CN118215331A - 显示面板以及显示装置 - Google Patents

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CN118215331A
CN118215331A CN202410543871.1A CN202410543871A CN118215331A CN 118215331 A CN118215331 A CN 118215331A CN 202410543871 A CN202410543871 A CN 202410543871A CN 118215331 A CN118215331 A CN 118215331A
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CN
China
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transparent
display panel
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Application number
CN202410543871.1A
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English (en)
Inventor
金玉
谢水林
周至奕
范文志
秦旭
徐伟齐
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Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Hefei Visionox Technology Co Ltd
Original Assignee
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Hefei Visionox Technology Co Ltd
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Abstract

本申请公开了一种显示面板以及显示装置,显示面板包括显示区以及非显示区,显示区包括透光区以及设置在透光区外围的主屏区,显示面板包括:衬底;焊盘,设置在衬底的一侧且位于非显示区,包括第一焊盘层;第一透明走线,设置在衬底的一侧且至少部分位于透光区,其中,第一焊盘层的材料与第一透明走线的至少部分材料相同。本申请所提供的显示面板能够提高制备良率。

Description

显示面板以及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板以及显示装置。
背景技术
近年来随着显示技术的发展与普遍,显示面板已被应用至各式的电子装置,例如手机、平板电脑或其他可携式电子装置。
但是本申请的发明人发现,目前显示面板的生产良率有待进一步提升。
发明内容
本申请提供一种显示面板以及显示装置,能够提高制备良率。
本申请实施例第一方面提供一种显示面板,所述显示面板包括显示区以及非显示区,所述显示区包括透光区以及设置在所述透光区外围的主屏区,所述显示面板包括:衬底;焊盘,设置在所述衬底的一侧且位于所述非显示区,包括第一焊盘层;第一透明走线,设置在所述衬底的一侧且至少部分位于所述透光区,其中,所述第一焊盘层的材料与所述第一透明走线的至少部分材料相同。
本申请实施例第二方面提供一种显示面板,所述显示面板包括显示区以及非显示区,所述显示区包括透光区以及设置在所述透光区外围的主屏区,所述显示面板包括:衬底;焊盘,设置在所述衬底的一侧且位于所述非显示区,包括第一焊盘层;第一透明走线,设置在所述衬底的一侧且至少部分位于所述透光区,其中,所述第一焊盘层的材料与所述第一透明走线的至少部分材料相同;封装层,设置在所述衬底的一侧且位于所述非显示区,所述封装层包括玻璃胶层。
本申请实施例第三方面提供一种显示装置,包括上述任一项的显示面板。
有益效果是:本申请将第一焊盘层的材料设置为与第一透明走线的至少部分材料相同,一方面在后续刻蚀阳极的过程中,由于没有铝提供电子,因此可以避免Ag析出的问题,保证显示面板的生产良率,另一方面在制备时,可以在形成第一透明走线的同时形成第一焊盘层,无需对工艺流程进行改变,从而也能保证生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
图1是本申请显示面板一实施方式的俯视结构示意图;
图2是图1中显示面板沿剖面线B-B的剖面结构示意图;
图3是图1中显示面板在一实施方式中沿剖面线C-C的剖面结构示意图;
图4是图1中的显示面板在制备过程中的一剖面结构示意图;
图5是图1中的显示面板在制备过程中的另一剖面结构示意图;
图6是图1中的显示面板在制备过程中的又一剖面结构示意图;
图7是图1中显示面板在另一实施方式中沿剖面线C-C的剖面结构示意图;
图8是图1中显示面板在一实施方式中沿剖面线D-D的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
