CN118099169A - 显示基板及其制造方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种显示基板及其制造方法、显示面板和显示装置，显示基板包括衬底基板；遮光金属层，层叠在衬底基板上，包括位于显示区的遮光部和位于扇出区的多条第一走线，第一走线用于传输数据信号；有源层，设置在遮光金属层的远离衬底基板的一侧，有源层包括晶体管的沟道区，沟道区在衬底基板上的正投影与遮光部在衬底基板上的正投影至少部分重叠。该显示基板能够减小显示产品在扇出区处的边框宽度。

Description

显示基板及其制造方法、显示面板和显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制造方法、显示面板和显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，显示产品需要以窄边框设计来实现更好的视觉效果。因此目前的一些显示产品，如智能手机，平板电脑等电子设备在全面屏显示设计或提升用户体验方面，对窄边框的需求越来越高。故而，如何进一步降低显示产品的边框宽度是目前亟需解决的问题之一。

发明内容

鉴于上述问题，本公开提供了一种显示基板及其制造方法、显示面板和显示装置，能够进一步减小显示产品在扇出区处的边框宽度。

第一方面，本公开通过一实施例提供如下的技术方案：

一种显示基板，包括显示区和位于所述显示区至少一侧的扇出区，所述显示基板包括：

衬底基板；

遮光金属层，层叠在所述衬底基板上，包括位于所述显示区的遮光部和位于所述扇出区的多条第一走线，所述第一走线用于传输数据信号；

有源层，设置在所述遮光金属层的远离所述衬底基板的一侧，所述有源层包括晶体管的沟道区，所述沟道区在所述衬底基板上的正投影与所述遮光部在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。

在一些实施例中，显示基板还包括源漏金属层，设置在所述遮光金属层的远离所述衬底基板的一侧；

所述源漏金属层包括位于所述扇出区的多条第二走线，所述第一走线电连接所述第二走线，用于传输数据信号。

在一些实施例中，显示基板还包括：

缓冲层，层叠设置在所述衬底基板上，所述遮光金属层设置在所述衬底基板和所述缓冲层之间；

依次层叠设置在所述缓冲层上的栅介质层和层间介质层；所述第二走线设置在所述层间介质层上，并通过贯穿所述层间介质层和所述栅介质层的过孔与所述第一走线电连接。

在一些实施例中，显示基板还包括栅金属层，设置在所述栅介质层和所述层间介质层之间，所述栅金属层在所述衬底基板上的正投影与所述扇出区无交集。

在一些实施例中，显示基板还包括：

第一平坦层，层叠在所述层间介质层的远离所述栅介质层的一侧，所述源漏金属层设置在所述第一平坦层和所述层间介质层之间；

依次层叠在所述第一平坦层上第一钝化层和第二平坦层；

触控金属层，设置在所述第一钝化层和所述第二平坦层之间；所述触控金属层包括位于所述扇出区的多条第三走线，所述第三走线用于传输触控信号。

在一些实施例中，所述第一走线在所述衬底基板上的正投影与所述第二走线在所述衬底基板上的正投影交替排布，所述第三走线在所述衬底基板上的正投影与所述第一走线、所述第二走线在所述衬底基板上的正投影交替排布。

在一些实施例中，所述第一走线的宽度为1.8μm～2.0μm，相邻两条第一走线之间的间隙为2.5μm～3.0μm。

第二方面，基于同一发明构思，本公开通过一实施例提供如下技术方案：

一种显示基板的制造方法，所述显示基板包括显示区和位于所述显示区至少一侧的扇出区，所述制造方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成遮光金属层和有源层；其中，所述遮光金属层包括位于所述显示区的遮光部和位于所述扇出区的多条第一走线，所述第一走线用于传输数据信号；所述有源层位于所述遮光金属层的远离所述衬底基板的一侧，包括晶体管的沟道区，所述沟道区在所述衬底基板上的正投影与所述遮光部在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。

