CN118103776A - 确定量测方法中的测量选配方案 - Google Patents

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Abstract

公开了一种用于确定用于测量来自衬底上的目标结构的感兴趣参数的测量设置的方法。该方法包括：获得第一位置差异数据，该第一位置差异数据描述第一代表性目标结构位置的位置和与产品结构有关的一个或更多个第一特征的位置之间的差异；获得光学量测数据，该光学量测数据与所述目标结构的光学测量结果有关，并且还与多个不同的测量设置有关；以及根据所述第一位置差异数据和所述光学量测数据确定所述测量设置，使得使用所确定的测量设置从所述目标结构的光学测量结果获得的测量特征位置值与所述一个或更多个第一特征的位置更好地相关。

Description

确定量测方法中的测量选配方案
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年10月18日提交的欧洲申请21203273.4的优先权，所述欧洲申请通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明涉及例如可用于通过光刻技术制造器件的方法和设备，以及涉及使用光刻技术制造器件的方法。更具体地，本发明涉及量测传感器和具有这种量测传感器的光刻设备。
背景技术
光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在该情况下，图案形成装置(其替代地称为掩模或掩模版)可以用以产生待形成在IC的单层上的电路图案。这种图案可以转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。图案的转印通常经由成像至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。这些目标部分通常被称为“场”。
在复杂器件的制造中，通常执行许多光刻图案化步骤，从而在衬底上的连续层中形成功能特征。因此，光刻设备性能的关键方面在于，相对于(由相同设备或不同光刻设备)被铺设在先前层中的特征正确地且准确地放置所施加图案的能力。为此目的，衬底设置有一组或更多组对准标记。每个标记是其位置可以在之后使用位置传感器(通常是光学位置传感器)的时间进行测量的结构。光刻设备包括一个或更多个对准传感器，通过所述对准传感器可以准确地测量衬底上的标记的位置。从不同的制造商和相同制造商的不同产品中已知不同类型的标记和不同类型的对准传感器。
在其他应用中，量测传感器用于测量衬底上的曝光结构(在抗蚀剂中的曝光结构和/或蚀刻后的曝光结构)。一种快速且非侵入式的专用检查工具是散射测量仪，其中辐射束被引导到衬底表面上的目标上，并测量散射束或反射束的性质。已知的散射测量仪的示例包括US2006033921A1和US2010201963A1中描述的类型的角度分辨散射测量仪。除了通过重构测量特征形状之外，也可以使用这样的设备测量基于衍射的重叠，如在已公开的专利申请US2006066855A1中描述的。使用衍射阶的暗场成像的基于衍射的重叠量测使得能够对较小的目标进行重叠测量。暗场成像量测的示例可以在国际专利申请WO 2009/078708和WO2009/106279中找到，这些文献通过引用整体并入本文。该技术的进一步发展已经在已公开的专利出版物US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A和WO2013178422A1中进行了描述。这些目标可以小于照射斑点，并且可以被晶片上的产品结构包围。使用复合光栅目标可以在一个图像中测量多个光栅。所有这些申请的内容也通过引用并入本文。
在一些量测应用中(诸如在一些散射仪或对准传感器中)，量测目标中的缺陷可能导致该目标的测量值的与波长/偏振相关的变化。由此，有时通过确定用于测量(例如，在特定应用的校准阶段中的测量)的“测量选配方案”来实现对这种变化的减缓，其中测量选配方案可以描述使对准准确性被优化的特定照射条件(例如，波长和偏振组合)和/或测量参数权重。
期望改进用于确定这种测量选配方案的方法。
发明内容
在第一方面中，本发明提供了一种用于确定用于测量来自衬底上的目标结构的感兴趣参数的测量设置的方法；所述方法包括：获得第一位置差异数据，所述第一位置差异数据描述第一代表性目标结构位置的位置和与产品结构有关的一个或更多个第一特征的位置之间的差异；获得光学量测数据，所述光学量测数据与所述目标结构的光学测量结果有关，并且还与多个不同的测量设置有关；以及根据所述第一位置差异数据和所述光学量测数据确定所述测量设置，使得使用所确定的测量设置从所述目标结构的光学测量结果获得的测量特征位置值被预期为代表所述一个或更多个第一特征的位置。
还公开了一种计算机程序、处理系统、对准传感器和可操作为执行第一方面的方法的光刻设备。
通过考虑下面描述的示例，将理解本发明的上述和其他方面。
附图说明
现在将仅通过示例的方式，参考所附的附图来描述本发明的实施例，在附图中：
图1描绘了光刻设备；
图2示意性地示出了图1的设备中的测量和曝光过程；
图3是根据本发明的实施例的可适用的对准传感器的示意图：
图4概念性地图示了在可使用如图3所示的光学量测装置进行测量时，与用作产品结构的代表的对准标记的不同部分相关联的产品结构位置的问题；图4示出了(a)与对准标记的顶部相关联的产品结构位置，和(b)与对准标记的底部相关联的产品结构位置；
图5是可用于方法的第一示例性子分段目标的示意图，(a)没有由于代表第一特征的子分段特征的偏移而引起的任何不对称性；(b)具有由于代表第一特征的子分段特征的偏移而引起的不对称性；以及(c)针对具有第一代表性目标结构位置和与产品结构相关的一个或更多个第一特征的位置之间的第一差异的标记的第一摆动曲线；以及(d)针对具有第一代表性目标结构位置和与产品结构相关的一个或更多个第一特征的位置之间的第二差异的标记的第二摆动曲线；以及
图6是可用于方法的第二示例性子分段目标的示意图，(a)没有由于代表第一特征的子分段特征的偏移而引起的任何不对称性；以及(b)具有由于代表第一特征的子分段特征的偏移而引起的不对称性。
具体实施方式
在详细描述本发明的实施例之前，呈现可以实现本发明的各实施例的示例环境是有益的。
