CN117957648A - 电力用半导体装置以及电力用半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种从半导体元件进行散热的散热性高的电力用半导体装置。电力用半导体装置具有半导体装置、散热片、油脂、粘结剂和端子座，半导体装置具有半导体元件、对半导体元件进行封装的封装材料以及与半导体元件电连接的电力端子，半导体装置的下表面的选择性的区域即第1区域与散热片通过粘结剂而粘结，半导体装置在半导体装置的下表面中的除选择性的区域之外的区域即第2区域处经由油脂而与散热片相接，端子座在上表面具有电极，半导体装置的电力端子与端子座相固定并且与端子座的电极电连接。

Description

电力用半导体装置以及电力用半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及电力用半导体装置以及电力用半导体装置的制造方法。
背景技术
在专利文献1中公开了一种带散热片的半导体装置。在专利文献1的结构中，散热片通过以覆盖于导热脂的周围的方式使用的高分子类粘结剂而粘结至内部装有半导体的封装件之上。
专利文献1：日本实开平02-000737号公报
发明内容
在散热片与导热脂之间隔着高分子类粘结剂的情况下，由于粘结剂的导热率低，因此从半导体元件进行散热的散热性恶化。
本发明是为了解决如上所述的问题而提出的，其目的在于提供一种从半导体元件进行散热的散热性高的电力用半导体装置。
本发明的电力用半导体装置具有半导体装置；散热片；油脂；粘结剂；以及端子座，半导体装置具有半导体元件、对半导体元件进行封装的封装材料以及与半导体元件电连接的电力端子，半导体装置的下表面的选择性的区域即第1区域与散热片通过粘结剂而粘结，半导体装置在半导体装置的下表面中的除选择性的区域之外的区域即第2区域处经由油脂而与散热片相接，端子座在上表面具有电极，半导体装置的电力端子与端子座相固定并且与端子座的电极电连接。
发明的效果
根据本发明，提供了一种从半导体元件进行散热的散热性高的电力用半导体装置。
另外，与在本申请说明书中公开的技术相关联的目的、特征、方案以及优点通过以下示出的详细说明和附图而变得更加明确。
附图说明
图1是表示实施方式1的电力用半导体装置的图。
图2是表示实施方式1的半导体装置的图。
图3是表示实施方式1的半导体装置的图。
图4是从上侧观察实施方式1的电力用半导体装置的平面图。
图5是表示实施方式2的电力用半导体装置的图。
图6是表示从下侧对实施方式2的半导体装置进行观察的状态的一个例子的平面图。
图7是表示从下侧对实施方式2的半导体装置进行观察的状态的一个例子的平面图。
图8是表示实施方式3的电力用半导体装置的图。
图9是表示实施方式4的电力用半导体装置的图。
图10是表示实施方式5的电力用半导体装置的图。
图11是表示从下侧对实施方式5的半导体装置进行观察的状态的一个例子的平面图。
图12是表示实施方式6的电力用半导体装置的制造中途的状态的图。
图13是表示实施方式6的电力用半导体装置的图。
图14是表示实施方式7的电力用半导体装置的制造方法的流程图。
图15是表示实施方式7的电力用半导体装置的制造方法中的电力用半导体装置的制造中途的状态的图。
图16是表示对比例的电力用半导体装置的图。
图17是表示对比例的电力用半导体装置的图。
图18是表示对比例的电力用半导体装置的图。
具体实施方式
<A.实施方式1>
<A-1.结构>
图1是表示实施方式1的电力用半导体装置1a的图。
电力用半导体装置1a具有作为电路基板的印刷基板2、散热片3、端子座4、半导体装置10a、螺栓32、粘结剂34以及油脂(grease)35。
图2是表示半导体装置10a的图。图3是从上侧观察半导体装置10a的平面图。图2例如是图3的A-A线处的剖视图。
如图2以及图3所示，半导体装置10a具有半导体元件11a、半导体元件11b、散热器12、绝缘材料13、金属箔14、封装材料15、导线16、多个主端子17以及多个信号端子18。
