CN118201422A - 显示设备 - Google Patents

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宋昌昱
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Abstract

根据本公开的示例性实施例的一种显示设备包括：基板，其被划分为多个子像素，每个包括发射区域；第一平坦化层，其设置在基板上方且具有在一个子像素中的限定了发射区域的凹入部分；阳极，其设置在第一平坦化层上且阳极的一部分设置在凹入部分中；发光单元，其以与发射区域对应的方式设置在阳极上；堤部，其设置在阳极和第一平坦化层上方以限定发射区域；阴极，其设置在发光单元和第一平坦化层上；封装单元，其设置在阴极上方；透镜，其以与发射区域对应的方式设置在封装单元上方；第二平坦化层，其设置在透镜上方；和第一光屏蔽层，其设置在第二平坦化层上。这样，改善了光提取效率和亮度视角，并可抑制由于UV线对发光二极管造成的损害。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年12月13日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2022-0173704的优先权，该申请的公开内容通过引用被纳入本文。
技术领域
本公开涉及一种显示设备，更具体地说，涉及一种改善了光提取效率的显示设备。
背景技术
目前，随着进入了全面信息化时代，视觉上表达电子信息信号的显示设备的领域得到了迅速发展，并且人们不断研究以改善各种显示设备的性能，如厚度薄、重量轻、功耗低等。
在各种显示设备中，电致发光的显示设备是自发光显示设备，使得单独的光源不必要，这与液晶显示设备不同。因此，发光显示设备可制造得重量轻、厚度小。此外，由于电致发光显示设备以低电压驱动，使其不仅在功耗方面具有优势，而且在色彩实现、响应速度、视角、对比度(CR)方面也具有优势。因此，它有望在各个领域得到应用。
与此同时，从电致发光显示设备的发射层发射的光会穿过电致发光显示设备的各个部件，以被释放到电致发光显示设备的外部。然而，从发射层发射的光的一部分被捕获在电致发光显示设备中而没有被释放到电致发光显示设备的外部，使得电致发光显示设备的光提取效率成为一个问题。
发明内容
本公开要实现的一个目的是提供一种使用侧面镜(side-mirror)形状的阳极和球面凸透镜来改善发光效率和亮度视角的显示设备。
本公开要实现的另一个目的是提供一种抑制由外部紫外(UV)线对发光二极管造成的损害的显示设备。
本公开的目的并不局限于上述目的，本领域技术人员可通过以下描述清楚地了解上述未提及的其他目的。
为了实现上述目的，根据本公开的一个方面，一种显示设备可包括：基板，其被划分为多个子像素，每个子像素包括发射区域；第一平坦化层，其设置在基板上方并且具有在一个子像素中的凹入部分，在凹入部分中限定了发射区域；阳极，其设置在第一平坦化层上并且阳极的一部分设置在凹入部分中；发光单元，其以与发射区域相对应的方式设置在阳极上；堤部，其设置在阳极和第一平坦化层上方以限定发射区域；阴极，其设置在发光单元和第一平坦化层上；封装单元，其设置在阴极上方；透镜，其以与发射区域相对应的方式设置在封装单元上方；第二平坦化层，其设置在透镜上方；以及第一光屏蔽层，其设置在第二平坦化层上。
根据本公开的另一方面，一种显示设备可包括：基板，其包括有效区域和非有效区域，有效区域具有多个子像素；薄膜晶体管，其设置在基板的有效区域中；发光二极管，其设置在基板的有效区域中以与薄膜晶体管电连接并具有在一个子像素中的至少一个发射区域；以及透镜，其设置在发光二极管上方以便与至少一个发射区域重叠，并且透镜由覆盖至少一个发射区域的中心区域和包围中心区域的外围区域构成，并且该显示设备具有被设置成与外围区域重叠的紫外(UV)屏蔽层。
示例性实施例的其他详细事项包括在具体实施方式和附图中。
根据本公开，使用侧面镜形状的阳极和球面凸透镜来改善显示设备的发光效率和亮度视角。
根据本公开，在封装单元的上部和侧面镜形状的阳极的上部和侧表面添加UV屏蔽层，以抑制由于UV线对发光二极管造成的的损害。
根据本公开的效果并不限于上述举例的内容，本说明书还包括更多不同的效果。
附图说明
从以下结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本公开的上述及其他方面、特征和其他优点，在附图中：
图1是示意性地示出了根据本公开的示例性实施例的显示设备的配置的视图；
图2是示意性地示出了图1的显示面板的视图；
图3是示出了根据本公开的示例性实施例的其中触摸面板嵌置在显示面板中的结构的透视图；
图4是沿图2的线I-I'截取的剖视图；
图5是示出了根据本公开的另一个示例性实施例的显示面板的横截面的一部分的视图；
图6A和图6B是示出了在UV线照射后的像素收缩现象的视图；
图7A至图7C是示出了根据UV线照射变化的效率差异的图；
图8是示出了发光二极管的层叠结构的视图；
图9是示出了根据本公开的另一个示例性实施例的显示面板的横截面的一部分的视图；
图10是示意性地示出了根据本公开的又一个示例性实施例的显示面板的视图；
图11是放大图10中的A部分的视图；
图12是沿图10的线II-II'截取的剖视图；
图13A至图13C是用于解释根据本公开的示例性实施例的显示设备的平面特征的视图；以及
图14是通过放大图3的一部分来示出平面特征的视图。
具体实施方式
通过参照下文详细描述的示例性实施例和附图，本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得清晰。然而，本公开并不限于本文所公开的示例性实施例，而是将以各种形式实现。示例性实施例仅以举例的方式提供，使得本领域技术人员能够充分理解本公开的公开内容和本公开的范围。
附图中用于描述本公开的示例性实施例的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅是示例，而本公开并不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，可省略对已知相关技术的详细解释，以避免不必要地使本公开的主题费解。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由......组成”的术语，通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则任何提到单数的地方也可包括复数。
即使没有明确说明，组份也被解释为包括普通误差范围。
当使用诸如“在…上”、“在…上方”、“在…下方”和“邻近”的术语描述两个部件之间的位置关系时，一个或多个部件可定位于这两个部件之间，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。
当一个元件或层被设置在另一个元件或层的“上”时，另一层或另一个元件可直接插置在其他元件上或其间。
虽然术语“第一”、“第二”等被用于描述各种部件，但这些部件并不受限于这些术语。这些术语只是被用来区分一个部件和其他部件。因此，在本公开的技术构思中，下文提及的第一部件可以是第二部件。
在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。
图中所示的各部件的尺寸和厚度是为了描述的方便而示出的，本公开并不限于所示的部件的尺寸和厚度。
本公开的各实施例的特征可部分或全部地相互依附或组合，并可以以技术上的各种方式相互锁定和运行，并且实施例可独立地或相互关联地实施。
下面，将参照附图描述本公开的各种详细的示例性实施例。
图1是示意性地示出了根据本公开的示例性实施例的显示设备的配置的视图。
例如，图1示出了根据本公开的示例性实施例的其中嵌置有触摸面板TSP的显示设备的示意性配置。然而，本公开并不限于此，并且根据本公开的示例性实施例的显示设备也可不包括触摸面板。
参照图1，根据本公开的示例性实施例的显示设备可提供显示图像的功能和感测触摸的功能两者。
为了提供图像显示功能，根据本公开的示例性实施例的显示设备可包括显示面板DISP、栅极驱动电路GDC、数据驱动电路DDC和时序控制器TC。
例如，在显示面板DISP中，设置有多条数据线和多条栅极线，并且可设置由多条数据线和多条栅极线限定的多个子像素。
数据驱动电路DDC驱动多条数据线，栅极驱动电路GDC驱动多条栅极线，且时序控制器TC可控制数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC的运行。
数据驱动电路DDC、栅极驱动电路GDC和时序控制器TC中的每一个也可由一个或多个单独的部件实现。在一些情况下，数据驱动电路DDC、栅极驱动电路GDC和时序控制器TC中的两个或更多个可被实现为被组合成一个部件。例如，数据驱动电路DDC和时序控制器TC也可作为一个集成芯片(IC芯片)来实现。
为了提供触摸感测功能，根据本公开的一个示例性实施例的显示设备可包括触摸面板TSP和触摸感测电路TSC。触摸面板TSP包括多个触摸电极。触摸感测电路TSC向触摸面板TSP供应触摸驱动信号，并检测来自触摸面板TSP的触摸感测信号，以基于检测到的触摸感测信号来感测触摸面板TSP中用户触摸的存在或触摸位置(触摸坐标)。
例如，触摸感测电路TSC可包括触摸驱动电路TDC和触摸控制器TCTR。触摸驱动电路TDC向触摸面板TSP供应触摸驱动信号，并检测来自触摸面板TSP的触摸感测信号。触摸控制器TCTR基于触摸驱动电路TDC检测到的触摸感测信号，感测触摸面板TSP中用户触摸的存在和/或触摸位置。触摸驱动电路TDC可包括向触摸面板TSP供应触摸驱动信号的第一电路部分和检测来自触摸面板TSP的触摸感测信号的第二电路部分。
例如，触摸驱动电路TDC和触摸控制器TCTR可由单独的部件实现，或者在一些情况下，还可被实现为被组合成一个部件。
例如，数据驱动电路DDC、栅极驱动电路GDC和触摸驱动电路TDC中的每一个可由一个或多个集成电路实现。从与显示面板DISP电连接的角度来看，这些电路可被实现为玻璃上芯片(COG)型、膜上芯片(COF)型或带载封装(TCP)型。此外，栅极驱动电路GDC也可作为面板内栅极(GIP)型来实现。