第三方面，基于同一发明构思，本公开通过一实施例提供如下技术方案：

一种显示面板，包括第一方面实施例提供的显示基板。

第四方面，基于同一发明构思，本公开通过一实施例提供如下技术方案：

一种显示装置，包括第三方面实施例提供的显示面板。

通过本公开的一个或者多个技术方案，本公开具有以下有益效果或者优点：

本公开提供了一种显示基板，其遮光金属层包括位于显示区的遮光部和位于扇出区的第一走线，其中遮光部用于对有源层的沟道层进行遮光，第一走线用于传输数据信号，故而改变了扇出区的布线方式，不再通过栅金属走线进行数据信号的传输。得益于在显示基板的工艺制程中，遮光金属层相比栅金属层具有更小的刻蚀偏差(bias)的优势，因此利用扇出区的遮光金属层进行第一走线的布线，能够缩小扇出间距(fanout pitch)，从而降低扇出区所在位置对应的边框宽度。

上述说明仅是本公开技术方案的概述，为了能够更清楚了解本公开的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本公开的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本公开的具体实施方式。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本公开的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1A示出了根据本公开实施例提供的采用Gate/SD/TPM三层布线对应的显示基板的剖面图；

图1B示出了根据本公开实施例提供的采用Gate/SD/TPM三层布线对应的走线示意图；

图2A示出了根据本公开实施例提供的采用LS/SD/TPM三层布线对应的显示基板的剖面图；

图2B示出了根据本公开实施例提供的采用LS/SD/TPM三层布线对应的走线示意图；

图3示出了根据本公开实施例的显示基板制造方法的流程示意图；

附图标记说明：

AA、显示区；FA、扇出区；BA、绑定区；

LS、遮光金属层；11、第一走线；12、遮光部；

SD、源漏金属层；21、第二走线；22、源漏极；

TPM、触控金属层；31、第三走线；32、触控信号线；

Sub、衬底基板；Buf、缓冲层；Gate、栅金属层；ACT、有源层；GI、栅介质层；ILD、层间介质层；PLN1、第一平坦层；PLN2、第二平坦层；PVX1、第一钝化层；PVX2、第二钝化层；PXL、像素电极；COM、公共电极；Hol、过孔。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。

在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。

在本公开的上下文中，如无特别说明，以显示面板的出光侧为“顶侧”或“上侧”，其相反侧为“底侧”或“下侧”，以便于描述相对方向。相应地，与底侧到顶侧的方向为显示面板的厚度方向，与厚度方向垂直的方向则是显示面板的“平面方向”或“延伸方向”。应当理解，这些方向都是相对方向而非绝对方向。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

目前的一些显示产品，如智能手机或平板电脑等为了实现全面屏或更高的屏占比，需求下边框越窄越好。对于这类显示产品所使用的显示面板，其阵列基板或显示基板常采用12mask(掩膜版)的工艺制程，请参阅图1A提供的显示基板的剖面图和图1B提供的布线图，采用三层金属：栅金属(Gate)、源漏金属(SD)和触控金属(TPM)进行布线。在显示面板的显示区AA，Gate为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的栅极和像素的栅扫描线，SD为像素的数据线，TPM为触控传感器(Touch sensor)的信号线。在扇出区FA，由于数据线(source)的数量相比触控信号线(TP)的数量多，因此Gate和SD两层进行交叠布线，用于传输数据信号(source)，TPM单层设计为触控信号线(TP走线)。从图1B可以看出，在扇出区FA，栅金属走线与源漏金属走线通过过孔电连接，S1+、S2-、S3+、S4-代表不同的数据线，分别在显示区AA处和绑定区BA处进行跨线，Tx1和Tx2分别代表不同的触控信号线对应的触控传感器，在扇出区FA与显示区AA、绑定区BA的交界处进行跨线。

研究表明，源漏金属与触控金属采用干刻工艺，其布线间距pitch较小，最小可以做到4.2μm。但栅金属则不同，在布线时往往存在较大的间距(Gate pitch)，这是因为目前薄膜晶体管越来越多的使用低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)做有源层，LTPS有源层采用LDD工艺(Light Doped Drain，轻掺杂漏极)形成LDD区，薄膜晶体管的栅极作为LDD区的自对准遮挡层，为了保证LDD区的宽度，栅金属层也需要采用湿刻工艺进行对应，故而存在较大的刻蚀偏差(bias)，约为1.5μm左右，导致Gate pitch很难做小。

