CN117957768A - 压电振子 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种压电振子，具备：压电振动元件，具备压电片、设置于压电片的第一面的第一激励电极以及设置于压电片的第二面的第二激励电极；第一水晶基板，具有外部端子，与压电片的第一面接合；以及第二水晶基板，与压电片的第二面接合，第一水晶基板具有由第一基轴以及与第一基轴交叉的第二基轴规定的主面，在作为水晶的结晶轴的相互交叉的第一轴、第二轴、第三轴中，将使第三轴绕第一轴倾斜第一规定角度后的轴作为第一倾斜轴时，使第一轴与第一基轴对应，并且使第一倾斜轴与上述第二基轴对应，第一规定角度是－90度以上且－60度以下和80度以上且90度以下的角度范围所包含的任意一个角度。

Description

压电振子
技术领域
本发明涉及压电振子。
背景技术
以往，在用于振荡装置、带通滤波器等的基准信号的信号源中，广泛使用以厚度切变振动为主振动的压电振子。例如，在专利文献1中公开了如下结构：与AT切割的水晶晶片(压电振动元件)的第一面接合的水晶盖晶片(第一水晶基板)以及与AT切割的水晶晶片的第二面接合的水晶基底晶片(第二水晶基板)分别从作为水晶的结晶轴的Z轴以24度00分以上且32度28分以下的范围被切出。在该结构中，通过减小水晶盖晶片及水晶基底晶片与AT切割的水晶晶片的热膨胀率的差异，来减少从水晶基底晶片及水晶盖晶片传递到AT切割的水晶晶片的应力。
专利文献1：日本专利第5492697号公报
然而，在现有技术中，例如，存在如下情况：在将压电振子安装于安装基板的情况下，由于安装基板与压电振动元件的压电片的热膨胀率的差异而产生的来自外部的应力被传递到压电振子。
发明内容
本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种能够减少传递到压电振动元件的应力的压电振子。
本发明的一个方面的压电振子具备：压电振动元件，具备压电片、第一激励电极以及第二激励电极，其中，上述第一激励电极设置于压电片的第一面，上述第二激励电极设置于压电片的第二面；第一水晶基板，具有外部端子，与压电片的第一面接合；以及第二水晶基板，与压电片的第二面接合，第一水晶基板具有由第一基轴以及与第一基轴交叉的第二基轴规定的主面，在作为水晶的结晶轴的相互交叉的第一轴、第二轴、第三轴中，将使第三轴绕第一轴倾斜第一规定角度后的轴作为第一倾斜轴时，使第一轴与第一基轴对应，并且使第一倾斜轴与第二基轴对应，第一规定角度是－90度以上且－60度以下的角度范围和80度以上且90度以下的角度范围所包含的任意一个角度。
根据本发明，能够减少传递到压电振动元件的应力。
附图说明
图1是示意性地表示一个实施方式的水晶振荡器的结构的剖视图。
图2是示意性地表示一个实施方式的设备基板的结构的俯视图。
图3是图2的III-III线箭头方向的剖视图。
图4是表示CAP基板的切割角和支撑基板的切割角的每个组合的水晶振子的特性的一个例子的图。
图5是表示CAP基板的切割角和支撑基板的切割角的每个组合的水晶振子的特性的图表。
图6是表示CAP基板的切割角和支撑基板的切割角的每个组合的水晶振子的特性的图表。
图7是用于说明水晶振子的每个条件的特性的图。
图8是用于说明水晶振子的每个条件的特性的图。
图9是示意性地表示其他实施方式的水晶振子的结构的剖视图。
图10是示意性地表示其他实施方式的水晶振子的结构的剖视图。
具体实施方式
以下，对将本公开的压电振子具体化为水晶振子的一个实施方式进行说明。
