CN118248426A - 一种具有高磁性能且高电阻率的烧结钕铁硼磁体及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种具有高磁性能且高电阻率的烧结钕铁硼磁体及其制备方法和应用。本发明的烧结钕铁硼磁体包括主相晶粒和晶界；所述主相晶粒的组分包括R2T14B；所述晶界位于主相晶粒之间，所述晶界包含二粒晶界和三角晶界；其中，所述二粒晶界位于任意两个主相晶粒之间，所述三角晶界位于任意三个及以上的主相晶粒之间；所述三角晶界包括第一富Cu相的区域和第二富Cu相的区域。本发明提供的烧结钕铁硼磁体具有两种非铁磁性的富Cu相，可以阻碍退磁场在晶粒间的传播从而提高矫顽力。同时富Cu相中的Fe含量较少，在晶界中可以阻碍电子在主相晶粒间的传播，起到隔绝作用，从而提高磁体电阻率，减小磁体在电机中的涡流损耗。
Description
技术领域
本发明属于钕铁硼磁体领域，具体涉及一种具有高磁性能且高电阻率的烧结钕铁硼磁体及其制备方法和应用。
背景技术
烧结钕铁硼具有优良的综合磁性能，广泛应用于消费电子、通讯、器械、汽车等众多领域。汽车电机是钕铁硼应用的核心应用领域，汽车电机要求钕铁硼具有高的剩磁，高的矫顽力，同时要求磁体具有高电阻率，保证磁体装机后电机涡流较小，从而提高电机效率。对于提高磁体矫顽力难度加大，通用的方法是在钕铁硼中添加一定量的重稀土元素Dy和/或Tb，但是这两种元素的储量有限，价格昂贵。因此，如何在不使用重稀土或少使用重稀土情况下提高磁体矫顽力，同时降低材料成本具有十分重要意义。
为提高产品的综合性能，专利文献CN111724960A公开了一种R-T-B系永久磁体，其成分M至少包含Ga、Cu、Zr，且在两个主相颗粒之间的二颗粒晶界中含有Zr-B化合物。通过ZrB化合物的形成从而提高产品矫顽力。但是因为ZrB化合物的形成量不会太多，因此产品性能提升有限
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种钕铁硼材料及其制造方法，可以在不使用或者少使用重稀土的情况下提高磁体矫顽力，降低成本，同时保证磁体具有高的剩磁，易充磁的特点。
为改善现有技术的不足，本发明提供如下技术方案：
一种烧结钕铁硼磁体，所述烧结钕铁硼磁体包括主相晶粒和晶界；所述主相晶粒的组分包括R2T14B；所述晶界位于主相晶粒之间，所述晶界包含二粒晶界和三角晶界；其中，所述二粒晶界位于任意两个主相晶粒之间，所述三角晶界位于任意三个及以上的主相晶粒之间；
所述三角晶界包括第一富Cu相的区域和第二富Cu相的区域；其中，
第一富Cu相包括R、T、Cu和Ga，其中：R、T、Cu和Ga的质量比为（72～90）：（1～8）：（8～20）：（1～3）；
第二富Cu相包括R、T、Cu和Ga，其中：R、T、Cu和Ga的质量比为（50～74）：（5～10）：（20～40）：（2～5）。
本发明中，第一富Cu相的区域是指含有第一富Cu相的三角晶界；第二富Cu相的区域是指含有第二富Cu相的三角晶界，具体如图5所示。
根据本发明的实施方案，R是稀土元素；R包括Nd，和选自如下稀土元素中的至少一种：Y、La、Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc；所述T为Fe和Co中的至少一种。
根据本发明的实施方案，所述第一富Cu相中，R、T、Cu和Ga的质量比例如为80:5:10:2、76.96:2.5:18.05:2.49、80.3:4.27:12.92:2.51、80.1:3.17:14.95:1.81。
根据本发明的实施方案，所述第二富Cu相中，R、T、Cu和Ga的质量比例如为60:5:30:3、68.09:7.32:22.44:2.15、66.51:7.9:23.04:2.55、66.67:5.96:25.17:2.2。
根据本发明的实施方案，所述第一富Cu相占第一富Cu相的区域的面积占比记为P11，5%≤P11≤30%，例如为12%、15%、25%。