由于扇出区FA的Gate走线和显示区AA的Gate走线是通过同一道掩膜版工艺(mask)形成，因此扇出区FA的Gate走线与显示区AA的Gate走线同理，具有较大的刻蚀bias，扇出区FA的Gate pitch同样很难做小，目前最小只能做到5.5μm左右。故而扇出区FA进一步压缩空间的受限因素主要是Gate走线的Gate pitch，其难以进一步做窄，进而影响到扇出区FA所在的下边框的进一步缩窄。

针对上述问题，第一方面，在一个可选的实施例中，请参阅图2A和图2B，提供了一种显示基板，包括显示区AA和位于显示区AA至少一侧的扇出区FA。

显示基板具体包括：

衬底基板Sub；

遮光金属层LS，层叠在衬底基板Sub上，包括位于显示区AA的遮光部12和位于扇出区FA的多条第一走线11，第一走线11用于传输数据信号；

有源层ACT，设置在遮光金属层LS的远离衬底基板Sub的一侧，有源层ACT包括晶体管的沟道区，沟道区在衬底基板Sub上的正投影与遮光部12在衬底基板Sub上的正投影至少部分重叠。

衬底基板Sub可以是刚性衬底，如玻璃衬底或PMMA(Polymethyl methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)衬底等；也可以是柔性衬底，如PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)衬底、PEN(Polyethylene naphthalate two formic acid glycolester，聚萘二甲酸乙二醇酯)衬底或PI(Polyimide，聚酰亚胺)衬底等。在使用柔性衬底时，对应制造的显示面板为柔性显示面板。

扇出区FA属于显示基板的边框区的一部分，边框区位于显示区AA的外围，在其中的一侧包括靠近显示区AA的扇出区FA以及远离显示区AA的绑定区BA，即扇出区FA位于显示区AA与绑定区BA之间。通常的，扇出区FA所在的一侧对应于显示产品的下边框。扇出区FA的金属走线或信号线用于连接显示区AA的驱动电路以及绑定区BA的驱动芯片，又称之为扇出区信号线，因此想要缩窄下边框的宽度，需要减小扇出区信号线的线宽(Line)和线间距(Space)来减小扇出区FA的占用面积，从而实现窄边框。线宽与线间距之和为Fanoutpitch，为了控制线路阻抗，线宽不能过窄，因此进一步的缩小线间距(Space)是降低Fanoutpitch的主要方向。而对于通过栅金属层Gate进行扇出区FA布线的显示基板，Fanout pitch的瓶颈为栅金属走线的Gate pitch。

遮光金属层LS包括位于显示区AA的遮光部12和位于扇出区FA的第一走线11，遮光部12用于对晶体管的有源层ACT或沟道区进行遮挡，防止光线从衬底基板Sub的背光侧照射至晶体管，以降低晶体管因光照引起的漏电风险，有利于降低功耗，提升画面显示的稳定性。而扇出区FA的第一走线11，即遮光金属走线作为扇出区FA信号线的一部分，用于传输数据信号。目前常规的显示基板的扇出区FA采用的是栅金属层Gate、源漏金属层SD和触控金属层TPM的三层布线，因此遮光金属层LS只设置在显示区AA。而本公开提供的显示基板，将遮光金属层LS充分利用起来，在扇出区FA通过遮光金属层LS进行布线，因此在显示区AA和扇出区FA同时设有遮光金属层LS。

与栅金属层Gate不同，遮光金属层LS不需要作为有源层ACT在LDD处理时的自对准遮挡层，因此遮光金属层LS也可以采用干刻工艺，具有较小的刻蚀偏差bias，研究和实践表明可将刻蚀偏差减小至0.5μm，与栅金属层Gate的刻蚀偏差1.5μm相比显著缩小。更小的刻蚀偏差能够支持线间距(Space)的进一步缩小，从而减小Fanout pitch。

故而，本公开实施例提供的显示基板改变了扇出区FA的布线方式，在扇出区FA利用遮光金属层LS的第一走线11传输数据信号，不再通过栅金属走线进行数据信号的传输。得益于遮光金属层LS相比栅金属层Gate具有更小的刻蚀偏差(bias)的优势，因此采用扇出区FA的遮光金属层LS进行第一走线11的布线，能够缩小扇出间距(fanout pitch)，从而降低扇出区FA所在位置对应的边框宽度。

以12.95英寸、3K分辨率的横屏产品为例，在扇出区FA通过栅金属层Gate进行数据信号布线时，对应的Fanout pitch为5.5μm，扇出区FA对应的下边框宽度为4.5mm。而在采用遮光金属层LS进行布线以代替栅金属层Gate的布线时，可将Fanout pitch可缩小至5.0μm，对应的下边框可以缩窄至4.2mm，减小量为0.3mm。故而，采用遮光金属层LS进行布线，可大幅减小下边框，实现超窄下边框和超高屏占比，显著提升产品的竞争力。

在一些实施例中，请参阅图2A，显示基板还包括源漏金属层SD，设置在遮光金属层LS的远离衬底基板Sub的一侧；源漏金属层SD包括位于扇出区FA的多条第二走线21，第一走线11电连接第二走线21，用于传输数据信号。也就是说，在扇出区FA数据线(source)通过源漏金属与遮光金属的交叠布线。请参阅图2B，S1+、S2-、S3+、S4-代表不同的数据线，在扇出区FA，第一走线11和第二走线21通过过孔Hol电连接，并在扇出区FA与显示区AA的交界处通过连接孔跨线连接显示区AA的数据线，以及在扇出区FA与绑定区BA的交界处通过连接孔跨线连接绑定区BA的驱动芯片。

在一些实施例中，请参阅图2A，显示基板还包括：

缓冲层Buf，层叠设置在衬底基板Sub上，遮光金属层LS设置在衬底基板Sub和缓冲层Buf之间；缓冲层Buf覆盖遮光金属层LS和衬底基板Sub，起到绝缘遮光金属层LS以及平坦化的作用。

依次层叠设置在缓冲层Buf上的栅介质层GI和层间介质层ILD；第二走线21设置在层间介质层ILD上，并通过贯穿层间介质层ILD和栅介质层GI的过孔Hol与第一走线11电连接。也就是说，源漏金属层SD层叠在层间介质层ILD上。在显示区AA，源漏金属层SD还包括晶体管的源漏极22以及相应的数据走线，源极和漏极通过贯穿层间介质层ILD和栅介质层GI的连接孔电连接有源层ACT。

在一些实施例中，请参阅图2A，显示基板还包括栅金属层Gate，设置在栅介质层GI和层间介质层ILD之间，栅金属层Gate在衬底基板Sub上的正投影与扇出区FA无交集。由于扇出区FA转为LS/SD交叠布线，不再通过Gate/SD进行交叠布线，因此不再需要在扇出区FA形成栅金属走线，故而栅金属层Gate的正投影与扇出区FA并无交集或重叠。

在一些实施例中，请参阅图2A，显示基板还包括：

第一平坦层PLN1，层叠在层间介质层ILD的远离栅介质层GI的一侧，源漏金属层SD设置在第一平坦层PLN1和层间介质层ILD之间；

依次层叠在第一平坦层PLN1上第一钝化层PVX1和第二平坦层PLN2；

触控金属层TPM，设置在第一钝化层PVX1和第二平坦层PLN2之间；触控金属层TPM包括位于扇出区FA的多条第三走线31，第三走线31用于传输触控信号。

具体的，第一平坦层PLN1层叠在层间介质层ILD上，并覆盖源漏金属层SD，具有绝缘和平坦化的作用，接着第一钝化层PVX1层叠在第一平坦层PLN1上，触控金属层TPM层叠在第一钝化层PVX1上。另外，触控金属层TPM还包括位于显示区AA的触控信号线32，图2B中的Tx1和Tx2分别代表不同触控信号线32对应的触控传感器。

故而，显示基板在扇出区FA形成了第一走线11(LS)、第二走线21(SD)和第三走线31(TPM)的三层布线，其中第一走线11和第二走线21跨接形成传输source信号的数据线，第三走线31为单层走线，用于传输触控信号。

在一些实施例中，第一走线11在衬底基板Sub上的正投影与第二走线21在衬底基板Sub上的正投影交替排布，第三走线31在衬底基板Sub上的正投影与第一走线11、第二走线21在衬底基板Sub上的正投影交替排布。这一点也可以从图2B中看出。也就是说，在将所有的走线正投影到衬底基板Sub后，可以看出第一走线11、第二走线21和第三走线31是交替布线的，任意两条第一走线11的正投影互不相邻，第二走线21和第三走线31同理。交替布线能够保证在相同的布线间距下，尽可能的降低相邻走线之间的信号串扰的影响。

在一些实施例中，多条第一走线11在衬底基板Sub上的正投影彼此平行或接近平行，即多条第一走线11平行布置或相邻两条第一走线11之间的夹角不超过设定值。第二走线21同理。

在一些实施例中，第一走线11的宽度为1.8μm～2.0μm，相邻两条第一走线11之间的间隙为2.5μm～3.0μm。如前所述，走线的线宽(Line)和相邻两条走线之间的线间距(Space)之和为扇出区间距(Fanout pitch)，故而在改用遮光金属替代栅极金属进行布线时，可将Fanout pitch控制在5.0μm左右，相比在采用栅金属布线时的5.5μm的Fanoutpitch有了较为明显的降低，从而可以进一步减小扇出区FA所在的下边框。

在一些实施例中，请参阅图2A，显示基板还包括：

公共电极COM，层叠设置在第二平坦层PLN2的远离第一钝化层PVX1的一侧；第二平坦层PLN2上设有露出显示区AA的触控金属层TPM的盲孔，公共电极COM与盲孔内的触控金属层TPM电连接；

第二钝化层PVX2，层叠设置在公共电极COM的远离第二平坦层PLN2的一侧；也就是说，第二钝化层PVX2覆盖第二平坦层PLN2和公共电极COM设置。

在一些实施例中，第二钝化层PVX2、第二平坦层PLN2、第一钝化层PVX1和第一平坦层PLN1上设有露出源漏金属层SD的连接孔，显示基板还包括像素电极PXL，层叠设置在第二钝化层PVX2的远离公共电极COM的一侧，并通过该连接孔与源漏金属层SD电连接。公共电极COM和像素电极PXL设置于衬底基板Sub的一侧，可以形成水平电场，以驱动液晶翻转，从而实现图像显示功能。

在一些实施例中，公共电极COM可以采用透明导电材料，如氧化铟锡(ITO)材料、氧化铟锌(IZO)材料、碳纳米管或石墨烯等；像素电极PXL可以采用透明导电材料，如氧化铟锡(ITO)材料、氧化铟锌(IZO)材料、碳纳米管或石墨烯等，此处不对其进行具体限定。

总的来说，本公开实施例提供了一种显示基板，其中的栅金属层Gate只作为显示区AA的晶体管的栅极和相应的栅信号线，在扇出区FA无栅金属层Gate进行布线。作为替代，扇出区FA采用遮光金属层LS进行走线设计。由于遮光金属层LS无需配合有源层ACT的LDD处理需求，不需要作为LDD区的自对准阻挡层，故而遮光金属层LS可以采用干刻工艺，刻蚀偏差可以减小至0.5μm，从而可以进一步做小Fanout pitch，实现超窄下边框或超高屏占比。

第二方面，基于相同的发明构思，在另一个可选的实施例中，请参阅图3，提供了一种显示基板的制造方法，包括：

S31：提供衬底基板Sub；

S32：在衬底基板Sub上形成遮光金属层LS和有源层ACT；其中，遮光金属层LS包括位于显示区AA的遮光部12和位于扇出区FA的多条第一走线11，第一走线11用于传输数据信号；有源层ACT位于遮光金属层LS的远离衬底基板Sub的一侧，包括晶体管的沟道区，沟道区在衬底基板Sub上的正投影与遮光部12在衬底基板Sub上的正投影至少部分重叠。

在一些实施例中，在衬底基板Sub上形成遮光金属层LS和有源层ACT的步骤具体包括：

在衬底基板Sub上形成遮光金属层LS并进行图形化；

在衬底基板Sub上形成覆盖遮光金属层LS的缓冲层Buf；

在缓冲层Buf上形成有源层ACT，并对有源层ACT进行图形化和LDD处理，形成LDD掺杂区。

在一些实施例中，显示基板的制造方法还包括：

在缓冲层Buf上形成覆盖有源层ACT的栅介质层GI；

在栅介质层GI上形成只位于显示区AA的栅金属层Gate；

在栅介质层GI上形成覆盖栅金属层Gate的层间介质层ILD；

在层间介质层ILD上形成源漏金属层SD，源漏金属层SD包括位于扇出区FA的第二走线21以及位于显示区AA的数据线和晶体管的源漏极22；

在层间介质层ILD上形成覆盖源漏金属层SD的第一平坦层PLN1；

在第一平坦层PLN1上形成第一钝化层PVX1；

在第一钝化层PVX1上形成触控金属层TPM；触控金属层TPM包括位于扇出区FA的第三走线31和位于显示区AA的触控信号线32；

在第一钝化层PVX1上形成覆盖触控金属层TPM的第二平坦层PLN2；

在第二平坦层PLN2上形成公共电极COM和覆盖公共电极COM的第二钝化层PVX2；

在第二钝化层PVX2上形成像素电极PXL，像素电极PXL通过连接孔连接晶体管的源漏极22。

第三方面，在一个可选的实施例中，提供了一种显示面板，包括第一方面实施例提供的显示基板。该显示面板可以是液晶显示面板，在液晶面板的厚度方向上，包括显示基板、液晶层和彩膜基板。

第四方面，在一个可选的实施例中，提供了一种显示装置，包括第三方面实施例提供的显示面板。该显示装置可以是在显示面板上绑定印刷电路板和驱动芯片后的显示模组，也可以是包括显示面板的各类显示设备。这些显示设备可以是：智能手机、平板电脑、平板电视、电脑用显示器、笔记本电脑、会议一体机等任何具有显示功能的显示产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述。

尽管已描述了本公开的优选实施例，但本领域内的普通技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本公开范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括显示区和位于所述显示区至少一侧的扇出区，所述显示基板包括：

衬底基板；

遮光金属层，层叠在所述衬底基板上，包括位于所述显示区的遮光部和位于所述扇出区的多条第一走线，所述第一走线用于传输数据信号；

有源层，设置在所述遮光金属层的远离所述衬底基板的一侧，所述有源层包括晶体管的沟道区，所述沟道区在所述衬底基板上的正投影与所述遮光部在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括源漏金属层，设置在所述遮光金属层的远离所述衬底基板的一侧；

所述源漏金属层包括位于所述扇出区的多条第二走线，所述第一走线电连接所述第二走线，用于传输数据信号。

3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，还包括：

缓冲层，层叠设置在所述衬底基板上，所述遮光金属层设置在所述衬底基板和所述缓冲层之间；

依次层叠设置在所述缓冲层上的栅介质层和层间介质层；所述第二走线设置在所述层间介质层上，并通过贯穿所述层间介质层和所述栅介质层的过孔与所述第一走线电连接。

4.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，还包括栅金属层，设置在所述栅介质层和所述层间介质层之间，所述栅金属层在所述衬底基板上的正投影与所述扇出区无交集。

5.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，还包括：

第一平坦层，层叠在所述层间介质层的远离所述栅介质层的一侧，所述源漏金属层设置在所述第一平坦层和所述层间介质层之间；

依次层叠在所述第一平坦层上第一钝化层和第二平坦层；

触控金属层，设置在所述第一钝化层和所述第二平坦层之间；所述触控金属层包括位于所述扇出区的多条第三走线，所述第三走线用于传输触控信号。

6.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一走线在所述衬底基板上的正投影与所述第二走线在所述衬底基板上的正投影交替排布，所述第三走线在所述衬底基板上的正投影与所述第一走线、所述第二走线在所述衬底基板上的正投影交替排布。

7.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一走线的宽度为1.8μm～2.0μm，相邻两条第一走线之间的间隙为2.5μm～3.0μm。

8.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述显示基板包括显示区和位于所述显示区至少一侧的扇出区，所述制造方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成遮光金属层和有源层；其中，所述遮光金属层包括位于所述显示区的遮光部和位于所述扇出区的多条第一走线，所述第一走线用于传输数据信号；所述有源层位于所述遮光金属层的远离所述衬底基板的一侧，包括晶体管的沟道区，所述沟道区在所述衬底基板上的正投影与所述遮光部在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。

9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～8任一项所述的显示基板。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。