CN118173607A - 电子装置 - Google Patents

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程怡瑄
张志豪
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Abstract

提供一种电子装置，包括：基板、设置于基板上的数据线与门极线。数据线沿第一方向延伸。电子装置还包括薄膜晶体管。薄膜晶体管设置于基板上且包括半导体结构。半导体结构包括信道区、源极区及漏极区。栅极线与通道区重叠。源极区与数据线电性连接。源极区和漏极区位于栅极线的两侧。源极区包括沿第二方向延伸的第一部分，且第一方向与第二方向之间夹有一锐角。

Description

电子装置
技术领域
本公开是关于电子装置，特别是关于一种将源极区的一部分设置与数据线之间夹有一锐角的电子装置。
背景技术
由于科技的蓬勃发展，现今电子装置的使用愈来愈普及，特别是具显示功能的电子装置已成为生活中不可或缺的部分。市场上对这些电子装置的显示分辨率要求不断提高。然而，目前的制程限制已逐渐难以满足上述需求。因此，现有的设计仍有改良的空间。
发明内容
本公开的一些实施例提供一种电子装置，包括：基板、设置于基板上的数据线与门极线。数据线沿第一方向延伸。电子装置还包括薄膜晶体管。薄膜晶体管设置于基板上且包括半导体结构。半导体结构包括信道区、源极区及漏极区。栅极线与通道区重叠。源极区与数据线电性连接。源极区和漏极区位于栅极线的两侧。源极区包括沿第二方向延伸的第一部分，且第一方向与第二方向之间夹有一锐角。
本公开的一些实施例提供一种电子装置，包括：基板、设置于基板上的数据线与门极线。数据线沿第一方向延伸。电子装置还包括薄膜晶体管。薄膜晶体管设置于基板上且包括半导体结构。半导体结构包括信道区、源极区及漏极区。栅极线与信道区重叠，信道区与数据线至少部分重叠，源极区与数据线电性连接。源极区和漏极区位于栅极线的两侧。漏极区包括沿第二方向延伸的第一部分，且第一方向与第二方向之间夹有一锐角。
为让本公开的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出一些实施例，并配合所附附图，做详细说明如下。
附图说明
本案公开的各面向可由以下的详细说明并配合所附附图来完整了解。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小组件的尺寸，以清楚地表现出本公开的特征。
图1显示根据本公开一些实施例的电子装置的局部平面示意图。
图2显示根据本公开一些实施例的半导体结构的局部放大示意图。
图3显示根据本公开一些实施例的电子装置的局部平面示意图。
图4显示根据本公开一些实施例的电子装置的局部平面示意图。
图5显示根据本公开一些实施例的电子装置的局部放大示意图。
图6显示根据本公开一些实施例的电子装置的局部平面示意图。
图7显示根据本公开一些实施例的电子装置的局部平面示意图。
图8显示根据本公开一些实施例的电子装置的局部平面示意图。
图9显示根据本公开一些实施例的电子装置的局部平面示意图。
图1-9中的附图标记说明如下：
10：电子装置
110：数据线
120：栅极线
130：薄膜晶体管
140，150，160，170，180：半导体结构
141，151，161，171，181：通道区
142，152，162，172，182：源极区
142A，162A：第一部分
142B，162B：第二部分
143，153，163，173，183：漏极区
163A，173A，183A：第一部分
163B，173B，183B：第二部分
D1：第一方向
D2：第二方向
D3：第三方向
G：宽度
L：长度
L1：长度
L2：长度
P：间距
PX：子像素
S：距离
V1，V2：孔洞
W：宽度
X：距离
Z：距离
θ：角度(锐角)
具体实施方式
透过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本公开，须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本公开中的多张附图只绘出发光单元的一部分，且附图中的特定组件并非依照实际比例绘图。此外，图中各组件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本公开的范围。此外，不同实施例中可能使用类似及/或对应的标号，仅为简单清楚地叙述一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。
