CN118129621A - 晶圆外延层厚度测算方法、装置、计算机设备及存储介质 - Google Patents

晶圆外延层厚度测算方法、装置、计算机设备及存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN118129621A
CN118129621A CN202410560289.6A CN202410560289A CN118129621A CN 118129621 A CN118129621 A CN 118129621A CN 202410560289 A CN202410560289 A CN 202410560289A CN 118129621 A CN118129621 A CN 118129621A
Authority
CN
China
Prior art keywords
extreme
epitaxial layer
thickness
wafer
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202410560289.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN118129621B (zh
Inventor
朱亮
王悦
张鹏鹏
杨武林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Qiushi Semiconductor Equipment Co Ltd
Original Assignee
Zhejiang Qiushi Semiconductor Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Qiushi Semiconductor Equipment Co Ltd filed Critical Zhejiang Qiushi Semiconductor Equipment Co Ltd
Priority to CN202410560289.6A priority Critical patent/CN118129621B/zh
Publication of CN118129621A publication Critical patent/CN118129621A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN118129621B publication Critical patent/CN118129621B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0675—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating using interferometry
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/60—Analysis of geometric attributes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本申请涉及一种晶圆外延层厚度测算方法、装置、计算机设备及存储介质，方法包括：获取待测晶圆对应的光学参数、测量参数以及待测晶圆外延层的反射光谱；获取反射光谱中满足预设条件的第一条纹极值点以及第二条纹极值点；预设条件包括：预设波数区间内最大波数间隔对应的条纹极值点；根据光学参数、测量参数、第一条纹极值点、第二条纹极值点、反射光谱以及预设外延层厚度表达式，确定待测晶圆的外延层厚度；基于此，能够有效降低系统误差对晶圆外延层厚度测算结果的影响，提高了晶圆外延层厚度测算结果的准确性。

Description

晶圆外延层厚度测算方法、装置、计算机设备及存储介质
技术领域
本申请涉及厚度测量技术领域，特别是涉及一种晶圆外延层厚度测算方法、装置、计算机设备及存储介质。
背景技术
在半导体工业中，基于干涉条纹法测量晶圆外延层的厚度是目前的一种主流技术。由于晶圆外延层具有一定的光学透明性，且衬底同外延层有着不同的折射率，因此入射到外延层的光能够进入外延层，并在内部产生多次反射；基于此，可以利用光谱仪器中的探测器检测由晶圆外延层反射的光线；探测器接收到的光中蕴含了同外延层厚度相关的信息，通过分析干涉条纹便能够反演得到晶圆外延层厚度。
现有技术中，基于晶圆外延层对应的反射光谱，提取反射光谱中存在的多个极值点，并利用多个极值点计算出多个厚度值；进一步，根据多个厚度值确定出晶圆外延层对应的最终厚度；然而在实际应用中，基于多个厚度值计算晶圆外延层的厚度时，会因光谱仪器分辨率不足而引入较大的系统误差，进而导致晶圆外延层厚度的测算结果准确性较低。
针对现有技术中存在的晶圆外延层厚度测算结果准确性较低的问题，目前还没有提出有效的解决方案。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种晶圆外延层厚度测算方法、装置、计算机设备及存储介质。
第一方面，本申请提供了一种晶圆外延层厚度测算方法，所述方法包括：
获取待测晶圆对应的光学参数、测量参数以及所述待测晶圆外延层的反射光谱；
获取所述反射光谱中满足预设条件的第一条纹极值点以及第二条纹极值点；所述预设条件包括：预设波数区间内最大波数间隔对应的条纹极值点；
根据所述光学参数、测量参数、第一条纹极值点、第二条纹极值点、反射光谱以及预设外延层厚度表达式，确定所述待测晶圆的外延层厚度。
在其中一个实施例中，所述获取所述待测晶圆外延层的反射光谱，包括：
获取所述待测晶圆外延层在目标分辨率下的待测光强信号；
对所述待测光强信号进行傅里叶变换，确定所述待测晶圆外延层的原始反射光谱；
获取目标分辨率下的目标背景光谱；
根据所述目标背景光谱以及原始反射光谱，确定所述待测晶圆外延层的反射光谱。
在其中一个实施例中，所述获取目标分辨率下的目标背景光谱，包括：
获取目标分辨率；
根据所述目标分辨率，确定所述目标分辨率下的目标背景光强信号；
对所述目标背景光强信号进行傅里叶变换，确定所述目标分辨率下的目标背景光谱。