根据本发明的实施方案，所述第一富Cu相的区域占所有三角晶界的面积占比记为P12，P12≥8%，例如为8.52%、12.5%。
根据本发明的实施方案，所述第二富Cu相占第二富Cu相的区域的面积占比记为P21，P21≥40%，例如为50%、60%。
根据本发明的实施方案，所述第二富Cu相的区域占所有三角晶界的面积占比记为P22，P22≥30%，例如为32%、38%。
根据本发明的实施方案，所述三角晶界的面积与所述晶界的总面积之比记为P，P≥70%，例如为70%、80%。
根据本发明的实施方案，所述第一富Cu相优选位于所述第一富Cu相的区域的边缘，与主相晶粒相邻；或第二富Cu相优选位于所述第二富Cu相的区域的边缘，与主相晶粒相邻。进一步地，将主相晶粒与含有第一富Cu相的区域或第二富Cu相的区域的三角晶界的交界处记为主相晶粒边缘部；其中，所述主相晶粒边缘部靠近主相晶粒的部分的Cu原子浓度设定为[Cu1]（本发明中，[Cu1]约等同于主相晶粒的原子浓度）；所述主相晶粒边缘部靠近三角晶界部分的Cu原子浓度设定为[Cu2]（本发明中，[Cu2]约等同于三角晶界中的Cu原子浓度）；
[Cu1]与[Cu2]满足如下关系式：[Cu2]/[Cu1]≥20，例如为25、30、35、40、45、50。
根据本发明的实施方案，满足上述关系式[Cu2]/[Cu1]≥20的主相晶粒边缘部具有一定的宽度L，20nm≤L≤100nm，例如为30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm。
根据本发明的实施方案，所述烧结钕铁硼磁体中，所述二粒晶界优选包括薄层富稀土相。
根据本发明的实施方案，所述烧结钕铁硼磁体，按质量比为100％计，包括如下组分：
R，30wt%～35wt%（例如为31wt%、32wt%、33wt%、34wt%），R是稀土元素，R包括Nd，和选自如下稀土元素中的至少一种：Y、La、Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc；
B，0.9wt%～1.3wt%（例如为1wt%、1.1wt%、1.2wt%）；
M1为Cu，0.25wt%～2wt%（例如为0.25wt%、0.5wt%、0.75wt%、1.0wt%、1.5wt%）；
M2为Zr、Ti中的至少一种，0.1wt%～0.6wt%（例如为0.15wt%、0.25wt%、0.3wt%、0.4wt%、0.5wt%）；
M3为V、Cr、Mn、Ga、Si、Al、Nb、W和Mo中的至少一种，0.1wt%～1.0wt%（例如为0.15wt%、0.25wt%、0.3wt%、0.4wt%、0.8wt%）；
余者为T和不可避免的杂质，T为Fe和Co中的至少一种。
本发明还提供上述烧结钕铁硼磁体的制备方法，所述制备方法包括：
（1）制粉工序：制备合金微粉；所述合金微粉包括R、T、B和M，所述R、T、B和M具有如上文所述的含义；
（2）压坯工序：将所述合金微粉研磨得到磁粉，并压制得到压坯；
（3）烧结工序：将步骤（2）中的压坯进行烧结处理得到烧结坯体；
（4）时效工序：将步骤（3）中的烧结坯体进行多级时效处理得到烧结钕铁硼磁体。
根据本发明的实施方案，所述合金微粉可选用本领域已知的方法得到，例如将按照烧结钕铁硼磁体的组分准备原料并采用速凝薄带法制备得到R-Fe-B-M合金片，随后将所述R-Fe-B-M合金片进氢爆处理得到所述R-Fe-B-M的合金微粉。
根据本发明的实施方案，步骤（2）中，所述磁粉的平均粒度为2～5μm，例如为3μm、4μm。
根据本发明的实施方案，步骤（2）中，所述合金微粉可选用本领域已知的方法研磨得到磁粉，例如将所述合金微粉进行气流磨研磨得到所述磁粉。
根据本发明的实施方案，步骤（2）中，压制前，所述磁粉中还可以添加润滑剂，例如添加0.1-0.5wt%润滑剂后混料0.5-6h。
根据本发明的实施方案，步骤（3）中，所述烧结处理的条件包括：烧结温度为900-1100℃（例如为1000℃），烧结时间为2-8h（例如为3h、4h、5h、6h、7h）。