本公开通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定组件。所属技术领域中技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的组件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的组件。在下文说明书与权利要求书中，「包括」、「含有」、「具有」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。因此，当本公开的描述中使用术语「包括」、「含有」及/或「具有」时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。
此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如「下方」或「底部」及「上方」或「顶部」，以描述附图的一个组件对于另一组件的相对关系。能理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在「下方」侧的组件将会成为在「上方」侧的组件。
当相应的构件(例如膜层或区域)被称为「在另一个构件上」时，它可以直接在另一个构件上，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为「直接在另一个构件上」时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为「在另一个构件上」时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。
能理解的是，虽然在此可使用用语「第一」、「第二」等来叙述各种组件、层及/或部分，这些组件、层及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的组件、层及/或部分。因此，以下讨论的一第一组件、层及/或部分可在不偏离本公开一些实施例的启示的情况下被称为一第二组件、层及/或部分。另外，为了简洁起见，在说明书中亦可不使用「第一」、「第二」等用语来区别不同组件。在不违背所附权利要求所界定的范围的情况下，权利要求所记载的第一组件及/或第二组件可解读为说明书中符合叙述的任何组件。
在本公开中，长度、宽度及/或厚度的量测方式可采用光学显微镜量测而得，或可由电子显微镜中的剖面影像量测而得，但上述量测方式仅作为范例，本公开不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。而术语「大约」、「等于」、「相等」或「相同」、「实质上」或「大致上」一般解释为在所给定的值的20％以内，或解释为在所给定的值的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内的范围。此外，以下可使用「电性连接」的术语。应理解的是，若本公开记载「第一组件与第二组件电性连接」，则可解读为第一组件与第二组件于电性上相互连接且可由单一操作来同步地控制，可包括「第一组件与第二组件之间可更存在其它组件而将两者电性连接」的情况，或是包括「第一组件与第二组件之间未存有其它组件而直接电性连接」的情况。若于文中提及第一组件「直接电性连接」第二组件时，则指「第一组件与第二组件之间未存有其它组件而直接电性连接」的情况。此外，以下可使用「电绝缘」的术语。应理解的是，若本公开记载「第一组件与第二组件电绝缘」，则可解读为第一组件与第二组件于电性上分离而无相互连接，亦无由单一操作来同步地控制。
须说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本公开精神的情况下构成另一实施例。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇公开所属领域的技术人员所通常理解的相同涵义。能理解的是这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有一与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在此特别定义。
图1显示根据本公开一些实施例的电子装置10的局部平面示意图。电子装置10可包括显示设备、背光装置、天线装置、发光装置、感测装置、触控装置或拼接装置，但本公开并不限于此。电子装置10可为可弯折或可挠式电子装置。显示设备可为非自发光型显示设备或自发光型显示设备。天线装置可为液晶型态的天线装置或非液晶型态的天线装置，感测装置可为感测电容、光线、热能或超声波的感测装置，但本公开并不限于此。在一些实施例中，电子装置10包括可挠式面板，可挠式面板包括有电子组件，电子组件可包括无源组件与有源组件，例如电容器、电阻器、电感器、二极管、晶体管等。