CN117936678A - 显示面板及其制造方法、发光器件制造方法及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供的显示面板及其制造方法、发光器件制造方法及电子设备，通过在制造发光单元的过程中形成量子点转换结构，利用发光单元制造过程中衬底可以透光的特性从发光单元的背光侧对量子点转换结构进行背面曝光，如此，如果需要的量子点转换结构的膜层厚度较小，可以通过背面曝光并控制曝光量，实现膜层结构的小型化轻量化；如果需要的量子点转换结构的膜层厚度较大，可以通过背面曝光结合正面曝光，可以减小曝光次数，降低曝光工艺的难度，提高产品生成效率和良率。

Description

显示面板及其制造方法、发光器件制造方法及电子设备

技术领域

本申请涉及显示设备技术领域，具体而言，涉及一种显示面板及其制造方法、发光器件制造方法及电子设备。

背景技术

随着显示设备制造技术的发展，迷你发光二极管(Mini LED)芯片和微型发光二极管(Micro-LED)芯片因其优异的亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势而被广泛使用。

传统的Mini-LED或者Micro-LED显示面板的制造过程中，常使用巨量转移工艺。一般的巨量转移方案中先分别制备红、绿、蓝三色的LED芯片，然后分别将三色的LED芯片转移到驱动背板中进行邦定。由于LED芯片的尺寸小、每次转移数量大、芯片差异、红色LED芯片发光效率等因素，通常的巨量转移方案过程存在极大的良率问题。

因此，在一些显示面板中会采用量子点(Quantum Dot，QD)技术。量子点技术仅需批量转移效率最高的蓝色LED芯片，转移、拼装完成后在蓝色芯片上方形成图形化的量子点材料，从而可以将蓝光转换成红光和绿光，利于生产效率的提升。但是，由于量子点材料本身的特性和转换效率问题，现有技术中的量子点膜层难以做到小型化和轻薄化，而较厚的量子点膜层结构在图案化过程中存在多次曝光而导致制程难度大，成本高等问题。

发明内容

为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括出光侧和背光侧，所述显示面板包括驱动背板、位于所述驱动背板上的发光单元及相对所述发光单元靠近所述出光侧的量子点转换结构；

所述驱动背板包括透光区域，所述发光单元及所述量子点转换结构在所述驱动背板上的正投影与所述透光区域重合。

在一种可能的实现方式中，所述驱动背板包括靠近所述发光单元一侧的连接电极层、远离所述发光单元一侧的准直结构层及位于所述连接电极层和准直结构层之间的驱动器件层；

所述驱动器件层包括驱动单元，相邻驱动单元之间具有间隔区；

所述连接电极层包括多条走线，相邻走线之间具有走线透光区；所述发光单元位于所述走线透光区中并与所述连接电极层中的走线电性连接；

所述准直结构层包括第一开口区；

所述间隔区和所述走线透光区在所述准直结构层上的正投影与所述第一开口区重合，所述间隔区、所述走线透光区及所述第一开口区形成所述透光区域。

在一种可能的实现方式中，所述量子点转换结构位于所述连接电极层远离所述驱动器件层一侧并包裹所述发光单元；所述连接电极层远离所述驱动器件层的一侧设置量子点限定结构，所述量子点限定结构围绕至少部分所述透光区域；

优选地，相邻的所述量子点转换结构之间通过黑色矩阵层相互间隔。

在一种可能的实现方式中，所述量子点限定结构远离所述连接电极层的一侧在所述连接电极层上的正投影面积小于所述量子点限定结构靠近所述连接电极层的一侧在所述连接电极层上的正投影面积；所述量子点转换结构远离所述连接电极层的一侧在所述连接电极层上的正投影面积大于所述量子点转换结构靠近所述连接电极层的一侧在所述连接电极层上的正投影面积。

在一种可能的实现方式中，所述量子点限定结构远离所述连接电极层的一侧在所述连接电极层上的正投影面积大于所述量子点限定结构靠近所述连接电极层的一侧在所述连接电极层上的正投影面积；所述量子点转换结构远离所述连接电极层的一侧在所述连接电极层上的正投影面积小于所述量子点转换结构靠近所述连接电极层的一侧在所述连接电极层上的正投影面积；