例如，用于显示驱动的电路配置(DDC、GDC和TC)和用于触摸感测的电路配置(TDC和TCTR)中的每一个可由一个或多个单独的部件实现。在一些情况下，用于显示驱动的电路配置(DDC、GDC和TC)中的一个或多个以及用于触摸感测的电路配置(TDC和TCTR)中的一个或多个也可在功能上集成以由一个或多个部件来实现。
例如，数据驱动电路DDC和触摸驱动电路TDC可被实现为被集成在一个或两个或更多个集成电路芯片中。当数据驱动电路DDC和触摸驱动电路TDC被实现为被集成在两个或更多个集成电路芯片中时，两个或更多个集成电路芯片中的每一个可具有数据驱动功能和触摸驱动功能。
同时，根据本公开的示例性实施例的显示设备可以是诸如发光显示装置或液晶显示装置等的各种类型。下文中，为便于描述，将以发光显示设备作为显示设备的示例进行描述。也就是说，尽管显示面板DISP可以是诸如发光显示面板或液晶显示面板等的各种类型，但在以下描述中，为便于描述，将以发光显示面板作为显示面板DISP的示例进行描述。
此外，如将在下文所述，触摸面板TSP可包括被施加触摸驱动信号或可从中检测触摸感测信号的多个触摸电极，以及将多个触摸电极连接至触摸驱动电路TDC的多个触摸布线。
触摸面板TSP还可设置在显示面板DISP的外部。也就是说，触摸面板TSP和显示面板DISP可单独制造以便被组合在一起。这样的触摸面板TSP被称为外置型或附加型。
相反，触摸面板TSP还可嵌置在显示面板DISP中。也就是说，在制造显示面板DISP时，可将构成触摸面板TSP的诸如多个触摸电极和多条触摸布线等的触摸传感器结构与用于显示驱动的多个电极和信号线一起形成。
此外，触摸面板TSP还可直接形成在显示面板DISP的封装单元上方。也就是说，触摸绝缘膜和触摸电极被图案化在封装单元的上方，且触摸面板与被形成为用于显示驱动的电极以便被驱动的信号线相连接。下面，为了描述方便，将描述在封装元件上方直接形成触摸面板TSP的示例。
图2是示意性地示出了图1的显示面板的视图。
参照图2，显示面板DISP可包括其中显示图像的有效区域AA和作为有效区域AA的外边界线BL的外部区域的非有效区域NA。
在显示面板DISP的有效区域AA中，设置有用于显示图像的多个子像素SP，并设置有用于驱动显示面板的各种电极或信号线。
此外，在显示面板DISP的有效区域AA中，可设置用于触摸感测的多个触摸电极和与之电连接的多条触摸布线。因此，有效区域AA也可被称为能够感测触摸的触摸感测区域。
在显示面板DISP的非有效区域NA中，可设置从设置在有效区域AA中的各种信号线延伸的连接线或与设置在有效区域AA中的各种信号线电连接的连接线，以及与连接线电连接的焊盘。设置在非有效区域NA中的焊盘可与显示驱动电路接合或电连接。
此外，在显示面板DISP的非有效区域NA中，可设置从设置在有效区域AA中的多条触摸布线延伸的连接线或与设置在有效区域AA中的多条触摸布线电连接的连接线，以及与连接线电连接的焊盘。设置在非有效区域NA中的焊盘可与触摸驱动电路接合或电连接。
在非有效区域NA中，在设置在有效区域AA中的多个触摸电极中，最外部触摸电极的一部分扩展，或还可进一步设置由与设置在有效区域AA中的多个触摸电极相同的材料形成的一个或多个电极(触摸电极)。
也就是说，设置在显示面板DISP中的所有的多个触摸电极可设置在有效区域AA中，或者设置在显示面板DISP中的多个触摸电极中的一些(例如，最外部触摸电极)可设置在非有效区域NA中。设置在显示面板DISP中的多个触摸电极中的一些(例如，最外部触摸电极)也可设置在有效区域AA和非有效区域NA两者中。
同时，参照图2，根据本公开的示例性实施例的显示面板DISP可包括坝部区域DA，其具有用于抑制有效区域AA中的任何层(例如，显示面板中的封装单元)越过(pass over)显示面板DISP的坝部。
坝部区域DA可位于有效区域AA和非有效区域NA的边界处，或位于作为有效区域AA的外部区域的非有效区域NA的任何一个位置处。
设置在坝部区域DA中的坝部可被设置成包围有效区域AA的所有方向，或者仅设置在有效区域AA的一个或两个或更多个部分的外部。
设置在坝部区域DA中的坝部还可具有其中所有坝部相连的一个图案，或者两个或更多个分开的图案。此外，在坝部区域DA中，可以只设置主坝部，或者也可设置两个或更多个坝部(主坝部和副坝部)，或者也可设置三个或更多个坝部。
例如，在坝部区域DA中，在任意一个方向上只设置了主坝部，而在另一个方向上也可设置主坝部和副坝部两者。
图3是示出了根据本公开的示例性实施例的其中触摸面板嵌置在显示面板中的结构的透视图。
参照图3，例如，在显示面板的有效区域AA中，多个子像素SP可设置在基板111的上方。
每个子像素SP可包括发光二极管120、用于驱动发光二极管120的第一晶体管T1、用于向第一晶体管T1的第一节点N1传输数据电压VDATA的第二晶体管T2，以及用于保持持续一帧的恒定电压的存储电容器Cst。
例如，第一晶体管T1可包括数据电压VDATA被施加于其上的第一节点N1、与发光二极管120电连接的第二节点N2和从驱动电压线DVL向其施加驱动电压VDD的第三节点N3。第一节点N1是栅极节点，第二节点N2是源极节点或漏极节点，而第三节点N3可以是漏极节点或源极节点。第一晶体管T1可被称为驱动发光二极管120的驱动晶体管。
发光二极管120可包括第一电极(例如，阳极)、发射层和第二电极(例如，阴极)。第一电极与第一晶体管T1的第二节点N2电连接，而第二电极可被施加基电压(base voltage)VSS。
发光二极管120中的发射层可以是包括有机材料或无机材料的发光层。
例如，第二晶体管T2由通过栅极线GL施加的扫描信号SCAN控制以便被导通或截止，并且可以电连接在第一晶体管T1的第一节点N1和数据线DL之间。此外，第二晶体管T2可被称为开关晶体管。
例如，当第二晶体管T2由扫描信号SCAN导通时，第二晶体管T2可将从数据线DL供应的数据电压VDATA传输到第一晶体管T1的第一节点N1。
存储电容器Cst可电连接在第一晶体管T1的第一节点N1和第二节点N2之间。
如图3所示，每个子像素SP可具有2T1C结构，该结构包括两个晶体管(T1和T2)和一个电容器(Cst)，并且在一些情况下，可进一步包括一个或多个晶体管或进一步包括一个或多个电容器。
存储电容器Cst不是作为存在于第一晶体管T1的第一节点N1和第二节点N2之间的内部电容器的寄生电容器(Cgs：栅极和源极之间的电容，或Cgd：栅极和漏极之间的电容)，但可以是在第一晶体管T1的外部有意设计的外部电容器。
第一晶体管T1和第二晶体管T2可以由n型晶体管或p型晶体管构成。如上所述，在显示面板中，设置了诸如发光二极管120、两个或更多个晶体管(T1和T2)以及一个或多个电容器(Cst)等的电路元件。电路元件(具体而言，发光二极管120)容易受到外部水分或氧气的影响，因此可在显示面板上设置用于抑制外部水分或氧气渗入电路元件的封装单元140。
封装单元140可以由一层形成，或者也可以由多层形成。
同时，在根据本公开的示例性实施例的显示设备中，触摸面板TSP可设置在封装单元140的上方。
在根据本公开的示例性实施例的显示设备中，诸如形成触摸面板TSP的多个触摸电极TE的触摸传感器结构，可设置在封装单元140的上方。
在触摸感测期间，可向触摸电极TE施加触摸驱动信号，并从触摸电极TE检测触摸感测信号。因此，在触摸感测期间，在其间设置有封装单元140的触摸电极TE和发光二极管120的阴极之间形成电位差，因此可形成不必要的寄生电容。此时，寄生电容会降低触摸灵敏度。因此，为了降低寄生电容，考虑到显示面板厚度、显示面板的制造工艺和显示性能，可将触摸电极TE与阴极之间的距离设计为大于预先确定的值(例如，1μm)。为此，例如，封装单元140的厚度可被设计为至少1μm或更大。
同时，根据本公开的示例性实施例的显示设备可基于在触摸电极TE中形成的电容来感测触摸。
根据本公开的示例性实施例的显示设备采用基于电容的触摸感测方式，使得也可通过基于互电容的触摸感测方式或基于自电容的触摸感测方式来感测触摸。
例如，根据基于互电容的触摸感测方式，多个触摸电极TE可被分类为触摸驱动信号被施加于其上的驱动触摸电极(传输触摸电极)和检测触摸感测信号并与驱动触摸电极形成电容的感测触摸电极(接收触摸电极)。
在基于互电容的触摸感测方式的情况下，触摸感测电路可取决于诸如手指或触摸笔等指针的存在，基于驱动触摸电极和感测触摸电极之间的电容(互电容)的改变来感测触摸的存在和/或触摸坐标。
根据基于自电容的触摸感测方式，每个触摸电极TE可用作驱动触摸电极和感测触摸电极两者。也就是说，触摸感测电路将触摸驱动信号施加到一个或多个触摸电极TE上，并借助施加有触摸驱动信号的触摸电极TE来检测触摸感测信号。触摸感测电路TSC基于检测到的触摸感测信号识别诸如手指或触摸笔等的指针与触摸电极TE之间的电容的改变，以感测触摸的存在和/或触摸坐标。在基于自电容的触摸感测方式中，不区分驱动触摸电极和感测触摸电极。
如上所述，根据本公开的示例性实施例的显示设备也可通过基于互电容的触摸感测方式或基于自电容的触摸感测方式来感测触摸。但是，在以下描述中，为了描述方便，将以显示设备执行基于互电容的触摸感测并包括用于这种触摸感测的触摸传感器结构为例进行描述。
以下将参照附图详细描述子像素的构造。
图4是沿图2的线I-I'截取的剖视图。
例如，图4示出了根据本公开的示例性实施例的显示面板的一个子像素的横截面结构的一部分。
参照图4，诸如多层缓冲层或下缓冲层的缓冲层112可设置在基板111的上方。
最近，柔性基板111可使用具有柔性特性的韧性材料，例如塑料。
基板111可以是包括由聚酯基聚合物、硅基聚合物、丙烯酸聚合物、聚烯烃基聚合物及其共聚物组成的组中的一种的薄膜类型。
基板111可包括第一基板、第二基板和绝缘膜。绝缘膜可设置在第一基板和第二基板之间。如上所述，基板111由第一基板、第二基板和绝缘膜构成，以抑制水分渗透。例如，第一基板和第二基板可以是聚酰亚胺(PI)基板。
例如，多层缓冲层可延迟渗透基板111的水分或氧气的扩散，并且可通过至少一次交替地层叠氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)来形成。
