CN118092092A - 高深宽比图形的深孔去胶工艺方法 - Google Patents
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本发明涉及半导体湿制程技术领域，特别是一种高深宽比图形的深孔去胶工艺方法，包括以下步骤：将带有深孔图形的基板放在载台上，载台吸附住基板，并带着一起旋转；将兆声发生板移到基板上方，两者保持平行，兆声发生板下表面距离基板上表面1‑2mm范围内；基板上喷洒去胶液，使兆声发生板与基板之间的空间填充去胶液，并开启兆声功能，作用一定时间后关闭兆声功能，此时深孔内的残胶均被去胶液溶解；关闭去胶液喷洒；移走兆声发生板，清洗晶圆表面，使表面没有去胶液残留；步骤6：在基板上表面喷洒N2，吹干基板。本发明可以使去胶液完全进入深孔图形内部，溶解残胶，洗尽基板上的深孔图形。
Description
技术领域
本发明涉及半导体湿制程技术领域，特别是一种高深宽比图形的深孔去胶工艺方法。
背景技术
半导体湿制程设备中，随着工艺的不断进步，高深宽比图形工艺越来越多，对于去胶工艺的要求越来越高。现有的去胶方式，主要是浸泡去胶，高压去胶，常压喷淋去胶，这些方式无法对应高深宽比图形，药水因为图形张力原因，无法进入深孔图形内部，会有工艺结束后残胶情况。
发明内容
本发明为了有效的解决上述背景技术中的问题，提出了一种高深宽比图形的深孔去胶工艺方法。
具体技术方案如下；
一种高深宽比图形的深孔去胶工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1：将带有深孔图形的基板放在载台上，载台吸附住基板，并带着一起旋转；
步骤2：将兆声发生板移到基板上方，两者保持平行，兆声发生板下表面距离基板上表面1-2mm范围内；
步骤3：基板上喷洒去胶液(兆声板边缘有去胶液喷嘴)，使兆声发生板与基板之间的空间填充去胶液，并开启兆声功能，作用一定时间(5-30分钟时间)后，关闭兆声功能，此时深孔内的残胶均被去胶液溶解；
步骤4：关闭去胶液喷洒；
步骤5：移走兆声发生板，载台转速提高到300-500rpm之间(为使后面喷洒的液体均匀覆盖整个基板需提高转速，)，然后喷洒IPA和D IW(中文：异丙醇和水)，清洗晶圆表面，使表面没有去胶液残留；
步骤6：在基板上表面喷洒N2(氮气)，吹干基板。
优选地，载台的转速小于100rpm(这样可以让液体充分作用基板)。
优选地，IPA和DIW流量在500ml/min(既可以节省药水，又可以覆盖整个基板)。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明可以使去胶液完全进入深孔图形内部，溶解残胶，洗尽基板上的深孔图形。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图；
图2为本发明的流程图。
具体实施方式
为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位旋转90度或处于其他方位，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
下面结合附图及较佳实施例详细说明本发明的具体实施方式。
如图1所示，一种高深宽比图形的深孔去胶工艺方法，本发明在兆声发生板1与基板2之间填充满去胶液3，通过兆声发生板产生兆声波，进而将去胶液送入深孔图形4，完成去胶液与图形侧壁的光刻胶的接触，进而完成去胶工艺。
步骤1：将带有深孔图形4的基板2放在载台5上，载台吸附住基板，并带着一起旋转(转速100rpm以内，这样可以让液体充分作用基板)；
步骤2：将兆声发生板1移到基板上方，两者保持平行，兆声发生板下表面距离基板上表面1-2mm范围内；
步骤3：基板上喷洒去胶液，通过兆声板边缘的去胶液喷嘴进行喷洒，使兆声发生板与基板之间的空间填充去胶液，并开启兆声功能，作用一定时间(该时间大约5-30分钟)后关闭兆声功能，此时深孔内的残胶均被去胶液溶解；
步骤4：关闭去胶液喷洒；
步骤5：移走兆声发生板，为使后面喷洒的液体均匀覆盖整个基板需提高转速，载台转速提高到300-500rpm之间，然后喷洒IPA和D IW 6(流量在500m l/min，既可以节省药水，又可以覆盖整个基板)，清洗晶圆表面，使表面没有去胶液残留。
步骤6：在基板上表面喷洒N2 7，吹干基板。
本发明可以使去胶液完全进入深孔图形内部，溶解残胶，洗尽基板上的深孔图形。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种高深宽比图形的深孔去胶工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1：将带有深孔图形的基板放在载台上，载台吸附住基板，并带着一起旋转；
步骤2：将兆声发生板移到基板上方，两者保持平行，兆声发生板下表面距离基板上表面1-2mm范围内；
步骤3：基板上喷洒去胶液，使兆声发生板与基板之间的空间填充去胶液，并开启兆声功能，作用一定时间后关闭兆声功能，此时深孔内的残胶均被去胶液溶解；
步骤4：关闭去胶液喷洒；
步骤5：移走兆声发生板，载台转速提高到300-500rpm之间，然后喷洒IPA和DIW，清洗晶圆表面，使表面没有去胶液残留；
步骤6：在基板上表面喷洒N2，吹干基板。
2.根据权利要求1所述的高深宽比图形的深孔去胶工艺方法，其特征在于，步骤1中，载台的转速小于100rpm。
3.根据权利要求1所述的高深宽比图形的深孔去胶工艺方法，其特征在于，IPA和DIW流量在500ml/min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410210856.5A CN118092092A (zh) | 2024-02-27 | 2024-02-27 | 高深宽比图形的深孔去胶工艺方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410210856.5A CN118092092A (zh) | 2024-02-27 | 2024-02-27 | 高深宽比图形的深孔去胶工艺方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN118092092A true CN118092092A (zh) | 2024-05-28 |
Family
ID=91151108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202410210856.5A Pending CN118092092A (zh) | 2024-02-27 | 2024-02-27 | 高深宽比图形的深孔去胶工艺方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN118092092A (zh) |
-
2024
- 2024-02-27 CN CN202410210856.5A patent/CN118092092A/zh active Pending
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