需要说明的是,本申请中的术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。此外,术语“包括”和“具有”以及它们任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元,而是可选地还包括没有列出的步骤或单元,或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
参阅图1,在本申请一实施方式中,显示面板10包括显示区AA以及非显示区NA,显示区AA包括透光区A1设置在透光区A1外围的主屏区A2。具体地,本申请的显示面板10可以是OLED显示面板(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管显示面板),也可以是LCD显示面板(Liquid Crystal Display,液晶显示面板)、Mirco-LED显示面板(MicroLight Emitting Diode,微发光二极管显示面板)等其他类型的显示面板,本申请对显示面板10的具体类型不做限制。其中,显示区AA用于显示画面,通常设置有驱动电路以及发光元件等结构,非显示区NA不发光,通常设置有外围线路等结构,同时还可以用于邦定驱动芯片或者邦定线路板(例如柔性线路板FPC)。而在显示区AA中,透光区A1可允许外界光线透光,从而透光区A1可以用于放置摄像头、光传感器、听筒等器件。现有技术中,一般在显示面板上开槽或者开孔,从而才能使外界光线通过开槽或者开孔进入显示面板下方的感光元件,而本申请中设置透光区A1,使得无需在显示面板10上开槽或者开孔,可以使得在显示画面时,透光区A1和主屏区A2一起显示画面,从而实现真正意义上的全面屏。
参阅图1、图2以及图3,显示面板10包括衬底110、焊盘120以及第一透明走线130。
衬底110在显示面板10中起支撑作用,其可以是柔性衬底,也可以是刚性衬底,当衬底110是柔性衬底时,其材料可以是聚酰亚胺(PI),当衬底110是刚性衬底时,其材料可以是玻璃或者金属。本申请对衬底110的结构不做限制。
焊盘120设置在衬底110的一侧且位于非显示区NA,包括第一焊盘层121。具体地,焊盘120设置在非显示区NA,用于邦定驱动芯片或者线路板(例如柔性线路板),以实现信号的传输。
第一透明走线130设置在衬底110的一侧且至少部分位于透光区A1。具体地,第一透明走线130至少部分位于透光区A1,用于进行信号的传输,其中由于透光区A1需要允许光线穿过,因此第一透明走线130采用透明材料制备,例如,第一透明走线130的材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。其中,第一透明走线130可以是连续不间断的走线,也可以是包括多个电连接的走线段,当第一透明走线130包括多个电连接的走线段时,不同走线段的材料可以相同,也可以不同。
同时第一焊盘层121的材料与第一透明走线130的至少部分材料相同。具体地,当第一透明走线130是连续不间断的走线时,第一焊盘层121与整个第一透明走线130的材料相同,当第一透明走线130包括多个电连接且材料不同的走线段,第一焊盘层121与其中至少一个走线段的材料相同。
在现有技术中,第一焊盘层121通常是钛-铝-钛的叠层结构,在制备过程中,发光元件的阳极的工艺流程是在焊盘120的工艺流程之后,在阳极的刻蚀工艺中,第一焊盘层121暴露在刻蚀液中,阳极的刻蚀液对第一焊盘层121也有刻蚀作用,尤其对于铝的刻蚀较为明显,在阳极的湿刻过程中,基于电化学原理,在第一焊盘层121中上层钛的表面容易出现Ag(银)析出问题,即在第一焊盘层121上容易形成Ag络合物,而Ag络合物在高温高湿(85℃,85% Humidity)运行时容易发生二次生长和迁移,最终容易导致相邻焊盘120之间短路,从而造成显示面板10异常,降低生产良率。
其中,Ag析出的具体原理是:由于钛与铝的化学活泼性不同,钛与铝分别作为电化学反应中的正极与负极,随着电化学反应的进行,刻蚀液中的Ag+在钛表面(正极)得e-(电子),发生Ag++e-=Ag↓的反应,Ag析出并沉积,作为负极的铝失去电子,发生Al-3e-=Al3+的反应,为Ag析出提供电子。
而针对现有技术中在阳极刻蚀过程容易形成Ag络合物的问题,本申请将第一焊盘层121的材料设置为与第一透明走线130的至少部分走线段材料相同,一方面在后续刻蚀阳极的过程中,由于没有铝提供电子,因此可以避免Ag析出的问题,保证显示面板10的生产良率,另一方面在制备时,可以在形成第一透明走线130的同时形成第一焊盘层121,无序对工艺流程进行改变,从而也能保证生产效率。
继续参阅图1和图2,显示区AA还包括过渡区A3,显示面板10还包括发光层以及像素驱动电路层(为了图示的清晰,附图未对发光层、像素驱动电路层进行标识)。
发光层位于第一透明走线130背离衬底110的一侧,包括位于透光区A1的第一发光元件141。具体地,第一发光元件141位于透光区A1,使得透光区A1具有显示功能。第一发光元件141的数量可以是多个,多个第一发光元件141的发光颜色可以相同,也可以不同,第一发光元件141的发光颜色可以是红色、绿色、蓝色、白色等各种颜色,在此不做限制。
