CN117999658A - 光电装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种光电装置，该光电装置具有：发射器(1)，该发射器被设置为发射电磁辐射(2)和以输入电压(UI)来运行；用于发射器的载体(7)，该该载体具有顶面(71)和底面(72)；第一接收器(3)，该第一接收器被设置为，接收电磁辐射(2)的至少一部分并且提供输出电压(UO)的至少一部分，其中，发射器(1)包括至少一个表面发射极(10)，发射器(1)的至少一个表面发射极(10)固定在载体(7)的顶面(71)上并且穿过载体(71)辐射电磁辐射(2)的至少一部分，第一接收器(3)包括至少一光电二极管(30)，和第一接收器(3)布置在载体(7)的底面(72)上。

Description

光电装置
技术领域
本发明涉及一种光电装置。
本发明的目的在于实现特别紧凑的光电装置。
发明内容
根据光电装置的至少一个实施形式，光电装置包括发射器，该发射器被设置为，发射电磁辐射并且以输入电压来驱动发射器。在发射器中例如涉及到部件，该部件产生在红外线辐射和UV辐射之间的波长范围的电磁辐射。特别地，发射器为此被设置为，在运行中产生在波长范围为至少350nm至最多1100nm内的电磁辐射，该波长范围特别是在波长范围为至少800nm至最多950nm内的电磁辐射。
根据本装置的至少一个实施形式，该装置包括第一接收器，该第一接收器为此设置为，接收电磁辐射的至少一部分并且提供输出电压的至少一部分。第一接收器特别为此被设置为，接收在运行中从发射器发射的电磁辐射的至少一部分并且将接收的电磁辐射的至少一部分转化为电能。第一接收器能在此特别与发射器相配合，使得对于从发射器产生的电磁辐射来说第一接收器具有特别高的吸收。光电装置能包括正好一个接收器。此外，光电装置包括两个、三个、四个或更多的接收器是可行的。
根据光电装置的至少一个实施方式，发射器包括至少一个表面发射极。对于表面发射极当前理解为发射辐射的构件，该构件在横向上，特别是垂直于装配表面的方向上辐射在运行中产生的电磁辐射，在装配表面上发射辐射的构件被装配。特别的，表面发射极涉及半导体构件，该半导体构件具有外延伸长的半导体本体。然后，该方向能够特别平行于半导体本体的伸长方向，在该方向上电磁辐射在运行中辐射。半导体本体能例如基于半导体材料，诸如In(Ga)N、In(Ga)AlP、(Al)GaAs、(In)GaAs。
例如，表面发射极能涉及到发光二极管或激光二极管，特别是涉及到超辐射发光二极管或VCSEL(发射器)。发射器能在此包含多个表面发射极，该表面发射极能彼此串联和/或并联连接。然后，发射器的输入电压由相应的电压计算，表面发射极借助电压被运行。
根据光电装置的实施形式的至少一个，第一接收器包括至少一个光电二极管。光电二极管能包括具有至少一个检测层的半导体本体，该检测层为此设置为，吸收从至少一个表面发射极在运行中产生的电磁辐射并且转化成电能。例如在相同的材料体系中，如至少一个表面发射极或在另一个材料体系中至少一个光电二极管能被构造。特别的，接收器能包括多个光电二极管，该光电二极管能彼此串联或并联连接。然后根据各个光电二极管上的电压降相应地计算接收器的输出电压。
根据光电装置的至少一个实施形式，光电装置包括用于发射器的载体，该载体具有顶面和底面。顶面涉及载体的主表面，其例如能被设计为平的或平面的。然后，底面涉及发射器的朝向顶面的其他的主表面。在载体中伸长基底能涉及发射器的至少一个表面发射极。此外，载体不是用于至少一个表面发射极的生产基底是可行的。然后，伸长基底能去除并且被载体替换掉。
载体涉及发射器的机械支撑组件，发射器的至少一个表面发射极以机械的方式固定至组件上，并且至少一个表面发射极由组件以机械的方式支撑。
