CN118076175A - 显示装置和拼接显示装置 - Google Patents

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CN118076175A CN202311566746.4A CN202311566746A CN118076175A CN 118076175 A CN118076175 A CN 118076175A CN 202311566746 A CN202311566746 A CN 202311566746A CN 118076175 A CN118076175 A CN 118076175A
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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：显示面板；以及抗反射层，在显示面板上。抗反射层包括多个无机层，多个无机层包括：多个第一无机层，具有第一折射率，并且每个第一无机层包括氮氧化硅(SiON)；以及多个第二无机层，具有高于第一折射率的第二折射率，并且每个第二无机层包括氮氧化硅。因此，能够形成具有低反射率和高覆盖特性同时通过简单的工艺形成的抗反射层结构，使得显示装置可以具有改善的耐久性和可见度。

Description

显示装置和拼接显示装置
本申请要求于2022年11月23日提交的第10-2022-0158317号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示装置和一种拼接显示装置，例如，涉及具有改善的耐久性和可见性的显示装置和拼接显示装置。
背景技术
各种类型的显示装置用于提供图像信息。需要这种显示装置的外表面具有高表面硬度和抗冲击性，以保护显示装置免受外部环境的影响，并且即使在重复使用时也具有可靠性。
另外，当显示装置暴露于诸如各种类型的照明和自然光的外部光时，由于反射光，在显示装置内部创建的图像可能不能清楚地传递到用户，或者用户可能经历眼睛疲劳或头痛。因此，对抗反射的需求也变得非常强烈。
发明内容
本公开的一个或更多个实施例的方面涉及一种具有抗反射效果的显示装置。
本公开的一个或更多个实施例的方面涉及一种拼接显示装置，该拼接显示装置具有低反射特性，并且通过包括具有由抗反射结构引起的减小的公差的单元显示装置而具有改善的可见性。
本公开的一个或更多个实施例提供了一种显示装置，显示装置包括：显示面板；以及抗反射层，在显示面板上。抗反射层包括多个无机层，其中，多个无机层包括：多个第一无机层，具有第一折射率，并且每个第一无机层包括氮氧化硅(SiON)；以及多个第二无机层，具有高于第一折射率的第二折射率，并且每个第二无机层包括氮氧化硅。因此，能够形成具有低反射率和高覆盖特性同时通过简单的工艺形成的抗反射层结构，使得显示装置可以具有改善的耐久性和可见度。
在一个或更多个实施例中，在约550nm的波长处，第一折射率可以为约1.50至约1.70；并且在约550nm的波长处，第二折射率可以为约1.70至约1.90。
在一个或更多个实施例中，多个第一无机层和多个第二无机层可以交替堆叠。
在一个或更多个实施例中，多个第一无机层可以包括1-1无机层和1-2无机层，多个第二无机层可以包括2-1无机层和2-2无机层，并且1-1无机层、2-1无机层、1-2无机层和2-2无机层可以顺序堆叠。
在一个或更多个实施例中，多个第一无机层和多个第二无机层中的每个无机层的厚度可以为约10nm至约150nm。
在一个或更多个实施例中，当相对于多个第一无机层(例如，多个第一无机层中的每个第一无机层)中的元素的总含量(例如，总量)的氧的含量(例如，氧的量)定义为第一氧含量(例如，第一氧量)，并且相对于多个第二无机层(例如，多个第二无机层中的每个第二无机层)中的元素的总含量(例如，总量)的氧的含量(例如，氧的量)定义为第二氧含量(例如，第二氧量)时，第一氧含量(例如，第一氧量)可以大于第二氧含量(例如，第二氧量)。
在一个或更多个实施例中，当相对于多个第一无机层(例如，多个第一无机层中的每个第一无机层)中的元素的总含量(例如，总量)的氮的含量(例如，氮的量)定义为第一氮含量(例如，第一氮量)，并且相对于多个第二无机层(例如，多个第二无机层中的每个第二无机层)中的元素的总含量(例如，总量)的氮的含量(例如，氮的量)定义为第二氮含量(例如，第二氮量)时，第一氮含量(例如，第一氮量)可以小于第二氮含量(例如，第二氮量)。
在一个或更多个实施例中，相对于多个第一无机层中的每个第一无机层的总含量(例如，总量)，多个第一无机层中的每个第一无机层可以包括约23at％至约26at％的氧、约31at％至约34at％的氮和约41at％至约44at％的硅，并且相对于多个第二无机层中的每个第二无机层的总含量(例如，总量)，多个第二无机层中的每个第二无机层可以包括约20at％至约23at％的氧、约35at％至约38at％的氮和约39at％至约42at％的硅。
在一个或更多个实施例中，显示装置还可以包括在显示面板与抗反射层之间的光学层。在一个或更多个实施例中，光学层可以包括：光控制层，在显示面板上；以及滤色器层，在光控制层与抗反射层之间。
在一个或更多个实施例中，显示面板可以包括生成第一光的多个发光元件，其中，光控制层可以包括：第一光控制单元，被构造为透射第一光；第二光控制单元，被构造为将第一光转换为具有与第一光不同的波长的第二光；以及第三光控制单元，被构造为将第一光转换为具有与第一光和第二光不同的波长的第三光。
在一个或更多个实施例中，光学层还可以包括在滤色器层上的外涂层，其中，抗反射层可以与外涂层的上表面接触。
在一个或更多个实施例中，外涂层的折射率可以为约1.45至约1.53，并且外涂层的厚度可以为约3μm至约10μm。
在一个或更多个实施例中，抗反射层还可以包括在多个无机层上的低折射率层，其中，低折射率层的上表面可以限定抗反射层的最外周表面。
在一个或更多个实施例中，低折射率层的折射率可以为约1.3至约1.5。
在一个或更多个实施例中，抗反射层的上表面的反射率可以为约2％或更小。
在本公开的一个或更多个实施例中，显示装置包括：显示面板；以及抗反射层，在显示面板上，抗反射层包括多个无机层，其中多个无机层包括：多个第一无机层，每个第一无机层包括氮氧化硅(SiON)；以及多个第二无机层，每个第二无机层包括氮氧化硅，其中，当相对于多个第一无机层(例如，多个第一无机层中的每个第一无机层)中的元素的总含量(例如，总量)的氧的含量(例如，氧的量)定义为第一氧含量(例如，第一氧量)，并且相对于多个第二无机层(例如，多个第二无机层中的每个第二无机层)中的元素的总含量(例如，总量)的氧的含量(例如，氧的量)定义为第二氧含量(例如，第二氧量)时，第一氧含量(例如，第一氧量)大于第二氧含量(例如，第二氧量)。
在一个或更多个实施例中，当相对于多个第一无机层(例如，多个第一无机层处的每个第一无机层)中的元素的总含量(例如，总量)的氮的含量(例如，氮的量)定义为第一氮含量(例如，第一氮量)，并且相对于多个第二无机层(例如，多个第二无机层中的每个第二无机层)中的元素的总含量(例如，总量)的氮的含量(例如，氮的量)定义为第二氮含量(例如，第二氮量)时，第一氮含量(例如，第一氮量)可以小于第二氮含量(例如，第二氮量)。
在一个或更多个实施例中，显示装置还可以包括在显示面板与抗反射层之间的光学层。在一个或更多个实施例中，光学层可以包括：光控制层，在显示面板上；滤色器层，在光控制层与抗反射层之间；以及外涂层，在滤色器层上，其中，抗反射层可以直接在外涂层上。
在本公开的一个或更多个实施例中，拼接显示装置包括沿着至少一个方向的多个单元显示装置。在一个或更多个实施例中，多个单元显示装置中的每个单元显示装置可以包括：显示面板；以及抗反射层，在显示面板上，抗反射层包括多个无机层，其中多个无机层包括：第一无机层，具有第一折射率，并且包括氮氧化硅(SiON)；以及第二无机层，与第一无机层的上表面或下表面中的任一个接触，具有高于第一折射率的第二折射率，并且包括氮氧化硅。
在一个或更多个实施例中，抗反射层的侧表面和显示面板的侧表面可以限定一个对准的侧表面。
附图说明
包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图被并入本公开中并构成本公开的一部分。附图示出了本公开的实施例，并且与说明书一起用于解释本公开的特征、方面和/或原理。在附图中：
图1是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的透视图；
图2是根据本公开的一个或更多个实施例的沿着图1的线I-I'截取的显示装置的剖视图；
图3是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的一些区域的平面图；
图4A至图4C是根据本公开的实施例的沿着图3的线II-II'截取的剖视图；
图5A至图5C是示出根据本公开的实施例的显示装置的一些组件的剖视图；
图6A是根据本公开的一个或更多个实施例的拼接显示装置的透视图；
图6B是示出根据本公开的一个或更多个实施例的在拼接显示装置中一些组件分离的状态的透视图；以及
图7A和图7B是根据本公开的一个或更多个实施例的分别沿着图6B的线III-III'和IV-IV'截取的单元显示装置的剖视图。
具体实施方式
本公开可以被修改为许多替代形式，并且因此将在附图中示出并更详细地描述具体实施例。然而，应当理解的是，这不旨在将本公开限于所公开的具体形式，而是旨在覆盖落入本公开的精神和范围内的所有修改、等同物和替代物。提供实施例作为示例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的方面和特征。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员完整理解本公开的方面和特征而言不必要的工艺、元件和技术。
在本公开中，当元件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，这意为所述元件可以直接在所述另一元件上、直接连接到或直接结合到所述另一元件，或者可以存在一个或更多个居间元件。此外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，所述元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个居间元件或层。