下缓冲层可以起到保护驱动薄膜晶体管130的半导体层134和阻挡从基板111进入的各类缺陷的作用。
例如，下缓冲层可由非晶硅、氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。
开关薄膜晶体管(图3的像素驱动电路中的T2)和驱动薄膜晶体管130(图3的像素驱动电路中的T1)可设置在缓冲层112的上方。
具体而言，半导体层134可设置有效区域中且在基板111上方。
例如，半导体层134可由多晶半导体形成，并包括沟道区、源极区和漏极区。然而，并不限于此，并且半导体层134也可由非晶半导体或氧化物半导体构成。
与非晶半导体和氧化物半导体相比，多晶半导体具有更高的迁移率，因此功耗低且可靠性好。
栅极绝缘膜113可设置在半导体层134上。
栅极绝缘膜113可由单层的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)或多层的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)构成。
在栅极绝缘膜113上沿第一方向设置栅极线，并可设置与栅极线连接或形成为岛状的栅电极131。
栅电极131可设置在栅极绝缘膜113上，以便与半导体层134重叠。
例如，栅电极131和栅极线可由单层或多层的作为导电金属的铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)和钕(Nd)或其合金构成，但不限于此。
层间绝缘膜114可设置在栅电极131上，以便覆盖栅电极131。
例如，层间绝缘膜114可由单层的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)或多层的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)构成。
此时，选择性地去除层间绝缘膜114和栅极绝缘膜113的部分区域，以形成露出半导体层134的两端的接触孔。
数据线可沿与栅极线相交的方向设置在层间绝缘膜114上。
此外，与半导体层134的两端相连的源电极132和漏电极133可设置在层间绝缘膜114上。
可在数据线、源电极132和漏电极133上设置保护膜。可根据需要省略保护膜。
保护膜可被形成为单层的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)或多层的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
保护膜上可设置下平坦化层115。
下平坦化层115可利用丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、苯并环丁烯和聚苯硫醚树脂中的一种或多种材料来构成，但不限于此。
下平坦化层115也可被称为覆盖层，但不限于此。
连接电极135可设置在下平坦化层115上，以电连接驱动薄膜晶体管130和发光二极管120。此外，尽管在图4中未示出，但下平坦化层115上还可设置用作诸如数据线或信号线的电线/电极的各种金属层。
可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)和钕(Nd)或其合金等的材料来构成连接电极135。
此外，第一平坦化层116可设置在下平坦化层115和连接电极135上。
可利用丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、苯并环丁烯和聚苯硫醚树脂中的一种或多种材料来构成第一平坦化层116，但不限于此。
第一平坦化层116也可被称为覆盖层，但不限于此。
第一平坦化层116可包括位于一个子像素中的凹入部分116a。
此外，第一平坦化层116可包括包围凹入部分116a并位于凹入部分116a的附近的外围部分116b。
例如，凹入部分116a可由平面部分116a_1和包围平面部分116a_1的倾斜部分116a_2构成。
凹入部分116a的平面部分116a_1的表面可基本平行于基板111的表面。倾斜部分116a_2包围平面部分116a_1，并且倾斜部分116a_2的表面可相对于基板111的表面具有预先确定的角度。
因此，倾斜部分116a_2的表面可以不平行于基板111的表面。
第一平坦化层116可具有与凹入部分116a间隔开的接触孔，以露出连接电极135。
通过接触孔与连接电极135电连接的发光二极管120可设置在第一平坦化层116的上方。
例如，此时发光二极管120可包括与驱动薄膜晶体管130的漏电极133连接的阳极122、设置在阳极122上的至少一个发射堆叠体124以及设置在发射堆叠体124上的阴极126。发射堆叠体124可被称为发光单元，但不受此术语限制。
此外，例如，阳极122可包括：第一区域122a，其表面与基板111的表面基本平行，以及第二区域112b，其从第一区域122a延伸使得第二区域112b的表面相对于基板111具有预先确定的角度。
因此，第二区域122b的表面可以不平行于基板111的表面。
此外，例如，阳极122可包括第三区域122c，其从第二区域122b延伸使得第三区域112c的表面基本上平行于基板111的表面。第三区域122c可以是与第一平坦化层116的外围部分116b重叠的区域。
如上所述，在至少一个子像素中，第一平坦化层116可包括与凹入部分116a间隔开的至少一个接触孔，而薄膜晶体管130和发光二极管120的阳极122可通过该接触孔电连接。
阳极122可与驱动薄膜晶体管130的源电极132或漏电极133电连接。
可在第一平坦化层116和阳极122的一部分上方设置堤部117。
例如，堤部117可包括第一部分和第二部分。第一部分设置在阳极122上且在与设置在第一平坦化层116中的凹入部分116a的一部分相对应的区域内，而第二部分设置在阳极122和第一平坦化层116的上方且在与第一平坦化层116的外围部分116b相对应的区域内。
例如，堤部117可被设置成在与凹入部分116a重叠的区域中露出阳极122的顶表面的一部分。例如，至少一个子像素可具有其中阳极122不与堤部117重叠的区域。
例如，可利用有机材料(如光丙烯酸)或半透明材料(但不限于此)来构成堤部117，也可利用不透明材料来构成堤部117，以抑制子像素之间的光学干扰。
发光二极管120的包括至少一个发射层的发射堆叠体124可设置在阳极122的不与堤部117重叠的一部分上。
发射堆叠体124可包括空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层。在其中叠加了多个发射层的串联结构(tandem structure)中，可在多个发射层之间进一步设置电荷产生层。发射层可在每个子像素中发射不同颜色的光。例如，可在每个子像素中分别设置红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层。然而，在每个子像素中形成共同的发射层，以发射白光而不考虑颜色，并且也可单独设置区分颜色的滤色片。发射层可单独设置，但空穴注入层、电子注入层、空穴传输层或电子传输层被设置为共用层，以便以相同的方式设置在每个子像素中。
也可通过将空穴传输层、发射层和电子传输层按此顺序或相反顺序层叠在阳极122上来构成发射堆叠体124。此外，发射堆叠体124还可包括彼此相对的第一发射堆叠体和第二发射堆叠体，且电荷产生层位于其间。
发射堆叠体124的一些有机层可通过具有平直度(straightness)的沉积或涂覆方法形成。例如，有机层可通过诸如蒸发过程的物理气相沉积(PVD)形成。在这种情况下，沉积在相对于水平面具有预先确定的角度的区域中的有机层的厚度可小于沉积在平行于水平面的区域中的有机层的厚度。例如，设置在与凹入部分116a的倾斜部分116a_2相对应的区域中的有机层的厚度可小于设置在由堤部117露出的阳极122的顶表面上的有机层的厚度。此外，即使没有示出，例如，设置在与凹入部分116a的倾斜部分116a_2相对应的区域中的有机层的厚度可小于设置在外围部分116b上的有机层的厚度。
因此，当驱动在不同区域内具有不同厚度的有机层的发光二极管时，在其中有机层的厚度相对较薄的区域中(例如，在与凹入部分116a的倾斜部分116a_2相对应的区域中)，如果设置在与倾斜部分116a_2相对应的区域中的阳极的第二区域未被堤部覆盖，则施加较高的电流密度。此外，在与凹入部分116a的倾斜部分116a_2相对应的区域中，施加强电场。因此，在与凹入部分116a的倾斜部分116a_2相对应的区域中的发光二极管120的发射特性与在与凹入部分116a的平面部分116a_1相对应的区域中的发光二极管120的发射特性可不同。通过这样做，发光单元会劣化。但是，根据本公开的有机层的厚度条件不限于此，而且有机层的厚度可在每个位置具有相应的厚度。
在本公开的示例性实施例中，堤部117被设置成覆盖凹入部分116a的倾斜部分116a_2。通过这样做，可抑制在与凹入部分116a的倾斜部116a_2相对应的区域中的发光单元的劣化以及在每个区域中的发射特性变化的现象。
同时，阳极122可包括反射金属。
即使在图4中，为了描述的方便，示出了阳极122被构造为单层的示例，但本公开不限于此，并且阳极可被构造为具有多层结构。当阳极122被构造为具有多层结构时，至少一层可包括反射金属。
例如，阳极122可被构造为具有多层结构，该多层结构包括由透明导电膜构成的透明层和由具有良好反射效率的不透明导电膜构成的反射层。例如，透明导电膜被构造为具有相对较高功函数的材料(例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO))，而不透明导电膜可被构造为包括铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、铅(Pb)、钼(Mo)、钛(Ti)或其合金的单层结构或多层结构。例如，阳极122由其中透明导电膜、不透明导电膜和透明导电膜依次层叠的结构构成，或者还可以由其中透明导电膜和不透明导电膜依次层叠的结构构成。