在各个附图中，为了使各个附图相互的关系明确，有助于理解各构件的位置关系，为了方便起见，有标注由X轴、Y′轴以及Z′轴构成的正交坐标系的情况。X轴、Y′轴以及Z′轴在各附图中相互对应。X轴、Y′轴以及Z′轴分别与水晶的结晶轴(Crystallographic Axes)对应。X轴与电气轴(极性轴)对应，Y轴与机械轴对应，Z轴与光学轴对应。Y′轴和Z′轴分别是使Y轴和Z轴绕X轴从Y轴向Z轴的方向旋转35度15分±1分30秒得到的轴。X轴是第一轴的一个例子，Y轴是第二轴的一个例子，Z轴是第三轴的一个例子。
如图1所示，水晶振荡器100例如具备水晶振子1、安装基板130、盖构件140以及电子部件156。
水晶振子1和电子部件156收容在安装基板130与盖构件140之间的空间。水晶振子1例如通过接合线166与安装基板130的布线层电连接。水晶振子1例如通过焊料153与安装基板130的布线层电连接。安装基板130与盖构件140之间的空间被密封为气密状。安装基板130与盖构件140之间的空间例如可以是真空状态，也可以是填充了惰性气体等气体的状态。
安装基板130是平板状的电路基板，例如，包含环氧玻璃板和在环氧玻璃板上图案化的布线层。安装基板130例如也可以包含氧化铝基板和在氧化铝基板上图案化的布线层。
盖构件140例如由金属材料构成，包含顶面部140A、侧壁部140B以及凸缘部140C。侧壁部140B从顶面部140A的外缘朝向安装基板130延伸。凸缘部140C从侧壁部140B的前端向外突出，与安装基板130的第一面130A接合。
电子部件156例如包含电容器、IC芯片等而构成，与安装基板130的第一面130A接合。电子部件156例如通过焊料153与安装基板130的布线层接合。电子部件156例如包含使水晶振子1振荡的电路亦即振荡电路、补偿水晶振子1的温度特性的电路亦即温度补偿电路的一部分。
如图2和图3所示，水晶振子1例如具备设备基板10、CAP基板20、接合部30、支撑基板40(handle substrate)以及接合层50。设备基板10是压电振动元件的一个例子。CAP基板20是第一水晶基板的一个例子。支撑基板40是第二水晶基板的一个例子。
设备基板10具备水晶片11、第一激励电极14a以及第二激励电极14b，其中，上述第一激励电极14a设置于水晶片11的第一主面12a，上述第二激励电极14b设置于水晶片11的第二主面12b。水晶片11通过蚀刻加工对人工水晶(Synthetic Quartz Crystal)的结晶体进行切断和研磨加工而得到的水晶基板(例如，水晶晶片)而形成。第一激励电极14a和第二激励电极14b隔着水晶片11相互对置地设置。在俯视水晶片11的第一主面12a时，第一激励电极14a和第二激励电极14b呈矩形，配置为整体重合。第一激励电极14a和第二激励电极14b的俯视形状并不限于矩形，也可以是多边形、或圆形、或椭圆形、或这些形状的组合。
水晶片11例如是AT切割型的水晶基板，包含振动部11A、槽部11B、保持部11C、引出电极15a、15b、连接电极16a、16b以及导通电极17。
在俯视水晶片11的第一主面12a时，振动部11A呈矩形，将厚度切变振动作为主振动以规定的振荡频率振动。
在俯视水晶片11的第一主面12a时，槽部11B形成为包围振动部11A的周围，在厚度方向上贯通水晶片11。
保持部11C与振动部11A中的X轴方向的端部连接，保持振动部11A。
引出电极15a设置于水晶片11的第一主面12a，将第一激励电极14a和连接电极16a电连接。引出电极15a设置于水晶片11的第二主面12b，将第二激励电极14b和连接电极16b电连接。导通电极17在厚度方向上贯通水晶片11。导通电极17将引出电极15b和连接电极16b电连接。
而且，水晶片11经由引出电极15a、15b、连接电极16a、16b以及导通电极17对第一激励电极14a和第二激励电极14b施加交变电场，从而使振动部11A以规定的振动模式振动。