像素驱动电路层位于衬底110与第一透明走线130之间,包括位于过渡区A3的第一像素驱动电路151,其中,第一透明走线130包括第一走线段131,第一走线段131由透光区A1延伸至过渡区A3且电连接第一发光元件141与第一像素驱动电路151,其中,第一焊盘层121与第一走线段131的材料相同。
具体地,第一像素驱动电路151用于驱动透光区A1的第一发光元件141进行发光,第一像素驱动电路151可以是7T1C、9T2C等任何类型的像素驱动电路,本申请对其结构不做限制。其中考虑到如果将第一像素驱动电路151设置在透光区A1,可能会对透光区A1的透光率进行影响,因此将第一像素驱动电路151放置在过渡区A3,从而保证透光区A1的透光率。
同时第一走线段131从过渡区A3延伸至透光区A1,电连接第一像素驱动电路151与第一发光元件141,实现第一像素驱动电路151与第一发光元件141之间的信号传输,而第一焊盘层121与第一走线段131的材料相同。
其中为了实现真正意义上的全面屏,设置过渡区A3也能进行画面的显示,继续参阅图2,发光层进一步包括位于过渡区A3的第二发光元件142,像素驱动电路层进一步包括位于过渡区A3的第二像素驱动电路(图未示),其中,第二像素驱动电路与第二发光元件142电连接。具体地,第二像素驱动电路驱动第二发光元件142进行发光,第二像素驱动电路与第一像素驱动电路151的结构可以相同,也可以不同,第二发光元件142的数量可以是多个,多个第二发光元件142的发光颜色可以相同,也可以不同,第二发光元件142的发光颜色可以是红色、绿色、蓝色、白色等各种颜色,在此不做限制。
继续参阅图2,第一透明走线130进一步包括第二走线段132,第一走线段131形成在第一走线层(为了图示的清晰,附图未对第一走线层进行标识)中,第二走线段132形成在第二走线层(为了图示的清晰,附图未对第二走线层进行标识)中,第一走线层以及第二走线层在衬底110的一侧依次层叠设置,且第二走线段132电连接第一走线段131与第一发光元件141。
具体地,第一走线段131和第二走线段132形成在不同的膜层中,第二走线段132电连接第一走线段131和第一发光元件141,满足信号的传输需求。
继续参阅图2以及图3,焊盘120还包括第二焊盘层122,位于第一焊盘层121背离衬底110一侧且与第一焊盘层121电连接,其中,第二焊盘层122与第二走线段132的材料相同。具体地,设置焊盘120还包括第二焊盘层122,可以降低焊盘120的传输电阻,保证信号传输的可靠性,同时设置第二焊盘层122的材料与第二走线段132的材料相同,也可以避免Ag析出的问题,且在制备时,可以在形成第二走线段132的同时形成第二焊盘层122,无需对工艺流程进行改变,从而也能保证生产效率。
在一应用场景中,为了降低焊盘120的传输电阻,如图3所示,第一焊盘层121与第二焊盘层122之间直接接触连接,即两者之间不设置任何膜层,两者朝向彼此的表面贴合设置。当然在其他应用场景中,第一焊盘层121与第二焊盘层122之间也可以设有其他膜层,此时第一焊盘层121与第二焊盘层122通过两者中间膜层设有的过孔电连接。
其中,第一走线段131与第二走线段132的材料可以相同,也可以不同,在此不做限制。
其中,第一焊盘层121、第二焊盘层122的厚度相同,也就是说,第一走线层和第二走线层的厚度相同,从而在制备时,第一走线层、第二走线层可以采用相同的工艺制备,降低制备难度。
继续参阅图2,在本实施方式中,第二走线段132同时与位于透光区A1的多个第一发光元件141电连接。
具体地,上述设置可以使得一个第一像素驱动电路151可以同时驱动多个第一发光元件141,相比较于一个第一像素驱动电路151驱动一个第一发光元件141,本申请的设置可以降低第一像素驱动电路151的数量,降低在过渡区A3制备第一像素驱动电路151的难度。
在一应用场景中,与同一第二走线段132电连接的多个第一发光元件141的发光颜色相同。其中进一步为了降低第二像素驱动电路的数量,显示面板10进一步包括第二透明走线160,第二透明走线160位于过渡区A3,电连接第二发光元件142与第二像素驱动电路,且第二透明走线160同时与多个第二发光元件142电连接。具体地,通过第二透明走线160的设置,使得一个第二像素驱动电路可以同时驱动多个第二发光元件142,从而可以进一步降低在过渡区A3制备第二像素驱动电路的难度。在一应用场景中,与同一第二透明走线160电连接的多个第二发光元件142的发光颜色相同。
在本实施方式中,继续参阅图2,第二透明走线160与第二走线段132同层设置且材料相同,具体地,在制备时,第二透明走线160与第二走线段132可以同时制备,可以减少工艺步骤,也就是说,在制备时对同一膜层进行图案化,同时得到第二透明走线160以及第二走线段132。
继续参阅图2,第一透明走线130还包括第三走线段133,第三走线段133电连接第一走线段131以及第二走线段132,且第一走线段131、第三走线段133通过形成在像素驱动电路层150中的第一桥接件134电连接。
具体地,通过第一桥接件134电连接第一走线段131以及第三走线段133,可以避免第一透明走线130与其他走线在相交处发生短路现象。
其中,第三走线段133与第一走线段131的材料相同,从而在制备时,可以同时进行制备。
