CN118102797A - 显示基板及显示装置 - Google Patents

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CN118102797A CN202410239591.1A CN202410239591A CN118102797A CN 118102797 A CN118102797 A CN 118102797A CN 202410239591 A CN202410239591 A CN 202410239591A CN 118102797 A CN118102797 A CN 118102797A
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徐元杰
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Abstract

本公开的实施例提供了一种显示基板及显示装置，涉及显示技术领域，用于提高显示基板的绑定良率。该显示基板具有显示区和围绕显示区的周边区，周边区包括绑定区。显示基板包括衬底以及位于衬底一侧的多层金属层。显示基板还包括位于周边区内的多个连接引脚、支撑结构和至少一个对位标记。连接引脚由多层金属层中的导电部组成。支撑结构位于对位标记和衬底之间支撑对位标记。对位标记远离衬底一侧的第一表面，与位于顶层金属层中的导电部远离衬底一侧的第二表面之间的最小间距为第一间距d1，第二表面与位于底层金属层中的导电部靠近衬底一侧的第三表面之间的最小间距为第二间距d2，0≤d1≤0.35d2。上述显示装置用于显示图像。

Description

显示基板及显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
相关技术中，需要将柔性电路板或者外部点灯设备与显示基板内的连接引脚进行绑定。为了提高绑定的精准度，一般会在连接引脚一侧设有单层结构的对位标记。
但是，由于对位标记的膜层数量与连接引脚的膜层数量不同，会导致二者之间存在不可忽略的高度差，从而导致无法很好的识别对位标识，影响显示基板的绑定良率。
发明内容
本公开的实施例的目的在于提供一种显示基板及显示装置，用于提高显示基板的绑定良率。
为达到上述目的，本公开的实施例提供了如下技术方案：
一方面，提供一种显示基板。所述显示基板具有显示区和围绕所述显示区的周边区，所述周边区包括绑定区。所述显示基板包括：衬底，以及位于所述衬底一侧的多层金属层。其中，所述多层金属层中，最远离所述衬底的金属层为顶层金属层，最靠近所述衬底的金属层为底层金属层。所述显示基板还包括位于所述衬底一侧的多个连接引脚、至少一个对位标记和支撑结构。所述多个连接引脚位于所述衬底的一侧，且多个所述连接引脚位于所述周边区，所述连接引脚由所述多层金属层中的导电部组成。所述至少一个对位标记位于所述衬底的一侧，所述对位标记位于所述周边区，且所述对位标记在所述衬底上的正投影，位于所述多个连接引脚在所述衬底上的正投影的至少一侧。所述支撑结构位于所述对位标记和所述衬底之间，且支撑所述对位标记。所述对位标记远离所述衬底一侧的第一表面，与位于所述顶层金属层中的导电部远离所述衬底一侧的第二表面之间的最小间距为第一间距d1，所述位于所述顶层金属层中的导电部远离所述衬底一侧的第二表面，与位于所述底层金属层中的导电部靠近所述衬底一侧的第三表面之间的最小间距为第二间距d2，0≤d1≤0.35d2。
上述显示基板中，在衬底和对位标记之间增设支撑结构。由于支撑结构具有一定的厚度，进而可以利用支撑结构的厚度，补偿多金属层构成的连接引脚与单金属层构成的对位标记之间的高度差，实现垫高对位标记，缩小连接引脚与对位标记的高度差间距(第一间距d1)与连接引脚的厚度(第二间距d2)的比值，以使得该比值可以降低至0.35以下，以改善第一间距d1过大所导致的对对位标记进行拍照时，无法聚焦清晰，导致获取的照片模糊的问题，有利于提高显示基板绑定良率，提高显示基板的产品良率。
在一些实施例中，d1≤0.05d2。
在一些实施例中，沿远离所述衬底的方向上，所述多层金属层包括第一源漏金属层、第二源漏金属层和第三源漏金属层。所述对位标记与所述第三源漏金属层同层。所述支撑结构包括第一支撑部，所述第一支撑部支撑所述对位标记，所述第一支撑部与所述第二源漏金属层同层。或者，沿远离所述衬底的方向上，所述多层金属层包括第一源漏金属层、第二源漏金属层、第三源漏金属层和触控金属层。所述对位标记与所述第三源漏金属层同层。所述支撑结构包括第一支撑部，所述第一支撑部支撑所述对位标记，所述第一支撑部与所述第二源漏金属层同层。
在一些实施例中，所述对位标记与位于所述第三源漏金属层中的导电部连接。
在一些实施例中，所述显示基板还包括钝化层，所述钝化层位于所述第一源漏金属层和所述第二源漏金属层之间。所述钝化层包括第一过孔，所述第一源漏金属层的导电部和所述第二源漏金属层的导电部通过贯穿所述钝化层的第一过孔连接。所述支撑结构还包括第二支撑部，所述第二支撑部支撑所述第一支撑部，所述第二支撑部和所述钝化层同层。
在一些实施例中，所述支撑结构还包括第三支撑部，所述第三支撑部支撑所述第一支撑部，所述第三支撑部和所述第一源漏金属层同层。
在一些实施例中，沿远离所述衬底的方向上，所述多层金属层包括第一源漏金属层、第二源漏金属层、第三源漏金属层和触控金属层。所述对位标记与所述触控金属层同层。所述支撑结构包括第四支撑部，所述第四支撑部支撑所述对位标记，所述第四支撑部与所述第三源漏金属层同层。
在一些实施例中，所述对位标记与位于所述触控金属层的导电部连接。
在一些实施例中，所述显示基板还包括平坦化层，所述平坦化层位于所述第三源漏金属层和所述触控金属层之间。所述平坦化层包括第二过孔，所述第三源漏金属层的导电部和所述触控金属层的导电部通过贯穿所述平坦化层的第二过孔连接。所述支撑结构还包括第五支撑部，且支撑所述对位标记，所述第五支撑部与所述平坦化层同层。
在一些实施例中，所述显示基板还包括钝化层，所述钝化层位于所述第一源漏金属层和所述第二源漏金属层之间。所述钝化层包括第一过孔，所述第一源漏金属层的导电部和所述第二源漏金属层的导电部通过贯穿所述钝化层的第一过孔连接。所述支撑结构还包括第六支撑部，所述第六支撑部支撑所述第四支撑部，所述第六支撑部和所述钝化层同层。
在一些实施例中，所述支撑结构还包括第七支撑部和第八支撑部，所述第七支撑部夹设于第四支撑部和所述第八支撑部之间，所述第七支撑部与所述第二源漏金属层同层，且所述第八支撑部和所述第一源漏金属层同层。
在一些实施例中，所述对位标记在所述衬底上的正投影的形状为十字型、T型、H型或工字型。
在一些实施例中，所述周边区还包括绑定区，所述连接引脚为绑定引脚，所述绑定引脚位于所述绑定区。
在一些实施例中，所述周边区还包括绑定区和检测区，所述检测区位于所述绑定区远离所述显示区的一侧。所述连接引脚包括检测引脚，所述检测引脚位于所述检测区。或者，所述周边区还包括绑定区和检测区，所述检测区位于所述绑定区远离所述显示区的一侧。多个所述连接引脚包括绑定引脚和检测引脚，所述对位标记包括第一对位标记和第二对位标记。所述绑定引脚和所述第一对位标记位于所述绑定区，且所述第一对位标记在所述衬底上的正投影，位于所述绑定引脚在所述衬底上的正投影的一侧，所述检测引脚和所述第二对位标记位于所述检测区，且所述第二对位标记在所述衬底上的正投影，位于所述检测引脚在所述衬底上的正投影的一侧。
另一方面，提供一种显示装置。所述显示装置包括：柔性线路板和如上述任一实施例所述的显示基板，多个所述连接引脚包括绑定引脚，所述柔性线路板与所述绑定引脚连接。
上述显示装置具有与上述一些实施例中提供的显示基板相同的结构和有益技术效果，在此不再赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据一些实施例的显示装置的结构图；
图2为根据一些实施例的显示基板的结构图；
图3为图2中C1的局部放大图；
图4为图3中C2的局部放大图；
图5为图4中N1-N1’向的一种剖面图；
图6为图4中N1-N1’向的另一种剖面图；
图7为图4中N1-N1’向的又一种剖面图；
图8为图4中N1-N1’向的又一种剖面图；
图9为图4中N1-N1’向的又一种剖面图；
图10为图4中N1-N1’向的又一种剖面图；
图11为图4中N1-N1’向的又一种剖面图；
图12为图4中N1-N1’向的又一种剖面图；
图13为图4中N1-N1’向的又一种剖面图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一些实施例”、“示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时，可能使用了“连接”及其衍伸的表达。术语“连接”应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