绝缘材料13为板状。金属箔14接合至绝缘材料13的下表面之上。散热器12接合至绝缘材料13的上表面之上。金属箔14在半导体装置10a的下表面20露出。
半导体元件11a例如是二极管，半导体元件11b例如是MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)。
半导体元件11a、半导体元件11b以及导线16由封装材料15封装。半导体装置10a例如是传递模塑型的半导体装置。封装材料15例如是树脂。
主端子17部分地被封装材料15封装。主端子17在半导体装置10a的侧面部分处从封装材料15凸出。信号端子18部分地被封装材料15封装。信号端子18在半导体装置10a的侧面部分处从封装材料15凸出。
半导体元件11a以及半导体元件11b各自通过接合材料30接合至散热器12的上表面之上。接合材料30例如是烧结金属材料或焊料。
主端子17是电力端子。图2所示的主端子17在封装材料15的内部与半导体元件11a以及半导体元件11b通过接合材料31接合。由此，该主端子17与半导体元件11a以及半导体元件11b电连接。另外，与图2所示的主端子17不同的主端子17例如与散热器12接合。接合材料31例如是烧结金属材料或焊料。
信号端子18在封装材料15的内部经由导线16而与半导体元件11b电连接。各信号端子18经由导线16而与半导体元件11b所具有的信号焊盘(例如，栅极焊盘、电流传感焊盘或温度传感焊盘)连接。
如图1所示，半导体装置10a的下表面20的选择性的区域即区域20a(第1区域的一个例子)通过粘结剂34而与散热片3粘结。另外，如图1所示，半导体装置10a在半导体装置10a的下表面20中的除区域20a之外的区域即区域20b(第2区域的一个例子)处经由油脂35而与散热片3相接。
封装材料15在区域20b的一部分和区域20a处在半导体装置10a的表面露出。金属箔14在区域20b处在半导体装置10a的表面露出。
区域20a和区域20b例如是共面的。
区域20b例如在俯视观察时与半导体元件11a以及半导体元件11b重叠，并且在俯视观察时与散热器12重叠。区域20a例如是半导体装置10a的下表面20中的外周部分的区域，区域20b例如是半导体装置10a的下表面20中的中央部分的区域。区域20a例如可以是半导体装置10a的下表面20中的整个外周部分，是包围区域20b的区域，也可以是半导体装置10a的下表面20中的外周部分的一部分。区域20b也可以包含半导体装置10a的下表面20中的外周部分的一部分。
就电力用半导体装置1a而言，半导体元件11a以及半导体元件11b所产生的热例如穿过散热器12、绝缘材料13、金属箔14以及油脂35而向散热片3传导。油脂35的导热率比粘结剂34高。由于存在从半导体元件11a以及半导体元件11b向散热片3的不穿过粘结剂34而是穿过油脂35的散热路径，从而容易从半导体元件11a以及半导体元件11b向散热片3传导热。
如图1所示，半导体装置10a的信号端子18与印刷基板2通过接合材料33连接。接合材料33例如是焊料。信号端子18与在印刷基板2形成的电路(未图示)电连接。
如图1所示，端子座4在端子座4的上表面部分具有电极41。端子座4固定于散热片3。半导体装置10a的主端子17通过螺栓32固定于端子座4。另外，半导体装置10a的主端子17与端子座4的电极41电连接。端子座4例如具有与半导体装置10a的主端子17所连接的电极41不同的电极(未图示)，构成为能够经由该不同的电极从半导体装置10a外部的电路对半导体装置10a通电。
图4是从上侧观察电力用半导体装置1a的平面图。然而，在图4中，为了易于观察而省略了印刷基板2。在图4中示出了电力用半导体装置1a具有3个半导体装置10a的结构，但电力用半导体装置1a所具有的半导体装置10a也可以是1个或2个，也可以是大于或等于4个。