根据本发明的实施方案，步骤（4）中，所述多级时效处理包括一级时效处理、二级时效处理和三级时效处理。优选地，所述多级时效处理具体包括：将烧结后的磁体在温度T1：500℃～700℃（例如为600℃）进行1～6h的一级时效处理，然后进行随炉自然冷却10min，冷却速率δT11≤5℃/min，再开风机冷却，冷却速率δT12：7～15℃/min，冷却至低于200℃；再加热至温度T2：800℃～950℃（例如为900℃）进行1～3h的二级时效处理，然后开风机进行冷却，冷却速率δT2：7～15℃/min冷却至低于200℃；再加热至温度T3：400～600℃（例如为500℃）进行2～8h的三级时效处理，然后开风机进行冷却，冷却速率δT3：7～15℃/min冷却至低于200℃。
根据本发明的实施方案，步骤（4）的烧结钕铁硼磁体还可以任选的进行扩散处理。
根据本发明的实施方案，所述扩散处理为晶界扩散处理。优选地，在扩散处理前，还可以进行本领域已知的预处理，例如将所述烧结钕铁硼磁体加工成需要的尺寸，再任选的进行除油、酸洗等。
优选地，所述晶界扩散处理的条件包括：扩散温度为850～950℃，扩散时间为至少3h。
优选地，所述扩散处理时，扩散源选自含有下述元素中的至少一种：Dy、Tb、Ho、Nd、Pr。
优选地，所述扩散处理可以为热喷涂法、涂覆法、溅射法、浸渍法等本领域已知的处理方法中的至少一种。
本发明还提供上述烧结钕铁硼磁体的应用，例如在电机中的应用。
本发明的有益效果
在制备烧结钕铁硼磁体时，增加稀土后晶界会形成Nd2Fe17相，该相属于软磁相，会降低磁体矫顽力。但是在增加稀土的同时增加元素Cu在晶界会形成NdFeCuM相，该相为非铁磁性相，可以阻碍退磁场在晶粒间的传播从而提高矫顽力。发明人发现，除了添加重稀土元素外，提高晶界的非铁磁性也可以很明显提高烧结钕铁硼磁体的矫顽力。而且，该非铁磁性在晶界中可以阻碍电子在主相颗粒间的传播，起到隔绝作用，从而提高烧结钕铁硼磁体的电阻率，减小磁体在电机中的涡流损耗。
本发明提供的烧结钕铁硼磁体具有两种非铁磁性的富Cu相，可以阻碍退磁场在晶粒间的传播从而提高矫顽力。同时富Cu相中的Fe含量较少，在晶界中可以阻碍电子在主相晶粒间的传播，起到隔绝作用，从而提高磁体电阻率，减小磁体在电机中的涡流损耗。
附图说明
图1为实施例1中第一富Cu相的TEM显微结构图（任一视野下）。
图2为实施例1中第二富Cu相的TEM显微结构图（另一视野下）。
图3为实施例1中富Cu相与主相晶粒的成分分析图。
图4为实施例1的第一富Cu相和第二富Cu相的分布情况示意图（其他视野下）；其中，标注1是指第二富Cu相（成分为RE68.09(FeCo)7.32Cu22.44Ga2.15），标注2和3均是第一富Cu相（成分为RE76.96(FeCo)2.5Cu18.05Ga2.49）。
本发明中，富Cu相的成分中的下标均是指各元素的质量百分含量。
图5为烧结钕铁硼磁体中晶界的示意图。
具体实施方式
下文将结合具体实施例对本发明的技术方案做更进一步的详细说明。应当理解，下列实施例仅为示例性地说明和解释本发明，而不应被解释为对本发明保护范围的限制。凡基于本发明上述内容所实现的技术均涵盖在本发明旨在保护的范围内。
除非另有说明，以下实施例中使用的原料和试剂均为市售商品，或者可以通过已知方法制备。
磁性能测试：中国计量科学研究院的NIM-62000磁测仪；
电阻率测试：AT516直流电阻测试仪；
结构成分检测：场发射透射电镜 JEOL-2010F TEM；
面积比计算：采用Image-Pro Plus软件分析。
实施例1-2与对比例1-2
实施例1-2与对比例1-2分别按表1中的钕铁硼材料的成分表配置原材料（单位均为wt%），并分别采用如下制备方法制备得到烧结钕铁硼磁体：
采用速凝薄带法制备合金片，并将该合金片进氢爆处理获得合金微粉。
将合金微粉进行气流磨研磨，得到粒径D50=3.5μm的粉末。
将气流磨粉末添加0.3wt%润滑后混料2h，在磁场强度为2T的取向场下进行压型得到坯体。
将坯体在真空烧结炉内，在1040℃温度下烧结4h，保温结束后冷却至低于200℃，得到烧结坯体。