优选地，所述量子点限定结构由反光材料制成。

在一种可能的实现方式中，所述驱动背板还包括位于所述驱动器件层和所述连接电极层之间的平坦化层，所述平坦化层包括第二开口区，所述间隔区、所述走线透光区及所述第二开口区在所述准直结构层上的正投影与所述第一开口区重合；所述发光单元位于所述第二开口区内。

在一种可能的实现方式中，所述显示面板包括发光器件层，所述发光单元位于所述发光器件层，相邻的所述发光单元之间通过电学阻隔结构相互间隔；

所述量子点转换结构位于所述驱动背板远离所述发光器件层的一侧，所述发光器件层远离所述连接电极层的一侧还设置有公共电极；或者所述量子点转换结构位于所述发光器件层远离所述驱动背板的一侧，相邻的所述量子点转换结构之间还设置有公共电极；

优选地，所述连接电极层的所述走线透光区包括透明电极，所述发光单元与所述透明电极连接；

优选地，相邻的所述量子点转换结构之间通过黑色矩阵层相互间隔。

本申请的另一目的在于提供一种显示面板制造方法，所述方法包括：

提供驱动背板及位于所述驱动背板上的发光单元，所述驱动背板包括透光区域，所述发光单元在所述驱动背板上的正投影与所述透光区域重合；

在所述发光单元或所述驱动背板的出光侧设置量子点转换材料；

从所述驱动背板的背光侧，通过所述驱动背板的所述透光区域对所述量子点转换材料进行曝光处理；

去除未被曝光的所述量子点转换材料，形成量子点转换结构。

在一种可能的实现方式中，所述从所述驱动背板的背光侧，通过所述驱动背板的所述透光区域对所述量子点转换材料进行曝光处理的步骤，包括：

控制曝光量或曝光时间，从所述驱动背板的背光侧，通过所述驱动背板的所述透光区域对所述量子点转换材料进行部分曝光处理；

或者，所述方法还包括：

配合掩膜版，从所述驱动背板的出光侧对所述量子点转换材料进行曝光处理；所述掩膜版包括与所述透光区域位置对应的掩膜版开口。

本申请前的另一目的在于提供一种发光器件方法，所述方法包括：

提供一透光衬底，所述透光衬底包括相对的第一面和第二面；

在所述透光衬底的第一面上形成发光单元；相邻的所述发光单元之间通过不透光的准直结构层相互隔离；

在所述发光单元远离所述透光衬底的一侧设置量子点转换材料；

从所述透光衬底的第二面对所述量子点转换材料进行曝光处理；

去除未被曝光的所述量子点转换材料，形成位于所述发光单元远离所述透光衬底一侧的量子点转换结构。

本申请的另一目的在于提供一种电子设备，所述电子设备包括本申请提供的所述显示面板，或包括由本申请提供的所述显示面板制造方法制成的显示面板或发光器件。

相对于现有技术而言，本申请具有以下有益效果：

本申请提供的显示面板及其制造方法、电子设备，通过在驱动背板上设置透光区域，从而可以显示面板的背光侧对涂布或打印的量子点转换材料进行曝光。如此，如果需要的量子点转换结构的膜层厚度较小，可以通过背面曝光并控制曝光量，实现膜层结构的小型化及轻量化；如果需要的量子点转换结构的膜层厚度较大，可以通过背面曝光结合正面曝光，可以减小曝光次数，降低曝光工艺的难度，提高产品生成效率和良率。

此外，本申请提供的发光器件制造方法及电子设备，通过在制造发光单元的过程中形成量子点转换结构，利用发光单元制造过程中衬底可以透光的特性从发光单元的背光侧对量子点转换结构进行背面曝光，如此，如果需要的量子点转换结构的膜层厚度较小，可以通过背面曝光并控制曝光量，实现膜层结构的小型化及轻量化；如果需要的量子点转换结构的膜层厚度较大，可以通过背面曝光结合正面曝光，可以减小曝光次数，降低曝光工艺的难度，提高产品生成效率和良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为现有技术中量子点转换结构曝光的示意图；