需要说明的是,在其他实施方式中,第一透明走线130也可以不包括第三走线段133,此时可以是第一走线段131直接与第二走线段132电连接。
在一应用场景中,第一走线段131、第二走线段132、第三走线段133的材料均是ITO,也就是说,第一焊盘层121、第二焊盘层122的材料是ITO,其中ITO具有极强的稳定性,可以保证焊盘120的稳定性。
继续参阅图2以及图3,显示面板10还包括第一平坦化层21以及第二平坦化层22,第一平坦化层21设置在像素驱动电路层150与第一走线层之间,第二平坦化层22位于第一走线层与第二走线层之间,其中,第一平坦化层21与第二平坦化层22均用于其平坦化作用,两者的材料可以相同,也可以不同,且第一平坦化层21、第二平坦化层22的材料包括有机材料、无机材料中的至少一种,本申请对第一平坦化层21、第二平坦化层22的材料不做限制。
继续参阅图3,像素驱动电路层还包括位于主屏区A2的第三像素驱动电路153,发光层还包括位于主屏区A2的第三发光元件143,显示面板10还包括与第一走线段131同层设置且材料相同的第三透明走线170,第三透明走线170电连接第三像素驱动电路153以及第三发光元件143。
具体地,在制备过程中,对同一膜层进行图案化,得到第一走线段131以及第三透明走线170。其中第三透明走线170电连接第三像素驱动电路153与第三发光元件143,实现第三像素驱动电路153与第三发光元件143之间的电连接。
其中,如果设置第三像素驱动电路153直接中间膜层设有的过孔与第三发光元件143电连接,则在制备过程中需要在一次制程中同时对发光层与像素驱动电路层150之间的所有膜层进行刻蚀,刻蚀难度大,因此本申请利用第三透明走线170电连接第三像素驱动电路153与第三发光元件143,在制备过程中,可以分步刻蚀发光层与像素驱动电路层150之间的膜层,能够降低制备难度,保证刻蚀的准确性。
其中,第一发光元件141、第二发光元件142以及第三发光元件143的结构可以相同,也可以不同,在本实施方式中,第一发光元件141、第二发光元件142以及第三发光元件143均包括在衬底110上依次层叠设置的阳极1421、发光材料层1422以及阴极1423。其中,第一发光元件141、第二发光元件142以及第三发光元件143的阴极1423之间连续不间断,即阴极1423为整面膜层。
继续参阅图2,第一像素驱动电路151包括第一薄膜晶体管1511,显示面板10还包括第四透明走线180,第四透明走线180与第一走线段131同层设置且材料相同,第四透明走线180在衬底110上的正投影、第一薄膜晶体管1511的栅极15111在衬底110上的正投影至少部分重叠设置。具体地,该设置可以利用第四透明走线180屏蔽其他电信号,避免其他电信号对第一薄膜晶体管1511的影响。同时在制备时,第四透明走线180与第一走线段131可以同时制备,不需要对制备工艺进行改变,可以保证制备效率。
在一实施方式中,第四透明走线180在衬底110上的正投影覆盖第一薄膜晶体管1511的栅极15111在衬底110上的正投影。
在一实施方式中,第四透明走线180还用于电连接第一薄膜晶体管1511的第一电极与第一电源线,第一电极具体可以是源极,第一电源线具体可以是ELVDD电源线。
类似地,第三像素驱动电路153包括第三薄膜晶体管1531,显示面板10还包括第五透明走线190。第五透明走线190在衬底110上的正投影、第三薄膜晶体管1531的栅极15311在衬底110上的正投影至少部分重叠设置,从而利用第五透明走线190屏蔽其他信号对第三薄膜晶体管1531的栅极15311产生影响的信号。同时第五透明走线190与第一走线段131同层设置且材料相同,从而在制备时,第五透明走线190可以与第一走线段131同时制备,保证制备效率。
在一实施方式中,第五透明走线190还用于电连接第三薄膜晶体管1531的第一电极与第一电源线,第一电极具体可以是源极,第一电源线具体可以是ELVDD电源线。
继续参阅图3,焊盘120还包括第三焊盘层123,第三焊盘层123位于第一焊盘层121与衬底110之间,其中,第三焊盘层123与像素驱动电路层中的目标导电件材料相同。
具体地,第三焊盘层123的设置可以降低焊盘120的传输电阻,其中,第三焊盘层123与目标导电件材料相同,在制备时,可以在同一制程中同时制备出第三焊盘层123以及目标导电件,从而无需改变工艺步骤,能够提高制备效率。
在一应用场景中,第三焊盘层123的材料包括钼,在其他应用场景中,第三焊盘123的材料还可以包括铜、金等其他导电材料。
继续参阅图2,在一实施方式中,第一像素驱动电路151还包括第一电容1512,第一电容1512包括在衬底110上依次层叠设置且绝缘的第一电极板15121、第二电极板15122,其中,第二电极板15122复用为目标导电件。也就是说,第三焊盘层123与第二电极板15122可以在同一制程中制备出来。
继续参阅图2,像素驱动电路层还包括层间绝缘层25,层间绝缘层25自显示区AA延伸至第一焊盘层121与第三焊盘层123之间,且第一焊盘层121通过层间绝缘层25上设有的过孔与第三焊盘层123电连接。其中,层间绝缘层25也称为ILD层,在像素驱动电路层中用于实现相邻导电层之间的绝缘。