根据光电装置的至少一个实施形式，发射器的至少一个表面发射极固定至载体的顶面上并且辐射穿透载体在运行中产生的电磁辐射的至少一部分。这说明，该载体对于产生的电磁辐射来说是能穿透的，该载体特别是透明的。
根据光电装置的至少一个实施形式，第一接收器布置在载体的底面上。在此，第一接收器能相对于底面隔开或第一接收器和载体彼此直接接触。为此情况，第一接收器和载体被布置为彼此隔开，第一接收器和载体之间的机械连接例如能经由壳体促成。
根据至少一个实施方式，光电装置包括发射器，该发射器被设置为，发射电磁辐射并且以输入电压来运行；用于发射器的载体，其具有顶面和底面；第一接收器，其为此目的被设置为，接收电磁辐射的至少一部分并且提供输出电压的至少一部分。在此，发射器包括至少一个表面发射极。至少一个表面发射极固定至载体的顶面上并且穿过载体辐射电磁辐射的至少一部分。第一接收器包括至少一个光电二极管并且布置在载体的底面上。
此外，在此描述的光电装置以下面的考虑作为基础。
例如在声学中，辐射控制技术例如MEMS(微电子机械系统)、致动器，探测器，诸如雪崩光电二极管、单光子雪崩二极管或光电倍增器，许多应用要求具有相对小的电流消耗的高压电源。此类应用能要求超过50V、100V、500V、1000V、2000V、10000V等的电压，同时在尺寸、重量、成本和能耗方面应该保持小的器件占用空间。这些特性对于移动器件特别重要，例如AR(扩增实境)-VR(虚拟实境)-眼镜、能穿戴入耳式耳机和汽车应用。
具有小占地需求的高压发电机要解决的另一个问题是低压路径和高压路径的连接，这些路径应该进行电隔离，以确保器件在变化的环境条件(如温度、湿度、灰尘等)下的功能可靠性和长期稳定性。
这里描述的光电装置能有利地用作光学电压转换器或者能是这样的电压转换器。此外，利用这里描述的光电装置能将输入侧的高压转换为接收器处的低压是可行的。此外，利用本装置交流电压能转换为直流电压，反之亦然。最后，利用本装置还能以电流隔离的方式将能源从发射器侧传输至接收器侧，而不存在电压变化。
在此描绘的光电装置能例如形成不需要感应元件的变压器，特别是不需要线圈的变压器。一方面，与传统变压器相比，这使得安装空间特别小，另一方面，在变换过程中不会产生强磁场。由此也排除了外部磁场和/或电场的影响。因此，光电装置被使用在区域中，对此磁影响是至关重要的或其设有高外部磁场。同时，光电装置中的光功率传输确保高压侧和低压侧的电流隔离。
通过消除使用开关元件的需要，例如升压变换器或降压变换器的情况，或者感应变压器所必需的，生成的输出电压能不受干扰。特别是当用于小空间内的测量系统和/或监控系统时是该情况，该系统对电源电压的干扰反应敏感。
对此情况，在输入电压大于输出电压的情况下，能利用以下事实：接收器侧汲取的最大功率与发送器侧馈入的功率成正比。由此，监视发射器侧的电流和电压的变化是可行的。例如，这可用于高电压的电隔离监控。由于发射器的非线性特性，能够在发射器侧生成特别良好定义的脉冲，其在纯电子解决方案(例如开关电源)中不是这种情况。
这里描述的装置的另一个想法是，将半导体发光极和光电二极管(即光伏电池)结合起来，以实现从低压至高压的转换。为此，例如并联连接的一个或多个表面发射的半导体激光器、发光二极管或超辐射发光二极管在低压路径上发射光。发射光的波长能位于350nm和1100nm之间，取决于所使用的半导体材料，例如：In(Ga)N、In(Ga)AlP、(Al)GaAs、(In)GaAs。典型的输入电压为1V、3V、5V、8V、10V或在这其中。
在与低压侧电隔离的高压侧上，以光伏模式工作的串联光电二极管阵列来收集发射的光。根据所使用的材料(例如Si、InGaAs、GaAs、InGaN或钙钛矿)，每个单独的光电二极管会产生在数量级上0.5V-3V的电压和取决于入射光强度的电流。通过使用大量光电二极管，该光电二极管全部能串联在非常小的晶圆尺寸上，这些单独的电压加起来能超过10V、50V、100V、500V、1000V、10000V的高的总电压。
