CN117978120A - 弹性波装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种弹性波装置，包含具有形成共振器的功能面与相反于所述功能面的背面的装置芯片。所述装置芯片包含压电体。所述功能面具有在被预定的边界包围的平面内设置所述共振器的主面部，与所述主面部以外的辅助面部。所述装置芯片中所述主面部与所述背面包夹的部分所构成的主要部的体积中压电体的占比，大于所述装置芯片中所述辅助面部与所述背面包夹的部分所构成的辅助部的体积中压电体的占比。借此，能合理地提供容易将构成所述弹性波装置的装置芯片的热散发到外部，并且不会让结构与制造方法复杂化的结构。

Description

弹性波装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种适用于移动通信机器等且作为频率滤波器的弹性波装置的改良，及适用于制造所述弹性波装置的制造方法。

背景技术

一种用于移动通信机器等且作为频率滤波器的弹性波装置，是借由凸块将装置芯片安装在封装基板而制成(参阅图12)。

图12中，编号100是封装基板、编号101是装置芯片、编号102是凸块、编号103是形成在邻近所述装置芯片101的一侧的凸块焊垫(电极焊垫)、编号104是形成在邻近所述封装基板100的一侧的凸块焊垫(电极焊垫)、编号105是用于将弹性波装置连接于主板的外部电极焊垫。所述装置芯片101与所述封装基板100间形成和所述凸块102与所述凸块焊垫103、104的厚度大小相当的间隙。所述封装基板100的一面形成将所述间隙气密密封的密封树脂层106，而让所述弹性波装置具有中空结构107(内部空间或空腔)。所述装置芯片101包含在面向所述中空结构部107的区域设有IDT电极的共振器108等功能元件。

在此，弹性波装置中因为插入损失(Insertion Loss)产生不少的热，但是构成装置芯片的压电体的热传导率差且散热性不佳。用作压电体的钽酸锂或铌酸锂的热传导率约为4～6W/mK。

发明内容

[发明欲解决之课题]

本发明所要解决的问题在于，针对这类的弹性波装置，合理地提供容易将装置芯片的热散发到外部，并且不会让结构与制造方法复杂化的结构。

[用以解决课题的手段]

为了达成上述目的，本发明的弹性波装置包含具有形成共振器的功能面与相反于所述功能面的背面的装置芯片，所述装置芯片由压电体构成；

所述功能面具有在被预定的边界包围的平面内设置所述共振器的主面部，与所述主面部以外的辅助面部；

所述装置芯片中所述主面部与所述背面包夹的部分所构成的主要部的体积中压电体的占比，大于所述装置芯片中所述辅助面部与所述背面包夹的部分所构成的辅助部的体积中压电体的占比。

本发明的一种形态，所述辅助部的整体或一部分的热传导率高于所述主要部的热传导率。

本发明的一种形态，所述辅助部的整体或一部分，由热传导率高于所述压电体的热传导率的陶瓷形成。

本发明的一种形态，所述主面部中被预定的边界包围的平面内设置所述共振器。

本发明的一种形态，所述装置芯片是四边形的板状结构，所述装置芯片的四个角部附近的区域，和横跨于所述角部间的四个缘部附近的区域为所述辅助面部。

本发明的一种形态，所述功能面具有多个所述主面部，相邻的所述主面部所包夹的区域也为所述辅助面部。

本发明的一种形态，所述辅助面部上形成凸块焊垫与布线图案。

本发明的一种形态，每一所述主面部被所述辅助面部包围，且所述辅助面部位于所述主面部与所述装置芯片的缘部间。

本发明的一种形态，所述装置芯片包括构成所述主要部的岛状残留部、位于所述岛状残留部周围且形成比所述主面部更靠近所述背面一侧的接收面的蚀刻加工部，及层叠在所述蚀刻加工部的所述接收面上并且构成所述辅助部的回填部。

本发明的一种形态，所述辅助面部上形成凸块焊垫，所述凸块焊垫上形成凸块。

并且，为了达成上述目的，本发明的弹性波装置包含具有形成共振器的功能面与相反于所述功能面的背面的装置芯片；

所述功能面具有在被预定的边界包围的平面内设置共振器的主面部，与所述主面部以外的辅助面部；

所述装置芯片中所述辅助面部与所述背面包夹的部分所构成的辅助部的热传导率，大于所述装置芯片中所述主面部与所述背面包夹的部分所构成的主要部的热传导率。

本发明的一种形态，所述装置芯片包含热传导率为10W/mK以上的物质，所述辅助部的体积中热传导率为10W/mK以上的物质的占比，大于所述主要部的体积中热传导率为10W/mK以上的物质的占比。