需要说明的是,在其他实施方式中,为了进一步降低焊盘120的传输电阻,第一焊盘层121、第三焊盘层123朝向彼此的表面可以贴合设置,即第一焊盘层121、第三焊盘层123之间可以不设置任何膜层。
继续参阅图2,像素驱动电路层还包括ELVDD电源线1以及数据线2,其中,ELVDD电源线1以及数据线2材料相同,从而在制备时,可以对同一膜层进行图案化,同时得到ELVDD电源线1以及数据线2。
继续参阅图2,像素驱动电路层还包括反光结构3,在制备过程中,当对反光结构3上面的膜层进行曝光时,反光结构3可以对曝光制程中的光线进行反射,保证上面膜层的充分曝光。在一应用场景中,反光结构3、ELVDD电源线1以及数据线2材料相同,从而在制备时,可以对同一膜层进行图案化,同时得到ELVDD电源线1、数据线2以及反光结构3。
继续参阅图3,其中为使焊盘120能够将信号传输至显示区AA中,第一焊盘层121还与像素驱动电路层中的数据线2电连接,其中,为了避让同层膜层的其他走线,数据线2的部分走线段可以通过第二桥接件135电连接。
其中,第一电容1512中的第二电极板15122、第一桥接件134、第二桥接件135以及第三焊盘层123的材料相同,从而在制备时,可以同时制备,也就是说,在制备时,对一膜层进行图案化,同时得到第一电容1512中的第二电极板15122、第一桥接件134、第二桥接件135以及第三焊盘层123。
继续参阅图2,在本实施方式中,第一薄膜晶体管1511的栅极15111、第三薄膜晶体管1531的栅极15311、第一电容1512中的第一电极板15121的材料相同,从而在制备时,可以同时制备,也就是说,在制备时,对一膜层进行图案化,同时得到第一薄膜晶体管1511的栅极15111、第三薄膜晶体管1531的栅极15311、第一电容1512中的第一电极板15121。
其中,继续图2和图3,本申请的显示面板10还包括第一缓冲层111、第二缓冲层112、第一绝缘层23、第二绝缘层24、像素定义层26、支撑柱27等结构,其中,这些结构均属于现有技术,在此不做具体介绍。
其中为了更好地理解显示面板10,下面结合图2、图4、图5以及图6,介绍显示面板10的制备过程:
首先在衬底110上完成像素驱动电路层的制备,该过程具体过程,制备第一薄膜晶体管1511、第三薄膜晶体管1531中的有源层,在一应用场景中,该有源层的材料包括pSi,然后形成第一绝缘层23(材料可以包括SiOx),然后形成第一金属层(材料可以包括钼),并对第一金属层进行图案化,得到第一薄膜晶体管1511的栅极15111、第三薄膜晶体管1531的栅极15311、第一电容1512的第一电极板15121等结构,接着形成第二绝缘层24(材料可以包括SiNx),然后形成第二金属层(材料可以包括钼),并对第二金属层进行图案化,得到第一电容1512的第二电极板15122、第一桥接件134、第二桥接件135、焊盘120中的第三焊盘层123等结构,接着制备层间绝缘层25(可以是叠层结构,例如包括SiOx层以及SiNx层),最后形成第三金属层(可以是叠层结构,例如是钛-铝-钛的叠层结构),并对第三金属层进行图案化,得到ELVDD电源1、数据线2、反光结构3、第一薄膜晶体管1511/第三薄膜晶体管1531的源极、漏极等结构。其中在制备像素驱动电路层之前,还可以在衬底110上依次形成第一缓冲层111(材料可以包括SiNx)、第二缓冲层112(材料可以包括SiOx)。
接着形成第一平坦化层21,并在第一平坦化层21上形成第一透明材料层,然后可以使用H2C2O4进行湿法刻蚀工艺,并经历退火,得到第一走线段131、第三走线段133、第三透明走线170、第四透明走线180、第五透明走线190以及第一焊盘层121。其中,第一焊盘层121与下方的第三焊盘层123通过层间绝缘层25设有的过孔电连接。
接着形成第二平坦化层22,并在第二平坦化层22上形成第二透明材料层,然后可以使用H2C2O4进行湿法刻蚀工艺,并经历退火,得到第二走线段132以及第二透明走线160。在一应用场景中,第一透明材料层、第二透明材料层的材料均是ITO,具有极强的稳定性。
接着制备第一发光元件141、第二发光元件142以及第三发光元件143中的阳极1421。因为退火使第一焊盘层121、第二焊盘层122中的透明材料重新结晶,非常致密,因此在刻蚀形成阳极1421的过程中,刻蚀液无法对第一焊盘层121、第二焊盘层122进行刻蚀,且因为Ag络合物需要铝(失电子)参加才能形成,因此在阳极1421刻蚀形成的过程中,Ag+无法在焊盘120上形成Ag络合物,因此也可以避免Ag络合物在高温高湿运行下迁移造成产品可靠性NG问题。
后续再制备像素定义层26、发光材料层1422、阴极1423、支撑柱27等结构的制备,后续过程不再进行具体介绍。
参阅图7,显示面板10还包括第一信号线30,第一信号线30设置在衬底110的一侧且位于非显示区NA,其中,第一信号线30的侧壁上设置有第一保护层301,其中,第一保护层301的材料与第一透明走线130的至少部分的材料相同。
具体地,第一保护层301可以对第一信号线30进行保护,避免在后续的制程中,刻蚀液对第一信号线30进行侧刻。
其中,当第一透明走线130是连续不间断的走线时,第一保护层301与整个第一透明走线130的材料相同,当第一透明走线130包括多个电连接且材料不同的走线段,第一保护层301与其中至少一个走线段的材料相同。