图1示意性描绘了光刻设备LA。该设备包括照射系统(照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如，UV辐射或DUV辐射)；图案形成装置支撑件或支撑结构(例如，掩模台)MT，所述图案形成装置支撑件或支撑结构被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，并且连接至被配置成根据特定参数准确地定位图案形成装置的第一定位器PM；两个衬底台(例如，晶片台)WTa或WTb，每个衬底台被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并且每个衬底台连接至被配置成根据特定参数准确地定位衬底的第二定位器PW；以及投影系统(例如，折射型投影透镜系统)PRS，所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。参考系RF连接各个部件，并且用作用于设置和测量图案形成装置的位置以及衬底和衬底上的特征的位置的参考。
照射系统可以包括用于引导、整形或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型、或其他类型的光学部件、或其任意组合。
图案形成装置支撑件MT以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及其他条件(诸如，例如图案形成装置是否保持在真空环境中)的方式保持图案形成装置。图案形成装置支撑件可以采用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案形成装置。图案形成装置支撑件MT可以是框架或者台，例如所述框架或者台可以根据需要而是固定的或者可移动的。图案形成装置支撑件可以确保图案形成装置在例如相对于投影系统的期望位置处。
本文中使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为是指能够用于将图案赋予在辐射束的横截面上，使得在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，例如，如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的期望图案完全相对应。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的诸如集成电路的器件中的特定功能层相对应。
如本文所描述的，该设备是透射型的(例如，采用透射型图案形成装置)。替代地，该设备可以是反射型的(例如，采用如上所述的可编程反射镜阵列类型，或采用反射型掩模)。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。对本文中术语“掩模版”或“掩模”的任何使用可以被视为与更上位的术语“图案形成装置”同义。术语“图案形成装置”也可被解释为指以数字形式存储图案信息以用于控制这种可编程图案形成装置的装置。
应该将本文中使用的术语“投影系统”广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、折射反射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的，或对于诸如使用浸没液体或使用真空的其他因素所适合的。对本文中的术语“投影透镜”的任何使用可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
光刻设备也可以属于以下类型：其中衬底的至少一部分可以由具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充投影系统与衬底之间的空间。也可以将浸没液体施加至光刻设备中的其他空间，例如掩模与投影系统之间的空间。浸没技术在本领域中是众所周知的以用于增大投影系统的数值孔径。
在操作中，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。例如，当源是准分子激光器时，源与光刻设备可以是分立的实体。在这样的情况下，不认为源形成了光刻设备的一部分，并且辐射束是借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD而从源SO传递至照射器IL。在其他情况下，例如，当源是汞灯时，源可以是光刻设备的组成部分。源SO和照射器IL连同束传递系统BD(在需要时)可以被称为辐射系统。
例如，照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器AD、积分器IN和聚光器CO。照射器可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望的均一性和强度分布。
辐射束B入射到保持在图案形成装置支撑件MT上的图案形成装置MA上，并且由图案形成装置图案化。在穿过图案形成装置(例如，掩模)MA后，辐射束B穿过投影系统PS，投影系统PS将束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉量测装置、线性编码器、2-D编码器、或电容性传感器)，可以准确地移动衬底台WTa或WTb(例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中)。类似地，例如，在从掩模库进行机械获得之后或在扫描期间，可以使用第一定位器PM和另一位置传感器(图1中没有明确地示出另一位置传感器)来相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。
可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA与衬底W。虽然衬底对准标记(如图示的)占据专用目标部分，但这些标记可以位于目标部分之间的空间中(它们被称为划线对准标记)。类似地，在多于一个管芯被设置在图案形成装置(例如，掩模)MA上的情况下，掩模对准标记可以位于管芯之间。除了器件特征之外，在管芯内还可以包括较小的对准标记，在这种情况下，期望所述标记尽可能小，并且不需要与相邻特征不同的任何成像或过程条件。下面进一步描述检测对准标记的对准系统。
所描述的设备可以用于各种模式。在扫描模式中，在将赋予至辐射束的图案投影至目标部分C上时，图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT和衬底台WT被同步扫描(即单次动态曝光)。可以通过投影系统PS的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定衬底台WT相对于图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT的速度和方向。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单次动态曝光中的目标部分(在非扫描方向上)的宽度，而扫描运动的长度决定了目标部分(在扫描方向上)的高度。如本领域中公知的，其他类型的光刻设备和操作模式也是可能的。例如，已知步进模式。在所谓的“无掩模”光刻术中，可编程图案形成装置被保持为静态，但是具有变化的图案，并移动或扫描衬底台WT。