在其中一个实施例中，所述方法还包括：
获取样品晶圆对应的样品光学参数、样品测量参数以及样品晶圆外延层的样品反射光谱；
根据所述样品反射光谱，确定标定波数区间内多个干涉条纹极值点；
根据所述样品反射光谱、样品光学参数、样品测量参数以及多个所述干涉条纹极值点，确定两两条纹极值点对应的最小厚度误差；
根据两两条纹极值点对应的最小厚度误差，确定所述预设条件。
在其中一个实施例中，所述根据所述样品反射光谱、样品光学参数、样品测量参数以及多个所述干涉条纹极值点，确定两两条纹极值点对应的最小厚度误差，包括：
根据所述样品反射光谱，确定第三条纹极值点对应的第一极值参数以及第四条纹极值点对应的第二极值参数；所述第三条纹极值点为标定波数区间内第一个干涉条纹极值点或最后一个干涉条纹极值点；所述第四条纹极值点为多个所述干涉条纹极值点中除所述第三条纹极值点以外的任一干涉条纹极值点；
根据所述样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数以及第二极值参数，确定两两条纹极值点对应的理论厚度以及测算厚度；
根据两两条纹极值点对应的理论厚度以及测算厚度，确定两两条纹极值点对应的厚度误差；
根据两两条纹极值点对应的厚度误差，确定最小厚度误差。
在其中一个实施例中，所述根据所述样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数以及第二极值参数，确定两两条纹极值点对应的理论厚度以及测算厚度，包括：
获取分辨率误差；
根据所述样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数、第二极值参数以及分辨率误差，确定两两条纹极值点对应的理论厚度；
根据所述样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数以及第二极值参数，确定两两条纹极值点对应的测算厚度。
在其中一个实施例中，所述根据两两条纹极值点对应的最小厚度误差，确定所述预设条件，包括：
获取最小厚度误差对应的目标条纹极值点；
根据所述目标条纹极值点，确定所述预设条件。
第二方面，本申请还提供了一种晶圆外延层厚度测算装置，所述装置包括：
第一获取模块，用于获取待测晶圆对应的光学参数、测量参数以及所述待测晶圆外延层的反射光谱；
第二获取模块，用于获取所述反射光谱中满足预设条件的第一条纹极值点以及第二条纹极值点；所述预设条件包括：预设波数区间内最大波数间隔对应的条纹极值点；
确定模块，用于根据所述光学参数、测量参数、第一条纹极值点、第二条纹极值点、反射光谱以及预设外延层厚度表达式，确定所述待测晶圆的外延层厚度。
第三方面，本申请还提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述第一方面任意一项实施例中所述的方法。
第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述第一方面任意一项实施例中所述的方法。
上述晶圆外延层厚度测算方法、装置、计算机设备及存储介质，首先，获取待测晶圆对应的光学参数、测量参数以及待测晶圆外延层的反射光谱；其次，获取反射光谱中满足预设条件的第一条纹极值点以及第二条纹极值点；其中，预设条件包括：预设波数区间内最大波数间隔对应的条纹极值点；进一步，根据光学参数、测量参数、第一条纹极值点、第二条纹极值点、反射光谱以及预设外延层厚度表达式，确定待测晶圆的外延层厚度；基于此，能够有效降低系统误差对晶圆外延层厚度测算结果的影响，提高了晶圆外延层厚度测算结果的准确性。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解。构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为一个实施例中晶圆外延层厚度测算方法的流程示意图；
图2为一个实施例中碳化硅外延层的反射光谱图；
图3为一个实施例中光谱仪器的结构示意图；
图4为一个实施例中确定预设条件的流程示意图；
图5为一个实施例中分辨率误差原理图；
图6为一个具体实施例中碳化硅外延层厚度测算原理示意图；
图7为一个实施例中晶圆外延层厚度测算装置的结构框图；
图8为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
附图标记说明：
101、红外光源；102、第一定平面镜；103、光阑；104、第二定平面镜；105、分束器；106、第三定平面镜；107、动平面镜；108、第四定平面镜；109、载台；110、检测器；701、第一获取模块；702、第二获取模块；703、确定模块。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
除另作定义外，本申请所涉及的技术术语或者科学术语应具有本申请所属技术领域具备一般技能的人所理解的一般含义。在本申请中的“一”、“一个”、“一种”、“该”、“这些”等类似的词并不表示数量上的限制，它们可以是单数或者复数。在本申请中所涉及的术语“包括”、“包含”、“具有”及其任何变体，其目的是涵盖不排他的包含；例如，包含一系列步骤或模块（单元）的过程、方法和系统、产品或设备并未限定于列出的步骤或模块（单元），而可包括未列出的步骤或模块（单元），或者可包括这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或模块（单元）。在本申请中所涉及的“连接”、“相连”、“耦接”等类似的词语并不限定于物理的或机械连接，而可以包括电气连接，无论是直接连接还是间接连接。在本申请中所涉及的“多个”是指两个或两个以上。“和/或”描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，“A和/或B”可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。通常情况下，字符“/”表示前后关联的对象是一种“或”的关系。在本申请中所涉及的术语“第一”、“第二”、“第三”等，只是对相似对象进行区分，并不代表针对对象的特定排序。