CAP基板20例如由水晶基板构成。CAP基板20具有外部端子，在将CAP基板20安装于安装基板130时，CAP基板20的外部端子与安装基板130的布线层电连接。CAP基板20例如在与设备基板10的振动部11A对应的部分形成有凹部21。由设备基板10和CAP基板20的凹部21形成的空间形成振动部11A的振动空间的一部分。CAP基板20的下端与水晶片11的第一主面12a接合。CAP基板20的下端例如经由接合部30与水晶片11的第一主面12a接合。CAP基板20的下端例如也可以不经由接合部30而与水晶片11的第一主面12a直接接合。
CAP基板20在作为水晶的结晶轴的相互交叉的X轴、Y轴、Z轴中，将使Z轴绕X轴倾斜第一规定角度后的轴作为Z′轴(第三倾斜轴)时，使X轴与第一基轴对应，并且使Z′轴与第二基轴对应。在该情况下，CAP基板20的例如与由Z′轴和X轴确定的面平行的面为主面，其中，该Z′轴是使Z轴绕X轴倾斜第一规定角度后的轴。第一规定角度相当于CAP基板20的切割角。
在CAP基板20与水晶片11的第一主面12a之间，遍及CAP基板20和设备基板10各自的整周设置有接合部30。接合部30具有电绝缘性(非导电性)。接合部30例如含有Au作为主要成分。接合部30的主要成分可以是SiO2，也可以是树脂材料。另外，也可以省略接合部30，将CAP基板20直接接合于设备基板10。在接合部30的主要成分是Au的情况下，例如，通过利用等离子体等使在CAP基板20和设备基板10上成膜的Au薄膜活性化，使两者的表面对齐并施加载荷来接合。在接合部30的主要成分是SiO2的情况下，例如，在CAP基板20和设备基板10上通过蒸镀或者溅射等使氧化硅膜成膜，使两者的表面清洁化并通过真空化贴合来接合。在接合部30的主要成分是树脂材料的情况下，树脂材料可以包含热固化性树脂、光固化性树脂，例如，能够使用环氧树脂。在直接接合CAP基板20和设备基板10的情况下，例如，通过对CAP基板20和设备基板10的主面进行镜面研磨而使其亲水化，使两主面彼此抵接进行加热处理，从主面去除H2O，通过硅氧烷键将CAP基板20和设备基板10接合。
支撑基板40例如由水晶基板构成。支撑基板40例如呈平板状，可振动地支承设备基板10。
支撑基板40在作为水晶的结晶轴的相互交叉的X轴、Y轴、Z轴中，将使Z轴绕X轴倾斜第二规定角度后的轴作为Z′轴(第三倾斜轴)时，使X轴与第三基轴对应，并且使Z′轴与第四基轴对应。支撑基板40的例如与由Z′轴和X轴确定的面平行的面为主面，其中，该Z′轴是使Z轴绕X轴倾斜第二规定角度后的轴。第二规定角度相当于支撑基板40的切割角。
接合层50将设备基板10和支撑基板40接合。接合层50例如设置于支撑基板40的上表面，将支撑基板40的上表面和水晶片11的第二主面12b接合。而且，通过接合层50接合设备基板10和支撑基板40，例如，能够在CAP基板20与支撑基板40之间密封设备基板10。接合层50在与设备基板10的振动部11A对应的部分形成有凹部51。由设备基板10和接合层50的凹部51形成的空间形成振动部11A的振动空间的一部分。
接合层50例如由氧化硅膜构成，将支撑基板40的上表面和水晶片11的第二主面12b接合。接合层50例如含有Au作为主要成分。接合层50的主要成分可以是SiO2，也可以是树脂材料。树脂材料可以包含热固化性树脂、光固化性树脂，例如，能够使用环氧树脂。另外，也可以省略接合层50，将支撑基板40直接接合于设备基板10。在接合层50的主要成分是Au的情况下，例如，利用等离子体等使在支撑基板40和设备基板10上成膜的Au薄膜活性化，并通过使两者的表面对齐并施加载荷来接合。在接合层50的主要成分是SiO2的情况下，例如，在支撑基板40和设备基板10上通过蒸镀或者溅射等使氧化硅膜成膜，使两者的表面清洁化并通过真空化贴合而接合。在接合层30的主要成分是树脂材料的情况下，树脂材料可以包含热固化性树脂、光固化性树脂，例如，能够使用环氧树脂。在直接接合支撑基板40和设备基板10的情况下，例如，通过对支撑基板40和设备基板10的主面进行镜面研磨而使其亲水化，使两主面彼此抵接并进行加热处理，从主面去除H2O，通过硅氧烷键将支撑基板40和设备基板10接合。