同时，阳极122的第二区域122b和第三区域122c可沿倾斜部分116a_2和外围部分116b的形状分别设置在第一平坦化层116的倾斜部分116a_2的侧表面和外围部分116b的顶表面上。设置在第一平坦化层116的倾斜部分116a_2的侧表面上的阳极122的第二区域122b可以以大约30°至60°的角度渐缩，但不限于此。包括反射层的阳极122的第二区域122b可用作侧面镜。
当根据本公开的示例性实施例的显示设备是顶部发射型发光显示设备时，阳极122的反射层可向上反射从发光二极管120发射的光。在发光二极管120的发射堆叠体124中产生的光不仅可以向上发射，还可以侧向发射。侧向发射的光被引导到显示设备中，或可通过全反射被捕获在显示设备中，或可传播进入显示设备中然后耗散。因此，根据本公开，包括反射层的阳极122的第二区域122b被设置成覆盖第一平坦化层116的倾斜部分116a_2的侧表面，以将侧向传播的光的传播方向改变为向上方向。因此，可改善显示设备的光提取效率。
阴极126可设置在发射堆叠体124上，以便与阳极122相对，而其间是发射堆叠体124。当阴极126应用于顶部发射型发光显示面板时，阴极可由通过使铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或镁银(Mg-Ag)形成为较薄而获得的透明导电膜构成。
封装单元140可设置在阴极126的上方，以保护发光二极管120。由于发射堆叠体124的有机材料的特性，发光二极管120可与外部水分和氧气产生反应，导致暗斑或像素收缩。为了抑制这个问题，封装单元140可设置在阴极126的上方。尽管没有详细例示说明，但封装单元140可以由第一无机绝缘膜、异物补偿层和第二无机绝缘膜构成。
第一无机绝缘膜可设置在基板111的上方，其中阴极126被设置为最邻近发光二极管120。第一无机封装膜可由允许在其上进行低温沉积的无机绝缘材料(例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)或氧化铝(Al2O3))形成。第一无机绝缘膜在低温环境下沉积，使得对包括易受沉积期间的高温氛围影响的有机材料的发射堆叠体124的损害可得到抑制。
异物补偿层可被设置成具有比第一无机绝缘膜更小的面积，并被构造成露出第一无机绝缘膜的两端。异物补偿层可由有机绝缘材料(例如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯或硅氧碳(SiOC))形成。
同时，当异物补偿层通过喷墨方法形成时，可在非有效区域和有效区域的边界区域中设置一个或多个坝部，或可设置与非有效区域中的部分区域相对应的坝部区域。在这样的坝部区域中，可设置与有效区域相邻的主坝部和与焊盘单元相邻的副坝部。
当液体类型的异物补偿层落在有效区域内时，设置在坝部区域中的一个或多个坝部抑制液体类型的异物补偿层沿着朝向非有效区域的方向坍塌而侵入焊盘单元。
主坝部和/或副坝部可被构造为单层结构或多层结构。例如，主坝部和/或副坝部可利用具有与堤部117和间隔物中的至少一个相同的材料同时构成。在这种情况下，可在没有掩模添加工序和增加成本的情况下构成坝部结构。
此外，包括有机材料的异物补偿层可仅位于主坝部的内表面上。
此外，第二无机绝缘膜可被设置成覆盖第一无机绝缘膜和异物补偿层中的每一个的上表面和侧表面。第二无机绝缘膜可用于最小化或阻止外部水分或氧气渗透到第一无机绝缘膜和异物补偿层中。第二无机封装层可由无机绝缘材料(例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧氮化硅(SiON)或氧化铝(Al2O3))形成。
可在封装单元140上设置触摸缓冲膜151。
可在触摸缓冲膜151上设置桥接图案155。然而，并不限于此，且触摸缓冲膜151上还可设置触摸电极(或触摸线)。
触摸缓冲膜151可位于桥接图案155和封装单元140之间。
例如，触摸缓冲膜151可被设计成在桥接图案155和阴极126之间保持预先确定的最小间隔。通过这样做，可在桥接图案155和阴极126之间形成的寄生电容可被减小或被抑制，使得由于寄生电容导致的触摸灵敏度降低也可被抑制。
在没有触摸缓冲膜151的情况下，桥接图案155可设置在封装单元140的上方。
桥接图案155可具有由具有较强耐腐蚀性和耐酸性的金属(如铝(Al)、钛(Ti)、铜(Cu)或钼(Mo))形成的单层结构或多层结构。
可在桥接图案155上设置触摸绝缘膜152。
例如，触摸绝缘膜152可使用可通过低温工艺形成的有机膜或无机膜。当有机膜被用于触摸绝缘膜152时，在基板111的上方涂覆有机膜后，在100℃或更低的温度下固化有机膜以形成触摸绝缘膜152，从而抑制对易受高温影响的发射堆叠体124的损害。当无机薄膜被用于触摸绝缘膜152时，为了抑制对易受高温影响的发射堆叠体124的损害，至少重复两次低温CVD沉积工艺和清洗工艺，以形成具有多层结构的触摸绝缘膜152。
选择性地移除触摸绝缘膜152的部分区域，以形成触摸接触孔，从而露出桥接图案155的一部分。
触摸电极(或触摸线)156可设置在触摸绝缘膜152上。然而，不限于此，且桥接图案也可设置在触摸绝缘膜152上。
触摸电极156可通过触摸接触孔与桥接图案155电连接。
触摸电极156上可设置第二平坦化层，但不限于此，且也可省略第二平坦化层。
同时，在本公开的示例性实施例中，封装单元140的上方可设置透镜160。
透镜160可设置在触摸绝缘膜152的上方，并且第一紫外(UV)屏蔽层170可设置在透镜160的上方。
透镜160可位于从发光二极管120发出的光的路径上。
例如，透镜160的面向发光二极管120的下表面可以是平面。例如，透镜160的面向本公开的UV屏蔽层170的表面可具有球形凸出表面，例如半圆的形状。
例如，每个子像素可与一个透镜160重叠。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示设备中，从每个子像素发出的光穿过透镜160以提供给用户。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示设备中，可改善亮度视角。
例如，本公开的示例性实施例的透镜160设置在触摸绝缘膜152的上方以覆盖(阻挡)阳极122的第一区域122a和第二区域122b，但不限于此。例如，本公开的示例性实施例的透镜160可延伸至阳极122的第三区域122c。
第二平坦化层157可设置在透镜160的上方，以便覆盖透镜160。
第二平坦化层157可抑制由于外部冲击而对透镜160造成的损害。例如，每个透镜160的半圆形表面可完全被第二平坦化层157覆盖。第二平坦化层157可除去由透镜160造成的台阶。例如，第二平坦化层157的与封装单元140相对的表面可以是平面。第二平坦化层157可包括绝缘材料。第二平坦化层157可具有与透镜160的折射率不同的折射率。例如，第二平坦化层157的折射率可低于透镜160的折射率。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示设备中，从每个子像素的发光二极管120发出的光可被透镜160和第二平坦化层157有效地聚光。
根据本公开的第一UV屏蔽层170可设置在第二平坦化层157上。
第一UV屏蔽层170也可被称为第一UV吸收层或第一光屏蔽层，但不受该术语的限制，并可屏蔽和/或吸收UV线(UV光)。
当显示设备长时间暴露在UV线下时，可由薄膜晶体管的放气导致其中发射区域缩小的像素收缩。像素收缩可在本公开中产生显著影响，本公开使用侧面镜型的阳极122和球面凸透镜160改善了光提取效率和亮度视角。
因此，在本公开的示例性实施例中，可吸收UV线的第一UV屏蔽层170可设置在封装单元140的上方。因此，抑制了由于UV线对发光二极管120造成的损害，从而改善了可靠性。
例如，作为第一UV屏蔽层170，氢原子(-H)和酮(＝O)或亚胺(＝N)部分相互靠近以形成氢键，使得可使用在吸收UV线时不发光但放出热量的材料。例如，第一UV屏蔽层可包括二苯甲酮衍生物(benzophenone derivatives)、呫吨酮衍生物(xantone derivatives)、三嗪衍生物(triazine derivatives)、水杨酸衍生物(salicylate derivatives)、苯并三唑衍生物(benzotriazolederivatives)或羟基黄酮衍生物(hydroxyflavone derivatives)。
根据本公开的示例性实施例，包括在第一UV屏蔽层170中的UV线吸收材料可以是以下具有化学式1至化学式7的材料中的一种。然而，本公开的示例性实施例不限于此，且可应用在约400nm至500nm(这是UV线吸收波长带)中具有高吸收率的任何材料。
以下化学式1至化学式7示出了作为示例的苯酚UV线吸收剂的化学结构。
[化学式1]
化学式1是2-羟基二苯甲酮(2-hydroxybenzophenones)。
[化学式2]
化学式2是2，2'-二羟基二苯甲酮(2,2'-dihydroxybenzophenones)。
[化学式3]
化学式3是呫吨酮(xantone)。
[化学式4]
化学式4是3-羟基黄酮(3-hydroxyflavone)。
[化学式5]
化学式5是水杨酸酯(salicylate)。
[化学式6]
化学式6是2-2(-羟基苯基)-1,3,5-三嗪(2-2(-hydroxyphenyl)-1,3,5-trazines)。
[化学式7]
化学式7是2-(2-羟基苯基)苯并三唑(2-(2-hydroxyphenyl)benzotriazole)。
同时，根据本公开，UV屏蔽层不仅可应用在封装单元的上部，还可应用在阳极的第二区域和第三区域的顶表面。在这种情况下，(反向地)反射到发光二极管的UV射线可被侧面镜形状的阳极有效阻挡，这将参照附图进行更详细的描述。
图5是示出了根据本公开的另一个示例性实施例的显示面板的横截面的一部分的视图。
在图5的根据本公开的另一个示例性实施例的显示面板中，与上述的根据本公开的示例性实施例的显示面板相比，在阳极122的第二区域122b和第三区域122c的顶表面上附加地设置了第二UV屏蔽层275。然而，其他配置是基本相同的，因此多余的描述将被省略。
