CN118087034A - 石墨载盘及其温度确定方法 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种石墨载盘及其温度确定方法，属于半导体领域。所述石墨载盘包括：石墨盘本体，所述石墨盘体上开设有多个凹槽；所述多个凹槽间隔分布在所述石墨盘本体的第一表面，所述石墨盘本体的所述第一表面包括发射率系数不同的多个区域。通过将石墨载盘表面设置为发射率系数不同的多个区域，从而石墨载盘的发射率系数取决于各个区域的发射率系数以及各区域所占盘面比例，从而采用该石墨载盘进行外延生长时，若某一区域的发射率系数发生变化，对石墨载盘的发射率系数的影响较小，并且不同区域的发射率系数的波动方向可能不同，实现发射率系数波动的中和，从而对采用石墨载盘的发射率系数获取到的石墨载盘辐射的能量的影响也较小。

Description

石墨载盘及其温度确定方法

技术领域

本公开涉及半导体器件领域，特别涉及一种石墨载盘及其温度确定方法。

背景技术

石墨载盘广泛应用于半导体领域，用于进行外延片制作。

相关技术中，提供了一种外延片的制作方法，该方法包括：将衬底放置在反应腔内的石墨载盘中的凹槽区域，在衬底表面生长外延片。在进行外延片生长时，生长设备通过加热石墨载盘从而将温度传递至衬底上，随后生长设备中的控温系统基于获取的石墨载盘辐射的能量，以普朗克公式确定石墨载盘的温度，以便于调控外延片生长过程中的温度。其中，石墨载盘辐射的能量E与光谱辐射出射度E0及石墨载盘的发射率系数μ存在如下关系：E＝E0×μ。

由于石墨载盘在外延生长过程中，发射率系数不稳定，导致石墨载盘辐射的能量产生波动，导致控温系统获取到的石墨载盘的温度不准确，不利于生长设备控制外延片的生长温度，影响外延生长质量。