也可以采用如上所描述的使用模式的组合和/或变型，或者完全不同的使用模式。
光刻设备LA是所谓的双台类型，所述双台类型具有两个衬底台WTa、WTb以及可以在其间交换衬底台的两个站——曝光站EXP和测量站MEA。当一个衬底台上的一个衬底在曝光站被曝光时，另一个衬底可以在测量站处被装载到另一衬底台上，并执行各种准备步骤。这使得设备的产量显著增加。准备步骤可以包括使用水平传感器LS绘制衬底的表面高度轮廓，并且使用对准传感器AS测量衬底上的对准标记的位置。如果位置传感器IF不能在衬底台在测量站以及曝光站处时测量衬底台的位置，则可以提供第二位置传感器以使得能够在两个站处跟踪衬底台相对于参考系RF的位置。还已知其他布置，并且可用于替代所示的双台布置。例如，已知提供衬底台和测量台的其他光刻设备。衬底台和测量台在执行准备测量时对接在一起，然后在衬底台进行曝光时被脱离。
图2示出了在图1的双台设备中对衬底W上的目标部分(例如，管芯)曝光的步骤。在虚线框内的左手侧是在测量站MEA处执行的步骤，而右手侧示出了在曝光站EXP处执行的步骤。有时候，衬底台WTa、WTb中的一个将位于曝光站处，而衬底台WTa、WTb中的另一个位于测量站处，如上所述。为了描述的目的，假设衬底W已经被装载到曝光站中。在步骤200处，通过未示出的机构将新的衬底W’装载到设备。这两个衬底被并行地处理以增加光刻设备的产量。
首先参考新加载的衬底W’，新加载的衬底W’可以是先前未经处理的、用新的光致抗蚀剂准备在该设备中进行第一次曝光的衬底。然而，通常，所描述的光刻过程将仅是一系列曝光和处理步骤中的一个步骤，因此衬底W’已经经过此设备和/或其他光刻设备若干次，并且可能也已经经历了后续过程。特别地，对于改善重叠性能的问题，目标是确保将新图案正确地施加到已经经历了图案化和处理的一个或更多个循环的衬底上的正确位置。这些处理步骤会逐渐地在衬底中引入失真，使得必须测量和校正所述失真，来达到满意的重叠性能。
如刚刚提到的，可以在其他光刻设备中执行，并且甚至可以在不同类型的光刻设备中执行先前和/或后续图案化步骤。例如，器件制造过程中的对诸如分辨率和重叠的参数要求非常高的一些层可以在比要求较低的其他层更先进的光刻工具中被执行。因此，一些层可以在浸没式光刻工具中曝光，而其他层在“干式”工具中曝光。一些层可以在以DUV波长工作的工具中曝光，而其他层使用EUV波长辐射被曝光。
在202处，使用衬底标记P1等和图像传感器(未示出)的对准测量被用于测量和记录衬底相对于衬底台WTa/WTb的对准。另外，将使用对准传感器AS测量跨衬底W’上的若干对准标记。在一个实施例中，这些测量用于建立“晶片网格”，“晶片网格”非常准确地映射标记在包括相对于名义矩形网格的任何失真的整个衬底上的分布。
在步骤204处，还使用水平传感器LS测量晶片高度(Z)相对于X-Y位置的图。通常，高度图仅用于实现准确聚焦的经曝光图案。所述高度图可以另外地用于其他目的。
当装载衬底W’时，接收选配方案数据206，所述选配方案数据206限定了待执行的曝光，并且还限定了晶片的性质，以及先前形成的和待在晶片上形成的图案。向这些选配方案数据添加在202、204处执行的对晶片位置、晶片网格和高度图的测量结果，使得可以将一组完整的选配方案和测量数据208传递到曝光台EXP。例如，对准数据的测量结果包括以与为光刻过程的产品的产品图案以固定或名义上固定关系形成的对准目标的X和Y位置。就在曝光之前获得的这些对准数据被用以生成对准模型，所述对准模型具有将所述模型拟合到数据的参数。这些参数和对准模型将在曝光操作期间被用于校正在当前光刻步骤中应用的图案的位置。所使用的模型对所测量的位置之间的位置偏差进行插值。传统的对准模型可以包括四个、五个或六个参数，这些参数一起在不同维度上限定‘理想’网格的平移、旋转和缩放。已知使用更多参数的高级模型。
在210处，交换晶片W’和W，使得经测量的衬底W’成为进入曝光站EXP的衬底W。在图1的示例性设备中，通过在设备内调换支撑件WTa和WTb来执行这种交换，使得衬底W、W’保持被准确地夹紧并定位在这些支撑件上，以保持衬底台与衬底本身之间的相对对准。因此，一旦台已经被交换了，则确定投影系统PRS与衬底台WTb(先前为WTa)之间的相对位置就是在控制曝光步骤中使用衬底W(先前为W’)的测量信息202、204所需的参数。在步骤212处，使用掩模对准标记M1、M2执行掩模版对准。在步骤214、216、218中，在整个衬底W上的连续目标位置处应用扫描运动和辐射脉冲，以便完成多个图案的曝光。
通过在执行曝光步骤时使用在测量站处获得的对准数据和高度图，可以相对于期望的位置，尤其是相对于先前铺设在相同衬底上的特征，准确地对准这些图案。根据经曝光的图案，经曝光的衬底(现在标记为W”)在步骤220处从设备卸载以经历蚀刻或其他过程。
本领域技术人员将知道，上述描述是实际制造情形的一个示例中涉及的许多非常具体的步骤的简化概述。例如，使用相同或不同的标记，通常将会有粗测量和细测量的不同阶段，而不是在一个过程或步骤中测量对准。粗对准和/或精对准测量步骤可以在高度测量之前或之后进行，或者交错进行。
在复杂器件的制造中，通常执行许多光刻图案化步骤，从而在衬底上的连续层中形成功能特征。因此，光刻设备性能的关键方面在于，相对于(由相同设备或不同光刻设备)被铺设在先前层中的特征正确地且准确地放置所施加图案的能力。为此目的，衬底设置有一组或多组标记。每个标记是其位置可以在之后使用位置传感器(通常是光学位置传感器)进行测量的结构。位置传感器可以被称为“对准传感器”，并且标记可以被称为“对准标记”。
光刻设备可以包括一个或更多个(例如，多个)对准传感器，通过所述一个或更多个对准传感器可以准确地测量设置在衬底上的对准标记的位置。对准(或位置)传感器可以使用诸如衍射和干涉的光学现象来从形成于衬底上的对准标记获得位置信息。当前光刻设备中所使用的对准传感器的示例基于如US6961116中所描述的自参考干涉仪。例如，如US2015261097A1中所公开的，已经开发了对位置传感器的各种增强和修改。所有这些公开的内容均通过引用而被并入本文。
标记或对准标记可以包括形成在衬底上提供的层上或层中或(直接)形成在衬底中的一系列栅条。这些栅条可以规则地间隔开并且用作光栅线，使得标记可以被视为具有已知空间周期(节距)的衍射光栅。根据这些光栅线的取向，可以设计标记以允许测量沿X轴或沿Y轴(所述Y轴基本上垂直于所述X轴取向)的位置。包括相对于X轴和Y轴两者以+45度和/或-45度布置的栅条的标记允许使用在通过引用并入本文的US2009/195768A中描述的技术进行组合的X和Y测量。