如本文中所使用，根据上下文，术语“如果”任选地被解释为意思是“当……时”或“在……时”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，根据上下文，短语“如果确定……”或“如果检测到[所陈述的条件或事件]”任选地被解释为是指“在确定……时”或“响应于确定……”或“在检测到[所陈述的条件或事件]时”或“响应于检测到[所陈述的条件或事件]”。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
如本文所使用的那样，“约”、“大致”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。
如本文所使用的那样，“平行”、“垂直”、“相等”包括所阐述的情况以及与所阐述的情况相近似的情况，该相近似的情况的范围处于可接受偏差范围内，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。例如，“平行”包括绝对平行和近似平行，其中近似平行的可接受偏差范围例如可以是5°以内偏差；“垂直”包括绝对垂直和近似垂直，其中近似垂直的可接受偏差范围例如也可以是5°以内偏差。“相等”包括绝对相等和近似相等，其中近似相等的可接受偏差范围内例如可以是相等的两者之间的差值小于或等于其中任一者的5％。
应当理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板上时，可以是该层或元件直接在另一层或基板上，或者也可以是该层或元件与另一层或基板之间存在中间层。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层的厚度和区域的面积。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
图1为根据一些实施例的显示装置的结构图。如图1所示，本公开的一些实施例提供了一种显示装置200，该显示装置200包括显示基板100。
在一些示例中，显示装置200还包括框架、显示驱动集成电路(英文全称：Integrated Circuit，英文简称：IC)以及其他电子配件等。其中，显示驱动集成电路被配置为向显示基板100提供数据驱动信号(也称为数据信号)，以便于显示基板100实现画面显示。
在一些示例中，显示驱动集成电路可以通过柔性线路板(Flexible PrintedCircuit，简称：FPC)与显示基板100电连接，以便于向显示基板100提供数据驱动信号，实现画面显示。基于此，可以通过柔性线路板将显示驱动集成电路形成在显示基板100的背光侧，有利于实现显示装置200的窄边框。其中，由于图1为显示装置200出光侧的结构图，故并未在图1中示意出显示驱动集成电路。
需要说明的是，显示基板100的出光侧可以为显示基板100用于显示发光的一侧。显示基板100的背光侧可以为显示基板100背离出光侧的一侧。也即，显示基板100的出光侧位于显示基板100的正面，则显示基板100的背光侧位于显示基板100的背面。
示例性的，显示装置200可以为电致发光显示装置或光致发光显示装置。在该显示装置为电致发光显示装置的情况下，电致发光显示装置可以为有机电致发光二极管(英文全称：Organic Light Emitting Diode，英文简称OLED)或量子点电致发光显示装置(英文全称：Quantum Dot Light Emitting Diodes，英文简称QLED)。在该显示装置为光致发光显示装置的情况下，光致发光显示装置可以为量子点光致发光显示装置。
示例性的，上述显示装置200可以是显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的且不论文字还是的图像的任何显示装置。更明确地说，预期所述实施例的显示装置可实施应用在多种电子中或与多种电子装置关联，所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如，对于一件珠宝的图像的显示器)等。
图2为根据一些实施例的显示基板的结构图，图3为图2中C1的局部放大图。
在一些实施例中，结合图2和图3所示，显示基板100具有显示区(英文全称：ActiveArea，简称AA区；也可称为有效显示区)AA和围绕显示区AA的周边区SA。其中，周边区SA包括绑定区BB，绑定区BB位于显示区AA的一侧。
显示基板100可以包括多个子像素P，多个子像素P设置于显示区AA，其中，多个子像素可以阵列排布。
子像素P是显示基板100进行画面显示的最小单元，多个子像素P中可以包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素，通过调节不同颜色子像素的亮度(灰阶)，通过颜色组合和叠加可以实现多种颜色的显示，从而实现显示基板100的全彩化显示。
在另外一些示例中，显示基板100还可以包括白色子像素。
其中，全部子像素P在显示区AA内呈多行多列排布。其中，一行排布个子像素P定义为子像素行，一列排布的个子像素P定义子像素列。
在一些示例中，结合图2和图3所示，每个子像素P均可以包括发光器件和用于驱动该发光器件的像素驱动电路。此外，显示基板100中还可以包括多种信号线。上述的多种信号线可以与像素驱动电路电连接，以此为像素驱动电路提供其所需要的信号。
示例性的，多种信号线可以包括多条扫描信号线Gate和多条数据信号线Data。多条数据信号线Date与多条扫描信号线Gate可以交叉设置限定出多个子像素P。一条数据信号线Data可以与一个子像素列连接，一条扫描信号线Gate可以与一个子像素行连接。
显示基板100可以包括衬底10，以及位于衬底10上的多个连接引脚M，多个连接引脚M位于周边区SA内。其中，显示基板100内的多个连接引脚M可以包括至少一类引脚。
在一些实施例中，结合图2和图3所示，多个连接引脚M可以均为绑定引脚M1。多个绑定引脚M1位于周边区SA的绑定区BB内。
此时，显示基板100还可以包括柔性线路板(英文全称：Flexible PrintedCircuit，英文简称：FPC)，柔性线路板通过FOP(FPC On Panel)工艺与显示基板100绑定。即将柔性线路板通过Bonding(邦定)到显示基板100上的技术。Bonding，又叫邦定或绑定，其意思是指柔性线路板通过各向异性导电胶(英文全称：Anisotropic Conductive Film，英文简称：ACF)利用各种条件(温度、压力、时间)热结合到显示基板100上面，邦定主要包括ACF贴附和本压(热压)两道主要工序。
具体的，柔性线路板通过FOP(FPC On Panel)工艺与显示基板100上的多个绑定引脚M1绑定，以实现柔性线路板与显示基板100绑定。
在一些示例中，柔性线路板内的基板可以为柔性基板。可以通过利用柔性基板的柔韧性将至少部分柔性线路板弯折至显示基板100的背光侧。
由于显示基板100的背光侧的电子器件相对于显示基板100的出光侧的电子器件相对较少，将至少部分柔性线路板弯折至显示基板100的背光侧，不仅可以便于实现柔性线路板的走线布局，还可以减少柔性线路板对显示基板100出光侧的边框的占用，有利于实现显示基板100的窄边框。
示例性的，柔性线路板内的柔性基板的材料可以为有机材料。例如，柔性基板的材料可以为聚酰亚胺(Polyimide，简称：PI)、聚碳酸酯(Polycarbonate，简称：PC)或者聚氯乙烯(Polyvinyl Chloride，简称：PVC)中的任一个。
在另一些实施例中，结合图2和图3所示，显示基板100上的周边区SA还包括检测区ET，检测区ET位于绑定区BB远离显示区AA的一侧。
多个连接引脚M可以均为检测引脚M2，多个检测引脚M2位于检测区ET，多个检测引脚M2的一端用于显示区AA内子像素P电连接，多个检测引脚M2的另一端与外部点灯设备的插针压接。以便于对显示基板100进行点灯检测，以检测显示基板是否能够正常显示画面。
需要说明的是，显示基板100上的检测区ET最终形成的显示装置200内是没有的，本发明示意出的检测区ET(检测区ET内的检测引脚M2)仅是为了示意性说明ET测试时的结构，实际的显示装置200内是没有的。具体地，通常在一大张母板上形成多个显示基板100，最后进行切割形成多个独立的显示基板，而检测区ET一般是位于一大母板上的切割区域，检测区ET及其内部的器件是为了在形成显示装置之前对显示基板上的信号线等进行检测，检测没有问题后，在切割形成独立的显示基板时同时将检测区ET切割掉，而不保留在显示装置内。
在又一些实施例中，结合图2和图3所示，显示基板100上的周边区SA还包括检测区ET，检测区ET位于绑定区BB远离显示区AA的一侧。