发明内容

本公开实施例提供了一种石墨载盘及其温度确定方法，可以缓解石墨载盘发射率系数发生波动导致获取石墨载盘的温度不准确的问题。所述技术方案如下：

一方面，提供了一种石墨载盘，所述石墨载盘包括：

石墨盘本体，所述石墨盘体上开设有多个凹槽；

所述多个凹槽间隔分布在所述石墨盘本体的第一表面，所述石墨盘本体的所述第一表面包括发射率系数不同的多个区域。

可选地，所述石墨盘本体的所述第一表面包括发射率系数不同的2～5个区域。

可选地，所述多个区域的粗糙度不同。

可选地，所述多个区域的发射率系数的范围为0.1～0.9。

可选地，所述多个区域中的每个所述区域包括一个或多个子区域；

在所述区域包括多个所述子区域的情况下，所述多个子区域间隔分布在所述石墨盘本体的所述第一表面。

可选地，所述多个区域为以所述石墨盘本体的所述第一表面的中心为圆心的多个扇形子区域，所述多个扇形子区域围绕所述石墨盘本体的所述第一表面的中心分布。

可选地，所述多个扇形子区域的面积相同。

另一方面，提供了一种温度确定方法，所述方法用于确定如上任一项所述的石墨载盘的温度，所述方法包括：

加热所述石墨载盘；

获取所述石墨载盘辐射的能量，所述石墨载盘辐射的能量为各个所述区域辐射的能量的总和；

基于所述石墨载盘辐射的能量，确定所述石墨载盘的温度。

可选地，所述获取所述石墨载盘辐射的能量，所述石墨载盘辐射的能量为各个所述区域辐射的能量的总和，包括：

获取所述石墨载盘的热辐射光谱；

基于所述石墨载盘的热辐射光谱获取光谱辐射出射度；

基于所述石墨载盘的各个所述区域的发射率系数和各个所述区域的面积占比确定所述石墨载盘的发射率系数；

基于所述光谱辐射出射度和所述石墨载盘的发射率系数确定所述石墨载盘辐射的能量。

本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

在本公开实施例中，通过将石墨载盘表面设置为发射率系数不同的多个区域，石墨载盘的发射率系数取决于各个区域的发射率系数以及各个区域所占盘面比例，从而采用该石墨载盘进行外延生长时，若某一区域的发射率系数发生变化，对石墨载盘的发射率系数的影响较小。并且不同区域的发射率系数的波动方向可能不同，实现发射率系数波动的中和，从而对采用石墨载盘的发射率系数获取到的石墨载盘辐射的能量的波动也较小。在采用石墨载盘辐射的能量计算石墨载盘的温度时，获取到的石墨载盘的温度与石墨载盘实际的温度更加贴合，提升了获取到的石墨载盘的温度的准确性，有利于生长设备更加准确的控制外延片的生长温度，提高外延生长质量。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是相关技术提供的一种石墨载盘的结构示意图；

图2是本公开实施例提供的一种石墨载盘的结构示意图；

图3是本公开实施例提供的另一种石墨载盘的结构示意图；

图4是本公开实施例提供的另一种石墨载盘的结构示意图；

图5是本公开实施例提供的另一种石墨载盘的结构示意图；

图6是本公开实施例提供的一种温度确定方法的方法流程图；

图7是本公开实施例提供的另一种温度确定方法的方法流程图。

附图标记如下：

101：石墨盘本体；102：凹槽；103：第一区域；104：第二区域；105：第三区域；106：第四区域。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。

图1是相关技术提供的一种石墨载盘。参见图1，该石墨载盘包括：石墨盘本体101和多个凹槽102。多个凹槽102交替间隔分布在石墨盘本体101的表面，并且石墨盘本体101的整个表面的发射率系数相同。

图2是本公开实施例提供的一种石墨载盘的结构示意图。参见图2，该石墨载盘包括：石墨盘本体101，所述石墨盘体101上开设有多个凹槽102。

所述多个凹槽102间隔分布在所述石墨盘本体101的第一表面，所述石墨盘本体101的所述第一表面包括发射率系数不同的多个区域(图2中不同区域通过虚线分开)。

在本公开实施例中，通过将石墨载盘表面设置为发射率系数不同的多个区域，石墨载盘的发射率系数取决于各个区域的发射率系数以及各个区域所占盘面比例，从而采用该石墨载盘进行外延生长时，若某一区域的发射率系数发生变化，对石墨载盘的发射率系数的影响较小。并且不同区域的发射率系数的波动方向可能不同，实现发射率系数波动的中和，从而对采用石墨载盘的发射率系数获取到的石墨载盘辐射的能量的波动也较小。在采用石墨载盘辐射的能量计算石墨载盘的温度时，获取到的石墨载盘的温度与石墨载盘实际的温度更加贴合，提升了获取到的石墨载盘的温度的准确性，有利于生长设备更加准确的控制外延片的生长温度，提高外延生长质量。

在本公开实施例中，石墨盘本体101的第一表面具有发射率系数不同的2～5个区域。

示例性地，石墨盘本体101的第一表面具有发射率系数不同的2个区域。

在本公开实施例中，若发射率系数不同的区域数量过多，会导致制作过程较繁琐。采用上述数量范围内的具有不同发射率系数的区域，既可以确保多个具有不同发射率系数的区域可以有效降低由于某一区域的发射率系数发生波动引起的石墨载盘的发射率系数发生的波动，从而提升获取的石墨载盘温度的准确性，以提升控温准确性。

在本公开实施例中，多个区域的粗糙度不同。

在本公开实施例中，通过对多个区域的表面分别进行打磨，从而得到不同粗糙度的表面，使得这些区域的发射率系数不同。

在其他实现方式中，也可以通过其他方式改变石墨载盘表面的发射率系数，本公开对此不加以限制。

在本公开实施例中，多个区域的发射率系数范围为0.1～0.9。

示例性地，多个区域包括3个发射率系数不同的区域，3个区域的发射率系数可以分别为0.1、0.6、0.7。

示例性地，多个区域包括5个发射率系数不同的区域，5个区域的发射率系数可以分别为0.2、0.4、0.6、0.8和0.9。

在本公开实施例中，在各区域面积相同的前提下，通过在调控每个区域的发射率系数，从而控制各区域对石墨载盘的发射率系数的影响程度，通过合理设置不同发射率区域的数量和各区域的发射率系数，即可有效减小外延生长过程中石墨载盘的发射率系数的波动程度，以提升获取的石墨载盘的稳定的准确定。