例如，图5示出了根据本公开的另一个示例性实施例的显示面板的一个子像素的横截面结构的一部分。
参照图5，以与上述示例性实施例相同的方式，可在基板111的上方设置包括发光二极管120和驱动薄膜晶体管130的驱动电路。
如上所述，例如，第一平坦化层116可包括在一个子像素中的凹入部分116a。
此外，第一平坦化层116可包括外围部分116b，该外围部分包围凹入部分116a，并位于凹入部分116a的附近。
例如，凹入部分116a可由平面部分116a_1和包围平面部分116a_1的倾斜部分116a_2构成。
凹入部分116a的平面部分116a_1的表面可基本平行于基板111的表面。倾斜部分116a_2包围平面部分116a_1，且倾斜部分116a_2的表面可相对于基板111的表面具有预先确定的角度。
因此，倾斜部分116a_2的表面可以不平行于基板111的表面。
第一平坦化层116可具有与凹入部分116a间隔开以露出连接电极135的接触孔。
通过接触孔与连接电极135电连接的发光二极管120可设置在第一平坦化层116的上方。
此时，例如，发光二极管120可包括与驱动薄膜晶体管130的漏电极133连接的阳极122、设置在阳极122上的至少一个发射堆叠体124以及设置在发射堆叠体124上的阴极126。
此外，例如，阳极122可包括第一区域122a，其表面与基板111的表面基本平行，以及第二区域122b，其从第一区域122a延伸使得第二区域122b的表面相对于基板111具有预先确定的角度。
因此，第二区域122b的表面可以不平行于基板111的表面。
此外，例如，阳极122可包括第三区域122c，该第三区域122c从第二区域122b延伸，使得第三区域122c的表面基本平行于基板111的表面。第三区域122c可以是与第一平坦化层116的外围部分116b重叠的区域。
如上所述，在至少一个子像素中，第一平坦化层116可包括至少一个与凹入部分116a间隔开的接触孔，并且驱动薄膜晶体管130和发光二极管120的阳极122可通过该接触孔电连接。
同时，根据本公开的另一个示例性实施例，第二UV屏蔽层275可设置在阳极122的第二区域122b的顶表面和第三区域122c的顶表面上。
在图5中，示出了第二UV屏蔽层275可设置在阳极122的第二区域122b的整个顶表面上和第三区域122c的顶表面的一部分上的示例，但本公开不限于此。第二UV屏蔽层275也可设置在阳极122的第三区域122c的整个顶表面上，或被设置成覆盖阳极122的第三区域122c。例如，第二UV屏蔽层275可与阳极122的第二区域122b的顶表面和第三区域122c的顶表面接触，但本公开不限于此，并且还可在其间设置另一层。
如上所述，例如，作为第二UV屏蔽层275，氢原子(-H)和酮(＝O)或亚胺(＝N)部分相互靠近形成氢键，使得可使用在吸收UV线时不发光但放出热量的材料。例如，第二UV屏蔽层可包括三嗪衍生物(triazine derivatives)、水杨酸衍生物(salicylatederivatives)、苯并三唑衍生物(benzotriazolederivatives)、二苯甲酮衍生物(benzophenone derivatives)、呫吨酮衍生物(xantone derivatives)或羟基黄酮衍生物(hydroxyflavone derivatives)。
例如，第二UV屏蔽层275中包括的UV线吸收材料可以是具有化学式1至化学式7的材料中的一种。
根据本公开的另一个示例性实施例，第二UV屏蔽层275被应用于阳极122的第二区域122b的顶表面和第三区域122c的顶表面，以有效阻挡由侧面镜形状的阳极122(可反向地)反射到发光二极管120的UV线。
可将堤部117设置在第一平坦化层116和阳极122的一部分的上方。此外，根据本公开的另一个示例性实施例，堤部117可被设置成覆盖第二UV屏蔽层275。
例如，堤部117可包括第一部分和第二部分。第一部分设置在阳极122和第二UV屏蔽层275上且在与设置在第一平坦化层116中的凹入部分116a的一部分相对应的区域中。第二部分设置在阳极122、第二UV屏蔽层275和第一平坦化层116的上方且在与第一平坦化层116的外围部分116b相对应的区域中。
例如，堤部117可被设置成在与凹入部分116a重叠的区域中露出阳极122的顶表面的一部分。例如，至少一个子像素可具有其中阳极122不与堤部117重叠的区域。
例如，堤部117可利用有机材料(如光丙烯酸)或半透明材料构成，但不限于此，并且堤部117也可利用不透明材料构成。
同时，封装单元140可设置在发光二极管120的上方。
此外，透镜160可设置在封装单元140的上方且第一UV屏蔽层170可设置在透镜160的上方。
透镜160可位于从发光二极管120发出的光的路径上。
例如，透镜160的指向发光二极管120的下表面可以是平面。例如，透镜160的面向本公开的第一UV屏蔽层170的表面可具有球形凸出表面，例如半圆形状。
例如，每个子像素可与一个透镜160重叠。
第二平坦化层157可设置在透镜160的上方以便覆盖透镜160。
例如，透镜160的球形凸出表面可完全被第二平坦化层157覆盖。第二平坦化层157可除去由透镜160造成的台阶。例如，第二平坦化层157的与封装元件140相对的表面可以是平面。第二平坦化层157可包括绝缘材料。
第二平坦化层157可具有与透镜160的折射率不同的折射率。例如，第二平坦化层157的折射率可以低于透镜160的折射率。
第一UV屏蔽层170可设置在第二平坦化层157上。
例如，第一UV屏蔽层170可包括二苯甲酮衍生物、呫吨酮衍生物、三嗪衍生物、水杨酸衍生物、苯并三唑衍生物或羟基黄酮衍生物，以与第二UV屏蔽层275相同。
例如，包括在第一UV屏蔽层170中的UV线吸收材料可以是上述的具有化学式1至化学式7的材料中的一种。然而，本公开的示例性实施例不限于此，并可应用在约400nm至500nm(这是UV线吸收波长带)内具有高吸收率的任何材料。
图6A和图6B是示出了在照射UV线(UV光)后的像素收缩现象的视图。
图6A是示出根据其中未应用本公开的UV屏蔽层的比较示例的在照射UV光后的像素收缩现象的图像，图6B是示出根据其中应用了本公开的UV屏蔽层(UV线屏蔽层)的示例的在照射UV线后的像素收缩现象的图像。
例如，图6A和图6B示出了蓝色子像素B中的像素收缩现象。
例如，图6A和图6B示出了在温度为30℃、相对湿度为30％的环境中以2.4W/m2的能量照射420nm的UV线持续200小时后的像素收缩现象。
参照图6A和图6B，确认与其中未应用UV屏蔽层的比较示例相比，在其中应用了UV屏蔽层的实施例中，像素收缩现象明显减轻。
图7A至图7C是示出根据UV线照射的效率差异的图。
在图7A至图7C中的每一图中，左侧(a)示出了在其中未应用UV屏蔽层的比较示例中根据UV线照射的效率差异，右侧(b)示出了在其中应用UV屏蔽层的示例中根据UV线照射的效率差异。
图7A至图7C中的每一图示出了根据持续240小时的UV线照射的效率差异的效率寿命。
图7A、图7B和图7C分别示出了红色、绿色和蓝色的效率寿命。
参照图7A、图7B和图7C，应理解的是，在其中未应用UV屏蔽层的比较示例中，效率寿命随着时间而急剧地下降。具体而言，应理解的是，在140小时后效率寿命非常急剧地下降。
相比之下，在其中应用了UV屏蔽层的示例中，效率寿命不随时间而下降，反而增加。
如上所述，在其中应用了UV屏蔽层的示例中，UV屏蔽层吸收并阻挡射向发光二极管的UV线，使得对发光二极管的损害可得到抑制。
同时，在顶部发射型发光显示面板中，可附加地需要包括P型掺杂剂的空穴传输层P-HTL，以根据厚度的增加提高空穴传输层HTL的空穴传输能力。
在这种情况下，P型掺杂剂的浓度通常为3％至5％。当浓度低于此值时，发光二极管的性能会下降，而当浓度高于此值时，会导致泄漏电流。同时，在应用了本公开的UV屏蔽层时，可应用小于0.6％的P型掺杂剂，这将参照下图进行详细描述。
图8是示出了发光二极管的层叠结构的视图。
图8示出了顶部发射型发光二极管的层叠结构。
参照图8，根据本公开的示例性实施例的发光二极管可包括位于基板上方的阳极、P型掺杂的空穴传输层P-HTL、空穴传输层HTL、红色空穴传输层HTL_R、绿色空穴传输层HTL_G、电子阻挡层EBL、红色发光层EML_R、绿色发光层EML_G、蓝色发光层EML_B、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL、阴极126_1和126_2，以及封盖层CPL_1和CPL_2，其中在基板中限定了红色子像素区域Rp、绿色子像素区域Gp和蓝色子像素区域Bp。
即使没有示出，但根据本公开的示例性实施例的发光二极管也可具有双堆叠体结构，该双堆叠体结构由位于阳极与阴极126_1和126_2之间的包括第一发射层的第一发光单元和包括第二发射层的第二发光单元构成。
此外，相互交叉以限定每个子像素的栅极线和数据线以及延伸以与栅极线和数据线中的一条平行的电力线被设置在基板的上方。在每个子像素中，可设置与栅极线和数据线电连接的开关薄膜晶体管以及与开关薄膜晶体管连接的驱动薄膜晶体管。驱动薄膜晶体管可连接到发光二极管的阳极。
例如，阳极设置在基板上方以便与红色子像素区域Rp、绿色子像素区域Gp和蓝色子像素区域Bp中的每一个相对应，并且可包括反射层。
空穴传输层HTL可设置在阳极上方以便与所有的红色子像素区域Rp、绿色子像素区域Gp和蓝色子像素区域Bp相对应。
红色空穴传输层HTL_R和绿色空穴传输层HTL_G可分别在红色子像素区域Rp和绿色子像素区域Gp中设置在空穴传输层HTL的上方。
电子阻挡层EBL可设置在红色空穴传输层HTL_R、绿色空穴传输层HTL_G和空穴传输层HTL的上方以便与所有的红色子像素区域Rp、绿色子像素区域Gp和蓝色子像素区域Bp相对应。
红色发射层EML_R设置在红色子像素区域Rp中且在电子阻挡层EBL上，绿色发射层EML_G可设置在绿色子像素区域Gp中且在电子阻挡层EBL上。红色发射层EML_R和绿色发射层EML_G可分别包括发射红光和绿光的发射材料，而发射材料可使用磷光体或荧光材料形成。
蓝色发射层EML_B可设置在蓝色子像素区域Bp中且在电子阻挡层EBL上。蓝色发射层EML_B可包括发射蓝光的发射材料，而发射材料可使用磷光体或荧光材料形成。