在一些实施例中，电子装置可例如包括二极管、液晶(liquid crystal)、发光二极管(light emitting diode，LED)、量子点(quantum dot，QD)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他适合的显示介质或上述的组合。在一些实施例中，二极管可包括发光二极管或光电二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED)，但本公开并不限于此。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但本公开并不限于此。需注意的是，电子装置10可为前述的任意排列组合，但本公开并不限于此。此外，电子装置10的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统等周边系统以支持显示设备、天线装置、穿戴式装置(例如包括增强现实或虚拟现实)、车载装置(例如包括汽车挡风玻璃)或拼接装置。以下段落将针对电子装置10的局部结构来说明本公开的内容，本公开所属技术领域中技术人员应可理解电子装置10还可包括其他结构以执行所预期的功能。
如图1所示，电子装置10可包括基板(未示出)以及设置于基板上的数据线110与门极线120。在一些实施例中，基板可包括可挠或不可挠基板的至少一种、上述基板的组合，但不限于此；基板的材料可包括玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石、橡胶、聚合物材料例如聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚胺酯(polyurethane)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylenesiloxane)或/及聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephtahlate，PET)、上述材料的至少一种、上述材料的混合物、其他适合的材料或上述材料的组合，但不限于此。在一些实施例中，栅极线120具有一延伸方向(例如沿X轴方向延伸)，数据线110具有另一延伸方向。在一些实施例中，栅极线120的延伸方向不同于数据线110的延伸方向，在另一些实施例中，数据线110的延伸方向(例如可沿Y轴方向延伸)与栅极线120的延伸方向垂直，但本公开并不以此为限。应理解的是，上述轴向是作为范例，旨在易于理解而非限制的目的。在一些实施例中，数据线110和栅极线120可分别沿任两个大致垂直的方向延伸。
在一些实施例中，相邻两条数据线110以及相邻两条栅极线120围成的区域(例如由信号线的中心线围成的区域或是信号线的同侧边缘围成的区域)可定义为一个子像素PX。在一些实施例中「像素」可为一堆栈结构，其包括被配置为能发出具有亮度和颜色的光线的所有相关膜层、相关组件或相关部分。对于液晶显示器而言，像素可以包括液晶层的相关部分、偏振片的相关部分、背光的相关部分以及相关的基板、驱动电路与彩色滤光片。对于自发光显示器(例如无机发光二极管显示器(light-emitting diode display，LED)与有机发光显示器(organic light-emitting diode display，OLED)而言，像素以包括相关的自发光源、相关的光转换层、偏振片的相关部分、相关的基板以及相关的驱动电路。
此外，电子装置10亦包括薄膜晶体管130。在一些实施例中，薄膜晶体管130设置于基板上且包括半导体结构140。举例而言，半导体结构140可包括多晶硅或氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide；IGZO)，或者由前述材料所制成。半导体结构140包括信道区141、源极区142和漏极区143，其中通道区141可位于源极区142和漏极区143之间。在一些实施例中，通道区141可以是半导体结构140与栅极线120重叠的部分，而源极区142和漏极区143位于栅极线120的两侧。在一些实施例中，源极区142与数据线110电性连接且不与栅极线120重叠。源极区142可具有弯折的结构。如此一来，可缩短相邻半导体结构140之间的距离且不影响良率，以提高电子装置10的分辨率。
在一些实施例中，薄膜晶体管130更包含栅极电极、源极电极及漏极电极，栅极电极可为栅极线的一部分且该一部分与半导体结构140重叠，换句话说，栅极线120与通道区141重叠的部分可以视为栅极电极。源极电极例如为数据线110的一部分，透过孔洞V1与源极区142电性连接。漏极电极(未示出)可与漏极区143至少部分重叠且透过孔洞V2与漏极区143电性连接，漏极电极例如可以跟数据线110由同一层金属形成，但本公开并不以此为限。以下将参照图2进一步说明源极区142的详细结构。在一些实施例中，源极电极可以电性连接至透明导电层(例如像素电极)，但本公开并不以此为限。应理解的是，为了简洁起见，以下实施例将不再详细说明孔洞V1和孔洞V2的结构，所属技术领域中应可理解本案所有实施例皆可依照上述方式设置孔洞V1和孔洞V2。