除非另外说明，否则贯穿附图和书面描述，同样的附图标记表示同样的元件，因此，可以不提供其重复描述。此外，在附图中，为了清楚和/或有效描述技术内容，可能夸大了元件的厚度、比例和尺寸。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且第二元件也可以以类似的方式被称为第一元件。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
为了便于解释，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语，以描述如附图中示出的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件将随后被定向为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以涵盖上方和下方两个方位。装置可以被另外定向(例如，旋转90度或在其它方位处)，并且应当相应地解释这里使用的空间相对描述语。
应当理解的是，术语“包括”、“包含”或“具有”旨在说明在公开中存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件或其组合，但不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件或其组合。
在本公开中，“直接设置”可以意为在层、膜、区域、板等的一部分与其他部分之间没有附加的层、膜、区域、板等。例如，“直接设置”可以意为设置在两个层或两个构件之间而没有附加构件(诸如粘合构件)。
诸如“……中的至少一个(种/者)”、“多个(种/者)”、“……中的一个(种/者)”和其他介词短语的表述当在一列元件之后时，如果被写为合取列，则应被理解为包括分取的，反之亦然。例如，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”、“选自由a、b和c组成的组中的一个(种/者)”、“选自a、b和c中的至少一个(种/者)”、“a、b和c之中的至少一个(种/者)”、“a、b和c之中的一个(种/者)”、“a至c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应当被解释为具有与相关领域的背景下和/或说明书中的含义一致的含义，并且不应当以理想化或过于形式化的意义来解释，除非这里明确地如此定义。
在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。
图1是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的透视图。
参照图1，一个或更多个实施例的显示装置DD可以是根据电信号被激活的装置。例如，显示装置DD可以是诸如电视、监视器或外部广告板的大型装置。在一个或更多个实施例中，显示装置DD可以是诸如个人计算机、膝上型计算机、个人数字终端、汽车导航系统单元、游戏机、智能电话、平板电脑或相机的中小型设备。在一个或更多个实施例中，应当理解的是，这些仅仅是实施例，并且在不脱离本公开的范围的情况下，显示装置DD可以用作其他电子装置。
显示装置DD可以通过显示表面DD-IS显示图像(或运动图像)。显示表面DD-IS可以与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行。显示表面DD-IS可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。
像素PX可以设置在显示区域DA中，像素PX可以不设置在非显示区域NDA中。非显示区域NDA可以沿着显示表面DD-IS的边缘限定。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。然而，本公开不限于此，并且可以不设置非显示区域NDA，或者非显示区域NDA可以仅设置在显示区域DA的一侧或更多侧。
图1示出了设置有平面的显示表面DD-IS的显示装置DD，但是本公开不限于此。显示装置DD可以包括弯曲的显示表面或三维显示表面。三维显示表面可以包括指示或面向不同方向的多个显示区域。
显示装置DD的厚度方向可以是与第三方向DR3平行的方向，第三方向DR3是相对于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的法线方向。由本公开中描述的第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向是相对概念，并且可以转换为不同的方向。
在本公开中，构成显示装置DD的构件的上表面(或前表面)和下表面(或后表面)可以相对于第三方向DR3限定。更具体地，在一个构件中，在相对于第三方向DR3彼此面对的两个表面之中，相对相邻显示表面DD-IS的表面可以定义为前表面(或上表面)，并且与显示表面DD-IS相对间隔开(分离)的表面可以定义为后表面(或下表面)。在一个或更多个实施例中，在本公开中，上部和下部可以基于第三方向DR3限定，并且上部可以在靠近显示表面DD-IS的方向上限定，下部可以在远离显示表面DD-IS移动的方向上限定。
图2是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的剖视图。图2是根据一个或更多个实施例的显示装置DD的剖视图(沿着图1的线I-I'截取的剖视图)。
参照图2，显示装置DD可以包括显示面板DP和设置在显示面板DP上的光学结构层PP。显示面板DP可以包括显示元件层DP-EL。显示元件层DP-EL包括发光元件ED(见例如图4A至图4B)。
光学结构层PP可以设置在显示面板DP上，以控制由外部光引起的显示面板DP中的反射光。光学结构层PP可以包括例如滤色器层，并且可以包括抗反射层。下面将更详细地描述光学结构层PP的详细描述。
在一个或更多个实施例的显示装置DD中，显示面板DP可以是发光型(或类型)显示面板。例如，显示面板DP可以是发光二极管(LED)显示面板、有机电致发光显示面板或量子点发光显示面板。然而，本公开不限于此。显示面板DP可以提供第一光。例如，显示面板DP可以发射蓝光作为源光。
发光二极管(LED)显示面板可以包括发光二极管，并且有机电致发光显示面板的发光层可以包括有机电致发光材料，并且量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点、量子棒等。在下文中，包括在一个或更多个实施例的显示装置DD中的显示面板DP被描述为有机电致发光显示面板。然而，本公开不限于此。
显示面板DP可以包括基体基底BS、设置在基体基底BS上的电路层DP-CL和设置在电路层DP-CL上的显示元件层DP-EL。
基体基底BS可以是提供其上设置有显示元件层DP-EL的基体表面的构件。基体基底BS可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，本公开不限于此，并且基体基底BS可以是无机层、有机层或复合材料层。基体基底BS可以是可以容易地弯曲或折叠的柔性基底。
在一个或更多个实施例中，电路层DP-CL可以设置在基体基底BS上，并且电路层DP-CL可以包括多个晶体管。晶体管中的每个可以包括控制电极、输入电极和/或输出电极。例如，电路层DP-CL可以包括开关晶体管和用于驱动显示元件层DP-EL的发光元件ED(见例如图4A)的驱动晶体管。
图3是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的一些区域的平面图。
参照图3，一个或更多个实施例的显示装置DD可以包括三个发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R以及与其相邻的堤壁区域BWA。在本公开的一个或更多个实施例中，图3中示出的三种类型(或种类)的发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R可以在整个显示区域DA(见例如图1)中重复设置。
围绕第一发光区域PXA-B、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-R中的每个设置外围区域NPXA。外围区域NPXA设定第一发光区域PXA-B、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-R之间的边界。外围区域NPXA可以围绕第一发光区域PXA-B、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-R。在外围区域NPXA中，可以设置用于防止或减少第一发光区域PXA-B、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-R之间的颜色混合的结构(例如，像素限定膜PDL(见例如图4A)等)。
在图3中，示出了具有相同(或基本上相同)的平面形状和不同的平面面积的第一发光区域PXA-B、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-R，但是本公开不限于此。第一发光区域PXA-B、第二发光区域PXA-G和/或第三发光区域PXA-R中(之中)的两个或更多个可以具有彼此相同(或基本上相同)的面积。可以根据所发射的光的颜色来设定第一发光区域PXA-B、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-R的面积。在原色之中，发射绿光的发光区域的面积可以是最大的，发射蓝光的发光区域的面积可以是最小的。然而，本公开不限于图3中示出的内容，并且第一发光区域PXA-B、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-R的面积可以不同地和/或适当地改变。
在图3中，示出了具有矩形形状的第一发光区域PXA-B、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-R，但是本公开不限于此。在平面上，第一发光区域PXA-B、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-R可以具有诸如菱形形状或五边形形状的不同的多边形形状(包括基本上多边形形状)。在一个或更多个实施例中，第一发光区域PXA-B、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-R可以在平面上具有具备圆角区域的矩形形状(基本上矩形形状)。