在本公开实施例中，所述多个区域中的每个所述区域包括一个或多个子区域；在所述区域包括多个所述子区域的情况下，所述多个子区域间隔分布在所述石墨盘本体101的所述第一表面。

在本公开实施例中，每个发射率系数不同的区域可以为一个连通的整体，也即每个区域包括一个子区域，也可以为一个非连通的整体，也即每个区域包括多个子区域，且多个子区域间隔分布在第一表面。将每个区域设置为间隔分布的多个子区域，且不同区域的子区域相互间隔分布，有利于进一步提升石墨载盘的发射率系数的稳定性，以提升石墨载盘辐射的能量的稳定性。

在本公开实施例中，每个区域的多个子区域被其他区域的子区域隔开，也即多个区域的子区域相互间隔分布在第一表面。

在本公开一种实施方式中，所述多个区域为以所述石墨盘本体101的所述第一表面的中心为圆心的多个扇形子区域，所述多个扇形子区域围绕所述石墨盘本体101的所述第一表面的中心分布。

在本公开实施例中，多个不同发射率的区域中包括的子区域的形状可以为扇形，采用扇形分布的方式一方面容易实现子区域划分，另外每个区域均包括靠近石墨载盘中心的部分和靠近石墨载盘边缘的部分，有利于通过分区域稳定石墨载盘的发射率系数。

上述子区域的形状仅作为一个示例，实际制作过程中，子区域的形状还可以为扇环、弓形、三角形、圆环、矩形等形状，而每个具有不同发射率的区域可以包括一个或多个上述形状的子区域，本公开对此不加以限制。

在本公开实施例中，多个所述扇形子区域的面积相同。

在本公开实施例中，在每个所述区域包括的扇形子区域数量相同的前提下，扇形子区域的面积相同，则每个区域的面积相同。

在本公开实施例中，若多个区域中的某一区域的面积较大，会导致该区域的发射率系数对石墨载盘的发射率系数的影响较大，若该区域的发射率系数发生变化，对石墨载盘的发射率系数的变化较大，不利于降低石墨载盘的发射率系数的波动，从而不利于提升获取的石墨载盘温度的准确性。相应的，若某一区域的面积较小，或导致该区域的发射率系数对石墨载盘整体的发射率系数的影响较小，而其他面积较大的区域的发射率系数对石墨载盘的发射率系数的影响较大，若面积较大的区域的发射率系数反射变化，面积较小的区域的发射率系数不发生变化，则面积较小的区域的发射率系数无法有效降低面积较大的区域的发射率系数对石墨载盘的发射率系数的影响。不利于降低其他区域发射率系数发生的变化引起的石墨载盘的发射率发生的变化。在每一个区域中包括的子区域的数量相同的前提下，采用扇形同比例分布的多个子区域，可以确保每一区域的发射率系数对石墨载盘整体的发射率系数均具有一定程度的影响。从而可以避免某一区域的发射率系数发生波动，导致石墨载盘的发射率系数发生较大波动的情形，提升获取到的石墨载盘能量的准确性，以提升获取到的石墨载盘温度的准确性。

在另一种示例中，在每个区域包括的子区域的数量相同的前提下，多个扇形子区域的面积可以不同，但为了保证各个区域对发射率系数的影响程度，可以限定任意2个区域的面积之差小于一定比例，例如小于二者中较大区域的30％。

在其他示例中，在每个区域包括的子区域的数量不同的前提下，可以通过调控每个子区域的面积，从而调控每个区域的面积，使得每个区域的面积相近，从而使每个区域对石墨载盘的发射率系数均具有一定程度的影响。

值得说明的是，在本公开实施例中，还可以根据每个区域的发射率系数的大小程度，对应控制，每个区域包括的子区域的数量和子区域的大小，本公开对此不加以限制。

如图2所示，在本公开实施例中，石墨盘本体101表面具有发射率系数不同的第一区域103和第二区域104，其中第一区域103包括2个扇形子区域，第二区域104包括2个扇形子区域，所述第一区域103和所述第二区域104包括的4个扇形子区域相互间隔布置。