如上所述，本实施方式的电力用半导体装置1a具有半导体装置10a、散热片3、油脂35以及粘结剂34。半导体装置10a具有半导体元件11a以及半导体元件11b、对半导体元件11a以及半导体元件11b进行封装的封装材料15。半导体装置10a的下表面20的选择性的区域即区域20a与散热片3通过粘结剂34而粘结。半导体装置10a在半导体装置10a的下表面20中的除区域20a之外的区域即区域20b处经由油脂35而与散热片3相接。
本实施方式的电力用半导体装置1a由于半导体装置10a在区域20b处经由油脂35而与散热片3相接，从而从半导体元件11a以及半导体元件11b进行散热的散热性高。
对于本实施方式的电力用半导体装置1a，半导体装置10a通过粘结剂34而与散热片3粘结。通过使半导体装置10a经由粘结剂34而与散热片3粘结，从而能够削减以下记述的对比例的电力用半导体装置1z(参照<Z.对比例>)中的如支撑柱51、弹簧52以及压板53那样的用于固定半导体装置10a的部件。通过削减这些部件，从而能够使半导体装置10a小型化以及轻量化，另外，能够削减安装的工时。进一步地，在粘结剂34在俯视观察时包围油脂35的周围整体的情况下，泵出(pumping out)得以抑制，产品的寿命提高。
<Z.对比例>
对比例的电力用半导体装置1z与实施方式1的电力用半导体装置1a相比的不同点在于，替代半导体装置10a与散热片3通过粘结剂34粘结、固定这一作法，而是通过压板53以及弹簧52相对于散热片3对半导体装置10a进行固定。电力用半导体装置1z在其它方面与实施方式1的电力用半导体装置1a相同。
图16是对比例的电力用半导体装置1z的剖视图。图17以及图18是对比例的电力用半导体装置1z的平面图。
如图17以及图18所示，压板53与支撑柱51通过螺栓54紧固。压板53经由支撑柱51固定于散热片3。
在图17中，为了易于观察而省略了印刷基板2。在图18中为了易于观察而省略了印刷基板2以及压板53。
<B.实施方式2>
本实施方式的电力用半导体装置1b与实施方式1的电力用半导体装置1a相比的不同点在于，替代半导体装置10a而具有半导体装置10b。电力用半导体装置1b在其它方面与电力用半导体装置1a相同。
半导体装置10b与半导体装置10a相比的不同点在于，如图5所示，下表面20在区域20b处比在区域20a处更向下侧(即散热片3侧)凸出。半导体装置10b在其它方面与半导体装置10a相同。
对于电力用半导体装置1b，与电力用半导体装置1a的情况相同地，半导体装置10b的下表面20的区域20a与散热片3通过粘结剂34粘结。另外，半导体装置10b在半导体装置10b的下表面20中的区域20b处经由油脂35而与散热片3相接。金属箔14在下表面20中的区域20b处在半导体装置10b的表面露出。
图6是表示从下侧对半导体装置10b进行观察的状态的一个例子的平面图。图7是表示从下侧对半导体装置10b进行观察的状态的另一个例子的平面图。区域20a可以如图6所示是下表面20的整个外周部，在平面观察时包围区域20b，也可以如图7所示是下表面20的外周部中的一部分。在图7中，区域20a是矩形状的下表面20中的沿着彼此相对的2边的区域。
就半导体装置10b而言，由于下表面20在区域20b处比在区域20a处更向下侧凸出，因此在区域20a与区域20b之间存在台阶。该台阶由封装材料15形成。即，区域20a与区域20b之间的台阶的侧面部分由封装材料15中的比区域20a更向下侧凸出的部分23覆盖。封装材料15的部分23的下表面包含于区域20b。即，封装材料15在区域20b露出。封装材料15的部分23的下表面例如与金属箔14的下表面共面，包含封装材料15的部分23的下表面和金属箔14的下表面在内的区域20b例如是平坦的。
由于在区域20a与区域20b之间具有台阶，因此能够在下表面20中的区域20a的部分处以一定程度确保散热片3与下表面20之间的距离，确保由粘结剂34进行的粘结的强度，并且在下表面20中的区域20b的部分处缩小散热片3与下表面20之间的距离，提高散热性。
<C.实施方式3>