空穴阻挡层HBL可设置在红色发射层EML_R、绿色发射层EML_G和蓝色发射层EML_B的上方以便与所有的红色子像素区域Rp、绿色子像素区域Gp和蓝色子像素区域Bp相对应。
电子传输层ETL可设置在空穴阻挡层HBL的上方以便与所有的红色子像素区域Rp、绿色子像素区域Gp和蓝色子像素区域Bp相对应。
电子传输层ETL可用于传输和注入电子，而厚度可在考虑电子传输特性的情况下进行调整。
此外，尽管图8中未示出，但在电子传输层ETL的上方还可以进一步构成电子注入层。
这里，根据本公开的示例性实施例，结构不受限制，空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层中的至少一个也可省略。此外，也可以将空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层中的任一个形成为两层或更多层。
同时，当构成双堆叠体结构时，可在第一发光单元和第二发光单元之间附加地设置电荷产生层，并可调整第一发光单元和第二发光单元之间的电荷平衡。
电荷产生层可包括第一电荷产生层和第二电荷产生层。第一电荷产生层用作n型电荷产生层，其有助于将电子注入设置于其下的第一发光单元，而第二电荷产生层可用作p型电荷产生层，其有助于将空穴注入设置于其上的第二发光单元。
阴极126_1和126_2可设置在电子传输层ETL的上方，以便与所有的红色子像素区域Rp、绿色子像素区域Gp和蓝色子像素区域Bp相对应。例如，阴极126_1和126_2由镁和银形成的合金(Mg:Ag)形成以具有透反射(transflective)特性。
例如，即使在图8中阴极126_1和126_2由第一阴极126_1和第二阴极126_2两层构成，但本公开也不限于此。
如上所述，根据本公开的示例性实施例，可通过微空腔效应(micro cavityeffect)提高发光效率，在微空腔效应中，在包括反射层的阳极与具有透反射特性的阴极126_1和126_2之间发生重复反射。
封盖层CPL_1和CPL_2可设置在阴极126_1和126_2的上方。封盖层CPL_1和CPL_2是用于增加发光二极管中的光提取效果的构造，并且可由空穴传输层HTL的材料、红色空穴传输层HTL_R的材料、绿色空穴传输层HTL_G的材料、电子传输层ETL的材料以及红色发射层EML_R、绿色发射层EML_G和蓝色发射层EML_B的主体材料中的任一种形成。
例如，即使在图8中示出了封盖层CPL_1和CPL_2由第一封盖层CPL_1和第二封盖层CPL_2两层构成，但本公开并不限于此。此外，可省略封盖层CPL_1和CPL_2。
同时，根据本公开的示例性实施例，P型掺杂的空穴传输层P-HTL可设置在阳极和空穴传输层HTL之间。
例如，可通过在构成空穴传输层的材料上掺杂p型掺杂剂来形成P型掺杂的空穴传输层P-HTL。在这种情况下，在一个工艺设备中，P型掺杂的空穴传输层P-HTL和空穴传输层HTL也可通过连续工艺形成。
在底部发射型显示设备中，阳极使用透明电极，阴极可使用反射电极。在这种情况下，通过实现弱的微空腔效应，红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的每一个的沉积厚度相似，而整个厚度可大约为至/>
相比之下，在顶部发射型显示设备的情况下，阳极包括反射电极，阴极可使用透反射电极。在这种情况下，通过实现强的微空腔效应，红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的每一个的沉积厚度是不同的，而整个厚度可大约为至/>
在顶部发射型显示设备的情况下，为了提高通过增加厚度实现的空穴传输层HTL的空穴传输能力，可添加P型掺杂的空穴传输层P-HTL。此外，为了保护阴极126_1和126_2并增加光提取效果，可添加封盖层CPL_1和CPL_2。
此外，当在电荷传输层中添加浓度为3％至5％的P型掺杂剂或浓度为10％至50％的N型掺杂剂时，可增加电荷的注入和迁移率，从而改善发光效率和驱动电压。
对于低功耗产品，有必要改善顶部发射型显示设备的驱动电压和效率，例如，当应用了以3％的浓度进行P型掺杂的空穴传输层P_HTL时，驱动电压降低了大约1.0V，效率可改善大约9％。
添加的P型掺杂剂的浓度越高，驱动电压越低，效率越好。然而，会出现漏电流问题。相比之下，当添加的P型掺杂剂的浓度降低时，漏电流得到改善，但蓝光发光二极管的寿命缩短，驱动电压升高。此外，由于像素收缩现象，可靠性会降低。
同时，根据本公开，侧表面形状的阳极和球面凸透镜被用于改善光提取效率，且UV屏蔽层被用于改善像素收缩现象。因此，可应用小于0.6％的P型掺杂剂。
根据本公开的第二UV屏蔽层的下端可朝向阳极延伸，这将参照下图进行详细描述。
图9是示出了根据本公开的另一个示例性实施例的显示面板的横截面的一部分的视图。
根据图9的本公开的另一个示例性实施例的显示面板具有第二UV屏蔽层375，相对于根据图5的本公开的另一个示例性实施例的上述显示面板，该第二UV屏蔽层375具有不同的形状。然而，其他配置基本相同，因此将省略多余的描述。
例如，图9示出了根据本公开的另一个示例性实施例的显示面板的一个子像素的横截面结构的一部分。
参照图9，以与上述另一个示例性实施例中相同的方式，包括发光二极管120和驱动薄膜晶体管130的驱动电路可设置在基板111的上方。
根据本公开的另一个示例性实施例，第二UV屏蔽层375可设置在阳极122的第一区域122a的顶表面的一部分和第三区域122c的顶表面的一部分以及第二区域122b的顶表面上。
在图9中，示出了将第二UV屏蔽层375设置在阳极122的第一区域122a的顶表面的一部分和第三区域122c的顶表面的一部分以及第二区域122b的整个顶表面上的示例，但本公开不限于此。第二UV屏蔽层375也可设置在阳极122的第三区域122c的整个顶表面上，或被设置成覆盖阳极122的第三区域122c。例如，第二UV屏蔽层375可与阳极122的第一区域122a的顶表面、第二区域122b的顶表面和第三区域122c的顶表面接触，但本公开不限于此，并且还可在其间插置有另一层。
第二UV屏蔽层375延伸入阳极122的第一区域122a中以与发射堆叠体124的侧表面接触，但不限于此。此外，例如，第二UV屏蔽层375延伸入第一区域122a中，且发射堆叠体124也可设置于其上，以便与第二UV屏蔽层375重叠。
如上所述，例如，第二UV屏蔽层375可包括三嗪衍生物、水杨酸衍生物、苯并三唑衍生物、二苯甲酮衍生物、羟基黄酮衍生物或呫吨酮衍生物。
例如，第二UV屏蔽层375中包含的UV线吸收材料可以是具有化学式1至7的材料中的一种。
根据本公开的另一个示例性实施例，第二UV屏蔽层375被应用到阳极122的第一区域122a的顶表面、第二区域122b的顶表面和第三区域122c的顶表面，以进一步有效地阻挡由侧面镜形状的阳极122(可反向地)反射到发光二极管120的UV光。
堤部117可设置在第一平坦化层116和阳极122的一部分上方。此外，根据本公开的另一个示例性实施例，可将堤部117设置成覆盖第二UV屏蔽层375。
堤部117可包括第一部分和第二部分。第一部分设置在第二UV屏蔽层275上且在与设置在第一平坦化层116中的凹入部分116a的一部分相对应的区域中。第二部分设置在阳极122、第二UV屏蔽层375和第一平坦化层116的上方且在与第一平坦化层116的外围部分116b相对应的区域中。
例如，堤部117还可在阳极122的第一区域122a的上方露出第二UV屏蔽层275的侧表面的一部分，但不限于此。
同时，当透镜160设置在封装单元140的上方时，光路可聚集到发光二极管120并且UV光被从堤部117反射而影响发光二极管120。因此，第二UV屏蔽层可形成在有效区域以外的外围区域中，这将参照以下附图进行详细描述。
图10是示意性地示出了根据本公开的另一个示例性实施例的显示面板的视图。
图11是放大了图10中的A部分的视图。
图12是沿图10的线II-II'截取的剖视图。
根据图10至图12的本公开的另一个示例性实施例的显示面板DISP包括第二UV屏蔽层475，相对于根据图5的本公开的另一个示例性实施例的上述显示面板，第二UV屏蔽层475具有不同的配置。然而，其他配置基本相同，因此多余的描述将省略。
图11示出了显示面板DISP的左上端的一部分，其包括图10中示出的一个子像素SP。
图12示出了根据本公开的另一个示例性实施例的显示面板DISP的一个子像素SP的横截面结构的一部分。
首先，参照图10和图11，显示面板DISP可包括有效区域AA和非有效区域NA，在有效区域AA中显示图像，非有效区域NA是有效区域AA的外边界线BL的外部区域。
在显示面板DISP的有效区域AA中，设置了用于显示图像的多个子像素SP，并设置了用于驱动显示面板的各种电极或信号线。
此外，根据本公开的另一个示例性实施例的显示面板DISP可包括坝部区域DA，其具有用于抑制有效区域AA中的任何层(例如，显示面板中的封装单元)越过显示面板DISP的坝部。
坝部区域DA可位于有效区域AA和非有效区域NA的边界处，或位于作为有效区域AA的外部区域的非有效区域NA的任一位置处。
设置在坝部区域DA中的坝部可被设置成包围有效区域AA的所有方向，或者可以仅设置在有效区域AA的一个或两个或更多个部分的外部。
设置在坝部区域DA中的坝部还可以具有其中所有坝部相连的一个图案，或者具有两个或更多个分开的图案。此外，在坝部区域DA中，还可以只设置一个主坝部，或者设置两个坝部(主坝部和副坝部)，或者设置三个或更多个坝部。
例如，在坝部区域DA中，在任意一个方向上，只设置主坝部，而在另一个方向上，也可以设置主坝部和副坝部。
同时，根据本公开的另一个示例性实施例，第二UV屏蔽层475可被设置成延伸到有效区域AA的外部。例如，第二UV屏蔽层475可越过外边界线BL延伸到非有效区域NA中。此外，例如，第二UV屏蔽层475可越过外边界线BL延伸到坝部区域DA中。在这种情况下，发光二极管120受从堤部417反射的UV光影响的问题可被抑制。
此外，根据本公开的另一个示例性实施例，第二UV屏蔽层475还可延伸至相邻的子像素SP。在这种情况下，第二UV屏蔽层475还可延伸以便覆盖整个子像素SP，但将未被堤部417阻挡的发射区域EA排除在外(excluding)。