接下来，参照图4～图8，对本实施方式的水晶振子1的结构进行说明。图4～图6是示出了使用本实施方式的水晶振子1的模拟模型预测出的水晶振子1的特性的图。此外，在模拟模型中，CAP基板20的厚度为150μm，接合部30的厚度为100nm，设备基板10的厚度为1μm，接合层50的厚度为1μm，支撑基板40的厚度为150μm。图4～图6是表示CAP基板20的切割角和支撑基板40的切割角的每个组合的、在水晶振子1振动时施加在设备基板10的应力的大小的图。在图4～图6所示的例子中，将施加在设备基板10的应力的大小表示为标准化后的值，该值越小，表示水晶振子1的特性越优异。在本例中，如图5和图6中波浪线所示，在－90度以上且－60度以下的角度范围和80度以上且90度以下的角度范围相当于第一角度范围，CAP基板20的切割角是第一角度范围所包含的任意一个角度时，施加在设备基板10的应力比较小。即，优选CAP基板20的切割角是－90度以上且－60度以下的角度范围和80度以上且90度以下的角度范围的任意一个角度。另外，在本例中，在－90度以上且－30度以下和30度以上且90度以下的角度范围相当于第二角度范围，CAP基板20的切割角是第一角度范围所包含的任意一个角度且支撑基板40的切割角是第二角度范围所包含的任意一个角度时，施加在设备基板10的应力进一步变小。即，在CAP基板20的切割角是－90度以上且－60度以下的角度范围以及80度以上且90度以下的角度范围的任意一个角度时，更优选支撑基板40的切割角是－90度以上且－30度以下和30度以上且90度以下的角度范围的任意一个角度。
图7是用于说明本实施方式的水晶振子1的每个条件的特性的图。在该图所示的例子中，对于在CAP基板20形成有凹部21的情况和在CAP基板20未形成凹部21的各个情况，示出变更了接合部30的材质和接合层50的材质时的水晶振子1的每个条件的特性。具体而言，示出了接合部30和接合层50各自的材质的主要成分是Au、SiO2、树脂的情况或者省略接合部30和接合层50而将CAP基板20及支撑基板40直接接合于设备基板10的情况下的水晶振子1的每个条件的特性。在本例中，与图4～图6所示的情况相同，根据使用了水晶振子1的每个条件的模拟模型预测出的水晶振子1的特性，示出在与各条件下的CAP基板20的切割角以及支撑基板40的切割角相关的最佳条件上没有差异。
图8是用于说明本实施方式的水晶振子1的每个条件的特性的图。在该图所示的例子中，在与图7所示的情况同样地设定的各条件下，将施加在设备基板10的应力的大小表示为标准化之前的绝对值。在该图所示的例子中，当在CAP基板20形成有凹部21的情况下，按照施加在设备基板10的应力的大小从小到大的顺序，为省略了接合部30的情况、接合部30的材质的主要成分是Au的情况、接合部30的材质的主要成分是树脂的情况、接合部30的材质的主要成分是SiO2的情况。另一方面，在该图所示的例子中，当在CAP基板20未形成凹部21的情况下，按照施加在设备基板10的应力的大小从小到大的顺序，为接合部30的材质的主要成分是Au的情况、省略了接合部30的情况、接合部30的材质的主要成分是树脂的情况、接合部30的材质的主要成分是SiO2的情况。即，在本实施方式的水晶振子1中，当在CAP基板20形成有凹部21的情况下，优选接合部30的材质的主要成分是SiO2，更优选接合部30的材质的主要成分是树脂，更优选接合部30的材质的主要成分是Au，更优选省略接合部30而将CAP基板20和设备基板10直接接合。