将烧结坯体进行时效处理后得到烧结钕铁硼磁体，时效处理的方法具体包括：在T1=600℃进行一级时效，时间为3h，处理完成后进行随炉自然冷却10min，冷却速率δT11≤5℃/min，再开风机冷却，冷却速率δT12=7～15℃/min，冷却至低于200℃。再加热至T2=900℃进行二级时效，时间为1.5h，处理完成后开风机进行冷却，冷却速率δT2=7～15℃/min冷却至低于200℃。再加热至T3=500℃进行三级时效，时间为4h，处理完成后开风机进行冷却，冷却速率δT3=7～15℃/min冷却至低于200℃。
表1：实施例1-2、对比例1-2的原材料成分表（单位均为wt%）
将上述实施例1-2和对比例1-2制备得到的烧结钕铁硼磁体进行磁性能测试，得到剩磁、矫顽力；进行材料电阻率测试。测试结果如表2所示。
表2：实施例1-2、对比例1-2的烧结钕铁硼磁体性能表
使用场发射透射电镜 JEOL-2010F TEM对实施例1的烧结钕铁硼磁体进行分析显微结构分析、成分分析，如图1和2所示分别为不同视野下的TEM显微结构。
如图1中虚线所示的是任一视野下的第一富Cu相的TEM显微结构。通过分析磁体中多处不同视野下的第一富Cu相的成分，并测算第一富Cu相和所在三角晶界区域（即包括第一富Cu相的区域）的面积，计算第一富Cu相占第一富Cu相的区域的面积占比记为P11，第一富Cu相的区域占所有三角晶界的面积占比记为P12，结果如表3所示。
图2中虚线所示的是另一视野下的第二富Cu相的TEM显微结构。通过分析磁体中不同视野下的第二富Cu相的成分，并测算第二富Cu相占第二富Cu相的区域的面积占比记为P21，第二富Cu相的区域占所有三角晶界的面积占比记为P22，结果如表3所示。
另外，测算磁体中多处不同视野下的全部三角晶界的面积与全部晶界的总面积之比记为P，结果如表3所示。
使用双球差校正透射电镜 FEI Themis G2 300 TEM分别对实施例1和2的不同的富Cu相和与对应的富Cu相临近的主相晶粒的成分进行详细分析，得到磁体中的主相晶粒边缘部的组分如下：
图1对应的视野下，磁体中的第一富Cu相的成分为：RE80.3(FeCo)4.27Cu12.92Ga2.51，图2对应的视野下，磁体中的第二富Cu相的成分为：RE66.51(FeCo)7.9Cu23.04Ga2.55。
参照上述测试可知，分析实施例2中磁体的任一视野下对应的三角晶界中的第一富Cu相的成分为：RE80.1(FeCo)3.17Cu14.95Ga1.81，第二富Cu相的成分为：RE66.67(FeCo)5.96Cu25.17Ga2.2。
而采用上述分析检测方法测算对比例1-2的磁体时，在视野范围内未检测到对比例1的磁体中含有第一富Cu相或第二富Cu相的三角晶界；未检测到对比例2的磁体中含有第一富Cu相的三角晶界，仅检测到其含有第二富Cu相的三角晶界，其中，任一视野下检测到的第二富Cu相的成分为：RE50.2(FeCo)9.8Cu25.11Ga2.3。
表3：实施例1-2、对比例1-2的烧结钕铁硼磁体成分含量表
从上述分析中可以看出，实施例1-2按照本发明的方法制造得到的烧结钕铁硼磁体，其具有包含第一富Cu相的三角晶界（第一富Cu相的区域）与包含第二富Cu相的另一个三角晶界（第二富Cu相的区域），且其三角晶界占总晶界的占比、第一富Cu相在所在三角晶界（第一富Cu相的区域）面积占比、第二富Cu相在所在三角晶界（第二富Cu相的区域）面积占比、[Cu2]/[Cu1]、以及主相晶粒边缘部均在本发明的范围内，因此烧结钕铁硼磁体具有高剩磁、高矫顽力和高电阻率。而对比例1因原料中Cu含量为0.15wt%，低于本申请的原料中的Cu含量的下限0.25wt%，由于原料中Cu含量过低，在三角晶界处不能出现非铁磁性的第一富Cu相或者第二富Cu相，因此磁性能和电阻率均不能得到更好的提高。对比例2因原料中Ti含量过低，也不能在三角晶界处检测出第一富Cu相，仅检测含有第二富Cu相，虽对比例2的磁体性能得到一定程度提升，但提升幅度不大。另，对比例2的磁体中因未形成第一富Cu相且仅形成稀土含量偏低的第二富Cu相，因此电阻率未得到有效提升。
