TWI815692B - 自基板上之目標結構判定用於量測所關注參數之量測設定之方法及相關聯電腦程式、非暫時性電腦程式載體、處理系統、對準感測器和微影設備 - Google Patents
自基板上之目標結構判定用於量測所關注參數之量測設定之方法及相關聯電腦程式、非暫時性電腦程式載體、處理系統、對準感測器和微影設備 Download PDFInfo
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Abstract
本發明揭示一種用於自一基板上之一目標結構判定用於量測一所關注參數之一量測設定之方法。該方法包含：獲得描述一第一代表性目標結構位置之一位置與關於產品結構之一或多個第一特徵之一位置之間的一差異的第一位置差異資料；獲得與該目標結構之光學量測相關且另外與複數個不同量測設定相關的光學度量衡資料；及自該第一位置差異資料及該光學度量衡資料判定該量測設定，使得使用該經判定量測設定自該目標結構之一光學量測獲得的一經量測特徵位置值較佳地與該一或多個第一特徵之一位置相關。
Description
本發明係關於例如可用於藉由微影技術製造裝置之方法及設備，且係關於使用微影技術製造裝置之方法。更特定言之，本發明係關於度量衡感測器及具有此類度量衡感測器之微影設備。
微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化裝置(其替代地稱作遮罩或倍縮光罩)可用於產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之相鄰目標部分之網路。此等目標部分通常被稱作「場」。
在複雜裝置之製造中，典型地執行許多微影圖案化步驟，藉此在基板上之連續層中形成功能性特徵。因此，微影設備之效能之關鍵態樣能夠相對於置於先前層中(藉由相同設備或不同微影設備)之特徵恰當
且準確地置放所施加圖案。出於此目的，基板具備一或多組對準標記。各標記為稍後可使用位置感測器(通常為光學位置感測器)量測其位置之結構。微影設備包括一或多個對準感測器，可藉由該等感測器準確地量測基板上之標記之位置。不同類型之標記及不同類型之對準感測器來自不同製造商及同一製造商之不同產品為吾人所知。
在其他應用中，度量衡感測器用於量測基板上之曝露結構(或在抗蝕劑中及/或在蝕刻之後)。快速且非侵入之形式的特殊化檢測工具為散射計，其中將輻射光束導向至基板之表面上之目標上，且量測散射光束或反射光束之屬性。已知散射計之實例包括US2006033921A1及US2010201963A1中描述之類型的角解析散射計。除了藉由重建構進行特徵形狀之量測以外，亦可使用此類設備來量測基於繞射之疊對，如已公開專利申請案US2006066855A1中所描述。使用繞射階之暗場成像進行之基於繞射之疊對度量衡使得能夠對較小目標進行疊對量測。可在國際專利申請案WO 2009/078708及WO 2009/106279中找到暗場成像度量衡之實例，該等申請案之文件之全文特此以引用之方式併入。公開專利申請案US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A及WO2013178422A1中已描述該技術之進一步開發。此等目標可小於照明光點且可由晶圓上之產品結構包圍。可使用複合光柵目標而在一個影像中量測多個光柵。所有此等申請案之內容亦以引用之方式併入本文中。
在一些度量衡應用中，諸如在一些散射計或對準感測器中，度量衡目標中之缺陷可引起目標之量測值中之波/偏振依賴變化。因
而，減輕此變化有時藉由判定量測之「量測配方」(例如，在特定應用之校準階段中)而實現，其中量測配方可描述特定照明條件(例如，波長及偏振組合)及/或對準準確度經最佳化所用的量測參數加權。
將需要改良用於判定此量測配方的方法。
在第一態樣中，本發明提供一種用於自一基板上之一目標結構判定用於量測一所關注參數的一量測設定之方法；該方法包含：獲得描述一第一代表性目標結構位置之一位置與關於產品結構之一或多個第一特徵之一位置之間的一差異的第一位置差異資料；獲得與該目標結構之光學量測相關且另外與複數個不同量測設定相關的光學度量衡資料；及自該第一位置差異資料及該光學度量衡資料判定該量測設定，使得使用該經判定量測設定自該目標結構之一光學量測獲得的一經量測特徵位置值被預期為表示該一或多個第一特徵之一位置。
亦揭示可操作以執行第一態樣之方法的電腦程式、處理系統、對準感測器及微影設備。
本發明之以上及其他態樣將自以下所描述之實例之考慮因素而理解。
200:步驟
202:步驟/量測資訊
204:步驟/量測資訊
206:步驟/接收配方資料
208:配方及量測資料之完整集合
210:步驟
212:步驟
214:步驟
216:步驟
218:步驟
220:步驟
AD:調整器
AM:標記/線/對準標記
AMCb:標記之底部中心
AMCt:標記之頂部中心
AS:對準感測器
B:輻射光束
BD:光束遞送系統
C:目標部分
CO:聚光器
EXP:曝光站
FF:第一特徵
IB:資訊攜載光束
IF:位置感測器
IL:照明系統/照明器
IN:積光器
LA:微影設備
LS:位階感測器
LSS:子分段線
MA:圖案化裝置
MEA:量測站
MT:支撐結構/圖案化裝置支撐件/度量衡工具
M1:遮罩對準標記
M2:遮罩對準標記
OL:物鏡
PD:光偵測器
PM:第一定位器
POS:位置
POSAV:第二代表性對準標記位置
POSλ1:經對準位置
PRS:投影系統
PS:產品結構
PU:處理單元
PW:第二定位器
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
RB:輻射光束
RF:參考框架
RSO:輻射源
SC:搖擺曲線
SM:光點鏡面
SO:輻射源
SP:照明光點(圖3)/單間隔(圖5)
SRI:自參考干涉計
SSI:SRI強度信號
W:基板
W':基板
W":基板
WTa:基板台
WTb:基板台
λ:波長
λ1:單波長/色彩
現在將參看隨附圖式作為實例來描述本發明之實施例，在該等隨附圖式中：圖1描繪微影設備；圖2示意性地說明圖1之設備中之量測及曝光程序；圖3為根據本發明之實施例的可調式對準感測器之示意性說明；