图2为本申请实施例提供的显示面板的示意图之一；

图3为本申请实施例提供的显示面板的示意图之二；

图4为本申请实施例提供的显示面板的曝光过程示意图之一；

图5为本申请实施例提供的显示面板的曝光过程示意图之二；

图6为本申请实施例提供的显示面板的示意图之三；

图7为本申请实施例提供的显示面板的示意图之四；

图8为本申请实施例提供的显示面板的示意图之五；

图9为本申请实施例提供的显示面板的示意图之六；

图10为本申请实施例提供的显示面板的示意图之七；

图11为本申请实施例提供的显示面板的示意图之八；

图12为本申请实施例提供的显示面板的示意图之九；

图13为本申请实施例提供的显示面板的示意图之十；

图14为本申请实施例提供的显示面板的示意图之十一；

图15为本申请实施例提供的显示面板的制造方法的流程示意图；

图16为本申请实施例提供的发光器件的制造方法的流程示意图；

图17为本申请实施例提供的发光器件的制造过程示意图之一；

图18为本申请实施例提供的发光器件的制造过程示意图之二；

图19为本申请实施例提供的发光器件的制造过程示意图之三；

图20为本申请实施例提供的发光器件的制造过程示意图之四。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的不同特征之间可以相互结合。

请参照图1，图1为现有技术中一种采用量子点技术的显示面板的示意图，在此类技术中通常是先在阵列背板上形成量子点限定层401，量子点限定层401上具有用于设置LED发光单元210的像素开口。然后，将蓝色LED发光单元210转移到所述像素开口中并与所述阵列背板邦定连接，再从量子点限定层401一侧涂布量子点转换材料。接着，配合掩膜版从LED发光单元210的出光侧11对所述量子点转换材料进行照射曝光，再通过显影工艺对未被曝光照射的量子点转换材料进行去除，仅留下位于所述像素开口内的量子点转换材料，形成量子点转换结构310。

但是，基于上述方案的一些场景中，由于涂布设备的技术限制，难以涂布形成较薄的量子点转换材料，因此难以形成轻薄化的量子点转换结构310。而在另一些需要量子点转换结构310具有较大的膜层厚度的场景中，从单方向难以实现一次性对量子点转换结构310充分曝光，需要分多次进行量子点转换材料的涂布和曝光，相应地，量子点限定层401也需要进行多次曝光，工艺复杂，曝光难度大。

有鉴于此，本实施例提供一种可以实现量子点转换结构310轻薄化、降低量子点转换结构310曝光难度的方案，下面对本实施例提供的方案进行详细阐述。

请参见图2，图2为本实施例提供的一种显示面板的示意图，所述显示面板包括出光侧11和背光侧12，所述出光侧11为显示面板用于显示图像的一侧。所述显示面板包括驱动背板100、发光单元210及量子点转换结构310。

所述驱动背板100包括用于驱动所述发光单元210的驱动单元，例如，所述驱动背板100可以为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列背板。

所述发光单元210可以设置于所述驱动背板100上并与所述驱动背板100电性连接，所述发光单元210可以为蓝色的无机物LED芯片。

所述量子点转换结构310相对所述发光单元210位于靠近所述出光侧11，例如，所述量子点转换结构310可以覆盖所述发光单元210靠近所述出光侧11的一面。根据所述量子点转换结构310选材的不同，所述量子点转换结构310可以用于将所述发光单元210发出的光转换成其他颜色，例如，将蓝色的发光单元210发出的光转换为红光或绿光。

在本实施例中，所述驱动背板100包括透光区域101，所述发光单元210及所述量子点转换结构310在所述驱动背板100上的正投影与所述透光区域101重合。例如，请再次参照2，所述驱动背板100中可以包括透光区域101和非透光区域，其中，所述非透光区域为所述驱动背板100中驱动单元121或不透光的膜层结构对应的区域，所述透光区域101可以包括透光膜层结构或者稀疏的走线或者透明电极应的区域。

需要说明的是，请参照图3，在本实施例中，所述显示面板可以包括多个发光单元210及多个量子点转换结构310，其中，一部分所述量子点转换结构310可以为红色量子点转换结构310R，用于将所述发光单元210发出的蓝光转换为红光。一部分所述量子点转换结构310可以为绿色量子点转换结构310G，用于将所述发光单元210发出的蓝光转换为绿光。另外，所述显示面板中还有一部分发光单元210的出光侧11还可以不设置所述量子点转换结构310，而设置透光的透射结构900，用于使发光单元210发出的蓝光可以直接透过。相邻的量子点转换结构310或透射结构900之间通过遮光结构400相互隔离，从而避免发光时产生颜色混扰。