例如，参照图12，第二UV屏蔽层475可设置在阳极122的第一区域122a的顶表面的一部分以及第二区域122b的整个顶表面和第三区域122c的整个顶表面上。
例如，第二UV屏蔽层475可设置在第二区域122b的整个顶表面和第三区域122c的整个顶表面上，但将阳极122的第一区域122a的顶表面的与发射区域EA相对应的一部分排除在外。
例如，第二UV屏蔽层475可被设置成覆盖阳极122的第二区域122b和第三区域122c。
例如，第二UV屏蔽层475还可以与阳极122的第一区域122a的顶表面、第二区域122b的顶表面和第三区域122c的顶表面接触，但本公开不限于此，并且还可在其间插置有另一层。
例如，第二UV屏蔽层475还可延伸到相邻的子像素SP。在这种情况下，第二UV屏蔽层475还可延伸以便覆盖整个子像素SP，但将未被堤部417阻挡的发射区域EA排除在外。
例如，第二UV屏蔽层475可延伸到有效区域AA的外部。
例如，第二UV屏蔽层475可越过外边界线BL延伸到非有效区域NA中。此外，例如，第二UV屏蔽层475还可越过外边界线BL延伸到坝部区域DA中。
图13A至图13C是用于解释根据本公开的示例性实施例的显示设备的平面的一部分的视图。
图13A是示出了根据本公开的所有示例性实施例的一个子像素的发射区域和透镜的平面图。
参照图13A，可存在其中发光二极管发射光以便在阳极的第一区域的不与堤部重叠的一部分中直接放出的主发射区域LEA1；以及其中从发光二极管发射的光被从阳极的第二区域反射而被放出的反射发射区域LEA2。在相邻的子像素之间可存在第一非发射区域(例如，在相邻的子像素的反射发射区域LEA2之间)以及位于主发射区域LEA1和反射发射区域LEA2之间的第二非发射区域NEA2。第二非发射区域NEA2是设置在第一平坦化层的凹入部分的平面部分上的阳极的第一区域的一部分与堤部重叠的区域。
透镜160可被设置成重叠并充分覆盖一个子像素的发射区域LEA1和LEA2。例如，透镜160可被分为与主发射区域LEA1重叠的中心区域和包围中心区域的外围区域。尽管图13A中示出了透镜160以及发射区域LEA1和LEA2中的每一个具有圆形形状，但不限于此。
图13B示出了根据图5中示出的本公开的另一个示例性实施例的上述显示面板的横截面的一部分，并且是一个子像素的发射区域LEA1和LEA2、透镜160以及第二UV屏蔽层275的放置的平面图。
参照图13B，透镜160被设置成重叠并充分覆盖一个子像素的发射区域LEA1和LEA2，并且可以与触摸电极156间隔开，以便不中断触摸感测。
第二UV屏蔽层275的指向第一非发射区域NEA1的外线可被设置成与透镜160的轮廓重叠或越过透镜160的轮廓。然而，第二UV屏蔽层275的内线可被设置成越过阳极122的第二区域122b并且设置在第一平坦化层116的凹入部分116a的平面部分116a_1上，并且可被设置成与第一区域122a的一部分重叠。例如，在图5的示例性实施例中，第二UV屏蔽层275可不与主发射区域LEA1的一部分以及第二非发射区域NEA2重叠。第二UV屏蔽层275可与包围中心区域的周围区域重叠。
图13C是示出了根据图9中示出的本公开的另一个示例性实施例的上述显示面板的横截面的一部分的视图。第二UV屏蔽层375仅具有与上述本公开的另一个示例性实施例不同的配置，而其它配置基本相同，因此将省略多余的描述。
在此，第二UV屏蔽层375的内线可设置在阳极122的第一区域122a的与堤部117重叠的区域上。例如，在图9的示例性实施例中，第二UV屏蔽层375可以只是不与主发射区域LEA1重叠。此外，例如，第二UV屏蔽层375只是不与透镜160的中心区域重叠。
即使未在图中示出，但根据上述图12中所示的本公开的另一个示例性实施例，在基板111的有效区域中，第二UV屏蔽层475可具有开口区域，以便只是不与每个子像素的透镜160的中心区域重叠。例如，第二UV屏蔽层475可与反射发射区域LEA2、第一非发射区域NEA1和第二非发射区域NEA2重叠，但将主发射区域LEA1排除在外。
图14是通过放大了图3的一部分来示出平面特征的视图。
图14示出了多个子像素(SP1、SP2和SP3)和网格型触摸电极180的放置。在子像素(SP1、SP2和SP3)的每一个中的发射区域(LEA1和LEA2)、透镜160和第二UV屏蔽层的放置特征与上述图13A至图13C基本相同，因此将省略多余的描述。
参照图14，网格型触摸电极180可由被图案化为网格型的电极金属形成。因此，在网格型触摸电极180的区域中，可以有多个开口区域，并且每个开口区域可对应于呈红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的子像素(SP1、SP2和SP3)中的一个的发射区域(LEA1和LEA2)。替代性地，每个开口区域可对应于在呈红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的子像素(SP1、SP2和SP3)中的一个上设置的透镜160或第二UV屏蔽层。
同时，用于在两个触摸电极180之间连接的桥接构造可包括一个或两个或更多个桥接图案185。
在图14中，示出了多个子像素(SP1、SP2和SP3)具有彼此不同的尺寸，但不限于此。
例如，多个子像素(SP1、SP2、SP3)可包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。
第一子像素SP1可以是红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的任一个，第二子像素SP2可以是红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的另一个，第三子像素SP3可以是红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的剩余一个。
如上所述，在平面图中，一个子像素(SP1、SP2或SP3)的发射区域(LEA1和LEA2)、透镜160或第二UV屏蔽层存在于触摸电极180的开口区域的每一个中。因此，触摸感测是可行的，而显示面板的开孔率和发光效率得到增强，并且可以抑制由于UV光对发光二极管造成的损害。
本公开的示例性实施例还可被描述为如下：
根据本公开的一个方面，提供了一种显示设备。该显示设备包括：基板，其被划分为多个子像素，每个子像素包括发射区域；第一平坦化层，其设置在基板上方并且具有在一个子像素中的凹入部分，在凹入部分中限定了发射区域；阳极，其设置在第一平坦化层上并且阳极的一部分设置在凹入部分中；发光单元，其以与发射区域相对应的方式设置在阳极上；堤部，其设置在阳极和第一平坦化层上方以限定发射区域；阴极，其设置在发光单元和第一平坦化层上；封装单元，其设置在阴极上方；透镜，其以与发射区域相对应的方式设置在封装单元上方；第二平坦化层，其设置在透镜上方；以及第一光屏蔽层，其设置在第二平坦化层上。
第一光屏蔽层可吸收和阻挡紫外线。
第一光屏蔽层可包括在吸收紫外线时不发光但放出热量的一种或多种材料。
该一种或多种材料可包括二苯甲酮衍生物、呫吨酮衍生物、三嗪衍生物、水杨酸衍生物、苯并三唑衍生物或羟基黄酮衍生物。
第一平坦化层可进一步包括包围凹入部分并位于凹入部分的附近的外围部分。
凹入部分可包括平面部分和包围平面部分的倾斜部分。
阳极可包括第一区域，其设置在第一平坦化层上且在与凹入部分重叠的区域内，和第二区域，其从第一区域延伸以被设置在倾斜部分上且在与凹入部分重叠的区域内。
阳极可进一步包括第三区域，其从第二区域延伸以被设置在外围部分上，且第三区域与外围部分重叠。
显示设备可进一步包括设置在第二区域的顶表面和第三区域的顶表面上的第二光屏蔽层。
第二光屏蔽层可设置在第二区域的整个顶表面和第三区域的顶表面的一部分上。
第二光屏蔽层可设置在第二区域的整个顶表面和第三区域的整个顶表面上。
第二光屏蔽层可与第二区域的顶表面和第三区域的顶表面接触。
第二光屏蔽层可吸收和阻挡紫外射线，并可包括二苯甲酮衍生物、呫吨酮衍生物、三嗪衍生物、水杨酸衍生物、苯并三唑衍生物或羟基黄酮衍生物。
堤部可包括第一部分，其设置在阳极和第二光屏蔽层上方且在与凹入部分的一部分相对应的区域内，和第二部分，其设置在阳极、第二光屏蔽层和第一平坦化层上方且在与外围部分相对应的区域内。
堤部可被设置成覆盖第二光屏蔽层。
基板可包括有效区域和非有效区域，第二光屏蔽层可被设置成延伸入非有效区域中。
非有效区域可包括其中设置有坝部的坝部区域，且第二光屏蔽层延伸到坝部区域中。
第二光屏蔽层可延伸至相邻的子像素。
第二光屏蔽层可延伸以便覆盖该一个子像素，但将发射区域排除在外。
第二光屏蔽层可设置在第一区域的顶表面的一部分以及第二区域的整个顶表面和第三区域的整个顶表面上。
第二光屏蔽层可被设置成覆盖第二区域和第三区域，并且第二光屏蔽层可与第一区域的顶表面、第二区域的顶表面和第三区域的顶表面接触。
第二平坦化层可具有低于透镜的折射率的折射率。
阳极可包括反射层。
倾斜部分的倾斜表面可相对于基板表面具有预先确定的角度。
第二区域可以以30°至60°的角度渐缩。
透镜的面向第一光屏蔽层的表面可具有球形凸出表面。
透镜的面向发光二极管的下表面可以是平面。
透镜可被设置成覆盖该一个子像素的发射区域。
阴极可以是透反射电极。
根据本公开的另一方面，提供了一种显示设备。该显示设备包括：基板，其包括有效区域和非有效区域，有效区域具有多个子像素；薄膜晶体管，其设置在基板的有效区域中；发光二极管，其设置在基板的有效区域中以与薄膜晶体管电连接并具有在一个子像素中的至少一个发射区域；以及透镜，其设置在发光二极管上方以便与至少一个发射区域重叠，该透镜可以由覆盖至少一个发射区域的中心区域和包围中心区域的外围区域构成，并且显示设备可具有被设置成与外围区域重叠的UV屏蔽层。
在多个子像素中的一个子像素可具有第一发射区域和沿第一发射区域的轮廓形成的第二发射区域，该一个子像素可通过第一非发射区域与另一个子像素分隔开，第一发射区域和第二发射区域可通过第二非发射区域分隔开，并且UV屏蔽层可以与第一发射区域和第二发射区域中的至少一个以及第一非发射区域和第二非发射区域中的至少一个重叠。