圖4在概念上說明在可使用諸如圖3中所說明的光學度量衡裝置量測時與充當產品結構之代理的對準標記之不同部分相關的產品結構位置之問題；其展示(a)與對準標記之頂部相關的產品結構位置及(b)與對準標記之底部相關的產品結構位置；圖5為可用於方法中的一第一實例子分段目標之示意性說明，(a)在不具有歸因於表示一第一特徵之子分段之移位的任何不對稱性的情況下及(b)在具有歸因於表示一第一特徵之子分段之移位的不對稱性的情況下；且(c)具有一第一代表性目標結構位置與關於產品結構之一或多個第一特徵之位置之間的第一差異之標記之一第一搖擺曲線及(d)具有一第一代表性目標結構位置與關於產品結構之一或多個第一特徵之位置之間的第二差異之標記之一第二搖擺曲線；且圖6為可用於方法中的第二實例子分段目標之示意性說明，(a)在不具有歸因於表示一第一特徵之子分段之移位的任何不對稱性的情況下及(b)在具有歸因於表示一第一特徵之子分段之移位的不對稱性的情況下。
在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。
圖1示意性地描繪微影設備LA。設備包括一照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；一圖案化裝置支撐件或支撐結構(例如，遮罩台)MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，遮罩)MA並連接至經組態以根據某些參數準確地定位圖案化裝置的一第一定位器PM；兩個基板台(例如，晶圓台)WTa及WTb，各自其經建構以固持一基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W並各自連接至經組態以根
據某些參數準確地定位基板的一第二定位器PW；及一投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PRS，其經組態以將藉由圖案化裝置MA賦予給輻射光束B之一圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。參考框架RF連接各種組件，且充當用於設定及量測圖案化裝置及基板之位置以及圖案化裝置及基板上之特徵的位置之參考。
照明光學系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
圖案化裝置支撐件MT以取決於圖案化裝置之定向、微影設備之設計及其他條件(諸如，是否將圖案化裝置固持於真空環境中)之方式來固持圖案化裝置。圖案化裝置支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化裝置。圖案化裝置支撐件MT可為(例如)框架或台，其可視需要而固定或可移動。圖案化裝置支撐件可確保圖案化裝置(例如)相對於投影系統處於所要位置。
本文所使用之術語「圖案化裝置」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何裝置。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。一般而言，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創建之裝置(諸如，積體電路)中之特定功能層。
如此處所描繪，設備屬於透射類型(例如，採用透射圖案化裝置)。替代地，設備可屬於反射類型(例如，採用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或採用反射遮罩)。圖案化裝置之實例包括遮罩、可程
式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「遮罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化裝置」同義。術語「圖案化裝置」亦可被解譯為係指以數位形式儲存用於控制此可程式化圖案化裝置之圖案資訊的裝置。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更一般之術語「投影系統」同義。
微影設備亦可屬於以下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高的折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影設備中之其他空間，例如，遮罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。
在操作中，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影設備可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源SO形成微影設備之部分，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當光源為水銀燈時，光源可為微影設備之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。
照明器IL可(例如)包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD、積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其
橫截面中具有所要均勻性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於該圖案化裝置支撐件MT上之圖案化裝置MA上，且係由該圖案化裝置而圖案化。在已橫穿圖案化裝置(例如，遮罩)MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如干涉裝置、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WTa或WTb，例如以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自遮罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置(例如，遮罩)MA。