图2显示根据本公开一些实施例的半导体结构140的局部放大示意图。如图2所示，源极区142包括第一部分142A和第二部分142B。在一些实施例中，第二部分142B可介于第一部分142A及通道区141(例如参照图1)之间。第二部分142B沿第一方向D1(大致平行数据线110所延伸的方向)延伸，而第一部分142A沿第二方向D2延伸。第一方向D1与第二方向D2之间夹有一角度θ，角度θ可为一锐角(换言之，角度θ可大于0°且小于90°，0°＜θ＜90°)。
在一些实施例中，相邻半导体结构140(例如源极区142)之间的间距P可定义为半导体结构140的同侧相同点之间沿一水平方向(例如X轴)的距离。距离Z为相邻半导体结构140之间的最短距离。半导体结构140(例如第一部分142A)可具有一宽度W。在一些实施例中，间距P例如大于0微米且小于20微米(0μm<P<20μm)，距离Z例如大于0微米且小于15微米(0μm<Z<15μm)，宽度W例如大于0微米且小于15微米(0μm<W<15μm)，但本公开并不以此为限。角度θ可满足下列关系式：
借由上述设计，可减少相邻半导体结构140之间的距离，以提高薄膜晶体管130的设置密度，进而提高电子装置10的分辨率。此外，亦可维持位于栅极线120上的通道区141的形状(例如在平面图中呈矩形)，以降低影响其电性特征的几率。在一些实施例中，漏极区143可设置在相邻数据线110之间的中央，而可降低漏极区143与数据线110之间短路的风险。
图3显示根据本公开一些实施例的电子装置10的局部平面示意图。应理解的是，本实施例中的电子装置10可包括与图1所示的电子装置10相同或相似的结构，这些相同或相似的结构将以相同或相似的标号来表示，且将不再详细地说明。举例而言，如图3所示，电子装置10可包括基板(未示出)以及设置于基板上的数据线110与门极线120。此外，电子装置10亦包括薄膜晶体管130，设置于基板上且包括半导体结构140和半导体结构150。本实施例与图1所示结构的不同的处在于：半导体结构150可与半导体结构140以交错的方式排列。
在一些实施例中，半导体结构150包括信道区151、源极区152和漏极区153，其中通道区151可位于源极区152和漏极区153之间。在一些实施例中，通道区151可以是半导体结构150与栅极线120重叠的部分，而源极区152和漏极区153位于栅极线120的两侧。在一些实施例中，源极区152与数据线110电性连接且不与栅极线120重叠。源极区152可具有弯折的结构。半导体结构140的源极区142与半导体结构150的源极区152可分别位于栅极线120的两侧。如此一来，可缩短相邻半导体结构140和半导体结构150之间的距离S和距离Z且不影响良率。举例而言，距离S可以是图3中左上半导体结构140和图3中右上半导体结构150之间的最短距离，举例来说，距离S是沿栅极线的延伸方向上，两相邻的半导体结构的最小距离。距离Z可以是图3中左上半导体结构140和图3中右下半导体结构150之间的最短距离，其中角度θ分别满足下列关系式：
以及
在一些实施例中，角度θ改变可能同时影响距离S和距离Z。举例而言，当角度θ增加时，可能会增加距离Z且缩短距离S，反之亦然。在一些实施例中，距离Z及/或距离S例如大于等于0.1微米。应理解的是，上述距离S和距离Z的取向仅作为范例，所属技术领域中技术人员可根据本公开的内容来得出任两个邻接半导体结构之间的距离。相似地，上述设计下，可提高薄膜晶体管130的设置密度，进而提高电子装置10的分辨率。此外，亦可维持位于栅极线120上的通道区141及/或通道区151的形状(例如在平面图中呈矩形)，而降低因制程变异造成的电性差异，提升整体薄膜晶体管的电性均匀性。漏极区143及/或漏极区153可维持在相邻数据线110之间的中央，而可降低漏极区143及/或漏极区153出现与数据线110短路的风险。
图4显示根据本公开一些实施例的电子装置10的局部平面示意图。应理解的是，本实施例中的电子装置10可包括与图1所示的电子装置10相同或相似的结构，这些相同或相似的结构将以相同或相似的标号来表示，且将不再详细地说明。举例而言，如图4所示，电子装置10可包括基板(未示出)以及设置于基板上的数据线110与门极线120。此外，电子装置10亦包括薄膜晶体管130，设置于基板上且包括半导体结构160。本实施例与图1所示结构的不同的处在于：半导体结构160可包括信道区161、源极区162和漏极区163，其中通道区161可位于源极区162和漏极区163之间。在一些实施例中，通道区161可以是半导体结构150与栅极线120重叠的部分，且具有一延伸方向，其延伸方向例如不与栅极线的延伸方向垂直。源极区162和漏极区163位于栅极线120的两侧。在一些实施例中，源极区162与数据线110电性连接且不与栅极线120重叠，且源极区162和漏极区163皆具有弯折的结构。在一些实施例中，源极区162与数据线110可部分重叠(例如在一平面图中(沿Z轴)观察)。在一些实施例中，距离Z可以是相邻半导体结构160之间的最短距离。如此一来，可缩短相邻半导体结构160之间的距离，以提高薄膜晶体管130的设置密度，进而提高电子装置10的分辨率且不影响良率。以下将参照图5进一步说明半导体结构160的详细结构。