对准传感器用辐射斑点对每个标记进行光学扫描，以获得周期性变化的信号，诸如正弦波。分析该信号的相位以确定标记的位置，从而确定衬底相对于对准传感器的位置，所述对准传感器又相对于光刻设备的参考框架是固定的。可以提供与不同(粗和精)标记尺寸相关的所谓的粗标记和精标记，使得对准传感器可以区分周期性信号的不同周期以及在周期内的准确位置(相位)。不同节距的标记也可用于此目的。
测量标记的位置还可以提供关于其上设置有例如成晶片栅格的形式的标记的衬底的变形的信息。例如，通过将衬底静电夹持到衬底台，和/或当衬底暴露于辐射时对衬底的加热，可能发生衬底的变形。
图3是已知对准传感器AS的实施例的示意性框图。辐射源RSO提供一个或更多个波长的辐射束RB，所述辐射束RB通过转向光学器件作为照射斑点SP被转向到标记(诸如位于衬底W上的标记AM)上。在此示例中，所述转向光学元件包括斑点反射镜SM和物镜OL。用于照射标记AM的照射斑点SP的直径可能略小于所述标记本身的宽度。
由标记AM所衍射的辐射(在本示例中经由物镜OL)被准直成信息承载束IB。术语“衍射”旨在包括来自标记的互补的较高衍射阶(例如，+1衍射阶和-1衍射阶(标记为+1、-1))，以及可选地零阶衍射(所述零阶衍射可以被称为反射)。自参考干涉仪SRI(例如，以上所提及的US6961116中所公开的类型)使束IB与其自身发生干涉，之后所述束由光电探测器PD接收。在由辐射源RSO产生一个以上的波长的情况下，可以包括额外的光学器件(未示出)以提供单独的束。如果需要，光电探测器可以是单个元件，或者光电探测器可以包括多个像素。光电探测器可以包括传感器阵列。
在该示例中包括斑点反射镜SM的转向光学器件还可以用于阻挡从标记反射的零阶辐射，使得信息承载束IB仅包括来自标记AM的高阶衍射辐射(这对于测量不是必需的，但是提高了信噪比)。
SRI强度信号SSI被提供给处理单元PU。通过自参考干涉仪SRI中的光学处理和单元PU中的计算处理的组合，输出衬底上相对于参考系的X和Y位置的值。
所示类型的单个测量结果仅将标记的位置固定在与标记的一个节距相对应的特定范围内。粗测量技术(即，较粗略的测量技术)被与此结合使用，以识别正弦波的哪个周期是包括标记位置的周期。无论制备标记的材料以及在其上和/或其下提供标记的材料如何，以不同的波长(“颜色”)以较粗略的水平和/或较精细的水平重复相同的过程，以获得增加的准确度和/或对标记的鲁棒检测。以下公开了执行和处理这种多波长测量的改进。
其他类型的对准传感器可以包括基于图像的对准传感器，所述基于图像的对准传感器根据来自由对准标记散射的照射光的干涉图案的所获取的图像确定对准。PCT专利申请WO 2020/057900A1中描述了一种特定类型的基于图像的量测传感器，所述量测传感器用作对准和产品/过程监测量测应用两者。这描述了一种具有优化的相干性的量测装置。更具体地，该量测装置被配置为产生测量照射光的多个空间不相干束，所述束中的每个束(或所述束中的测量对的两个束，每个测量对对应于测量方向)在它们的横截面内具有相应区域，对此在这些区域处的束之间的相位关系是已知的；即存在所述相应区域的相互的空间相干性。每个束对中的这些束在检测器(例如，相机/CCD阵列)上干涉，使得干涉图案被成像。
这种量测装置能够测量具有可接受的(最小的)干涉伪像(散斑)的较小的节距目标，并且在暗场模式下也将是可操作的。这种量测装置可以用作位置传感器或对准传感器，以用于测量衬底位置(例如，通过相对于固定参考位置测量干涉图像的干涉条纹位置来测量对准标记的位置)。量测装置还可用于测量重叠(例如，测量不同层中的周期性结构的相对位置，或在缝合标记的情况下，甚至测量同一层中的周期性结构的相对位置)。量测装置还能够测量周期性结构的不对称性，因此可以用于测量基于目标不对称性测量的任何参数(例如，使用基于衍射的重叠(DBO)技术的重叠，或使用基于衍射的聚焦(DBF)技术的聚焦)。
在晶片对准的情景中，正在使用或已经提出以下方法来确定减轻标记不对称性(会导致位置误差或偏移的对准标记的不对称性)的测量选配方案(包括对准测量系统的设置，诸如由辐射源RSO提供的辐射的颜色和/或偏振模式)：
·选择辐射源RSO所提供的辐射的“默认”颜色或颜色组合；
·基于先前节点、层、或可比较层叠层和/或标记特征(诸如，标记特征的子分段，标记特征的子分段是指将标记特征划分为更接近产品特征的实际节距的较小节距特征)的经验选择预期提供准确位置值的颜色或颜色组合。
·基于模拟(例如，对叠层和叠层与辐射的相互作用(叠层中的辐射的相互作用)的模拟；不用必须包括完整的传感器模型)，选择预期提供准确位置值的颜色或颜色组合；
·选择使信号强度高和/或使(标记水平)信号与预期信号(例如，信号是正弦的)良好相关的颜色或颜色组合；
·选择颜色或颜色组合，使得所得到的对准位置与其他颜色一致；
·选择颜色或颜色组合，使得在将模型(晶片模型)拟合到对准位置之后，晶片水平残差被最小化。可以假设晶片模型包括比测量的标记的数目更少的自由参数；
·选择平均颜色；或对多种颜色进行信号强度加权平均化；或仅选择一种或几种(加权)颜色的较小的子集，使得结果与对颜色的较大集合的信号强度加权平均化一致(其中，可以不频繁地测量或仅在选配方案设置期间测量颜色的较大集合)。
其他更全面的方法包括：OCW(最优颜色加权(Optimal Color Weighing)，被更详细地描述在美国公开文件US2019/0094721A1中，所述美国公开文件通过引用并入本文)，以及OCIW(最优颜色和强度加权(Optimal Color and Intensity Weighing)，被更详细地描述在PCT公开文件WO 2017032534A2中)。在这些示例中的每个示例中，都需要或期望对参考数据进行训练。这意味着仅在有足够的训练数据可用，并且训练数据中的过程变化代表了晶片中的需要被校正的变化(例如，平面变形)的情况下，才可以准确地执行这些校正。该参考数据可以由参考传感器测量，例如重叠数据(例如，显影后重叠数据或蚀刻前重叠数据)。这些方法的潜在缺点包括：可能基于次优选配方案曝光晶片的第一集合；在新的层N中的曝光误差可能影响用于先前层M中的标记的对准的选配方案；选配方案会受到参考传感器的测量不准确性的影响，从而导致潜在的次优产品上重叠(OPO)，并因此可能影响参考数据的质量(以及从所述参考数据导出的最佳颜色)。
在每种情况下(以及在整个说明书中)，对颜色的任何引用都包括偏振(例如，颜色/偏振组合)。