图3示出了第二发光区域PXA-G设置在第一行，并且第一发光区域PXA-B和第三发光区域PXA-R设置在第二行，但是本公开不限于此，并且第一发光区域PXA-B、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-R的设置可以不同地和/或适当地改变。例如，第一发光区域PXA-B、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-R可以设置在同一(或基本上同一)行。
在显示区域DA(见例如图1)中，可以限定堤壁区域BWA。堤壁区域BWA可以是其中形成有堤壁以防止或减少在使包括在光控制层CCL(见例如图4A)中的多个光控制单元CCP-B、CCP-G和CCP-R(见例如图4A)图案化的工艺期间由错误附着引起的缺陷的区域。例如，堤壁区域BWA可以是其中限定有通过去除分隔壁部BK(见例如图4A)的一部分而形成的堤壁的区域。
图3示出了两个堤壁区域BWA限定为与第二发光区域PXA-G相邻，但是本公开不限于此。堤壁区域BWA的形状和设置可以不同地和/或适当地改变。
图4A至图4C是根据本公开的实施例的显示装置的剖视图。图4A至图4C示出了沿着图3的线II-II'截取的剖面。
在图3、图4A至图4C中示出的一个或更多个实施例的显示装置DD中，示出了分别发射蓝光、绿光和红光的三个发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R。例如，一个或更多个实施例的显示装置DD、DD-1和DD-2可以包括彼此区分开的蓝色发光区域(也称为“第一发光区域”)PXA-B、绿色发光区域(也称为“第二发光区域”)PXA-G和红色发光区域(也称为“第三发光区域”)PXA-R。
参照图4A至图4C，一个或更多个实施例的显示装置DD、DD-1和DD-2可以包括包含发光元件ED的显示面板DP以及设置在显示面板DP上的光学结构层PP、PP-1和PP-2。
显示面板DP可以包括基体基底BS、设置在基体基底BS上的电路层DP-CL和显示元件层DP-EL。显示元件层DP-EL可以包括像素限定膜PDL、设置在像素限定膜PDL之间或像素限定膜PDL上的发光元件ED和设置在发光元件ED上的封装层TFE。
显示元件层DP-EL可以包括像素限定膜PDL。发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R中的每个可以是由像素限定膜PDL区分的区域。外围区域NPXA可以是相邻的发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R之间的区域，并且可以是与像素限定膜PDL对应的区域。例如，在本公开中，发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R中的每个可以与像素对应。如图4A中示出的，包括在发光元件ED中的有机层(诸如发光层EML)可以设置为公共层，以与发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R中的全部和外围区域NPXA叠置。在一个或更多个实施例中，发光元件ED的发光层EML可以通过设置在由像素限定膜PDL限定的开口OH中来区分。
像素限定膜PDL可以由聚合物树脂形成。例如，可以通过包括聚丙烯酸酯类树脂或聚酰亚胺类树脂来形成像素限定膜PDL。此外，除了聚合物树脂之外，像素限定膜PDL可以通过进一步包括无机物来形成。例如，像素限定膜PDL可以通过包括光吸收材料来形成，或者可以通过包括黑色颜料和/或黑色染料来形成。通过包括黑色颜料和/或黑色染料形成的像素限定膜PDL可以实现黑色像素限定膜。当形成像素限定膜PDL时，炭黑等可以用作黑色颜料和/或黑色染料，但是本公开不限于此。
像素限定膜PDL可以由无机物形成。例如，像素限定膜PDL可以通过包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等来形成。像素限定膜PDL可以限定发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R。可以通过像素限定膜PDL来区分发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R以及外围区域NPXA。
参照图4A和图4B，显示元件层DP-EL可以包括发光元件ED，发光元件ED的一部分设置在像素限定膜PDL上。一个或更多个实施例的显示装置DD可以包括发光元件ED，并且发光元件ED可以包括发光层EML。根据一个或更多个实施例的发光元件ED包括第一电极EL1、面向第一电极EL1的第二电极EL2以及设置在第一电极EL1与第二电极EL2之间并包括发光层EML的多个功能层。
多个功能层可以包括设置在第一电极EL1与发光层EML之间的空穴传输区域HTR以及设置在发光层EML与第二电极EL2之间的电子传输区域ETR。在一个或更多个实施例中，元件盖层可以进一步设置在第二电极EL2上。
空穴传输区域HTR和电子传输区域ETR可以各自包括多个子功能层。例如，空穴传输区域HTR可以包括空穴注入层和空穴传输层作为子功能层，并且电子传输区域ETR可以包括电子注入层和电子传输层作为子功能层。然而，本公开不限于此，并且空穴传输区域HTR可以进一步包括电子阻挡层等作为(多个)子功能层，电子传输区域ETR可以进一步包括空穴阻挡层等作为(多个)子功能层。
第一电极EL1具有导电性(例如，是导电体)。第一电极EL1可以由金属合金或导电化合物形成。第一电极EL1可以是阳极。第一电极EL1可以是像素电极。第一电极EL1可以是反射电极。然而，本公开不限于此，并且第一电极EL1可以是透射电极、半透射电极等。当第一电极EL1是半透反射电极或反射电极时，第一电极EL1可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti或其化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)，或者可以包括诸如LiF/Ca和LiF/Al的多层结构。例如，第一电极EL1可以具有包括反射膜或半透反射膜(两者由上述示例材料形成)和透明导电膜(由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等形成)的多层结构。例如，第一电极EL1可以是多层金属膜，或者可以具有其中堆叠有ITO/Ag/ITO的金属膜的结构。
空穴传输区域HTR设置在第一电极EL1上。空穴传输区域HTR可以包括空穴注入层、空穴传输层等。空穴传输区域HTR可以具有具备由单一材料形成的单层的单层结构、具备由多种不同的材料形成的单层的单层结构或具备由多种不同的材料形成的多层的多层结构。
空穴传输区域HTR可以利用诸如真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔—布洛吉特(Langmuir-Blodgett，LB)、喷墨印刷、激光印刷和/或激光诱导热成像(LITI)的各种方法形成。
空穴传输区域HTR可以包括例如咔唑类衍生物(诸如，N-苯基咔唑和/或聚乙烯基咔唑)、芴类衍生物、三苯胺类衍生物(诸如，N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(TPD)和/或4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA))、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPD)、4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、4,4'-双[N,N'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(HMTPD)、1,3-双(N-咔唑基)苯(mCP)等。
空穴传输区域HTR的厚度可以为约5nm至约1500nm，例如，约10nm至约500nm。当空穴传输区域HTR的厚度满足上述范围时，在不显著增加驱动电压的情况下，可以获得令人满意的(或合适的)空穴传输性能。
发光层EML设置在空穴传输区域HTR上。发光层EML可以包括主体和掺杂剂。在一个或更多个实施例中，发光层EML可以包括有机发光材料作为掺杂剂材料。例如，发光层EML可以包括量子点作为掺杂剂材料。在一个或更多个实施例中，除了掺杂剂材料之外，发光层EML还可以包括有机主体材料。在一个或更多个实施例的显示面板DP中，包括在发光元件ED中的发光层EML可以发射具有约420nm至约480nm的中心波长的蓝光。
在一个或更多个实施例的发光元件ED中，电子传输区域ETR设置在发光层EML上。电子传输区域ETR可以包括电子传输层和电子注入层中的至少一个，但是本公开不限于此。
电子传输区域ETR可以具有具备由单一材料形成的单层的单层结构、具备由多种不同的材料形成的单层的单层结构或具备由多种不同的材料形成的多层的多层结构。例如，电子传输区域ETR可以具有具备电子注入层或电子传输层的单层的单层结构或具备由电子注入材料和电子传输材料形成的单层的单层结构。电子传输区域ETR的厚度可以是例如约20nm至约150nm。
电子传输区域ETR可以利用诸如真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔—布洛吉特(LB)、喷墨印刷、激光印刷和/或激光诱导热成像(LITI)的一种或更多种合适的方法形成。
电子传输区域ETR可以包括例如蒽类化合物、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、双[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚(DPEPO)、2-(4-(N-苯基苯并咪唑基-1-基苯基)-9,10-二萘基蒽、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯基(TPBi)或其混合物。在一个或更多个实施例中，电子传输区域ETR可以包括诸如LiF、NaCl、CsF、RbCl和/或RbI的金属卤化物、诸如Yb的镧族金属、诸如Li2O和BaO的金属氧化物、羟喹啉锂(Liq)等。
第二电极EL2设置在电子传输区域ETR上。第二电极EL2可以是共电极或阴极。第二电极EL2可以是透射电极、半透射电极或反射电极。当第二电极EL2是透射电极时，第二电极EL2可以由例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等的透明金属氧化物形成。当第二电极EL2是半透反射电极或反射电极时，第二电极EL2可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、Yb或包含其的化合物或混合物，或者可以包括诸如LiF/Ca和LiF/Al的多层结构。例如，第二电极EL2可以是包括反射膜或半透反射膜(两者由上述示例材料形成)和透明导电膜(由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等形成)的多层结构。