其中,当第一透明走线130包括上述的第一走线段131以及第二走线段132时,第一保护层301的材料既可以与第一走线段131相同,也可以与第二走线段132相同,也就是说,在制备时,可以是对同一膜层进行图案化,得到第一保护层301与第一走线段131,或者也可以是对同一膜层进行图案化,得到第一保护层301以及第二走线段132。
在一实施方式中,如图7所示,第一保护层301自第一信号线30的侧壁上延伸至第一信号线30背离衬底110的第一表面上。具体地,为了提高第一保护层301的保护作用,第一保护层301延伸至第一信号线30背离衬底110的第一表面上。当然在其他实施方式中,第一保护层301也可以只形成在第一信号线30的侧壁上。
在一应用场景中,如图7和图8所示,设置在第一信号线30上的第一保护层301的宽度L范围为2.0微米~5.0微米,例如为2.0微米、3.0微米、4.0微米或者5.0微米等。
其中,第一信号线30可以是单层结构,也可以是叠层结构,在一应用场景中,第一信号线30包括在衬底110上依次设置的第一导电层、第二导电层以及第三导电层,其中,第一导电层、第三导电层的材料包括钛,第二导电层的材料包括铝,也就是说,此时第一信号线30是钛-铝-钛的叠层结构,此时第一保护层301的设置可以保护第一信号线30中的第二导电层,避免在后续刻蚀阳极1421的过程中刻蚀液对第二导电层进行刻蚀。具体而言,现有技术中,第一信号线30的侧壁不被第一保护层301所保护,在后续刻蚀阳极1421的制程中,刻蚀液会刻蚀第二导电层,使得第二导电层上的第三导电层悬空,从而在后续制备像素定义层26或者支撑柱27的过程中,当受到压力时,悬空的第三导电层会发生断裂现象,而如果断裂的第三导电层冲到显示区AA,则容易造成相邻的发光元件发生短路现象。而从上述内容可以看出,本申请利用第一保护层301对第一信号线30进行保护,可以避免第二导电层被后续的刻蚀液蚀刻,从而能够避免上述缺陷。
当然第一导电层、第二导电层以及第三导电层的材料也可以是其他,本申请不做限制。
结合图1以及图7,非显示区NA包括第一子区NA1、第二子区NA2、第三子区NA3以及第四子区NA4,第一子区NA1、第二子区NA2位于显示区AA的两侧,第三子区NA3以及第四子区NA4位于显示区AA的两侧,且第三子区NA3、第四子区NA4均连接第一子区NA1以及第二子区NA2,其中,焊盘120位于第四子区NA4,第一信号线30分布在第四子区NA4,且处于第四子区NA4中的第一信号线30的两侧壁均设置有第一保护层301。
具体地,第四子区NA4即为通常所说的下边框区域,考虑到位于第四子区NA4中的第一信号线30的两侧壁均裸露,不被其他膜层所覆盖,因此本实施方式设置处于第四子区NA4中的第一信号线30的两侧壁均设置有第一保护层301,有效对处于第四子区NA4中的第一信号线30进行保护。
在一应用场景中,第一信号线30与显示区AA中的ELVDD电源线1电连接,传输ELVDD信号,如图1和图7所示,此时第一信号线30只位于第四子区NA4,不延伸至第二子区NA2、第三子区NA3以及第四子区NA4,其中为了便于理解,附图中将与ELVDD电源线1电连接的第一信号线用31进行标示。
在另一应用场景中,第一信号线30用于传输ELVSS信号,如图1以及图8所示,此时第一信号线30进一步延伸至第一子区NA1、第二子区NA2以及第三子区NA3,此时处于第一子区NA1、第二子区NA2以及第三子区NA3的第一信号线30背离显示区AA的侧壁设置有第一保护层301。需要说明的是,为了便于理解,附图将传输ELVSS信号的第一信号线30用32进行标示。
具体地,考虑到处于第一子区NA1、第二子区NA2以及第三子区NA3的第一信号线30靠近显示区AA的侧壁通常被位于显示区AA的一些膜层(例如图8中的第一平坦化层21)所覆盖,因此该应用场景中对于第一信号线30处于第一子区NA1、第二子区NA2以及第三子区NA3的部分,只在背离显示区AA的侧壁上设置第一保护层301。
继续参阅图7和图8,显示面板10还包括位于非显示区NA的封装层34,封装层34位于第一信号线30背离衬底110一侧,且封装层34在衬底110上的正投影与第一信号线30在衬底110上的正投影至少部分重叠设置。
具体地,封装层34具体可以包括玻璃胶层(Frit封装层),玻璃胶层通过激光进行固化后,用于将衬底110与盖板(图未示)进行连接,同时还可以避免外界水汽入侵显示面板10内部。
现有技术中对于位于封装层34下方的第一信号线30而言,当第一信号线30为钛-铝-钛的叠层结构时,由上述分析可知,在后续的刻蚀过程中,刻蚀液会对铝进行刻蚀,使铝层内缩,从而产生侧刻现象,而在形成像素定义层26、支撑柱27等结构过程中,形成像素定义层26、支撑柱27的材料会在内缩的铝层处聚集,而后续在形成封装层34的过程中,通常会产生高温环境,在这样的环境下,聚集在内缩的铝层处的材料会气化,而该气化的过程会带走铝,产生铝迁移现象,引起第一信号线30的功能不良。
而从上述可知内容可知,第一保护层301可以避免后续制程中刻蚀液刻蚀第一信号线30,因此本申请的方案也能够避免上述缺陷。
在本申请另一实施方式中,还保护一种显示面板,其包括上述的衬底110、焊盘120、第一透明走线130以及封装层34。