对比例3-8
按照实施例1的钕铁硼材料的成分表配置原材料（单位均为wt%）。
采用速凝薄带法制备合金片，并将该合金片进氢爆处理获得合金微粉。将合金微粉进行气流磨研磨，得到粒径D50=3.5μm的粉末。将气流磨粉末添加0.3wt%润滑后混料2h，在磁场强度为2T的取向场下进行压型。将坯体在真空烧结炉内，在1040℃温度下烧结4h，保温结束后冷却至低于200℃，得到烧结磁体。
将烧结磁体进行时效处理，时效处理参照上述实施例1-2的方法进行，不同仅在于：不同的对比例按照表4中所列出的处理温度T1~T3、冷却速率δT等条件进行。
表4：实施例1、对比例3-8工艺对比
将上述对比例3-8制备得到的烧结钕铁硼磁体进行磁性能测试，得到剩磁、矫顽力；并进行电阻率测试；测试结果如表5所示。
表5：实施例1、对比例3-8产品性能
从表4和5可看出，对比例3-7的时效温度未采用本发明的多级时效处理方法进行，因此不能得到同时含有本发明的第一富Cu相和该第二富Cu相的三角晶界的产品，因此磁体的磁性能、电阻率受到影响，未得到有效提升。对比例8在一级时效后没有进行随炉冷却的低速冷却过程，直接进行高速冷却，磁体中未充分形成同时含有本发明的第一富Cu相和该第二富Cu相的三角晶界，因此对比例8的产品性能也较实施例1差。
具体地：
对比例3没有经过一级时效处理，因此磁体中未出现具有第一富Cu相的三角晶界，导致磁体的性能偏低；
对比例4与对比例5虽然经过一级时效处理，但是处理温度不在本发明的范围内（偏低或偏高），磁体也不会出现具有第一富Cu相的三角晶界，磁体性能不如实施例1；
对比例6没有经过二级时效处理，因此磁体中未出现具有第二富Cu相的三角晶界，磁体性能降低；
对比例7没有经过三级时效处理，虽然能少量形成第一富Cu相的三角晶界（P11=2.4%）和第二富Cu相的三角晶界（P21=22.2%），三角晶界占整体晶界的面积率P为67%，含有第一富Cu相的三角晶界（第一富Cu相的区域）与含有第二富Cu相的三角晶界（第二富Cu相的区域）的存在，在一定程度上提高了产品性能，但是没有三级时效工艺，无法在二粒晶界处形成薄层富稀土相，产品性能提升有限。
对比例8虽然经过了一级时效、二级时效、三级时效处理，但是一级时效处理后没有经过缓慢冷却的过程，因此，第一富Cu相的形成受阻，最终影响了磁体性能。
发明人通过研究发现，在步骤（4）中，首先进行一级时效处理，在该温度和时间下形成第一富Cu相。二级、三级时效处理的温度和时间同烧结钕铁硼常用的工艺及机理相同，在二级时效时发生二元共晶，在三级时效时发生三元共晶，通过二元共晶、三元共晶的作用在钕铁硼磁体的二粒晶界处形成连续的薄层稀土相，从而改善晶界结构，提高磁体的磁性能。发明人发现在二级时效处理过程中三角晶界中出现第二富Cu相的区域，推测该第二富Cu相可能是在二级时效时单独形成的，也可能是第一富Cu相转变成的。第一富Cu相和第二富Cu相的形成都是从三角晶界处开始形成，并会一定程度上影响临近主相晶粒的成分，使得主相晶粒边缘部临近主相晶粒部分的Cu原子浓度[Cu1]与主相晶粒边缘部临近三角晶界部分的Cu原子浓度 [Cu2]，满足关系式：[Cu2]/[Cu1]≥20，且满足[Cu2]/[Cu1]≥20的主相晶粒边缘部的宽度L满足20nm≤L≤100nm。
实施例3
将实施例1制备的钕铁硼磁体，加工成工成尺寸为15-15-3mm的方片，方片经除油和酸洗后进行Dy晶界扩散处理，Dy的扩散量为1.0wt%，扩散温度为900℃，扩散时间为10h，此实施例晶界扩散选用涂覆方法处理，分别得到钕铁硼扩散磁体。对该产品进行性能测试，测试结果如表6。
对比例9
将对比例2制备的钕铁硼磁体，加工成工成尺寸为15-15-3mm的方片，方片经除油和酸洗后进行Dy晶界扩散处理，Dy的扩散量为1.0wt%，扩散温度为900℃，扩散时间为10h，此实施例晶界扩散选用涂覆方法处理，分别得到扩散后的钕铁硼磁体，对其进行性能测试，测试结果如表6。
表6：实施例3、对比例9中钕铁硼磁体的性能