在一个或更多个实施例中，第二电极EL2可以连接到辅助电极。当第二电极EL2连接到辅助电极时，可以降低第二电极EL2的电阻。
参照图3和图4A，在一个或更多个实施例的显示装置DD中，发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R中的每个的面积可以彼此不同。例如，在本公开中，“面积”可以意为当在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面上(例如，在平面图中)观察时的面积。例如，根据所发射的光的颜色，发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R可以具有不同的面积。例如，在一个或更多个实施例的显示装置DD中，发射(被构造为发射)蓝光的蓝色发光区域PXA-B可以具有最小面积，生成绿光的绿色发光区域PXA-G可以具有最大面积。然而，本公开不限于此。发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R可以发射除了蓝光、绿光和红光之外的不同颜色的光，或者发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R可以具有相同(或基本上相同)的面积。在一个或更多个实施例中，发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R可以以与图3不同的面积比设置。例如，发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R可以具有与图3中示出的形状不同的一个或更多个适当的多边形形状或圆形形状，并且发光区域的布置结构不受限制。例如，在一个或更多个实施例中，发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R可以具有布置或DIAMOND />布置。/>和DIAMOND是三星显示器有限公司的正式注册商标。
参照图4A和图4B，封装层TFE可以设置在发光元件ED上以覆盖发光元件ED。封装层TFE可以是单层或堆叠的多个层。封装层TFE可以是薄膜封装层。封装层TFE保护发光元件ED。封装层TFE覆盖设置在开口OH中的第二电极EL2的上表面，并且可以填充开口OH。
参照图4A和图4B，本公开的实施例的显示装置DD和DD-1可以分别包括光学结构层PP和PP-1。光学结构层PP和PP-1可以具有改变从显示面板DP提供的光的至少一部分的波长或者防止或减少相邻的发光区域之间的颜色混合的功能。在一个或更多个实施例中，光学结构层PP和PP-1可以阻挡从显示装置DD的外部提供到显示面板DP的外部光。光学结构层PP和PP-1可以执行使由外部光引起的反射最小化的抗反射功能。
参照图4A，一个或更多个实施例的显示装置DD可以包括设置在显示面板DP上的光控制层CCL。
光控制层CCL可以包括光转换体。光转换体可以是量子点、荧光体等。光转换体可以转换所提供的光的波长，并且发射具有转换后的波长的光。例如，光控制层CCL可以是在层的至少一部分中包括量子点的层，或者包括荧光体的层。
光控制层CCL可以设置在显示面板DP上，且盖层CPL介于其间。光控制层CCL可以包括彼此间隔开(分开)设置的多个分隔壁部BK以及设置在分隔壁部BK之间的光控制单元CCP-B、CCP-G和CCP-R。分隔壁部BK可以通过包括聚合物树脂和拒液添加剂来形成。分隔壁部BK可以通过包括光吸收材料来形成，或者可以通过包括颜料和/或染料来形成。例如，分隔壁部BK可以通过包括黑色颜料和/或黑色染料来形成，以实现黑色分隔壁部。当形成黑色分隔壁部时，炭黑等可以用作黑色颜料和/或黑色染料，但是本公开不限于此。
光控制层CCL可以包括第一光控制单元CCP-B、第二光控制单元CCP-G和第三光控制单元CCP-R，第一光控制单元CCP-B被构造为透射作为从发光元件ED提供的源光的第一光，第二光控制单元CCP-G被构造为将第一光转换为第二光，第三光控制单元CCP-R被构造为将第一光转换为第三光。第二光可以是具有比第一光长的波长区域(范围)的光，第三光可以是具有比第一光和第二光长的波长区域(范围)的光。例如，第一光可以是具有约410nm至约480nm的光发射波长的光，第二光可以是具有约500nm至约600nm的光发射波长的光，第三光可以是具有约620nm至约700nm的光发射波长的光。第一光可以是蓝光，第二光可以是绿光，第三光可以是红光。
第二光控制单元CCP-G和第三光控制单元CCP-R可以各自包括发光体。发光体可以是对入射光的波长进行转换以发射不同波长的光的颗粒。在一个或更多个实施例中，包括在第二光控制单元CCP-G和/或第三光控制单元CCP-R中的发光体可以是量子点或荧光体。第二光控制单元CCP-G可以包括被构造为将第一光转换为第二光的第一量子点QD1，第三光控制单元CCP-R可以包括被构造为将第一光转换为第三光的第二量子点QD2。第一光控制单元CCP-B是被构造为透射第一光而不转换其波长的透射单元，并且可以不包括(例如，可以排除)单独的发光体。然而，本公开不限于此，并且可以包括将入射在第一光控制单元CCP-B上的光转换为第一光的发光体(诸如量子点)。
量子点可以包括(例如，可以选自)II-VI族化合物、I-II-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物、III-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、III-II-V族化合物、II-IV-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族化合物和/或IV族元素和/或其组合。
II-VI族化合物可以包括(例如，可以选自由以下组成的组)：包括(例如，选自由以下组成的组)CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS的二元化合物和/或其混合物、包括(例如，选自由以下组成的组)CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS的三元化合物和/或其混合物和/或包括(例如，选自由以下组成的组)HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe的四元化合物和/或其混合物。例如，II-VI族化合物还可以包括I族金属和/或IV族元素。I-II-VI族化合物可以包括(例如，可以选自)CuSnS或CuZnS，并且/或者II-IV-VI族化合物可以包括(例如，可以选自)ZnSnS等。I-II-IV-VI族化合物可以包括(例如，可以选自)包括(例如，选自由以下组成的组)Cu2ZnSnS2、Cu2ZnSnS4、Cu2ZnSnSe4、Ag2ZnSnS2的四元化合物和/或其混合物。
III-VI族化合物可以包括诸如In2S3、In2Se3等的二元化合物、诸如InGaS3、InGaSe3等的三元化合物或其任何组合。
I-III-VI族化合物可以包括(例如，可以选自)包括(例如，选自由以下组成的组)AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2的三元化合物和/或其混合物，或诸如AgInGaS2、CuInGaS2等的四元化合物。
III-V族化合物可以包括(例如，可以选自由以下组成的组)：包括(例如，选自由以下组成的组)GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb的二元化合物和/或其混合物、包括(例如，选自由以下组成的组)GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb的三元化合物和/或其混合物和/或包括(例如，选自由以下组成的组)GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb的四元化合物和/或其混合物。例如，III-V族化合物还可以包括II族金属。例如，InZnP等可以包括(例如，可以是)III-II-V族化合物。
II-IV-V族化合物可以是包括(例如，选自由以下组成的组)ZnSnP、ZnSnP2、ZnSnAs2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdSnP2、CdGeP2的三元化合物和/或其混合物。
IV-VI族化合物可以包括(例如，可以选自由以下组成的组)：包括(例如，选自由以下组成的组)SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe的二元化合物和/或其混合物、包括(例如，选自由以下组成的组)SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe的三元化合物和/或其混合物和/或包括(例如，选自由以下组成的组)SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe的四元化合物和/或其混合物。IV族元素可以包括(例如，可以选自由以下组成的组)Si、Ge和/或其混合物。IV族化合物可以是包括(例如，选自由以下组成的组)SiC、SiGe的二元化合物和/或其混合物。
包括在诸如二元化合物、三元化合物和四元化合物的多元素化合物中的每种元素可以以均匀的浓度(例如，基本上均匀的浓度)或非均匀的浓度存在于颗粒中。例如，上述式子是指包括在化合物中的元素的类型或种类，并且化合物中的元素比例可以是不同的。例如，AgInGaS2可以指AgInxGa1-xS2(其中，x是0与1之间的实数)。
此时，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度(例如，基本上均匀的浓度)存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度分布(例如，在颗粒的不同部分处具有不同的浓度)存在于同一颗粒中。在一个或更多个实施例中，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以具有其中一个量子点围绕另一个量子点的核/壳结构。在核/壳结构中，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向核的中心变低的浓度梯度。