为了解决此问题，已经提出在针对标记不对称性的位置校正中，使用(多个)色散模型和/或(多个)色散方程和/或(多个)色散近似，诸如(多个)Forouhi-Bloomer色散方程/近似、基于Lorentz振荡器的色散模型、一个或更多个Kramers-Kronig色散关系、和/或一个或更多个Plemelj色散关系，以转换所测量的强度不对称性信息(典型地，针对有限数量的波长测量的强度不对称性信息)。这样的方法被公开在WO2021/122016中，WO2021/122016通过引用并入本文，并且这样的方法在本文中被称为基于Kramers-Kronig的方法。这样的方法可以包括以数学方式将强度不对称性值计算为与标记不对称性相对应的相位偏移值(例如，使用物理原理来根据强度不对称性计算相位偏移)。在最近的论文“Kramers-Kronig关系的快速傅里叶变换的实现：应用于异常和左手传播(A fast Fourier transformimplementation of the Kramers-Kronig relations：Application to anomalous andleft handed propagation)，Lucas等人，AIP Advances 2，032144(2012)”中(该论文通过引用并入本文)，已经从简单的因果关系考虑导出Kramers-Kronig关系。采用此教导并将所述教导应用于来自对准标记的复杂场，可以仅根据所测量的强度表达相位偏移以及因此表达对准标记的位置误差(APD)Δx：
其中，HT是希尔伯特(Hilbert)变换，E-、E+分别是所捕获的+1衍射阶和-1衍射阶，并且I+1、I-1是与电场相对应的强度：参见上述的Lucas文章的部分II.A和II.B。注意的是，Im()运算符不是必需的，添加所述Im()运算符以用于抑制数字噪声。
基于此，可以基于使用量测工具(例如，对准传感器或其他离线量测工具)在多个不同的照射条件下对特定对准标记测量的强度不对称性，计算预期对准位置误差，并且基于所测量的对准位置相对于照射条件的曲线图(对准摆动曲线)选择优选的照射条件；例如，具有较低的测量对准位置误差和较小的梯度(稳定区域内的较低误差)的照射条件。
WO2021/122016还公开了一种确定位置校正并因此确定经校正的位置的方法，该方法包括以下步骤：
1)根据对准标记的一个或更多个测量结果(例如，针对多个波长)获得强度不对称性数据；
2)获得用于所测量的强度不对称性的(多个)色散模型和/或(多个)色散方程和/或(多个)散射近似；例如，其中，色散模型采用以下形式：
并且根据以下公式拟合所述色散模型：
使得通过根运算将强度不对称性转换为幅值不对称性(例如，电场E+(ω)、E-(ω))的幅值的差异。(ω)是角频率，ε0是介电常数，μ0是渗透率常数，以及εr是色散模型描述的复合有效介电常数色散函数，cre是实际偏移常数，am是偶极复振幅，i是虚单位以及其中，ωm是偶极固有本征频率，/>是偶极采样常数(/>是偶极时间常数)。
3)使用经拟合的色散模型计算强度不对称性的等效相位偏移并因此计算位置校正Δx(ω)：
其中：
其中，P是标记节距，n∈{1，2，3，...}是衍射阶。注意的是，(当使用如上所述的色散模型时)，所有极都作为(共轭)极对(偶极子)出现，其中M表示极对的总数目。注意的是，分别用于正衍射阶和负衍射阶的两个色散模型εr+(ω)和εr-(ω)中的一个色散模型可以保持恒定和/或设置为零。
应当注意的是，实际偏移常数cre+、cre-是模型中的不可观看的参数。然而，已知的是，当对于所有波长，(衍射阶)幅值不对称性为零时，位置校正将为零。因此，参数cre+、cre-将是相等的。参数cre+、cre-的共同/相等值(随着时间是恒定的)通常大于零，并且该值可以与从所有可用波长的测量中获得的测量数据最佳“拟合”。
对准传感器通常仅可以分辨具有适当较大的节距的周期性结构(对准标记或对准光栅)，所述较大的节距可以比实际产品特征(结构)的特征尺寸(例如，临界尺寸)大几个数量级。对准测量针对对准标记的位置进行测量。然而，对准标记位置不一定与产品结构的位置相关联，而产品结构的位置才是关键的。对准标记也会受到不想要的不对称性的影响，所述不想要的不对称性在标记与标记之间变化，并且会导致所测量的对准的误差。特别地，在重叠量测中，已知量测到器件(MTD)偏移的概念。这包括确定作为单个常数的校正，所述校正相比于对准传感器对(较小的)产品结构的响应来校正对准传感器的对量测目标的不同响应。然而，这种现有技术的MTD偏移不知道并且不能考虑任何标记到标记或晶片到晶片的变化(诸如光栅不对称性)，以及这些变化如何与产品位置相关联。因此，目前不可能建立使得所测量的位置与产品特征位置相关联并因此使OPO最小化的测量选配方案。
图4图示了使用作为产品结构的代表的受到光栅不对称性的影响的对准标记的问题。在图4(a)和图4(b)的每个图中，具有如线AM所示轮廓的对准标记被示出为与产品结构PS的轮廓重叠，针对产品结构PS，对准标记用作测量代表。产品结构的位置是重要的，这是从例如大批量制造设置中的对准标记的测量结果推断出的。在图4(a)中，对应于第一过程，(阴影的)产品结构PS的位置与对准标记AM的顶部相关联(其中标记的顶部的中心被标记为AMCt)。在图4(b)中，对应于第二过程，产品结构PS的位置与对准标记AM的底部相关联(其中标记的底部的中心被标记为AMCb)。在其他过程中，产品结构的位置可能与对准标记的中间水平相关联。在每种情况下，对准标记都是相同的，并且因此当前的对准设置方法(诸如，当前的颜色加权方法或基于Kramers-Kronig的方法)仅能访问在对准标记上测量的测量信号，而不能使用关于使用的是哪个过程的信息，所以对于图4a和图4b所图示的每种情况，当前的对准设置方法将总是会返回相同的测量位置。然而，显然所返回的对准位置仅能够在这些情况中的最多一种情况中是“正确的”(即与产品位置相关联)。
当前的用于确定对准测量选配方案的对准设置方法(诸如，当前的颜色加权方法或基于Kramers-Kronig的方法)通常会产生不正确的位置值，由于这些方法通常例如针对对准标记的“质心”(例如，对准标记的平均位置)进行优化，所述对准标记的“质心”通常与真实的产品特征位置较差地相关。当光栅不对称性变化时，所测量的对准位置与产品特征位置之间的差异也会变化，这会对OPO产生负面影响。