多个连接引脚M可以分为两类引脚。也即，多个连接引脚M划分为多个绑定引脚M1和多个检测引脚M2。其中，绑定引脚M1与上述实施例绑定引脚M1的应用一致。例如，多个绑定引脚M1位于周边区SA的绑定区BB内，与柔性线路板绑定。多个检测引脚M2位于检测区ET。其中，检测引脚M2与上述实施例检测引脚M2的应用一致。例如，检测引脚M2用于连接子像素P和外部点灯设备，以对显示基板100进行点灯检测。
图4为图3中C2的局部放大图。
无论上述连接引脚M为哪一类引脚时，为了降低绑定对位难度。在一些实施例中，结合图2～图4所示，显示基板100还可以包括至少一个对位标记Mark，对位标记Mark位于衬底10的一侧，对位标记Mark位于周边区SA，且对位标记Mark在衬底10上的正投影，位于多个连接引脚M在衬底10上的正投影的至少一侧。
在一些示例中，对位标记Mark在衬底10上的正投影，位于多个连接引脚M在衬底10上的正投影的至少一侧，可以包括以下两种设置方式。
第一种：对位标记Mark在衬底10上的正投影，位于多个连接引脚M在衬底10上的正投影的一侧。具体的，沿多个连接引脚M排布的方向上，对位标记Mark位于多个连接引脚M的一侧。
第二种：多个连接引脚M可以对应两个对位标记Mark，两个对位标记Mark在衬底10上的正投影，位于多个连接引脚M在衬底10上的正投影的两侧。具体的，沿多个连接引脚M排布的方向上，两个对位标记Mark位于多个连接引脚M的两侧。
无论上述任一种设置方式，均可以利用对位标记Mark，降低绑定错位的问题，从而提高显示基板100的绑定效果，提高显示基板100的产品良率。
示例性的，多个连接引脚M包括绑定引脚M1。此时，对位标记Mark包括第一对位标记Mark1，第一对位标记Mark1与多个绑定引脚M1一同位于绑定区BB，且第一对位标记Mark1在衬底10上的正投影，位于多个绑定引脚M1在衬底10上的正投影的一侧，
示例性的，多个连接引脚M包括检测引脚M2。此时，对位标记Mark包括第二对位标记Mark2，第二对位标记Mark2和多个检测引脚M2一同位于检测区ET，且第二对位标记Mark2在衬底10上的正投影，位于多个检测引脚M2在衬底10上的正投影的一侧。
在一些实施例中，结合图2～图4所示，对位标记Mark在衬底10上的正投影的形状为十字型、T型、H型或工字型中的任一种。但是，本公开实施例不限制于此。例如，其他可以进行标识的形状也可以。
其中，在对位标记Mark包括第一对位标记Mark1和第二对位标记Mark2的情况下。可以设置第一对位标记Mark1在衬底10上的正投影的形状，与第二对位标记Mark2在衬底10上的正投影的形状不同。或者，可以设置第一对位标记Mark1在衬底10上的正投影的形状，与第二对位标记Mark2在衬底10上的正投影的形状相同。其中，图3和图4以第一对位标记Mark1和第二对位标记Mark2在衬底10上的正投影的形状相同，且一对位标记Mark1和第二对位标记Mark2在衬底10上的正投影的形状为倒T型为例进行示意。
图5为图4中N1-N1’向的一种剖面图。
在一些实施例中，结合图2～图5所示，显示基板100还包括位于衬底10一侧的多层金属层20。其中，多层金属层20中，最远离衬底10的金属层20为顶层金属层20A，最靠近衬底10的金属层20为底层金属层20B。其中，多层金属层20可以为形成显示区AA内子像素P中器件的金属层。
其中，上述任一连接引脚M可以由层叠设置的多层金属层20中的导电部组成。也即，在形成显示区AA内子像素P中器件所对应的金属层20时，可以同步在多个金属层20中形成导电部21，不同金属层20中导电部21叠层设置形成连接引脚M。
基于此，构成连接引脚M的多个叠层设置的导电部21，可以与子像素P中器件所对应的各个金属层20采用同一成膜工艺形成。进而，无需在显示基板100中形成额外的金属层以构成连接引脚M，可以简化显示基板100的工艺制程。
其中，构成连接引脚M的多个金属层20可以包括以下两种情况。
第一种：沿远离衬底10的方向上，多层金属层20包括第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2和第三源漏金属层SD3。此时，顶层金属层20A为第三源漏金属层SD3，且底层金属层20B为第一源漏金属层SD1。
第一源漏金属层SD1的导电部21可以为第一导电部211、第二源漏金属层SD2的导电部21可以为第二导电部212，以及，第三源漏金属层SD3的导电部21可以为第三导电部213。此时，沿衬底10厚度的方向Z上，第二导电部212夹设于第一导电部211和第三导电部213之间。第一导电部211、第二导电部212和第三导电部213依次堆叠构成连接引脚M。
第二种：沿远离衬底10的方向上，多层金属层20包括第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3和触控金属层TMB。此时，顶层金属层20A为触控金属层TMB，且底层金属层20B为第一源漏金属层SD1。其中，图5以多层金属层20包括第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3和触控金属层TMB为例进行示意。
第一源漏金属层SD1的导电部21可以为第一导电部211、第二源漏金属层SD2的导电部21可以为第二导电部212、第三源漏金属层SD3的导电部21可以为第三导电部213，以及，触控金属层TMB的导电部21可以为第四导电部214。此时，沿衬底10厚度的方向Z上，第一导电部211、第二导电部212、第三导电部213和第四导电部214依次堆叠构成连接引脚M。
需要说明的是，上述第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2和第三源漏金属层SD3可以包括子像素P中像素驱动电路中多个晶体管的源极、漏极、以及各个用于连接晶体管的导电部、数据信号线、电源信号线或者初始化信号线等。基于此，可以在形成子像素P中像素驱动电路时可以同步形成连接引脚M，可以简化显示基板100的工艺制程。
另外，在显示基板100包括触控金属层TMB时，触控金属层TMB可以包括位于显示区AA内的触控电极。触控电极可以是金属网格形式，金属网格由多条金属线交织形成，金属网格包括多个网格图案，网格图案是由多条金属线围成的多边形，金属网格形式的触控电极具有电阻小、厚度小和反应速度快等优点。然而，本实施例对此并不限定。基于此，可以在形成子像素P中像素驱动电路以及触控电极时可以同步形成连接引脚M，可以简化显示基板100的工艺制程。
在一些示例中，上述第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3和触控金属层TMB可以为叠层金属膜层。如此设置，可以使各个金属层20既具有较好的导电性能，又可以延迟使用寿命。
其中，叠层金属膜层包括打底层、功能层和保护层，功能层位于保护层和打底层之间。叠层金属膜层中的功能层可以选择是铜、铝、钼等，考虑到实际应用中铜具有较低的电阻，功能层可以采用铜制作。叠层金属膜层中的打底层和保护层可以选择惰性金属或其他合金材料。例如，钛、镍铬合金等。
示例性的，叠层金属膜层可以为Ti/Al/Ti叠层金属膜层。但是，本公开实施例不限制于此。
在一些示例中，对位标记Mark可以与任意一个构成连接引脚M的导电部21同层。由此，对位标记Mark也可以与构成连接引脚M的一个导电部21采用同一成膜工艺形成。进而，无需在显示基板100中形成额外的金属层以构成对位标记Mark，可以简化显示基板100的工艺制程。
但是，经由发明人研究发现，由于连接引脚M是利用多个金属层20构成，而对位标记Mark是利用一个金属层20构成。故而，会导致连接引脚M与对位标记Mark存在一个无法忽视的高度差。基于此，在后续绑定过程中，对对位标记Mark进行拍照时，无法聚焦清晰，导致获取的照片模糊，从而导致显示基板100绑定不良率较高。
示例性的，在多层金属层20包括第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3和触控金属层TMB的情况下，可以设置对位标记Mark与第三源漏金属层SD3同层。此时，沿衬底10的厚度的方向Z上，对位标记Mark(第三源漏金属层SD3)远离衬底10一侧的第一表面S1，位于顶层金属层20A(触控金属层TMB)中的导电部21(第四导电部214)远离衬底10一侧的第二表面S2之间的间距较大。
具体的，对位标记Mark(第三源漏金属层SD3)远离衬底10一侧的第一表面S1，与位于顶层金属层20A(触控金属层TMB)中的导电部21(第四导电部214)远离衬底10一侧的第二表面S2之间的最小间距为第一间距d1。第一间距d1即为连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距。