从实施例3与对比例9的测试结果可看出，采用本发明的实施例1制备得到的磁体，更有利于磁体进行扩散，扩散后磁体的矫顽力和电阻率得到进一步提升。
以上对本发明示例性的实施方式进行了说明。但是，本申请的保护范围不拘囿于上述实施方式。本领域技术人员在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述烧结钕铁硼磁体包括主相晶粒和晶界；所述主相晶粒的组分包括R2T14B；所述晶界位于主相晶粒之间，所述晶界包含二粒晶界和三角晶界；其中，所述二粒晶界位于任意两个主相晶粒之间，所述三角晶界位于任意三个及以上的主相晶粒之间；
所述三角晶界包括第一富Cu相的区域和第二富Cu相的区域；其中，
第一富Cu相包括R、T、Cu和Ga，其中：R、T、Cu和Ga的质量比为（72～90）：（1～8）：（8～20）：（1～3）；
第二富Cu相包括R、T、Cu和Ga，其中：R、T、Cu和Ga的质量比为（50～74）：（5～10）：（20～40）：（2～5）。
2.根据权利要求1所述的烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述第一富Cu相占第一富Cu相的区域的面积占比记为P11，5%≤P11≤30%。
3.根据权利要求1所述的烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述第一富Cu相的区域占所有三角晶界的面积占比记为P12，P12≥8%。
4.根据权利要求1所述的烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述第二富Cu相占第二富Cu相的区域的面积占比记为P21，P21≥40%。
5.根据权利要求1所述的烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述第二富Cu相的区域占所有三角晶界的面积占比记为P22，P22≥30%。
6.根据权利要求1所述的烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述三角晶界的面积与所述晶界的总面积之比记为P，P≥70%。
7.根据权利要求1所述的烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述第一富Cu相位于所述第一富Cu相的区域的边缘，与主相晶粒相邻；或第二富Cu相位于所述第二富Cu相的区域的边缘，与主相晶粒相邻；
将主相晶粒与含有第一富Cu相的区域或第二富Cu相的区域的三角晶界的交界处记为主相晶粒边缘部；其中，所述主相晶粒边缘部靠近主相晶粒的部分的Cu原子浓度设定为[Cu1]；所述主相晶粒边缘部靠近三角晶界部分的Cu原子浓度设定为[Cu2]；
[Cu1]与[Cu2]满足如下关系式：[Cu2]/[Cu1]≥20。
8.根据权利要求7所述的烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述主相晶粒边缘部具有一定的宽度L，20nm≤L≤100nm。
9.根据权利要求1所述的烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述烧结钕铁硼磁体，按质量比为100％计，包括如下组分：
R，30wt%～35wt%，R是稀土元素；R包括Nd，和选自如下稀土元素中的至少一种：Y、La、Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc；
B，0.9wt%～1.3wt%；
M1为Cu，0.25wt%～2wt%；
M2，0.1wt%～0.6wt%；M2为Zr、Ti中的至少一种；
M3，0.1wt%～1.0wt%；M3为V、Cr、Mn、Ga、Si、Al、Nb、W和Mo中的至少一种；
余者为T和不可避免的杂质，T为Fe和Co中的至少一种。
10.权利要求1-9任一项所述的烧结钕铁硼磁体在电机中的应用。
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