基于上述设计，通过在驱动背板100上设置透光区域101，从而可以从显示面板的背光侧12对涂布或打印的量子点转换材料进行曝光。

如此，如果需要的量子点转换结构310的膜层厚度较小，可以通过背面曝光并控制曝光量，实现膜层结构的小型化轻量化。

例如，请参照图4，基于上述结构，可以在所述阵列背板上形成好具有开口的遮光结构400后，将所述发光单元210转移至所述开口中，然后制作(例如通过打印、涂布等工艺制作)覆盖所述发光单元210和所述遮光结构400的量子点转换材料301，如图4所示。接着，从所述背光侧12透过所述阵列背板的所述透光区域101对所述量子点转换材料301进行曝光，并控制曝光强度或曝光时间使所述量子点转换材料301不完全曝光。

由于曝光过程中是从所述背光侧12进行的，因此所述量子点转换材料301靠近所述背光侧12的一端会比靠近出光侧11一端更优先被曝光，通过控制曝光强度或曝光时间，可以形成如图5所示的靠近背光侧12的曝光区域302和靠近出光侧11的非曝光区域303。

接着通过显影液可以去除靠近出光侧11的所述非曝光区域303，减薄由所述量子点转换材料301保留下来的膜层结构，形成图2所示的量子点转换结构310，从而实现量子点转换结构310的轻薄化。其中，通过控制曝光强度或曝光时间可以控制所述曝光区域302的厚度，从而控制最终形成的所述量子点转换结构310的厚度。

如果需要的量子点转换结构310的膜层厚度较大，可以通过背面曝光结合正面曝光，同时对较厚的量子点转换材料301进行曝光，从而可以减小曝光次数，降低曝光工艺的难度，提高产品生成效率和良率。

在一些可能的实现方式中，请参照图6，所述驱动背板100包括靠近所述发光单元210一侧的连接电极层130、远离所述发光单元210一侧的准直结构层110及位于所述连接电极层130和准直结构层110之间的驱动器件层120。

所述驱动器件层120包括驱动单元121，相邻驱动单元121之间具有间隔区。在本实施例中，所述间隔区可以被一个或多个透明的膜层结构填充或覆盖，如，透明的平坦化层、绝缘隔离层等。

所述连接电极层130包括多条走线，相邻走线之间具有走线透光区。所述发光单元210位于所述走线透光区中并与所述连接电极层130中的走线电性连接。在本实施例中，所述连接电极层130可以包括走线透光区和非走线透光区，所述非走线透光区可以为走线较为密集或者采用非透明材料作为走线的区域，所述走线透光区可以为走线稀疏或者采用透明导电材料作为走线的区域。所述走线透光区至少包括用于与所述发光单元210进行电连接的触点或焊盘。

所述准直结构层110包括第一开口区。在本实施例中，所述准直结构层110可以由不透光的材料(如金属)制成，并开设有所述第一开口区。例如，所述准直结构层110可以形成于透明的衬底层140上，然后通过刻蚀的方式形成所述第一开口区。在从所述背光侧12进行曝光照射时，所述准直结构层110可以充当掩膜版，进而节省曝光工艺中的掩膜板使用，降低曝光工艺的制程成本。

在本实施例中，所述驱动器件层120的所述间隔区和所述连接电极层130的所述走线透光区在所述准直结构层110上的正投影与所述第一开口区重合，所述第一开口区、所述间隔区和所述走线透光区形成所述透光区域101。如此，在从所述背光侧12进行曝光照射时，曝光光线可以依次透过所述透明基板、所述准直结构层110的所述第一开口区、所述驱动器件层120的所述间隔区和所述连接电极层130的所述走线透光区后照射到所述量子点转换结构310。

在一些可能的实现方式中，请参照图6，所述显示面板上的各发光单元210可以彼此相对独立，所述量子点转换结构310位于所述连接电极层130远离所述驱动器件层120一侧并包裹所述发光单元210。所述遮光结构400包括量子点限定结构410和黑色矩阵层420，所述量子点限定结构410位于所述连接电极层130远离所述驱动器件层120的一侧，所述量子点限定结构410围绕至少部分所述透光区域101。所述黑色矩阵层420覆盖所述量子点限定结构410和所述驱动背板100朝向所述出光侧11的一面，并暴露出所述量子点转换结构310朝向所述出光侧11的一面。