本发明的一种形态，所述弹性波装置包括构成所述主要部的岛状残留部、位于所述岛状残留部的周围且形成比所述主面部更靠近所述背面侧的接收面的蚀刻加工部，及层叠在所述蚀刻加工部的所述接收面上且构成所述辅助部的回填部。

本发明的一种形态，所述主面部中被预定的边界包围的平面内设置所述共振器。

本发明的一种形态，所述装置芯片是四边形的板状结构，所述装置芯片的四个角部附近的区域，和横跨于所述角部间的四个缘部附近的区域为所述辅助面部。

本发明的一种形态，所述功能面具有多个所述主面部，相邻的所述主面部所包夹的区域也为所述辅助面部。

本发明的一种形态，所述辅助面部上形成凸块焊垫与布线图案。

本发明的一种形态，每一所述主面部被所述辅助面部包围，且所述辅助面部位于所述主面部与所述装置芯片的缘部间。

本发明的一种形态，所述装置芯片包括构成所述主要部的岛状残留部、位于所述岛状残留部周围且形成比所述主面部更靠近所述背面一侧的接收面的蚀刻加工部，及层叠在所述蚀刻加工部的所述接收面上并且构成所述辅助部的回填部。

本发明的一种形态，所述辅助面部上形成凸块焊垫，所述凸块焊垫上形成凸块。

并且，为了达成上述目的，本发明的弹性波装置的制造方法包含：

在预定形成所述装置芯片的晶圆的一面形成共振器的步骤；

在所述晶圆的另一面预定成为所述装置芯片的主要部的区域形成掩膜，并且蚀刻预定成为所述装置芯片的辅助部的区域的步骤；及

在被蚀刻过的区域层叠和回填陶瓷。

发明效果

根据本发明，通过在所述装置芯片形成主要部与辅助部，能合理地提供容易将构成所述弹性波装置的装置芯片的热散发到外部，并且不会让结构与制造方法复杂化的结构。因此，经由所述辅助部能让热容易地逸散至所述装置芯片的外部，并适当地提升所述弹性波装置的功率耐久性等可靠度。

附图说明

图1是本发明的一实施形态的构成弹性波装置的装置芯片的剖视结构图。

图2是沿图1的剖线B-B得到的，所述弹性波装置的剖视结构图。

图3是沿图1的剖线C-C得到的，所述弹性波装置的剖视结构图。

图4是沿图1的剖线D-D得到的，所述弹性波装置的剖视结构图。

图5是构成所述弹性波装置的装置芯片的斜视结构图。

图6是形成于所述装置芯片的共振器的结构示意图。

图7是形成于所述装置芯片的电路的结构示意图。

图8是所述弹性波装置的制造方法中的其中一步骤的平面结构图，示例形成所述装置芯片的晶圆的一部分。

图9是所述弹性波装置的制造方法的各步骤的局部剖视结构图，依照(a)、(b)、(c)、(d)的顺序进行。

图10是所述弹性波装置的制造方法的各步骤的局部剖视结构图，接续图9的步骤，依照(e)、(f)的顺序进行。

图11是图1～图10的所述弹性波装置的部分结构的变化例的剖视结构图。

图12是现有的弹性波装置的剖视结构图。

具体实施方式

以下将根据图1至图11说明本发明通常的实施形态。所述实施形态的弹性波装置1适合被用作移动通信机器等的频率滤波器。

所述弹性波装置1包含装置芯片3。所述装置芯片3以其设有共振器7的功能面3a对向封装基板2的一面2a地安装于所述封装基板2。

一般而言，所述装置芯片3是边长为0.5～1mm、厚度是0.15～0.2mm的四边形的板状结构。并且，所述封装基板2是边长为0.7～3mm、厚度为0.15～0.2mm的四边形的板状结构。所述弹性波装置1的厚度约为0.4～0.6mm。