因此，提出了在测量选配方案设置阶段中使用第一位置差异数据，所述第一位置差异数据描述第一代表性对准标记位置和产品结构位置之间的差异。例如，可以使用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、或具有用于测量(多个)产品结构位置的足够分辨率的任何量测工具测量这样的第一位置差异数据，或者可以通过过程知识获得这样的第一位置差异数据。(多个)产品结构位置可以与一个或更多个第一特征(例如，具有较小过程窗口或用于定位的纬度的关键特征)有关。第一代表性对准标记位置可以与质心(例如，对准标记的中心、对准标记线)或对准标记的两个或更多个特征的平均位置有关。可以从第一代表性对准标记位置和从同一图像获得的产品结构位置的各自位置，或在至少在被测量的结构的形成之间没有任何干扰过程步骤的情况下，获得第一位置差异数据。产品结构位置可以与对准标记的一部分有关，其中所述对准标记是具有产品结构或类似产品的结构的子分段。由此，第一位置差异可以是(产品或类似产品的)第一特征(无论第一特征是对准标记的部分还是其它)的位置相对于对准标记的代表性位置之间的差异。
该方法可以包括确定使来自对准目标的光学测量结果的第二位置差异数据与所述第一位置差异数据之间的差异最小化的测量选配方案。第二位置差异数据可以包括使用所确定的测量选配方案获得的测量位置与第二代表性对准标记位置之间的差异。
第二代表性对准标记位置可以包括针对多个不同的照射条件的平均测量位置或使用Kramers-Kronig方法获得的测量位置(使用Kramers-Kronig方法直接推断的位置，或用使用Kramers-Kronig方法优化的测量选配方案推断的位置)。第二代表性对准标记位置可以对应于对准标记的质心。第二代表性对准标记位置可以包括当单独地使用所有可用颜色和/或所有可用偏振时的平均位置，和/或针对颜色/偏振的多个不同的组合的平均位置。在一实施例中，可以构建摆动曲线(所测量的位置相对于波长的摆动曲线)，其中第二代表性对准标记位置是该摆动曲线的平均位置。可以针对不同的偏振中的每个偏振构建各自的这种摆动曲线，其中第二代表性对准标记位置是不同的摆动曲线的平均位置的平均结果。在其他实施例中，第二代表性对准标记位置可以包括仅以可用的照射条件的子集(例如，可以知道哪些照射条件将提供合适的范围以进行平均化)测量的平均位置。在强度通道不可用的情况下，平均加权的位置可以包括信号强度加权的平均测量位置。
在实施例中，除了提供对照射条件的加权和/或确定使用哪个或哪些波长/偏振之外，或者作为提供对照射条件的加权和/或确定使用哪个或哪些波长/偏振的替代方案，测量选配方案可以描述强度加权，例如，对测量图像的特定区域或像素的加权。由此，当使用基于图像的量测工具时，可以获取整个标记的图像，所述图像将揭示标记内的强度变化(例如，标记的边缘相对于标记的中心的强度变化)。然后，可以针对单独的像素或多组像素确定加权，以便对标记的不同部分进行加权，使得第二位置差异数据和第一位置差异数据之间的差异最小化，并且使得其对准位置与一个或更多个第一特征的图像位置更好地相关。
在实施例中，对准标记可以是子分段标记，所述子分段标记包括产品或类似产品的子分段。由此，对准标记的主要特征(例如，对准标记线)可以包括这样的产品或类似产品的特征和/或由这样的产品或类似产品的特征组成。类似产品的特征可以包括类似空间刻度(类似尺寸)的特征，并且当被测量和处理等时表现得类似于产品结构。产品或类似产品的特征太小，以至于无法通过对准传感器进行分辨，所述对准传感器仅将有效地“看到”一般的对准标记。然而，产品或类似产品的特征的变化通常将导致例如位置摆动曲线的变化(即，作为颜色和偏振的函数的所测量的对准位置)。其他实施例可以包括测量常规的对准标记和相邻的产品或类似产品的特征以确定第一位置差异数据。
将结合图5描述第一特定示例。图5(a)图示了第一子分段对准标记结构，图5(a)示出了由单个空间SP(所述空间SP包括具有太小而无法被传感器分辨的CD的竖直线特征)分隔的椭圆形形状的复合特征形成的两个相邻的子分段线LSS的细节。在该特定示例中，第一特征FF是中心白色的椭圆形形状特征；对于该示例，已知的是产品结构与该第一特征FF的位置相关联。该对准标记可以专门为对准的目的而形成，所述对准标记可以包括另一量测目标的组成部分(例如，该对准标记可以是重叠目标的底部光栅)，或该对准标记可以是实际的功能产品结构。
图5(a)示出了第一特征FF被最佳定位使得所述第一特征FF相对于对准标记的其余部分居中的示例。这意味着(假设没有其他缺陷)对准标记是对称的。在现实世界的情况下，在标记不对称性的情况下将会存在晶片到晶片的变化。特别地，第一特征FF的位置可以随着对准标记的其余部分而变化；这是标记不对称性的一种形式。这被图示在图5(b)中。
在该特定示例中，第一位置差异数据可以包括第一特征的位置相对于对准标记的其余部分(例如，对准标记的一个或更多个其他特征)的位置的差异。例如，可以已知的是，基于使用竖直偏振辐射的对标记的对准测量结果将与竖直线的位置相关联，而基于使用水平偏振辐射的对标记的对准测量结果将与第一特征的位置相关联。在这样的示例中，第二代表性对准标记位置可以包括当分别使用竖直偏振辐射和水平偏振辐射进行测量时获得的位置的平均结果。然后，选配方案优化可以使用所描述的方法确定用于竖直偏振辐射和水平偏振辐射(和/或颜色和/或像素等)的一个或更多个权重，使得光学对准测量结果所报告的位置为第一特征FF的位置的代表。
作为替代实施例，可以使用光学颜色响应的变化来代替偏振响应(例如，不需要哪些偏振与哪些特征相关联的物理见解)。例如，(用例如SEM测量的)第一位置差异数据可以指示在第一特征(例如，产品结构)和第一代表性对准标记位置(例如，标记的质心)之间存在X nm的位移。相同(或相似)的标记的针对多种颜色的光学测量结果可以产生测量摆动曲线(作为颜色的函数的对准位置)，所述测量摆动曲线示出了颜色响应的变化，其中一些颜色比其他颜色与第一特征位置更强地相关。可以例如通过对所有颜色进行平均化来确定第二代表性对准标记位置。所选择的选配方案可以包括所选择的一种或几种加权颜色，使得这些一种或几种加权颜色相对于质心的对准位置等于根据第一位置差异数据确定的X nm位移。
图5(c)图示了这样的第一示例，示出了在位置POS相对于波长λ的曲线图上的示例性摆动曲线SC和第二代表性对准标记位置POSAV。在该示例中，在特定的单个波长λ1下的对准位置POSλ1与第二代表性对准标记位置POSAV之间的差异恰好与第一位置差异X nm相同。因此，用于该对准标记的合适的选配方案可以简单地仅使用颜色λ1(即，具有为1的权重)。然而，在图5(d)中，示出了相同的曲线图，但此处波长λ1下的对准位置POSλ1与第二代表性对准标记位置POSAV之间的差异为0.5X nm。在该方法中，合适的选配方案可以包括用于该波长λ1的为2的权重(或两个或更多个其他波长的合适的加权组合)。