发射器的高输出功率使得仅使用单个或少量表面发射极来照亮光电二极管是可行的，从而减少了发射器侧设备的尺寸和成本。
通过表面发射极的聚焦光锥，接收器的距离和面积也能被压缩至很小的尺寸。
总而言之，本装置在特别紧凑的部件中传输能量和/或转换电压。光电装置在此对外部影响例如电磁场不敏感。
根据光电装置的至少一实施方式，输入电压小于输出电压，并且第一接收器或其他接收器包括多个光电二极管，该光电二极管彼此串联连接。在这种情况下例如其是可行的，即，发射器同样包括多个表面发射极，然后，例如该表面发射极彼此并联。特别地，发射器的输入电压小于第一接收器或其他接收器的输出电压。因此，装置为此被设置为，低输入电压转换为高输出电压。第一接收器和如有必要的话其他接收器能为此包括多个光电二极管，例如至少10个光电二极管，特别包括至少50个或至少100个单独的光电二极管。通过光电二极管的数量，该光电二极管彼此并联，输出电压能以简单的方式被调整。
根据光电装置的至少一个实施方式，输入电压大于输出电压并且发射器包括多个表面发射极，该表面发射极彼此串联连接。在此，其特别是可行的，即，光电装置包括更多作为光电二极管的表面发射极。此外其是可行的，即，该装置在第一接收器和如有必要的话在其他的接收器的情况下包括多个光电二极管，该光电二极管至少部分地彼此并联。使用该装置其是可行的，即，将高的输入电压转化为低的输出电压。
根据光电装置的至少一个实施形式，发射器包括表面发射极的两个串联连接，该表面发射极彼此反并联连接。以这种方式通过该装置能将交流电压转变为直流电压。特别地，高交流电压能被变换为较低的，如有必要的话脉冲的直流电压。
根据光电装置的至少一个实施形式，该装置包括其他接收器，该装置被设置为，接收电磁辐射的一部分和提供输出电压的一部分，其中，每个另外的接收器包括至少一个光电二极管。特别地，每个另外的接收器包括多个光电二极管。光电装置的各个接收器能在此例如相同的构造并且分别包括相同数量的光电二极管。是否输入电压小于输出电压或者输入电压大于输出电压是视情况而定的，各个接收器的光电二极管相应的彼此连接。例如该情况是可行的，即，输入电压小于输出电压和所有接收器的光电二极管彼此串联连接。
根据光电装置的至少一个实施形式，光电装置包括第二接收器，该第二接收器被布置在载体的顶面上。也就是说，在该实施形式中第一接收器布置在载体的底面上和第二接收器布置在载体的顶面上。然后，发射器的表面发射极发射电磁辐射穿过载体到达第一接收器和从载体出发到达第二接收器。
在表面发射极中特别地涉及到两侧发射的表面发射极。第二接收器能与表面发射极直接接触。此外，其是可行的，即，第二接收器和发射器彼此间隔布置。在此，其是可行的，即，在发射器和第二接收器之间存在机械连接，该连接例如能通过壳体获得。
根据光电装置的至少一个实施形式，第三接收器和/或第四接收器和/或第五和/或第六接收器布置在发射器的侧面。例如其是可行的，即，发射器布置在中部。在发射器下面，在载体的底面上布置有第一接收器，在载体上方布置有第二接收器。然后，在发射器的旁边的侧面能布置有第三接收器和/或第四接收器。第五接收器和第六接收器能布置在发射器前面和发射器后面。
在此特别地其是可行的，即，分束器布置在载体的顶面和/或底面上的发射器的下游。利用分束器，能将发射器在顶面或底面上发射的电磁辐射的一部分重定向至第三接收器和/或第四接收器和/或第五接收器和/或第六接收器，并且将电磁辐射的一部分重定向至第一接收器和/或重定向至第二接收器。以此方式，能通过单个发射器照射特别多的光电二极管并且能实现光电装置的特别紧凑的结构。