另一方面，在本实施方式的水晶振子1中，当在CAP基板20未形成凹部21的情况下，优选接合部30的材质的主要成分是SiO2，更优选接合部30的材质的主要成分是树脂，更优选省略接合部30而将CAP基板20和设备基板10直接接合，更优选接合部30的材质的主要成分是Au。另外，同样地，在该图所示的例子中，当在CAP基板20形成有凹部21的情况下，按照施加在设备基板10的应力的大小从小到大的顺序，为省略了接合层50的情况、接合层50的材质的主要成分是Au的情况、接合层50的材质的主要成分是树脂的情况、接合层50的材质的主要成分是SiO2的情况。另一方面，在该图所示的例子中，当在CAP基板20未形成凹部21的情况下，按照施加在设备基板10的应力的大小从小到大的顺序，为接合层50的材质的主要成分是Au的情况、省略了接合层50的情况、接合层50的材质的主要成分是树脂的情况、接合层50的材质的主要成分是SiO2的情况。即，在本实施方式的水晶振子1中，当在CAP基板20形成有凹部21的情况下，优选接合层50的材质的主要成分是SiO2，更优选接合层50的材质的主要成分是树脂，更优选接合层50的材质的主要成分是Au，更优选省略接合层50而将支撑基板40和设备基板10直接接合。另一方面，在本实施方式的水晶振子1中，当在CAP基板20未形成凹部21的情况下，优选接合层50的材质的主要成分是SiO2，优选接合层50的材质的主要成分是树脂，更优选省略接合层50而将支撑基板40和设备基板10直接接合，更优选接合层50的材质的主要成分是Au。
本实施方式的水晶振子1具备：设备基板10，具备水晶片11、第一激励电极14a以及第二激励电极14b，其中，该第一激励电极14a设置于水晶片11的第一主面12a，该第二激励电极14b设置于水晶片11的第二主面12b；CAP基板20，具有外部端子，与水晶片11的第一主面12a接合；以及支撑基板40，与水晶片11的第二主面12b接合，设备基板10具有由第一基轴以及与第一基轴交叉的第二基轴规定的主面，在作为水晶的结晶轴的相互交叉的第一轴、第二轴、第三轴中，将使第三轴绕第一轴倾斜第一规定角度后的轴作为第一倾斜轴时，使第一轴与第一基轴对应，并且使第一倾斜轴与第二基轴对应，第一规定角度是－90度以上且－60度以下的角度范围和80度以上且90度以下的角度范围所包含的任意一个角度。由此，在将水晶振子1安装于安装基板130时，能够减少从安装基板130施加给设备基板10的应力。
此外，上述实施方式也可以变更为以下那样的其他实施方式。
·在上述实施方式中，如图9所示，水晶振子1也可以不经由接合层50将设备基板10和支撑基板40直接接合，支撑基板40具有构成水晶片11振动的空间的凹部41。
·在上述实施方式中，如图10所示，水晶振子1也可以经由第一接合部30A将水晶片11的第一主面12a和CAP基板20接合，经由第二接合部50A将水晶片11的第二主面12b和支撑基板40接合，第一接合部30A和第二接合部50A构成水晶片11振动的空间。
以下，附记本发明的实施方式的一部分或者全部，对其效果进行说明。此外，本发明并不限定于以下的附记。
根据本发明的一个方式，提供一种压电振子，具备：压电振动元件，具备压电片、第一激励电极以及第二激励电极，其中，上述第一激励电极设置于压电片的第一面，上述第二激励电极设置于压电片的第二面；第一水晶基板，具有外部端子，与压电片的第一面接合；以及第二水晶基板，与压电片的第二面接合，第一水晶基板具有由第一基轴以及与第一基轴交叉的第二基轴规定的主面，在作为水晶的结晶轴的相互交叉的第一轴、第二轴、第三轴中，将使第三轴绕第一轴倾斜第一规定角度后的轴作为第一倾斜轴时，使第一轴与第一基轴对应，并且使第一倾斜轴与第二基轴对应，第一规定角度是－90度以上且－60度以下和80度以上且90度以下的角度范围所包含的任意一个角度。