在一个或更多个实施例中，量子点可以具有包括具备纳米晶体的核和围绕核的壳的上述核/壳结构。量子点的壳可以用作保护层以防止或减少核的化学变性以保持半导体性质，并且/或者用作荷电层以赋予量子点电泳性质。壳可以是单层或多层。壳的示例可以是金属的氧化物或非金属的氧化物、半导体化合物或其组合。
壳可以包括与核的材料不同的材料。例如，核可以包括第一半导体纳米晶体，壳可以包括与第一半导体纳米晶体不同的第二半导体纳米晶体。在一个或更多个实施例中，壳可以包括金属的氧化物或非金属的氧化物。壳可以包括金属的氧化物或非金属的氧化物、半导体纳米晶体或其组合。
壳可以由单一材料形成，但是可以形成为具有浓度梯度。例如，壳可以具有以下浓度梯度：在该浓度梯度中，随着壳更邻近核，存在于壳中的第二半导体纳米晶体的浓度降低，并且包括在核中的第一半导体纳米晶体的浓度增加。在一个或更多个实施例中，壳可以具有包括不同的材料的多个层的结构。
例如，金属的氧化物或非金属的氧化物可以是诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和/或NiO的二元化合物或诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和/或CoMn2O4的三元化合物。然而，本公开不限于此。
此外，半导体化合物可以是例如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等。然而，本公开不限于此。
量子点可以具有约45nm或更小(优选地，约40nm或更小，更优选地，约30nm或更小)的光发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)，并且可以在上述范围内改善色纯度或颜色再现性。在一个或更多个实施例中，通过这种量子点发射的光在所有方向上发射，使得可以改善宽视角。
在一个或更多个实施例中，尽管量子点的形式没有具体限制，只要它是本领域通常可用的形式即可，但是可以使用例如球形、金字塔形、多臂或立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板颗粒等形式的量子点。
量子点可以通过调节量子点的尺寸或调节量子点化合物中的元素比例来调节能带隙，使得可以从量子点发光层获得一个或更多个合适波段的光。因此，发射(被构造为发射)一个或更多个合适波长的光的发光元件可以通过利用如上所述的量子点(利用不同尺寸的量子点或在量子点化合物中具有不同元素比例的量子点)来实现。例如，可以选择调节量子点的尺寸或量子点化合物中的元素比例以发射红光、绿光和/或蓝光。在一个或更多个实施例中，量子点可以被构造为通过将一种或更多种合适颜色的光组合来发射白光。例如，当量子点具有一种或更多种合适的发光颜色(诸如蓝色、红色和绿色)时，具有不同的发光颜色的量子点可以具有不同的核材料。
量子点可以根据其颗粒尺寸来调节所发射的光的颜色，并且因此，量子点可以具有一种或更多种合适的发光颜色(诸如蓝色、红色、绿色等)。量子点的颗粒尺寸越小，越可以发射较短波长区域的光。例如，发射绿光的量子点的颗粒尺寸可以小于发射红光的量子点的颗粒尺寸，发射蓝光的量子点的颗粒尺寸可以小于发射绿光的量子点的颗粒尺寸。
包括在光控制层CCL中的多个光控制单元CCP-B、CCP-G和CCP-R中的每个还可以包括散射体SP。第一光控制单元CCP-B可以仅包括散射体SP，第二光控制单元CCP-G可以包括第一量子点QD1和散射体SP，第三光控制单元CCP-R可以包括第二量子点QD2和散射体SP。
散射体SP可以是无机颗粒。例如，散射体SP可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的至少一种。散射体SP可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的任一种，或者可以是包括(例如，选自)TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的两种或更多种材料的混合物。
第一光控制单元CCP-B、第二光控制单元CCP-G和第三光控制单元CCP-R中的每个可以包括使量子点QD1和QD2以及散射体SP分散的基体树脂BR1、BR2和BR3。在一个或更多个实施例中，第一光控制单元CCP-B可以包括分散在第一基体树脂BR1中的散射体SP，第二光控制单元CCP-G可以包括分散在第二基体树脂BR2中的第一量子点QD1和散射体SP，第三光控制单元CCP-R可以包括分散在第三基体树脂BR3中的第二量子点QD2和散射体SP。基体树脂BR1、BR2和BR3是其中分散有量子点QD1和QD2以及散射体SP的介质，并且可以由一种或更多种合适的树脂组合物形成，该树脂组合物通常可以被称为粘合剂。例如，基体树脂BR1、BR2和BR3可以各自为丙烯酸类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、硅类树脂、环氧类树脂等。基体树脂BR1、BR2和BR3可以均为透明树脂。在一个或更多个实施例中，第一基体树脂BR1、第二基体树脂BR2和第三基体树脂BR3可以彼此相同或彼此不同。
光控制层CCL还可以包括盖层CPL。盖层CPL可以设置在光控制单元CCP-B、CCP-G和CCP-R以及分隔壁部BK上。盖层CPL可以用于防止或基本上防止湿气和/或氧(在下文中，称为“湿气/氧”)的渗透。盖层CPL可以设置在光控制单元CCP-B、CCP-G和CCP-R上，以阻挡光控制单元CCP-B、CCP-G和CCP-R暴露于湿气/氧。盖层CPL可以包括至少一个无机层。
在一个或更多个实施例的显示装置DD中，除了光控制层CCL之外，光学层OPL还可以包括外涂层OC和滤色器层CFL。
滤色器层CFL可以包括滤色器CF。滤色器层CFL可以包括使源光(第一光)的一部分透射的第一滤色器CF-B、使第二光透射的第二滤色器CF-G和使第三光透射的第三滤色器CF-R。在一个或更多个实施例中，滤色器层CFL可以包括被构造为透射蓝光的第一滤色器CF-B、被构造为透射绿光的第二滤色器CF-G以及被构造为透射红光的第三滤色器CF-R。在一个或更多个实施例中，第一滤色器CF-B可以是蓝色滤色器，第二滤色器CF-G可以是绿色滤色器，第三滤色器CF-R可以是红色滤色器。
滤色器CF中的每个可以包括聚合物光敏树脂和着色剂。第一滤色器CF-B可以包括蓝色着色剂，第二滤色器CF-G可以包括绿色着色剂，第三滤色器CF-R可以包括红色着色剂。第一滤色器CF-B可以包括蓝色颜料和/或蓝色染料，第二滤色器CF-G可以包括绿色颜料和/或绿色染料，第三滤色器CF-R可以包括红色颜料和/或红色染料。
第一滤色器CF-B、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-R可以分别与第一发光区域PXA-B、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-R对应设置。在一个或更多个实施例中，第一滤色器CF-B、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-R可以分别与第一光控制单元CCP-B、第二光控制单元CCP-G和第三光控制单元CCP-R对应设置。
在一个或更多个实施例中，透射不同的光的多个滤色器CF-B、CF-G和CF-R可以在与设置在发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R之间的外围区域NPXA对应的部分中设置为彼此叠置。多个滤色器CF-B、CF-G和CF-R在作为厚度方向的第三方向DR3上设置为彼此叠置，使得可以区分相邻的发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R之间的边界。因此，提高了阻挡外部光的效果，使得外围区域NPXA可以具有与黑矩阵相同(或基本上相同)的功能。多个滤色器CF-B、CF-G和CF-R的叠置结构可以具有防止或减少颜色混合的功能。
例如，滤色器层CFL可以包括光阻挡部以区分相邻的滤色器CF-B、CF-G和CF-R之间的边界。光阻挡部可以由蓝色滤色器形成，或者可以通过包括包含黑色颜料和/或黑色染料的有机光阻挡材料或无机光阻挡材料来形成。
然而，本公开不限于此，并且第一滤色器CF-B可以不包括(例如，可以排除)颜料和/或染料。第一滤色器CF-B可以包括聚合物光敏树脂，但是可以不包括(例如，可以排除)颜料和/或染料。第一滤色器CF-B可以是透明的。第一滤色器CF-B可以由透明光敏树脂形成。
滤色器层CFL还可以包括缓冲层BFL。例如，缓冲层BFL可以是用于保护滤色器CF-B、CF-G和CF-R的保护层。缓冲层BFL可以是包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中(之中)的至少一种无机材料的无机材料层。缓冲层BFL可以由单层或多层形成。
在图4A的一个或更多个实施例中，示出了滤色器层CFL的第一滤色器CF-B与第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-R叠置，但是本公开不限于此。例如，第一滤色器CF-B、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-R可以通过光阻挡部来区分，并且可以不彼此叠置。例如，在一个或更多个实施例中，第一滤色器CF-B、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-R可以分别与蓝色发光区域PXA-B、绿色发光区域PXA-G和红色发光区域PXA-R对应设置。
在一个或更多个实施例的显示装置DD的光学层OPL中，还可以包括偏振层。偏振层可以阻挡从外部提供到显示面板DP的外部光。偏振层可以阻挡外部光的一部分。当显示装置DD包括偏振层时，可以不设置滤色器层CFL。
在一个或更多个实施例中，偏振层可以减少由外部光在显示面板DP中产生的反射光。例如，偏振层可以用于阻挡从显示装置DD的外部提供的光入射在显示面板DP上然后被发射时产生的反射光。偏振层可以是具有抗反射功能的圆偏振器，或者偏振层可以包括线性偏振器和λ/4相位延迟器。例如，偏振层可以设置在被暴露的外涂层OC上，或者偏振层可以设置在外涂层OC的下部中。