在一个实施例中，如图1所示，图1为一个实施例中晶圆外延层厚度测算方法的流程示意图；晶圆外延层厚度测算方法包括以下步骤：
步骤S101，获取待测晶圆对应的光学参数、测量参数以及待测晶圆外延层的反射光谱。
其中，待测晶圆，可以但不限于是碳化硅，在此不做具体限定；待测晶圆对应的光学参数至少包括待测晶圆外延层折射率；测量参数至少包括空气折射率以及光线入射角；其中，光线入射角的大小，需要根据实际测算情况进行设定，在此不做具体限定；待测晶圆的反射光谱，用于表征待测晶圆外延层表面反射率随波长或波数变化的信息；示例的，以碳化硅为例，碳化硅外延层的反射光谱如图2所示，纵轴表示反射率，横轴表示波数；从图中可以看出碳化硅外延层表面的反射率随波数变化的信息。
步骤S102，获取反射光谱中满足预设条件的第一条纹极值点以及第二条纹极值点。
其中，预设条件包括：预设波数区间内最大波数间隔对应的条纹极值点；其中，条纹极值点，为干涉条纹极大值点；预设波数区间，指反射光谱中反射率相对稳定时对应的波数范围；示例的，以图2为例，可选的，预设波数区间可以设定为2400cm-1-3400cm-1波数范围内；需要说明的是，预设波数区间，需要根据实际反射光谱测量情况进行设定，在此不做具体限定；波数间隔，指反射光谱中预设波数区间内，第i个干涉条纹极大值点与选定的第1个干涉条纹极大值点之间的波数间隔；可以理解的是，预设波数区间内最大波数间隔对应的条纹极值点，指反射光谱中预设波数区间内波数间隔最大的两个干涉条纹极大值点。需要说明的是，选定的第1个干涉条纹极大值点，需要根据实际测算需求进行设定，在此不做具体限定；示例的，假设预设波数区间内存在5个干涉条纹极大值点，则选定的第1个干涉条纹极大值点可以为预设波数区间内第1个干涉条纹极大值点，也可以为预设波数区间内最后一个干涉条纹极大值点即第5个干涉条纹极大值点。
其中，第一条纹极值点以及第二条纹极值点，为满足预设条件对应的两个干涉条纹极大值点；第一条纹极值点，为预设波数区间内第1个干涉条纹极大值点；第二条纹极值点，为预设波数区间内与第一条纹极值点的波数间隔最大的干涉条纹极大值点。
步骤S103，根据光学参数、测量参数、第一条纹极值点、第二条纹极值点、反射光谱以及预设外延层厚度表达式，确定待测晶圆的外延层厚度。
其中，预设外延层厚度表达式，用于表征待测晶圆外延层厚度与待测晶圆外延层对应的反射光谱中干涉条纹波长之间的映射关系。优选的，基于薄膜干涉原理，预设外延层厚度表达式如式（1）所示：
（1）
其中，，表示第i个干涉条纹极大值点对应的待测晶圆外延层厚度；n1，表示待测晶圆外延层表面的折射率；n0，表示空气折射率；/>，表示光线入射角；/>，表示选定的第1个干涉条纹极大值点对应的波长值；/>，表示第i个干涉条纹极大值点对应的波长值；/>，表示选定的第1个干涉条纹极大值点对应的波数值；/>，表示第i个干涉条纹极大值点对应的波数值；/>，表示选定的第1个干涉条纹极大值点对应的级数；/>，表示第i个干涉条纹极大值点对应的级数；m，表示预设波数区间内干涉条纹极大值点的数目。
示例的，根据待测晶圆外延层的反射光谱，可以得到第一条纹极值点，以及第二条纹极值点；其中，第一条纹极值点与第二条纹极值点满足预设条件；根据第一条纹极值点、第二条纹极值点以及反射光谱，确定第一条纹极值点对应的波长值、波数值以及级数以及第二条纹极值点对应的波长值、波数值以及级数；进一步，将待测晶圆对应的光学参数、测量参数、以及第一条纹极值点和第二条纹极值点各自对应的波长值、波数值和级数，分别代入公式（1）中，以确定待测晶圆的外延层厚度。
本实施例中，基于预设条件，能够准确筛选出满足预设条件的第一条纹极值点以及第二条纹极值点，基于此能够实现待测晶圆外延层厚度测算结果误差最小化，为提高待测晶圆外延层厚度测算结果的准确性奠定了基础；基于第一条纹极值点、第二条纹极值点以及预设外延层厚度表达式，确定待测晶圆的外延层厚度，避免了在光谱仪器分辨率不足的情况下，使用多个带有系统误差的厚度值以确定待测晶圆外延层厚度时测算结果准确性较低的问题；有效降低了系统误差对晶圆外延层厚度测算结果的影响，提高了晶圆外延层厚度测算结果的准确性。
在一个实施例中，获取待测晶圆外延层的反射光谱，包括以下步骤：
步骤1，获取待测晶圆外延层在目标分辨率下的待测光强信号。
步骤2，对待测光强信号进行傅里叶变换，确定待测晶圆外延层的原始反射光谱。
步骤3，获取目标分辨率下的目标背景光谱。
步骤4，根据目标背景光谱以及原始反射光谱，确定待测晶圆外延层的反射光谱。
其中，分辨率，用于表示反射光谱中最小可区分波数之间的间隔；可以理解的是，分辨率越高，意味着能够更准确地识别出干涉条纹极值点的位置；但在实际应用中，分辨率并不会无穷小，进而会导致待测晶圆外延层厚度测算结果中存在因分辨率引入的系统误差。需要说明的是，分辨率，与光谱仪器中动平面镜最大移动距离相关，即动平面镜最大移动距离越大，分辨率越高。目标分辨率，指动平面镜的目标最大移动距离对应的分辨率；其中，目标最大移动距离，需要根据实际测算需求以及光谱仪器性能进行设定，在此不做具体限定。待测光强信号，指在目标分辨率下通过光谱仪器探测到的多个光斑强度信号，即动平面镜沿光路由0逐渐移动至L的过程中，通过光谱仪器探测到的多个光斑强度信号；其中，L，指动平面镜的目标最大移动距离。
需要说明的是，光谱仪器可以但不限于是傅里叶红外光谱仪；示例的，参看图3，以傅里叶红外光谱仪为例，傅里叶红外光谱仪至少包括红外光源101、第一定平面镜102、光阑103、第二定平面镜104、分束器105、第三定平面镜106、动平面镜107、第四定平面镜108、载台109以及检测器110；由红外光源101发出的光线，按照如图3所示的光路进行传播，最终由载台109上的待测晶圆或平面镜反射至检测器110，通过检测器110可以获取对应的光强信号。其中，红外光源101中的宽谱光源，经傅里叶红外光谱仪内部光路后，可以形成宽谱的干涉光；其中，红外光源中的宽谱光源，指在红外波段范围内包含多个不同波长的光；光阑103，用于控制光通量的大小，即光强的大小；第一定平面镜102、第二定平面镜104以及第四定平面镜108，用于折叠光路；第三定平面镜106，用于固定光路；动平面镜107，用于确保傅里叶红外光谱仪中两路光具有恒定的相位差以形成干涉信号。