例如，所述发光单元210可以为相对独立的Mini LED芯片或Micro-LED芯片。在制造所述显示面板的过程中，可以先在所述阵列背板上形成所述量子点限定结构410，所述量子点限定结构410围绕所述间隔区，形成像素开口。然后将发光单元210转移至所述像素开口中并与所述阵列背板电性连接。然后制作包裹并覆盖所述发光单元210和所述量子点限定结构410的量子点转换材料，再从所述背光侧12或者配合掩膜版从所述出光侧11对所述量子点转换材料进行曝光照射。然后再使用显影液去除未被曝光的量子点转换材料。最后，制作覆盖所述量子点转换结构310和所述量子点限定结构410的黑色矩阵层420，并对所述黑色矩阵层420进行刻蚀以暴露出所述量子点转换结构310。

所述量子点限定结构410可以用于限定所述量子点转换结构310靠近所述阵列背板的一端的形状结构，从而避免曝光过程中所述连接电极层130中走线之间的间隙漏光，导致曝光后所述量子点转换结构310的形状不理想而影响出光效果。所述量子点限定结构410和所述黑色矩阵层420还可以用于避免相邻的所述量子点转换结构310所发出的不同颜色的光线发生颜色混扰。

其中，在本实施例中，由于可以从所述背光侧12进行曝光照射，因此被曝光照射后形成的所述量子点转换结构310远离所述阵列背板的一端到所述阵列背板的距离可以大于所述量子点限定结构410远离所述阵列背板的一端到所述阵列背板的距离，从而获得膜层结构较大的所述量子点转换结构310。

进一步地，在本实施例中，所述量子点限定结构410和所述阵列背板的透光区域101相互配合，还可以控制在所述量子点转换结构310曝光后的形状。

具体地，在一种可能的实现方式中，请参照图7，所述量子点限定结构410远离所述连接电极层130的一侧在所述连接电极层130上的正投影面积小于所述量子点限定结构410靠近所述连接电极层130的一侧在所述连接电极层130上的正投影面积。例如，所述量子点限定结构410的截面形状可以为梯形，该梯形靠近所述阵列背板的一端较大，远离所述阵列背板的一端较小。如此，在从所述背光侧12对所述量子点转换结构310进行曝光时，所述量子点转换结构310可以允许光线朝向出光侧11的方向呈一定发散，从而可以使所述量子点转换结构310远离所述连接电极层130的一侧在所述连接电极层130上的正投影面积大于所述量子点转换结构310靠近所述连接电极层130的一侧在所述连接电极层130上的正投影面积。

在一种可能的实现方式中，请参照图8，所述量子点限定结构410远离所述连接电极层130的一侧在所述连接电极层130上的正投影面积也可以大于所述量子点限定结构410靠近所述连接电极层130的一侧在所述连接电极层130上的正投影面积。例如，所述量子点限定结构410的截面形状可以为梯形，该梯形靠近所述阵列背板的一端较小，远离所述阵列背板的一端较大。优选地，所述量子点限定结构410由反光材料制成。如此，请参照图9，在从所述背光侧12对所述量子点转换结构310进行曝光时，从所述背光侧12透过的曝光光线散射后可以在所述量子点限定结构410的表面反射，从而向所述出光侧11的方向汇聚，从而使得照射后形成的所述量子点转换结构310远离所述连接电极层130的一侧在所述连接电极层130上的正投影面积小于所述量子点转换结构310靠近所述连接电极层130的一侧在所述连接电极层130上的正投影面积，如图8所示。

需要说明的是，在本实施例中，还可以通过设定所述连接电极层130中走线透光区域101的大小和所述准直结构层110中所述第一开口区域的大小，并配合所述量子点限定结构410的形状来控制从所述背光侧12对所述量子点转换材料进行曝光时的光线传播路径，从而控制曝光后形成的所述量子点转换结构310的形状。

在一种可能的实现方式中，所述驱动背板100还包括位于所述驱动器件层120和所述连接电极层130之间的平坦化层122，所述平坦化层122包括第二开口区。基于此，所述间隔区、所述走线透光区及所述第二开口区在所述准直结构层110上的正投影与所述第一开口区重合，所述发光单元210位于所述第二开口区内。

例如，在制作所述驱动背板100时，可以在形成所述平坦化层122之后，通过刻蚀在所述平坦化层122上形成所述第二开口区。然后在形成所述连接电极层130时，需要与所述发光单元210连接的走线可以沿所述第二开口区的侧壁延伸至所述第二开口区的底部。最后，在设置所述发光单元210时，可以将所述发光单元210设置在所述第二开口区中。如此，在形成所述量子点转换结构310时，可以增大覆盖在所述发光单元210上的量子点转换结构310的膜层厚度，从而更有效地进行发光颜色转换。