如图2的剖视结构图所示。图中的编号3是装置芯片，编号3a是功能面，编号3b是与所述功能面3a相反的背面，编号7是共振器，编号3c是设置于所述装置芯片3的功能面3a(下文中称为所述装置芯片3侧)的凸块焊垫(电极焊垫)，编号2是封装基板，编号2b是设置于所述封装基板2的一面2a(下文中称为所述封装基板2侧)的凸块焊垫，编号4是金等导电性金属形成的凸块，编号2c是形成于所述封装基板2的一面2a的相反面，且用于让弹性波装置1连接图未示出的主板的外部电极焊垫。

包含所述共振器7的所述装置芯片3侧的电路9(如图7示例)与所述封装基板2的电路(图中省略)，经由介于所述装置芯片3侧的凸块焊垫3c和所述封装基板2侧的凸块焊垫2b间且固定于所述凸块焊垫2b、3c的所述凸块4而电连接。所述凸块焊垫2b、3c与所述凸块4由相容的金属构成，通常由金或铝构成并且彼此接合。

所述封装基板2的一面2a(所述装置芯片的安装侧的面)与面向所述一面2a的所述装置芯片3的功能面3a间，形成和所述凸块4与所述凸块焊垫2b、3c的厚度相当的间隙。

在所述封装基板2的一面2a上安装所述装置芯片3的状态下，于所述封装基板2的一面2a形成密封树脂层5。所述密封树脂层5覆盖所述装置芯片3中与所述功能面3a相反的背面3b，与沿着所述装置芯片3的厚度方向的侧面3d，并且借由从所述装置芯片3的外缘进入所述装置芯片3与所述封装基板2间的间隙，而包围所述装置芯片3的外周并将所述间隙气密密封。因此，形成位于所述装置芯片3的功能面3a与所述封装基板2的一面2a间的中空结构部6(内部空间或空腔)。

所述装置芯片3在所述功能面3a中面向所述中空结构部6的部分设有共振器7。

所述装置芯片3具备传播弹性波的功能。一般而言，所述装置芯片3使用钽酸锂或铌酸锂等的压电体3r。

图6示例一种用作SAW滤波器的共振器7。所述共振器7具有IDT电极7c、包夹所述IDT电极7c的反射器7d。所述IDT电极7c由电极对构成，每一所述电极对的多个电极指7e以其长向与弹性波的传播方向x相交地平行设置，多个所述电极指7e的其中一端以汇流条7f连接。在所述反射器7d中，以其长向与弹性波的传播方向x相交地平行设置的多个电极指7e的端部间以汇流条7f连接。

一般而言，所述共振器7是借由光刻技术(Photolithography)以导电性金属膜形成。

并且，也可以是多个所述共振器7形成在一个所述装置芯片3上。

图7示例在一个所述装置芯片3上设置的电路9。编号7a是输入输出端子间的串联的共振器，编号7b是输入输出端子间的并联的共振器，编号8是接地，编号9a是布线图案。所述共振器7的数量可以视需求而变化。换言之，可以借由图7的电路构成梯型滤波器。

所述装置芯片3的功能面3a由主面部3e与辅助面部3g构成。所述主面部3e是所述功能面3a的一部分，且为被预定的边界L包围的平面内设置所述共振器7的区域。所述辅助面部3g是所述功能面3a的一部分，且为所述主面部3e以外的区域。

所述边界L是设计所述装置芯片3时所设定的边界，图中示例的所述功能面3a无法被辨识出来。一般而言，如图6所示，与构成所述共振器7的图案间隔距离s约5μm的位置作为所述边界L。

如图1所示，所述边界L包括与所述装置芯片3的一边平行的边界L1(边界线)，和与另一边平行的边界L2。例如，图1中最上面的主面部3e，被设定为被图1中上下间隔的一对边界L1和图1中左右间隔的一对边界L2包围的左右延伸的长方形区域。

如图所示，在所述装置芯片3的功能面3a上形成多个共振器7，功能面3a上对应于多个所述共振器7的区域分别设定为多个主面部3e。

所述装置芯片3的功能面3a中，所述主面部3e以外的区域为所述辅助面部3g。如图1所示，一般而言，所述装置芯片3的四个角部3i附近的区域，和横跨于所述角部3i间的四个缘部3j附近的区域为所述辅助面部3g。并且，相邻的所述主面部3e所包夹的区域也设定为所述辅助面部3g。如图所示，所述辅助面部3g上形成所述凸块焊垫3c与布线图案9a(图1未示出)。如图所示，每一所述主面部3e是被所述辅助面部3g包围的状态，并且，所述辅助面部3g位于所述主面部3e与所述装置芯片3的缘部3j间的任意位置。