图5显示根据本公开一些实施例的电子装置10的局部放大示意图。如图5所示，半导体结构160的信道区161在平面图中为非矩形(例如为平行四边形)，且例如沿第二方向D2延伸。在一些实施例中，源极区162具有第一部分162A和第二部分162B。在一些实施例中，第一部分162A可介于第二部分162B及通道区161之间。第一部分162A沿第二方向D2延伸，而第二部分162B则沿第一方向D1(大致平行于Y轴，即为数据线110所延伸的方向)延伸。第一方向D1与第二方向D2之间夹有一角度θ，角度θ可为一锐角(换言之，角度θ可大于0°且小于90°，0°＜θ＜90°)。在一些实施例中，源极区162的第一部分162A具有一长度L2，其中长度L2可例如沿大致平行于Y轴的方向来测量。在其他一些实施例中，可省略源极区162沿第二方向D2延伸的第一部分162A，仅保留源极区162沿第一方向D1延伸的第二部分162B。
此外，漏极区163亦具有第一部分163A和第二部分163B。在一些实施例中，第一部分163A可介于第二部分163B及通道区161之间。第一部分163A沿第二方向D2延伸，而第二部分163B则沿第一方向D1(大致平行于Y轴，即为数据线110所延伸的方向)延伸。在其他一些实施例中，可省略漏极区163沿第二方向D2延伸的第一部分163A，仅保留漏极区163沿第一方向D1延伸的第二部分163B。在一些实施例中，漏极区163的第一部分163A具有一长度L1，其中长度L1可例如沿大致平行于Y轴的方向来测量。半导体结构160的倾斜部分(包括通道区161、源极区162的第一部分162A以及漏极区163的第一部分163A)的长度L可以是长度L1、长度L2以与门极线120的宽度G的总和，其中长度L可例如沿大致平行于Y轴的方向来测量。在一些实施例中，在第一方向D1上，倾斜部分的长度L大于或等于栅极线120的宽度G。另外，距离X可定义为源极区162和漏极区163之间的横向距离，其中距离X可例如沿大致平行于X轴的方向来测量，且于源极区162和漏极区163的相同侧(例如由源极区162的第二部分162B的右侧至漏极区163的第二部分163B的右侧)来测量。在一些实施例中，宽度G例如大于0微米，距离X例如大于0微米且小于10微米。
在一些实施例中，而长度L1、长度L2的最小值可大于等于0，可以提高薄膜晶体管的设置密度且/或降低产生电性变异的几率，如上所述，角度θ满足下列关系式：
应注意的是，本公开并不限于此。任何具有上述的半导体结构皆涵盖于本公开的范围内。在另一些实施例中，源极区162的第二部分162B的至少一部分及/或漏极区163的第二部分163B的至少一部分可与栅极线120重叠。借由上述设计，可提高薄膜晶体管130的设置密度，进而提高电子装置10的分辨率。此外，漏极区163可维持在相邻数据线110之间的中央，而可降低漏极区163与数据线110短路的风险。
于此实施例中，相邻半导体结构160(例如源极区162)之间的间距P可定义为半导体结构160的同侧相同点之间沿一水平方向(例如X轴)的距离。距离Z为相邻半导体结构160之间的最短距离。半导体结构160(例如第一部分162A)可具有一宽度W。在一些实施例中，间距P例如大于0微米且小于20微米(0μm<P<20μm)，距离Z例如大于0微米且小于15微米(0μm<Z<15μm)，宽度W例如大于0微米且小于15微米(0μm<W<15μm)，但本公开并不以此为限。角度θ可满足下列关系式：
图6显示根据本公开一些实施例的电子装置10的局部平面示意图。应理解的是，本实施例中的电子装置10可包括与图3所示的电子装置10相同或相似的结构，这些相同或相似的结构将以相同或相似的标号来表示，且将不再详细地说明。举例而言，如图6所示，电子装置10可包括基板(未示出)以及设置于基板上的数据线110与门极线120。此外，电子装置10亦包括薄膜晶体管130，设置于基板上且包括半导体结构140和半导体结构150。在本实施例中，半导体结构140及半导体结构150分别沿Y轴方向设置，在X方向上例如为一个半导体结构140与两个半导体结构150交替设置。更具体而言，在水平方向(例如X轴)上，可在两个半导体结构140之间排列两个半导体结构150，但本公开并不限于此。在一些实施例中，在水平方向(例如X轴)上，可用任意的数量交错地排列半导体结构140和半导体结构150，以下将不再列举出各种排列方式，这些排列方式皆涵盖于本公开的范围内。