显示设备可进一步包括设置在透镜和发光二极管之间以封装发光二极管的封装单元，和具有开口区域以便与每个子像素相对应的触摸电极，该透镜可设置在开口区域中。
紫外屏蔽层可设置在透镜上以便覆盖透镜。
发光二极管可包括阳极、发光堆叠体和阴极，并且紫外屏蔽层可设置在阳极上。
阳极可包括：第一区域，其表面与基板的表面平行；和第二区域，其从第一区域延伸使得第二区域的表面相对于基板的表面具有预先确定的角度。
第一发射区域可以是其中发光二极管发光以便在第一区域的一部分中被直接放出的区域，第二发射区域可以是其中从发光二极管发射的光被从第二区域反射以便被放出的区域。
尽管已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施例，但本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此，本公开的示例性实施例仅用于例示说明目的，而不旨在用于限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解的是，上述示例性实施例在所有方面都是例示说明性的，并不限制本公开。本公开的保护范围应基于以下权利要求进行解释，其等同范围内的所有技术构思应解释为落入本公开的范围。

Claims (36)

1.一种显示设备，包括：
基板，其被划分为多个子像素，每个子像素包括发射区域；
第一平坦化层，其设置在所述基板上方并且具有在一个子像素中的凹入部分，在所述凹入部分中限定了所述发射区域；
阳极，其设置在所述第一平坦化层上并且所述阳极的一部分设置在所述凹入部分中；
发光单元，其以与所述发射区域相对应的方式设置在所述阳极上；
堤部，其设置在所述阳极和所述第一平坦化层上方以限定所述发射区域；
阴极，其设置在所述发光单元和所述第一平坦化层上；
封装单元，其设置在所述阴极上方；
透镜，其以与所述发射区域相对应的方式设置在所述封装单元上方；
第二平坦化层，其设置在所述透镜上方；以及
第一光屏蔽层，其设置在所述第二平坦化层上。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一光屏蔽层吸收并阻挡紫外线。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第一光屏蔽层包括在吸收所述紫外线时不发光但放出热量的一种或多种材料。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述一种或多种材料包括二苯甲酮衍生物、呫吨酮衍生物、三嗪衍生物、水杨酸衍生物、苯并三唑衍生物或羟基黄酮衍生物。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一平坦化层进一步包括包围所述凹入部分并位于所述凹入部分的附近的外围部分。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述凹入部分包括平面部分和包围所述平面部分的倾斜部分。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述阳极包括：
第一区域，其设置在所述第一平坦化层上且在与所述凹入部分重叠的区域内；以及
第二区域，其从所述第一区域延伸以便被设置在所述倾斜部分上且在与所述凹入部分重叠的所述区域内。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述阳极进一步包括第三区域，其从所述第二区域延伸以便被设置在所述外围部分上，且所述第三区域与所述外围部分重叠。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述显示设备进一步包括：
第二光屏蔽层，其设置在所述第二区域的顶表面和所述第三区域的顶表面上。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第二光屏蔽层设置在所述第二区域的整个所述顶表面和所述第三区域的所述顶表面的一部分上。
11.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第二光屏蔽层设置在所述第二区域的整个所述顶表面和所述第三区域的整个所述顶表面上。
12.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第二光屏蔽层与所述第二区域的所述顶表面和所述第三区域的所述顶表面接触。
13.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第二光屏蔽层吸收并阻挡紫外射线，并包括二苯甲酮衍生物、呫吨酮衍生物、三嗪衍生物、水杨酸衍生物、苯并三唑衍生物或羟基黄酮衍生物。
14.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述堤部包括：
第一部分，其设置在所述阳极和所述第二光屏蔽层上方且在与所述凹入部分的一部分相对应的区域内；以及
第二部分，其设置在所述阳极、所述第二光屏蔽层和所述第一平坦化层上方且在与所述外围部分相对应的区域内。
15.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述堤部被设置成覆盖所述第二光屏蔽层。
16.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述基板包括有效区域和非有效区域，且所述第二光屏蔽层被设置成延伸到所述非有效区域中。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述非有效区域包括坝部区域，在所述坝部区域中设置有坝部，且所述第二光屏蔽层延伸到所述坝部区域中。
18.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第二光屏蔽层延伸至相邻的子像素。
19.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第二光屏蔽层延伸以便覆盖所述一个子像素，但将所述发射区域排除在外。
20.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第二光屏蔽层设置在所述第一区域的顶表面的一部分以及所述第二区域的整个所述顶表面和所述第三区域的整个所述顶表面上。
21.根据权利要求20所述的显示设备，其中，所述第二光屏蔽层被设置成覆盖所述第二区域和所述第三区域，且所述第二光屏蔽层与所述第一区域的所述顶表面、所述第二区域的所述顶表面和所述第三区域的所述顶表面接触。
22.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二平坦化层具有低于所述透镜的折射率的折射率。
23.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述阳极包括反射层。
24.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述倾斜部分的倾斜表面相对于所述基板的表面具有预先确定的角度。
25.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述第二区域以30°至60°的角度渐缩。
26.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述透镜的面向所述第一光屏蔽层的表面具有球形凸出表面。
27.根据权利要求26所述的显示设备，其中，所述透镜的面向所述发光二极管的下表面是平面。
28.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述透镜被设置成覆盖所述一个子像素的所述发射区域。
29.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述阴极为透反射电极。
30.一种显示设备，包括：
基板，其包括有效区域和非有效区域，所述有效区域具有多个子像素；
薄膜晶体管，其设置在所述基板的所述有效区域中；
发光二极管，其设置在所述基板的所述有效区域中以与所述薄膜晶体管电连接并具有在一个子像素中的至少一个发射区域；以及
透镜，其设置在所述发光二极管上方以便与所述至少一个发射区域重叠，
其中，所述透镜由覆盖所述至少一个发射区域的中心区域和包围所述中心区域的外围区域构成；以及
其中，所述显示设备具有被设置成与所述外围区域重叠的紫外屏蔽层。
31.根据权利要求30所述的显示设备，其中，在所述多个子像素中的一个子像素具有第一发射区域和沿所述第一发射区域的轮廓形成的第二发射区域，所述一个子像素通过第一非发射区域与另一个子像素分隔开，且所述第一发射区域和所述第二发射区域通过第二非发射区域分隔开，并且所述紫外屏蔽层与所述第一发射区域和所述第二发射区域中的至少一个以及所述第一非发射区域和所述第二非发射区域中的至少一个重叠。
32.根据权利要求30所述的显示设备，其中，所述显示设备进一步包括：
封装单元，其设置在所述透镜和所述发光二极管之间以封装所述发光二极管；以及
触摸电极，其具有开口区域以便与每个子像素相对应，
其中，所述透镜设置在所述开口区域中。
33.根据权利要求30所述的显示设备，其中，所述紫外屏蔽层设置在所述透镜上以便覆盖所述透镜。
34.根据权利要求30所述的显示设备，其中，所述发光二极管包括阳极、发光堆叠体和阴极，并且所述紫外屏蔽层设置在所述阳极上。
35.根据权利要求34所述的显示设备，其中，所述阳极包括：第一区域，其表面与所述基板的表面平行；和第二区域，其从所述第一区域延伸,使得所述第二区域的表面相对于所述基板的所述表面具有预先确定的角度。
36.根据权利要求35所述的显示设备，其中，所述第一发射区域是其中所述发光二极管发光以便在所述第一区域的一部分中被直接放出的区域，所述第二发射区域是其中从所述发光二极管发射的光被从所述第二区域反射以便被放出的区域。
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