本实施方式的电力用半导体装置1c与实施方式2的电力用半导体装置1b相比的不同点在于，替代半导体装置10b而具有半导体装置10c。电力用半导体装置1c在其它方面与电力用半导体装置1b相同。
半导体装置10c与半导体装置10b相比的不同点在于，在封装材料15的部分23的下侧的面、即区域20b中的露出了封装材料15的部分设有槽230。半导体装置10c在其它方面与半导体装置10b相同。图8是表示电力用半导体装置1c中的槽230的附近的图。
就电力用半导体装置1c而言，油脂35进入至槽230。通过在电力用半导体装置1c的制造时油脂35进入至槽230，从而油脂35的厚度在面内方向上的偏差受到抑制，因此组装的精度提高。
以电力用半导体装置1c呈相对于实施方式2的电力用半导体装置1b设置了槽230的构造进行了说明，但电力用半导体装置1c也可以是相对于实施方式1的电力用半导体装置1a设置了槽230的构造。在该情况下，槽230也设置于半导体装置10c的下表面20的区域20b中的露出了封装材料15的部分。另外，在该情况下，也通过在电力用半导体装置1c的制造时油脂35进入至槽230，从而油脂35的厚度在面内方向上的偏差受到抑制，组装的精度提高。
<D.实施方式4>
本实施方式的电力用半导体装置1d与实施方式2的电力用半导体装置1b相比的不同点在于，替代半导体装置10b而具有半导体装置10d。电力用半导体装置1d在其它方面与电力用半导体装置1b相同。
半导体装置10d与半导体装置10b相比的不同点在于，在区域20a设有槽210。半导体装置10d在其它方面与半导体装置10b相同。图9是表示电力用半导体装置1d中的槽210的附近的图。
区域20a例如整体是封装材料15的表面。当在区域20a的一部分露出了封装材料15的情况下，槽210例如设置于区域20a中的露出了封装材料15的部分。
就电力用半导体装置1d而言，粘结剂34进入至槽210，因此由于锚定效应，半导体装置10d与散热片3之间经由粘结剂34而粘结的强度提高。
以电力用半导体装置1d呈相对于实施方式2的电力用半导体装置1b设置了槽210的构造进行了说明，但电力用半导体装置1d也可以是在实施方式1的电力用半导体装置1a的区域20a或实施方式3的电力用半导体装置1c的区域20a设置了槽210的构造。
<E.实施方式5>
本实施方式的电力用半导体装置1e与实施方式2的电力用半导体装置1b相比的不同点在于，替代半导体装置10b而具有半导体装置10e。电力用半导体装置1e在其它方面与电力用半导体装置1b相同。
半导体装置10e与半导体装置10b相比的不同点在于，封装材料15具有多个凸起211。半导体装置10e在其它方面与半导体装置10b相同。图10是表示电力用半导体装置1e中的凸起211的附近的图。
凸起211如图10所示凸出至比区域20b更靠下侧。凸起211例如设置于区域20a与区域20b之间的边界部分。
图11是表示从下侧对半导体装置10e进行观察的状态的一个例子的平面图。凸起211例如如图11所示设置于3个位置。在凸起211以点状设置于半导体装置10e的下表面20的情况下，优选在大于或等于3个部位设置凸起211，以使得在相对于散热片3按压半导体装置10e时半导体装置10e的朝向稳定。
就电力用半导体装置1e而言，半导体装置10e在凸起211与散热片3接触的状态下通过粘结剂34与散热片3粘结、固定。
通过凸起211与散热片3接触，从而能够提高接触应力，能够相对于散热片3稳定地固定半导体装置。
以电力用半导体装置1e呈相对于实施方式2的电力用半导体装置1b设置了凸起211的构造进行了说明，但电力用半导体装置1e也可以是在实施方式1、3或4的电力用半导体装置1a、1c或1d设置了凸起211的构造。
<F.实施方式6>
本实施方式的电力用半导体装置1f与实施方式2的电力用半导体装置1b相比，端子座4的电极41的上表面的高度相对于主端子17来说相对地变低。电力用半导体装置1f在其它方面与电力用半导体装置1b相同。电力用半导体装置1f所具有的半导体装置10f的结构与电力用半导体装置1b所具有的半导体装置10b的结构相同。
就电力用半导体装置1f而言，半导体装置10f的主端子17从半导体装置10f的封装材料15凸出的部位、即主端子17中的被封装材料15封装的部分与未被封装材料15封装的部分之间的边界处的主端子17的下表面的高度高于端子座4的电极41的上表面。
图13是表示电力用半导体装置1f处半导体装置10f的主端子17与端子座4的电极41相固定的部位附近的图。另外，图12是表示制造时的半导体装置10f被配置在散热片3之上后并且半导体装置10f的主端子17与端子座4的电极41被固定前的状态的图(关于电力用半导体装置1f的制造方法，参照实施方式8)。
如图12所示，在电力用半导体装置1f的制造时，在将主端子17与端子座4通过螺栓32紧固而固定前，例如如图12所示在主端子17与端子座4的电极41之间具有间隙W。通过从上述这样的状态起将主端子17通过螺栓32而与端子座4紧固，从而主端子17朝向下方变形而固定于端子座4。由此，如图13所示，半导体装置10f的主端子17从半导体装置10f的封装材料15凸出的部位处的主端子17的下表面的高度变得高于端子座4的电极41的上表面。
通过使主端子17朝向下方变形而固定于端子座4，从而半导体装置10f被向散热片3按压，半导体装置10f与散热片3之间的固定变得牢固。
以电力用半导体装置1f呈相比于实施方式2的电力用半导体装置1b的结构来说端子座4的电极41的上表面的高度相对于主端子17相对地变低的结构进行了说明，但电力用半导体装置1f也可以是相比于实施方式1、3、4或5的电力用半导体装置1a、1c、1d或1e的结构来说端子座4的电极41的上表面的高度相对于主端子17相对地变低的结构。
<G.实施方式7>
在实施方式1至6的电力用半导体装置1a至1f中，半导体元件11a以及半导体元件11b例如是具有硅半导体的半导体元件。
本实施方式的电力用半导体装置(以下称为电力用半导体装置1g)是实施方式1至6的电力用半导体装置1a至1f中的任一电力用半导体装置，并且是半导体元件11a以及半导体元件11b的至少任一者为具有宽带隙半导体的半导体元件的电力用半导体装置。也可以半导体元件11a以及半导体元件11b两者都是具有宽带隙半导体的半导体元件。该宽带隙半导体例如是SiC、氮化镓、氧化镓或金刚石。
具有宽带隙半导体的半导体元件与具有Si半导体的半导体元件相比，元件的尺寸小。因此，在使用具备具有宽带隙半导体的半导体元件的半导体装置的情况下，大多将如半导体装置10a至半导体装置10f那样的结构要素多个相组合而构成电力用模块。电力用半导体装置1a至1f例如是该电力用模块或具有该电力用模块的装置。
在将如半导体装置10a至半导体装置10f那样的结构要素多个相组合的情况下，在上述的<Z.对比例>的电力用半导体装置1z的结构中，支撑柱51、弹簧52以及压板53等部件增加，成本也增加，但在本实施方式的电力用半导体装置1g中与电力用半导体装置1z相比不需要支撑柱51、弹簧52以及压板53等部件，能够抑制部件的数量，能够削减成本。即，实施方式1至6的电力用半导体装置1a至1f的结构在半导体元件11a以及半导体元件11b的至少任一者是具有宽带隙半导体的半导体元件的情况下，对于抑制部件的数量更为有效。
<H.实施方式8>
在本实施方式中，针对实施方式1至7的电力用半导体装置1a至1g的制造方法进行说明。
图14是表示本实施方式的电力用半导体装置的制造方法的流程图。以下设想了所要制造的电力用半导体装置是电力用半导体装置1a的情况而进行说明，但也可以将电力用半导体装置1a替换为电力用半导体装置1b至电力用半导体装置1g的任一者。
首先，在步骤S1中，准备半导体装置10a、端子座4以及散热片3。端子座4例如预先固定于散热片3。
接下来，在步骤S2中，在半导体装置10a的下表面20的区域20b例如通过印刷而涂敷油脂35。
接下来，在步骤S3中，在半导体装置10a的下表面20的区域20a涂敷粘结剂34。
接下来，在步骤S4中，在散热片3之上配置半导体装置10a，通过夹具50固定半导体装置10a。在步骤S4结束后，半导体装置10a如图15所示在已被通过夹具50相对于散热片3固定的状态下配置于散热片3之上。通过夹具50将半导体装置10a向散热片3进行按压。
接下来，在步骤S5中，在半导体装置10a已被通过夹具50固定的状态下拧紧螺栓32而将主端子17紧固至端子座4，将主端子17与端子座4固定。也可以替代使用螺栓32，而是通过焊接将主端子17固定至端子座4。
接下来，在步骤S6中，在半导体装置10a已被通过夹具50固定的状态下使粘结剂34热固化。由此，半导体装置10a与散热片3粘结而彼此固定。在步骤S6后，解除由夹具50实现的半导体装置10a的固定。
接下来，在步骤S7中，将固定于散热片3的半导体装置10a安装至印刷基板2。
经由以上的工序，得到电力用半导体装置1a。
在步骤S2以及步骤S3中，也可以不是在半导体装置10a的下表面20，而是在散热片3涂敷油脂35和粘结剂34。
在步骤S5中固定半导体装置10a的夹具与在步骤S6中固定半导体装置10a的夹具也可以不同。
通过在已将半导体装置10a由夹具50固定的状态下进行步骤S5以及步骤S6，从而能够不会被油脂涂敷量的波动等影响，在将半导体装置10a按压至散热片3的状态下进行主端子17的紧固和粘结剂的热固化。由此，能够牢固地固定半导体装置10a和散热片3。
在实施方式6的电力用半导体装置1f的情况下，在步骤S4中进行了半导体装置10f向散热片3之上的配置后、在步骤S5中形成主端子17与端子座4之间的固定前，在未对主端子17施加外力的状态下例如在主端子17的下表面与端子座4的电极41之间存在间隙W(参照图12)。通过从该状态起形成主端子17与端子座4之间的固定，从而主端子17向下方向变形，半导体装置10f被按压至散热片3。由此，更加牢固地固定半导体装置10f和散热片3。
在步骤S4中进行了半导体装置10f向散热片3之上的配置后、在步骤S5中形成主端子17与端子座4之间的固定前，主端子17的下表面与端子座4的电极41的上表面也可以是相同高度。在该情况下，也通过使主端子17与端子座4例如由螺栓32紧固，形成主端子17与端子座4之间的固定，从而主端子17向下方向变形，半导体装置10f被按压至散热片3。
此外，能够将各实施方式自由组合，将各实施方式适当地变形、省略。
标号的说明
1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1z电力用半导体装置，2印刷基板，3散热片，4端子座，10a、10b、10c、10d、10e、10f半导体装置，11a、11b半导体元件，12散热器，13绝缘材料，14金属箔，15封装材料，16导线，17主端子，18信号端子，20下表面，20a、20b区域，30、31接合材料，32螺栓，33接合材料，34粘结剂，35油脂，41电极，50夹具，51支撑柱，52弹簧，53压板，54螺栓，210、230槽，211凸起，W间隙。

Claims (18)

1.一种电力用半导体装置，其具有：
半导体装置；
散热片；
油脂；
粘结剂；以及
端子座，
所述半导体装置具有半导体元件、对所述半导体元件进行封装的封装材料以及与所述半导体元件电连接的电力端子，
所述半导体装置的下表面的选择性的区域即第1区域与所述散热片通过所述粘结剂而粘结，
所述半导体装置在所述半导体装置的下表面中的除所述选择性的区域之外的区域即第2区域处经由所述油脂而与所述散热片相接，
所述端子座在上表面具有电极，
所述半导体装置的所述电力端子与所述端子座相固定并且与所述端子座的电极电连接。
2.根据权利要求1所述的电力用半导体装置，其中，
所述第1区域是所述半导体装置的下表面的外周部分的区域。
3.根据权利要求1或2所述的电力用半导体装置，其中，
所述第1区域是在俯视观察时包围所述第2区域的周围整体的区域。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
还具有电路基板，
所述半导体装置还具有与所述半导体元件电连接的信号端子，