衬底110在显示面板10中起支撑作用,其可以是柔性衬底,也可以是刚性衬底,当衬底110是柔性衬底时,其材料可以是聚酰亚胺(PI),当衬底110是刚性衬底时,其材料可以是玻璃或者金属。本申请对衬底110的结构不做限制。
焊盘120设置在衬底110的一侧且位于非显示区NA,包括第一焊盘层121。具体地,焊盘120设置在非显示区NA,用于邦定驱动芯片或者线路板(例如柔性线路板),以实现信号的传输。
第一透明走线130设置在衬底110的一侧且至少部分位于透光区A1。具体地,第一透明走线130至少部分位于透光区A1,用于进行信号的传输,其中由于透光区A1需要允许光线穿过,因此第一透明走线130采用透明材料制备,例如,第一透明走线130的材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。其中,第一透明走线130可以是连续不间断的走线,也可以是包括多个电连接的走线段,当第一透明走线130包括多个电连接的走线段时,不同走线段的材料可以相同,也可以不同。
同时第一焊盘层121的材料与第一透明走线130的至少部分材料相同。具体地,当第一透明走线130是连续不间断的走线时,第一焊盘层121与整个第一透明走线130的材料相同,当第一透明走线130包括多个电连接且材料不同的走线段,第一焊盘层121与其中至少一个走线段的材料相同。
封装层34设置在衬底110的一侧且位于非显示区NA,封装层34包括玻璃胶层。
具体地,衬底110、焊盘120、第一透明走线130以及封装层34与上述实施方式中结构的对应相同,但是特别地,在本实施方式中,封装层34包括玻璃胶层,即封装层34的材料包括Frit胶。在制备过程中,由于封装层34包括玻璃胶层,其需要通过激光的方式进行固化,而在高温固化过程中,会带来例如第一平坦化层21、第二平坦化层22等结构气化,从而产生气泡,影响封装的稳定性。因此,设计使焊盘120裸露,进而在刻蚀的工艺制程中,存在第一焊盘层121中上层钛的表面容易出现Ag(银)析出问题,在本实施方式中,将第一焊盘层121的材料设置为与第一透明走线130的至少部分走线段材料相同,一方面在后续刻蚀阳极的过程中,由于没有铝提供电子,因此可以避免Ag析出的问题,保证显示面板10的生产良率,另一方面在制备时,可以在形成第一透明走线130的同时形成第一焊盘层121,无序对工艺流程进行改变,从而也能保证生产效率。
在本实施方式中,其他结构,例如发光层、像素驱动电路层、第一透明走线130的具体结构、焊盘120的具体结构、第一信号线30与上述实施方式中均对应相同,具体可参见上述相关内容,在此不在详述。
另外本申请还包括一种显示装置,该显示装置包括上述任一项实施方式中的显示面板,其具体结构可参见上述内容,在此不再赘述。
其中,显示装置可以是手机、电脑、电视机等任何一种设备,在此不做限制。
以上所述仅为本申请的实施例,并非因此限制本申请的专利范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (11)

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区以及非显示区,所述显示区包括透光区以及设置在所述透光区外围的主屏区,所述显示面板包括:
衬底;
焊盘,设置在所述衬底的一侧且位于所述非显示区,包括第一焊盘层;
第一透明走线,设置在所述衬底的一侧且至少部分位于所述透光区,其中,所述第一焊盘层的材料与所述第一透明走线的至少部分材料相同。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示区还包括位于所述透光区与所述主屏区之间的过渡区,所述显示面板还包括:
发光层,位于所述第一透明走线背离所述衬底的一侧,包括位于所述透光区的第一发光元件;
像素驱动电路层,位于所述衬底与所述第一透明走线之间,包括位于所述过渡区的第一像素驱动电路,其中,所述第一透明走线包括第一走线段,所述第一走线段由所述透光区延伸至所述过渡区且电连接所述第一发光元件与所述第一像素驱动电路;其中,所述第一焊盘层的材料与所述第一走线段的材料相同;
优选地,所述第一透明走线的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌和氧化锌中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一透明走线进一步包括第二走线段,所述第一走线段形成在第一走线层中,所述第二走线段形成在第二走线层中,所述第一走线层以及所述第二走线层在所述衬底的一侧依次层叠设置,且所述第二走线段电连接所述第一走线段与所述第一发光元件;
优选地,所述焊盘还包括第二焊盘层,位于所述第一焊盘层背离所述衬底的一侧且与所述第一焊盘层电连接,其中,所述第二焊盘层的材料与所述第二走线段的材料相同;
优选地,所述第一焊盘层与所述第二焊盘层朝向彼此的表面贴合设置;
优选地,所述第一走线段的材料与所述第二走线段的材料相同;
优选地,所述第一焊盘层与所述第二焊盘层的厚度相同;
优选地,所述第二走线段同时与位于所述透光区的多个所述第一发光元件电连接;