在本公开实施例中，同一发射率系数的区域可以包括多个子区域，且不同发射率系数的区域中的多个子区域可以相互间隔布置，从而有利于进一步提升石墨载盘发射率系数的稳定性。

在本公开实施例中，第一区域103和第二区域104所包括的4个扇形子区域的形状及面积可以相同。

在其他实施例中，不同子区域的形状和面积的至少一个也可以不同。

值得说明的是，石墨载盘表面可以被分隔为更多个扇形子区域，而第一区域和第二区域均可以包括更多数量的子区域，或者可以在石墨载盘表面设置更多个发射率系数不同的区域。

在本公开实施例中，石墨载盘表面的各个区域的厚度一致。

在本公开实施例中，虽然通过打磨形成了不同发射率系数的区域，但仍需保持各个区域的厚度一致，避免不同厚度对能量辐射的影响不同。

图3是本公开实施例提供的另一种石墨载盘的结构示意图。参见图3，石墨盘本体101的第一表面具有发射率系数不同的第一区域103和第二区域104，第一区域103包括一个圆形区域，第二区域104包括一个环形区域。

其中，第二区域104围绕第一区域103布置。

在一种示例中，第一区域103的面积小于第二区域104的面积。在其他示例中，第一区域103的面积与第二区域104的面积可以相同。

值得说明的是，石墨盘本体的第一表面可以被分隔为更多个环形子区域，第一区域103和第二区域104均可以包括更多数量的子区域，或者可以在石墨盘本体的第一表面设置更多个发射率系数不同的区域。

图4为本公开实施例提供的另一种石墨载盘的结构示意图。参见图4，石墨盘本体101的第一表面具有发射率系数不同的第一区域103、第二区域104和第三区域105，其中，第一区域103包括2个扇环形子区域，第二区域104包括2个扇环形子区域，第三区域105为圆形子区域。

其中，第一区域103的2个扇环形子区域和第二区域104的2个扇环形子区域相互间隔分布，且4个扇环形子区域组成的环形区域围绕第三区域105。

值得说明的是，石墨盘本体的第一表面可以被分隔为更多个扇环形子区域，在更多个扇环形子区域中，第一区域103、第二区域104和第三区域105均可以包括更多数量的子区域，或者可以在石墨盘本体的第一表面设置更多个发射率系数不同的区域。

图5为本公开实施例提供的另一种石墨载盘的结构示意图。参见图5，石墨盘本体101的第一表面具有发射率系数不同的第一区域103、第二区域104、第三区域105和第四区域106，其中第一区域103包括2个扇环形子区域，第二区域104包括2个扇环形子区域，第三区域105包括2个扇形子区域，第四区域106包括2个扇形子区域。

第三区域105的2个扇形子区域和第四区域106的2个扇形子区域相互间隔布置，4个扇形子区域组成圆形区域，第一区域103的2个扇环形子区域和第二区域104的2个扇环形子区域围绕圆形区域相互间隔布置，4个扇环形区域组成环形区域。

在一种示例中，第一区域103、第二区域104、第三区域105和第四区域106的面积依次减小。

在其他示例中，第一区域103、第二区域104、第三区域105和第四区域106的面积可以相同也可以不同。

值得说明的是，石墨载盘表面可以被分隔为更多个扇环形子区域和更多个扇形子区域，在更多个扇环形子区域和更多个扇形子区域中，第一区域103、第二区域104、第三区域105和第四区域106均可以包括更多数量的子区域，或者可以在石墨载盘表面设置更多个发射率系数不同的区域。