根据本发明的一个方式，提供一种压电振子，第二水晶基板具有由第三基轴以及与第三基轴交叉的第四基轴规定的主面，在作为水晶的结晶轴的相互交叉的第一轴、第二轴、第三轴中，将使第三轴绕第一轴倾斜第二规定角度后的轴作为第二倾斜轴时，使第一轴与第三基轴对应，并且使第二倾斜轴与第四基轴对应，第二规定角度是－90度以上且－30度以下和30度以上且90度以下的角度范围所包含的任意一个角度。
根据本发明的一个方式，提供一种压电振子，第一水晶基板在与压电片的第一面对置的面具有凹部。
根据本发明的一个方式，提供一种压电振子，压电片的第一面和第一水晶基板直接接合。
根据本发明的一个方式，提供一种压电振子，压电片的第一面和第一水晶基板经由第一接合材料接合，第一接合材料含有Au作为主要成分。
根据本发明的一个方式，提供一种压电振子，压电片的第一面和第一水晶基板经由第一接合材料接合，第一接合材料含有SiO2作为主要成分。
根据本发明的一个方式，提供一种压电振子，压电片的第一面和第一水晶基板经由第一接合材料接合，第一接合材料含有树脂作为主要成分。
根据本发明的一个方式，提供一种压电振子，压电片的第二面和第二水晶基板直接接合。
根据本发明的一个方式，提供一种压电振子，压电片的第二面和第二水晶基板经由第二接合材料接合，第二接合材料含有Au作为主要成分。
根据本发明的一个方式，提供一种压电振子，压电片的第二面和第二水晶基板经由第二接合材料接合，第二接合材料含有SiO2作为主要成分。
根据本发明的一个方式，提供一种压电振子，压电片的第二面和第二水晶基板经由第二接合材料接合，第二接合材料含有树脂作为主要成分。
根据本发明的一个方式，提供一种压电振子，压电片的第二面和第二水晶基板经由第二接合材料接合，第二接合材料具有凹部，上述凹部构成压电片振动的空间。
根据本发明的一个方式，提供一种压电振子，第二水晶基板具有凹部，上述凹部构成压电片振动的空间。
根据本发明的一个方式，提供一种压电振子，压电片的第一面和第一水晶基板经由第一接合材料接合，压电片的第二面和第二水晶基板经由第二接合材料接合，第一接合材料和第二接合材料构成压电片振动的空间。
根据本发明的一个方式，提供一种压电振子，压电片是AT切割型的水晶基板。
如以上说明那样，根据本发明的一个方式，能够减少被传递到压电振动元件的应力。
此外，以上说明的实施方式是用于容易理解本发明的内容，并不是用于限定解释本发明的内容。本发明可以不脱离其主旨地进行变更/改进，并且其等价物也包含于本发明。即，本领域技术人员对各实施方式适当地施加了设计变更所得的结构只要具备本发明的特征，也被包含于本发明的范围内。例如，各实施方式所具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等并不限定于例示出的内容，而能够适当地变更。另外，各实施方式所具备的各要素只要在技术上可行就能够组合，将这些要素组合而得到的结构也只要包含本发明的特征就包含于本发明的范围内。
附图标记说明
1…水晶振子；10…设备基板；11…水晶片；11A…振动部；11B…槽部；11C…保持部；12a…第一主面；12b…第二主面；14a…第一激励电极；14b…第二激励电极；15a、15b…引出电极；16a、16b…连接电极；17…导通电极；20…CAP基板；30…接合部；30A…第一接合部；40…支撑基板；41…凹部；50…接合层；50A…第二接合部；51…凹部；100…水晶振荡器；130…安装基板；140…盖构件；153…焊料；156…电子部件；166…接合线。

Claims (15)

1.一种压电振子，具备：
压电振动元件，具备压电片、第一激励电极以及第二激励电极，其中，上述第一激励电极设置于上述压电片的第一面，上述第二激励电极设置于上述压电片的第二面；