优选地,所述发光层进一步包括位于所述过渡区的第二发光元件,所述像素驱动电路层进一步包括位于所述过渡区的第二像素驱动电路,其中,所述第二像素驱动电路与所述第二发光元件电连接;
优选地,所述显示面板进一步包括第二透明走线,所述第二透明走线电连接所述第二像素驱动电路以及所述第二发光元件,且所述第二透明走线同时与位于所述过渡区的多个所述第二发光元件电连接;
优选地,所述第二透明走线与所述第二走线段同层设置且材料相同;
优选地,所述第一透明走线还包括第三走线段,形成在所述第一走线层中,电连接所述第一走线段以及所述第二走线段,且所述第一走线段、所述第三走线段通过形成在所述像素驱动电路层中的第一桥接件电连接;
优选地,所述第三走线段的材料与所述第一走线段的材料相同。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述像素驱动电路层还包括位于所述主屏区的第三像素驱动电路,所述发光层还包括位于所述主屏区的第三发光元件,所述显示面板还包括与所述第一走线段同层设置且材料相同的第三透明走线,所述第三透明走线电连接所述第三像素驱动电路以及所述第三发光元件。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一像素驱动电路包括第一薄膜晶体管,所述显示面板还包括第四透明走线,所述第四透明走线与所述第一走线段同层设置且材料相同,所述第四透明走线在所述衬底上的正投影、所述第一薄膜晶体管的栅极在所述衬底上的正投影至少部分重叠设置;
优选地,所述第四透明走线在所述衬底上的正投影覆盖所述第一薄膜晶体管的栅极在所述衬底上的正投影。
6.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述焊盘还包括第三焊盘层,位于所述第一焊盘层与所述衬底之间且与所述第一焊盘层电连接,其中,所述第三焊盘层与所述像素驱动电路层中的目标导电件材料相同;
优选地,所述第一像素驱动电路还包括第一电容,所述第一电容包括在所述衬底上依次层叠设置且绝缘的第一电极板、第二电极板,其中,所述第二电极板复用为所述目标导电件;
优选地,所述像素驱动电路层还包括层间绝缘层,所述层间绝缘层自所述显示区延伸至所述第一焊盘层与所述第三焊盘层之间,且所述第一焊盘层通过所述层间绝缘层上设有的过孔与所述第三焊盘层电连接;
优选地,所述第三焊盘层的材料包括钼。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第一信号线,设置在所述衬底的一侧且位于所述非显示区,其中,所述第一信号线的侧壁上设置有第一保护层,其中,所述第一保护层的材料与所述第一透明走线的至少部分的材料相同;
优选地,所述第一透明走线包括第一走线段以及第二走线段,所述第一走线段形成在第一走线层中,所述第二走线段形成在第二走线层中,所述第一走线层以及所述第二走线层在所述衬底的一侧依次层叠设置,所述第一保护层的材料与所述第一走线段/所述第二走线段的材料相同;
优选地,所述第一保护层自所述第一信号线的侧壁上延伸至所述第一信号线背离所述衬底的第一表面上;
优选地,设置在所述第一信号线上的所述第一保护层的宽度范围为2.0微米~5.0微米;
优选地,所述第一信号线包括在所述衬底上依次设置的第一导电层、第二导电层以及第三导电层;
优选地,所述第一导电层、所述第三导电层的材料包括钛,所述第二导电层的材料包括铝。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述非显示区包括第一子区、第二子区、第三子区以及第四子区,所述第一子区、所述第二子区位于所述显示区的两侧,所述第三子区以及所述第四子区位于所述显示区的两侧,且所述第三子区、所述第四子区均连接所述第一子区以及第二子区,其中,所述焊盘位于所述第四子区;
其中,所述第一信号线分布在所述第四子区,且处于所述第四子区中的所述第一信号线的两侧壁均设置有所述第一保护层。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第一信号线进一步延伸至所述第一子区、所述第二子区以及所述第三子区,且处于所述第一子区、所述第二子区以及所述第三子区的所述第一信号线背离所述显示区的侧壁设置有所述第一保护层;
优选地,所述显示面板还包括位于所述非显示区的封装层,所述封装层位于所述第一信号线背离所述衬底一侧,且所述封装层在所述衬底上的正投影与所述第一信号线在所述衬底上的正投影至少部分重叠设置。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区以及非显示区,所述显示区包括透光区以及设置在所述透光区外围的主屏区,所述显示面板包括:
衬底;
焊盘,设置在所述衬底的一侧且位于所述非显示区,包括第一焊盘层;
第一透明走线,设置在所述衬底的一侧且至少部分位于所述透光区,其中,所述第一焊盘层的材料与所述第一透明走线的至少部分材料相同;
封装层,设置在所述衬底的一侧且位于所述非显示区,所述封装层包括玻璃胶层。
11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至10任一项所述的显示面板。
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