在另一种可能的实现方式中，请参照图11及图12，多个所述发光单元210可以位于一整体性的发光器件层200。例如，所述显示面板包括发光器件层200，多个所述发光单元210位于所述发光器件层200，相邻的所述发光单元210之间通过电学阻隔结构220相互间隔。

在一个例子中，请参照图11，所述量子点转换结构310位于所述驱动背板100远离所述发光器件层200的一侧，所述发光器件层200远离所述连接电极层130的一侧还设置有公共电极700。

制作该结构的过程中，可以在一蓝宝石衬底上形成具有多个发光单元210的发光器件层200后，在所述发光器件层200上依次形成所述驱动背板100的各个膜层，并通过离子注入工艺在相邻的所述发光单元210之形成所述电学阻隔结构220。然后在所述驱动背板100远离所述发光器件层200的一侧涂布量子点转换材料，并从所述发光器件层200远离所述驱动背板100的一侧，透过所述蓝宝石衬底、所述发光单元210及所述驱动背板100的透光区域101对所述量子点转换材料进行曝光，形成所述量子点转换结构310。另外，还可以在相邻的所述量子点转换结构310之间涂布黑色有机胶，形成遮光结构400。最后，可以将所述蓝宝石衬底剥离，然后在所述发光器件层200远离所述驱动背板100的一侧形成所述公共电极700，所述公共电极700与各所述发光单元210电性连接。

在另一个例子中，请参照图12，所述量子点转换结构310位于所述发光器件层200远离所述驱动背板100的一侧，相邻的所述量子点转换结构310之间还设置有公共电极700。

制作该结构的过程中，可以制作具有多个所述发光单元210的发光器件层200，并通过离子注入工艺在相邻的所述发光单元210之形成所述电学阻隔结构220。然后，将预先制作的所述驱动背板100翻转并贴合在透光的承载基板800上，并将所述发光器件层200和所述驱动背板100键合。最后，在所述发光器件层200远离所述驱动背板100的一侧形成共面电极并涂布量子点转换材料，并从所述驱动背板100远离所述发光器件层200的一侧，透过所述承载基板800、所述驱动背板100的透光区域101及所述发光单元210对所述量子点转换材料进行曝光，形成所述量子点转换结构310。另外，还可以在相邻的所述量子点转换结构310之间涂布黑色有机胶，形成遮光结构400。

优选地，在上述方案中，所述连接电极层130的所述走线透光区包括透明电极132，所述发光单元210与所述透明电极132连接。所述连接电极层130的所述非走线透光区可以采用不透明的走线。

基于上述设计，采用整体化的所述发光器件层200，可以使所述显示面板具有更高的像素密度，从而可以用于小型化精细化的电子设备，如AR、VR设备。

进一步地，请参照图13或图14，在一种可能的实现方式中，所述量子点转换结构310朝向所述出光侧11的一面还可以设置有透镜610及覆盖所述透镜610的封装层620。所述透镜610可以为凸透镜610，用于将从所述量子点转换结构310射出的光线进行性汇聚增强，从而提高显示效果。所述封装层620可以用于保护所述显示面板的其他膜层结构并实现平坦化。

基于相同的发明构思，本实施例还提供一种显示面板的制造方法，请参照图15，所述显示面板的制造方法可以包括以下步骤。

步骤S110，提供驱动背板100及位于所述驱动背板100上的发光单元210，所述驱动背板100包括透光区域101，所述发光单元210在所述驱动背板100上的正投影与所述透光区域101重合。

在本实施例中，可以将独立的所述发光单元210转移到所述驱动背板100上，或者在具有多个所述发光单元210的发光器件层200上制备所述驱动背板100，或者将具有多个所述发光单元210的发光器件层200与制备好的驱动背板100键合，从而获得所述驱动背板100及位于所述驱动背板100上的发光单元210。

步骤S120，在所述发光单元210或所述驱动背板100的出光侧11设置量子点转换材料。

步骤S130，从所述驱动背板100的背光侧12，通过所述驱动背板100的所述透光区域101对所述量子点转换材料进行曝光处理。

在一种可能的实现方式中，可以控制曝光量或曝光时间，从所述驱动背板100的背光侧12，通过所述驱动背板100的所述透光区域101对所述量子点转换材料进行部分曝光处理。