然后，外涂层OC可以设置在滤色器层CFL上。外涂层OC可以包括有机层。外涂层OC可以包括具有高强度和高平坦化性的有机物。外涂层OC可以提供平坦上表面。例如，外涂层OC可以执行在滤色器层CFL上提供参考表面的上基体层的功能。外涂层OC可以是提供其上设置有滤色器层CFL和设置在下部中的光控制层CCL的基体表面的构件。外涂层OC可以是无机层、有机层或复合材料层。然而，本公开不限于此，并且外涂层OC可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。
抗反射层ARL设置在外涂层OC上。抗反射层ARL可以直接设置在外涂层OC上。例如，抗反射层ARL可以与外涂层OC的上表面接触。抗反射层ARL可以是具有低反射率的层，从而阻挡外部光。抗反射层ARL可以是具有具备不同的折射率的多个层的层，从而通过相消干涉有效地阻挡外部光。抗反射层ARL的上表面的反射率可以为约2％或更小。在约430nm至约780nm的可见光范围内，抗反射层ARL的上表面的反射率可以为约2％或更小。在约550nm的波长处，抗反射层ARL的上表面的反射率可为约2％或更小。
参照图4B，一个或更多个实施例的显示装置DD-1可以包括显示面板DP和设置在显示面板DP上的光学结构层PP-1。在根据一个或更多个实施例的显示装置DD-1中，光学结构层PP-1包括设置在显示面板DP上的光学层OPL-1和设置在光学层OPL-1上的抗反射层ARL。光学层OPL-1可以包括顺序堆叠的光控制层CCL-1、滤色器层CFL-1和外涂层OC-1。
光控制层CCL-1可以设置在显示面板DP上，且盖层CPL介于其间。光控制层CCL-1可以包括多个分隔壁部BK-1和设置在分隔壁部BK-1之间的光控制单元CCP-B1、CCP-G1和CCP-R1。
滤色器层CFL-1可以包括包含多个滤色器CF-B、CF-G和CF-R的滤色器单元CF-1、光阻挡部BM和缓冲层BFL。
当与图4A中示出的显示装置DD相比时，根据图4B中示出的一个或更多个实施例的显示装置DD-1具有光控制层CCL-1和滤色器层CFL-1，光控制层CCL-1和滤色器层CFL-1以封装层TFE的上表面作为基体表面而被设置。例如，光控制层CCL-1的光控制单元CCP-B1、CCP-G1和CCP-R1可以通过连续工艺形成在显示面板DP上，滤色器层CFL-1的滤色器CF-B、CF-G和CF-R可以通过连续工艺顺序地形成在光控制层CCL-1上。光控制层CCL-1可以形成为使设置在显示面板DP上的盖层CPL的上表面作为基体表面，并且可以具有与图4A中示出的光控制层CCL的形状上下颠倒的形状。具体地，多个分隔壁部BK-1和多个光控制单元CCP-B1、CCP-G1、CCP-R1中的每个可以具有与图4A中示出的形状上下颠倒的形状。滤色器层CFL-1形成为使光控制层CCL-1的上表面作为基体表面，并且可以具有与图4A中示出的形状不同的形状。
在一个或更多个实施例的滤色器层CFL-1中，光阻挡部BM可以是黑矩阵。光阻挡部BM可以通过包括包含黑色颜料和/或黑色染料的有机光阻挡材料或无机光阻挡材料来形成。光阻挡部BM防止或基本上防止漏光现象，并且可以区分相邻的滤色器CF-B、CF-G和CF-R之间的边界。
参照图4C，包括在一个或更多个实施例的显示装置DD-2中的显示面板DP包括发光元件ED-1，并且发光元件ED-1可以是微型LED元件(例如，微米级的LED元件)或纳米LED元件(例如，纳米级的LED元件)。发光元件ED-1可以电连接到接触部S-C，并且发光元件ED-1的长度和宽度可以在数百纳米至数百微米之间。发光元件ED-1可以是包括活性层和至少一个半导体材料层的LED元件。发光元件ED-1还可以包括绝缘层。发光元件ED-1可以被图案化并设置为与发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R中的每个叠置。显示面板DP可以包括设置在发光元件ED-1上的缓冲层BFL。缓冲层BFL可以设置在发光元件ED-1上以覆盖发光元件ED-1。
与图4A和图4B中示出的显示装置DD和DD-1相比，图4C的一个或更多个实施例的显示装置DD-2在光学结构层PP-2中不包括光控制层和滤色器层。例如，一个或更多个实施例的显示装置DD-2包括设置在缓冲层BFL上的外涂层OC-2，并且抗反射层ARL可以设置在外涂层OC-2上。外涂层OC-2可以包括有机层。外涂层OC-2可以包括具有高强度和高平坦化性的有机物。外涂层OC-2提供平坦表面，并且可以提供其上设置有抗反射层ARL的参考层。外涂层OC-2可以是无机层、有机层或复合材料层。然而，本公开不限于此，并且外涂层OC-2可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。例如，在图4C中示出的一个或更多个实施例的显示装置DD-2中，可以不设置缓冲层BFL和外涂层OC-2中的任一个。
图5A至图5C是示出根据本公开的实施例的显示装置的一些组件的剖视图。在图5A至图5C中的每个中，示意性地示出了分别堆叠有滤色器层CFL、外涂层OC和抗反射层ARL、ARL-1或ARL-2的结构。在下文中，参照图5A至图5C，分别更详细地描述抗反射层ARL、ARL-1和ARL-2。
一起参照图4A和图5A，抗反射层ARL设置在外涂层OC上，并且包括多个层。抗反射层ARL包括设置在外涂层OC上的多个无机层IL1和IL2。
多个无机层IL1和IL2包括至少一个第一无机层IL1和至少一个第二无机层IL2。第一无机层IL1和第二无机层IL2中的每个可以设置为多个层。如图5A中示出的，第一无机层IL1可以包括1-1无机层IL1-1和1-2无机层IL1-2。第二无机层IL2可以包括2-1无机层IL2-1和2-2无机层IL2-2。
第一无机层IL1和第二无机层IL2可以交替设置，第一无机层IL1和第二无机层IL2中的每个设置为多个层。例如，多个第一无机层IL1中的任两个层可以不连续堆叠，第二无机层IL2中的任一个可以设置在多个第一无机层IL1之间。例如，多个第二无机层IL2中的任两个层可以不连续堆叠，并且第一无机层IL1中的任一个可以设置在多个第二无机层IL2之间。
如图5A中示出的，2-1无机层IL2-1设置在1-1无机层IL1-1上，1-2无机层IL1-2设置在2-1无机层IL2-1上，2-2无机层IL2-2可以设置在1-2无机层IL1-2上。1-1无机层IL1-1、2-1无机层IL2-1、1-2无机层IL1-2和2-2无机层IL2-2可以具有连续堆叠结构。例如，2-1无机层IL2-1可以直接设置在1-1无机层IL1-1上，1-2无机层IL1-2可以直接设置在2-1无机层IL2-1上，2-2无机层IL2-2可以直接设置在1-2无机层IL1-2上。设置在多个无机层IL1和IL2(之中)的最下部分中的层可以直接设置在外涂层OC上。例如，在图5A中，包括在多个无机层IL1和IL2中(之中)的第一无机层IL1中的1-1无机层IL1-1示出为直接设置在外涂层OC上，但是本公开不限于此，并且包括在第二无机层IL2中的层可以直接设置在外涂层OC上。例如，2-1无机层IL2-1可以直接设置在外涂层OC上，1-1无机层IL1-1可以直接设置在2-1无机层IL2-1上。
第一无机层IL1具有第一折射率，第二无机层IL2具有高于第一折射率的第二折射率。例如，第一折射率和第二折射率可以在约550nm的波长处限定。在约550nm的波长处，第一折射率可以为约1.50至约1.70。在约550nm的波长处，第二折射率可以为约1.70至约1.90。例如，在约550nm的波长处，第一折射率可以为约1.58，第二折射率可以为约1.71。设置为多个层的第一无机层IL1中的每个可以具有第一折射率，设置为多个层的第二无机层IL2中的每个可以具有第二折射率。
第一无机层IL1和第二无机层IL2中的每个包括氮氧化硅(SiON)。尽管第一无机层IL1和第二无机层IL2中的每个包括氮氧化硅，但是包括在第一无机层IL1和第二无机层IL2中的每个中的氮氧化硅的氧、氮和硅的含量(例如，量)可以彼此不同。第一无机层IL1和第二无机层IL2中的每个可以包括具有不同详细成分的氮氧化硅，因此可以具有如上所述的彼此不同的折射率。第一无机层IL1和第二无机层IL2中的每个可以是由氮氧化硅构成的层。设置为多个层的第一无机层IL1和设置为多个层的第二无机层IL2可以均包括氮氧化硅。第一无机层IL1和第二无机层IL2中的每个包括氮氧化硅，因此可以在同一腔室中以连续工艺形成，并且可以通过均质气体形成膜。通过在同一腔室中提供氧气、氮气和硅气体来形成第一无机层IL1和第二无机层IL2中的每个，并且当形成第一无机层IL1和第二无机层IL2中的每个时，可以通过调节氧气、氮气和硅气体中的每个的分压来将第一无机层IL1和第二无机层IL2中的每个中包括的氮氧化硅的氧、氮和硅的含量(例如，量)形成为彼此不同。
第一无机层IL1和第二无机层IL2中的每个的氧含量(例如，氧量)可以彼此不同。当相对于第一无机层IL1中的元素的总含量(例如，总量)的氧的含量(例如，氧的量)定义为第一氧含量(例如，第一氧量)并且相对于第二无机层IL2中的元素的总含量(例如，总量)的氧的含量(例如，氧的量)定义为第二氧含量(例如，第二氧量)时，第一氧含量(例如，第一氧量)和第二氧含量(例如，第二氧量)可以彼此不同。第一氧含量(例如，第一氧量)可以大于第二氧含量(例如，第二氧量)。例如，第一无机层IL1可以是具有比第二无机层IL2高的氧含量(例如，氧量)的富氧氮氧化硅层。
第一无机层IL1和第二无机层IL2中的每个的氮含量(例如，氮量)可以彼此不同。当相对于第一无机层IL1中的元素的总含量(例如，总量)的氮的含量(例如，氮的量)定义为第一氮含量(例如，第一氮量)并且相对于第二无机层IL2中的元素的总含量(例如，总量)的氮的含量(例如，氮的量)定义为第二氮含量(例如，第二氮量)时，第一氮含量(例如，第一氮量)和第二氮含量(例如，第二氮量)可以彼此不同。第一氮含量(例如，第一氮量)可以小于第二氮含量(例如，第二氮量)。例如，第二无机层IL2可以是具有比第一无机层IL1高的氮含量(例如，氮量)的富氮氮氧化硅层。因为与第一无机层IL1相比，第二无机层IL2具有高的氮含量(例如，氮量)和低的氧含量(例如，氧量)，所以第二无机层IL2的第二折射率可以高于第一无机层IL1的第一折射率。
相对于第一无机层IL1的总含量(例如，总量)，第一无机层IL1可以包括约23at％至约26at％的氧、约31at％至约34at％的氮和约41at％至约44at％的硅。相对于第一无机层IL1的总含量(例如，总量)，第一无机层IL1可以是由约23at％至约26at％的氧、约31at％至约34at％的氮和约41at％至约44at％的硅构成的层。相对于第一无机层IL1的总含量(例如，总量)，第一无机层IL1可以包括例如约24.22at％的氧、约32.94at％的氮和约42.85at％的硅。