其中，目标背景光谱，指在目标分辨率下，将平面镜置于载台109上，通过检测器110采集的空气背景光谱；需要说明的是，目标背景光谱的存在，可能会影响对待测晶圆外延层反射光谱的准确测量和分析；因此，需要对目标背景光谱进行消除，以得到消除目标背景光谱后的待测晶圆外延层的反射光谱，基于此可以确保待测晶圆外延层反射光谱的可靠性。
优选的，步骤3，获取目标分辨率下的目标背景光谱，包括以下步骤：
步骤3.1，获取目标分辨率。
步骤3.2，根据目标分辨率，确定目标分辨率下的目标背景光强信号。
步骤3.3，对目标背景光强信号进行傅里叶变换，确定目标分辨率下的目标背景光谱。
其中，目标分辨率，指动平面镜107的目标最大移动距离L对应的分辨率。
示例的，获取目标分辨率，将平面镜置于载台109上，并按照0-L的移动范围沿光路移动动平面镜107，以获取目标分辨率下的目标背景光强信号，目标背景光强信号对应的数学表达式如式（2）所示；进一步，将载台109上的平面镜替换成待测晶圆，通过检测器110获取待测晶圆外延层在目标分辨率下的待测光强信号；需要说明的是，由于待测晶圆外延层会发生薄膜干涉现象，当载台109上放置待测晶圆时，光程差会发生相应的改变；基于此，实际光程差/>等于待测晶圆外延层对应的光程差/>与动平面镜107移动过程中引入的光程差/>的总和，即/>；其中，待测晶圆外延层对应的光程差/>与待测晶圆外延层厚度相关；进一步，对待测光强信号以及目标背景光强信号/>分别进行傅里叶变换，将待测光强信号以及目标背景光强信号/>转换至频域，以得到目标分辨率下的待测晶圆外延层的原始反射光谱以及目标背景光谱；将待测晶圆外延层的原始反射光谱以及目标背景光谱相除，确定待测晶圆外延层的反射光谱。
（2）
其中，，表示目标分辨率下的目标背景光强信号；/>，表示动平面镜107移动过程中引入的光程差；/>，表示红外光源的波长值；/>，表示红外光源不同波长相关光对应的强度。
本实施例中，基于目标分辨率，能够准确确定目标分辨率下的目标背景光强信号、以及目标背景光强信号对应的目标背景光谱；基于目标背景光谱，能够有效消除目标背景光谱对待测晶圆外延层反射光谱的影响，提高了待测晶圆外延层反射光谱的可靠性，为提高待测晶圆外延层厚度测算结果的准确性以及可靠性奠定了基础。
在一个实施例中，如图4所示，图4为一个实施例中确定预设条件的流程示意图；晶圆外延层厚度测算方法还包括以下步骤：
步骤S401，获取样品晶圆对应的样品光学参数、样品测量参数以及样品晶圆外延层的样品反射光谱。
其中，样品晶圆可以但不限于是碳化硅样品，在此不做具体限定；样品光线参数至少包括样品晶圆外延层折射率；样品测量参数至少包括空气折射率以及光线入射角；样品反射光谱，用于表征样品晶圆外延层表面反射率随波长或波数变化的信息。
需要说明的是，为确保样品反射光谱的可靠性，需要消除背景光谱对样品反射光谱的影响，具体实现过程与上述实施例中待测晶圆外延层的反射光谱确定方式相同，在此不再赘述。
步骤S402，根据样品反射光谱，确定标定波数区间多个干涉条纹极值点。
其中，干涉条纹极值点，为干涉条纹极大值点。
具体的，根据样品反射光谱，确定标定波数区间内多个干涉条纹极值大点；其中，标定波数区间，指反射光谱中反射率相对稳定时对应的波数范围；标定波数区间，需要根据实际测算需求进行设定，在此不做具体限定。
步骤S403，根据样品反射光谱、样品光学参数、样品测量参数以及多个干涉条纹极值点，确定两两条纹极值点对应的最小厚度误差。
其中，两两条纹极值点，指两两干涉条纹极大值点。
具体的，根据样品反射光谱、样品光学参数、样品测量参数以及多个干涉条纹极值点，确定两两干涉条纹极大值点对应的理论厚度以及测算厚度；根据两两条纹极大值点对应的理论厚度以及测算厚度，确定两两干涉条纹极大值点对应的厚度误差；进而根据两两干涉条纹极大值点对应的厚度误差，确定出最小厚度误差。
步骤S404，根据两两条纹极值点对应的最小厚度误差，确定预设条件。
其中，预设条件包括：预设波数区间内最大波数间隔对应的条纹极值点。需要说明的是，基于满足预设条件的条纹极值点进行待测晶圆外延层厚度测算，得到的待测晶圆外延层厚度测算结果对应的误差最小。需要说明的是，预设波数区间可以与标定波数区间相同也可以不同，需要根据实际测算需求进行设定，在此不做具体限定。
示例的，获取样品晶圆外延层的样品反射光谱；根据样品反射光谱，在标定波数区间内，确定多个干涉条纹极大值点；进一步，根据样品晶圆对应的样品光学参数、样品测量参数以及多个干涉条纹极大值点，确定两两干涉条纹极大值点对应的厚度误差，并确定最小厚度误差；进一步，根据最小厚度误差，确定预设条件。
本实施例中，基于样品晶圆对应的样品反射光谱，能够确定样品反射光谱中标定波数区间内的多个干涉条纹极大值点；基于多个干涉条纹极大值点，能够准确确定出两两干涉条纹极大值点对应的最小厚度误差，进而根据最小厚度误差得出实现晶圆外延层厚度测算对应的预设条件，为提高待测晶圆外延层厚度测算结果的准确性奠定了基础。
在一个实施例中，根据样品反射光谱、样品光学参数、样品测量参数以及多个干涉条纹极值点，确定两两条纹极值点对应的最小厚度误差，包括以下步骤：
步骤1，根据样品反射光谱，确定第三条纹极值点对应的第一极值参数以及第四条纹极值点对应的第二极值参数。
其中，第三条纹极值点为标定波数区间内第一个干涉条纹极值点或最后一个干涉条纹极值点；第四条纹极值点为多个干涉条纹极值点中除第三条纹极值点以外的任一干涉条纹极值点；其中，干涉条纹极值点，为干涉条纹极大值点；示例的，假设标定波数区间内存在m个干涉条纹极大值点，将第1个干涉条纹极大值点作为第三条纹极值点，则第四条纹极值点为第i个干涉条纹极大值点（i=2,3,…,m）。
其中，第一极值参数，至少包括第三条纹极值点对应的波长值、波数值以及级数；第二条纹极值参数，至少包括第四条纹极值点对应的波长值、波数值以及级数，需要说明的是，第一极值参数以及第二极值参数，均属于实际测算过程中得到的相关参数。
步骤2，根据样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数以及第二极值参数，确定两两条纹极值点对应的理论厚度以及测算厚度。