可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如，遮罩)MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在圖案化裝置(例如，遮罩)MA上提供一個以上晶粒的情況下，遮罩對準標記可位於晶粒之間。小對準標記亦可在裝置特徵當中包括於晶粒內，在此狀況下，需要使標記儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何成像或程序條件。下文進一步描述偵測對準標記之對準系統。
可在多種模式中使用所描繪設備。在掃描模式中，在經賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上的同時同步地掃描圖案化裝置支撐件(例如遮罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於圖案化裝置支撐件(例如遮罩台)MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大
大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之長度(在掃描方向上)。如在此項技術中為吾人所熟知，其他類型之微影設備及操作模式係可能的。舉例而言，步進模式係已知的。在所謂「無遮罩」微影中，可程式化圖案化裝置經保持靜止，但具有改變之圖案，且移動或掃描基板台WT。
亦可採用上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
微影設備LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb，以及兩個站(曝光站EXP及量測站MEA)，在該兩個站之間可交換該等基板台。在曝光站處曝光一個台上之一基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。此情形實現設備之產出率之相當巨大增加。預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面高度輪廓，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記之位置。若位置感測器IF在基板台處於量測站以及處於曝光站時不能夠量測該基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使得能夠在兩個站處追蹤基板台相對於參考框架RF之位置。代替所展示之雙載物台配置，其他配置係已知且可用的。舉例而言，提供基板台及量測台之其他微影設備為吾人所知。此等基板台及量測台在執行預備量測時銜接在一起，且接著在基板台進行曝光時不銜接。
圖2說明用以將目標部分(例如，晶粒)曝光於圖1之雙載物台設備中之基板W上之步驟。量測站MEA處所執行之步驟係在點框內之左側，而右側展示曝光站EXP處所執行之步驟。不時地，基板台WTa、WTb中之一者將在曝光站處，而另一者係在量測站處，如上文所描述。出
於此描述之目的，假定基板W已經被裝載至曝光站中。在步驟200處，藉由圖中未示之機構將新基板W'裝載至設備。並行地處理此兩個基板以便增加微影設備之產出率。
最初參看新近裝載之基板W'，此基板可為先前未經處理之基板，其係運用新光阻而製備以供在設備中第一次曝光。然而，一般而言，所描述之微影程序將僅僅為一系列曝光及處理步驟中之一個步驟，使得基板W'已經通過此設備及/或其他微影設備若干次，且亦可經歷後續程序。尤其對於改良疊對效能之問題，任務應為確保新圖案被確切地施加於已經經受圖案化及處理之一或多個循環之基板上之正確位置中。此等處理步驟逐漸地在基板中引入失真，該等失真必須被量測及校正以達成令人滿意的疊對效能。
可在其他微影設備中執行先前及/或後續圖案化步驟(如剛才所提及)，且可甚至在不同類型之微影設備中執行先前及/或後續圖案化步驟。舉例而言，裝置製造程序中之在諸如解析度及疊對之參數方面要求極高之一些層相比於要求較不高之其他層可在更先進微影工具中予以執行。因此，一些層可曝光於浸潤型微影工具中，而其他層曝光於「乾式」工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射予以曝光。
在202處，使用基板標記P1等及影像感測器(圖中未示)之對準量測用於量測及記錄基板相對於基板台WTa/WTb之對準。另外，將使用對準感測器AS來量測橫越基板W'之若干對準標記。在一個實施例中，此等量測係用以建立「晶圓柵格」，該晶圓柵格極準確地映射橫越基板之標記之分佈，包括相對於標稱矩形柵格之任何失真。
在步驟204處，亦使用位階感測器LS來量測相對於X-Y位置之晶圓高度(Z)圖。通常，高度圖係僅用以達成經曝光圖案之準確聚焦。其可另外用於其他目的。
當裝載基板W'時，接收配方資料206，其定義待執行之曝光，且亦定義晶圓及先前產生之圖案及待產生於該基板W'上之圖案之屬性。將在202、204處獲得之晶圓位置、晶圓柵格及高度圖之量測添加至此等配方資料，使得可將配方及量測資料之完整集合208傳遞至曝光站EXP。對準資料之量測(例如)包含以與為微影程序之產品的產品圖案成固定或標稱固定關係而形成之對準目標之X位置及Y位置。恰好在曝光之前獲得之此等對準資料用以產生對準模型，對準模型具有將模型擬合至該等資料之參數。此等參數及對準模型將在曝光操作期間使用以校正當前微影步驟中所施加之圖案之位置。在使用中之模型內插量測位置之間的位置偏差。習知對準模型可能包含四個、五個或六個參數，該等參數一起以不同尺寸界定「理想」柵格之平移、旋轉及縮放。使用更多參數之進階模型係已知的。
在210處，調換晶圓W'與W，使得經量測基板W'變成基板W而進入曝光站EXP。在圖1之實例設備中，藉由交換設備內之支撐件WTa與WTb來執行此調換，使得基板W、W'保持準確地被夾持且定位於彼等支撐件上，以保留基板台與基板自身之間的相對對準。因此，一旦已調換該等台，則為了利用用於基板W(以前為W')之量測資訊202、204以控制曝光步驟，必需判定投影系統PRS與基板台WTb(以前為WTa)之間的相對位置。在步驟212處，使用遮罩對準標記M1、M2來執行倍縮光罩對準。在步驟214、216、218中，將掃描運動及輻射脈衝施加於橫越基板W