根据光电装置的至少一个实施形式第一接收器与载体直接接触。以此方式，电磁辐射能通过载体被特别有效地带到第一接收器，并且载体能代表用于第一接收器的光电二极管的机械支撑组件。在此其是可行的，即，第一接收器的至少一个光电二极管被布置在载体的底面上。键合能例如通过直接键合来实现。除此以外其是可行的，即，在载体和第一接收器的光电二极管之间的材料结合的连接通过连接材料(例如粘合材料)构成。该连接材料能同时充当光导，该光导用于将电磁辐射从载体的底面引导至光电二极管的辐射进入表面。
替代地其是可行的，即，第一接收器的至少一个光电二极管在载体的底面上外延地伸长。在这种情况下，载体代表第一接收器的光电二极管的伸长基底。
在此其特别是可行的，即，替代地或附加地发射器的至少一个表面发射极在载体的顶面上外延地伸长。然后，换言之载体代表发射器的表面发射极的伸长基底。然后，载体也能特别代表发射器的表面发射极和第一接收器的光电二极管的伸长基底。由此光电装置的特别紧凑的结构是可行的，并且电磁辐射能特别无损耗地从表面发射极被传导至光电二极管。
附图说明
在下文中借助实施例和相关附图对在此描述的光电装置进行更详细地阐述。
借助图1、图2、图3、图4、图5的示例性的剖面图，在此描述的光电装置的实施例被更详细地阐述。
相同的、同类的或相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图和在附图中描述的元件的大小比例相互间不能按照比例尺来考虑。更确切地说为了更好的描述能力和/或为了更好地理解，单独的元件能够被过分大地描述。
具体实施方式
结合图1的示例性的剖面图，在此描述的光电装置的第一实施例被更详细地阐述。
光电装置包括发射器1，该发射器被设置为发射电磁辐射2。为此，发射器1以输入电压UI来运行。
发射器1包括载体7，载体具有顶面71和底面72。此外，光电装置包括第一接收器3，该第一接收器被设置为，接收发射器1的电磁辐射2的一部分并且将至少一部分接收的辐射转化成电流。第一接收器3在此提供输出电压UO的一部分。
在图1的实施例中，发射器包括多个表面发射极10，其中，例如分别涉及到VCSEL芯片。表面发射极被固定在载体7的顶面71上。通过载体7辐射电磁辐射2的至少一部分。
第一接收器3包括多个光电二极管30，该光电二极管被施加在第一载体31上并且其朝向载体7的底面72。由此，第一接收器3布置在载体7的底面72上。
具有用于光电二极管30的第二载体41的第二接收器4布置在载体7的顶面71上。第二接收器4的光电二极管30在此朝向表面发射极10。第二接收器4的光电二极管30为此被设置为，接收电磁辐射2的一部分并且提供一部分的输出电压UO。例如，第一接收器3和第二接收器4的全部光电二极管30彼此被串联在一起也是可行的。
第一接收器3和第二接收器4能够例如被设计成相同的。然后，例如第一接收器3和第二接收器4是结构相同的。发射器1、第一接收器3和第二接收器4能布置在共同的壳体8内，壳体能够利用电绝缘材料被填充，例如利用气体或透明的塑料材料。
第一接收器3的光电二极管30的数量与在图1的实施例中表面发射极的数量相符并且与第二接收器4的光电二极管30的数量相符。
例如，在发射器1中能涉及由VCSEL组成的阵列，作为表面发射极10的VCSEL包括，其从两侧辐射出电磁辐射，即，从其的上面和其的下面辐射。
在第一接收器3和在第二接收器4中分别涉及光电二极管阵列。由于各个表面发射极10的电磁辐射2的清晰的和对称的辐射轮廓，每个表面发射极10分别照亮两个接收器的光电二极管。电磁辐射2到达第二接收器4，电磁辐射通过材料传播，壳体8以该材料填充。电磁辐射2被辐射至第一接收器3，电磁辐射通过载体7辐射，载体被设计为对于电磁辐射2来说是透明的。