并且，在所述实施型态中，所述装置芯片3中所述主面部3e与所述背面3b包夹的部分所构成的主要部3f的体积中所述压电体3r的占比，大于所述装置芯片3中所述辅助面部3g与所述背面3b包夹的部分所构成的辅助部3h的体积中所述压电体3r的占比。

更具体地，所述主要部3f是指在所述装置芯片3中由所述主面部3e和所述装置芯片3的背面3b的一部分所包夹的区域，其中，所述装置芯片3的背面3b的一部分(以下，将该背面3b的一部分称为对应主要面部3k)具有在从垂直于所述装置芯片3的功能面3a的方向观察所述主面部3e时，与位于该主要面部3e正背面的主要面部3e实质上相等的宽度和仿照主要面部3e的轮廓。

并且，更具体地，所述辅助部3h是指所述装置芯片3中的所述主要部3f以外的区域。

弹性波装置中因为插入损失(Insertion Loss)产生不少的热，但是构成所述装置芯片3的压电体3r的热传导率差且散热性不佳。所述钽酸锂或铌酸锂的热传导率约为4～6W/mK。所述装置芯片3上设置所述主面部3e和与其对应的所述主要部3f，及所述辅助面部3g和与其对应的所述辅助部3h，并且所述主要部3f的体积中所述压电体3r的占比，大于所述辅助部3h的体积中所述压电体3r的占比，换句话说，所述辅助部3h的体积中所述压电体3r的占比，小于所述主要部3f的体积中所述压电体3r的占比的话，能通过所述辅助部3h将热逸散到所述装置芯片3的外部，而能提升所述弹性波装置的功率耐久性等可靠度。

一般来说，所述主要部3f的体积从所述主面部3e、所述对应主要面部3k，及所述装置芯片3的厚度(所述功能面3a与所述背面3b间的距离)算出。所述辅助部3h的体积是所述装置芯片3的总体积扣除所述主要部3f的体积。

较佳地，所述装置芯片3中所述辅助部3h的体积中热传导率为10W/mK以上的物质的占比，大于所述装置芯片3中所述主要部3f的体积中热传导率为10W/mK以上的物质的占比。

较佳地，所述辅助部3h的整体或一部分，是由热传导率比所述压电体3r的热传导率高的陶瓷形成。

较佳地，所述陶瓷通常是使用氮化铝、氮化硅或氧化铝。

虽然热传导率会随着陶瓷的形成条件而变动，但氮化铝的热传导率大约介于130～230W/mK，氮化硅的热传导率大约介于20～100W/mK，氧化铝的热传导率大约介于20～40W/mK。

更详细地，如图所示，所述装置芯片3包括构成所述主要部3f的岛状残留部3m、位于所述岛状残留部3m周围且形成比所述主面部3e更靠近所述背面3b一侧的接收面3o的蚀刻加工部3n，及层叠在所述蚀刻加工部3n的所述接收面3o上并且构成所述辅助部3h的回填部3p。

如图2～4所述，在下述形成所述装置芯片3的晶圆10(如图8所示)整体由所述压电体3r构成的情况下，所述岛状残留部3m在所述主面部3e到所述背面3b的范围内由所述压电体3r构成。

在这种情况下，所述回填部3p以热传导率高于所述压电体3r的热传导率的陶瓷构成，因此所述辅助部3h的体积中所述压电体3r的占比，可以小于所述主要部3f的体积中所述压电体3r的占比。

换句话说，所述辅助部3h的热传导率大于所述主要部3f的热传导率。因此，能通过所述辅助部3h将热逸散到所述装置芯片3的外部，而能提升所述弹性波装置的功率耐久性等可靠度。

另一方面，如图11所示，下述形成所述装置芯片3的晶圆10是由位于所述功能面3a侧的钽酸锂或铌酸锂形成的所述压电体3r，与由位于所述背面一侧的所述支撑体3s构成的层叠结构，在此情况下，所述岛状残留部3m在所述主面部3e侧以所述压电体3r构成，在所述背面3b侧以所述支撑体3s构成。所述支撑体3s例如由蓝宝石、硅、氧化铝、尖晶石、水晶或玻璃等构成。所述支撑体3s的热传导率小于10W/mK。在这种情况下，所述回填部3p由热传导率为10W/mK以上的物质构成，因此所述辅助部3h的体积中热传导率为10W/mK以上的物质的占比，高于所述主要部3f的体积中热传导率为10W/mK以上的物质的占比。