在另一种可能的实现方式中，可以配合掩膜版，从所述驱动背板100的出光侧11对所述量子点转换材料进行曝光处理。其中，所述掩膜版包括与所述透光区域101位置对应的掩膜版开口。

步骤S140，去除未被曝光的所述量子点转换材料，形成量子点转换结构310。

在本实施例中，可以通过显影液去除未被曝光照射的量子点转换材料，保留被曝光照射的量子点转换材料作为所述量子点转换结构310。

综上所述，本申请提供的显示面板及显示面板制造方法，通过在驱动背板100上设置透光区域101，从而可以显示面板的背光侧12对涂布或打印的量子点转换材料进行曝光。如此，如果需要的量子点转换结构310的膜层厚度较小，可以通过背面曝光并控制曝光量，实现膜层结构的小型化轻量化；如果需要的量子点转换结构310的膜层厚度较大，可以通过背面曝光结合正面曝光，可以减小曝光次数，降低曝光工艺的难度，提高产品生成效率和良率。

基于相同的发明构思，本实施例还提供一种发光器件制造方法，请参照图16，该方法可以包括以下步骤。

步骤S210，提供一透光衬底，所述透光衬底包括相对的第一面和第二面。

在本实施例中，所述透光衬底可以为蓝宝石衬底。

步骤S220，在所述透光衬底的第一面上形成发光单元210。

在本实施例中，可以在所述透光衬底的第一面上依次形成发光单元210的各个膜层，形成多个所述发光单元210。其中，相邻的发光单元210之间通过不透光的准直结构层110相互隔离。

步骤S230，在所述发光单元210远离所述透光衬底的一侧设置量子点转换材料。

在本实施例中，可以采用打印的方式涂布设置所述量子点转换材料。

步骤S240，从所述透光衬底的第二面对所述量子点转换材料进行曝光处理。

在本实施例中，请参照图17，可以配合掩膜版从所述透光衬底的第二面对所述量子点转换材料301进行曝光处理，其中，所述掩膜版可以用于选择需要曝光的区域。

步骤S250，去除未被曝光的所述量子点转换材料301，形成位于所述发光单元210远离所述透光衬底一侧的量子点转换结构310。

在本实施例中，请参照图18，可以通过显影液去除未被曝光照射的量子点转换材料301，保留被曝光照射过的量子点转换材料301作为所述量子点转换结构310。

值得说明的是，在本实施例中，针对不同颜色的量子点转换结构310，可以通过不同的掩膜版配合进行曝光，从而在不同的发光单元210上形成不同颜色的量子点转换结构310。例如，请参照图19，在部分发光单元210上形成红色量子点转换结构310B，在部分发光单元210上形成绿色量子点转换结构310G。另外还可以在部分发光单元210上形成透射结构900。另外，相邻的量子点转换结构310或透射结构900之间可以通过遮光结构400相互隔离，从而避免发光时产生颜色混扰。

进一步地，步骤S250之后，例如图20所示，还可以将所述透光衬底剥离，然后在所述发光单元210远离所述量子点转换结构310的一侧形成引脚电极211。另外，还可以在所述量子点转换结构310远离所述发光单元210的一侧形成透镜610和封装层620。

本申请提供的发光器件制造方法，通过在制造发光单元210的过程中形成量子点转换结构310，利用发光单元210制造过程中衬底可以透光的特性从发光单元210的背光侧12对量子点转换结构310进行背面曝光，如此，如果需要的量子点转换结构310的膜层厚度较小，可以通过背面曝光并控制曝光量，实现膜层结构的小型化轻量化；如果需要的量子点转换结构310的膜层厚度较大，可以通过背面曝光结合正面曝光，可以减小曝光次数，降低曝光工艺的难度，提高产品生成效率和良率。

本申请还提供一种电子设备，所述电子设备包括本申请实施例提供的所述显示面板，或包括由本申请实施例提供的所述显示面板制造方法制成的显示面板或发光器件。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (11)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括出光侧和背光侧，所述显示面板包括驱动背板、位于所述驱动背板上的发光单元及相对所述发光单元靠近所述出光侧的量子点转换结构；

