等。另外，本领域技术人员可以理解的是，上述结构并不构成对本公开实施例提供的上述显示装置的限定，换言之，在本公开实施例提供的上述显示装置中可以包括上述更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
显然，本领域的技术人员可以对本公开实施例进行各种改动和变型而不脱离本公开实施例的精神和范围。这样，倘若本公开实施例的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (23)
- 一种显示基板，其中，包括：衬底基板；有机层，位于所述衬底基板的一侧，所述有机层包括平坦层和多个支撑结构，其中，所述平坦层包括多个过孔，所述支撑结构位于所述平坦层远离所述衬底基板的一侧且与所述平坦层一体设置，所述支撑结构在所述衬底基板上的正投影与所述过孔在所述衬底基板上的正投影互不交叠。
- 如权利要求1所述的显示基板，其中，所述有机层还包括位于所述平坦层远离所述衬底基板一侧且与所述平坦层一体设置的多个平台结构，所述过孔延伸至贯穿所述平台结构。
- 如权利要求2所述的显示基板，其中，所述平台结构远离所述过孔一侧的外表面与所述过孔之间的最小距离大于等于5μm。
- 如权利要求2或3所述的显示基板，其中，还包括位于所述有机层与所述衬底基板之间的多个晶体管，以及位于所述有机层远离所述衬底基板一侧的多个像素电极；所述多个过孔包括多个第一过孔，所述第一过孔连接所述晶体管的第一极与所述像素电极；所述多个平台结构包括多个第一平台结构，所述第一平台结构被所述第一过孔贯穿。
- 如权利要求4所述的显示基板，其中，部分所述第一平台结构与各所述支撑结构一体设置。
- 如权利要求5所述的显示基板，其中，所述第一平台结构与所述支撑结构之间的最小距离小于2μm。
- 如权利要求2所述的显示基板，其中，在所述有机层远离所述衬底基板的方向上，所述过孔的孔径逐渐增大，所述第一过孔的顶部端口到所述支撑结构之间的最小距离大于等于2μm。
- 如权利要求5～7任一项所述的显示基板，其中，还包括多个第一连接部，所述第一连接部连接所述支撑结构与所述第一平台结构。
- 如权利要求4所述的显示基板，其中，还包括位于所述多个像素电极所在层与所述有机层之间的公共电极，以及与所述晶体管的第一极同层、同材料的多个转接电极；所述多个过孔还包括多个第二过孔，所述第二过孔连接所述公共电极与所述转接电极；所述多个平台结构包括多个第二平台结构，所述第二平台结构被所述第二过孔贯穿。
- 如权利要求9所述的显示基板，其中，各所述第二平台结构与部分所述第一平台结构一体设置，且所述第二平台结构、所述支撑结构分别与不同的所述第一平台结构一体设置。
- 如权利要求10所述的显示基板，其中，还包括多个第二连接部，所述第二连接部连接所述第二平台结构与所述第一平台结构。
- 如权利要求2～11任一项所述的显示基板，其中，在所述有机层远离所述衬底基板的方向上，所述平台结构的厚度与所述支撑结构的厚度大致相同。
- 如权利要求1～12任一项所述的显示基板，其中，所述有机层远离所述衬底基板一侧的表面凹凸不平。
- 如权利要求1～13任一项所述的显示基板，其中，还包括位于所述有机层与所述衬底基板之间且沿第一方向延伸、沿第二方向排布的多条栅线，所述第一方向与所述第二方向交叉设置；在所述有机层远离所述衬底基板的方向上，所述支撑结构的尺寸逐渐减小，所述支撑结构包括远离所述衬底基板一侧的顶端，所述顶端在所述第一方向上的宽度大于等于6μm且小于等于12μm；所述支撑结构在所述第二方向上的长度大于等于25μm且小于等于50μm。
- 如权利要求1～14任一项所述的显示基板，其中，所述支撑结构的坡 度角大于等于30°且小于等于60°。
- 如权利要求1～15任一项所述的显示基板，其中，所述平坦层在所述有机层远离所述衬底基板的方向上的厚度大于2μm。
- 如权利要求1～16任一项所述的显示基板，其中，在所述有机层远离所述衬底基板的方向上，所述平台结构的厚度大于等于0.5μm且小于等于1.2μm。
- 一种如权利要求1～17任一项所述的显示基板的制作方法，其中，包括：提供一衬底基板；采用半透过率掩膜板在所述衬底基板上形成有机层，所述有机层包括平坦层和多个支撑结构，其中，所述平坦层包括多个过孔，所述支撑结构位于所述平坦层远离所述衬底基板的一侧且与所述平坦层一体设置，所述支撑结构在所述衬底基板上的正投影与所述过孔在所述衬底基板上的正投影互不交叠。
- 如权利要求18所述的制作方法，其中，采用半透过率掩膜板在所述衬底基板上形成有机层，具体包括：采用所述半透过率掩膜板的不透光区形成多个支撑结构、被所述支撑结构遮挡的第一平坦部、多个平台结构、以及被所述平台结构遮挡的第二平坦部；采用所述半透过率掩膜板的半透光区形成未被所述支撑结构和所述平台结构遮挡的第三平坦部；采用所述半透过率掩膜板的全透光区形成贯穿所述平台结构和所述第二平坦部的多个过孔，所述有机层的平坦层包括所述第一平坦部、所述第二平坦部和所述第三平坦部。
- 如权利要求18或19所述的制作方法，其中，所述半透过率掩膜板的半透光区的透过率大于等于15％且小于等于35％。
- 一种显示面板，其中，包括相对而置的显示基板和对向基板，以及位于所述显示基板与所述对向基板之间的液晶层，其中，所述显示基板为如权利要求1～17任一项所述的显示基板。
- 如权利要求21所述的显示面板，其中，所述对向基板包括黑矩阵，所述平台在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影内。
- 一种显示装置，其中，包括背光模组、以及位于所述背光模组出光侧的显示面板，其中，所述显示面板为如权利要求21或22所述的显示面板。
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN118265946A true CN118265946A (zh) | 2024-06-28 |
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