位于顶层金属层20A(触控金属层TMB)中的导电部21(第四导电部214)远离衬底10一侧的第二表面S2，与位于底层金属层20B(第一源漏金属层SD1)中的导电部21(第一导电部211)靠近衬底10一侧的第三表面S3之间的最小间距为第二间距d2。第二间距d2即为连接引脚M在衬底10的厚度的方向Z上的厚度。
如此设置，会导致连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)与连接引脚M的厚度(第二间距d2)的比值达到0.38及以上，会导致在后续绑定过程中，对对位标记Mark进行拍照时，无法聚焦清晰，导致获取的照片模糊，从而导致显示基板100绑定不良率升高二倍及以上。
例如，对位标记Mark(第三源漏金属层SD3)远离衬底10一侧的第一表面S1，与衬底10之间的最小间距d3大约为1.12μm，第二间距d2大约为2.87μm。此时，d1＝d2-d3。也即，第一间距d1大约为1.75μm，即连接引脚M与对位标记Mark之间高度差间距高达1.75μm。该高度差完全无法忽略，会导致显示基板100绑定不良率极高。
图6为图4中N1-N1’向的另一种剖面图。
基于此，本公开实施例提供了一种显示基板100，结合图3、图4和图6所示，显示基板100还可以包括支撑结构30，支撑结构30位于对位标记Mark和衬底10之间，且支撑对位标记Mark。也即，支撑结构30位于对位标记Mark和衬底10之间，且对位标记Mark在衬底10上的正投影，位于支撑结构30在衬底10上的正投影的边界内，以利用支撑结构30垫高对位标记Mark，以实现0≤d1≤0.35d2。
综上所述，由于支撑结构30具有一定的厚度，进而可以利用支撑结构30的厚度，补偿多金属层20构成的连接引脚M与单金属层20构成的对位标记Mark之间的高度差，实现垫高对位标记Mark，缩小连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)，缩小连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)与连接引脚M的厚度(第二间距d2)的比值，以使得该比值可以降低至0.35以下，以改善第一间距d1过大所导致的对对位标记Mark进行拍照时，无法聚焦清晰，导致获取的照片模糊的问题，有利于提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
在一些实施例中，可以通过调节支撑结构30的结构，以调节支撑结构30的厚度，实现0≤d1≤0.05d2。
由此，可以进一步缩小连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)与连接引脚M的厚度(第二间距d2)的比值，缩小连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)，可以降低显示基板100绑定不良率67％及以上，提高显示基板100的产品良率。
上文主要介绍在显示基板100中新增支撑结构30，利用支撑结构30的厚度垫高对位标记Mark，降低对位标记Mark和连接引脚M的高度差，以提高显示基板100的产品良率。下文将细化支撑结构30的构成，以实现在提高显示基板100的产品良率的同时满足现有工艺制程的需求。
首先，介绍对位标记Mark与第三源漏金属层SD3同层情况下，支撑结构30将如何设置。
在一些实施例中，结合图3、图4和图6所示，以多层金属层20包括第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2和第三源漏金属层SD3为例进行介绍。
此时，构成连接引脚M的多层金属层20包括第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2和第三源漏金属层SD3。此时，连接引脚M由第一导电部211、第二导电部212和第三导电部213依次堆叠构成。
此时，可以设置对位标记Mark，与构成连接引脚M的第三导电部213同层设置。也即，可以设置对位标记Mark与第三源漏金属层SD3同层。并且，可以设置支撑结构30包括第一支撑部31，第一支撑部31与构成连接引脚M的第二导电部212同层设置。也即，可以设置第一支撑部31与第二源漏金属层SD2同层。
基于此，第一支撑部31位于对位标记Mark和衬底10之间，第一支撑部31支撑对位标记Mark，以垫高对位标记Mark。由此，可以缩小连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)，提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高获取的照片清晰度，以提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
另外，由于对位标记Mark与第三源漏金属层SD3同层，可以使得对位标记Mark与第三源漏金属层SD3采用同一成膜工艺形成。进而，无需在显示基板100中形成额外的金属层以构成对位标记Mark，可以简化显示基板100的工艺制程。以及，支撑结构30的第一支撑部31与第二源漏金属层SD2同层，可以使得支撑结构30的第一支撑部31与第二源漏金属层SD2采用同一成膜工艺形成。进而，无需在显示基板100中形成额外的金属层以构成支撑结构30的第一支撑部31，可以简化显示基板100的工艺制程。
需要说明的是，“同层”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
图7为图4中N1-N1’向的又一种剖面图。
在另一些实施例中，结合图3、图4和图7所示，以多层金属层20包括第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3和触控金属层TMB为例进行介绍。
此时，构成连接引脚M的多层金属层20包括第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3和触控金属层TMB。此时，连接引脚M由第一导电部211、第二导电部212、第三导电部213和第四导电部214依次堆叠构成。
此时，可以设置对位标记Mark，与构成连接引脚M的第三导电部213同层设置。也即，可以设置对位标记Mark与第三源漏金属层SD3同层。并且，可以设置支撑结构30包括第一支撑部31，第一支撑部31与构成连接引脚M的第二导电部212同层设置。也即，可以设置第一支撑部31与第二源漏金属层SD2同层。
基于此，第一支撑部31位于对位标记Mark和衬底10之间，第一支撑部31支撑对位标记Mark，以垫高对位标记Mark。由此，可以缩小连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)，提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高获取的照片清晰度，以提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
另外，由于对位标记Mark与第三源漏金属层SD3同层，可以使得对位标记Mark与第三源漏金属层SD3采用同一成膜工艺形成。进而，无需在显示基板100中形成额外的金属层以构成对位标记Mark，可以简化显示基板100的工艺制程。以及，支撑结构30的第一支撑部31与第二源漏金属层SD2同层，可以使得支撑结构30的第一支撑部31与第二源漏金属层SD2采用同一成膜工艺形成。进而，无需在显示基板100中形成额外的金属层以构成支撑结构30的第一支撑部31，可以简化显示基板100的工艺制程。
需要说明的是，“同层”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
在一些实施例中，结合图3、图4、图6和图7所示，由于支撑结构30的第一支撑部31与构成连接引脚M的第二导电部212同层设置，可以设置支撑结构30的第一支撑部31与位于第二源漏金属层SD2中的第二导电部212连接。
具体的，支撑结构30的第一支撑部31与构成其相邻的连接引脚M的第二导电部212连接。相当于外延第二源漏金属层SD2中的第二导电部212形成支撑结构30的第一支撑部31，可以便于限制支撑结构30的第一支撑部31的位置，实现支撑结构30的第一支撑部31位于对位标记Mark和衬底10之间，且对位标记Mark在衬底10上的正投影，位于支撑结构30的第一支撑部31在衬底10上的正投影的边界内，以利用第一支撑部31支撑对位标记Mark，垫高对位标记Mark。由此，可以缩小连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)，提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高获取的照片清晰度，以提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