值得说明的是，上述区域的分布方式仅作为示例，并不用于限制本公开，实际制作过程中，区域的分布方式可以有更多中选择，本公开对此不加以赘述。

本公开实施例还提供了一种温度确定方法，该温度确定方法用于确定图1至图5中任意一种石墨载盘的温度。

图6为本公开实施例提供的一种温度确定方法的方法流程图。参见图6，该方法步骤包括：

S11、加热所述石墨载盘。

S12、获取所述石墨载盘辐射的能量，所述石墨载盘辐射的能量为各个区域辐射的能量的总和。

其中，通过获取石墨载盘的热辐射光谱，以获取光谱辐射出射度，通过光谱辐射出射度和石墨载盘的发射率系数获取石墨载盘辐射的能量。

S13、基于所述石墨载盘辐射的能量，确定所述石墨载盘的温度。

其中，通过普朗克公式即可获取石墨载盘的温度。

在本公开实施例中，通过将石墨载盘表面设置为发射率系数不同的多个区域，石墨载盘的发射率系数取决于各个区域的发射率系数以及各个区域所占盘面比例，从而采用该石墨载盘进行外延生长时，若某一区域的发射率系数发生变化，对石墨载盘的发射率系数的影响较小。并且不同区域的发射率系数的波动方向可能不同，实现发射率系数波动的中和，从而对采用石墨载盘的发射率系数获取到的石墨载盘辐射的能量的波动也较小。在采用石墨载盘辐射的能量计算石墨载盘的温度时，获取到的石墨载盘的温度与石墨载盘实际的温度更加贴合，提升了获取到的石墨载盘的温度的准确性，有利于生长设备更加准确的控制外延片的生长温度，提高外延生长质量。

图7为本公开实施例提供的另一种温度确定方法的方法流程图。参见图7，该方法步骤包括：

S21、提供一石墨载盘。

在本公开实施例中，石墨盘本体和多个凹槽；

所述多个凹槽均匀间隔分布在所述石墨盘本体的表面，所述石墨盘本体具有所述凹槽的表面具有发射率系数不同的多个区域。

在本公开实施例中，石墨盘本体的表面具有发射率系数不同的2～5个区域。

示例性地，石墨盘本体的表面具有发射率系数不同的2个区域。

在本公开实施例中，若发射率系数不同的区域数量过多，会导致制作过程较繁琐。采用上述数量范围内的具有不同发射率系数的区域，既可以确保多个具有不同发射率系数的区域可以有效降低由于某一区域的发射率系数发生波动引起的石墨载盘的发射率系数发生的波动，从而提升获取的石墨载盘温度的准确性，以提升控温准确性。

在本公开实施例中，多个区域的粗糙度不同。

在本公开实施例中，通过对多个区域的表面分别进行打磨，从而得到不同粗糙度的表面，使得这些区域的发射率系数不同。

在本公开实施例中，多个区域的发射率系数范围为0.1～0.9。

示例性地，多个区域包括3个发射率系数不同的区域，3个区域的发射率系数可以分别为0.1、0.6、0.7。

示例性地，多个区域包括5个发射率系数不同的区域，5个区域的发射率系数可以分别为0.2、0.4、0.6、0.8和0.9。

在本公开实施例中，在各区域面积相同的前提下，通过在调控每个区域的发射率系数，从而控制各区域对石墨载盘的发射率系数的影响程度，通过合理设置不同发射率区域的数量和各区域的发射率系数，即可有效减小外延生长过程中石墨载盘的发射率系数的波动程度，以提升获取的石墨载盘的稳定的准确定。

在本公开实施例中，所述多个区域中的每个所述区域包括一个或多个子区域；在所述区域包括多个所述子区域的情况下，所述多个子区域间隔分布在所述石墨盘本体的所述第一表面。

在本公开实施例中，每个发射率系数不同的区域可以为一个连通的整体，也即每个区域包括一个子区域，也可以为一个非连通的整体，也即每个区域包括多个子区域，且多个子区域间隔分布在第一表面。将每个区域设置为间隔分布的多个子区域，且不同区域的子区域相互间隔分布，有利于进一步提升石墨载盘的发射率系数的稳定性，以提升石墨载盘辐射的能量的稳定性。

在本公开实施例中，每个区域的多个子区域被其他区域的子区域隔开，也即多个区域的子区域相互间隔分布在第一表面。

在本公开一种实施方式中，所述多个区域为以所述石墨盘本体的所述第一表面的中心为圆心的多个扇形子区域，所述多个扇形子区域围绕所述石墨盘本体的所述第一表面的中心分布。

在本公开实施例中，多个不同发射率的区域中包括的子区域的形状可以为扇形，采用扇形分布的方式一方面容易实现子区域划分，另外每个区域均包括靠近石墨载盘中心的部分和靠近石墨载盘边缘的部分，有利于通过分区域稳定石墨载盘的发射率系数。

上述子区域的形状仅作为一个示例，实际制作过程中，子区域的形状还可以为扇环、弓形、三角形、圆环、矩形等形状，而每个具有不同发射率的区域可以包括一个或多个上述形状的子区域，本公开对此不加以限制。

在本公开实施例中，多个所述扇形子区域的面积相同。

在本公开实施例中，在每个所述区域包括的扇形子区域数量相同的前提下，扇形子区域的面积相同，则每个区域的面积相同。

在本公开实施例中，若多个区域中的某一区域的面积较大，会导致该区域的发射率系数对石墨载盘的发射率系数的影响较大，若该区域的发射率系数发生变化，对石墨载盘的发射率系数的变化较大，不利于降低石墨载盘的发射率系数的波动，从而不利于提升获取的石墨载盘温度的准确性。相应的，若某一区域的面积较小，或导致该区域的发射率系数对石墨载盘整体的发射率系数的影响较小，而其他面积较大的区域的发射率系数对石墨载盘的发射率系数的影响较大，若面积较大的区域的发射率系数反射变化，面积较小的区域的发射率系数不发生变化，则面积较小的区域的发射率系数无法有效降低面积较大的区域的发射率系数对石墨载盘的发射率系数的影响。不利于降低其他区域发射率系数发生的变化引起的石墨载盘的发射率发生的变化。在每一个区域中包括的子区域的数量相同的前提下，采用扇形同比例分布的多个子区域，可以确保每一区域的发射率系数对石墨载盘整体的发射率系数均具有一定程度的影响。从而可以避免某一区域的发射率系数发生波动，导致石墨载盘的发射率系数发生较大波动的情形，提升获取到的石墨载盘能量的准确性，以提升获取到的石墨载盘温度的准确性。

在另一种示例中，在每个区域包括的子区域的数量相同的前提下，多个扇形子区域的面积可以不同，但为了保证各个区域对发射率系数的影响程度，可以限定任意2个区域的面积之差小于一定比例，例如小于二者中较大区域的30％。

在其他示例中，在每个区域包括的子区域的数量不同的前提下，可以通过调控每个子区域的面积，从而调控每个区域的面积，使得每个区域的面积相近，从而使每个区域对石墨载盘的发射率系数均具有一定程度的影响。

值得说明的是，在本公开实施例中，还可以根据每个区域的发射率系数的大小程度，对应控制，每个区域包括的子区域的数量和子区域的大小，本公开对此不加以限制。

在本公开实施例中，石墨盘本体的表面具有发射率系数不同的第一区域和第二区域，其中第一区域包括2个扇形子区域，第二区域包括2个扇形子区域，所述第一区域和所述第二区域包括的4个扇形子区域相互间隔布置。

在本公开实施例中，同一发射率系数的区域可以包括多个子区域，且不同发射率系数的区域中的多个子区域可以相互间隔布置，从而有利于进一步提升石墨载盘发射率系数的稳定性。

在本公开实施例中，第一区域和第二区域所包括的4个扇形子区域的形状及面积可以相同。

在其他实施例中，不同子区域的形状和面积的至少一个也可以不同。

值得说明的是，石墨载盘表面可以被分隔为更多个扇形子区域，而第一区域和第二区域均可以包括更多数量的子区域，或者可以在石墨载盘表面设置更多个发射率系数不同的区域。

在本公开实施例中，石墨载盘表面的各个区域的厚度一致。

在本公开实施例中，虽然通过打磨形成了不同发射率系数的区域，但仍需保持各个区域的厚度一致，避免不同厚度对能量辐射的影响不同。

S22、加热所述石墨载盘。

将石墨载盘放置在外延生长设备中，通过外延生长设备加热该石墨载盘。

S23、获取所述石墨载盘辐射的能量，所述石墨载盘辐射的能量为各个区域辐射的能量的总和。

在本公开实施例中，步骤S23可以包括：

第一步，获取所述石墨载盘的热辐射光谱。

示例性地，通过光谱仪获取热辐射光谱。

第二步，基于所述石墨载盘的热辐射光谱获取光谱辐射出射度。

在本公开实施例中，光谱辐射出射度为热辐射光谱的光强度，通过获取热辐射光谱中的光强度即可得到光谱辐射出射度。

第三步，基于所述石墨载盘的各区域的发射率系数和各区域的面积占比确定所述石墨载盘的发射率系数。

在本公开实施例中，石墨载盘的发射率系数的计算公式如下：

μ＝a×m1+b×m2+c×m3，其中μ为石墨载盘的发射率系数，a、b、c分别为具有不同发射率系数的区域，m1为发射率系数为a的区域所占石墨载盘表面的比例，m2为发射率系数为b的区域所占石墨载盘表面的比例，m3为发射率系数为c的区域所占石墨载盘表面的比例。

当然，上述公式用于计算由3个不同发射率系数的区域形成的石墨载盘的发射率系数，若石墨载盘具有更多的不同发射率系数的区域，可以将各区域所占石墨载盘表面的比例乘以该区域的发射率系数，然后将计算结果相加即可得到石墨载盘的发射率系数。

示例性地，在3个区域的面积相同时，μ＝(a+b+c)/3。

第四步，基于所述光谱辐射出射度和所述石墨载盘的发射率系数确定所述石墨载盘辐射的能量。

基于公式，E＝E0×μ获取石墨载盘辐射的能量，其中E为石墨载盘辐射的能量，E0为光谱辐射出射度。

S24、基于所述石墨载盘辐射的能量，确定所述石墨载盘的温度。

在本公开实施例中，步骤S24可以包括：基于获取到的石墨载盘辐射的能量，通过普朗克公式即可获取石墨载盘的温度。

以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种石墨载盘，其特征在于，所述石墨载盘包括：

石墨盘本体(101)，所述石墨盘体(101)上开设有多个凹槽(102)；

所述多个凹槽(102)间隔分布在所述石墨盘本体(101)的第一表面，所述石墨盘本体(101)的所述第一表面包括发射率系数不同的多个区域。

2.根据权利要求1所述的石墨载盘，其特征在于，所述石墨盘本体(101)的所述第一表面包括发射率系数不同的2～5个区域。

3.根据权利要求1所述的石墨载盘，其特征在于，所述多个区域的粗糙度不同。

4.根据权利要求1至3任一项所述的石墨载盘，其特征在于，所述多个区域的发射率系数的范围为0.1～0.9。

5.根据权利要求1至3任一项所述的石墨载盘，其特征在于，所述多个区域中的每个所述区域包括一个或多个子区域；

在所述区域包括多个所述子区域的情况下，所述多个子区域间隔分布在所述石墨盘本体(101)的所述第一表面。

6.根据权利要求5所述的石墨载盘，其特征在于，所述多个区域为以所述石墨盘本体(101)的所述第一表面的中心为圆心的多个扇形子区域，所述多个扇形子区域围绕所述石墨盘本体(101)的所述第一表面的中心分布。

7.根据权利要求6所述的石墨载盘，其特征在于，所述多个扇形子区域的面积相同。

8.根据权利要求1至3任一项所述的石墨载盘，其特征在于，所述多个区域的厚度一致。

9.一种温度确定方法，其特征在于，所述方法用于确定权利要求1至8任一项所述的石墨载盘的温度，所述方法包括：

加热所述石墨载盘；

获取所述石墨载盘辐射的能量，所述石墨载盘辐射的能量为各个所述区域辐射的能量的总和；

基于所述石墨载盘辐射的能量，确定所述石墨载盘的温度。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述获取所述石墨载盘辐射的能量，所述石墨载盘辐射的能量为各个所述区域辐射的能量的总和，包括：

获取所述石墨载盘的热辐射光谱；

基于所述石墨载盘的热辐射光谱获取光谱辐射出射度；

基于所述石墨载盘的各个所述区域的发射率系数和各个所述区域的面积占比确定所述石墨载盘的发射率系数；

基于所述光谱辐射出射度和所述石墨载盘的发射率系数确定所述石墨载盘辐射的能量。