将结合图6描述特定的第二示例。此处，第一特征FF位于接触孔的顶部，因此在执行对准时需要这些特征的位置。在图6(a)中，接触孔的顶部被示出为对准的，在图6(b)中，由于倾斜变化的原因(例如，可能由蚀刻包括产品和对准标记的底层叠层所产生的蚀刻倾斜引起所述倾斜变化)，接触孔的顶部被示出为未对准的。这也是标记不对称性的一种形式，所述标记不对称性在晶片与晶片之间变化。应当注意的是，在执行对准测量时，顶层尚未被蚀刻。已知的是，在一些测量波长下的对准测量将倾向于与叠层的顶部相关联，并且其他波长将倾向于与叠层的底部相关联。通过关于一个或更多个标记和一个或几个晶片测量摆动曲线(作为颜色和偏振的函数的对准位置)，可以确定各种颜色和偏振如何与标记内的产品特征以及标记的其余部分(例如，光学重心)相关联。替代地，这可以根据物理见解、经验和/或模拟来理解。在实施例中，颜色加权可以被优化，所述优化对两个或更多个波长进行加权，使得测量位置与叠层的顶部相关联，并且更具体地与接触孔的顶部相关联。可能的是，(例如，在单个波长测量结果与接触孔顶部位置更好地相关的情况下)优化确定单个未加权的优化的波长是最优的。
由此，描述了一种能够确定测量选配方案的方法，所述方法在存在可变的对准标记不对称性的情况下提高了相对于一个或更多个产品第一特征的对准准确性。所提出的方法不需要在曝光后执行任何测量(例如，不需要事后的重叠量测)。
虽然上面的描述已经集中在对准量测上，但是本文公开的概念不限于此。本文公开的测量选配方案优化方法也适用于会受到不希望的目标不对称性的影响的其他量测应用(例如，测量诸如重叠的其他感兴趣参数)，所述不希望的目标不对称性在晶片与晶片之间变化。重叠目标包括可能受到光栅不对称性(例如，底部光栅不对称性)影响的光栅，所述光栅不对称性会导致重叠误差以及在不同照射条件(或更一般地：测量选配方案)下的测量的重叠位置的变化。
在以下编号方面的列表中公开其他实施例：
1.一种用于确定用于测量来自衬底上的目标结构的感兴趣参数的测量设置的方法；所述方法包括：获得第一位置差异数据，所述第一位置差异数据描述第一代表性目标结构位置的位置和与产品结构有关的一个或更多个第一特征的位置之间的差异；获得光学量测数据，所述光学量测数据与所述目标结构的光学测量结果有关，并且还与多个不同的测量设置有关；以及根据所述第一位置差异数据和所述光学量测数据确定所述测量设置，使得使用所确定的测量设置从所述目标结构的光学测量结果获得的测量特征位置值被预期为代表所述一个或更多个第一特征的位置。
2.根据方面1所述的方法，其中，所述第一位置差异数据是从对所述第一代表性目标结构位置和所述一个或更多个第一特征的所述位置的直接测量获得的。
3.根据方面2所述的方法，其中，所述第一位置差异数据包括扫描电子显微镜数据和/或透射电子显微镜数据。
4.根据方面1、2或3所述的方法，包括：对包括所述目标结构的多个实例的至少一个衬底执行第一量测以获得所述第一位置差异数据。
5.根据前述方面中任一项所述的方法，其中，所述第一代表性目标结构位置描述所述目标结构的质心位置、所述目标结构的中心位置、所述目标结构的其他特征位置、或所述目标结构的两个或更多个特征的平均位置。
6.根据前述方面中任一项所述的方法，其中，所述目标结构包括：具有能够被光学量测工具分辨的足够大的量值的周期性的子分段式目标结构；以及包括和/或代表所述一个或更多个第一特征的子分段。
7.根据方面6所述的方法，其中，所述第一位置差异数据包括：包括和/或代表所述一个或更多个第一特征的所述子分段的位置与所述第一代表性目标结构位置之间的差异的测量结果。
8.根据前述方面中任一项所述的方法，其中，确定测量设置的所述步骤包括：确定所述测量设置以最小化从所述光学量测数据获得的第二位置差异数据与所述第一位置差异数据之间的差异，其中，所述第二位置差异数据包括使用所确定的测量设置获得的测量位置与第二代表性目标结构位置之间的差异。
9.根据方面8所述的方法，其中，所述第二代表性目标结构位置包括针对多个不同的测量设置的平均测量位置。
10.根据方面9所述的方法，其中，所述平均加权位置包括信号强度加权的平均测量位置。
11.根据方面8所述的方法，其中，所述第二代表性目标结构位置是通过以下方式获得的：
获得多个不同的照射设置中的每个照射设置的多个强度不对称性值，其中，强度不对称性值包括与由所述结构衍射的辐射的至少两个互补的衍射阶的各自的强度或幅值之间的差异或不平衡性有关的度量；
将所述强度不对称性值转换为与所述对准结构中的不对称性偏差相对应的相位偏移；以及
根据所述相位偏移将所述第二代表性目标结构位置确定为针对所述不对称性偏差被校正的位置。
12.根据方面11所述的方法，其中，所述转换步骤包括：
将至少一个色散模型拟合到强度不对称性测量结果，以获得经拟合的色散模型，所述色散模型包括作为透射函数的结构的模型；以及根据所述经拟合的色散模型确定所述相位偏移。
13.根据方面8至12中任一项所述的方法，其中，所述第二代表性目标结构位置对应于所述目标结构的质心或中心位置。
14.根据前述方面中任一项所述的方法，其中，每个测量设置包括以下各项中的一项或更多项：照射设置，其中所述照射设置描述一个测量波长或多个测量波长的组合和/或一种测量偏振或多种测量偏振的组合；用于一个或多个测量波长和/或一种或多种测量偏振的权重；和/或用于测量图像的特定区域、像素或多组像素的权重。
15.根据前述方面中任一项所述的方法，其中，所述第一位置差异数据和所述光学量测数据都与在曝光步骤之前执行的量测有关，所述方法不使用任何事后的重叠量测。
16.根据前述方面中任一项所述的方法，包括：使用所确定的测量设置，以根据所述目标结构的光学测量结果确定感兴趣参数值，所述感兴趣参数值包括所述测量特征位置值和/或与所述测量特征位置值有关。
17.根据方面16所述的方法，其中，所述目标结构包括对准标记；并且所述感兴趣参数值是对准位置值。
18.根据方面16所述的方法，其中，所述目标结构包括重叠目标；并且所述感兴趣参数值是重叠值。
19.根据方面16至18中任一项所述的方法，所述方法包括执行对所述目标结构的所述光学测量。
20.一种计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令当在合适的设备上运行时能够操作为执行根据方面1至18中任一项所述的方法。
21.一种非瞬态计算机程序载体，所述非瞬态计算机程序载体包括根据方面20所述的计算机程序。
22.一种处理系统，所述处理系统包括处理器和存储装置，所述存储装置包括根据方面20所述的计算机程序。
23.一种对准传感器，所述对准传感器包括根据方面22所述的处理系统。
24.一种光刻设备，所述光刻设备包括：图案形成装置支撑件，所述图案形成装置支撑件用于支撑图案形成装置；衬底支撑件，所述衬底支撑件用于支撑衬底；以及根据方面23所述的对准传感器。
虽然上面已经描述了本发明的特定实施例，但是将理解的是，本发明可以以不同于所描述的方式来实践。
尽管上面可能已经在光学光刻的上下文中具体参考了本发明的实施例的使用，但是应当理解，本发明不限于光学光刻，并且在上下文允许的情况下，本发明可以在例如压印光刻的其他应用中使用。在压印光刻中，图案形成装置的形貌限定了在衬底上形成的图案。图案形成装置的形貌可以被压入提供到衬底的抗蚀剂层中，然后通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来固化抗蚀剂。在抗蚀剂固化后，从抗蚀剂中移除图案形成装置，而在其中留下图案。
本文中使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如，具有为或约为365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外线(EUV)辐射(例如，具有在1nm至100nm的范围内的波长)，以及粒子束(诸如离子束或电子束)。
在上下文允许的情况下，术语“透镜”可以指各种类型的光学部件中的任何一种或组合，包括折射型、反射型、磁性型、电磁型和静电型光学部件。反射部件可能用于在UV和/或EUV范围内操作的设备中。
本发明的广度和范围不应受到任何上述示例性实施例的限制，而应仅根据以下权利要求及其等价物来定义。

Claims (20)

1.一种用于确定用于测量来自衬底上的目标结构的感兴趣参数的测量设置的方法；所述方法包括：
获得第一位置差异数据，所述第一位置差异数据描述第一代表性目标结构位置的位置和与产品结构有关的一个或更多个第一特征的位置之间的差异；
获得光学量测数据，所述光学量测数据与所述目标结构的光学测量结果有关，并且还与多个不同的测量设置有关；以及
根据所述第一位置差异数据和所述光学量测数据确定所述测量设置，使得使用所确定的测量设置从所述目标结构的光学测量结果获得的测量特征位置值被预期为代表所述一个或更多个第一特征的位置。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一位置差异数据是从对所述第一代表性目标结构位置和所述一个或更多个第一特征的所述位置的直接测量获得的。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一位置差异数据包括扫描电子显微镜数据和/或透射电子显微镜数据。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：对包括所述目标结构的多个实例的至少一个衬底执行第一量测以获得所述第一位置差异数据。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一代表性目标结构位置描述所述目标结构的质心位置、所述目标结构的中心位置、所述目标结构的其他特征位置、或所述目标结构的两个或更多个特征的平均位置。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述目标结构包括：具有能够被光学量测工具分辨的足够大的量值的周期性的子分段式目标结构；以及
包括和/或代表所述一个或更多个第一特征的子分段。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一位置差异数据包括：包括和/或代表所述一个或更多个第一特征的所述子分段的位置与所述第一代表性目标结构位置之间的差异的测量结果。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，确定测量设置的所述步骤包括：确定所述测量设置以最小化从所述光学量测数据获得的第二位置差异数据与所述第一位置差异数据之间的差异，其中，所述第二位置差异数据包括使用所确定的测量设置获得的测量位置与第二代表性目标结构位置之间的差异。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二代表性目标结构位置包括针对多个不同的测量设置获得的平均测量位置。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述平均加权位置包括信号强度加权的平均测量位置。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二代表性目标结构位置是通过以下方式获得的：
获得针对多个不同的照射设置中的每个照射设置的多个强度不对称性值，其中，强度不对称性值包括与由所述结构衍射的辐射的至少两个互补的衍射阶的各自的强度或幅值之间的差异或不平衡性有关的度量；
将所述强度不对称性值转换为与所述对准结构中的不对称性偏差相对应的相位偏移；以及
根据所述相位偏移将所述第二代表性目标结构位置确定为针对所述不对称性偏差被校正的位置。
12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二代表性目标结构位置对应于所述目标结构的质心或中心位置。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，每个测量设置包括以下各项中的一项或更多项：
照射设置，其中，所述照射设置描述一个测量波长或更多个测量波长的组合和/或一种测量偏振或多种测量偏振的组合；
用于一个或多个测量波长和/或一种或多种测量偏振的权重；和/或
用于测量图像的多个特定区域、多个像素或多组像素的权重。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一位置差异数据和所述光学量测数据都与在曝光步骤之前执行的量测有关，所述方法不使用任何事后的重叠量测。
15.根据权利要求1所述的方法，还包括：使用所确定的测量设置，以根据所述目标结构的光学测量结果确定感兴趣参数值，所述感兴趣参数值包括所述测量特征位置值和/或与所述测量特征位置值有关。
16.一种计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令当在合适的设备上运行时能够操作以执行根据权利要求1至15中任一项所述的方法。
17.一种非瞬态计算机程序载体，所述非瞬态计算机程序载体包括根据权利要求16所述的计算机程序。
18.一种处理系统，所述处理系统包括处理器和存储装置，所述存储装置包括根据权利要求1 6所述的计算机程序。
19.一种对准传感器，所述对准传感器包括根据权利要求18所述的处理系统。
20.一种光刻设备，所述光刻设备包括：
图案形成装置支撑件，所述图案形成装置支撑件用于支撑图案形成装置；
衬底支撑件，所述衬底支撑件用于支撑衬底；以及
根据权利要求19所述的对准传感器。
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