在一些实施例中，结合图3、图4、图6和图7所示，由于对位标记Mark，与构成连接引脚M的第三导电部213同层设置，可以设置对位标记Mark与位于第三源漏金属层SD3中的第三导电部213(导电部21)连接。
具体的，对位标记Mark与构成其相邻的连接引脚M的第三导电部213连接。相当于外延第三源漏金属层SD3的第三导电部213形成对位标记Mark，既可以使得对位标记Mark在衬底10上的正投影，位于多个连接引脚M在衬底10上的正投影的一侧，保证对位标记Mark可以起到标识的作用，还可以便于实现对位标记Mark与第三源漏金属层SD3采用同一成膜工艺形成，简化显示基板100的工艺制程。
在一些实施例中，结合图3、图4、图6和图7所示，显示基板100还包括钝化层40，钝化层40位于第一源漏金属层SD1和第二源漏金属层SD2之间。钝化层40包括第一过孔K1，第一源漏金属层SD1的第一导电部211(导电部21)和第二源漏金属层SD2的第二导电部212(导电部21)通过贯穿钝化层40的第一过孔K1连接。此时，可以利用钝化层40起到防止水汽进入的问题，以提高显示基板100的寿命。
支撑结构30除第一支撑部31外还可以包括第二支撑部32，第二支撑部32和钝化层40同层。第一支撑部31在衬底10上的正投影，位于第二支撑部32在衬底10上的正投影的边界内，以第二支撑部32支撑第一支撑部31，垫高第一支撑部31，以进一步垫高对位标记Mark。
由此，可以利用双层支撑结构30进一步垫高对位标记Mark，进一步缩小连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)，提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高获取的照片清晰度，以提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
另外，支撑结构30的第二支撑部32与钝化层40同层，可以使得支撑结构30的第二支撑部32与钝化层40采用同一成膜工艺形成。进而，无需在显示基板100中形成额外的膜层以构成支撑结构30的第二支撑部32，可以简化显示基板100的工艺制程。
在一些实施例中，结合图3、图4、图6和图7所示，由于支撑结构30的第二支撑部32与钝化层40同层设置，可以设置支撑结构30的第二支撑部32与钝化层40连接。
具体的，支撑结构30的第二支撑部32与构成其相邻的连接引脚M的钝化层40连接。相当于外延钝化层40形成支撑结构30的第二支撑部32，可以便于限制支撑结构30的第二支撑部32的位置，实现支撑结构30的第二支撑部32位于第一支撑部31和衬底10之间，且第一支撑部31在衬底10上的正投影，位于支撑结构30的第二支撑部32在衬底10上的正投影的边界内，以利用第二支撑部32支撑第一支撑部31，以间接支撑对位标记Mark，垫高对位标记Mark。由此，可以进一步缩小连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)，提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高获取的照片清晰度，以提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
示例性的，在多层金属层20包括第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3和触控金属层TMB的情况下，对位标记Mark(第三源漏金属层SD3)远离衬底10一侧的第一表面S1，与衬底10之间的最小间距d3大约为1.94μm，第二间距d2大约为2.87μm。此时，d1＝d2-d3。也即，第一间距d1大约为0.93μm，即连接引脚M与对位标记Mark之间高度差间距大约为0.93μm，d1＜0.35d2，可以提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高获取的照片清晰度，以提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
在多层金属层20包括第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2和第三源漏金属层SD3的情况下，相对多层金属层20包括第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3和触控金属层TMB的情况下，第一间距d1的大小还可以减少一个触控金属层TMB的厚度。故而，此时，第一间距d1可以更小，可以更好的提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
图8为图4中N1-N1’向的又一种剖面图，图9为图4中N1-N1’向的又一种剖面图。其中，图8所示显示基板与图9所示显示基板的区别在于，图8中所示显示基板100中连接引脚M由第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2和第三源漏金属层SD3这三层金属层20中的导电部21构成，而图9所示显示基板100中连接引脚M由第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3和触控金属层TMB这四层金属层20中的导电部21构成。
在一些实施例中，结合图3、图4、图8和图9所示，支撑结构30包括第一支撑部31和第三支撑部33，第三支撑部33和第一源漏金属层SD1同层，第三支撑部33支撑第一支撑部31。
如图8所示，以多层金属层20包括第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2和第三源漏金属层SD3为例进行介绍。
由于第一支撑部31与第二源漏金属层SD2同层，且第三支撑部33和第一源漏金属层SD1同层。那么，由第一支撑部31和第三支撑部33构成的支撑结构30的厚度，大约为第一源漏金属层SD1的厚度与第二源漏金属层SD2的厚度之和。
并且，对位标记Mark与第三源漏金属层SD3同层。此时，对位标记Mark远离衬底10一侧的第一表面S1与衬底10之间的最小距离为，第一源漏金属层SD1的厚度、第二源漏金属层SD2的厚度、第三源漏金属层SD3的厚度之和。
由于连接引脚M由位于第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3的导电部21构成，进而连接引脚M远离衬底10一侧的第二表面S2与衬底10之间的最小距离为，第一源漏金属层SD1的厚度、第二源漏金属层SD2的厚度、第三源漏金属层SD3的厚度之和。
故而，对位标记Mark远离衬底10一侧的第一表面S1与衬底10之间的最小距离，等于连接引脚M远离衬底10一侧的第二表面S2与衬底10之间的最小距离。也即，对位标记Mark远离衬底10一侧的第一表面S1，与连接引脚M远离衬底10一侧的第二表面S2共面。此时，d1＝0。可以消除连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)，更好的提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高获取的照片清晰度，以提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
如图9所示，以多层金属层20包括第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3和触控金属层TMB为例进行介绍。
与图8所示显示基板100的区别在于：此时，连接引脚M由位于第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3和位于触控金属层TMB的导电部21构成，进而连接引脚M远离衬底10一侧的第二表面S2与衬底10之间的最小距离为，第一源漏金属层SD1的厚度、第二源漏金属层SD2的厚度、第三源漏金属层SD3的厚度和触控金属层TMB的厚度之和。
故而，连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)即为触控金属层TMB的厚度，第一间距d1较小，有利于提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高获取的照片清晰度，以提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