图7显示根据本公开一些实施例的电子装置10的局部平面示意图。应理解的是，本实施例中的电子装置10可包括与图1所示的电子装置10相同或相似的结构，这些相同或相似的结构将以相同或相似的标号来表示，且将不再详细地说明。举例而言，如图7所示，电子装置10可包括基板(未示出)以及设置于基板上的数据线110与门极线120。此外，电子装置10亦包括薄膜晶体管130，设置于基板上且包括半导体结构170。
具体而言，半导体结构170包括信道区171、源极区172和漏极区173，其中通道区171可位于源极区172和漏极区173之间，且与数据线110至少部分重叠。在一些实施例中，通道区171可以是半导体结构170与栅极线120重叠的部分，而源极区172和漏极区173位于栅极线120的两侧。在一些实施例中，源极区172与数据线110电性连接且不与栅极线120重叠。漏极区173可具有弯折的结构。举例而言，漏极区173具有第一部分173A和第二部分173B，第一部分173A沿第二方向D2延伸，而第二部分173B则沿第一方向D1(大致平行于Y轴，即为数据线110所延伸的方向)延伸。第二部分173B可介于第一部分及通道区171之间。如此一来，可缩短相邻半导体结构170之间的距离，借此可提高薄膜晶体管的设置密度。在一些实施例中，漏极区173可与数据线110至少部分重叠。
在一些实施例中，第二方向D2(即第一部分173A延伸的方向)和第一方向D1(即第二部分173B延伸的方向)之间夹有一角度θ，角度θ可为一锐角(换言之，角度θ可大于0°且小于90°，0°＜θ＜90°)。可参照与本公开以上所述的实施例(例如参照图2)相同的方式来决定角度θ的具体范围，以下将不再赘述。如此一来，可缩短相邻半导体结构170之间的距离且不影响良率，借此可提高电子装置10的显示分辨率。在一些实施例中，漏极区173可与数据线110至少部分重叠。
图8显示根据本公开一些实施例的电子装置10的局部平面示意图。应理解的是，本实施例中的电子装置10可包括与图7所示的电子装置10相同或相似的结构，这些相同或相似的结构将以相同或相似的标号来表示，且将不再详细地说明。举例而言，如图8所示，电子装置10可包括基板(未示出)以及设置于基板上的数据线110与门极线120。此外，电子装置10亦包括薄膜晶体管130，设置于基板上且包括半导体结构170和半导体结构180。半导体结构180可相对于半导体结构170呈镜像的方式设置。
在本实施例中，半导体结构180包括信道区181、源极区182和漏极区183，其中通道区181可位于源极区182和漏极区183之间，且与数据线110至少部分重叠。在一些实施例中，通道区181可以是半导体结构180与栅极线120重叠的部分，而源极区182和漏极区183位于栅极线120的两侧。在一些实施例中，源极区182与数据线110电性连接且不与栅极线120重叠。漏极区183可具有弯折的结构。举例而言，漏极区183具有第一部分183A和第二部分183B，第一部分183A沿第三方向D3延伸，而第二部分183B则沿第一方向D1(大致平行于Y轴，即为数据线110所延伸的方向)延伸。第二部分183B可介于第一部分183A及通道区181之间。在一些实施例中，第三方向D3可垂直于第二方向D2。如此一来，可缩短相邻半导体结构180之间的距离，借此可提高薄膜晶体管的设置密度。在一些实施例中，漏极区183可与数据线110至少部分重叠。
在一些实施例中，第三方向D3(即第一部分183A延伸的方向)和第一方向D1(即第二部分183B延伸的方向)之间夹有一角度θ，角度θ可为一锐角(换言之，角度θ可大于0°且小于90°，0°＜θ＜90°)。可参照与本公开以上所述的实施例(例如参照图3)相同的方式来决定角度θ的具体范围，以下将不再赘述。如此一来，可缩短相邻半导体结构170和半导体结构180之间的距离且不影响良率，借此可提高电子装置10的显示分辨率。在一些实施例中，漏极区183可与数据线110至少部分重叠。
图9显示根据本公开一些实施例的电子装置10的局部平面示意图。应理解的是，本实施例中的电子装置10可包括与图3所示的电子装置10相同或相似的结构，这些相同或相似的结构将以相同或相似的标号来表示，且将不再详细地说明。举例而言，如图9所示，电子装置10可包括基板(未示出)以及设置于基板上的数据线110与门极线120。此外，电子装置10亦包括薄膜晶体管130，设置于基板上且包括半导体结构140和半导体结构150。半导体结构150可相对于半导体结构140呈镜像的方式设置。