表面发射极10能在此包括两侧发射的VCSEL或者它包括双异质结构，该异质结构由两个直接重叠伸长的VCSEL组成。在此，每个VCSEL部分能包括具有两个透镜对的相应的谐振器，例如DBR-透镜。表面发射器10的VCSEL能在此被设计为，它在不同的波长中发射，其中，上面的VCSEL在第二接收器4的方向上辐射电磁辐射2，上面的VCSEL例如在GaAs材料体系中能被构造。有利地，然后，第二接收器4的光电二极管30同样在GaAs材料体系中形成，由此光电二极管30的吸收与表面发射极1的电磁辐射2相协调。
下面的VCSEL朝向第一接收器3，然后能例如在材料体系InGaAs中构造。然后，在载体7中能涉及伸长基底，该伸长基底例如由GaAs组成或者包含GaAs。第一接收器3包括同样在材料体系InGaAs中设计的光电二极管30。
该实施方式特别地是有优势的由于基于GaAs的光电二极管的提高的率。在实施方式中得出作为另外的优势，即，表面发射极10是成本有益的并且电磁辐射2的发射能在两个方向上直接映射至光电二极管30上。由此在小的部件尺寸的情况下更高的输出电压UO是可行的。此外，该结构使得在电磁辐射2的两个不同波长的情况中运行是可行的。
缺点是在载体7中电磁辐射2的散射是可行的。壳体8用于光电装置的组件的机械连接是必要的并且第一接收器1的光电二极管30必须具有较小的带隙，由此穿过GaAs基底的电磁辐射2不会被吸收。为此，光电二极管在材料体系InGaAs或Si中是必要的，其能导致效率损耗。
结合图2的实施例光电装置被描述，其中，与图1的装置不同的是在第一接收器3和发射器1之间存在直接接触。为此，在底面72的第一接收器3的光电二极管30，例如被晶圆键合(wafer bonding)至载体7上。
为此，载体7被设计为电隔离，以便阻挡由输出电压UO和输入电压UI之间的电势差产生的高电场。例如，输出电压UO在此位于在1000V的区域内和输入电压位于在3V的区域内。这类型的电隔离例如由此能被实现，载体7在载体的底面72上包括电隔离层，其例如能由几微米厚的SiN层来构成。例如，输入电压UI与输出电压UO之间每1000V电势差该层的厚度在至少2μm和至多3μm之间。
在本实施例中得出缺点为，载体7的电隔离是必要的。这有利地得出表面发射极10和第一接收器3的光电二极管30之间的更容易地调节以及减小的尺寸，特别是壳体8的尺寸。
结合图3的示例性的剖面图来更详细的阐述在此描述的光电装置的另一个实施例。与图3的实施例不同的是，在实施例中第二接收器4的光电二极管30与发射器1直接接触。
为此，光电二极管30能键合在相应的相对的表面发射极10上，其中，例如涉及VCSEL芯片。由此每个光电二极管30对准在表面发射极10的孔径上。该情况导致装置的进一步的变小，然而要求在表面发射极10和光电二极管30之间的足够的电隔离，例如，如图2所描述的介电层。
两个接收器3、4和发射器1在晶圆平面上的对准能实现，这证实是有优势的。由此，在壳体8中的应用的情况下调整是没有必要的，其对于制造来说进一步减少了花费。这能证实是有缺点的，即，在表面发射极10和第二接收器4的光电二极管30之间电绝缘是必要的，并且相比于图2的实施例来说各个表面发射极10以及第二接收器2的各个光电二极管30的连接是复杂化的。
结合示例性的图4的剖面图，在此描述的装置的另一个实施例更详细地被阐述。与前述实施例不同的是，第一接收器3的光电二极管30在图4的实施例中外延地施加至载体7上。此外，表面发射极10外延地伸长至载体7，这是可行的。在图4的实施例中，在此只存在接收器3。然而添加其他接收器是可行的，该情况例如结合图1至3和5的实施例来示出。