无论在哪一种情况下，所述装置芯片3的功能面3a整体由钽酸锂或铌酸锂形成的所述压电体3r构成。另一方面，如图1～10所示的情况下，所述装置芯片3的背面3b的所述对应主要面部3k由钽酸锂或铌酸锂形成的所述压电体3r构成，所述辅助面部3g由陶瓷构成，如图5所示，两者的边界L能被辨识出来。并且，在如图11所示的情况下，所述装置芯片3的背面的所述对应主要面部3k由所述支撑体3s构成，所述辅助面部3g由热传导率为10W/mK以上的物质构成，两者的边界L能被辨识出来。

所述蚀刻加工部3n的接收面3o与所述主面部3e间的所述装置芯片3的厚度方向3q上的距离越小，所述装置芯片3的厚度方向3q的所述回填部3p厚度越厚，越能提升散热性。

如图所示，借由形成于所述辅助面部3g上的所述凸块焊垫2b上的凸块4，所述装置芯片3与所述封装基板2接合，在所述主要部3f中产生的热从所述辅助部3h有效率地通过所述凸块4逸散到所述封装基板2一侧。

上述弹性波装置1根据以下的方法能适当且合理地被制造。所述实施型态的弹性波装置1的制造步骤的主要部分如图8～10所示。

首先，在预定形成所述装置芯片3的晶圆10的一面10a上，对应于预定构成每一所述装置芯片3的区域10b形成所述共振器7、所述凸块焊垫3c，及图未示出的布线图案9a(步骤1，如图8、图9中的(a)所示)。所述晶圆10通常由钽酸锂或铌酸锂的单结晶晶圆，或所述单结晶晶圆的薄晶圆与尖晶石等的所述支撑体3s晶圆接合而成，在采用工业标准化的直径4英寸晶圆10的情况下，每一所述晶圆10能产生约2万个所述装置芯片3。图8显示一部分的所述晶圆10，图中的标号10c代表切割道。

接着，在所述晶圆10的另一面10d预定形成所述装置芯片3的主要部3f的区域，具体而言，是预定形成所述对应主要面部3k的区域，形成掩膜11(步骤2，如图9中的(b)所示)。

接着，在所述晶圆10的另一面10d，对预定形成所述装置芯片3的所述辅助部3h的区域进行蚀刻(步骤3，如图9中(c)所示)。形成所述蚀刻加工部3n(凹处)，而在所述掩膜11正下方形成所述岛状残留部3m，并且露出在所述岛状残留部3m周围的所述接收面3o。较佳地，所述蚀刻以具有异向性的反应离子蚀刻法进行。

接着，去除所述掩膜11(步骤4，如图9中(d)所示)。

接着，在所述晶圆10中被蚀刻过的区域层叠和回填陶瓷12。

一般而言，以热传导率为10W/mK以上的所述陶瓷12形成所述晶圆10的另一面10d的全部层体后(步骤5，如图10中的(e)所示)，研磨所述陶瓷12层直到与所述岛状残留部3m的顶面(对应主要面部3k)基本等高，而形成平坦的所述背面3b(步骤6，如图10中的(f)所示)。较佳地，所述陶瓷12层的形成是使用几乎不会因为加热而影响所述装置芯片3的气溶胶沉积法(Aerosol deposition method)。

然后，在所述区域10b的凸块焊垫3c上分别形成凸块4。

接着，针对所述切割道10c进行切割，而从所述晶圆10产生多个独立的所述装置芯片3，

然后，以覆晶接合技术(Flip chip bonding)将从步骤5产生的所述装置芯片3安装于所述封装基板2形成的集合基板(图未示)。

最后，在形成所述封装基板2的集合基板(图未示)的所述装置芯片3的安装侧形成密封树脂层5，并对所述集合基板进行切割，而生产出具有本发明所述结构的弹性波装置1。

应当理解的是，本发明并不限于上述实施态样，而是包含能够实现本发明目的的所有实施态样。

Claims (21)