另外，支撑结构30的第三支撑部33与第一源漏金属层SD1同层，可以使得支撑结构30的第三支撑部33与第一源漏金属层SD1采用同一成膜工艺形成。进而，无需在显示基板100中形成额外的膜层以构成支撑结构30的第三支撑部33，可以简化显示基板100的工艺制程。
需要说明的是，图8所示显示基板中连接引脚和图9所示显示基板中连接引脚可以跟随显示基板的显示区内的结构对应设置，以便于简化显示基板100的结构，以及简化显示基板100的工艺制程。
在一些实施例中，结合图3、图4、图8和图9所示，由于支撑结构30的第三支撑部33与构成连接引脚M的第一导电部211同层设置，可以设置支撑结构30的第三支撑部33与位于第一源漏金属层SD1中的第一导电部211连接。
具有的支撑结构30的第三支撑部33与构成其相邻的连接引脚M的第一导电部211连接。相当于外延第一源漏金属层SD1中的第一导电部211形成支撑结构30的第三支撑部33，可以便于限制支撑结构30的第三支撑部33的位置，实现支撑结构30的第三支撑部33位于第一支撑部31和衬底10之间，且第一支撑部31在衬底10上的正投影，位于支撑结构30的第三支撑部33在衬底10上的正投影的边界内，以利用第三支撑部33支撑第一支撑部31，间接对位标记Mark。由此，可以缩小连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)，提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高获取的照片清晰度，以提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
图10为图4中N1-N1’向的又一种剖面图，图11为图4中N1-N1’向的又一种剖面图。其中，图10所示显示基板与图11所示显示基板的区别在于，图10中所示显示基板100中连接引脚M由第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2和第三源漏金属层SD3这三层金属层20中的导电部21构成，而图11所示显示基板100中连接引脚M由第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3和触控金属层TMB这四层金属层20中的导电部21构成。
在一些实施例中，结合图3、图4、图10和图11所示，支撑结构30包括第一支撑部31第二支撑部32和第三支撑部33。第二支撑部32和钝化层40同层，且第三支撑部33和第一源漏金属层SD1同层。
如图10所示，以多层金属层20包括第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2和第三源漏金属层SD3为例进行介绍。
由于第一支撑部31与第二源漏金属层SD2同层、第二支撑部32和钝化层40同层，以及第三支撑部33和第一源漏金属层SD1同层。那么，由第一支撑部31、第二支撑部32和第三支撑部33构成的支撑结构30的厚度，大约为第一源漏金属层SD1的厚度、钝化层40的的厚度，以及第二源漏金属层SD2的厚度之和。
并且，对位标记Mark与第三源漏金属层SD3同层，且第一源漏金属层SD1的第一导电部211(导电部21)和第二源漏金属层SD2的第二导电部212(导电部21)通过贯穿钝化层40的第一过孔K1连接。此时，对位标记Mark远离衬底10一侧的第一表面S1与衬底10之间的最小距离为，第一源漏金属层SD1的厚度、第二源漏金属层SD2的厚度、第三源漏金属层SD3的厚度之和。
由于连接引脚M由位于第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3的导电部21构成，进而连接引脚M远离衬底10一侧的第二表面S2与衬底10之间的最小距离为，第一源漏金属层SD1的厚度、第二源漏金属层SD2的厚度、第三源漏金属层SD3的厚度之和。
故而，连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)即为钝化层40的厚度，第一间距d1较小，有利于提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高获取的照片清晰度，以提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
如图11所示，以多层金属层20包括第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3和触控金属层TMB为例进行介绍。
与图10所示显示基板100的区别在于：此时，连接引脚M由位于第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3和位于触控金属层TMB的导电部21构成，进而连接引脚M远离衬底10一侧的第二表面S2与衬底10之间的最小距离为，第一源漏金属层SD1的厚度、第二源漏金属层SD2的厚度、第三源漏金属层SD3的厚度和触控金属层TMB的厚度之和。
故而，连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)即为触控金属层TMB的厚度和钝化层40厚度的差值，第一间距d1较小，有利于提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高获取的照片清晰度，以提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
需要说明的是，图10所示显示基板中连接引脚和图11所示显示基板中连接引脚可以跟随显示基板的显示区内的结构对应设置，以便于简化显示基板100的结构，以及简化显示基板100的工艺制程。
示例性的，在多层金属层20包括第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3和触控金属层TMB的情况下，对位标记Mark(第三源漏金属层SD3)远离衬底10一侧的第一表面S1，与衬底10之间的最小间距d3大约为2.76μm，第二间距d2大约为2.87μm。此时，d1＝d2-d3。也即，第一间距d1大约为0.11μm，即连接引脚M与对位标记Mark之间高度差间距大约为0.11μm，第一间距d1远远小于0.35倍的第二间距d2，可以明显提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高获取的照片清晰度，以提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
上文结合相关附图主要介绍了对位标记Mark与第三源漏金属层SD3同层情况下，支撑结构30将如何设置，而下文将结合相关附图主要介绍对位标记Mark与触控金属层TMB同层情况下，支撑结构30将如何设置。
图12为图4中N1-N1’向的又一种剖面图。
在一些实施例中，结合图3、图4和图12所示，沿远离衬底10的方向上，多层金属层20包括第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3和触控金属层TMB。也即，连接引脚M由第一导电部211、第二导电部212、第三导电部213和第四导电部214依次堆叠构成。
此时，可以设置对位标记Mark，与构成连接引脚M的第四导电部214同层设置。也即，可以设置对位标记Mark与触控金属层TMB同层。并且，可以设置支撑结构30包括第四支撑部34，第四支撑部34与构成连接引脚M的第三导电部213同层设置。也即，可以设置第四支撑部34与第三源漏金属层SD3同层。
基于此，第四支撑部34位于对位标记Mark和衬底10之间，第四支撑部34支撑对位标记Mark，以垫高对位标记Mark。由此，可以缩小连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)，提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高获取的照片清晰度，以提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
另外，由于对位标记Mark与触控金属层TMB同层，可以使得对位标记Mark与触控金属层TMB采用同一成膜工艺形成。进而，无需在显示基板100中形成额外的金属层以构成对位标记Mark，可以简化显示基板100的工艺制程。以及，支撑结构30的第四支撑部34与第三源漏金属层SD3同层，可以使得支撑结构30的第四支撑部34与第三源漏金属层SD3采用同一成膜工艺形成。进而，无需在显示基板100中形成额外的金属层以构成支撑结构30的第四支撑部34，可以简化显示基板100的工艺制程。
需要说明的是，“同层”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
在一些实施例中，结合图3、图4和图12所示，由于对位标记Mark，与构成连接引脚M的第四导电部214同层设置，可以设置对位标记Mark与位于触控金属层TMB的第四导电部214(导电部21)连接。
具体的，对位标记Mark与构成其相邻的连接引脚M的第四导电部214连接。相当于外延触控金属层TMB的第四导电部214形成对位标记Mark，既可以使得对位标记Mark在衬底10上的正投影，位于多个连接引脚M在衬底10上的正投影的一侧，保证对位标记Mark可以起到标识的作用，还可以便于实现对位标记Mark与触控金属层TMB采用同一成膜工艺形成，简化显示基板100的工艺制程。
在一些实施例中，结合图3、图4、图12所示，由于支撑结构30的第四支撑部34与构成连接引脚M的第三导电部213同层设置，可以设置支撑结构30的第四支撑部34与位于第三源漏金属层SD3中的第三导电部213连接。
具体的，支撑结构30的第四支撑部34与构成其相邻的连接引脚M的第三导电部213连接。相当于外延第三源漏金属层SD3中的第三导电部213形成支撑结构30的第四支撑部34，可以便于限制支撑结构30的第四支撑部34的位置，实现支撑结构30的第四支撑部34位于对位标记Mark和衬底10之间，且对位标记Mark在衬底10上的正投影，位于支撑结构30的第四支撑部34在衬底10上的正投影的边界内，以利用第四支撑部34支撑对位标记Mark，垫高对位标记Mark。
在一些实施例中，结合图3、图4和图12所示，显示基板还包括平坦化层50，平坦化层50位于第三源漏金属层SD3和触控金属层TMB之间。平坦化层50包括第二过孔K2，第三源漏金属层SD3的第三导电部213(导电部21)和触控金属层TMB的第四导电部214(导电部21)通过贯穿平坦化层50的第二过孔K2连接。
支撑结构30除第四支撑部34外还包括第五支撑部35，第五支撑部35与平坦化层50同层。对位标记Mark在衬底10上的正投影，位于第五支撑部35在衬底10上的正投影的边界内，以利用第五支撑部35支撑对位标记Mark。并且，第五支撑部35在衬底10上的正投影，位于第四支撑部34在衬底10上的正投影的边界内，以利用第四支撑部34支撑第五支撑部35，垫高第五支撑部35，以进一步垫高位于第四支撑部34背离衬底10一侧的对位标记Mark。
由此，可以利用双层支撑结构30进一步垫高对位标记Mark，进一步缩小连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)，提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高获取的照片清晰度，以提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
另外，支撑结构30的第五支撑部35与平坦化层50同层，可以使得支撑结构30的第五支撑部35与平坦化层50采用同一成膜工艺形成。进而，无需在显示基板100中形成额外的膜层以构成支撑结构30的第五支撑部35，可以简化显示基板100的工艺制程。
在一些实施例中，结合图3、图4、图12所示，由于支撑结构30的第五支撑部35与平坦化层50同层设置，可以设置支撑结构30的第五支撑部35与平坦化层50连接。
如此设置，相当于外延平坦化层50形成支撑结构30的第五支撑部35，可以便于限制支撑结构30的第五支撑部35的位置，实现支撑结构30的第五支撑部35位于对位标记Mark和衬底10之间，且对位标记Mark在衬底10上的正投影，位于支撑结构30的第五支撑部35在衬底10上的正投影的边界内，以利用第五支撑部35支撑对位标记Mark，垫高对位标记Mark。
在一些实施例中，结合图3、图4、图12所示，显示基板100还包括钝化层40，钝化层40，位于第一源漏金属层SD1和第二源漏金属层SD2之间。钝化层40包括第一过孔K1，第一源漏金属层SD1的第一导电部211(导电部21)和第二源漏金属层SD2的第二导电部212(导电部21)通过贯穿钝化层40的第一过孔K1连接。
支撑结构30可以还包括第六支撑部36，第六支撑部36和钝化层40同层。也即，第六支撑部36位于第四支撑部34背离第五支撑部35的一侧，第六支撑部36支撑第四支撑部34，以间接支撑第五支撑部35、对位标记Mark。具体的，第四支撑部34在衬底10上的正投影，位于第六支撑部36在衬底10上的正投影的边界内，以第六支撑部36支撑第四支撑部34，间接支撑第五支撑部35，以实现垫高对位标记Mark。
基于此，可以利用三层支撑结构30进一步垫高对位标记Mark，进一步缩小连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)，提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高获取的照片清晰度，以提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
另外，支撑结构30的第六支撑部36与钝化层40同层，可以使得支撑结构30的第六支撑部36与钝化层40采用同一成膜工艺形成。进而，无需在显示基板100中形成额外的膜层以构成支撑结构30的第六支撑部36，可以简化显示基板100的工艺制程。
在一些实施例中，结合图3、图4和图12所示，由于支撑结构30的第二支撑部32与钝化层40同层设置，可以设置支撑结构30的第二支撑部32与钝化层40连接。
具体的，支撑结构30的第六支撑部36与构成其相邻的连接引脚M的钝化层40连接。相当于外延钝化层40形成支撑结构30的第六支撑部36，可以便于限制支撑结构30的第六支撑部36的位置，实现支撑结构30的第六支撑部36位于第四支撑部34和衬底10之间，且第四支撑部34在衬底10上的正投影，位于支撑结构30的第六支撑部36在衬底10上的正投影的边界内，以利用第六支撑部36支撑第四支撑部34和第五支撑部35，以间接支撑对位标记Mark，垫高对位标记Mark。
示例性的，对位标记Mark(第三源漏金属层SD3)远离衬底10一侧的第一表面S1，与衬底10之间的最小间距d3大约为2.93μm，第二间距d2大约为2.87μm。此时，d1＝d2-d3。也即，第一间距d1大约为0.06μm，即连接引脚M与对位标记Mark之间高度差间距大约为0.06μm，第一间距d1远远小于0.35倍的第二间距d2，可以明显提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高获取的照片清晰度，以提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
图13为图4中N1-N1’向的又一种剖面图。
在一些实施例中，结合图3、图4、图13所示，支撑结构30除第四支撑部34外还包括第七支撑部37和第八支撑部38，第七支撑部37夹设于第四支撑部34和第八支撑部38之间，第七支撑部37与第二源漏金属层SD2同层，且第八支撑部38和第一源漏金属层SD1同层。
由于支撑结构30的第四支撑部34与第三源漏金属层SD3同层、支撑结构30的第七支撑部37与第二源漏金属层SD2同层，且支撑结构30的第八支撑部38和第一源漏金属层SD1同层。那么，由第四支撑部34、第七支撑部37和第八支撑部38构成的支撑结构30的厚度，大约为第一源漏金属层SD1的厚度、第二源漏金属层SD2的厚度和第三源漏金属层SD3的厚度之和。
并且，对位标记Mark与触控金属层TMB同层。此时，对位标记Mark远离衬底10一侧的第一表面S1与衬底10之间的最小距离为，第一源漏金属层SD1的厚度、第二源漏金属层SD2的厚度、第三源漏金属层SD3的厚度和触控金属层TMB的厚度之和。
由于连接引脚M由位于第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2、第三源漏金属层SD3和触控金属层TMB的导电部21构成，进而连接引脚M远离衬底10一侧的第二表面S2与衬底10之间的最小距离为，第一源漏金属层SD1的厚度、第二源漏金属层SD2的厚度、第三源漏金属层SD3和触控金属层TMB的厚度之和。
故而，对位标记Mark远离衬底10一侧的第一表面S1与衬底10之间的最小距离，等于连接引脚M远离衬底10一侧的第二表面S2与衬底10之间的最小距离。也即，对位标记Mark远离衬底10一侧的第一表面S1，与连接引脚M远离衬底10一侧的第二表面S2共面。此时，d1＝0。可以消除连接引脚M与对位标记Mark的高度差间距(第一间距d1)，更好的提高对对位标记Mark进行拍照时的聚焦清晰度，提高获取的照片清晰度，以提高显示基板100绑定良率，提高显示基板100的产品良率。
另外，支撑结构30的第七支撑部37与第二源漏金属层SD2同层，可以使得支撑结构30的第七支撑部37与第二源漏金属层SD2采用同一成膜工艺形成。进而，无需在显示基板100中形成额外的膜层以构成支撑结构30的第七支撑部37，可以简化显示基板100的工艺制程。以及，支撑结构30的第八支撑部38与第一源漏金属层SD1同层，可以使得支撑结构30的第八支撑部38与第一源漏金属层SD1采用同一成膜工艺形成。进而，无需在显示基板100中形成额外的膜层以构成支撑结构30的第八支撑部38，可以简化显示基板100的工艺制程。
在一些实施例中，结合图3、图4、图13所示，由于支撑结构30的第七支撑部37与构成连接引脚M的第二导电部212同层设置，可以设置支撑结构30的第七支撑部37与位于第二源漏金属层SD2中的第二导电部212连接。
具体的，支撑结构30的第七支撑部37与构成其相邻的连接引脚M的第二导电部212连接。相当于外延第二源漏金属层SD2中的第二导电部212形成支撑结构30的第七支撑部37，可以便于限制支撑结构30的第七支撑部37的位置，实现支撑结构30的第七支撑部37位于第四支撑部34和衬底10之间，且第四支撑部34在衬底10上的正投影，位于支撑结构30的第七支撑部37在衬底10上的正投影的边界内，以利用第七支撑部37支撑第四支撑部34、间接支撑对位标记Mark，以实现垫高对位标记Mark。
在一些实施例中，结合图3、图4、图13所示，由于支撑结构30的第八支撑部38与构成连接引脚M的第二导电部212同层设置，可以设置支撑结构30的第八支撑部38与位于第一源漏金属层SD1中的第二导电部212连接。
具体的，支撑结构30的第八支撑部38与构成其相邻的连接引脚M的第一导电部211连接。相当于外延第一源漏金属层SD1中的第一导电部211形成支撑结构30的第八支撑部38，可以便于限制支撑结构30的第八支撑部38的位置，实现支撑结构30的第八支撑部38位于第七支撑部37和衬底10之间，且第七支撑部37在衬底10上的正投影，位于支撑结构30的第八支撑部38在衬底10上的正投影的边界内，以利用第八支撑部38支撑第七支撑部37、第四支撑部34，以实现垫高对位标记Mark。
需要说明的是，图5～图13中均以连接引脚M为绑定引脚M1，且对位标记Mark为第一对位标记Mark1为例进行示意。可以理解的是，当连接引脚M为检测引脚M2，且对位标记Mark为第二对位标记Mark2时，检测引脚M2的结构可以与绑定引脚M1的结构一致，故而检测引脚M2的结构可以参考图5～图13中示意的绑定引脚M1的结构，在此不再赘述。以及，第二对位标记Mark2的结构可以与第一对位标记Mark1的结构一致，故而，第二对位标记Mark2的结构可以参考图5～图13中示意的第一对位标记Mark1的结构，在此不再赘述。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种显示基板，其特征在于，具有显示区和围绕所述显示区的周边区，所述周边区包括绑定区；
所述显示基板包括：衬底，以及位于所述衬底一侧的多层金属层；其中，所述多层金属层中，最远离所述衬底的金属层为顶层金属层，最靠近所述衬底的金属层为底层金属层；
多个连接引脚，位于所述衬底的一侧，且多个所述连接引脚位于所述周边区，所述连接引脚由所述多层金属层中的导电部组成；
至少一个对位标记，位于所述衬底的一侧，所述对位标记位于所述周边区，且所述对位标记在所述衬底上的正投影，位于所述多个连接引脚在所述衬底上的正投影的至少一侧；
支撑结构，位于所述对位标记和所述衬底之间，且支撑所述对位标记；
所述对位标记远离所述衬底一侧的第一表面，与位于所述顶层金属层中的导电部远离所述衬底一侧的第二表面之间的最小间距为第一间距d1，所述位于所述顶层金属层中的导电部远离所述衬底一侧的第二表面，与位于所述底层金属层中的导电部靠近所述衬底一侧的第三表面之间的最小间距为第二间距d2，0≤d1≤0.35d2。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，d1≤0.05d2。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，沿远离所述衬底的方向上，所述多层金属层包括第一源漏金属层、第二源漏金属层和第三源漏金属层；或，
沿远离所述衬底的方向上，所述多层金属层包括第一源漏金属层、第二源漏金属层、第三源漏金属层和触控金属层；
所述对位标记与所述第三源漏金属层同层；
所述支撑结构包括第一支撑部，所述第一支撑部支撑所述对位标记，所述第一支撑部与所述第二源漏金属层同层。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，
所述对位标记，与位于所述第三源漏金属层中的导电部连接。
5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，
所述显示基板还包括：钝化层，位于所述第一源漏金属层和所述第二源漏金属层之间；所述钝化层包括第一过孔，所述第一源漏金属层的导电部和所述第二源漏金属层的导电部通过贯穿所述钝化层的第一过孔连接；
所述支撑结构还包括第二支撑部，所述第二支撑部支撑所述第一支撑部，所述第二支撑部和所述钝化层同层。
6.根据权利要求3～4中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述支撑结构还包括第三支撑部，所述第三支撑部支撑所述第一支撑部，所述第三支撑部和所述第一源漏金属层同层。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，沿远离所述衬底的方向上，所述多层金属层包括第一源漏金属层、第二源漏金属层、第三源漏金属层和触控金属层；
所述对位标记与所述触控金属层同层；
所述支撑结构包括第四支撑部，所述第四支撑部支撑所述对位标记，所述第四支撑部与所述第三源漏金属层同层。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述对位标记与位于所述触控金属层的导电部连接。
9.根据权利要求7或8所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
平坦化层，位于所述第三源漏金属层和所述触控金属层之间；所述平坦化层包括第二过孔，所述第三源漏金属层的导电部和所述触控金属层的导电部通过贯穿所述平坦化层的第二过孔连接；
所述支撑结构还包括第五支撑部，且支撑所述对位标记，所述第五支撑部与所述平坦化层同层。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
钝化层，位于所述第一源漏金属层和所述第二源漏金属层之间；所述钝化层包括第一过孔，所述第一源漏金属层的导电部和所述第二源漏金属层的导电部通过贯穿所述钝化层的第一过孔连接；
所述支撑结构还包括第六支撑部，所述第六支撑部支撑所述第四支撑部，所述第六支撑部和所述钝化层同层。
11.根据权利要求7或8所述的显示基板，其特征在于，所述支撑结构还包括第七支撑部和第八支撑部，所述第七支撑部夹设于第四支撑部和所述第八支撑部之间，所述第七支撑部与所述第二源漏金属层同层，且所述第八支撑部和所述第一源漏金属层同层。
12.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述对位标记在所述衬底上的正投影的形状为十字型、T型、H型或工字型。
13.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述周边区还包括绑定区，所述连接引脚为绑定引脚，所述绑定引脚位于所述绑定区。
14.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述周边区还包括绑定区和检测区，所述检测区位于所述绑定区远离所述显示区的一侧；
所述连接引脚包括检测引脚，所述检测引脚位于所述检测区；或者，
多个所述连接引脚包括绑定引脚和检测引脚，所述对位标记包括第一对位标记和第二对位标记；
所述绑定引脚和所述第一对位标记位于所述绑定区，且所述第一对位标记在所述衬底上的正投影，位于所述绑定引脚在所述衬底上的正投影的一侧，所述检测引脚和所述第二对位标记位于所述检测区，且所述第二对位标记在所述衬底上的正投影，位于所述检测引脚在所述衬底上的正投影的一侧。
15.一种显示装置，其特征在于，包括：
权利要求1～14中任一项所述的显示基板，多个所述连接引脚包括绑定引脚，
柔性线路板，位于所述显示基板上，与所述绑定引脚连接。
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