相对于第二无机层IL2的总含量(例如，总量)，第二无机层IL2可以包括约20at％至约23at％的氧、约35at％至约38at％的氮和约39at％至约42at％的硅。相对于第二无机层IL2的总含量(例如，总量)，第二无机层IL2可以是由约20at％至约23at％的氧、约35at％至约38at％的氮和约39at％至约42at％的硅构成的层。相对于第二无机层IL2的总含量(例如，总量)，第二无机层IL2可以包括例如约22.12at％的氧、约36.06at％的氮和约41.82at％的硅。可以通过X射线光电子能谱(XPS)执行第一无机层IL1和第二无机层IL2中的每个的成分分析。
包括在抗反射层ARL中的多个无机层IL1和IL2的厚度的总和可以为约100nm至约1000nm。例如，多个无机层IL1和IL2的厚度之和可以为约200nm至约600nm。
在第一无机层IL1和第二无机层IL2中，第一无机层IL1和第二无机层IL2中的每个设置为多个层，多个第一无机层IL1和多个第二无机层IL2中的每个的厚度可以为约10nm至约150nm。如图5A中示出的，多个无机层IL1和IL2包括顺序堆叠的1-1无机层IL1-1、2-1无机层IL2-1、1-2无机层IL1-2和2-2无机层IL2-2，1-1无机层IL1-1、2-1无机层IL2-1、1-2无机层IL1-2和2-2无机层IL2-2中的每个的厚度可以为约10nm至约150nm。
抗反射层ARL可以具有低反射率。抗反射层ARL的上表面的反射率可以为约0.1％或更小。例如，抗反射层ARL的上表面的反射率可以为约0至约0.05％。抗反射层ARL包括多个无机层IL1和IL2，并且具有以下结构：在该结构中，包括在抗反射层ARL中的多个第一无机层IL1和多个第二无机层IL2中的每个彼此交替设置，同时具有上述范围内的折射率，使得抗反射层ARL可以通过相消干涉有效地防止或基本上防止外部光从显示装置DD的表面反射。
提供其上设置有抗反射层ARL的基体表面的外涂层OC可以具有比包括在抗反射层ARL中的每个层大的厚度。在一个或更多个实施例中，外涂层OC可以具有约3μm至约10μm的厚度。在一个或更多个实施例中，外涂层OC可以具有比包括在抗反射层ARL中的多个无机层IL1和IL2的折射率低的折射率。外涂层OC可以具有约1.45至约1.53的折射率。
参照图5B，一个或更多个实施例的抗反射层ARL-1可以包括n个第一无机层IL1-1至IL1-n和n个第二无机层IL2-1至IL2-n。例如，n可以是3至10的整数。n可以是例如3至5的整数。例如，一个或更多个实施例的抗反射层ARL-1包括包含多个第一无机层IL1中的任一个和多个第二无机层IL2中的任一个的重复单元结构，并且可以具有其中顺序堆叠有3至10个重复单元结构的无机层IL1和IL2的结构。重复单元结构的数量和每个重复单元结构的厚度可以选自上述厚度范围和用于执行抗反射层ARL-1的抗反射功能的范围。
参照图5A描述的第一无机层IL1的内容物可以应用于包括在抗反射层ARL-1中的n个第一无机层IL1-1至IL1-n中的每个。参照图5A描述的第二无机层IL2的内容物可以应用于包括在抗反射层ARL-1中的n个第二无机层IL2-1至IL2-n中的每个。
参照图5C，在一个或更多个实施例中，一个或更多个实施例的抗反射层ARL-2还可以包括设置在多个无机层IL1和IL2上的低折射率层LR。低折射率层LR可以是具有低于多个无机层IL1和IL2的折射率的层。
单独的层可以不设置在低折射率层LR的上部。例如，低折射率层LR可以是设置在抗反射层ARL-2的最上部分的最外层。低折射率层LR的上表面可以限定抗反射层ARL-2的最外表面(或最外周表面)。低折射率层LR可以是包括抗反射层ARL-2的显示装置DD的最外层。
在一个或更多个实施例的抗反射层ARL-2中，多个无机层IL1和IL2可以具有约1.5或更大的折射率，并且低折射率层LR可以具有约1.3至约1.5的折射率。一个或更多个实施例的抗反射层ARL-2具有以下结构：在该结构中，多个第一无机层IL1和多个第二无机层IL2中的每个彼此交替设置，同时具有在上述范围内的折射率，并且具有低折射率的低折射率层LR设置在抗反射层ARL-2的最上部分中(处)，使得能够通过相消干涉有效地防止或减少外部光从抗反射层ARL-2的表面反射。
在一个或更多个实施例的显示装置中，设置在显示面板上的抗反射层不是膜形式，而是通过沉积等直接形成在外涂层的上表面上的层，并且抗反射层包括其中交替堆叠有具有不同的折射率的第一无机层和第二无机层的多个无机层。包括在多个无机层中的第一无机层和第二无机层两者包括氮氧化硅，但是由于不同的氧含量(例如，氧量)、氮含量(例如，氮量)等而具有彼此不同的折射率。例如，第一无机层具有第一折射率，第二无机层具有高于第一折射率的第二折射率。一个或更多个实施例的显示装置包括其中交替堆叠有具有不同的折射率同时均包含氮氧化硅的第一无机层和第二无机层的结构，因此，可以能够形成具有低反射率和高覆盖特性同时通过简单的工艺形成的抗反射层结构，使得显示装置可以具有改善的耐久性和可见度。
例如，在一个或更多个实施例的显示装置中包括的抗反射层中，包括在多个无机层中的第一无机层和第二无机层两者由氮氧化硅形成，因此，能够形成其中第一无机层和第二无机层在同一腔室中交替堆叠的结构，使得可以简化形成抗反射层的工艺。在一个或更多个实施例中，因为通过用于形成氮氧化硅的均质气体形成第一无机层和第二无机层，所以能够在低温下形成膜，并且因为能够在形成第一无机层和第二无机层的工艺中容易地控制外来颗粒，所以可以简化工艺步骤。
在一个或更多个实施例的显示装置中包括的抗反射层中，第一无机层和第二无机层中的每个包括具有不同详细成分的氮氧化硅，因此具有彼此不同的折射率。在一个或更多个实施例的抗反射层中，因为能够通过同一腔室中的源气体的分压调节来形成包括具有不同的详细成分的氮氧化硅的第一无机层和第二无机层的交替堆叠结构，所以可以通过简单的工艺条件改变来容易地改变包括在多个无机层中的第一无机层和第二无机层中的每个的折射率，使得可以促进形成具有与包括在显示装置中的其他组件一致的折射率和反射性质的范围的抗反射层结构。
在一个或更多个实施例中，一个或更多个实施例的多个无机层包括其中交替堆叠有多个第一层和多个第二层的结构，多个第一层和多个第二层中的全部包括氮氧化硅，因此，改善了防止或基本上防止湿气和氧从外部进入显示装置的性质，使得能够形成具有高覆盖性质的抗反射层结构。
图6A是根据本公开的一个或更多个实施例的拼接显示装置的透视图。图6B是示出根据本公开的一个或更多个实施例的在拼接显示装置中一些组件分离的状态的透视图。
拼接显示装置DD-T可以是由电信号激活的装置。拼接显示装置DD-T可以包括一个或更多个合适的实施例。一个或更多个实施例的拼接显示装置DD-T可以是包括多个单元显示装置DD-U1和DD-U2的拼接显示器。包括在拼接显示装置DD-T中的多个单元显示装置DD-U1和DD-U2不仅由于显示面板与另一组件之间的公差减小而适用于拼接显示装置DD-T，而且即使在单元显示装置DD-U1和DD-U2中的每个单独应用于拼接显示装置DD-T时也减小了拼接显示装置DD-T的边框，从而可以改善显示装置的美观性。参照图1至图5C描述的显示装置DD的描述可以同样地应用于单元显示装置DD-U1和DD-U2中的每个。
在一个或更多个实施例的拼接显示装置DD-T中，多个单元显示装置DD-U1和DD-U2可以在平面上并排设置。多个单元显示装置DD-U1和DD-U2可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2并排设置。多个单元显示装置DD-U1和DD-U2中的每个的一侧的边缘可以彼此接触。在一个或更多个实施例的拼接显示装置DD-T中，单独设置的多个单元显示装置DD-U1和DD-U2可以彼此结合以显示一个图像IM。
拼接显示装置DD-T可以包括其中显示图像IM的显示区域DA。其中显示图像IM的显示区域DA可以与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行。一个或更多个实施例的拼接显示装置DD-T可以包括显示区域DA，并且可以不包括(例如，可以排除)非显示区域。拼接显示装置DD-T可以具有在第三方向DR3上具备预定厚度的三维形状。
图7A和图7B是根据本公开的一个或更多个实施例的单元显示装置的剖视图。图7A是沿着图6B的线III-III'截取的剖视图。图7B是沿着图6B的线IV-IV'截取的剖视图。
参照图7A，根据一个或更多个实施例的单元显示装置DD-U1包括抗反射层ARL、光学层OPL和显示面板DP。抗反射层ARL可以设置在显示面板DP上。抗反射层ARL可以直接设置在光学层OPL上。例如，抗反射层ARL不以粘合层、压敏粘合层等介于其间的单独的膜形式附着到光学层OPL，而可以是通过沉积等直接形成在光学层OPL上的层。参照图1至图5C描述的内容可以同等地应用于显示面板DP、光学层OPL和抗反射层ARL中的每个。
参照图7B，在一个或更多个实施例的单元显示装置DD-U1中，抗反射层ARL的侧表面ARL-L和显示面板DP的侧表面DP-L可以限定一个对准的侧表面。例如，抗反射层ARL的侧表面ARL-L和显示面板DP的侧表面DP-L并排，并且其任一个可以不具有沿着第一方向DR1突出的形状。在一个或更多个实施例中，预定公差可以限定在抗反射层ARL的侧表面ARL-L与显示面板DP的侧表面DP-L之间。例如，在一个或更多个实施例的单元显示装置DD-U1中，抗反射层ARL的侧表面ARL-L和显示面板DP的侧表面DP-L可以不并排对准，并且抗反射层ARL的侧表面ARL-L和显示面板DP的侧表面DP-L中的任一个可以具有与另一个相比沿着第一方向DR1或第二方向DR2更突出的形状。在制造单元显示装置DD-U1的工艺中，当通过同一(或基本上同一)工艺蚀刻抗反射层ARL和显示面板DP时，由于抗反射层ARL与显示面板DP之间的蚀刻速率的差异，可能形成公差。
在一个或更多个实施例中，如图7B中示出的，光学层OPL的侧表面可以与显示面板DP的侧表面DP-L并排对准。然而，本公开不限于此，并且光学层OPL的侧表面可以不与显示面板DP的侧表面DP-L并排。
在一个或更多个实施例的单元显示装置DD-U1中，在抗反射层ARL的侧表面ARL-L与显示面板DP的侧表面DP-L之间限定的公差可以为约0至约30μm。例如，当在抗反射层ARL的侧表面ARL-L与显示面板DP的侧表面DP-L之间限定的公差为0时，可以意为抗反射层ARL的侧表面ARL-L和显示面板DP的侧表面DP-L并排。在一个或更多个实施例的单元显示装置DD-U1中，因为抗反射层ARL不是以单独的膜形式设置，而是通过沉积或形成在诸如光学层OPL等的组件上而直接形成，所以在抗反射层ARL的侧表面ARL-L与显示面板DP的侧表面DP-L之间限定的公差可以为约0至约30μm。当在抗反射层ARL的侧表面ARL-L与显示面板DP的侧表面DP-L之间限定的公差大于30μm时，由于大的公差，一个或更多个实施例的单元显示装置DD-U1可能不能应用于拼接显示装置DD-T。因为拼接显示装置DD-T中的多个单元显示装置彼此接触并结合以显示一个图像，所以当抗反射层ARL的侧表面ARL-L与显示面板DP的侧表面DP-L之间限定的公差大于30μm时，各个相邻的单元显示装置的显示区域之间的距离增加，使得可能不能或不可期望实现显示一个图像的拼接显示装置。