例如，表面发射极10首先在载体7的顶面71上外延地伸长。载体7的底面72，稍后在底面上光电二极管30外延地被分离，载体的底面能同时通过第一牺牲层来保护，牺牲层例如利用SiO2来构成。牺牲层在光电二极管30的伸长之前被去除，光电二极管在伸长之后能通过另外的牺牲层和保护层被覆盖。
表面发射极10能在光电二极管30的伸长期间通过牺牲层来保护，该牺牲层例如以InGaP或具有高的铝含量的AlGaAs来构造。在伸长之后表面发射极10和光电二极管30的处理从载体7的两侧进行。为了用于表面发射极10和光电二极管30的电流路径彼此电隔离，其是有优势的，即，在载体7和光电二极管30之间引入外延制造的绝缘体，其例如通过高铝含量的AlGaAs-氧化层或具有至少2.5μm的厚度的超晶格对于1000V的势差能构造。特别紧密的装置具有以下优点，其中，晶圆键合是没有必要的。此外，在制造中得到特别小的材料成本，因为，只有唯一的伸长基底(载体7)得到使用。然而，在制造中特别仔细地操纵载体7是必要的，因为在载体的两侧上发生外延的伸长。
结合图5借助示例性的剖面图更详细地阐述在此描述的装置的另一个实施例。例如，不同于图1的实施例，装置包括带光电二极管30的第三载体51的第三接收器5和带光电二极管30的第四载体61的第四接收器6，其分别被布置在发射器1的侧面。
为此，分束器9被施加在壳体8中，分束器分别被布置在发射器1和第一接收器3以及第二接收器4之间。分束器转换表面发射极10的电磁辐射进入不同的方向，例如，90°。分束器9能例如被设计为金字塔形状的。
此外，装置能不包括描述的接收器，例如，第五接收器和第六接收器，其被布置在发射器1之前和之后。所有的接收器的全部光电二极管30能被串联在一起。为了装置的机械稳定性，在壳体8中的装置的组件之间的自由空间以透明的绝缘材料来填充，例如塑料诸如硅酮和/或环氧树脂。
优点是发射的投射在光电二极管30上能在多达六个方向上进行，这提供了具有相同数量的光电二极管30的特别紧凑的部件。在此，在小的部件尺寸的情况下高电压是可行的，并且图1描述的在两个不用波长的情况下运行也是可行的。缺点是在壳体8中的调整是昂贵的。
总的来说，在此描述的装置在特别小的部件尺寸的情况下在输入电压UI和输出电压UO之间存在大的不同是可行的。在部件中使用表面发射极10，该表面发射极通过载体7辐射出表面发射极的辐射的一部分。为此，为了在表面发射极10中产生的辐射载体7被设计为透明的，其例如，对于表面发射极在GaAs基底上的InGaAs材料体系中或者在GaN/蓝宝石基底上的基于InGaN的表面发射极中是可行的。
例如，如果在材料体系InGaAlP中发射极被使用作为表面发射极，其在GaAs上作为伸长基底伸长，因此这个伸长基底对于产生电磁辐射来说就不是透明的。在这种情况下伸长基底能被分离并且由透明载体7所替换。出于效率的原因，相邻光电二极管30之间的空间不被照亮，因为否则该辐射2将不会有助于电压转换。当使用高性能VCSEL作为表面发射器10时，将来自表面发射器的电磁辐射2分配至几个接收器上，被证明是特别有利的，因为对于这些表面发射器10的光功率将超过用于光电二极管30用于饱和所需的强度。
本发明被基于实施例的描述所限制。相反，本发明包括每个新特征和特征的每个组合，其特别地包括专利权利要求中的特征的每个组合，即使该特征或该组合本身没有在专利权利要求或实施例中明确地陈述。
附图标记列表
1 发射器
2 电磁辐射
3 第一接收器
4 第二接收器
5 第三接收器
6 第四接收器
7 载体
8 壳体
9 分束器
10 表面发射极
31 第一载体
41 第二载体
51 第三载体
61 第四载体
71 顶面
72 底面
UO 输出电压
UI 输入电压。

Claims (13)

1.一种光电装置，包括：
-发射器(1)，所述发射器被设置用于发射电磁辐射(2)并且利用输入电压(UI)来运行，
-用于所述发射器(1)的载体(7)，所述载体具有顶面(71)和底面(72)，
-第一接收器(3)，所述第一接收器被设置用于接收所述电磁辐射(2)的至少一部分并且提供输出电压(UO)的至少一部分，其中，
-所述发射器(1)包括至少一个表面发射极(10)，
-所述发射器(1)的至少一个所述表面发射极(10)被固定至所述载体(7)的所述顶面(71)并穿过所述载体(7)辐射所述电磁辐射(2)的至少一部分，
-所述第一接收器(3)包括至少一个光电二极管(30)，以及
-所述第一接收器(3)被布置在所述载体(7)的所述底面(72)上。
2.根据前一项权利要求所述的光电装置，其中，所述输入电压(UI)小于所述输出电压(UO)，并且所述第一接收器(3)包括多个光电二极管(30)，所述光电二极管彼此串联连接。
3.根据权利要求1所述的光电装置，其中，所述输入电压(UI)大于所述输出电压(UO)，并且所述发射器(1)包括多个表面发射极(10)，所述表面发射极彼此串联连接。
4.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，所述光电装置包括另外的接收器(4，5，6)，所述另外的接收器被设置用于接收所述电磁辐射(2)的一部分并且提供输出电压(UO)的一部分，其中，每个另外的接收器(4，5，6)包括至少一个光电二极管(30)。
5.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，所述光电装置具有第二接收器(4)，所述第二接收器被布置在所述载体(7)的所述顶面(71)上。
6.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，其中，所述发射器(1)和第二接收器(5)彼此直接接触。
7.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，所述光电装置包括布置在所述发射器(1)的侧面的第三接收器(5)和/或第四接收器(6)和/或第五接收器和/或第六接收器。
8.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，其中，分束器(9)在所述载体(7)的所述顶面(71)和/或所述底面(72)上被布置在所述发射器的下游。
9.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，其中，所述第一接收器(3)与所述载体(7)直接接触。
10.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，其中，所述第一接收器(3)的至少一个所述光电二极管(30)键合至所述载体(7)的所述底面(72)。
11.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，其中，所述第一接收器(3)的至少一个所述光电二极管(30)在所述载体(7)的所述底面(72)上外延地伸长。
12.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，其中，所述发射器(1)的至少一个所述表面发射极(10)在所述载体(7)的所述顶面(71)上外延地伸长。
13.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，其中，所述第一接收器(3)的至少一个所述光电二极管(30)在所述载体(7)的所述底面(72)上外延地伸长并且所述发射器(1)的至少一个所述表面发射极(10)在所述载体(7)的所述顶面(71)上外延地伸长。
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