所述驱动背板包括透光区域，所述发光单元及所述量子点转换结构在所述驱动背板上的正投影与所述透光区域重合。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动背板包括靠近所述发光单元一侧的连接电极层、远离所述发光单元一侧的准直结构层及位于所述连接电极层和准直结构层之间的驱动器件层；

所述驱动器件层包括驱动单元，相邻驱动单元之间具有间隔区；

所述连接电极层包括多条走线，相邻走线之间具有走线透光区；所述发光单元位于所述走线透光区中并与所述连接电极层中的走线电性连接；

所述准直结构层包括第一开口区；

所述间隔区和所述走线透光区在所述准直结构层上的正投影与所述第一开口区重合，所述间隔区、所述走线透光区及所述第一开口区形成所述透光区域。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述量子点转换结构位于所述连接电极层远离所述驱动器件层一侧并包裹所述发光单元；所述连接电极层远离所述驱动器件层的一侧设置量子点限定结构，所述量子点限定结构围绕至少部分所述透光区域；

优选地，相邻的所述量子点转换结构之间通过黑色矩阵层相互间隔。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述量子点限定结构远离所述连接电极层的一侧在所述连接电极层上的正投影面积小于所述量子点限定结构靠近所述连接电极层的一侧在所述连接电极层上的正投影面积；所述量子点转换结构远离所述连接电极层的一侧在所述连接电极层上的正投影面积大于所述量子点转换结构靠近所述连接电极层的一侧在所述连接电极层上的正投影面积。

5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述量子点限定结构远离所述连接电极层的一侧在所述连接电极层上的正投影面积大于所述量子点限定结构靠近所述连接电极层的一侧在所述连接电极层上的正投影面积；所述量子点转换结构远离所述连接电极层的一侧在所述连接电极层上的正投影面积小于所述量子点转换结构靠近所述连接电极层的一侧在所述连接电极层上的正投影面积；

优选地，所述量子点限定结构由反光材料制成。

6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述驱动背板还包括位于所述驱动器件层和所述连接电极层之间的平坦化层，所述平坦化层包括第二开口区，所述间隔区、所述走线透光区及所述第二开口区在所述准直结构层上的正投影与所述第一开口区重合；所述发光单元位于所述第二开口区内。

7.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括发光器件层，所述发光单元位于所述发光器件层，相邻的所述发光单元之间通过电学阻隔结构相互间隔；

所述量子点转换结构位于所述驱动背板远离所述发光器件层的一侧，所述发光器件层远离所述连接电极层的一侧还设置有公共电极；或者所述量子点转换结构位于所述发光器件层远离所述驱动背板的一侧，相邻的所述量子点转换结构之间还设置有公共电极；

优选地，所述连接电极层的所述走线透光区包括透明电极，所述发光单元与所述透明电极连接；

优选地，相邻的所述量子点转换结构之间通过黑色矩阵层相互间隔。

8.一种显示面板制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供驱动背板及位于所述驱动背板上的发光单元，所述驱动背板包括透光区域，所述发光单元在所述驱动背板上的正投影与所述透光区域重合；

在所述发光单元或所述驱动背板的出光侧设置量子点转换材料；

从所述驱动背板的背光侧，通过所述驱动背板的所述透光区域对所述量子点转换材料进行曝光处理；

去除未被曝光的所述量子点转换材料，形成量子点转换结构。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述从所述驱动背板的背光侧，通过所述驱动背板的所述透光区域对所述量子点转换材料进行曝光处理的步骤，包括：

控制曝光量或曝光时间，从所述驱动背板的背光侧，通过所述驱动背板的所述透光区域对所述量子点转换材料进行部分曝光处理；

或者，所述方法还包括：

配合掩膜版，从所述驱动背板的出光侧对所述量子点转换材料进行曝光处理；所述掩膜版包括与所述透光区域位置对应的掩膜版开口。

10.一种发光器件制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一透光衬底，所述透光衬底包括相对的第一面和第二面；

在所述透光衬底的第一面上形成发光单元；相邻的所述发光单元之间通过不透光的准直结构层相互隔离；

在所述发光单元远离所述透光衬底的一侧设置量子点转换材料；

从所述透光衬底的第二面对所述量子点转换材料进行曝光处理；

去除未被曝光的所述量子点转换材料，形成位于所述发光单元远离所述透光衬底一侧的量子点转换结构。

11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求1-7任意一项所述的显示面板，或包括由权利要求8-10任一项所述的显示面板制造方法制成的显示面板或发光器件。