第一水晶基板，具有外部端子，与上述压电片的上述第一面接合；以及
第二水晶基板，与上述压电片的上述第二面接合，
上述第一水晶基板具有由第一基轴以及与该第一基轴交叉的第二基轴规定的主面，在作为水晶的结晶轴的相互交叉的第一轴、第二轴、第三轴中，将使第三轴绕第一轴倾斜第一规定角度后的轴作为第一倾斜轴时，使第一轴与上述第一基轴对应，并且使第一倾斜轴与上述第二基轴对应，
上述第一规定角度是－90度以上且－60度以下和80度以上且90度以下的角度范围所包含的任意一个角度。
2.根据权利要求1所述的压电振子，其中，
上述第二水晶基板具有由第三基轴以及与该第三基轴交叉的第四基轴规定的主面，在作为水晶的结晶轴的相互交叉的第一轴、第二轴、第三轴中，将使第三轴绕第一轴倾斜第二规定角度后的轴作为第二倾斜轴时，使第一轴与第三基轴对应，并且使第二倾斜轴与第四基轴对应，
上述第二规定角度是－90度以上且－30度以下和30度以上且90度以下的角度范围所包含的任意一个角度。
3.根据权利要求1或2所述的压电振子，其中，
上述第一水晶基板在与上述压电片的上述第一面对置的面具有凹部。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的压电振子，其中，
上述压电片的上述第一面和上述第一水晶基板直接接合。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的压电振子，其中，
上述压电片的上述第一面和上述第一水晶基板经由第一接合材料接合，
上述第一接合材料含有Au作为主要成分。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的压电振子，其中，
上述压电片的上述第一面和上述第一水晶基板经由第一接合材料接合，
上述第一接合材料含有SiO2作为主要成分。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的压电振子，其中，
上述压电片的上述第一面和上述第一水晶基板经由第一接合材料接合，
上述第一接合材料含有树脂作为主要成分。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的压电振子，其中，
上述压电片的上述第二面和上述第二水晶基板直接接合。
9.根据权利要求1～7中任一项所述的压电振子，其中，
上述压电片的上述第二面和上述第二水晶基板经由第二接合材料接合，
上述第二接合材料含有Au作为主要成分。
10.根据权利要求1～7中任一项所述的压电振子，其中，
上述压电片的上述第二面和上述第二水晶基板经由第二接合材料接合，
上述第二接合材料含有SiO2作为主要成分。
11.根据权利要求1～7中任一项所述的压电振子，其中，
上述压电片的上述第二面和上述第二水晶基板经由第二接合材料接合，
上述第二接合材料含有树脂作为主要成分。
12.根据权利要求1～7中任一项所述的压电振子，其中，
上述压电片的上述第二面和上述第二水晶基板经由第二接合材料接合，
上述第二接合材料具有凹部，上述凹部构成上述压电片振动的空间。
13.根据权利要求1～11中任一项所述的压电振子，其中，
上述第二水晶基板具有凹部，上述凹部构成上述压电片振动的空间。
14.根据权利要求1～3中任一项所述的压电振子，其中，
上述压电片的上述第一面和上述第一水晶基板经由第一接合材料接合，
上述压电片的上述第二面和上述第二水晶基板经由第二接合材料接合，
上述第一接合材料和上述第二接合材料构成上述压电片振动的空间。
15.根据权利要求1～14中任一项所述的压电振子，其中，
上述压电片是AT切割型的水晶基板。
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