CN116529673A - 量测方法及相关量测和光刻装置 - Google Patents
量测方法及相关量测和光刻装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116529673A CN116529673A CN202180079702.1A CN202180079702A CN116529673A CN 116529673 A CN116529673 A CN 116529673A CN 202180079702 A CN202180079702 A CN 202180079702A CN 116529673 A CN116529673 A CN 116529673A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- measurement
- conditions
- data
- measurement data
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 95
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 359
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 107
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 41
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 14
- 238000000513 principal component analysis Methods 0.000 claims description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 238000012880 independent component analysis Methods 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 44
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 230000009471 action Effects 0.000 description 14
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000012549 training Methods 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000036541 health Effects 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000011524 similarity measure Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100029469 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 101710097421 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000013178 mathematical model Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/706831—Recipe selection or optimisation, e.g. select or optimise recipe parameters such as wavelength, polarisation or illumination modes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706835—Metrology information management or control
- G03F7/706837—Data analysis, e.g. filtering, weighting, flyer removal, fingerprints or root cause analysis
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Data Mining & Analysis (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
公开了一种确定量测过程的性能指标的方法,包括:获得第一测量数据,该第一测量数据与第一测量条件集合有关;以及基于所述第一测量数据来确定第一测量选配方案。根据所述第一测量数据的、从分量分析或统计分解获得的一个或多个分量来确定所述至少一个性能指标。可替代地,至少一个性能指标根据与所述第一测量选配方案有关的一个或多个第一测量值和与第二测量选配方案有关的一个或者多个第二测量值的比较而被确定,其中第二测量选配方案与所述第一测量数据不同并且与第二测量条件集合有关,所述第二测量条件集合与所述第一测量条件集合不同。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年11月27日提交的EP申请20210371.9的优先权,该申请通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明涉及可用于例如通过光刻技术制造器件的方法和装置、以及使用光刻技术制造器件的方法。更具体地,本发明涉及量测传感器以及具有这种量测传感器的光刻装置。
背景技术
光刻装置是将期望图案施加到衬底上(通常,施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻装置可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下,可以使用图案形成装置来生成要形成在IC的单个层上的电路图案,该图案形成装置可替代地被称为掩模或掩模版。该图案可以转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括管芯的一部分、一个管芯、或几个管芯)上。通常经由成像到设在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上实现图案转移。一般而言,单个衬底将包含经连续图案化的相邻目标部分的网络。这些目标部分通常被称为“场”。
在制造复杂器件时,通常执行许多光刻图案化步骤,从而在衬底上的连续层中形成功能特征。因此,光刻装置的性能的一个关键方面是能够相对于(由相同的装置或不同的光刻装置)在先前层中放置的特征恰当地且准确地放置所施加的图案。为此目的,衬底设有一个或多个对准标记集合。每个标记都是一种其中稍后可以使用位置传感器(通常,光学位置传感器)测量其位置的结构。光刻装置包括一个或多个对准传感器,通过该一个或多个对准传感器,可以准确地测量在衬底上的标记的位置。不同类型的标记和不同类型的对准传感器来自不同的制造商和同一制造商的不同产品。
在其他应用中,量测传感器用于测量(抗蚀剂中的和/或蚀刻之后的)衬底上的经曝光的结构。一种快速且非侵入式专用检查工具是散射仪,其中辐射射束被引导到衬底的表面上的目标上,并且测量经散射或反射的射束的特性。已知散射仪的示例包括US2006033921A1和US2010201963A1中描述的类型的角度分辨散射仪。除了通过重建来进行特征形状的测量之外,还可以使用这样的装置来测量基于衍射的套刻,如所公开的专利申请US2006066855A1中所描述的。使用衍射级的暗场成像而进行的基于衍射的套刻量测使得能够在较小目标上进行套刻测量。可以在国际专利申请WO 2009/078708和WO 2009/106279中找到暗场成像量测的示例,这些文献通过引用整体并入本文。已经在所公开的专利出版物US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A和WO2013178422A1中对该技术的其他发展进行了描述。这些目标可以小于照射斑点,并且可以被晶片上的产品结构包围。使用复合光栅目标可以在一个图像中测量多个光栅。所有这些申请的内容也通过引用并入本文。
传统的对准标记和量测目标可能包括对入射辐射进行衍射的光栅。在对准上下文中,当对准标记在理想情况下完美对称时,假设没有标记变形,则对准位置偏差误差(APD误差)为零,从而产生最佳套刻。同样,理想的套刻目标可能具有仅归因于套刻的不对称性。然而,由于诸如蚀刻、化学机械抛光(CMP)、退火、沉积、氧化等之类的处理,所以使实际对准标记和套刻目标以各种方式变形,从而经常导致事先并不为人知的不对称性。所观察到的典型不对称性包括地板倾斜(FT)、顶部倾斜(TT)和侧壁角(SWA)。此外,由于处理的波动,所以对准标记/套刻目标的深度也可以在标称值附近变化。
这样做的结果可能是来自目标或标记的测量值的波长/偏振相关变化。如此,有时通过使用经优化的测量条件或照射条件(例如,经优化的不同波长和/或偏振)对正在被测量的目标/叠层执行测量来实现对这种变化的校正和/或缓解。希望改进对经优化的测量条件的性能的监测。
发明内容
在第一方面中,本发明提供了一种确定量测过程的至少一个性能指标的方法,该性能指标指示使用第一测量选配方案执行的测量的测量性能,该方法包括:获得第一测量数据,该第一测量数据与一个或多个设置衬底和第一测量条件集合有关;基于第一测量数据来确定第一测量选配方案;以及根据以下各项来确定至少一个性能指标:第一测量数据的、从分量分析或统计分解获得的一个或多个分量;或与第一测量选配方案有关的一个或多个第一测量值和与第二测量选配方案有关的一个或多个第二测量值的比较,其中第二测量选配方案基于第二测量数据而被确定,第二测量数据与第一测量数据不同并且与第二测量条件集合有关,第二测量条件集合与第一测量条件集合不同。
还公开了一种量测装置和光刻装置,该光刻装置包括量测设备,该量测设备可操作为执行根据第一方面所述的方法。
通过考虑下文所描述的实施例,将理解本发明的上述和其他方面。
附图说明
现在,参考附图,仅通过示例对本发明的实施例进行描述,其中
图1描绘了光刻装置;
图2示意性地图示了图1的装置中的测量过程和曝光过程;
图3是根据本发明的一个实施例的可适配的对准传感器的示意性图示;
图4示意性地图示了散射测量装置;
图5是根据第一实施例的方法的流程图;以及
图6是根据第二实施例的方法的流程图。
具体实施方式
在详细描述本发明的实施例之前,提供其中可以实现本发明的实施例的示例环境具有指导意义。
图1示意性地描绘了光刻装置LA。该光刻装置LA包括照射系统(照射器)IL,被配置为调节辐射射束B(例如,UV辐射或DUV辐射);图案形成装置支撑件或支撑结构(例如,掩模台)MT,被构造为支撑图案形成装置(例如,掩模)MA并且连接到第一定位器PM,该第一定位器PM被配置为根据某些参数来准确定位图案形成装置MA;两个衬底台(例如,晶片台)WTa和WTb,每个衬底台被构造为保持衬底(例如,涂有抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW,该第二定位器PW被配置为根据某些参数准确定位衬底;以及投射系统(例如,折射投射透镜系统)PS,该投射系统被配置为将通过图案形成装置MA赋予辐射射束B的图案投射到衬底W的目标部分C(例如,包括一个或多个管芯)上。参考系RF连接各个部件,并且用作用于设置和测量图案形成装置和衬底以及它们上的特征的位置的参考。
照射系统可以包括各种类型的光学部件,诸如折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其他类型的光学部件,或其任何组合,其用于引导、整形或控制辐射。
图案形成装置支撑件MT以取决于图案形成装置的方位、光刻装置的设计和其他条件(诸如例如,图案形成装置是否保持在真空环境中)的方式保持图案形成装置。图案形成装置支撑件可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案形成装置。图案形成装置支撑件MT可以是例如框架或台,该框架或台可以根据需要固定或移动。图案形成装置支撑件可以确保图案形成装置(例如,相对于投射系统)处于期望位置。
本文中使用的术语“图案形成装置”应当被广泛解释为是指可以用于在辐射射束的横截面中赋予图案(诸如以在衬底的目标部分中产生图案)的任何设备。应当指出,例如,如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征,则赋予辐射射束的图案可能并非完全与衬底的目标部分中的期望图案相对应。通常,赋予辐射射束的图案将与在目标部分中产生的器件(诸如集成电路)中的特定功能层相对应。
如本文中所描绘的,该装置为透射型装置(例如,采用透射图案形成装置)。可替代地,该装置可以为反射型装置(例如,采用如上文所提及的类型的可编程反射镜阵列、或采用反射掩模)。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。本文中“掩模版”或“掩模”一词的任何使用都可以被视为与更通用的术语“图案形成装置”同义。术语“图案形成装置”也可以被解释为是指以数字形式存储图案信息以用于控制这种可编程图案形成装置的设备。
视正在被使用的曝光辐射和/或诸如使用浸没液体或使用真空之类的其他因素的情况而定,本文中所使用的术语“投射系统”PS应当被广义地解释为涵盖各种类型的投射系统,包括折射光学系统、反射光学系统、反射折射光学系统、磁性光学系统、电磁光学系统和/或静电光学系统、或其任何组合。本文中术语“投射透镜”的任何使用可以被认为与更通用术语“投射系统”PS同义。
光刻装置也可以是这样的类型,其中衬底的至少一部分可以被折射率相对较高的液体(例如,水)覆盖,以填充投射系统与衬底之间的空间。浸没液体也可以被施加到光刻装置中的其他空间,例如,掩模与投射系统之间。浸没技术在本领域中是众所周知的,用于增加投射系统的数值孔径。
操作时,照射器IL接收来自辐射源SO的辐射射束。辐射源和光刻装置可以是分开的实体,例如,当辐射源是准分子激光器时。在这种情况下,源不被认为形成光刻装置的一部分,并且辐射射束借助于射束输送系统BD从源SO传递到照射器IL,该射束输送系统包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其他情况下,例如,当源是汞灯时,源可以是光刻装置的组成部分。如果需要,则源SO和照射器IL以及射束输送系统BD可以被称为辐射系统。
例如,照射器IL可以包括用于调整辐射射束的角强度分布的调整器AD、积分器IN和会聚器CO。照射器可以用于调节辐射射束,使其横截面具有期望均匀性和强度分布。
辐射射束B入射在保持在图案形成装置支撑件MT上的图案形成装置MA上,并且通过图案形成装置图案化。在穿过图案形成装置(例如,掩模)MA之后,辐射射束B穿过投射系统PS,该投射系统PS将射束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如,干涉设备、线性编码器、2D编码器或电容式传感器),可以准确移动衬底台WTa或WTb,例如,以便在辐射射束B的路径中定位不同的目标部分C。同样,第一定位器PM和另一位置传感器(图1中未明确描绘)可以用于(例如,在从掩模库机械取回之后或在扫描期间)相对于辐射射束B的路径准确定位图案形成装置(例如,掩模)MA。
可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如,掩模)MA和衬底W。尽管如所图示的衬底对准标记占据专用目标部分,但是它们可以位于目标部分之间的空间中(这些标记被称为划线对准标记)。同样,在图案形成装置(例如,掩模)MA上设置多于一个管芯的情况下,掩模对准标记可以位于管芯之间。小的对准标记也可以包括在器件特征中的管芯内,在这种情况下,期望标记尽可能小,并且无需与相邻特征不同的任何成像或处理条件。下文对检测对准标记的对准系统进行进一步描述。
所描绘的装置可以用于多种模式。在扫描模式下,对图案形成装置支撑件(例如,掩模台)MT和衬底台WT进行同步扫描,同时赋予辐射射束的图案被投射到目标部分C上(即,单个动态曝光)。可以由投射系统PS的放大倍数(缩小倍数)和图像反转特点来确定衬底台WT相对于图案形成装置支撑件(例如,掩模台)MT的速度和方向。在扫描模式下,曝光场的最大尺寸限制了目标部分在单个动态曝光中(沿非扫描方向)的宽度,而扫描运动的长度决定了目标部分(沿扫描方向)的高度。其他类型的光刻装置和操作模式也是可能的,这在本领域中是众所周知的。例如,步进模式是已知的。在所谓的“无掩模”光刻中,可编程图案形成装置保持静止,但图案发生改变,并且移动或扫描衬底台WT。
还可以采用上述使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变化。
光刻装置LA是所谓的双台类型,具有两个衬底台WTa和WTb以及其中衬底台可以在它们之间交换的两个站:曝光站EXP和测量站MEA。当一个衬底台上的一个衬底在曝光站处正在曝光时,另一衬底可以在测量站处装载到另一衬底台上,或可以进行各种准备步骤。这使得能够大大增加装置的生产量。准备步骤可以包括:使用水平传感器LS绘制衬底的表面高度轮廓;以及使用对准传感器AS测量对准标记在衬底上的位置。如果位置传感器IF在处于测量站和曝光站的同时不能测量衬底台的位置,则可以提供第二位置传感器以使得能够在两个站处跟踪衬底台相对于参考系RF的位置。代替所示的双台布置,其他布置是已知的并且是可用的。例如,已知其中提供衬底台和测量台的其他光刻装置。当执行准备测量时,将衬底台和测量台对接在一起,然后,在衬底台经历曝光的同时,解除对接。
图2图示了在图1的双台装置中曝光衬底W上的目标部分(例如,管芯)的步骤。虚线框内的左手侧是在测量站MEA处执行的步骤,而右手侧示出了在曝光站EXP处所执行的步骤。如上所述,有时,衬底台WTa、WTb中的一个衬底台会在曝光站处,同时另一衬底台会在测量站处。为了本描述的目的,假设衬底W已经被装载到曝光站中。在步骤200处,通过未示出的机构将新衬底W'装载到装置上。为了增加光刻装置的生产量,对这两个衬底进行并行处理。
首先,参考新装载的衬底W',这可能是一个先前未经处理的衬底,使用新光刻胶制备,以用于装置中的首次曝光。然而,一般而言,所描述的光刻过程将仅仅是一系列曝光和处理步骤中的一个步骤,使得衬底W'已经经过该装置和/或其他光刻装置好几次了,并且可能还要经历后续过程。具体地,对于提高套刻性能的问题,任务是确保在已经经历了一个或多个图案化和处理循环的衬底上的正确位置上施加新图案。这些处理步骤逐渐在衬底中引入必须被测量和校正的失真,以实现令人满意的套刻性能。
如之前所提及的,可以在其他光刻装置中执行先前和/或后续的图案化步骤,甚至可以在不同类型的光刻装置中执行先前和/或后续的图案化步骤。例如,与要求较低的其他层相比,可以在更为先进的光刻工具中执行器件制造过程中在诸如分辨率和套刻等之类的参数上要求苛刻的一些层。因此,一些层可能在浸没式光刻工具中曝光,而另一些层则在“干式”工具中曝光。一些层可以曝光在以DUV波长工作的工具中,而另一些层使用EUV波长辐射曝光。
在202处,使用衬底标记P1等和图像传感器(未示出)的对准测量用于测量和记录衬底相对于衬底台WTa/WTb的对准。另外,将使用对准传感器AS测量跨衬底W'的几个对准标记。在一个实施例中,这些测量用于建立“晶片栅格”,该晶片栅格非常准确地映射衬底上的标记分布,包括相对于标称矩形栅格的任何失真在内。
在步骤204处,还使用水平传感器LS测量晶片高度(Z)相对于X-Y位置的映射。通常,高度映射仅用于准确聚焦经曝光的图案。另外,它还可以用于其他目的。
当装载衬底W'时,接收选配方案数据206,该选配方案数据206定义了要执行的曝光、还定义了晶片的特性、以及先前所制作的图案并且要在其上制作的图案。将在202、204处获得的晶片位置、晶片栅格和高度映射的测量添加至该选配方案数据,使得可以将整个选配方案和测量数据集合208传递到曝光站EXP。对准数据的测量例如包括对准目标的X位置和Y位置,该对准目标的X位置和Y位置以与作为光刻过程的产品的产品图案呈固定或名义上固定的关系形成。恰好在曝光前获取的这些对准数据用于生成对准模型,该对准模型具有将模型拟合到数据的参数。这些参数和对准模型将在曝光操作期间用于校正在当前光刻步骤中所施加的图案的位置。使用中的模型对所测量的位置之间的位置偏差进行插值。传统的对准模型可能包括四个参数、五个参数或六个参数,它们一起以不同维度定义“理想”栅格的平移、旋转和缩放。已知使用更多参数的高级模型。
在210处,调换晶片W'和W,使得经测量的衬底W'成为进入曝光站EXP的衬底W。在图1的示例装置中,通过交换装置内的支撑件WTa和WTb来执行这种调换,使得衬底W、W'保持准确夹紧并定位在这些支撑件上,以保留衬底台与衬底本身之间的相对对准。因而,一旦调换了衬底台,为了在控制曝光步骤时利用衬底W(以前为W')的测量信息202、204,就必须确定投射系统PS与衬底台WTb(以前为WTa)之间的相对位置。在步骤212处,使用掩模对准标记M1、M2来执行掩模对准。在步骤214、216、218中,在衬底W上的连续目标位置处施加扫描运动和辐射脉冲,以便完成对若干个图案的曝光。
通过在执行曝光步骤时使用在测量站获得的对准数据和高度映射,这些图案相对于期望位置准确对准,尤其相对于先前放置在同一衬底上的特征准确对准。在步骤220处,将现在标签为W”的经曝光的衬底从装置中卸载,以根据经曝光的图案进行蚀刻或其他过程。
本领域技术人员应当了解,上述描述是对真实制造情形的一个示例中所牵涉到的若干个非常详细的步骤的简化概述。例如,使用相同或不同的标记,通常会存在不同的粗略测量阶段和精细测量阶段,而非在单个步骤中测量对准。可以在高度测量之前或之后执行粗略对准测量步骤和/或精细对准测量步骤,或交替执行这些步骤。
在制造复杂器件时,通常会执行许多光刻图案化步骤,从而在衬底上的连续层中形成功能特征。因此,光刻装置的性能的一个关键方面是能够相对于在先前层中放置的特征(通过同一装置或不同的光刻装置)恰当地且准确地放置所施加的图案。为此,衬底设有一个或多个标记集合。每个标记都是其中稍后可以使用位置传感器(通常,光学位置传感器)测量其位置的一种结构。位置传感器可以被称为“对准传感器”,标记可以被称为“对准标记”。
光刻装置可以包括一个或多个(例如,多个)对准传感器,通过该一个或多个对准传感器,可以准确测量衬底上设置的对准标记的位置。对准(或位置)传感器可以使用诸如衍射和干涉之类的光学现象,以从形成在衬底上的对准标记获得位置信息。用于当前光刻装置的对准传感器的示例基于如在US6961116中描述的自参考干涉仪。已经开发出了位置传感器的各种增强和修改,例如,如在US2015261097A1中所公开的。所有这些出版物的内容通过引用并入本文。
标记或对准标记可以包括一系列栅条,这些栅条形成在设置在衬底上的层上或中,或(直接)形成在衬底中。栅条可以规则隔开并且充当光栅线,使得标记可以被视为具有众所周知的空间周期(节距)的衍射光栅。依据这些光栅线的方位,标记可以被设计为允许测量沿着X轴或沿着Y轴(其方位基本垂直于X轴)的位置。包括相对于X轴和Y轴以+45度和/或-45度布置的栅条的标记允许进行组合的X测量和Y测量,其使用如在通过引用并入的US2009/195768A中描述的技术。
对准传感器使用辐射斑点对每个标记进行光学扫描,以获得周期性变化的信号,诸如正弦波。分析该信号的相位,以确定标记的位置,因此确定衬底相对于对准传感器的位置,该对准传感器又相对于光刻装置的参考系固定。可以提供与不同(粗略和精细)标记尺寸有关的所谓的粗略标记和精细标记,使得对准传感器可以区分周期信号的不同循环以及循环内的精确位置(相位)。出于该目的,也可以使用不同节距的标记。
测量标记的位置也可以提供关于在其上设置标记的衬底的变形的信息,例如,该衬底呈晶片栅格的形式。例如,通过将衬底静电夹紧到衬底台和/或当衬底暴露于辐射而加热衬底时,衬底可能会变形。
图3是已知对准传感器AS的一个实施例的示意性框图。辐射源RSO提供一个或多个波长的辐射射束RB作为照射斑点SP,该辐射射束RB通过转向光学器件而被转向到目标(诸如位于衬底W上的标记AM)上。在该示例中,转向光学器件包括斑点反射镜SM和物镜OL。照射标记AM的照射斑点SP的直径可以略小于标记本身的宽度。
由标记AM衍射的辐射(在该示例中,经由物镜OL)被准直成信息携带射束IB。术语“衍射”旨在包括来自标记的零阶衍射(其可以被称为反射)。自参考干涉仪SRI(例如,上文所提及的US6961116中公开的类型)将射束IB与其自身干涉,之后射束被光电探测器PD接收。可以包括附加光学器件(未示出),以在辐射源RSO产生一个以上波长的情况下提供分开的射束。光电探测器可以是单个元件,或如果需要,则它可以包括多个像素。光电探测器可以包括传感器阵列。
在该示例中,包括斑点反射镜SM的转向光学器件还可以用于阻挡从标记反射的零阶辐射,使得信息携带射束IB仅包括来自标记AM的更高阶衍射辐射(这对测量并非必必需的,但提高了信噪比)。
向处理单元PU供应强度信号SI。通过框SRI中的光学处理和单元PU中的计算处理的组合,输出衬底上相对于参考系的X位置和Y位置的值。
所图示的类型的单个测量仅将标记的位置固定在与标记的一个节距相对应的特定范围内。粗略测量技术与此结合使用,以识别正弦波的哪个周期是包含所标记的位置的周期。在不同的波长处重复粗略水平和/或精细水平的相同过程,以提高准确性和/或稳定检测标记,而与制作标记的材料以及在其上和/或其下方设置标记的材料无关。下文公开了在执行和处理这样的多波长测量方面的改进。
在光刻过程中,期望经常对所产生的结构进行测量,例如,用于过程控制和验证。用于进行这种测量的各种工具是已知的,包括扫描电子显微镜或各种形式的量测装置,诸如散射仪。已知散射仪的示例通常依赖于提供专用量测目标,诸如欠填充的目标(形式为简单光栅或不同层中的重叠光栅的目标,其足够大以使得测量射束生成比光栅小的斑点)或过填充的目标(由此照射斑点部分或完全包含目标)。此外,使用量测工具(例如,照射诸如光栅之类的欠填充的目标的角分辨散射仪)允许使用所谓的重建方法,其中可以通过模拟经散射的辐射与目标结构的数学模型的相互作用、并且将模拟结果与测量结果进行比较来计算光栅的特性。调整模型的参数,直到所模拟的相互作用产生与从真实目标观察到的衍射图案相似的衍射图案。
散射仪是一种通用仪器,通过在散射仪的物镜的光瞳或与之的共轭平面中设置传感器(测量通常被称为基于光瞳的测量)或通过在图像平面或与图像平面共轭的平面上设置传感器(在这种情况下,测量通常被称为基于图像或场的测量),可以测量光刻过程的参数。在专利申请US20100328655、US2011102753A1、US20120044470A、US20110249244、US20110026032或EP1,628,164A中进一步描述了这种散射仪和相关测量技术,其全部内容通过引用并入本文。上述散射仪可以在一个图像中使用来自硬X射线、软X射线、极紫外和可见光到近红外波段的光来测量来自多个光栅的多个目标。
图4描绘了诸如散射仪等之类的量测仪器的一个示例。它可以包括宽带(例如,白光)辐射投射仪2,该宽带辐射投射仪2将辐射5投射到衬底W上。经反射或散射的辐射10被传递到光谱仪检测器4,该光谱仪检测器4测量经镜面反射的辐射的光谱6(即,I随波长λ而变化的强度的测量)。根据该数据,可以通过处理单元PU重建产生所检测到的光谱的结构或轮廓8,例如,通过严格耦合波分析和非线性回归或者通过与图4底部所示的模拟光谱库进行比较。一般来说,对于重建,结构的一般形式是已知的,并且一些参数是根据制作结构的过程的知识而假设的,从而仅结构的一些参数要根据散射测量数据被确定。这种散射仪可以被配置为正入射散射仪或斜入射散射仪。
散射仪可以包括暗场散射仪(其中零阶在检测器之前被阻挡,从而仅捕获经衍射的更高阶)以及也捕获零阶的亮场散射仪。一些散射仪能够同时进行明场测量和暗场测量。已知类型的暗场散射测量技术将一对互补的较高衍射阶中的每个衍射阶的强度(例如,比较+1阶和-1阶的相应强度)进行比较,以确定所测量的目标中的不对称性(强度差的大小与不对称性成比例)。目标不对称性反过来可以用于确定各种感兴趣参数,诸如形成目标时的套刻或聚焦设置。
在整个描述中,与传统一样,术语“标记”或“对准标记”可以用于描述用于对准的目标,而术语“目标”用于描述用于过程监测的量测目标(例如,套刻或聚焦目标)。术语“目标”可以通常用于描述任何类型的结构,并且涵盖专门为量测目的形成的目标和用于量测的任何其他结构两者,如果直接测量所述产品结构,则包括实际产品结构在内。
本文中所公开的概念同样适用于对准或其他量测技术,诸如(例如,基于散射测量的)套刻和/或聚焦监测。
当量测传感器所发射的辐射与目标相互作用并且衍射时,这种经衍射的辐射包括关于目标几何形状的信息。因此,对于非对称(变形的)目标(例如,非对称对准标记或套刻/聚焦目标,包括可归因于除套刻/聚焦之外的效应的非想要的非对称贡献),量测工具将检测与晶片上的实际测量值不同的测量值(例如,位置或套刻/聚焦值)。在对准的上下文中,该测量误差可以被称为对准位置误差,该对准位置误差是所测量的目标的对准位置与目标的实际对准位置之间的差异的度量。这种位置差异导致套刻误差,这些套刻误差较大程度取决于在目标中引起的不对称性的类型和大小并且还取决于目标深度。
对准位置误差的因素包括例如:
·光栅不对称性,即,非想要的光栅不对称性(例如,底部光栅的底面倾斜或不等的侧壁角度)会导致波长相关的对准位置误差。
·厚度变化和传感器像差,即,叠层内的层厚度变化和干涉会使光在光瞳内重新分布,这与传感器像差一起会导致对准位置误差。
·残余形貌和表面粗糙度,即,当信号强度较低时,形貌和表面粗糙度可能会导致对准位置误差,其由于干扰而与波长有关。
为了缓解这种情况,一些散射仪和/或对准传感器使用多个不同的波长(例如,在相应的测量通道中或以其他方式)进行测量。在理想情形下,多波长测量中使用的所有波长将对几何完美的衬底上的目标产生相同的测量结果。然而,由于不对称性和非想要的目标贡献,所以情况通常并非如此,并且观察到波长相关的位置变化或颜色-颜色的位置变化。
在对准的上下文中,基于多个波长测量,已知能够校正或缓解对准位置误差的方法。一些解决方案通常试图确定特定目标/底层的最准确波长,并且使用该波长。在美国出版物US2019/0094721A1(通过引用并入本文)中更详细地描述了一种改进的解决方案,该解决方案包括被称为最优颜色加权(OCW)的技术。应当领会,针对不同的颜色(例如,波长或偏振)以及取决于层厚度变化和正在被测量的目标的类型,对准位置误差的尺寸不同。基于OCW的方法旨在确定用于使目标变形对测量值的影响最小的所有颜色的最佳(例如,加权)组合(例如,测量选配方案)。
期望导出性能度量或性能指标(例如,关键性能指标(KPI)),以监测和评估正在被使用的经优化的测量选配方案的性能。许多与晶片对准有关的性能指标取决于所测量的曝光后测量数据(例如,套刻数据或其他参考)来实现这点。在无需套刻数据或其他曝光后测量数据(例如,仅使用曝光前测量数据或对准数据)的情况下,导出性能指标可能会是有用的。
目前使用的性能指标被称为残余套刻性能指标(residual overlay performanceindicator,ROPI)。ROPI是一种用于测量过程层与绝对栅格之间的残余晶片栅格差异的指标,如曝光工具台所定义的。更具体地,ROPI可以被定义为所测量的位置与所建模的位置的晶片残差(差)的3σ。虽然ROPI可以用于预测套刻颜色-颜色的行为,但它并非一个非常准确的度量,也不总是非常有用。
量测可能有两个不同的阶段(对准或曝光后监测,诸如套刻或聚焦量测):
·选配方案设置阶段,在该选配方案设置阶段中,确定多波长测量选配方案(例如,颜色权重)。在选配方案设置期间测量的晶片中出现过程变化时,选配方案优化了测量准确性。在选配方案设置过程中,外部参考数据可能可用,也可能不可用。
·制造阶段(例如,大批量制造(HVM)),在该制造阶段中,多个晶片以高速(即,高生产量)曝光。在测量之后和进行下一步之前(例如,在对准测量的情况下进行曝光或在套刻测量的情况中进行蚀刻),应当立即检查选配方案的性能或“健康状况”。这样,可以评估何时应当更新选配方案(或采取其他动作),以避免晶片曝光不符合规格(即,具有一个或多个缺陷)。因为可以期望在测量之后立即(或很快)进行这种健康检查,所以没有外部参考数据可用(例如,来自经先前曝光的晶片的测量)。
将描述用于确定KPI的两个实施例,该KPI用于监测经优化的测量选配方案或测量设置的性能或健康状况,该KPI无需曝光后量测数据并且可以用于在进行测量后立即根据测量数据来评估选配方案。
第一实施例包括:将使用第一测量选配方案的测量与使用第二测量选配方案的第二测量进行比较,该第一测量选配方案基于与第一测量条件集合有关的第一测量数据集而被优化,该第二测量选配方案基于与第二测量条件集合有关的第二测量数据集而被优化,其中第二测量条件集合与所述第一测量条件集合不同。
在一个实施例中,第二测量条件集合可以包括第一测量条件集合的适当子集。比较的结果(例如,第一测量和第二测量的差)可以用作KPI来监测所述第一测量选配方案的性能。在这种实施例中,第一测量条件集合可以包括(可选地)所有可用的测量条件、或特定类型或组的所有可用的测试条件(例如,所有可用的波长或照射条件)。第二测量条件集合将是这些条件的适当子集(例如,波长或照射条件的适当子集)。
在其他实施例中,第二测量条件集合可以包括第一测量条件集合的适当子集加上附加测量条件。可替代地,第二测量条件集合可以包括与第一测量条件集合完全不同的测量条件集合。
在设置或训练阶段,可以选取第二测量子集,使得第一测量和第二测量在值上相同或足够相似。然后,在制造阶段中,可以监测分别与第一测量选配方案和第二测量选配方案有关的对应测量之间的差异(即,KPI),以查看其是否漂移到较大值。如果它漂移太多(例如,超过阈值或多个阈值中的一个阈值),则可以采取一个或多个校正动作。
可以以广义方式解释其中第二测量条件集合可能与第一测量条件集合不同的测量条件类型。测量条件可以例如在以下方面变化:照射条件(例如,波长、偏振态或波长/偏振组合)强度不平衡测量(例如,来自被测量的目标晶片的一对互补衍射阶中的每个衍射阶(例如,+1阶、-1阶)的相应强度之间的强度差),用于优化第一测量选配方案的每个晶片或批次上的点、或其中两个或更多个的任何组合。这是非穷举列表,并且可以包括任何测量条件,对于该测量条件,其变化可能导致感兴趣参数的测量值的变化。
确定第一测量选配方案和第二测量选配方案的方法可以包括:确定要使用哪一个或多个颜色/偏振组合和/或确定颜色/偏振组合中的每个颜色/偏振组合的加权;例如,在对准的上下文中,使用上文所描述的方法来确定OCW。
图5是描述这种方法的流程图,在该示例中,第二测量条件集合是第一测量条件集合的适当子集。对一个或多个训练晶片TW执行步骤500、510和520作为设置阶段。在步骤500处,基于与第一测量条件集合有关的第一测量数据来确定第一测量选配方案。第一测量条件集合可以包括所有可用的测量条件。该步骤可以包括对测量条件进行优化,以确定特定应用(例如,特定叠层/目标等)的经优化的测量选配方案。例如,在给定可用测量条件的情况下,经优化的测量选配方案可以提供尽可能准确的测量值。然而,它本身不能用来评估选配方案的性能,以检查该选配方案是否保持健康。在特定示例中,该步骤可以包括:基于来自训练晶片TW的所有可用信息来确定颜色/偏振组合的第一加权(例如,以优化OCW权重)。
在步骤510处,执行确定或优化以确定第二测量选配方案(与第一测量选配方案不同)。步骤500本质上是步骤510的重复,但是使用包括第一测量数据的适当子集的不同数据集(第二测量数据),只要第二测量数据与第一测量条件集合的适当子集(即,第二测量条件集合)有关即可。在一个特定示例中,该步骤可以包括:基于来自训练晶片TW的可用信息的适当子集来确定颜色/偏振组合的第二加权(例如,以优化OCW权重)。信息的适当子集可以是以下各项中的一项或多项的子集:可用照射条件、晶片、每个晶片的测量点、批次。该子集可能不一定给出最佳测量值,但应该对不对称目标变形的改变敏感。如上文所提及的,第二测量数据不需要与第一测量条件集合的适当子集有关(例如,其中第一测量条件集合是所有可用测量条件的子集)。
在步骤520处,根据分别使用所述第一测量选配方案和第二测量选配方案执行的一个或多个测量的差异或其他比较来确定KPI。例如,KPI可以包括测量值之间的对准位置差异或套刻差异(例如,最小化的对准位置差异或套刻差异)。
例如,在HVM设置中,可以对生产晶片PW执行步骤530。当执行测量(无论是对准还是曝光后量测)以获得生产量测数据时,分别使用第一测量选配方案和第二测量选配方案在来自(多个)同一目标的第一测量值(第一生产测量数据)和第二测量值(第二生产测量数据)之间进行比较。在第一测量选配方案和第二测量选配方案在照射条件方面不同的情况下,例如,有可能测量数据与在所有可用照射条件下执行的测量(例如,同时测量)有关,并且通过处理该测量数据来确定第一测量值和第二测量值。基于比较,量测可以像以前一样继续(例如,KPI没有漂移太多),或可以执行一个或多个纠正动作。以下将描述纠正动作的示例。
当KPI显著漂移时,这意味着第一测量选配方案和第二测量选配方案不再测量同一测量值,这指示目标中存在新的不对称模式或贡献。
现在,对第二实施例进行描述,其中KPI基于统计分解方法或分量分析方法,其将测量数据变换为统计域。将根据主分量分析(PCA)来描述该方法,然而,应当领会,可以使用任何类似的统计方法,诸如例如,奇异值分解(SVD)或独立分量分析(ICA)。
建议将这种分量分析(例如,PCA)应用于在选配方案设置阶段获得的(例如,目标水平)设置测量数据,以确定该数据的(例如,主)分量。在这种实施例中,KPI可以基于(例如,HVM)设置测量数据和所确定的测量数据的一个或多个主分量(或其他分量)的比较。例如,KPI可以是对HVM测量数据与(多个)主分量之间的相似性(或差异,这当然本质上是一样的——根据定义,相似性度量也量化了差异)的量化,例如,根据任何合适的相似性度量。在制造阶段(例如,HVM)期间,通过将HVM测量数据与选配方案设置阶段期间确定的主分量进行比较,可以监测测量选配方案。和以前一样,KPI中的任何漂移都有可能触发纠正动作。
测量数据可以包括例如作为波长和/或偏振的函数的性能参数或测量参数的一个或多个变化(例如,如在量测工具的不同测量通道中测量的)。作为照射条件的函数的这种变化度量通常被称为摆动曲线。更具体地,测量数据可以包括以下各项中的一项或多项(以任何组合):
·APD摆动曲线;
·信号强度摆动曲线;
·强度不平衡(Q)摆动曲线;
·强度不对称性度量摆动曲线,诸如A+/A-曲线(例如,对于基于强度不对称性的套刻技术,其中A+是来自经偏置或正偏置的第一目标的互补衍射阶的强度不对称性或强度差,A-是来自经偏置或负偏置的第二目标的互补衍射阶的强度不对称性或强度差);
·套刻摆动曲线(例如,用于基于图像的套刻量测技术,诸如盒中盒(box-in-box)套刻量测)。
就比所测量的数据中的可观测参数少的参数而言,主分量基本上描述了选配方案设置阶段期间测量的设置测量数据。例如,如果存在两个主过程变化,则可能只有两个强主分量,即使存在多个测量设置或多个测量通道,例如,颜色+偏振+强度通道。例如,可能存在4个至100个通道/测量条件或4个至50个通道/测试条件(例如,4、12、24或48个通道)。每个主分量摆动曲线可以被描述为向量,例如,其长度与测量通道的数目(例如,4/12/24/48)相对应。当然,您可以出于任何原因而忽略一个或多个颜色/通道,例如,这些颜色/通道不能提供可靠的数据。
这样,测量数据的主分量(例如,每个分量包括相应摆动曲线)可以分别与相应不对称性模式或过程变化相对应。通过具体示例,可以对与目标/晶片有关的量测数据执行选配方案设置阶段,这些目标/晶片经受两种(主)过程变化(例如,光栅侧壁角度变化和层厚度变化)。在这种情况下,主分量分析将确定与这两个过程变化相对应的两个APD摆动曲线(即,两个主分量)。如果制造过程中出现第三过程变化(例如,顶部倾斜),则针对HVM测量数据确定的APD摆动曲线将与在设置阶段确定的两个主分量(及其组合)不同。因为经优化的测量选配方案可能不再是最优的,所以这种差异(例如,关于相似性度量)可以用于标记动作。
因此,KPI量化了主分量对HVM测量数据的描述程度。当以标记水平进行量化时,通常无需对HVM测量数据进行任何主分量分析(如确定主分量一样)。KPI可以描述主分量(这些分量的最佳组合)与HVM测量之间的相似性。可以使该KPI标准化。如果超过阈值,则可以将KPI与阈值和标志进行比较。
图6是描述这种方法的流程图。在训练晶片TW上的选配方案设置阶段中,步骤600包括:确定经优化的测量选配方案(例如,使用所有可用的测量条件)。该步骤可以与前述实施例的步骤500相同。在步骤610处,对用于确定经优化的测量选配方案的测量数据执行分量分析或统计分解(例如,PCA),以确定KPI可基于的测量数据的主分量或独立分量。这些主分量或独立分量可以包括相应的摆动曲线。在步骤620处,在来自生产晶片PW的生产量测数据的生产阶段中,将生产量测数据(例如,形式还为摆动曲线或其矢量表示)与所确定的主分量/独立分量进行比较,其中KPI描述它们的相似性/差异。
在任一实施例中,如果KPI没有显著漂移,或至少漂移得太远,则可以得出结论:过程变化(例如,光栅不对称性、层厚度等)与在选配方案设置期间观察到的变化相似。如果KPI发生漂移,则表明过程变化发生了改变,该改变可能需要采取纠正动作。
校正动作可以包括:执行新选配方案设置以获得新测量选配方案。然而,这在时间方面会产生很大的开销,因此可以依据KPI的漂移程度采取更具分层的方法(例如,KPI可能存在用于触发不同的动作的多个阈值)。在一个特定实施例中,可以根据开销对动作进行排序;例如:
1.在处理期间,可以使测量无效或给予较低权重;例如,当计算晶片栅格时,对准测量可能被无效或被赋予较低权重。栅格中的点的权重是该KPI的函数(例如,成反比);
2.(在对准上下文中)可以触发新的多目标对准参考测量,仅基于对准来优化权重。在其他上下文中,这可以包括仅基于生产测量数据来确定新的选配方案优化;
3.当KPI触发时,可以“在阴影模式下”更新OCW选配方案(与曝光有关)和(/或)主分量(与用于理解所测量的信号是否仍符合预期/正常有关)。这可以包括:曝光晶片;然后测量经曝光的晶片上的套刻层。所测量的套刻可以用于更新OCW选配方案(这不会妨碍扫描仪生产量,这是非常理想的;在接收选配方案更新时会有一些延迟,但假设KPI(即,过程)在这段时间内没有漂移太远,则这可能是可以接受的)。在基于套刻数据来更新OCW权重的同时,还可以基于对准数据(触发了KPI)来更新主分量。
4.可以触发全新的OCW训练(优化新集合的权重);这需要等待这些特定晶片上的套刻测量变得可用。
应当领会,在整个文本中,术语“颜色”与波长同义,并且颜色可以包括可见波段之外的颜色(例如,红外波长或紫外波长)。
虽然上文已经对本发明的具体实施例进行了描述,但应当领会,本发明可以以与所描述的方式不同的方式来实践。
尽管上文可能已经具体参考了在光学光刻的上下文下使用本发明的实施例,但是应当领会,本发明可以用于其他应用,例如,压印光刻,并且在上下文允许的情况下,不限于光学光刻。在压印光刻中,图案形成装置中的形貌定义了在衬底上产生的图案。图案形成装置的形貌可以被压入供应给衬底的抗蚀剂层中,然后通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来固化抗蚀剂。在抗蚀剂固化之后,将图案形成装置移出抗蚀剂,从而在其中留下图案。
本文中使用的术语“辐射”和“射束”包括所有类型的电磁辐射,包括紫外线(UV)辐射(例如,具有或大约365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(如,具有1nm至100nm的波长范围)、以及粒子射束,如离子射束或电子射束。
在上下文允许的情况下,术语“透镜”可以是指各种类型的光学部件中的任一光学部件或其组合,包括折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件和静电光学部件。反射部件可能用于在UV和/或EUV范围内操作的装置中。
本发明的广度和范围不应受到上述示例性实施例中的任一示例性实施例的限制,而应仅根据权利要求及其等同物进行定义。
还可以通过以下条款对本公开的实施例进行描述。
1.一种用于确定量测过程的至少一个性能指标的方法,所述性能指标指示使用第一测量选配方案而执行的测量的测量性能,所述方法包括:
获得第一测量数据,所述第一测量数据与一个或多个设置衬底和第一测量条件集合有关;
基于所述第一测量数据来确定所述第一测量选配方案;以及
根据以下各项确定所述至少一个性能指标:
所述第一测量数据的、从分量分析或统计分解获得的一个或多个分量;或
与所述第一测量选配方案相关的一个或多个第一测量值和与第二测量选配方案有关的一个或者多个第二测量值的比较,其中所述第二测量选配方案基于第二测量数据而被确定,所述第二测量数据与所述第一测量数据不同并且与第二测量条件集合有关,所述第二测量条件集合与所述第一测量条件集合不同。
2.根据条款1所述的方法,其中确定第一测量选配方案包括:将化所述第一测量选配方案优化为所述第一测量条件集合的子集,以便优化使用所述第一度量选配方案执行的测量的准确性。
3.根据条款2所述的方法,其中将所述第一测量选配方案优化包括:确定要用于测量的一个或多个照射条件和/或确定要用于测量的所述照射条件中的每个照射条件的加权。
4.根据任一前述条款所述的方法,其中所述性能指标根据所述一个或多个第一测量值和所述一个或多个第二测量值的所述比较而被确定。
5.根据条款4所述的方法,其中所述性能指标根据所述一个或多个第一测量值和所述一个或多个第二测量值的差而被确定。
6.根据条款4或5所述的方法,其中所述第二测量条件集合与所述第一测量条件集合在以下各项中的一项或多项方面不同:
被用于获得所述相应测量数据的照射条件;
与所述相应测量数据有关的强度不平衡测量;
所述一个或多个设置衬底;
所述一个或多个设置衬底中的每个设置衬底上的测量点;
所述一个或多个设置衬底的批次或组;或
这些项中的两项或更多项的任一组合。
7.根据条款4至6中任一项所述的方法,包括:将所述第二测量选配方案优化为所述第二测量条件集合的子集,以便优化使用所述第二测量选配方案执行的测量的准确性,并且使得所述一个或多个第一测量值与所述一个或多个第二测量值相似。
8.根据条款4至7中任一项所述的方法,其中所述第二测量数据包括所述第一测量数据的适当子集,并且所述第二测量条件集合包括所述第一测量条件集合的适当子集。
9.根据条款8所述的方法,其中所述第二测量条件集合包括照射条件的适当子集,所述照射条件的适当子集被包括在所述第一测量条件集合内,以及
将所述第二测量选配方案优化包括:确定要用于测量的一个或多个照射条件和/或确定要用于测量的所述照射条件中的每个照射条件的加权。
10.根据条款4至9中任一项所述的方法,包括:
获得第一生产测量数据,所述第一生产测量数据与使用所述第一测量选配方案在生产衬底上执行的量测有关;
获得第二生产测量数据,所述第二生产测量数据与使用所述第二测量选配方案在生产衬底上执行的量测有关;以及
比较经处理的所述第一生产测量数据和经处理的所述第二生产测量数据。
11.根据条款1至3中任一项所述的方法,其中所述至少一个性能指标根据所述第一测量数据的一个或多个分量而被确定,所述第一测试数据的一个或多个分量从以下各项获得:
主分量分析;
独立分量分析;或
奇异值分解。
12.根据条款11所述的方法,其中所述测量数据包括一个或多个摆动曲线,其中所述每个摆动曲线将测量参数的所述变化描述为照射条件的函数。
13.根据条款12所述的方法,其中所述测量数据包括以下各项中的一项或多项,以任何组合:
测量偏移摆动曲线;
信号强度摆动曲线;
强度不平衡摆动曲线;
强度不对称性度量摆动曲线;
套刻摆动曲线。
14.根据条款11至13中任一项所述的方法,包括:
获得与所述第一测量选配方案有关的生产测量数据;以及
将所述至少一个性能指标确定为所述生产测量数据与所述第一测量数据的所述一个或多个分量的比较。
15.根据条款10或14所述的方法,包括:将所述比较步骤的所述结果与至少一个阈值进行比较;以及如果超过所述至少一个阈值,则执行至少一个校正动作。
16.根据条款15所述的方法,其中所述至少一个校正动作包括:执行选配方案设置以确定新的第一测量选配方案。
17.根据条款15或16所述的方法,其中所述至少一个校正动作包括:使所述生产测量数据无效和/或对其应用加权。
18.根据条款15、16或17所述的方法,其中所述至少一个阈值包括多个阈值,每个阈值与对应的不同校正动作有关。
19.根据条款10或条款14至18中任一项所述的方法,包括:执行量测动作以获得所述生产量测数据。
20.根据条款10或条款14至19中任一项所述的方法,其中所述生产测量数据包括对准数据,并且所述第一测量选配方案包括用于对准量测的测量选配方案。
21.根据条款10或条款14至20中任一项所述的方法,其中所述生产测量数据包括曝光后量测数据,并且所述第一测量选配方案包括用于曝光后量测的测量选配方案。
22.根据条款21所述的方法,其中所述曝光后量测数据包括套刻或聚焦数据,并且所述第一测量选配方案包括用于套刻或聚焦量测的测量选配方案。
23.一种计算机程序,包括程序指令,所述程序指令当在合适装置上运行时,能够操作用于执行根据任何前述条款中任一项所述的方法。
24.一种非暂态计算机程序载体,包括根据条款23所述的计算机程序。
25.一种处理布置,包括:
根据条款24所述的非暂态计算机程序载体;以及
处理器,能够操作用于运行计算机程序,所述计算机程序被包括在所述非暂态计算机程序载体上。
26.一种量测装置,包括根据条款25所述的处理装置。
27.根据条款26所述的量测装置,包括散射仪,并且能够操作以测量曝光后量测数据。
28.一种对准传感器,包括根据条款25所述的处理装置。
29.一种光刻装置,包括:
根据条款28所述的对准传感器;
图案形成装置支撑件,用于支撑图案形成装置;以及
衬底支撑件,用于支撑衬底。
Claims (21)
1.一种用于确定量测过程的至少一个性能指标的方法,所述性能指标指示使用第一测量选配方案而执行的测量的测量性能,所述方法包括:
获得第一测量数据,所述第一测量数据与一个或多个设置衬底和第一测量条件集合有关;
基于所述第一测量数据来确定所述第一测量选配方案;以及
根据以下各项确定所述至少一个性能指标:
所述第一测量数据的、从分量分析或统计分解获得的一个或多个分量;或
与所述第一测量选配方案相关的一个或多个第一测量值和与第二测量选配方案有关的一个或者多个第二测量值的比较,其中所述第二测量选配方案基于第二测量数据而被确定,所述第二测量数据与所述第一测量数据不同并且与第二测量条件集合有关,所述第二测量条件集合与所述第一测量条件集合不同。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述的确定第一测量选配方案包括:将所述第一测量选配方案优化为所述第一测量条件集合的子集,以便优化使用所述第一度量选配方案执行的测量的准确性。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述的将所述第一测量选配方案优化包括:确定要用于测量的一个或多个照射条件和/或确定要用于测量的所述照射条件中的每个照射条件的加权。
4.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述性能指标根据所述一个或多个第一测量值和所述一个或多个第二测量值的所述比较而被确定。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述性能指标根据所述一个或多个第一测量值和所述一个或多个第二测量值的差而被确定。
6.根据权利要求4或5所述的方法,其中所述第二测量条件集合与所述第一测量条件集合在以下各项中的一项或多项方面不同:
被用于获得相应测量数据的照射条件;
与所述相应测量数据有关的强度不平衡测量;
所述一个或多个设置衬底;
所述一个或多个设置衬底中的每个设置衬底上的测量点;
所述一个或多个设置衬底的批次或组;或
这些项中的两项或更多项的任一组合。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的方法,包括:将所述第二测量选配方案优化为所述第二测量条件集合的子集,以便优化使用所述第二测量选配方案执行的测量的准确性,并且使得所述一个或多个第一测量值与所述一个或多个第二测量值相似。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的方法,其中所述第二测量数据包括所述第一测量数据的适当子集,并且所述第二测量条件集合包括所述第一测量条件集合的适当子集。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述第二测量条件集合包括照射条件的适当子集,所述照射条件的适当子集被包括在所述第一测量条件集合内,以及
所述的将所述第二测量选配方案优化包括:确定要用于测量的一个或多个照射条件和/或确定要用于测量的所述照射条件中的每个照射条件的加权。
10.根据权利要求4至9中任一项所述的方法,包括:
获得第一生产测量数据,所述第一生产测量数据与使用所述第一测量选配方案在生产衬底上执行的量测有关;
获得第二生产测量数据,所述第二生产测量数据与使用所述第二测量选配方案在生产衬底上执行的量测有关;以及
比较经处理的所述第一生产测量数据和经处理的所述第二生产测量数据。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中所述至少一个性能指标根据所述第一测量数据的一个或多个分量而被确定,所述第一测试数据的一个或多个分量从以下各项获得:
主分量分析;
独立分量分析;或
奇异值分解。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述测量数据包括一个或多个摆动曲线,其中所述每个摆动曲线将测量参数的所述变化描述为照射条件的函数。
13.根据权利要求10权利要求12所述的方法,其中所述生产测量数据包括对准数据,并且所述第一测量选配方案包括用于对准量测的测量选配方案。
14.根据权利要求10、12或13所述的方法,其中所述生产测量数据包括曝光后量测数据,并且所述第一测量选配方案包括用于曝光后量测的测量选配方案。
15.一种计算机程序,包括程序指令,所述程序指令当在合适装置上运行时,能够操作用于执行根据前述权利要求中任一项所述的方法。
16.一种非暂态计算机程序载体,包括根据权利要求15所述的计算机程序。
17.一种处理装置,包括:
根据权利要求16所述的非暂态计算机程序载体;以及
处理器,能够操作用于运行所述计算机程序,所述计算机程序被包括在所述非暂态计算机程序载体上。
18.一种量测装置,包括根据权利要求17所述的处理装置。
19.根据权利要求18所述的量测装置,包括散射仪,并且能够操作用于测量曝光后量测数据。
20.一种对准传感器,包括根据权利要求19所述的处理装置。
21.一种光刻装置,包括:
根据权利要求20所述的对准传感器;
图案形成装置支撑件,用于支撑图案形成装置;以及
衬底支撑件,用于支撑衬底。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP20210371.9 | 2020-11-27 | ||
EP20210371 | 2020-11-27 | ||
PCT/EP2021/080602 WO2022111967A2 (en) | 2020-11-27 | 2021-11-04 | Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116529673A true CN116529673A (zh) | 2023-08-01 |
Family
ID=73642706
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202180079702.1A Pending CN116529673A (zh) | 2020-11-27 | 2021-11-04 | 量测方法及相关量测和光刻装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240012342A1 (zh) |
JP (1) | JP2023550904A (zh) |
CN (1) | CN116529673A (zh) |
TW (1) | TW202227904A (zh) |
WO (1) | WO2022111967A2 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4361726A1 (en) * | 2022-10-24 | 2024-05-01 | ASML Netherlands B.V. | Inference model training |
WO2024033005A1 (en) * | 2022-08-09 | 2024-02-15 | Asml Netherlands B.V. | Inference model training |
CN118655450B (zh) * | 2024-08-19 | 2024-10-15 | 国鲸科技(广东横琴粤澳深度合作区)有限公司 | 一种用于智能显示的柔性基板性能检测方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60319462T2 (de) | 2002-06-11 | 2009-03-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
NL1036476A1 (nl) | 2008-02-01 | 2009-08-04 | Asml Netherlands Bv | Alignment mark and a method of aligning a substrate comprising such an alignment mark. |
NL1036597A1 (nl) | 2008-02-29 | 2009-09-01 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method. |
NL1036734A1 (nl) | 2008-04-09 | 2009-10-12 | Asml Netherlands Bv | A method of assessing a model, an inspection apparatus and a lithographic apparatus. |
NL1036857A1 (nl) | 2008-04-21 | 2009-10-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
US8891061B2 (en) | 2008-10-06 | 2014-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic focus and dose measurement using a 2-D target |
DE102009006887B3 (de) * | 2009-01-30 | 2010-07-15 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren und System zur Halbleiterprozesssteuerung und Überwachung unter Anwendung eines Datenqualitätsmaßes |
NL2004094A (en) | 2009-02-11 | 2010-08-12 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method. |
KR101461457B1 (ko) | 2009-07-31 | 2014-11-13 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀 |
WO2011023517A1 (en) | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets |
WO2012022584A1 (en) | 2010-08-18 | 2012-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method |
US9140998B2 (en) | 2010-11-12 | 2015-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
KR101761735B1 (ko) | 2012-03-27 | 2017-07-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 |
NL2010458A (en) | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background. |
JP6077647B2 (ja) | 2012-05-29 | 2017-02-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジー方法及び装置、基板、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法 |
NL2011173A (en) | 2012-07-30 | 2014-02-03 | Asml Netherlands Bv | Position measuring apparatus, position measuring method, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
KR102353216B1 (ko) * | 2016-05-12 | 2022-01-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 측정치 획득 방법, 프로세스 단계 수행 장치, 계측 장치, 디바이스 제조 방법 |
KR102265164B1 (ko) * | 2016-09-27 | 2021-06-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 레시피 선택 |
EP3444674A1 (en) * | 2017-08-14 | 2019-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus to determine a patterning process parameter |
WO2019063245A1 (en) | 2017-09-28 | 2019-04-04 | Asml Netherlands B.V. | LITHOGRAPHIC METHOD |
CN112236724B (zh) * | 2018-06-08 | 2023-05-23 | Asml荷兰有限公司 | 确定衬底上的一个或更多个结构的特性的量测设备和方法 |
KR102529085B1 (ko) * | 2018-06-25 | 2023-05-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 성능 매칭에 기초하는 튜닝 스캐너에 대한 파면 최적화 |
JP7108562B2 (ja) * | 2019-02-22 | 2022-07-28 | 株式会社日立製作所 | 処理の制御パラメータの決定方法、及び計測システム |
US20240118629A1 (en) * | 2019-10-17 | 2024-04-11 | Asml Netherlands B.V. | Methods of fitting measurement data to a model and modeling a performance parameter distribution and associated apparatuses |
EP4053636A1 (en) * | 2021-03-02 | 2022-09-07 | ASML Netherlands B.V. | Alignment method |
WO2022199958A1 (en) * | 2021-03-10 | 2022-09-29 | Asml Netherlands B.V. | Alignment method and associated alignment and lithographic apparatuses |
CN117999517A (zh) * | 2021-09-08 | 2024-05-07 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法以及相关联的量测和光刻设备 |
-
2021
- 2021-11-04 WO PCT/EP2021/080602 patent/WO2022111967A2/en active Application Filing
- 2021-11-04 US US18/035,008 patent/US20240012342A1/en active Pending
- 2021-11-04 CN CN202180079702.1A patent/CN116529673A/zh active Pending
- 2021-11-04 JP JP2023527666A patent/JP2023550904A/ja active Pending
- 2021-11-26 TW TW110144116A patent/TW202227904A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022111967A2 (en) | 2022-06-02 |
TW202227904A (zh) | 2022-07-16 |
JP2023550904A (ja) | 2023-12-06 |
WO2022111967A3 (en) | 2022-07-21 |
US20240012342A1 (en) | 2024-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11828585B2 (en) | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method | |
US9470986B2 (en) | Inspection methods, inspection apparatuses, and lithographic apparatuses | |
KR101429629B1 (ko) | 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀 | |
US8767183B2 (en) | Method of overlay measurement, lithographic apparatus, inspection apparatus, processing apparatus and lithographic processing cell | |
KR20170018097A (ko) | 기판의 성질을 측정하기 위한 방법 및 장치 | |
JP2012515431A (ja) | 検査方法、検査システム、基板、およびマスク | |
US20110295555A1 (en) | Method and System for Determining a Lithographic Process Parameter | |
US20240012342A1 (en) | Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses | |
US20140089870A1 (en) | Inspection Method and Apparatus and Lithographic Processing Cell | |
KR20180095605A (ko) | 스캐터로메트리에서의 편광 튜닝 | |
US9163935B2 (en) | Device manufacturing method and associated lithographic apparatus, inspection apparatus, and lithographic processing cell | |
CN114868084A (zh) | 量测方法和相关联的量测和光刻设备 | |
CN114008534A (zh) | 量测方法和相关联的量测术以及光刻设备 | |
US20240184221A1 (en) | Alignment method and associated alignment and lithographic apparatuses | |
US20240210844A1 (en) | Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses | |
US20230259042A1 (en) | Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses | |
EP4303658A1 (en) | Method of correction metrology signal data | |
US20240248414A1 (en) | Fiber alignment monitoring tool and associated fiber alignment method | |
EP4167031A1 (en) | Method of determining a measurement recipe in a metrology method | |
EP4191338A1 (en) | Metrology calibration method | |
WO2023117263A1 (en) | Method and apparatus for lithographic imaging | |
CN116648669A (zh) | 用于测量蚀刻的沟槽的量测方法和相关的量测设备 | |
NL2024779A (en) | Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |