CN117941017A - 磁性多层复合材料及其形成方法 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种磁性多层复合材料，其可以包括核心基底层、覆盖在核心基底层的第一表面上的外磁性层、以及位于核心基底层的第二表面下面的内磁性层。复合材料可以具有至少约0.005的磁性体积比VM/VS，其中VM等于复合材料中磁性材料的总体积，并且VS为基底的总体积。复合材料还可以具有磁导率等级(X，Y)，其中磁导率等级(X，Y)等于沿着复合材料的磁导率的虚部(μ”)作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y大于100。

Description

磁性多层复合材料及其形成方法
技术领域
本公开涉及一种磁性多层复合材料及其形成方法。
背景技术
高频(HF)、特高频(VHF)和超高频(UHF)天线可以包括软磁性材料，其可以改善天线的性能。然而，天线的性能可以基于天线内的磁性材料相对于天线的非磁性材料的有效磁性体积。因此，需要用于天线的改善的复合材料，其使磁性材料相对于非磁性材料达到平衡。
发明内容
根据第一方面，磁性多层复合材料可以包括核心基底层；外磁性层，该外磁性层覆盖在核心基底层的第一表面上；以及内磁性层，该内磁性层位于核心基底层的与核心基底层的第一表面相背对的第二表面下面。复合材料可以具有至少约0.005的磁性体积比VM/VS，其中VM等于复合材料中磁性材料的总体积，并且VS为基底的总体积。复合材料还可以具有磁导率等级(X，Y)，其中磁导率等级(X，Y)等于沿着复合材料的磁导率的虚部(μ”)作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y大于100。
根据再一方面，磁性多层复合材料可以包括核心基底层；外磁性层，该外磁性层覆盖在核心基底层的第一表面上；以及内磁性层，该内磁性层位于核心基底层的与核心基底层的第一表面相背对的第二表面下面。复合材料可以具有至少约0.005的磁性层厚度比TM/TS，其中TM等于外磁性层和内磁性层的总厚度，并且TS为基底的总厚度。复合材料还可以具有磁导率等级(X，Y)，其中磁导率等级(X，Y)等于沿着复合材料的磁导率的虚部(μ”)作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y大于100。
根据另一方面，天线可以包括磁性多层复合材料。磁性多层复合材料可以包括核心基底层；外磁性层，该外磁性层覆盖在核心基底层的第一表面上；以及内磁性层，该内磁性层位于核心基底层的与核心基底层的第一表面相背对的第二表面下面。复合材料可以具有至少约0.005的磁性体积比VM/VS，其中VM等于复合材料中磁性材料的总体积，并且VS为基底的总体积。复合材料还可以具有磁导率等级(X，Y)，其中磁导率等级(X，Y)等于沿着复合材料的磁导率的虚部(μ”)作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y大于100。
根据再一方面，天线可以包括磁性多层复合材料。磁性多层复合材料可以包括核心基底层；外磁性层，该外磁性层覆盖在核心基底层的第一表面上；以及内磁性层，该内磁性层位于核心基底层的与核心基底层的第一表面相背对的第二表面下面。复合材料可以具有至少约0.005的磁性层厚度比TM/TS，其中TM等于外磁性层和内磁性层的总厚度，并且TS为基底的总厚度。复合材料还可以具有磁导率等级(X，Y)，其中磁导率等级(X，Y)等于沿着复合材料的磁导率的虚部(μ”)作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y大于100。
根据又一方面，形成磁性多层复合材料的方法可以包括：提供核心基底层；沉积外磁性层，该外磁性层覆盖在核心基底层的第一表面上；以及沉积内磁性层，该内磁性层位于核心基底层的与核心基底层的第一表面相背对的第二表面下面。复合材料可以具有至少约0.005的磁性体积比VM/VS，其中VM等于复合材料中磁性材料的总体积，并且VS为基底的总体积。复合材料还可以具有磁导率等级(X，Y)，其中磁导率等级(X，Y)等于沿着复合材料的磁导率的虚部(μ”)作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y大于100。
根据再一方面，形成磁性多层复合材料的方法可以包括：提供核心基底层；沉积外磁性层，该外磁性层覆盖在核心基底层的第一表面上；以及沉积内磁性层，该内磁性层位于核心基底层的与核心基底层的第一表面相背对的第二表面下面。复合材料可以具有至少约0.005的磁性层厚度比TM/TS，其中TM等于外磁性层和内磁性层的总厚度，并且TS为基底的总厚度。复合材料还可以具有磁导率等级(X，Y)，其中磁导率等级(X，Y)等于沿着复合材料的磁导率的虚部(μ”)作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y大于100。
附图说明
实施方案通过示例示出，并且不限于附图。
图1包括示出根据本文所述的实施方案的磁性多层复合材料形成方法的图；
图2包括材料磁导率的虚部(μ”)作为频率的函数绘制的示例性曲线图；并且
图3包括示出根据本文所述的实施方案形成的磁性多层复合材料的构造的图示。
技术人员应当理解，附图中的元件是为了简单和清楚而示出的，并且不必按比例绘制。
具体实施方式
以下讨论将集中于教导内容的具体实施方式和实施方案。提供详细描述以帮助描述某些实施方案，并且不应将其解释为对公开内容或教导内容的范围或适用性的限制。应当理解，可以基于本文提供的公开内容和教导内容使用其它实施方案。
术语“包含”、“包括”、“具有”或它们的任何其它变型形式旨在涵盖非排他性的包括。例如，包括一系列特征的方法、制品或装置不必仅限于那些特征，而是可包括未明确列出的或此类方法、制品或装置固有的其它特征。此外，除非明确相反地陈述，否则“或”是指包含性的或，而不是排他性的或。例如，条件A或B由以下任一项满足：A为真(或存在)且B为假(或不存在)，A为假(或不存在)且B为真(或存在)，以及A和B两者均为真(或存在)。
另外，使用“一个”或“一种”来描述本文所述的元件和部件。这样做仅仅是为了方便和给出本发明范围的一般意义。该描述应被理解为包括一个、至少一个或单数，也包括复数，或反之亦然，除非清楚地表明其另有含义。例如，当在本文中描述单个项目时，可以使用多于一个项目来代替单个项目。类似地，在本文中描述多于一个项目的情况下，单个项目可替代该多于一个项目。
本文所述的实施方案整体涉及磁性多层复合材料，其可以包括核心基底层、覆盖在核心基底层的第一表面上的外磁性层以及位于核心基底层的与核心基底层的第一表面相背对的第二表面下面的内磁性层。
首先参照形成磁性多层复合材料的方法，图1包括示出根据本文所述的实施方案的用于形成磁性多层复合材料的形成方法100的图。根据具体实施方案，形成方法100可以包括提供核心基底层的第一步骤110、形成覆盖在核心基底层的第一表面上的外磁性层的第二步骤120、以及形成位于核心基底层的与核心基底层的第一表面相背对的第二表面下面的内磁性层的第三步骤130。
出于本文所述的实施方案的目的，材料可被描述为具有特定的磁导率等级(X，Y)。给定材料的磁导率等级(X，Y)被定义为沿着该材料的磁导率的虚部(μ")作为频率的函数绘制的曲线的最大峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内。为了例示的目的，图2示出了材料的磁导率的虚部(μ")作为频率(Hz)的函数绘制的示例性曲线200，该函数具有最大峰值点210(即，曲线200的磁导率等级(X，Y))，其中X在10MHz至10GHz的范围内。为了本文所述的实施方案的目的，曲线200的最大峰值点(X，Y)被定义为函数的最大顶点(即，具有最大Y分量的顶点)。此外，应当理解，“峰值”或“顶点”被定义为值增加到最大点且值从最大点减少的函数的最大点。
重新参照图1和提供核心基底层的第一步骤110，根据具体实施方案，核心基底层可以包含塑性材料。根据又其它实施方案，核心基底层可基本上由塑性材料组成。根据其它实施方案，核心基底层可以是塑性材料层。
根据再其它实施方案，核心基底层可以包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料。根据又其它实施方案，核心基底层可基本上由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料组成。根据其它实施方案，核心基底层可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料层。
根据再其它实施方案，核心基底层可以包含聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)材料。根据又其它实施方案，核心基底层可基本上由聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)材料组成。根据其它实施方案，核心基底层可以是聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)材料层。
根据再其它实施方案，核心基底层可以包含聚酰亚胺(PI)材料。根据又其它实施方案，核心基底层可基本上由聚酰亚胺(PI)材料组成。根据其它实施方案，核心基底层可以是聚酰亚胺(PI)材料层。
根据再其它实施方案，核心基底层可以包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)材料和聚酰亚胺(PI)材料的任何组合。根据又其它实施方案，核心基底层可基本上由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)材料和聚酰亚胺(PI)材料的任何组合组成。根据其它实施方案，核心基底层可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)材料和聚酰亚胺(PI)材料的任何组合的层。
根据又其它实施方案，核心基底层可具有特定厚度。例如，核心基底层可具有至少约3微米，诸如至少约5微米、至少约10微米、或至少约15微米、或至少约20微米、或至少约25微米、或至少约30微米、或至少约35微米、或至少约40微米、或至少约50微米、或至少约60微米、或至少约70微米、或至少约80微米、或至少约90微米、或甚至至少约100微米的厚度。根据再其它实施方案，核心基底层可具有不大于约250微米、或不大于约240微米、或不大于约230微米、或不大于约220微米、或不大于约210微米、或不大于约200微米、或不大于约190微米、或不大于约180微米、或不大于约170微米、或不大于约160微米、或不大于约150微米的厚度。应当理解，核心基底层的厚度可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，核心基底层的厚度可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
参考沉积覆盖在核心基底层的第一表面上的外磁性层的第一步骤120，根据具体实施方案，外磁性层可以包含磁性材料。根据其它实施方案，外磁性层可基本上由磁性材料组成。根据又其它实施方案，外磁性层可以是磁性材料层。
根据又其它实施方案，外磁性层可以包含软磁性材料。根据其它实施方案，外磁性层可基本上由软磁性材料组成。根据又其它实施方案，外磁性层可以是软磁性材料层。
根据又其它实施方案，外磁性层可以包含铁磁性材料。根据其它实施方案，外磁性层可基本上由铁磁性材料组成。根据又其它实施方案，外磁性层可以是铁磁性材料层。
根据再其它实施方案，外磁性层可以包含钴(Co)材料。根据又其它实施方案，外磁性层可基本上由钴(Co)材料组成。根据其它实施方案，外磁性层可以是钴(Co)材料层。
根据再其它实施方案，外磁性层可以包含钴(Co)合金材料。根据又其它实施方案，外磁性层可基本上由钴(Co)合金材料组成。根据其它实施方案，外磁性层可以是钴(Co)合金材料层。
根据再其它实施方案，外磁性层可以包含铁(Fe)材料。根据又其它实施方案，外磁性层可基本上由铁(Fe)材料组成。根据其它实施方案，外磁性层可以是铁(Fe)材料层。
根据再其它实施方案，外磁性层可以包含铁(Fe)合金材料。根据又其它实施方案，外磁性层可基本上由铁(Fe)合金材料组成。根据其它实施方案，外磁性层可以是铁(Fe)合金材料层。
根据再其它实施方案，外磁性层可以包含镍(Ni)材料。根据又其它实施方案，外磁性层可基本上由镍(Ni)材料组成。根据其它实施方案，外磁性层可以是镍(Ni)材料层。
根据再其它实施方案，外磁性层可以包含镍(Ni)合金材料。根据又其它实施方案，外磁性层可基本上由镍(Ni)合金材料组成。根据其它实施方案，外磁性层可以是镍(Ni)合金材料层。
根据再其它实施方案，外磁性层可以包含坡莫合金材料。根据又其它实施方案，外磁性层可基本上由坡莫合金材料组成。根据其它实施方案，外磁性层可以是坡莫合金材料层。
根据再其它实施方案，外磁性层可以包含钴(Co)材料、钴(Co)合金材料、铁(Fe)材料、铁(Fe)合金材料、镍(Ni)材料、镍(Ni)合金材料和坡莫合金的任何组合。根据又其它实施方案，外磁性层可基本上由钴(Co)材料、钴(Co)合金材料、铁(Fe)材料、铁(Fe)合金材料、镍(Ni)材料、镍(Ni)合金材料和坡莫合金的任何组合组成。根据其它实施方案，外磁性层可以是钴(Co)材料、钴(Co)合金材料、铁(Fe)材料、铁(Fe)合金材料、镍(Ni)材料、镍(Ni)合金材料和坡莫合金的任何组合的层。
根据又其它实施方案，外磁性层可具有使用电感耦合等离子体光学发射光谱法测量的特定厚度。例如，外磁性层可具有至少约0.05微米，诸如至少约0.06微米、或至少约0.07微米、或至少约0.08微米、或至少约0.09微米、或至少约0.1微米、或至少约0.2微米、或至少约0.3微米、或至少约0.4微米、或至少约0.5微米、或至少约0.6微米、或至少约0.7微米、或至少约0.8微米、或至少约0.9微米、或甚至至少约1.0微米的厚度。根据再其它实施方案，外磁性层可具有不大于约3.0微米、或不大于约2.9微米、或不大于约2.8微米、或不大于约2.7微米、或不大于约2.6微米、或不大于约2.5微米、或不大于约2.4微米、或不大于约2.3微米、或不大于约2.2微米、或不大于约2.1微米、或不大于约2.0微米的厚度。应当理解，外磁性层的厚度可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，外磁性层的厚度可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其它实施方案，外磁性层可具有特定的磁导率等级(X，Y)，其中磁导率等级(X，Y)等于沿着复合材料的磁导率的虚部(μ")作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)。例如，外磁性层可具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约100，诸如，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约120，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约140，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约150，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约160，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约170，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约180，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约190，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约200，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约250，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约300，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约350，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约400，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约450，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约500，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约550，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约600，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约650，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约700，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约750，或者甚至其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约800。根据又其它实施方案，外磁性层可具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y不大于约5000。应当理解，外磁性层的磁导率等级可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，外磁性层的磁导率等级可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其它实施方案，沉积外磁性层可以包括溅射沉积、原子层沉积、电镀、蒸发、化学气相沉积以及它们的适应，或者尤其是在卷对卷机器中。
参考沉积位于核心基底层的与核心基底层的第一表面相背对的第二表面下面的内磁性层的第一步骤130，根据具体实施方案，内磁性层可以包含磁性材料。根据其它实施方案，内磁性层可基本上由磁性材料组成。根据又其它实施方案，内磁性层可以是磁性材料层。
根据又其它实施方案，内磁性层可以包含软磁性材料。根据其它实施方案，内磁性层可基本上由软磁性材料组成。根据又其它实施方案，内磁性层可以是软磁性材料层。
根据又其它实施方案，内磁性层可以包含铁磁性材料。根据其它实施方案，内磁性层可基本上由铁磁性材料组成。根据又其它实施方案，内磁性层可以是铁磁性材料层。
根据再其它实施方案，内磁性层可以包含钴(Co)材料。根据又其它实施方案，内磁性层可基本上由钴(Co)材料组成。根据其它实施方案，内磁性层可以是钴(Co)材料层。
根据再其它实施方案，内磁性层可以包含钴(Co)合金材料。根据又其它实施方案，内磁性层可基本上由钴(Co)合金材料组成。根据其它实施方案，内磁性层可以是钴(Co)合金材料层。
根据再其它实施方案，内磁性层可以包含铁(Fe)材料。根据又其它实施方案，内磁性层可基本上由铁(Fe)材料组成。根据其它实施方案，内磁性层可以是铁(Fe)材料层。
根据再其它实施方案，内磁性层可以包含铁(Fe)合金材料。根据又其它实施方案，内磁性层可基本上由铁(Fe)合金材料组成。根据其它实施方案，内磁性层可以是铁(Fe)合金材料层。
根据再其它实施方案，内磁性层可以包含镍(Ni)材料。根据又其它实施方案，内磁性层可基本上由镍(Ni)材料组成。根据其它实施方案，内磁性层可以是镍(Ni)材料层。
根据再其它实施方案，内磁性层可以包含镍(Ni)合金材料。根据又其它实施方案，内磁性层可基本上由镍(Ni)合金材料组成。根据其它实施方案，内磁性层可以是镍(Ni)合金材料层。
根据再其它实施方案，内磁性层可包含坡莫合金材料。根据又其它实施方案，内磁性层可基本上由坡莫合金材料组成。根据其它实施方案，内磁性层可以是坡莫合金材料层。
根据再其它实施方案，内磁性层可以包含钴(Co)材料、钴(Co)合金材料、铁(Fe)材料、铁(Fe)合金材料、镍(Ni)材料、镍(Ni)合金材料和坡莫合金的任何组合。根据又其它实施方案，内磁性层可基本上由钴(Co)材料、钴(Co)合金材料、铁(Fe)材料、铁(Fe)合金材料、镍(Ni)材料、镍(Ni)合金材料和坡莫合金的任何组合组成。根据其它实施方案，内磁性层可以是钴(Co)材料、钴(Co)合金材料、铁(Fe)材料、铁(Fe)合金材料、镍(Ni)材料、镍(Ni)合金材料和坡莫合金的任何组合的层。
根据又其它实施方案，内磁性层可具有使用电感耦合等离子体光学发射光谱法测量的特定厚度。例如，内磁性层可具有至少约0.05微米，诸如至少约0.06微米、或至少约0.07微米、或至少约0.08微米、或至少约0.09微米、或至少约0.1微米、或至少约0.2微米、或至少约0.3微米、或至少约0.4微米、或至少约0.5微米、或至少约0.6微米、或至少约0.7微米、或至少约0.8微米、或至少约0.9微米、或甚至至少约1.0微米的厚度。根据再其它实施方案，内磁性层可具有不大于约3.0微米，诸如不大于约2.9微米、或不大于约2.8微米、或不大于约2.7微米、或不大于约2.6微米、或不大于约2.5微米、或不大于约2.4微米、或不大于约2.3微米、或不大于约2.2微米、或不大于约2.1微米或甚至不大于约2.0微米的厚度。应当理解，内磁性层的厚度可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，内磁性层的厚度可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其它实施方案，内磁性层可具有特定的磁导率等级(X，Y)，其中磁导率等级(X，Y)等于沿着复合材料的磁导率的虚部(μ")作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)。例如，内磁性层可具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约100，诸如，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约120，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约140，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约150，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约160，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约170，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约180，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约190，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约200，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约250，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约300，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约350，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约400，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约450，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约500，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约550，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约600，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约650，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约700，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约750，或者甚至其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约800。根据又其它实施方案，内磁性层可具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y不大于约5000。应当理解，内磁性层的磁导率等级可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，内磁性层的磁导率等级可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据再其它实施方案，沉积内磁性层可以包括溅射沉积、原子层沉积、电镀、蒸发、化学气相沉积以及它们的适应，或者尤其是在卷对卷机器中。
现在参考根据形成方法100形成的磁性多层复合材料的实施方案，图3包括磁性多层复合材料300的图。如图3所示，磁性多层复合材料300可以包括核心基底层310；外磁性层320，该外磁性层覆盖在核心基底层310的第一表面312上；以及内磁性层330，该内磁性层位于核心基底层310的第二表面314下面，其中第二表面314与第一表面312相背对。
根据再其它实施方案，磁性多层复合材料300可具有特定的磁导率等级(X，Y)，其中磁导率等级(X，Y)等于沿着复合材料的磁导率的虚部(μ")作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)。例如，磁性多层复合材料300可具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约100，诸如，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约120，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约140，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约150，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约160，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约170，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约180，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约190，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约200，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约250，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约300，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约350，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约400，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约450，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约500，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约550，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约600，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约650，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约700，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约750，或者甚至其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约800。根据又其它实施方案，磁性多层复合材料300可具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y不大于约5000。应当理解，磁性多层复合材料300的磁导率等级可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，磁性多层复合材料300的磁导率等级可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其它实施方案，磁性多层复合材料300可具有特定的磁性体积比VM/VS，其中VM等于复合材料中磁性材料的总体积，并且VS为基底的总体积。例如，磁性多层复合材料300可具有至少约0.005，诸如至少约0.01、或至少约0.05、或至少约0.1、或至少约0.2、或至少约0.3、或至少约0.4或至少约0.5的磁性体积比VM/VS。根据再其它实施方案，磁性多层复合材料300可具有不大于约1.0，诸如不大于约0.9、或不大于约0.8、或不大于约0.7、或不大于约0.6、或不大于约0.5的磁性体积比VM/VS。应当理解，磁性多层复合材料300的磁性体积比VM/VS可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，磁性多层复合材料300的磁性体积比VM/VS可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其它实施方案，磁性多层复合材料300可具有特定的磁性层体积比VOML/VS，其中VOML等于外磁性层的总体积，并且VS是基底的总体积。例如，磁性多层复合材料300可具有至少约0.005，诸如至少约0.01、或至少约0.05、或至少约0.1、或至少约0.2、或至少约0.3、或至少约0.4或至少约0.5的磁性体积比VOML/VS。根据再其它实施方案，磁性多层复合材料300可具有不大于约1.0，诸如不大于约0.9、或不大于约0.8、或不大于约0.7、或不大于约0.6、或不大于约0.5的磁性层体积比VOML/VS。应当理解，磁性多层复合材料300的磁性层体积比VOML/VS可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，磁性多层复合材料300的磁性层体积比VOML/VS可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其它实施方案，磁性多层复合材料300可具有特定的磁性层体积比VIML/VS，其中VIML等于内磁性层的总体积，并且VS是基底的总体积。例如，磁性多层复合材料300可具有至少约0.005，诸如至少约0.01、或至少约0.05、或至少约0.1、或至少约0.2、或至少约0.3、或至少约0.4或至少约0.5的磁性体积比VM/VS。根据再其它实施方案，磁性多层复合材料300可具有不大于约1.0，诸如不大于约0.9、或不大于约0.8、或不大于约0.7、或不大于约0.6、或不大于约0.5的磁性层体积比VIML/VS。应当理解，磁性多层复合材料300的磁性层体积比VIML/VS可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，磁性多层复合材料300的磁性层体积比VIML/VS可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其它实施方案，磁性多层复合材料300可具有特定的磁性厚度比TM/TS，其中TM等于复合材料中磁性材料的总厚度，并且TS为基底的总厚度。例如，磁性多层复合材料300可具有至少约0.005，诸如至少约0.01、或至少约0.05、或至少约0.1、或至少约0.2、或至少约0.3、或至少约0.4或至少约0.5的磁性厚度比TM/TS。根据再其它实施方案，磁性多层复合材料300可具有不大于约1.0，诸如不大于约0.9、或不大于约0.8、或不大于约0.7、或不大于约0.6、或不大于约0.5的磁性厚度比TM/TS。应当理解，磁性多层复合材料300的磁性厚度比TM/TS可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，磁性多层复合材料300的磁性厚度比TM/TS可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其它实施方案，磁性多层复合材料300可具有特定的磁性层厚度比TOML/TS，其中TOML等于外磁性层的总厚度，并且TS为基底的总厚度。例如，磁性多层复合材料300可具有至少约0.005，诸如至少约0.01、或至少约0.05、或至少约0.1、或至少约0.2、或至少约0.3、或至少约0.4或至少约0.5的磁性厚度比TOML/TS。根据再其它实施方案，磁性多层复合材料300可具有不大于约1.0，诸如不大于约0.9、或不大于约0.8、或不大于约0.7、或不大于约0.6、或不大于约0.5的磁性层厚度比TOML/TS。应当理解，磁性多层复合材料300的磁性层厚度比TOML/TS可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，磁性多层复合材料300的磁性层厚度比TOML/TS可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其它实施方案，磁性多层复合材料300可具有特定的磁性层厚度比TIML/TS，其中TIML等于内磁性层的总厚度，并且TS为基底的总厚度。例如，磁性多层复合材料300可具有至少约0.005，诸如至少约0.01、或至少约0.05、或至少约0.1、或至少约0.2、或至少约0.3、或至少约0.4或至少约0.5的磁性厚度比TM/TS。根据再其它实施方案，磁性多层复合材料300可具有不大于约1.0，诸如不大于约0.9、或不大于约0.8、或不大于约0.7、或不大于约0.6、或不大于约0.5的磁性层厚度比TIML/TS。应当理解，磁性多层复合材料300的磁性层厚度比TIML/TS可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，磁性多层复合材料300的磁性层厚度比TIML/TS可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其它实施方案，磁性多层复合材料300可具有特定的厚度。例如，磁性多层复合材料300可具有至少约3微米，诸如至少约5微米、至少约10微米、或至少约15微米、或至少约20微米、或至少约25微米、或至少约30微米、或至少约35微米、或至少约40微米、或至少约50微米、或至少约60微米、或至少约70微米、或至少约80微米、或至少约90微米、或甚至至少约100微米的厚度。根据再其它实施方案，磁性多层复合材料300可具有不大于约250微米、或不大于约240微米、或不大于约230微米、或不大于约220微米、或不大于约210微米、或不大于约200微米、或不大于约190微米、或不大于约180微米、或不大于约170微米、或不大于约160微米、或不大于约150微米的厚度。应当理解，磁性多层复合材料300的厚度可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，磁性多层复合材料300的厚度可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据具体实施方案，核心基底层310可以包含塑性材料。根据又其它实施方案，核心基底层310可基本上由塑性材料组成。根据其它实施方案，核心基底层310可以是塑性材料层。
根据再其它实施方案，核心基底层310可以包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料。根据又其它的实施方案，核心基底层310可基本上由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料组成。根据其它实施方案，核心基底层310可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料层。
根据再其它实施方案，核心基底层310可以包含聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)材料。根据又其它实施方案，核心基底层310可基本上由聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)材料组成。根据其它实施方案，核心基底层310可以是聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)材料层。
根据再其它实施方案，核心基底层310可以包含聚酰亚胺(PI)材料。根据又其它实施方案，核心基底层310可基本上由聚酰亚胺(PI)材料组成。根据其它实施方案，核心基底层310可以是聚酰亚胺(PI)材料层。
根据再其它实施方案，核心基底层310可以包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)材料和聚酰亚胺(PI)材料的任何组合。根据又其它实施方案，核心基底层310可基本上由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)材料和聚酰亚胺(PI)材料的任何组合组成。根据其它实施方案，核心基底层310可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)材料和聚酰亚胺(PI)材料的任何组合的层。
根据又其它实施方案，核心基底层310可具有特定的厚度。例如，核心基底层310可具有至少约3微米，诸如至少约5微米、至少约10微米、或至少约15微米、或至少约20微米、或至少约25微米、或至少约30微米、或至少约35微米、或至少约40微米、或至少约50微米、或至少约60微米、或至少约70微米、或至少约80微米、或至少约90微米、或甚至至少约100微米的厚度。根据再其它实施方案，核心基底层310可具有不大于约250微米、或不大于约240微米、或不大于约230微米、或不大于约220微米、或不大于约210微米、或不大于约200微米、或不大于约190微米、或不大于约180微米、或不大于约170微米、或不大于约160微米、或不大于约150微米的厚度。应当理解，核心基底层310的厚度可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，核心基底层310的厚度可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据具体实施方案，外磁性层320可以包含磁性材料。根据其它实施方案，外磁性层320可基本上由磁性材料组成。根据又其它实施方案，外磁性层320可以是磁性材料层。
根据又其它实施方案，外磁性层320可以包含软磁性材料。根据其它实施方案，外磁性层320可基本上由软磁性材料组成。根据又其它实施方案，外磁性层320可以是软磁性材料层。
根据又其它实施方案，外磁性层320可以包含铁磁性材料。根据其它实施方案，外磁性层320可基本上由铁磁性材料组成。根据又其它实施方案，外磁性层320可以是铁磁性材料层。
根据再其它实施方案，外磁性层320可以包含钴(Co)材料。根据又其它实施方案，外磁性层320可基本上由钴(Co)材料组成。根据其它实施方案，外磁性层320可以是钴(Co)材料层。
根据再其它实施方案，外磁性层320可以包含钴(Co)合金材料。根据又其它实施方案，外磁性层320可基本上由钴(Co)合金材料组成。根据其它实施方案，外磁性层320可以是钴(Co)合金材料层。
根据再其它实施方案，外磁性层320可以包含铁(Fe)材料。根据又其它实施方案，外磁性层320可基本上由铁(Fe)材料组成。根据其它实施方案，外磁性层320可以是铁(Fe)材料层。
根据再其它实施方案，外磁性层320可以包含铁(Fe)合金材料。根据又其它实施方案，外磁性层320可基本上由铁(Fe)合金材料组成。根据其它实施方案，外磁性层320可以是铁(Fe)合金材料层。
根据再其它实施方案，外磁性层320可以包含镍(Ni)材料。根据又其它实施方案，外磁性层320可基本上由镍(Ni)材料组成。根据其它实施方案，外磁性层320可以是镍(Ni)材料层。
根据再其它实施方案，外磁性层320可以包含镍(Ni)合金材料。根据又其它实施方案，外磁性层320可基本上由镍(Ni)合金材料组成。根据其它实施方案，外磁性层320可以是镍(Ni)合金材料层。
根据再其它实施方案，外磁性层320可以包含坡莫合金材料。根据又其它实施方案，外磁性层320可基本上由坡莫合金材料组成。根据其它实施方案，外磁性层320可以是坡莫合金材料层。
根据再其它实施方案，外磁性层320可以包含钴(Co)材料、钴(Co)合金材料、铁(Fe)材料、铁(Fe)合金材料、镍(Ni)材料、镍(Ni)合金材料和坡莫合金的任何组合。根据又其它实施方案，外磁性层320可基本上由钴(Co)材料、钴(Co)合金材料、铁(Fe)材料、铁(Fe)合金材料、镍(Ni)材料、镍(Ni)合金材料和坡莫合金的任何组合组成。根据其它实施方案，外磁性层320可以是钴(Co)材料、钴(Co)合金材料、铁(Fe)材料、铁(Fe)合金材料、镍(Ni)材料、镍(Ni)合金材料和坡莫合金的任何组合的层。
根据又其它实施方案，外磁性层320可具有使用电感耦合等离子体光学发射光谱法测量的特定厚度。例如，外磁性层320可具有至少约3微米，诸如至少约0.05微米、或至少约0.06微米、或至少约0.07微米、或至少约0.08微米、或至少约0.09微米、或至少约0.1微米、或至少约0.2微米、或至少约0.3微米、或至少约0.4微米、或至少约0.5微米、或至少约0.6微米、或至少约0.7微米、或至少约0.8微米、或至少约0.9微米、或甚至至少约1.0微米的厚度。根据再其它实施方案，外磁性层320可具有不大于约3.0微米、或不大于约2.9微米、或不大于约2.8微米、或不大于约2.7微米、或不大于约2.6微米、或不大于约2.5微米、或不大于约2.4微米、或不大于约2.3微米、或不大于约2.2微米、或不大于约2.1微米、或不大于约2.0微米的厚度。应当理解，外磁性层320的厚度可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，外磁性层320的厚度可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其它实施方案，外磁性层320可具有特定的磁导率等级(X，Y)，其中磁导率等级(X，Y)等于沿着复合材料的磁导率的虚部(μ")作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)。例如，外磁性层320可具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约100，诸如，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约120，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约140，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约150，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约160，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约170，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约180，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约190，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约200，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约250，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约300，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约350，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约400，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约450，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约500，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约550，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约600，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约650，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约700，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约750，或者甚至其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约800。根据又其它实施方案，外磁性层320可具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y不大于约5000。应当理解，外磁性层320的磁导率等级可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，外磁性层320的磁导率等级可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据具体实施方案，内磁性层330可以包含磁性材料。根据其它实施方案，内磁性层330可基本上由磁性材料组成。根据又其它实施方案，内磁性层330可以是磁性材料层。
根据又其它实施方案，内磁性层330可以包含软磁性材料。根据其它实施方案，内磁性层330可基本上由软磁性材料组成。根据又其它实施方案，内磁性层330可以是软磁性材料层。
根据又其它实施方案，内磁性层330可以包含铁磁性材料。根据其它实施方案，内磁性层330可基本上由铁磁性材料组成。根据又其它实施方案，内磁性层330可以是铁磁性材料层。
根据再其它实施方案，内磁性层330可以包含钴(Co)材料。根据再其它实施方案，内磁性层330可基本上由钴(Co)材料组成。根据其它实施方案，内磁性层330可以是钴(Co)材料层。
根据再其它实施方案，内磁性层330可以包含钴(Co)合金材料。根据又其它实施方案，内磁性层330可基本上由钴(Co)合金材料组成。根据其它实施方案，内磁性层330可以是钴(Co)合金材料层。
根据再其它实施方案，内磁性层330可以包含铁(Fe)材料。根据又其它实施方案，内磁性层330可基本上由铁(Fe)材料组成。根据其它实施方案，内磁性层330可以是铁(Fe)材料层。
根据再其它实施方案，内磁性层330可以包含铁(Fe)合金材料。根据又其它实施方案，内磁性层330可基本上由铁(Fe)合金材料组成。根据其它实施方案，内磁性层330可以是铁(Fe)合金材料层。
根据再其它实施方案，内磁性层330可以包含镍(Ni)材料。根据又其它实施方案，内磁性层330可基本上由镍(Ni)材料组成。根据其它实施方案，内磁性层330可以是镍(Ni)材料层。
根据再其它实施方案，内磁性层330可以包含镍(Ni)合金材料。根据又其它实施方案，内磁性层330可基本上由镍(Ni)合金材料组成。根据其它实施方案，内磁性层330可以是镍(Ni)合金材料层。
根据再其它实施方案，内磁性层330可包含坡莫合金材料。根据又其它实施方案，内磁性层330可基本上由坡莫合金材料组成。根据其它实施方案，内磁性层330可以是坡莫合金材料层。
根据再其它实施方案，内磁性层330可以包含钴(Co)材料、钴(Co)合金材料、铁(Fe)材料、铁(Fe)合金材料、镍(Ni)材料、镍(Ni)合金材料和坡莫合金的任何组合。根据又其它实施方案，内磁性层330可基本上由钴(Co)材料、钴(Co)合金材料、铁(Fe)材料、铁(Fe)合金材料、镍(Ni)材料、镍(Ni)合金材料和坡莫合金的任何组合组成。根据其它实施方案，内磁性层330可以是钴(Co)材料、钴(Co)合金材料、铁(Fe)材料、铁(Fe)合金材料、镍(Ni)材料、镍(Ni)合金材料和坡莫合金的任何组合的层。
根据又其它实施方案，内磁性层330可具有使用电感耦合等离子体光学发射光谱法测量的特定厚度。例如，内磁性层330可具有至少约0.05微米，诸如至少约0.06微米、或至少约0.07微米、或至少约0.08微米、或至少约0.09微米、或至少约0.1微米、或至少约0.2微米、或至少约0.3微米、或至少约0.4微米、或至少约0.5微米、或至少约0.6微米、或至少约0.7微米、或至少约0.8微米、或至少约0.9微米、或甚至至少约1.0微米的厚度。根据再其它实施方案，内磁性层330可具有不大于约3.0微米、或不大于约2.9微米、或不大于约2.8微米、或不大于约2.7微米、或不大于约2.6微米、或不大于约2.5微米、或不大于约2.4微米、或不大于约2.3微米、或不大于约2.2微米、或不大于约2.1微米、或不大于约2.0微米的厚度。应当理解，内磁性层330的厚度可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，内磁性层330的厚度可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据又其它实施方案，内磁性层330可具有特定的磁导率等级(X，Y)，其中磁导率等级(X，Y)等于沿着复合材料的磁导率的虚部(μ")作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)。例如，内磁性层330可具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约100，诸如，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约120，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约140，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约150，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约160，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约170，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约180，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约190，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约200，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约250，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约300，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约350，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约400，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约450，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约500，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约550，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约600，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约650，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约700，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约750，或者甚至其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约800。根据又其它实施方案，内磁性层330可具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y不大于约5000。应当理解，内磁性层330的磁导率等级可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，内磁性层330的磁导率等级可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
根据本文所述的再其它实施方案，本文所述的磁性多层复合材料可用于形成天线。根据再其它实施方案，天线可以包括如本文所述的磁性多层复合材料。应当理解，包括在本文所述实施方案的天线中的磁性多层复合材料可以具有本文所述的任何特性。还应当理解，包括在本文所述实施方案的天线中的磁性多层复合材料可以根据本文所述的任何步骤形成。
许多不同方面和实施方案都是可能的。本文描述了那些方面和实施方案中的一些。在阅读本说明书之后，技术人员将理解，那些方面和实施方案仅是示例性的并且不限制本发明的范围。实施方案可以根据如下列出的实施方案中的任一个或多个实施方案。
实施方案1.一种磁性多层复合材料，包括：核心基底层；外磁性层，所述外磁性层覆盖在所述核心基底层的第一表面上；和内磁性层，所述内磁性层位于所述核心基底层的与所述核心基底层的所述第一表面相背对的第二表面上，其中所述复合材料具有至少约0.005的磁性体积比VM/VS，其中VM等于所述复合材料中所述磁性材料的总体积，并且VS是基底的总体积，并且其中所述复合材料具有磁导率等级(X，Y)，其中所述磁导率等级(X，Y)等于沿着所述复合材料的磁导率的虚部(μ”)作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y大于100。
实施方案2.一种磁性多层复合材料，包括：核心基底层；外磁性层，所述外磁性层覆盖在所述核心基底层的第一表面上；和内磁性层，所述内磁性层位于所述核心基底层的与所述核心基底层的所述第一表面相背对的第二表面上，其中所述复合材料具有至少约0.005的磁性层厚度比TM/TS，其中TM等于外磁性层和内磁性层的总厚度，并且TS为基底的总厚度，并且其中所述复合材料具有磁导率等级(X，Y)，其中所述磁导率等级(X，Y)等于沿着所述复合材料的磁导率的虚部(μ”)作为作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y大于100。
实施方案3.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约100，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约120，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约140，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约150，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约160，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约170，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约180，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约190，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约200，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约250，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约300，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约350，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约400，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约450，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约500，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约550，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约600，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约650，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约700，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约750，或者甚至其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约800。
实施方案4.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y不大于约5000。
实施方案5.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有至少约0.005、至少约0.01、或至少约0.05、或至少约0.1、或至少约0.2、或至少约0.3、或至少约0.4、或至少约0.5的磁性层体积比VM/VS，其中VM等于所述复合材料中磁性材料的总体积，并且VS是基底的总体积，其中VM等于所述外磁性层和所述内磁性层的总体积，并且VS是所述基底的总体积。
实施方案6.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有不大于约1.0、不大于约0.9、或不大于约0.8、或不大于约0.7、或不大于约0.6、或不大于约0.5的磁性层体积比VM/VS，其中VM等于所述复合材料中磁性材料的总体积，并且VS是基底的总体积。
实施方案7.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有至少约0.0025、至少约0.005、或至少约0.0075、或至少约0.01、或至少约0.02、或至少约0.03、或至少约0.04、或至少约0.05、或至少约0.06、或至少约0.07、或至少约0.08、或至少约0.09、或至少约0.1的磁性层体积比VOML/VS，其中VOML等于所述外磁性层的总体积，并且VS是所述基底的总体积。
实施方案8.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有不大于约0.5、不大于约0.45、或不大于约0.40、或不大于约0.35、或不大于约0.30、或不大于约0.25、或不大于约0.20、或不大于约0.15的磁性层体积比VOML/VS，其中VOML等于所述外磁性层的总体积，并且VS是所述基底的总体积。
实施方案9.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有至少约0.0025、至少约0.005、或至少约0.0075、或至少约0.01、或至少约0.02、或至少约0.03、或至少约0.04、或至少约0.05、或至少约0.06、或至少约0.07、或至少约0.08、或至少约0.09、或至少约0.1的磁性层体积比VIML/VS，其中VIML等于所述内磁性层的总体积，并且VS是所述基底的总体积。
实施方案10.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有不大于约0.5、不大于约0.45、或不大于约0.40、或不大于约0.35、或不大于约0.30、或不大于约0.25、或不大于约0.20、或不大于约0.15的磁性层体积比VIML/VS，其中VIML等于所述内磁性层的总体积，并且VS是所述基底的总体积。
实施方案11.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有至少约0.0025、至少约0.005、或至少约0.0075、或至少约0.01、或至少约0.02、或至少约0.03、或至少约0.04、或至少约0.05、或至少约0.06、或至少约0.07、或至少约0.08、或至少约0.09、或至少约0.1的磁性层厚度比TM/TS，其中TM等于所述外磁性层和所述内磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案12.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有不大于约0.5、不大于约0.45、或不大于约0.40、或不大于约0.35、或不大于约0.30、或不大于约0.25、或不大于约0.20、或不大于约0.15的磁性层厚度比TM/TS，其中TM等于所述外磁性层和所述内磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案13.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有至少约0.0025、至少约0.005、或至少约0.0075、或至少约0.01、或至少约0.02、或至少约0.03、或至少约0.04、或至少约0.05、或至少约0.06、或至少约0.07、或至少约0.08、或至少约0.09、或至少约0.1的磁性层厚度比TOML/TS，其中TOML等于所述外磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案14.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有不大于约0.5、不大于约0.45、或不大于约0.40、或不大于约0.35、或不大于约0.30、或不大于约0.25、或不大于约0.20、或不大于约0.15的磁性层厚度比TOML/TS，其中TOML等于所述外磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案15.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有至少约0.0025、至少约0.005、或至少约0.0075、或至少约0.01、或至少约0.02、或至少约0.03、或至少约0.04、或至少约0.05、或至少约0.06、或至少约0.07、或至少约0.08、或至少约0.09、或至少约0.1的磁性层厚度比TIML/TS，其中TIML等于所述内磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案16.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有不大于约0.5、不大于约0.45、或不大于约0.40、或不大于约0.35、或不大于约0.30、或不大于约0.25、或不大于约0.20、或不大于约0.15的磁性层厚度比TIML/TS，其中TIML等于所述内磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案17.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有至少约3微米或5微米、或至少约10微米、或至少约15微米、或至少约20微米、或至少约25微米、或至少约30微米、或至少约35微米、或至少约40微米、或至少约50微米、或至少约60微米、或至少约70微米、或至少约80微米、或至少约90微米、或至少约100微米的厚度。
实施方案18.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有不大于约250微米、或不大于约240微米、或不大于约230微米、或不大于约220微米、或不大于约210微米、或不大于约200微米、或不大于约190微米、或不大于约180微米、或不大于约170微米、或不大于约160微米、或不大于约150微米的厚度。
实施方案19.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述核心基底层包含塑性材料。
实施方案20.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述核心基底层包含PET、PEN、PI或它们的组合。
实施方案21.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述核心基底层具有至少约3微米或5微米、或至少约10微米、或至少约15微米、或至少约20微米、或至少约25微米、或至少约30微米、或至少约35微米、或至少约40微米、或至少约50微米、或至少约60微米、或至少约70微米、或至少约80微米、或至少约90微米、或至少约100微米的厚度。
实施方案22.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述核心基底层具有不大于约250微米、或不大于约240微米、或不大于约230微米、或不大于约220微米、或不大于约210微米、或不大于约200微米、或不大于约190微米、或不大于约180微米、或不大于约170微米、或不大于约160微米、或不大于约150微米的厚度。
实施方案23.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述外磁性层包含磁性材料。
实施方案24.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述外磁性层包含软磁性材料、铁磁性材料或它们的任何组合。
实施方案25.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述外磁性层包含Co材料、Co合金材料、Fe材料、Fe合金材料、Ni材料、Ni合金材料、坡莫合金或它们的组合。
实施方案26.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述外磁性层具有至少约0.05微米、或至少约0.06微米、或至少约0.07微米、或至少约0.08微米、或至少约0.09微米、或至少约0.1微米、或至少约0.2微米、或至少约0.3微米、或至少约0.4微米、或至少约0.5微米、或至少约0.6微米、或至少约0.7微米、或至少约0.8微米、或至少约0.9微米、或甚至至少约1.0微米的厚度。
实施方案27.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述外磁性层具有不大于约3.0微米、或不大于约2.9微米、或不大于约2.8微米、或不大于约2.7微米、或不大于约2.6微米、或不大于约2.5微米、或不大于约2.4微米、或不大于约2.3微米、或不大于约2.2微米、或不大于约2.1微米、或不大于约2.0微米的厚度。
实施方案28.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述外磁性层具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约100，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约120，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约140，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约150，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约160，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约170，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约180，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约190，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约200，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约250，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约300，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约350，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约400，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约450，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约500，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约550，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约600，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约650，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约700，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约750，或者甚至其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约800。
实施方案29.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述外磁性层具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y不大于约5000。
实施方案30.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述内磁性层包含软磁性材料、铁磁性材料或它们的任何组合。
实施方案31.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述内磁性层包含Co材料、Co合金材料、Fe材料、Fe合金材料、Ni材料、Ni合金材料、坡莫合金或它们的组合。
实施方案32.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述内磁性层具有至少约0.05微米、或至少约0.06微米、或至少约0.07微米、或至少约0.08微米、或至少约0.09微米、或至少约0.1微米、或至少约0.2微米、或至少约0.3微米、或至少约0.4微米、或至少约0.5微米、或至少约0.6微米、或至少约0.7微米、或至少约0.8微米、或至少约0.9微米、或甚至至少约1.0微米的厚度。
实施方案33.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述内磁性层具有不大于约3.0微米、或不大于约2.9微米、或不大于约2.8微米、或不大于约2.7微米、或不大于约2.6微米、或不大于约2.5微米、或不大于约2.4微米、或不大于约2.3微米、或不大于约2.2微米、或不大于约2.1微米、或不大于约2.0微米的厚度。
实施方案34.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述内磁性层具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约100，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约120，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约140，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约150，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约160，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约170，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约180，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约190，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约200，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约250，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约300，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约350，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约400，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约450，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约500，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约550，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约600，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约650，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约700，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约750，或者甚至其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约800。
实施方案35.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述内磁性层具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y不大于约5000。
实施方案36.根据实施方案1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述磁性多层复合材料被构造为用于天线中。
实施方案37.一种天线，所述天线包括磁性多层复合材料，其中所述磁性多层复合材料包括：核心基底层；外磁性层，所述外磁性层覆盖在所述核心基底层的第一表面上；和内磁性层，所述内磁性层位于所述核心基底层的与所述核心基底层的所述第一表面相背对的第二表面上，其中所述复合材料具有至少约0.005的磁性体积比VM/VS，其中VM等于所述复合材料中所述磁性材料的总体积，并且VS是基底的总体积，并且其中所述复合材料具有磁导率等级(X，Y)，其中所述磁导率等级(X，Y)等于沿着所述复合材料的磁导率的虚部(μ”)作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y大于100。
实施方案38.一种天线，所述天线包括磁性多层复合材料，其中所述磁性多层复合材料包括：核心基底层；外磁性层，所述外磁性层覆盖在所述核心基底层的第一表面上；和内磁性层，所述内磁性层位于所述核心基底层的与所述核心基底层的所述第一表面相背对的第二表面上，其中所述复合材料具有至少约0.005的磁性层厚度比TM/TS，其中TM等于外磁性层和内磁性层的总厚度，并且TS为基底的总厚度，并且其中所述复合材料具有磁导率等级(X，Y)，其中所述磁导率等级(X，Y)等于沿着所述复合材料的磁导率的虚部(μ”)作为作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y大于100。
实施方案39.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述复合材料具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约100，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约120，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约140，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约150，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约160，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约170，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约180，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约190，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约200，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约250，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约300，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约350，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约400，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约450，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约500，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约550，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约600，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约650，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约700，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约750，或者甚至其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约800。
实施方案40.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述复合材料具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y不大于约5000。
实施方案41.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述复合材料具有至少约0.005、至少约0.01、或至少约0.05、或至少约0.1、或至少约0.2、或至少约0.3、或至少约0.4、或至少约0.5的磁性层体积比VM/VS，其中VM等于所述复合材料中磁性材料的总体积，并且VS是基底的总体积，其中VM等于所述外磁性层和所述内磁性层的总体积，并且VS是所述基底的总体积。
实施方案42.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述复合材料具有不大于约1.0、不大于约0.9、或不大于约0.8、或不大于约0.7、或不大于约0.6、或不大于约0.5的磁性层体积比VM/VS，其中VM等于所述复合材料中磁性材料的总体积，并且VS是基底的总体积。
实施方案43.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述复合材料具有至少约0.0025、至少约0.005、或至少约0.0075、或至少约0.01、或至少约0.02、或至少约0.03、或至少约0.04、或至少约0.05、或至少约0.06、或至少约0.07、或至少约0.08、或至少约0.09、或至少约0.1的磁性层体积比VOML/VS，其中VOML等于所述外磁性层的总体积，并且VS是所述基底的总体积。
实施方案44.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述复合材料具有不大于约0.5、不大于约0.45、或不大于约0.40、或不大于约0.35、或不大于约0.30、或不大于约0.25、或不大于约0.20、或不大于约0.15的磁性层体积比VOML/VS，其中VOML等于所述外磁性层的总体积，并且VS是所述基底的总体积。
实施方案45.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述复合材料具有至少约0.0025、至少约0.005、或至少约0.0075、或至少约0.01、或至少约0.02、或至少约0.03、或至少约0.04、或至少约0.05、或至少约0.06、或至少约0.07、或至少约0.08、或至少约0.09、或至少约0.1的磁性层体积比VIML/VS，其中VIML等于所述内磁性层的总体积，并且VS是所述基底的总体积。
实施方案46.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述复合材料具有不大于约0.5、不大于约0.45、或不大于约0.40、或不大于约0.35、或不大于约0.30、或不大于约0.25、或不大于约0.20、或不大于约0.15的磁性层体积比VIML/VS，其中VIML等于所述内磁性层的总体积，并且VS是所述基底的总体积。
实施方案47.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述复合材料具有至少约0.0025、至少约0.005、或至少约0.0075、或至少约0.01、或至少约0.02、或至少约0.03、或至少约0.04、或至少约0.05、或至少约0.06、或至少约0.07、或至少约0.08、或至少约0.09、或至少约0.1的磁性层厚度比TM/TS，其中TM等于所述外磁性层和所述内磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案48.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述复合材料具有不大于约0.5、不大于约0.45、或不大于约0.40、或不大于约0.35、或不大于约0.30、或不大于约0.25、或不大于约0.20、或不大于约0.15的磁性层厚度比TM/TS，其中TM等于所述外磁性层和所述内磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案49.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述复合材料具有至少约0.0025、至少约0.005、或至少约0.0075、或至少约0.01、或至少约0.02、或至少约0.03、或至少约0.04、或至少约0.05、或至少约0.06、或至少约0.07、或至少约0.08、或至少约0.09、或至少约0.1的磁性层厚度比TOML/TS，其中TOML等于所述外磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案50.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述复合材料具有不大于约0.5、不大于约0.45、或不大于约0.40、或不大于约0.35、或不大于约0.30、或不大于约0.25、或不大于约0.20、或不大于约0.15的磁性层厚度比TOML/TS，其中TOML等于所述外磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案51.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述复合材料具有至少约0.0025、至少约0.005、或至少约0.0075、或至少约0.01、或至少约0.02、或至少约0.03、或至少约0.04、或至少约0.05、或至少约0.06、或至少约0.07、或至少约0.08、或至少约0.09、或至少约0.1的磁性层厚度比TIML/TS，其中TIML等于所述内磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案52.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述复合材料具有不大于约0.5、不大于约0.45、或不大于约0.40、或不大于约0.35、或不大于约0.30、或不大于约0.25、或不大于约0.20、或不大于约0.15的磁性层厚度比TIML/TS，其中TIML等于所述内磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案53.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述复合材料具有至少约3微米或5微米、或至少约10微米、或至少约15微米、或至少约20微米、或至少约25微米、或至少约30微米、或至少约35微米、或至少约40微米、或至少约50微米、或至少约60微米、或至少约70微米、或至少约80微米、或至少约90微米、或至少约100微米的厚度。
实施方案54.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述复合材料具有不大于约250微米、或不大于约240微米、或不大于约230微米、或不大于约220微米、或不大于约210微米、或不大于约200微米、或不大于约190微米、或不大于约180微米、或不大于约170微米、或不大于约160微米、或不大于约150微米的厚度。
实施方案55.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述核心基底层包含塑性材料。
实施方案56.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述核心基底层包含PET、PEN、PI或它们的组合。
实施方案57.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述核心基底层具有至少约3微米或5微米、或至少约10微米、或至少约15微米、或至少约20微米、或至少约25微米、或至少约30微米、或至少约35微米、或至少约40微米、或至少约50微米、或至少约60微米、或至少约70微米、或至少约80微米、或至少约90微米、或至少约100微米的厚度。
实施方案58.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述核心基底层具有不大于约250微米、或不大于约240微米、或不大于约230微米、或不大于约220微米、或不大于约210微米、或不大于约200微米、或不大于约190微米、或不大于约180微米、或不大于约170微米、或不大于约160微米、或不大于约150微米的厚度。
实施方案59.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述外磁性层包含磁性材料。
实施方案60.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述外磁性层包含软磁性材料、铁磁性材料或它们的任何组合。
实施方案61.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述外磁性层包含Co材料、Co合金材料、Fe材料、Fe合金材料、Ni材料、Ni合金材料、坡莫合金或它们的组合。
实施方案62.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述外磁性层具有至少约0.05微米、或至少约0.06微米、或至少约0.07微米、或至少约0.08微米、或至少约0.09微米、或至少约0.1微米、或至少约0.2微米、或至少约0.3微米、或至少约0.4微米、或至少约0.5微米、或至少约0.6微米、或至少约0.7微米、或至少约0.8微米、或至少约0.9微米、或甚至至少约1.0微米的厚度。
实施方案63.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述外磁性层具有不大于约3.0微米、或不大于约2.9微米、或不大于约2.8微米、或不大于约2.7微米、或不大于约2.6微米、或不大于约2.5微米、或不大于约2.4微米、或不大于约2.3微米、或不大于约2.2微米、或不大于约2.1微米、或不大于约2.0微米的厚度。
实施方案64.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述外磁性层具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约100，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约120，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约140，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约150，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约160，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约170，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约180，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约190，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约200，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约250，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约300，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约350，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约400，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约450，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约500，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约550，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约600，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约650，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约700，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约750，或者甚至其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约800。
实施方案65.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述外磁性层具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y不大于约5000。
实施方案66.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述内磁性层包含软磁性材料、铁磁性材料或它们的任何组合。
实施方案67.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述内磁性层包含Co材料、Co合金材料、Fe材料、Fe合金材料、Ni材料、Ni合金材料、坡莫合金或它们的组合。
实施方案68.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述内磁性层具有至少约0.05微米、或至少约0.06微米、或至少约0.07微米、或至少约0.08微米、或至少约0.09微米、或至少约0.1微米、或至少约0.2微米、或至少约0.3微米、或至少约0.4微米、或至少约0.5微米、或至少约0.6微米、或至少约0.7微米、或至少约0.8微米、或至少约0.9微米、或甚至至少约1.0微米的厚度。
实施方案69.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述内磁性层具有不大于约3.0微米、或不大于约2.9微米、或不大于约2.8微米、或不大于约2.7微米、或不大于约2.6微米、或不大于约2.5微米、或不大于约2.4微米、或不大于约2.3微米、或不大于约2.2微米、或不大于约2.1微米、或不大于约2.0微米的厚度。
实施方案70.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述内磁性层具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约100，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约120，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约140，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约150，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约160，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约170，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约180，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约190，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约200，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约250，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约300，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约350，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约400，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约450，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约500，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约550，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约600，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约650，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约700，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约750，或者甚至其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约800。
实施方案71.根据实施方案37和38中任一项所述的天线，其中所述内磁性层具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y不大于约5000。
实施方案72.一种形成磁性多层复合材料的方法，包括：提供核心基底层；沉积外磁性层，所述外磁性层覆盖在所述核心基底层的第一表面上；以及沉积内磁性层，所述内磁性层位于所述核心基底层的与所述核心基底层的所述第一表面相背对的第二表面上，其中所述复合材料具有至少约0.005的磁性体积比VM/VS，其中VM等于所述复合材料中所述磁性材料的总体积，并且VS是基底的总体积，并且其中所述复合材料具有磁导率等级(X，Y)，其中所述磁导率等级(X，Y)等于沿着所述复合材料的磁导率的虚部(μ”)作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y大于100。
实施方案73.一种形成磁性多层复合材料的方法，包括：提供核心基底层；沉积外磁性层，所述外磁性层覆盖在所述核心基底层的第一表面上；以及沉积内磁性层，所述内磁性层位于所述核心基底层的与所述核心基底层的所述第一表面相背对的第二表面上，其中所述复合材料具有至少约0.005的磁性层厚度比TM/TS，其中TM等于外磁性层和内磁性层的总厚度，并且TS为基底的总厚度，并且其中所述复合材料具有磁导率等级(X，Y)，其中所述磁导率等级(X，Y)等于沿着所述复合材料的磁导率的虚部(μ”)作为作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y大于100。
实施方案74.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中沉积所述外磁性层包括溅射沉积、原子层沉积、电镀、蒸发、化学气相沉积以及它们的适应，或者尤其是在卷对卷机器中。
实施方案75.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中沉积所述内磁性层包括溅射沉积、原子层沉积、电镀、蒸发、化学气相沉积以及它们的适应，或者尤其是在卷对卷机器中。
实施方案76.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述复合材料具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约100，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约120，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约140，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约150，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约160，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约170，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约180，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约190，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约200，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约250，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约300，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约350，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约400，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约450，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约500，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约550，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约600，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约650，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约700，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约750，或者甚至其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约800。
实施方案77.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述复合材料具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y不大于约5000。
实施方案78.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述复合材料具有至少约0.005、至少约0.01、或至少约0.05、或至少约0.1、或至少约0.2、或至少约0.3、或至少约0.4、或至少约0.5的磁性层体积比VM/VS，其中VM等于所述复合材料中磁性材料的总体积，并且VS是基底的总体积，其中VM等于所述外磁性层和所述内磁性层的总体积，并且VS是所述基底的总体积。
实施方案79.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述复合材料具有不大于约1.0、不大于约0.9、或不大于约0.8、或不大于约0.7、或不大于约0.6、或不大于约0.5的磁性层体积比VM/VS，其中VM等于所述复合材料中磁性材料的总体积，并且VS是基底的总体积。
实施方案80.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述复合材料具有至少约0.0025、至少约0.005、或至少约0.0075、或至少约0.01、或至少约0.02、或至少约0.03、或至少约0.04、或至少约0.05、或至少约0.06、或至少约0.07、或至少约0.08、或至少约0.09、或至少约0.1的磁性层体积比VOML/VS，其中VOML等于所述外磁性层的总体积，并且VS是所述基底的总体积。
实施方案81.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述复合材料具有不大于约0.5、不大于约0.45、或不大于约0.40、或不大于约0.35、或不大于约0.30、或不大于约0.25、或不大于约0.20、或不大于约0.15的磁性层体积比VOML/VS，其中VOML等于所述外磁性层的总体积，并且VS是所述基底的总体积。
实施方案82.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述复合材料具有至少约0.0025、至少约0.005、或至少约0.0075、或至少约0.01、或至少约0.02、或至少约0.03、或至少约0.04、或至少约0.05、或至少约0.06、或至少约0.07、或至少约0.08、或至少约0.09、或至少约0.1的磁性层体积比VIML/VS，其中VIML等于所述内磁性层的总体积，并且VS是所述基底的总体积。
实施方案83.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述复合材料具有不大于约0.5、不大于约0.45、或不大于约0.40、或不大于约0.35、或不大于约0.30、或不大于约0.25、或不大于约0.20、或不大于约0.15的磁性层体积比viml/vs，其中viml等于所述neiIML/VS，其中VIML等于所述内磁性层的总体积，并且VS是所述基底的总体积。
实施方案84.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述复合材料具有至少约0.0025、至少约0.005、或至少约0.0075、或至少约0.01、或至少约0.02、或至少约0.03、或至少约0.04、或至少约0.05、或至少约0.06、或至少约0.07、或至少约0.08、或至少约0.09、或至少约0.1的磁性层厚度比TM/TS，其中TM等于所述外磁性层和所述内磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案85.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述复合材料具有不大于约0.5、不大于约0.45、或不大于约0.40、或不大于约0.35、或不大于约0.30、或不大于约0.25、或不大于约0.20、或不大于约0.15的磁性层厚度比TM/TS，其中TM等于所述外磁性层和所述内磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案86.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述复合材料具有至少约0.0025、至少约0.005、或至少约0.0075、或至少约0.01、或至少约0.02、或至少约0.03、或至少约0.04、或至少约0.05、或至少约0.06、或至少约0.07、或至少约0.08、或至少约0.09、或至少约0.1的磁性层厚度比TOML/TS，其中TOML等于所述外磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案87.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述复合材料具有不大于约0.5、不大于约0.45、或不大于约0.40、或不大于约0.35、或不大于约0.30、或不大于约0.25、或不大于约0.20、或不大于约0.15的磁性层厚度比TOML/TS，其中TOML等于所述外磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案88.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述复合材料具有至少约0.0025、至少约0.005、或至少约0.0075、或至少约0.01、或至少约0.02、或至少约0.03、或至少约0.04、或至少约0.05、或至少约0.06、或至少约0.07、或至少约0.08、或至少约0.09、或至少约0.1的磁性层厚度比TIML/TS，其中TIML等于所述内磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案89.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述复合材料具有不大于约0.5、不大于约0.45、或不大于约0.40、或不大于约0.35、或不大于约0.30、或不大于约0.25、或不大于约0.20、或不大于约0.15的磁性层厚度比TIML/TS，其中TIML等于所述内磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度。
实施方案90.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述复合材料具有至少约3微米或5微米、或至少约10微米、或至少约15微米、或至少约20微米、或至少约25微米、或至少约30微米、或至少约35微米、或至少约40微米、或至少约50微米、或至少约60微米、或至少约70微米、或至少约80微米、或至少约90微米、或至少约100微米的厚度。
实施方案91.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述复合材料具有不大于约250微米、或不大于约240微米、或不大于约230微米、或不大于约220微米、或不大于约210微米、或不大于约200微米、或不大于约190微米、或不大于约180微米、或不大于约170微米、或不大于约160微米、或不大于约150微米的厚度。
实施方案92.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述核心基底层包含塑性材料。
实施方案93.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述核心基底层包含PET、PEN、PI或它们的组合。
实施方案94.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述核心基底层具有至少约3微米或5微米、或至少约10微米、或至少约15微米、或至少约20微米、或至少约25微米、或至少约30微米、或至少约35微米、或至少约40微米、或至少约50微米、或至少约60微米、或至少约70微米、或至少约80微米、或至少约90微米、或至少约100微米的厚度。
实施方案95.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述核心基底层具有不大于约250微米、或不大于约240微米、或不大于约230微米、或不大于约220微米、或不大于约210微米、或不大于约200微米、或不大于约190微米、或不大于约180微米、或不大于约170微米、或不大于约160微米、或不大于约150微米的厚度。
实施方案96.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述外磁性层包含磁性材料。
实施方案97.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述外磁性层包含软磁性材料、铁磁性材料或它们的任何组合。
实施方案98.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述外磁性层包含Co材料、Co合金材料、Fe材料、Fe合金材料、Ni材料、Ni合金材料、坡莫合金或它们的组合。
实施方案99.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述外磁性层具有至少约0.05微米、或至少约0.06微米、或至少约0.07微米、或至少约0.08微米、或至少约0.09微米、或至少约0.1微米、或至少约0.2微米、或至少约0.3微米、或至少约0.4微米、或至少约0.5微米、或至少约0.6微米、或至少约0.7微米、或至少约0.8微米、或至少约0.9微米、或甚至至少约1.0微米的厚度。
实施方案100.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述外磁性层具有不大于约3.0微米、或不大于约2.9微米、或不大于约2.8微米、或不大于约2.7微米、或不大于约2.6微米、或不大于约2.5微米、或不大于约2.4微米、或不大于约2.3微米、或不大于约2.2微米、或不大于约2.1微米、或不大于约2.0微米的厚度。
实施方案101.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述外磁性层具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约100，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约120，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约140，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约150，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约160，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约170，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约180，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约190，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约200，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约250，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约300，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约350，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约400，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约450，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约500，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约550，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约600，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约650，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约700，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约750，或者甚至其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约800。
实施方案102.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述外磁性层具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y不大于约5000。
实施方案103.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述内磁性层包含软磁性材料、铁磁性材料或它们的任何组合。
实施方案104.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述内磁性层包含Co材料、Co合金材料、Fe材料、Fe合金材料、Ni材料、Ni合金材料、坡莫合金或它们的组合。
实施方案105.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述内磁性层具有至少约0.05微米、或至少约0.06微米、或至少约0.07微米、或至少约0.08微米、或至少约0.09微米、或至少约0.1微米、或至少约0.2微米、或至少约0.3微米、或至少约0.4微米、或至少约0.5微米、或至少约0.6微米、或至少约0.7微米、或至少约0.8微米、或至少约0.9微米、或甚至至少约1.0微米的厚度。
实施方案106.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述内磁性层具有不大于约3.0微米、或不大于约2.9微米、或不大于约2.8微米、或不大于约2.7微米、或不大于约2.6微米、或不大于约2.5微米、或不大于约2.4微米、或不大于约2.3微米、或不大于约2.2微米、或不大于约2.1微米、或不大于约2.0微米的厚度。
实施方案107.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述内磁性层具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约100，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约120，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约140，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约150，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约160，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约170，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约180，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约190，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约200，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约250，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约300，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约350，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约400，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约450，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约500，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约550，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约600，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约650，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约700，或者其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约750，或者甚至其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约800。
实施方案108.根据实施方案72和73中任一项所述的方法，其中所述内磁性层具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y不大于约5000。
需注意，并非需要以上在一般描述或示例中描述的所有活动，可能不需要特定活动的一部分，并且除了所描述的那些之外还可以执行一个或多个另外的活动。更进一步，列出活动的顺序不一定是执行活动的顺序。
需注意，并非需要以上在一般描述或示例中描述的所有活动，可能不需要特定活动的一部分，并且除了所描述的那些之外还可以执行一个或多个另外的活动。更进一步，列出活动的顺序不一定是执行活动的顺序。
上文已经关于具体实施方案描述了益处、其它优点以及问题的解决方案。然而，益处、优点、问题的解决方案，以及可导致任何益处、优点或解决方案出现或变得更显著的任何特征不应被解释为任何或所有权利要求的关键、必需或必要的特征。
本文描述的实施方案的说明书和图示旨在提供对各种实施方案的结构的一般理解。说明书和图示并不旨在用作对使用本文所述的结构或方法的装置和系统的所有元件和特征的详尽和全面的描述。也可以在单个实施方案中组合地提供单独实施方案，并且相反地，为了简洁起见在单个实施方案的上下文中描述的各种特征也可以单独地或以任何子组合提供。此外，对范围中所述值的引用包括该范围内的每个值。
仅在阅读了本说明书之后，许多其它实施方案对于技术人员而言可能是显而易见的。其它实施方案可被使用并从本公开得出，使得可以在不脱离本公开的范围的情况下进行结构替代、逻辑替代或另一改变。因此，本公开应被视为说明性的而非限制性的。

Claims (15)

1.一种磁性多层复合材料，所述磁性多层复合材料包括：
核心基底层，
外磁性层，所述外磁性层覆盖在所述核心基底层的第一表面上，和
内磁性层，所述内磁性层位于所述核心基底层的与所述核心基底层的所述第一表面相背对的第二表面下面，
其中所述复合材料具有至少约0.005的磁性体积比VM/VS，
其中VM等于所述复合材料中磁性材料的总体积，并且VS为基底的总体积，并且
其中所述复合材料具有磁导率等级(X，Y)，其中所述磁导率等级(X，Y)等于沿着所述复合材料的磁导率的虚部(μ")作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y大于100。
2.一种磁性多层复合材料，所述磁性多层复合材料包括：
核心基底层，
外磁性层，所述外磁性层覆盖在所述核心基底层的第一表面上，和
内磁性层，所述内磁性层位于所述核心基底层的与所述核心基底层的所述第一表面相背对的第二表面下面，
其中所述复合材料具有至少约0.005的磁性层厚度比TM/TS，
其中TM等于所述外磁性层和所述内磁性层的总厚度，并且TS为所述基底的总厚度，并且
其中所述复合材料具有磁导率等级(X，Y)，其中所述磁导率等级(X，Y)等于沿着所述复合材料的磁导率的虚部(μ")作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y大于100。
3.根据权利要求1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约100。
4.根据权利要求1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有至少约0.005且不大于约1.0的磁性层体积比VM/VS，其中VM等于所述复合材料中磁性材料的总体积，并且VS为基底的总体积。
5.根据权利要求1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述复合材料具有至少约3微米且不大于约250微米的厚度。
6.根据权利要求1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述核心基底层包含塑性材料。
7.根据权利要求1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述核心基底层包含PET、PEN、PI或它们的组合。
8.根据权利要求1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述外磁性层包含软磁性材料、铁磁性材料或它们的任何组合。
9.根据权利要求1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述外磁性层包含Co材料、Co合金材料、Fe材料、Fe合金材料、Ni材料、Ni合金材料、坡莫合金或它们的组合。
10.根据权利要求1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述外磁性层具有至少约0.05微米且不大于约3.0微米的厚度。
11.根据权利要求1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述外磁性层具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约100。
12.根据权利要求1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述内磁性层包含软磁性材料、铁磁性材料或它们的任何组合。
13.根据权利要求1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述内磁性层包含Co材料、Co合金材料、Fe材料、Fe合金材料、Ni材料、Ni合金材料、坡莫合金或它们的组合。
14.根据权利要求1和2中任一项所述的磁性多层复合材料，其中所述内磁性层具有磁导率等级(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y为至少约100。
15.一种天线，所述天线包括磁性多层复合材料，其中所述磁性多层复合材料包括：
核心基底层，
外磁性层，所述外磁性层覆盖在所述核心基底层的第一表面上，和
内磁性层，所述内磁性层位于所述核心基底层的与所述核心基底层的所述第一表面相背对的第二表面下面，
其中所述复合材料具有至少约0.005的磁性体积比VM/VS，
其中VM等于所述复合材料中磁性材料的总体积，并且VS为基底的总体积，并且
其中所述复合材料具有磁导率等级(X，Y)，其中所述磁导率等级(X，Y)等于沿着所述复合材料的磁导率的虚部(μ")作为频率的函数绘制的曲线的峰值点(X，Y)，其中X在10MHz至10GHz的范围内，并且Y大于100。
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EP1450378A3 (en) * 2003-02-24 2006-07-05 TDK Corporation Soft magnetic member, method for manufacturing thereof and electromagnetic wave controlling sheet
JP2005116763A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Tdk Corp 軟磁性部材、軟磁性部材の製造方法及び電子機器
JP2009239131A (ja) * 2008-03-28 2009-10-15 Toshiba Corp 高周波用磁性材料、高周波用磁性材料の製造方法、アンテナおよび携帯電話。
JP2015524162A (ja) * 2012-05-10 2015-08-20 イーエムダブリュ カンパニー リミテッド 磁性シート、磁性シートの製造方法、及び磁性シートを備えたアンテナ
CN104134513A (zh) * 2013-05-02 2014-11-05 杨立章 软磁复合薄膜和制造方法及其在电子设备中的应用

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