所述信号端子与所述电路基板连接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
在所述半导体装置的下表面，所述第2区域比所述第1区域更向所述散热片侧凸出，
所述第1区域与所述第2区域之间的台阶的侧面部分由所述封装材料覆盖。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
在所述第2区域露出所述封装材料，
在所述第2区域中的露出所述封装材料的部分设置有第1槽，所述油脂进入至所述第1槽。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
在所述第1区域露出所述封装材料，
在所述第1区域中的露出所述封装材料的部分设置有第2槽，所述粘结剂进入至所述第2槽。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
所述半导体元件包含宽带隙半导体。
9.根据权利要求8所述的电力用半导体装置，其中，
所述宽带隙半导体是SiC半导体。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
所述端子座固定于所述散热片。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
所述电力端子从所述封装材料凸出的部位处的所述电力端子的下表面的高度高于所述端子座的所述电极的上表面。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
所述半导体装置的所述电力端子被与所述端子座的所述电极固定，从而所述半导体装置被按压至所述散热片。
13.一种电力用半导体装置的制造方法，其制造权利要求1至12中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
准备所述半导体装置和所述散热片，
在通过夹具固定了所述半导体装置的状态下使所述粘结剂热固化，将所述半导体装置与所述散热片通过所述粘结剂而粘结。
14.一种电力用半导体装置的制造方法，其制造权利要求1至12中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
准备所述半导体装置、所述端子座和所述散热片，
进行所述半导体装置向所述散热片之上的配置，
在实施了所述半导体装置向所述散热片之上的所述配置并且通过夹具固定了所述半导体装置的状态下，进行电力端子与所述端子座之间的固定。
15.根据权利要求14所述的电力用半导体装置的制造方法，其中，
在实施了所述半导体装置向所述散热片之上的所述配置并且通过与所述夹具相同或不同的夹具固定了所述半导体装置的状态下，使所述粘结剂热固化，将所述半导体装置与所述散热片通过所述粘结剂而粘结。
16.根据权利要求14或15所述的电力用半导体装置的制造方法，其中，
通过形成所述电力端子与所述端子座之间的所述固定，从而所述半导体装置被按压至所述散热片。
17.一种电力用半导体装置的制造方法，其制造权利要求1至12中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
准备所述半导体装置、所述端子座和所述散热片，
进行所述半导体装置向所述散热片之上的配置，
在实施了所述半导体装置向所述散热片之上的所述配置的状态下，进行所述电力端子与所述端子座之间的固定，
通过形成所述电力端子与所述端子座之间的所述固定，从而所述半导体装置被按压至所述散热片。
18.根据权利要求16或17所述的电力用半导体装置的制造方法，其中，
在实施了所述半导体装置向所述散热片之上的所述配置的状态下，在形成所述电力端子与所述端子座之间的所述固定前，在未对所述电力端子施加外力的状态下，在所述电力端子的下表面与所述端子座的所述电极之间存在间隙。
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