其中，两两条纹极值点对应的理论厚度以及测算厚度，包括第三条纹极值点与每一第四条纹极值点对应的理论厚度以及测算厚度；其中，两两条纹极值点对应的测算厚度，为实际计算得到的厚度值，可以基于公式（1），根据样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数以及第二极值参数直接确定；两两条纹极值点对应的理论厚度，为理想厚度值；需要说明的是，在确定两两条纹极值点对应的理论厚度时，需要考虑分辨率引入的系统误差。
步骤3，根据两两条纹极值点对应的理论厚度以及测算厚度，确定两两条纹极值点对应的厚度误差。
步骤4，根据两两条纹极值点对应的厚度误差，确定最小厚度误差。
优选的，步骤2，根据样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数以及第二极值参数，确定两两条纹极值点对应的理论厚度以及测算厚度，包括以下步骤：
步骤2.1，获取分辨率误差。
其中，分辨率误差，指因分辨率引入的系统误差；最大分辨率误差，等于分辨率的大小。
示例的，参看图5，假设分辨率为，在极限情况下，若某一干涉条纹极大值点采集到了Wa的位置，与其相邻的干涉条纹极大值点采集到了Wb的位置，则此时最大分辨率误差等于分辨率/>。
步骤2.2，根据样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数、第二极值参数以及分辨率误差，确定两两条纹极值点对应的理论厚度。
步骤2.3，根据样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数以及第二极值参数，确定两两条纹极值点对应的测算厚度。
示例的，假设标定波数区间内存在m个干涉条纹极大值点，第三条纹极值点为第1个干涉条纹极大值点，则第四条纹极值点为第i个干涉条纹极大值点（i=2,3,…,m），并假设分辨率为；当干涉条纹极大值点的真值未落在分辨率/>下的采样点上时，读取干涉条纹极大值点的位置就会存在分辨率误差，最大分辨率误差等于分辨率/>；基于此，根据样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数、第二极值参数以及分辨率误差，可以确定两两条纹极值点即第三条纹极值点与每一第四条纹极值点对应的测算厚度/>，如公式（3）所示，以及两两条纹极值点即第三条纹极值点与每一第四条纹极值点对应的理论厚度，如公式（4）所示。
（3）
（4）
其中，，表示第三条纹极值点与每一第四条纹极值点对应的测算厚度；，表示第三条纹极值点与每一第四条纹极值点对应的理论厚度，n1，表示样品晶圆外延层表面的折射率；n0，表示空气折射率；/>，表示光线入射角；/>，表示第三条纹极值点对应的波长值；/>，表示第四条纹极值点对应的波长值；/>，表示第三条纹极值点对应的波数值；/>，表示第四条纹极值点对应的波数值；/>，表示第三条纹极值点对应的级数；/>，表示第四条纹极值点对应的级数；m，表示标定波数区间内干涉条纹极大值点的数目。需要说明的是，/>、/>、/>、/>、/>以及/>，均属于实际测量值。
进一步的，基于公式（3）-（4），可以确定两两条纹极值点即第三条纹极值点与每一第四条纹极值点对应的厚度误差，如式（5）所示。
（5）
其中，每一第四条纹极值点与第三条纹极值点之间的波数间隔，可以通过每一第四条纹极值点以及第三条纹极值点相应的级数与波数差进行表示，即；根据/>，化简公式（5），得到化简后的厚度误差/>，如式（6）所示。
（6）
其中，波数差，为相邻两个干涉条纹极大值之间的波数差值；需要说明的是，一般地，样品晶圆或待测晶圆厚度值不变的情况下，光谱仪器探测到的反射光谱中的干涉条纹呈周期震荡形式，因此波数差/>可以视为常数。
进一步的，基于公式（6）可以得出，当最大时，即第四条纹极值点与第三条纹极值点之间的波数间隔最大时，厚度误差/>最小；基于此，可以得出，最大波数间隔为/>，最小厚度误差为/>。示例的，假设样品晶圆外延层厚度为10μm，分辨率为/>，样品晶圆外延层表面的折射率n1=2.55，空气折射率n0=2，光线入射角/>，经验波数差/>，预设波数区间内存在5个干涉条纹极大值点，/>=1，/>，经计算，可以得出两两条纹极值点对应的厚度误差，如表1所示；根据表1可以得出，最小厚度误差为/>=0.1008μm。
表1 两两条纹极值点对应的厚度误差结果表
本实施例中，根据样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数以及第二极值参数，依次分析了两两条纹极值点即第三条纹极值点与每一第四条纹极值点对应的厚度误差；基于多个厚度误差，得出当第四条纹极值点与第三条纹极值点之间的波数间隔最大时，厚度误差最小；基于此，为准确确定预设条件奠定了基础。
在一个实施例中，根据两两条纹极值点对应的最小厚度误差，确定预设条件，包括以下步骤：
步骤1，获取最小厚度误差对应的目标条纹极值点。
步骤2，根据目标条纹极值点，确定预设条件。
具体的，根据最小厚度误差以及最大波数间隔/>，可以确定满足最大波数间隔为/>对应的两个干涉条纹极大值点，即标定波数区间内第1个干涉条纹极大值点以及第m个干涉条纹极大值点；进而将满足最大波数间隔为/>对应的两个干涉条纹极大值点，作为目标条纹极值点；基于此，将预设波数区间内最大波数间隔对应的干涉条纹极大值点设定为预设条件，以提高晶圆外延层厚度测算的准确性；需要说明的是，预设波数区间可以与标定波数区间相同也可以不同，需要根据实际测算需求进行设定，在此不做具体限定。
本实施例中，基于最小厚度误差以及最大波数间隔/>，可以得出实现晶圆外延层厚度测算结果误差最小时对应的预设条件，避免了在光谱仪器分辨率不足的情况下，采用多个带有系统误差的厚度值以确定晶圆外延层厚度时误差过大且测算效率较低的问题，提高了晶圆外延层厚度测算结果的准确性以及测算效率。
在一个具体实施例中，以碳化硅SiC为例，碳化硅外延层厚度测算原理示意图，如图6所示；入射光线从A处入射，光线入射角为θ，一部分光线经碳化硅外延层表面反射，另一部光线经折射后在碳化硅衬底和外延层界面B处反射，并由C处射出；通过检测器110可以检测到碳化硅外延层表面对应的待测光强信号，基于此，按照上述实施例中晶圆外延层厚度测算方法，即可确定碳化硅的外延层厚度。