在一些实施例中，半导体结构140的源极区142以及半导体结构150的源极区152可具有弯折的结构且与数据线110重叠。举例而言，半导体结构140的源极区142可与半导体结构150的源极区152相交，但本公开并不限于此。在另一些实施例中,半导体结构140可与半导体结构150为共享源极。如此一来，可缩短相邻半导体结构140及/或半导体结构150之间的距离，以提高薄膜晶体管的设置密度。此外，半导体结构140的漏极区143以及半导体结构150的漏极区153可位于相邻的数据线110中央(即与相邻的数据线110的等距)，可降低半导体结构140的漏极区143以及半导体结构150的漏极区15与数据线110之间短路的几率。
应理解的是，虽然上述实施例仅示出电子装置10的部分配置，但所属技术领域中技术人员应可根据本公开的启示且在加强显示及/或触控效果的目的下，得以在本公开所述的结构中设置其他光学层及/或光学组件。这些由本公开所衍伸的配置亦涵盖于本公开的范围内。此外，本公开亦提供了数种不同的半导体结构，所属技术领域中技术人员应可在不违背本公开的启示的情况下，任意组合/排列这些半导体结构，且这些排列组合皆涵盖于本公开的范围内。
综上所述，本公开的实施例提供一种将源极区及/或漏极区的一部分设置与数据线之间夹有一锐角的电子装置。借由上述特征，可提高薄膜晶体管的设置密度，进而提高电子装置的分辨率。此外，在一些实施例中，可维持位于栅极在线的通道区的形状(例如在平面图中呈矩形或其他规则形状)，而降低影响其电性特征的几率。在一些实施例中，漏极区可设置在相邻数据线之间的中央，而可降低漏极区与数据线短路的风险。
虽然本公开的实施例及其优点已公开如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本公开的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本公开的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中技术人员可从本公开揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本公开使用。因此，本公开的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，且各实施例间特征只要不违背发明精神或相互冲突，均可任意混合搭配使用。另外，每一申权利要求构成个别的实施例，且本公开的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。

Claims (10)

1.一种电子装置，包括：
一基板；
一数据线及一栅极线，设置于该基板上，其中该数据线沿一第一方向延伸；以及
一薄膜晶体管，设置于该基板上且包括一半导体结构，其中该半导体结构包括一信道区、一源极区及一漏极区，其中该栅极线与该通道区重叠，该源极区与该数据线电性连接，该源极区和该漏极区位于该栅极线的两侧，
其中该源极区包括沿一第二方向延伸的一第一部分，且该第一方向与该第二方向之间夹有一锐角。
2.如权利要求1的电子装置，包括多个薄膜晶体管，该多个薄膜晶体管设置于该基板上且分别包括一半导体结构，该多个半导体结构的相邻两者之间具有一间距(P)以及一最短距离(Z)，该多个半导体结构具有一宽度(W)，且该锐角(θ)满足下列关系式：
3.如权利要求2的电子装置，其特征在于，该源极区包括沿该第一方向延伸的一第二部分，且该第二部分介于该第一部分及该通道区之间。
4.如权利要求2的电子装置，其特征在于，该源极区包括沿该第一方向延伸的一第二部分，且该第一部分介于该第二部分及该通道区之间。
5.如权利要求2的电子装置，其特征在于，该多个半导体结构的其中一者具有沿该第二方向延伸的一倾斜部分，该倾斜部分沿该第一方向上具有一长度(L)，该多个半导体结构的该其中一者的该源极区和该漏极区之间沿该栅极线的一延伸方向上具有一距离(X)，且该锐角(θ)满足下列关系式：
6.如权利要求5的电子装置，其特征在于，该源极区包括沿该第一方向延伸的一第二部分，且该第一部分介于该第二部分及该通道区之间。
7.如权利要求5的电子装置，其特征在于，在该第一方向上，该倾斜部分的该长度大于或等于该栅极线的一宽度。
8.如权利要求5的电子装置，其特征在于，该信道区沿该第二方向延伸。
9.如权利要求1的电子装置，其特征在于，该漏极区包括沿该第二方向延伸的一第一部分。
10.一种电子装置，包括：
一基板；
一数据线及一栅极线，设置于该基板上，其中该数据线沿一第一方向延伸；以及
一薄膜晶体管，设置于该基板上且包括一半导体结构，其中该半导体结构包括一信道区、一源极区及一漏极区，其中该栅极线与该信道区重叠，该信道区与该数据线至少部分重叠，该源极区与该数据线电性连接，且该源极区和该漏极区位于该栅极线的两侧，其中该漏极区包括沿一第二方向延伸的一第一部分，且该第一方向与该第二方向之间夹有一锐角。
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