如上所述，在包括一个或更多个实施例的抗反射层的单元显示装置中，设置在显示面板上的抗反射层不是膜形式，而是通过沉积等直接形成在外涂层的上表面上的层，使得与以膜形式设置的抗反射结构相比，抗反射层的侧表面与显示面板的侧表面之间的公差减小，因此，一个或更多个实施例的单元显示装置可以应用于拼接显示装置。
根据本公开的一个或更多个实施例，显示装置包括其中交替堆叠有具有不同的折射率同时均包含氮氧化硅的第一无机层和第二无机层的结构，因此，能够形成具有低反射率和高覆盖特性同时通过简单的工艺形成的抗反射层结构，使得显示装置可以具有改善的耐久性和可见度。
如这里所使用的，术语“基本上(基本)”、“约(大约)”和类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。如这里所使用的，“基本上(基本)”包括所陈述的值，并且意为：考虑到所讨论的测量和与具体量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)，在如由本领域普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“基本上(基本)”可以意为在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
此外，这里叙述的任何数值范围意图包括所述范围内包含的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括在所述最小值1.0与所述最大值10.0之间(并且包括所述最小值1.0和所述最大值10.0)的所有子范围，也就是说，具有等于或大于1.0的最小值且等于或小于10.0的最大值，诸如，以2.4至7.6为例。这里叙述的任何最大数值限度意图包括其中包含的所有较低数值限度，并且在本说明书中叙述的任何最小数值限度意图包括其中包含的所有较高数值限度。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确叙述这里明确叙述的范围内包含的任何子范围。
此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。
可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或软件、固件和硬件的组合来实现根据这里描述的本公开的实施例的发光装置、电子设备或任何其他相关装置或组件。例如，装置的各种组件可以形成于一个集成电路(IC)芯片上或单独IC芯片上。此外，装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实现，或者形成在一个基底上。此外，装置的各种组件可以是在一个或更多个计算装置中在一个或更多个处理器上运行、执行计算机程序指令并与用于执行这里描述的各种功能的其他系统组件交互的进程或线程。计算机程序指令存储在存储器中，存储器可以使用标准存储器装置(诸如，以随机存取存储器(RAM)为例)在计算装置中实现。计算机程序指令还可以存储在其他非暂时性计算机可读介质中(诸如，以CD-ROM、闪存驱动器等为例)。此外，本领域技术人员应当认识到，在不脱离本公开的实施例的范围的情况下，各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者具体计算装置的功能可以分布在一个或更多个其他计算装置。
尽管已经描述了本公开的实施例，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求及其等同物中阐述的本公开的精神和范围的情况下，这里可以在形式和细节上进行一个或更多个合适的改变。因此，本公开的技术范围不旨在限于本公开的详细描述中阐述的内容，而是旨在由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板；以及
抗反射层，在所述显示面板上，所述抗反射层包括多个无机层，所述多个无机层包括：多个第一无机层，具有第一折射率，并且每个第一无机层包括氮氧化硅；以及多个第二无机层，具有高于所述第一折射率的第二折射率，并且每个第二无机层包括氮氧化硅。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
在550nm的波长处，所述第一折射率为1.50至1.70；并且
在550nm的波长处，所述第二折射率为1.70至1.90。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个第一无机层和所述多个第二无机层交替堆叠。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中：
所述多个第一无机层包括1-1无机层和1-2无机层，
所述多个第二无机层包括2-1无机层和2-2无机层，并且
所述1-1无机层、所述2-1无机层、所述1-2无机层和所述2-2无机层顺序堆叠。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个第一无机层和所述多个第二无机层中的每个无机层的厚度为10nm至150nm。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当相对于所述多个第一无机层中的元素的总量的氧的量定义为第一氧含量，并且相对于所述多个第二无机层中的元素的总量的氧的量定义为第二氧含量时，所述第一氧含量大于所述第二氧含量。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当相对于所述多个第一无机层中的元素的总量的氮的量定义为第一氮含量，并且相对于所述多个第二无机层中的元素的总量的氮的量定义为第二氮含量时，所述第一氮含量小于所述第二氮含量。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
相对于所述多个第一无机层中的每个第一无机层的总量，所述多个第一无机层中的每个第一无机层包括23at％至26at％的氧、31at％至34at％的氮和41at％至44at％的硅；并且
相对于所述多个第二无机层中的每个第二无机层的总量，所述多个第二无机层中的每个第二无机层包括20at％至23at％的氧、35at％至38at％的氮和39at％至42at％的硅。
9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述显示面板与所述抗反射层之间的光学层，
其中，所述光学层包括：光控制层，在所述显示面板上；以及滤色器层，在所述光控制层与所述抗反射层之间。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述显示面板包括生成第一光的多个发光元件，并且其中，所述光控制层包括：
第一光控制单元，被构造为透射所述第一光；
第二光控制单元，被构造为将所述第一光转换为具有与所述第一光不同的波长的第二光；以及
第三光控制单元，被构造为将所述第一光转换为具有与所述第一光和所述第二光不同的波长的第三光。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述光学层还包括在所述滤色器层上的外涂层，并且其中，所述抗反射层与所述外涂层的上表面接触。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中：
所述外涂层的折射率为1.45至1.53，并且
所述外涂层的厚度为3μm至10μm。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述抗反射层还包括在所述多个无机层上的低折射率层，并且其中，所述低折射率层的上表面限定所述抗反射层的最外周表面。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述低折射率层的折射率为1.3至1.5。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述抗反射层的上表面的反射率为2％或更小。
16.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板；以及
抗反射层，在所述显示面板上，所述抗反射层包括多个无机层，所述多个无机层包括：多个第一无机层，每个第一无机层包括氮氧化硅；以及多个第二无机层，每个第二无机层包括氮氧化硅，
其中，当相对于所述多个第一无机层中的元素的总量的氧的量定义为第一氧含量，并且相对于所述多个第二无机层中的元素的总量的氧的量定义为第二氧含量时，所述第一氧含量大于所述第二氧含量。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，当相对于所述多个第一无机层中的所述元素的所述总量的氮的量定义为第一氮含量，并且相对于所述多个第二无机层中的所述元素的所述总量的氮的量定义为第二氮含量时，所述第一氮含量小于所述第二氮含量。
18.根据权利要求16所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述显示面板与所述抗反射层之间的光学层，其中，所述光学层包括：
光控制层，在所述显示面板上；
滤色器层，在所述光控制层与所述抗反射层之间；以及
外涂层，在所述滤色器层上，其中，所述抗反射层直接在所述外涂层上。
19.一种拼接显示装置，所述拼接显示装置包括沿着至少一个方向的多个单元显示装置，其中，所述多个单元显示装置中的每个单元显示装置包括：
显示面板；以及
抗反射层，在所述显示面板上，所述抗反射层包括多个无机层，所述多个无机层包括：第一无机层，具有第一折射率，并且包括氮氧化硅；以及第二无机层，与所述第一无机层的上表面或下表面中的任一个接触，具有高于所述第一折射率的第二折射率，并且包括氮氧化硅。
20.根据权利要求19所述的拼接显示装置，其中，所述抗反射层的侧表面和所述显示面板的侧表面限定一个对准的侧表面。
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