上述晶圆外延层厚度测算方法，第一方面，基于第一条纹极值点、第二条纹极值点以及预设外延层厚度表达式，确定待测晶圆的外延层厚度，能够有效降低系统误差对晶圆外延层厚度测算结果的影响，提高了晶圆外延层厚度测算结果的准确性。第二方面，基于目标背景光谱，能够有效消除目标背景光谱对待测晶圆外延层反射光谱的影响，提高了待测晶圆外延层反射光谱的可靠性，为提高待测晶圆外延层厚度测算结果的准确性以及可靠性奠定了基础。第三方面，基于两两条纹极值点即第三条纹极值点与每一第四条纹极值点对应的厚度误差，得出当第四条纹极值点与第三条纹极值点之间的波数间隔最大时，厚度误差最小；进而基于最小厚度误差/>以及最大波数间隔/>，可以得出实现晶圆外延层厚度测算结果误差最小时对应的预设条件，避免了因采用多个带有系统误差的厚度值以确定晶圆外延层厚度时误差过大且测算效率较低的问题，提高了晶圆外延层厚度测算结果的准确性以及测算效率。
应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的晶圆外延层厚度测算方法的晶圆外延层厚度测算装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个晶圆外延层厚度测算装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于晶圆外延层厚度测算方法的限定，在此不再赘述。
在一个实施例中，如图7所示，图7为一个实施例中晶圆外延层厚度测算装置的结构框图；一种晶圆外延层厚度测算装置包括：第一获取模块701、第二获取模块702以及确定模块703；
第一获取模块701，用于获取待测晶圆对应的光学参数、测量参数以及待测晶圆外延层的反射光谱；
第二获取模块702，用于获取反射光谱中满足预设条件的第一条纹极值点以及第二条纹极值点；预设条件包括：预设波数区间内最大波数间隔对应的条纹极值点；
确定模块703，用于根据光学参数、测量参数、第一条纹极值点、第二条纹极值点、反射光谱以及预设外延层厚度表达式，确定待测晶圆的外延层厚度。
在一个实施例中，第一获取模块701，还用于
获取待测晶圆外延层在目标分辨率下的待测光强信号；
对待测光强信号进行傅里叶变换，确定待测晶圆外延层的原始反射光谱；
获取目标分辨率下的目标背景光谱；
根据目标背景光谱以及原始反射光谱，确定待测晶圆外延层的反射光谱。
在一个实施例中，第一获取模块701，还用于
获取目标分辨率；
根据目标分辨率，确定目标分辨率下的目标背景光强信号；
对目标背景光强信号进行傅里叶变换，确定目标分辨率下的目标背景光谱。
在一个实施例中，晶圆外延层厚度测算装置还包括预设条件确定模块，
预设条件确定模块，用于获取样品晶圆对应的样品光学参数、样品测量参数以及样品晶圆外延层的样品反射光谱；
根据样品反射光谱，确定标定波数区间内多个干涉条纹极值点；
根据样品反射光谱、样品光学参数、样品测量参数以及多个干涉条纹极值点，确定两两条纹极值点对应的最小厚度误差；
根据两两条纹极值点对应的最小厚度误差，确定预设条件。
在一个实施例中，预设条件确定模块，还用于
根据样品反射光谱，确定第三条纹极值点对应的第一极值参数以及第四条纹极值点对应的第二极值参数；第三条纹极值点为标定波数区间内第一个干涉条纹极值点或最后一个干涉条纹极值点；第四条纹极值点为多个干涉条纹极值点中除第三条纹极值点以外的任一干涉条纹极值点；
根据样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数以及第二极值参数，确定两两条纹极值点对应的理论厚度以及测算厚度；
根据两两条纹极值点对应的理论厚度以及测算厚度，确定两两条纹极值点对应的厚度误差；
根据两两条纹极值点对应的厚度误差，确定最小厚度误差。
在一个实施例中，预设条件确定模块，还用于
获取分辨率误差；
根据样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数、第二极值参数以及分辨率误差，确定两两条纹极值点对应的理论厚度；
根据样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数以及第二极值参数，确定两两条纹极值点对应的测算厚度。
在一个实施例中，预设条件确定模块，还用于
获取最小厚度误差对应的目标条纹极值点；
根据目标条纹极值点，确定预设条件。
上述晶圆外延层厚度测算装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是服务器，其内部结构图可以如图8所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器和网络接口。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储晶圆外延层厚度测算相关的数据。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种晶圆外延层厚度测算方法。
在一个实施例中，还提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现上述各方法实施例中的步骤。
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述各方法实施例中的步骤。
需要说明的是，本申请所涉及的用户信息（包括但不限于用户设备信息、用户个人信息等）和数据（包括但不限于用于分析的数据、存储的数据、展示的数据等），均为经用户授权或者经过各方充分授权的信息和数据。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器（Read-OnlyMemory，ROM）、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器（ReRAM）、磁变存储器（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）、铁电存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）、相变存储器（Phase Change Memory，PCM）、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）或动态随机存取存储器（Dynamic RandomAccess Memory，DRAM）等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种晶圆外延层厚度测算方法，其特征在于，所述方法包括：