1.一种弹性波装置，包含具有形成共振器的功能面与相反于所述功能面的背面的装置芯片，所述装置芯片包含压电体，其特征在于：

所述功能面具有在被预定的边界包围的平面内设置所述共振器的主面部，与所述主面部以外的辅助面部；

所述装置芯片中所述主面部与所述背面包夹的部分所构成的主要部的体积中压电体的占比，大于所述装置芯片中所述辅助面部与所述背面包夹的部分所构成的辅助部的体积中压电体的占比。

2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：所述辅助部的整体或一部分的热传导率高于所述主要部的热传导率。

3.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：所述辅助部的整体或一部分，由热传导率高于所述压电体的热传导率的陶瓷形成。

4.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：所述主面部中被预定的边界包围的平面内设置所述共振器。

5.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：所述装置芯片是四边形的板状结构，所述装置芯片的四个角部附近的区域，和横跨于所述角部间的四个缘部附近的区域为所述辅助面部。

6.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：所述功能面具有多个所述主面部，相邻的所述主面部所包夹的区域也为所述辅助面部。

7.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：所述辅助面部上形成凸块焊垫与布线图案。

8.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：每一所述主面部被所述辅助面部包围，且所述辅助面部位于所述主面部与所述装置芯片的缘部间。

9.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：所述装置芯片包括构成所述主要部的岛状残留部、位于所述岛状残留部周围且形成比所述主面部更靠近所述背面一侧的接收面的蚀刻加工部，及层叠在所述蚀刻加工部的所述接收面上并且构成所述辅助部的回填部。

10.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：所述辅助面部上形成凸块焊垫，所述凸块焊垫上形成凸块。

11.一种弹性波装置，包含具有形成共振器的功能面与相反于所述功能面的背面的装置芯片，其特征在于：

所述功能面具有在被预定的边界包围的平面内设置共振器的主面部，与所述主面部以外的辅助面部；

所述装置芯片中所述辅助面部与所述背面包夹的部分所构成的辅助部的热传导率，大于所述装置芯片中所述主面部与所述背面包夹的部分所构成的主要部的热传导率。

12.根据权利要求11所述的弹性波装置，其特征在于：所述装置芯片包含热传导率为10W/mK以上的物质，所述辅助部的体积中热传导率为10W/mK以上的物质的占比，大于所述主要部的体积中热传导率为10W/mK以上的物质的占比。

13.根据权利要求11所述的弹性波装置，其特征在于：所述弹性波装置包括构成所述主要部的岛状残留部、位于所述岛状残留部的周围且形成比所述主面部更靠近所述背面一侧的接收面的蚀刻加工部，及层叠在所述蚀刻加工部的所述接收面上且构成所述辅助部的回填部。

14.根据权利要求11所述的弹性波装置，其特征在于：所述主面部中被预定的边界包围的平面内设置所述共振器。

15.根据权利要求11所述的弹性波装置，其特征在于：所述装置芯片是四边形的板状结构，所述装置芯片的四个角部附近的区域，和横跨于所述角部间的四个缘部附近的区域为所述辅助面部。

16.根据权利要求11所述的弹性波装置，其特征在于：所述功能面具有多个所述主面部，相邻的所述主面部所包夹的区域为所述辅助面部。

17.根据权利要求11所述的弹性波装置，其特征在于：所述辅助面部上形成凸块焊垫与布线图案。

18.根据权利要求11所述的弹性波装置，其特征在于：每一所述主面部被所述辅助面部包围，且所述辅助面部位于所述主面部与所述装置芯片的缘部间。

19.根据权利要求11所述的弹性波装置，其特征在于：所述装置芯片包括构成所述主要部的岛状残留部、位于所述岛状残留部周围且形成比所述主面部更靠近所述背面一侧的接收面的蚀刻加工部，及层叠在所述蚀刻加工部的所述接收面上并且构成所述辅助部的回填部。

20.根据权利要求11所述的弹性波装置，其特征在于：所述辅助面部上形成凸块焊垫，所述凸块焊垫上形成凸块。

21.一种如权利要求1或11所述的弹性波装置的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含：

在预定形成所述装置芯片的晶圆的一面形成共振器的步骤；

在所述晶圆的另一面预定成为所述装置芯片的主要部的区域形成掩膜，并且蚀刻预定成为所述装置芯片的辅助部的区域的步骤；及

在被蚀刻过的区域层叠和回填陶瓷。