之順次目標位置處，以便完成數個圖案之曝光。
藉由在執行曝光步驟中使用量測站處所獲得之對準資料及高度圖，使此等圖案相對於所要位置準確地對準，且具體而言，相對於先前放置於同一基板上之特徵準確地對準。在步驟220處自設備卸載現在被標註為W"之經曝光基板，以根據經曝光圖案使其經歷蝕刻或其他程序。
熟習此項技術者將知曉上述描述為真實製造情形之一個實例中所涉及之多個極詳細步驟的簡化綜述。舉例而言，常常將存在使用相同或不同標記之粗糙及精細量測之單獨階段，而非在單一遍次中量測對準。粗糙及/或精細對準量測步驟可在高度量測之前或在高度量測之後執行，或交錯執行。
在複雜裝置之製造中，典型地執行許多微影圖案化步驟，藉此在基板上之連續層中形成功能性特徵。因此，微影設備之效能之關鍵態樣能夠相對於置於先前層中(藉由同一設備或不同微影設備)之特徵恰當且準確地置放經施加圖案。出於此目的，基板具備一或多組標記。各標記為稍後可使用位置感測器(通常為光學位置感測器)量測其位置之結構。位置感測器可稱為「對準感測器」，且標記可稱為「對準標記」。
微影設備可包括可藉以準確地量測經提供於基板上之對準標記之位置的一或多個(例如複數個)對準感測器。對準(或位置)感測器可使用諸如繞射及干涉之光學現象以自形成於基板上的對準標記獲得位置資訊。用於當前微影設備中之對準感測器的一實例係基於如US6961116中所描述之自參考干涉計。已開發出位置感測器之各種增強及修改，例如如US2015261097A1中所揭示。所有此等公開案之內容係以引用之方式併入本文中。
標記或對準標記可包含形成於經提供於基板上之層上或層中或(直接)形成於基板中之一系列長條。該等長條可規則地隔開且充當光柵線，以使得標記可被視為具有熟知空間週期(間距)之繞射光柵。取決於此等光柵線之定向，標記可設計成允許沿著X軸或沿著Y軸(其經定向成實質上垂直於X軸)量測位置。包含以相對於X軸及Y軸兩者成+45度及/或-45度配置的長條之標記允許使用如以引用之方式併入的US2009/195768A中所描述之技術進行組合之X及Y量測。
對準感測器運用輻射光點光學地掃描每一標記以獲得週期性變化之信號，諸如正弦波。分析此信號之相位以判定標記之位置，且因此判定基板相對於對準感測器之位置，該對準感測器又相對於微影設備之參考框架固定。可提供與不同(粗略及精細)標記尺寸有關之所謂的粗略及精細標記，以使得對準感測器可區分週期性信號之不同循環，以及在一循環內之確切位置(相位)。亦可出於此目的使用不同間距之標記。
量測標記之位置亦可提供關於其上例如以晶圓柵格形式提供有標記的基板之變形的資訊。基板之變形可藉由例如將基板靜電夾持至基板台及/或當基板暴露於輻射時加熱基板而出現。
圖3為已知對準感測器AS之一實施例的示意性方塊圖。輻射源RSO提供具有一或多個波長之輻射光束RB，該輻射光束係由轉向光學件轉向至標記(諸如位於基板W上之標記AM)上，而作為照明光點SP。在此實例中，轉向光學件包含光點鏡面SM及物鏡OL。照明標記AM之照明光點SP之直徑可略小於標記自身之寬度。
由標記AM繞射之輻射準直(在此實例中經由物鏡OL)為資訊攜載光束IB。術語「經繞射」意欲包括互補較高繞射階；例如：+1及-1
繞射階(標記+1、-1)及視情況來自標記之零階繞射(其可被稱作反射)。例如上文所提及之US6961116中所揭示之類型的自參考干涉計SRI以自身干涉光束IB，其後光束由光偵測器PD接收。可包括額外光學件(圖中未示)以在由輻射源RSO創建多於一個波長之狀況下提供單獨光束。光偵測器可為單個元件，或其視需要可包含多個像素。光偵測器可包含感測器陣列。
在此實例中包含光點鏡面SM之轉向光學件亦可用以阻擋自標記反射之零階輻射，使得資訊攜載光束IB僅包含來自標記AM之高階繞射輻射(此對於量測並非必需的，但改良信雜比)。
將SRI強度信號SSI供應至處理單元PU。藉由組合自參考干涉計SRI中之光學處理與單元PU中之計算處理，輸出基板上之X及Y位置相對於參考框架的值。
所說明類型之單個量測僅將標記之位置固定在對應於該標記之一個間距的某一範圍內。結合此量測來使用較粗略量測技術，以識別正弦波之哪一週期為含有所標記位置之週期。在不同波長(「色彩」)下重複較粗略及/或較精細層級之同一程序，以用於提高準確度及/或用於穩固地偵測標記，而無關於製成標記之材料及標記經提供於上方及/或下方之材料。下文揭示執行及處理此類多波長量測中之改良。
其他類型之對準感測器可包含基於影像之對準感測器，其自由對準標記散射之照明引起的干涉圖案之所獲取影像判定對準。特定類型之基於影像之度量衡感測器(其作為對準及生產/程序監測度量衡應用兩者)係在以引用方式併入本文中的PCT專利申請案WO 2020/057900 A1中描述。此描述具有經最佳化相干性之度量衡裝置。更特定言之，度量衡裝置經組態以產生量測照明之複數個在空間上不相關的光束，該等光束中之
每一者(或該等光束之量測對中的兩個光束，每一量測對對應於量測方向)在其橫截面內具有對應區，針對該等對應區，此等區處的光束之間的相位關係係已知的；亦即，針對對應區存在相互的空間相干性。每一光束對之此等光束係在偵測器(例如，攝影機/CCD陣列)上干涉使得干涉圖案經成像。
此度量衡裝置能夠量測具有可接受(最小)干涉假影(斑點)之較小間距目標，且亦將在暗場模式中為可操作的。此度量衡裝置可用作位置或對準感測器以用於量測基板位置(例如，藉由量測干涉影像相對於固定參考位置之干涉環位置來量測對準標記之位置)。度量衡裝置亦可用於疊對之量測(例如，不同層或甚至在拼接標記之狀況下之同一層中的週期性結構之相對位置之量測)。度量衡裝置亦能夠量測週期性結構之不對稱性，且因此可用以量測任何參數，該等參數係基於目標不對稱性量測(例如使用基於繞射之疊對(DBO)技術之疊對或使用基於繞射之焦點(DBF)技術之焦點)。
在晶圓對準之內容背景中，以下方法係在使用中或已經提議以判定一量測配方(包含對準量測系統之設定，諸如藉由輻射源RSO提供的輻射之色彩及/或偏振模式)，該量測配方減輕標記不對稱性(導致位置誤差或偏移的對準標記中之不對稱性)：
‧選擇藉由輻射源RSO提供的輻射之「預設」色彩或色彩組合；
‧選擇被預期為基於在先前節點、層或可比層堆疊及/或標記特性(諸如其子分段，其係指標記特徵成更接近於產品特徵之實際間距的較小間距特徵的劃分)方面的經驗提供準確位置值的一色彩或色彩組合。
‧選擇被預期為基於(例如，堆疊及輻射與堆疊(在堆疊中)之相互作
用；未必包括完整感測器模型)模擬提供準確位置值的色彩或色彩組合；
‧選擇其中信號強度為高及/或(標記層級)信號與預期信號(例如信號為正弦)良好相關的一色彩或色彩組合；
‧選擇一色彩或色彩組合使得所得經對準位置符合其他色彩；
‧選擇一色彩或色彩組合，使得在將模型(晶圓模型)擬合至對準位置之後，晶圓級殘差經最小化。晶圓模型可假定含有比經量測標記之數目更少的自由參數；
‧選擇一平均色彩；或對於許多色彩的信號-強度-加權平均值；或僅僅一個或幾個(加權之)色彩之小子集，使得結果符合對於較大色彩集合的信號-強度-加權平均值(其中較大色彩集合可不頻繁地或僅僅在配方設置期間被量測)。
其他更全面方法包括：OCW(最佳色彩加權--在以引用的方式併入本文中之美國公開案US2019/0094721 A1中更詳細地描述)及OCIW(最佳色彩及強度加權--在PCT公開案WO 2017032534 A2中更詳細地描述)。在此等情況中之每一者中，需要或期望訓練參考資料。此意謂若充分訓練資料係可用的且若訓練資料中之程序變化代表需要被校正的晶圓中之變化(例如共平面變形)，則此等校正才可被準確地執行。可藉由參考感測器量測此參考資料，例如疊對資料(例如，在顯影或預蝕刻疊對資料之後)。此等方法之可能缺點包括：一第一組晶圓可基於次佳配方而曝光；新層N中之曝光誤差可影響用於在前一層M中之標記上對準的配方；配方經受參考感測器之量測不準確度，從而引起潛在次佳產品上疊對(OPO)且因此可影響參考資料(及其導出之最佳色彩)之品質。
在每一情況(及在本說明書通篇)下對色彩之任何參考包括
偏振(例如色彩/偏振組合)。
為解決此問題，已提議使用分散模型及/或分散方程及/或分散近似(諸如Forouhi-Bloomer分散方程/近似、基於勞侖茲振盪器之分散模型、一或多個Kramers-Kronig分散關係及/或一或多個Plemelj分散關係)以在用於標記不對稱性的位置校正中轉換經量測強度不對稱性資訊(通常經量測用於有限數目個波長)。此類方法係在以引用的方式併入本文中並在本文中稱為基於Kramers-Kronig之方法的WO2021/122016中揭示。此類方法可包含將強度不對稱性值數學計算成對應於標記不對稱性之相位偏移值(例如，使用物理學原理自強度不對稱性計算相位偏移)。在最新論文「A fast Fourier transform implementation of the Kramers-Kronig relations：Application to anomalous and left handed propagation,Lucas et al AIP Advances 2,032144(2012)」(以引用的方式併入本文中)中，Kramers-Kronig關係已自簡單因果關係考慮因素導出。採用此教示並將其應用於來自對準標記之複雜欄位，對準標記之相位偏移△φ及因此位置誤差(APD)△x可僅根據量測強度表達：
其中H T 為希伯特轉換且E - ,E +分別為+1及-1俘獲繞射階之電場且I +1 ,I -1為對應於電場之強度：參見來自前述Lucas論文之章節II.A及II.B。注意Im()運算子並不必要，其經添加以抑制數值雜訊。
基於此，有可能基於對於數個不同照明條件使用度量衡工具(例如，對準感測器或其他離線度量衡工具)，及基於經量測對準位置對照明條件之曲線(對準搖擺曲線)選擇較佳照明條件(例如，具有低經量測
對準位置誤差及小梯度(穩定區內之小誤差)的照明條件)在特定對準標記上量測的強度不對稱性計算預期對準位置誤差。
WO2021/122016進一步揭示判定位置校正及因此一經校正位置的方法，其包含以下步驟：
1)自對準標記之一或多個量測(例如，對於多個波長)獲得強度不對稱性資料。
2)對於經量測強度不對稱性，獲得分散模型及/或分散方程及/或分散近似值；例如，其中分散模型採用以下形式：
且根據下式擬合此等分散模型：
使得強度不對稱性藉助於根運算而轉換成振幅不對稱性(例如電場E +(ω),E -(ω)之振幅的差異)。ω為角頻率，ε 0為電容率常數，μ 0為磁導率常數且ε r 為藉由分散模型描述的複有效介電電容率分散函數，c re 為實偏移常數，a m 為偶極子複振幅，i為虛數單位
且
，其中ω m 為偶極子固有本徵頻率且
為偶極子取樣常數(0<
<1)(
為偶極子時間常數)。
3)使用擬合分散模型計算用於強度不對稱性之等效相位偏移△φ(ω)及因此一位置校正△x(ω)：
其中：△φ(ω)=arg(E +(ω))-arg(E -(ω))
其中P為標記間距且n 
{1,2,3,...}為繞射階。應注意(當使用如所描述之分散模型時)全部極作為(共軛)極對(偶極子)出現，其中M指示極對之總數目。應注意分別用於正負繞射階之兩個分散模型ε r+(ω)及ε r-(ω)中之一者可保持恆定及/或設定為零。
應注意實偏移常數c re+、c re-為模型中之不可觀測到參數。然而，眾所周知當(繞射階)振幅不對稱性對於全部波長為零時，位置校正將為零。因此，參數c re+、c re-將相等。其共同/相等值(其隨時間推移而恆定)通常大於零，且此值可最佳「擬合」至自全部可用波長之量測獲得的經量測資料。
對準感測器通常可僅僅解析具有適當大間距之週期性結構(對準標記或對準光柵)，其數量級可大於實際產品特徵(結構)之特徵大小(例如，臨界尺寸)。對準量測量測對準標記之位置。然而，對準標記位置不必與產品結構之位置相關，而其為關鍵的產品結構之位置。對準標記亦經受標記間不同且產生經量測對準誤差的不需要之不對稱性。特定言之，在疊對度量衡中，度量衡至裝置(MTD)偏移之概念係已知的。此包含將校正判定為校正對準感測器之相較於其對(較小)產品結構之回應對度量衡目標之不同回應的單一常數。然而，此先前技術MTD偏移未察覺諸如光柵不對稱性之任何標記間或晶圓間變化，及此等變化與產品位置相關的程度且不能考慮任何標記間或晶圓間變化，及此等變化與產品位置相關的程度。因此，當前不可能設置一量測配方使得量測位置與產品特徵位置相關且因此最小化OPO。
圖4說明使用經受光柵不對稱性之對準標記作為產品結構
之代理的問題。在圖4(a)及圖4(b)中之每一者中，具有如線AM所說明之剖面的對準標記經展示為與其充當量測代理的產品結構PS之剖面套疊。其為具有重要性的產品結構之位置，此係自例如高量製造設定中之對準標記之量測推斷。在圖4(a)中，對應於一第一程序，產品結構PS(陰影)之位置與對準標記AM之頂部相關，(其中標記之頂部中心標記為AMCt)。在圖4(b)中，對應於第二程序，產品結構PS之位置與對準標記AM之底部相關(其中標記之底部中心標記為AMCb)。在其他程序中，產品結構之位置可與對準標記之中間層級相關。在每一情況下，對準標記相同且因此僅僅能夠存取在對準標記上量測之量測信號且不使用關於使用哪一程序之資訊的本發明對準設定方法(諸如本發明色彩加權或基於Kramers-Kronig之方法)將總是對於例如由圖4a及圖4b說明的情況中之每一者返回相同量測位置。然而，顯而易見的是，返回之經對準位置可僅在此等情況中之至多一者中為「正確的」(亦即與產品位置相關)。
用於判定對準量測配方的本發明對準設定方法(諸如本發明色彩加權或基於Kramers-Kronig之方法)將通常得到不正確位置值，此係因為此等方法常常最佳化對準標記之「質心」(例如，對準標記之平均位置)，例如其常常與真產品特徵位置不佳地相關。當光柵不對稱性變化時，經量測之經對準位置與產品特徵位置之間的差異變化，此負面地影響OPO。
因此提議使用描述一第一代表性對準標記位置與量測配方設定階段中之產品結構位置之間的差異的第一位置差異資料。此類第一位置差異資料可使用例如掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)或具有充分解析度之任何度量衡工具來量測以量測產品結構位置，或可經由
程序知識而獲得。產品結構位置可與任何一或多個第一特徵(例如，在定位中具有小程序窗或寬容度之臨界特徵)相關。第一代表性對準標記位置可與質心(例如，對準標記、對準標記線之中心)或對準標記之兩個或多於兩個特徵之平均位置相關。第一位置差異資料可自第一代表性對準標記位置及自同一影像獲得的產品結構位置之各別位置，或至少在經量測的結構形成之間沒有任何介入程序步驟的情況下獲得。產品結構位置可與對準標記之一部分相關，其中對準標記為具有產品或產品狀結構之子分段。因而，第一位置差異可為(產品或產品狀)第一特徵(不論係對準標記之部分抑或其他)之位置相對於對準標記之代表性位置之間的差異。
方法可包含判定最小化來自對準目標之光學量測的第二位置差異資料與該第一位置差異資料之間的差異之量測配方。第二位置差異資料可包含使用經判定量測配方獲得的量測位置與第二代表性對準標記位置之間的差異。
第二代表性對準標記位置可包含針對數個不同照明條件之平均量測位置或使用Kramers-Kronig方法獲得的量測位置(使用Kramers-Kronig方法直接推斷之位置或運用使用Kramers-Kronig方法最佳化的量測配方推斷之位置)。第二代表性對準標記位置可對應於對準標記之質心。第二代表性對準標記位置可包含當個別地使用全部可用色彩及/或全部可用偏振時及/或針對色彩/偏振之數個不同組合的平均位置。在一實施例中，搖擺曲線(相對於波長之量測位置)可運用為此搖擺曲線之平均位置的第二代表性對準標記位置構造。各別此類搖擺曲線可經構造用於不同偏振中之每一者，其中第二代表性對準標記位置為來自不同搖擺曲線之平均位置的平均值。在其他實施例中，第二代表性對準標記位置可包含僅在可
用照明條件之子集情況下(例如，哪些照明條件將提供用於平均之合適範圍可係已知的)量測的平均位置。其中強度通道不可用，平均加權位置可包含信號強度加權平均量測位置。
在一實施例中，除提供用於照明條件之加權及/或判定待使用哪些一或多個波長/偏振外或作為提供用於照明條件之加權及/或判定待使用哪些一或多個波長/偏振的替代方案，量測配方可描述強度加權，例如用於量測影像之特定區或像素的加權。因而，當使用基於影像之度量衡工具時，可獲取整體標記之影像，該影像將顯露標記內(例如，標記之邊緣相對於標記之中心)之強度變化。加權接著可經判定用於個別像素，或像素群組，以便加權標記之不同部分，使得第二位置差異資料與第一位置差異資料之間的差異經最小化，且使得其對準之位置較佳地與一或多個第一特徵之影像位置相關。
在一實施例中，對準標記可為子分段標記，包含產品或產品狀子分段。因而，對準標記之主要特徵(例如，對準標記線)可包含此類產品或產品狀特徵及/或由此類產品或產品狀特徵構成。產品狀特徵可包含具有類似空間尺度(類似尺寸)且在經量測及經處理等時表現類似於產品結構的特徵。產品或產品狀特徵太小以致不能由對準感測器解析，此將有效地僅「看見」一正常對準標記。然而，產品或產品狀特徵之改變將通常導致例如位置搖擺曲線的改變(亦即經量測之經對準位置隨色彩及偏振而變)。其他實施例可包含量測習知對準標記及相鄰產品或產品狀特徵以判定第一位置差異資料。
將結合圖5描述第一特定實例。圖5(a)說明一第一子分段對準標記結構，展示藉由藉由單間隔SP(其包含具有太小以致不能由感測器
解析之CD的垂直線特徵)分隔開的橢圓形複合特徵形成的兩個相鄰子分段線LSS之細節。在此特定實例中，第一特徵FF為中心白色橢圓形特徵；對於此實例已知產品結構與此第一特徵FF之位置相關。此對準標記可經特定形成用於對準目的，其可包含另一度量衡目標之零件(例如，其可為疊對目標之底部光柵)或另外其可為實際功能性產品結構。
圖5(a)展示其中第一特徵FF經最佳定位使得其相對於對準標記之剩餘部分居中的實例。此意謂(假設無其他缺陷)對準標記係對稱的。在真實世界情形中，將在標記不對稱性方面存在晶圓間變化。具體而言，第一特徵FF之位置可隨對準標記之其餘部分而變化；此係標記不對稱性之形式。此在圖5(b)中加以說明。
在此特定實例中，第一位置差異資料可包含第一特徵之位置相對於對準標記之剩餘部分(例如，對準標記之一或多個其他特徵)之位置的差異。舉例而言，可能已知基於使用豎直偏振輻射對標記之對準量測將與豎直線之位置相關，而基於使用水平偏振輻射對標記之對準量測將與第一特徵之位置相關。在此實例中，第二代表性對準標記位置可包含當分別使用豎直偏振及水平偏振輻射來量測時獲得的位置之平均值。配方最佳化接著可使用所描述方法判定用於豎直偏振及水平偏振輻射(及/或色彩及/或像素等)的一或多個權重，使得藉由光學對準量測報告之位置表示第一特徵FF之位置。
作為替代實施例，可使用光學色彩回應之變化來替代偏振回應(例如，不需要哪些偏振與哪些特徵相關的實體洞察)。舉例而言，第一位置差異資料(運用SEM量測)可指示在第一特徵(例如，產品結構)與第一代表性對準標記位置(例如標記之質心)之間存在X nm位移。對於相同
(或類似)標記之多個色彩的光學量測可以產生經量測搖擺曲線(經對準位置隨色彩而變)，其展示色彩回應之變化，其中一些色彩比其他色彩更強地與第一特徵位置相關。第二代表性對準標記位置可例如藉由對全部色彩進行平均而判定。經選擇配方可包含經選擇的一個或幾個加權色彩，使得此等一個或幾個加權色彩相對於重心之經對準位置等於自第一位置差異資料判定的X nm位移)。
圖5(c)說明一第一此類實例，其展示在位置POS相對於波長λ之曲線上的實例搖擺曲線SC及第二代表性對準標記位置POSAV。在此實例中，在特定單波長λ1下之經對準位置POSλ1與第二代表性對準標記位置POSAV之間的差異恰好與第一位置差異X nm相同。因此，用於此對準標記之適當配方可簡單地僅使用色彩λ1(亦即，具有加權1)。然而，在圖5(d)中，展示相同曲線，但此處在波長λ1下之經對準位置POSλ1與第二代表性對準標記位置POSAV之間的差異為0.5X nm。在此方法中，適當配方可包含對於此波長λ1之加權2(或兩個或多於兩個其他波長的合適之加權組合)。
將結合圖6描述第二特定實例。本文中第一特徵FF係在接觸孔之頂部處，且因此其為當執行對準時此等特徵想要的位置。在圖6(a)中，接觸孔之頂部經展示為對準且在圖6(b)中，接觸孔之頂部經展示為未對準，此係由於傾斜變化(例如，如可由自底部層堆疊(包括產品及對準標記)之蝕刻所產生之蝕刻傾斜所引起)。此再次為晶圓間變化的標記不對稱性的形式。應注意在執行對準量測時，頂部層尚未經蝕刻。眾所周知在一些量測波長下之對準量測將往往會與堆疊之頂部相關且其他波長將往往會與堆疊之底部相關。各種色彩及偏振準確地與標記內之產品特徵及標記之
其餘部分(例如光學重心)相關的程度可藉由在一或多個標記上及一或幾個晶圓上量測搖擺曲線(隨色彩及偏振而變的經對準位置)來判定。替代地，此可自實體洞察、體驗及/或模擬而理解。在一實施例中，可最佳化加權兩個或多於兩個波長以使得量測位置與堆疊之頂部(且更特定言之與接觸孔之頂部)相關的一色彩加權。有可能最佳化判定單一未加權最佳化波長係最佳的(例如，其中單一波長量測很好地與接觸孔頂部位置相關)。
因而，描述一種在存在可變對準標記不對稱性時使得能夠判定改良相對於一或多個產品第一特徵之對準準確度的一量測配方的方法。所提議方法不需要在曝光之後執行任何量測(例如，不需要事後之見的疊對度量衡)。
雖然上述描述集中於對準度量衡，但本文所揭示之概念不限於此。本文所揭示之量測配方最佳化方法亦適用於經受晶圓間變化之不需要目標不對稱性的其他度量衡應用，例如，量測諸如疊對之其他所關注參數。疊對目標包含可經受引起疊對誤差及在不同照明條件(或更一般而言：量測配方)下經量測疊對位置之變化的光柵不對稱性(例如，底部光柵不對稱性)之光柵。
在以下經編號條項之清單中揭示另外實施例：
1.一種用於自一基板上之一目標結構判定用於量測一所關注參數的一量測設定之方法；該方法包含：獲得描述一第一代表性目標結構位置之一位置與關於一產品結構之一或多個第一特徵之一位置之間的一差異的第一位置差異資料；獲得與該目標結構之光學量測相關且另外與複數個不同量測設定相關的光學度量衡資料；及自該第一位置差異資料及該光學度量衡資料判定該量測設定，使得使用該經判定量測設定自該目標結構之一
光學量測獲得的一經量測特徵位置值被預期為表示該一或多個第一特徵之一位置。
2.如條項1之方法，其中該第一位置差異資料係自該第一代表性目標結構位置及一或多個第一特徵之該位置的直接量測獲得。
3.如條項2之方法，其中該第一位置差異資料包含掃描電子顯微鏡資料及/或透射電子顯微鏡資料。
4.如條項1、2或3之方法，其包含對包含該目標結構之複數個例項的至少一個基板執行第一度量衡以獲得該第一位置差異資料。
5.如任一前述條項之方法，其中該第一代表性目標結構位置描述一質心位置目標結構、該目標結構之中心位置、該目標結構之其他特徵位置或該目標結構之兩個或多於兩個特徵之一平均位置。
6.如任一前述條項之方法，其中該目標結構包含具有待由一光學度量衡工具可解析的充分量值之一週期性的一子分段目標結構；且子分段包含及/或表示該一或多個第一特徵。
7.如條項6之方法，其中該第一位置差異資料包含以下兩者之間的一差異之量測：包含及/或表示該一或多個第一特徵之該子分段之一位置；及該第一代表性目標結構位置。
8.如任一前述條項之方法，其中判定一量測設定之該步驟包含判定該量測設定以最小化自該光學度量衡資料獲得之第二位置差異資料與該第一位置差異資料之間的一差異，其中該第二位置差異資料包含使用該經判定量測設定獲得之一量測位置與一第二代表性目標結構位置之間的一差異。
9.如條項8之方法，其中該第二代表性目標結構位置包含對於複
數個不同量測設定之一平均量測位置。
10.如條項9之方法，其中該平均加權位置包含一信號強度加權平均量測位置。
11.如條項8之方法，其中該第二代表性目標結構位置係藉由以下方式獲得：獲得用於複數個不同照明設定中之每一者的複數個強度不對稱性值，其中一強度不對稱性值包含與藉由該結構繞射之輻射的至少兩個互補繞射階之各別強度或振幅之間的一差異或不平衡相關的一度量；將該強度不對稱性值轉換成對應於該對準結構之不對稱偏差的一相位偏移；及自該相位偏移將該第二代表性目標結構位置判定為經校正用於該不對稱偏差之一位置。
12.如條項11之方法，其中該轉換步驟包含：將至少一個分散模型擬合至該強度不對稱性量測以獲得一經擬合分散模型，該分散模型包含作為一透射函數之該結構之一模型；及自該經擬合分散模型判定該相位偏移。
13.如條項8至12中任一項之方法，其中該第二代表性目標結構位置對應於該目標結構之一質心或中心位置。
14.如任一前述條項之方法，其中每一量測設定包含以下各者中之一或多者：一照明設定，其中一照明設定描述量測波長之一者或一組合及/或量測偏振之一者或一組合；用於一個或複數個量測波長及/或量測偏振之一加權；及/或用於一量測影像之特定區、像素或像素群組之一加權。
15.如任一前述條項之方法，其中該第一位置差異資料及該光學度量衡資料全部與在一曝光步驟之前執行的度量衡相關，該方法不使用任何事後之見的疊對度量衡。
16.如任一前述條項之方法，其包含使用該經判定量測設定以自該目標結構之一光學量測判定包含該經量測特徵位置值及/或與該經量測特徵位置值相關之一所關注參數值。
17.如條項16之方法，其中該目標結構包含一對準標記；且該所關注參數值為一對準位置值。
18.如條項16之方法，其中該目標結構包含一疊對目標；且該所關注參數值為一疊對值。
19.如條項16至18中任一項之方法，其包含執行該目標結構之該光學量測。
20.一種電腦程式，其包含程式指令，該等程式指令可操作以在運行於一適合設備上時執行如條項1至18中任一項之方法。
21.一種非暫時性電腦程式載體，其包含如條項20之電腦程式。
22.一種處理系統，其包含一處理器及一儲存裝置，該儲存裝置包含如條項20之電腦程式。
23.一種對準感測器，其包含一如條項22之處理系統。
24.一種微影設備，其包含：一圖案化裝置支撐件，其用於支撐一圖案化裝置；一基板支撐件，其用於支撐一基板；及如條項23之對準感測器。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化裝置
中之構形界定創建於基板上之圖案。可將圖案化裝置之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後將圖案化裝置移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如具有為或為約365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如具有在1nm至100nm之範圍內之波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。
術語「透鏡」在內容背景允許的情況下可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。反射組件很可能用於在UV及/或EUV範圍內操作之裝置中。
因此，本發明之廣度及範疇不應受上文所描述之例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者來界定。
FF:第一特徵
LSS:子分段線
POS:位置
POSAV:第二代表性對準標記位置
POSλ1:經對準位置
SC:搖擺曲線
SP:單間隔
λ:波長
λ1:單波長/色彩
Claims (20)
- 一種用於自一基板上之一目標結構判定用於量測一所關注參數之一量測設定之方法；該方法包含： 獲得描述一第一代表性目標結構位置之一位置與關於一產品結構之一或多個第一特徵之一位置之間的一差異的第一位置差異資料； 獲得與該目標結構之光學量測相關且另外與複數個不同量測設定相關的光學度量衡資料；及 自該第一位置差異資料及該光學度量衡資料判定該量測設定，使得使用該經判定量測設定自該目標結構之一光學量測獲得的一經量測特徵位置值被預期為表示該一或多個第一特徵之一位置。
- 如請求項1之方法，其中該第一位置差異資料係自該第一代表性目標結構位置及一或多個第一特徵之該位置的直接量測而獲得。
- 如請求項2之方法，其中該第一位置差異資料包含掃描電子顯微鏡資料及/或透射電子顯微鏡資料。
- 如請求項1之方法，其進一步包含對包含該目標結構之複數個例項的至少一個基板執行第一度量衡以獲得該第一位置差異資料。
- 如請求項1之方法，其中該第一代表性目標結構位置描述一質心位置目標結構、該目標結構之中心位置、該目標結構之其他特徵位置或該目標結構之兩個或多於兩個特徵之一平均位置。
- 如請求項1之方法，其中該目標結構包含具有待由一光學度量衡工具可解析的充分量值之一週期性的一子分段目標結構；且 子分段包含及/或表示該一或多個第一特徵。
- 如請求項6之方法，其中該第一位置差異資料包含以下兩者之間的一差異之量測：包含及/或表示該一或多個第一特徵之該子分段之一位置；及該第一代表性目標結構位置。
- 如請求項1之方法，其中判定一量測設定之該步驟包含：判定該量測設定以最小化自該光學度量衡資料獲得之第二位置差異資料與該第一位置差異資料之間的一差異，其中該第二位置差異資料包含使用該經判定量測設定獲得之一量測位置與一第二代表性目標結構位置之間的一差異。
- 如請求項8之方法，其中該第二代表性目標結構位置包含對於複數個不同量測設定之一平均量測位置。
- 如請求項9之方法，其中該平均加權位置包含一信號強度加權平均量測位置。
- 如請求項8之方法，其中該第二代表性目標結構位置係藉由以下方式獲得： 獲得用於複數個不同照明設定中之每一者的複數個強度不對稱性值，其中一強度不對稱性值包含與藉由該結構繞射之輻射的至少兩個互補繞射階之各別強度或振幅之間的一差異或不平衡相關的一度量；將該強度不對稱性值轉換成對應於該對準結構之不對稱偏差的一相位偏移；及 自該相位偏移將該第二代表性目標結構位置判定為經校正用於該不對稱偏差之一位置。
- 如請求項8之方法，其中該第二代表性目標結構位置對應於該目標結構之一質心或中心位置。
- 如請求項1之方法，其中每一量測設定包含以下各者中之一或多者： 一照明設定，其中一照明設定描述量測波長之一者或一組合及/或量測偏振之一者或一組合； 用於一個或複數個量測波長及/或量測偏振之一加權；及/或 用於一量測影像之特定區、像素或像素群組之一加權。
- 如請求項1之方法，其中該第一位置差異資料及該光學度量衡資料全部與在一曝光步驟之前執行的度量衡相關，該方法不使用任何事後之見的疊對度量衡。
- 如請求項1之方法，其進一步包含使用該經判定量測設定以自該目標結構之一光學量測判定包含該經量測特徵位置值及/或與該經量測特徵位置值相關之一所關注參數值。
- 一種電腦程式，其包含可操作以在運行於一適合的設備上時執行如請求項1至15中任一項之方法的程式指令。
- 一種非暫時性電腦程式載體，其包含如請求項16之電腦程式。
- 一種處理系統，其包含一處理器及一儲存裝置，該儲存裝置包含如請求項16之電腦程式。
- 一種對準感測器，其包含一如請求項18之處理系統。
- 一種微影設備，其包含：一圖案化裝置支撐件，其用於支撐一圖案化裝置；一基板支撐件，其用於支撐一基板；及如請求項19之對準感測器。
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