获取待测晶圆对应的光学参数、测量参数以及所述待测晶圆外延层的反射光谱；
获取所述反射光谱中满足预设条件的第一条纹极值点以及第二条纹极值点；所述预设条件包括：预设波数区间内最大波数间隔对应的条纹极值点；
根据所述光学参数、测量参数、第一条纹极值点、第二条纹极值点、反射光谱以及预设外延层厚度表达式，确定所述待测晶圆的外延层厚度。
2.根据权利要求1所述的晶圆外延层厚度测算方法，其特征在于，所述获取所述待测晶圆外延层的反射光谱，包括：
获取所述待测晶圆外延层在目标分辨率下的待测光强信号；
对所述待测光强信号进行傅里叶变换，确定所述待测晶圆外延层的原始反射光谱；
获取目标分辨率下的目标背景光谱；
根据所述目标背景光谱以及原始反射光谱，确定所述待测晶圆外延层的反射光谱。
3.根据权利要求2所述的晶圆外延层厚度测算方法，其特征在于，所述获取目标分辨率下的目标背景光谱，包括：
获取目标分辨率；
根据所述目标分辨率，确定所述目标分辨率下的目标背景光强信号；
对所述目标背景光强信号进行傅里叶变换，确定所述目标分辨率下的目标背景光谱。
4.根据权利要求1所述的晶圆外延层厚度测算方法，其特征在于，所述方法还包括：
获取样品晶圆对应的样品光学参数、样品测量参数以及样品晶圆外延层的样品反射光谱；
根据所述样品反射光谱，确定标定波数区间内多个干涉条纹极值点；
根据所述样品反射光谱、样品光学参数、样品测量参数以及多个所述干涉条纹极值点，确定两两条纹极值点对应的最小厚度误差；
根据两两条纹极值点对应的最小厚度误差，确定所述预设条件。
5.根据权利要求4所述的晶圆外延层厚度测算方法，其特征在于，所述根据所述样品反射光谱、样品光学参数、样品测量参数以及多个所述干涉条纹极值点，确定两两条纹极值点对应的最小厚度误差，包括：
根据所述样品反射光谱，确定第三条纹极值点对应的第一极值参数以及第四条纹极值点对应的第二极值参数；所述第三条纹极值点为标定波数区间内第一个干涉条纹极值点或最后一个干涉条纹极值点；所述第四条纹极值点为多个所述干涉条纹极值点中除所述第三条纹极值点以外的任一干涉条纹极值点；
根据所述样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数以及第二极值参数，确定两两条纹极值点对应的理论厚度以及测算厚度；
根据两两条纹极值点对应的理论厚度以及测算厚度，确定两两条纹极值点对应的厚度误差；
根据两两条纹极值点对应的厚度误差，确定最小厚度误差。
6.根据权利要求5所述的晶圆外延层厚度测算方法，其特征在于，所述根据所述样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数以及第二极值参数，确定两两条纹极值点对应的理论厚度以及测算厚度包括：
获取分辨率误差；
根据所述样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数、第二极值参数以及分辨率误差，确定两两条纹极值点对应的理论厚度；
根据所述样品光学参数、样品测量参数、第一极值参数以及第二极值参数，确定两两条纹极值点对应的测算厚度。
7.根据权利要求4所述的晶圆外延层厚度测算方法，其特征在于，所述根据两两条纹极值点对应的最小厚度误差，确定所述预设条件，包括：
获取最小厚度误差对应的目标条纹极值点；
根据所述目标条纹极值点，确定所述预设条件。
8.一种晶圆外延层厚度测算装置，其特征在于，所述装置包括：
第一获取模块，用于获取待测晶圆对应的光学参数、测量参数以及所述待测晶圆外延层的反射光谱；
第二获取模块，用于获取所述反射光谱中满足预设条件的第一条纹极值点以及第二条纹极值点；所述预设条件包括：预设波数区间内最大波数间隔对应的条纹极值点；
确定模块，用于根据所述光学参数、测量参数、第一条纹极值点、第二条纹极值点、反射光谱以及预设外延层厚度表达式，确定所述待测晶圆的外延层厚度。
9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至权利要求7中任一项所述的方法。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至权利要求7中任一项所述的方法。
CN202410560289.6A 2024-05-08 2024-05-08 晶圆外延层厚度测算方法、装置、计算机设备及存储介质 Active CN118129621B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202410560289.6A CN118129621B (zh) 2024-05-08 2024-05-08 晶圆外延层厚度测算方法、装置、计算机设备及存储介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202410560289.6A CN118129621B (zh) 2024-05-08 2024-05-08 晶圆外延层厚度测算方法、装置、计算机设备及存储介质

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN118129621A true CN118129621A (zh) 2024-06-04
CN118129621B CN118129621B (zh) 2024-08-06

Family

ID=91240768

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202410560289.6A Active CN118129621B (zh) 2024-05-08 2024-05-08 晶圆外延层厚度测算方法、装置、计算机设备及存储介质

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN118129621B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1299243A (fr) * 1960-09-09 1962-07-20 Western Electric Co Procédé de détermination de l'épaisseur d'une couche épitaxiale
CN103890539A (zh) * 2011-10-26 2014-06-25 三菱电机株式会社 膜厚测定方法
CN109932769A (zh) * 2019-03-29 2019-06-25 清华大学 光栅的刻蚀控制方法及装置
CN118031823A (zh) * 2024-02-23 2024-05-14 浙江晶盛机电股份有限公司 晶圆的反射谱处理方法、装置、设备及存储介质

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1299243A (fr) * 1960-09-09 1962-07-20 Western Electric Co Procédé de détermination de l'épaisseur d'une couche épitaxiale
CN103890539A (zh) * 2011-10-26 2014-06-25 三菱电机株式会社 膜厚测定方法
CN109932769A (zh) * 2019-03-29 2019-06-25 清华大学 光栅的刻蚀控制方法及装置
CN118031823A (zh) * 2024-02-23 2024-05-14 浙江晶盛机电股份有限公司 晶圆的反射谱处理方法、装置、设备及存储介质

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
马格林;张玉明;张义门;马仲发;: "一种碳化硅外延层质量评估新技术", 西安电子科技大学学报, 31 December 2011 (2011-12-31), pages 37 - 43 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN118129621B (zh) 2024-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10365163B2 (en) Optical critical dimension metrology
KR102137848B1 (ko) 스펙트럼 감도 및 프로세스 변동에 기초한 측정 레시피 최적화
CN102620665B (zh) 使用白光扫描干涉测量法进行膜厚度测量的方法和装置
US7466428B2 (en) Method of measuring thickness of thin layer in semiconductor device and apparatus for performing method
US20080049214A1 (en) Measuring Diffractive Structures By Parameterizing Spectral Features
US9958327B2 (en) Deconvolution to reduce the effective spot size of a spectroscopic optical metrology device
JPH0731050B2 (ja) 光学式膜厚測定装置
US11248904B2 (en) Systems and methods for real time measurement of surface curvature and thermal expansion of small samples
US10732520B1 (en) Measurement library optimization in semiconductor metrology
US9347872B1 (en) Meta-model based measurement refinement
US10551163B2 (en) Multi-probe gauge for slab characterization
JP4224028B2 (ja) 改善された高速フ−リエ変換を利用した膜厚の測定装置及び方法
CN114543690A (zh) 光学特性的建模方法、光声测量方法及装置
US20140063478A1 (en) Focus Recipe Determination for a Lithographic Scanner
JP2010060543A (ja) 反射式散乱計
CN118129621B (zh) 晶圆外延层厚度测算方法、装置、计算机设备及存储介质
CN113348358B (zh) 用于大量生产过程监视的宽松耦合检验及计量系统
US7158914B2 (en) Precision surface measurement
CN107345788A (zh) 一种平行光微光斑光学关键尺寸分析装置及检测方法
TWI628422B (zh) 基於時間域相位展開之應力分析方法
US11112234B2 (en) Multi-probe gauge for slab characterization
US8551791B2 (en) Apparatus and method for manufacturing semiconductor devices through layer material dimension analysis
CN110823110A (zh) 反射物质介质电参数的确定方法、系统及设备
US11073372B2 (en) Multi-probe gauge for slab characterization
TW202429063A (zh) 用於基板的經相位解析的光學計量

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant