CN117917011A - 高频电路和通信装置 - Google Patents

Abstract

高频电路(1)能够同时传输LTE信号和NR信号，该高频电路具备滤波器(11、21及31)、功率放大器(41及42)以及连接于滤波器(11、21及31)与功率放大器(41及42)之间的开关(51)，在LTE信号和NR信号中的一方正在被功率放大器(41)放大时，LTE信号和NR信号中的另一方被功率放大器(42)放大，开关(51)能够将滤波器(11)与功率放大器(41)连接，能够将滤波器(31)与功率放大器(42)连接，能够将滤波器(21)与功率放大器(41及42)中的一方选择性地连接。

Description

高频电路和通信装置

技术领域

本发明涉及一种高频电路和通信装置。

背景技术

在3GPP(注册商标)(3rd Generation Partnership Project：第三代合作伙伴计划)中，例如要求5G(5th generation)-NR(New Radio：新空口)的第一频段的高频信号与4G(4th generation)-LTE(Long term Evolution：长期演进)的第二频段的高频信号的同时传输(ENDC：Eutra NR Dual Connectivity：演进型通用陆地无线电接入与新空口的双连接)。专利文献1中公开了能够同时执行利用第一传输电路的4G-LTE的发送信号的传输以及利用第二传输电路的5G-NR的发送信号的传输(执行ENDC)的高频电路的结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2021/0013909号说明书

发明内容

发明要解决的问题

然而，在专利文献1所公开的高频电路中，需要应对用于执行ENDC的频段组合(Band Combination)的增加而对第一传输电路和第二传输电路这两方附加滤波器，从而电路大型化。

因此，本发明提供一种能够执行ENDC的小型的高频电路和通信装置。

用于解决问题的方案

为了达到上述目的，本发明的一个方式所涉及的高频电路能够同时传输LTE信号和NR信号，该高频电路具备：第一滤波器、第二滤波器及第三滤波器；第一功率放大器及第二功率放大器；以及第一开关，其连接于第一滤波器、第二滤波器及第三滤波器与第一功率放大器及第二功率放大器之间，其中，在LTE信号和NR信号中的一方正在被第一功率放大器放大时，LTE信号和NR信号中的另一方被第二功率放大器放大，第一开关能够将第一滤波器与第一功率放大器连接，能够将第三滤波器与第二功率放大器连接，能够将第二滤波器与第一功率放大器及第二功率放大器中的一方选择性地连接。

发明的效果

根据本发明，能够提供能够执行ENDC的小型的高频电路和通信装置。

附图说明

图1是实施方式所涉及的高频电路和通信装置的电路结构图。

图2是实施方式的变形例1所涉及的高频电路的电路结构图。

图3是示出实施方式所涉及的高频电路中应用的频段的频率关系的图。

图4是示出实施方式所涉及的高频电路的第一频段应用例的图。

图5是示出实施方式所涉及的高频电路的第二频段应用例的图。

图6是实施方式的变形例2所涉及的高频电路的电路结构图。

图7是实施方式的变形例3所涉及的高频电路的电路结构图。

图8A是实施方式的变形例3所涉及的高频电路执行第一ENDC的情况下的电路状态图。

图8B是实施方式的变形例3所涉及的高频电路执行第二ENDC的情况下的电路状态图。

图8C是实施方式的变形例3所涉及的高频电路执行第三ENDC的情况下的电路状态图。

图9是示出实施方式所涉及的高频电路的安装结构例的图。

具体实施方式

下面，详细说明本发明的实施方式。此外，下面说明的实施方式均表示总括性或具体性的例子。下面的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本发明。将下面的实施例和变形例的结构要素中的未记载于独立权利要求的结构要素作为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或者大小之比未必是严格的。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。

另外，下面，平行和垂直等表示要素之间的关系性的用语、矩形形状等表示要素的形状的用语以及数值范围表示实质上等同的范围，例如还包括百分之几左右的差异，而不是仅表示严格的含义。

在本发明的电路结构中，“连接”不仅包括通过连接端子和/或布线导体来直接连接的情况，也包括经由其它电路元件来电连接的情况。“连接于A与B之间”表示在A与B之间与A及B这两方连接，除了包括串联连接于将A与B连结的路径的情况以外，还包括并联连接(分路连接)于该路径与地之间的情况。

另外，在本发明的部件配置中，“部件配置于基板”包括部件配置在基板的主面上以及部件配置于基板内。“部件配置在基板的主面上”除了包括部件与基板的主面接触地配置以外，还包括部件以不与主面接触的方式配置于该主面的上方(例如，部件层叠在与主面接触地配置的其它部件上)。另外，“部件配置在基板的主面上”也可以包括部件配置于在主面形成的凹部。“部件配置于基板内”除了包括部件被封装在模块基板内以外，还包括虽然部件的全部配置于基板的两个主面之间但是部件的一部分没有被基板覆盖、以及只有部件的一部分配置于基板内。

另外，在本公开中，“信号路径”表示由传播高频信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。

(实施方式)

[1高频电路1和通信装置4的电路结构]

参照图1来说明本实施方式所涉及的高频电路1以及具备该高频电路1的通信装置4的电路结构。图1是本实施方式所涉及的高频电路1和通信装置4的电路结构图。

[1.1通信装置4的电路结构]

通信装置4相当于所谓的用户终端(UE：User Equipment)，典型地说，是便携式电话、智能电话、平板计算机等。这种通信装置4具备高频电路1、天线2a及2b、以及RFIC(RadioFrequency Integrated Circuit：射频集成电路)3。

高频电路1在天线2a及2b与RFIC 3之间传输高频信号。高频电路1的内部结构在后面叙述。

天线2a与高频电路1的天线连接端子101连接，天线2b与高频电路1的天线连接端子102连接。天线2a及2b从高频电路1接收高频信号后输出到外部。

RFIC 3是对高频信号进行处理的信号处理电路的一例。具体地说，RFIC 3对从BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路，未图示)输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的高频发送信号输出到高频电路1的发送路径。RFIC3具有输出LTE的发送信号(下面记载为LTE信号)和NR的发送信号(下面记载为NR信号)的2个端子。2个端子中的一方的端子与高频电路1的高频输入端子111连接，2个端子中的另一方的端子与高频电路1的高频输入端子112连接。能够与从上述一方的端子输出LTE信号和NR信号中的一方同时地从上述另一方的端子输出LTE信号和NR信号中的另一方。

另外，RFIC 3具有对高频电路1所具有的开关电路和放大电路等进行控制的控制部。此外，RFIC 3的作为控制部的功能的一部分或全部也可以构成于RFIC 3的外部，例如也可以构成于BBIC或高频电路1。

此外，在本实施方式所涉及的通信装置4中，天线2a及2b不是必需的结构要素。另外，天线也可以为1个。

[1.2高频电路1的电路结构]

接着，说明高频电路1的电路结构。如图1所示，高频电路1具备滤波器11、12、21、22、31及32、功率放大器41及42、开关50及51、天线连接端子101及102、以及高频输入端子111及112。

天线连接端子101与天线2a连接。天线连接端子102与天线2b连接。高频输入端子111是用于从高频电路1的外部(RFIC 3)接收LTE信号和NR信号的端子。高频输入端子112是用于从高频电路1的外部(RFIC 3)接收LTE信号和NR信号的端子。

滤波器11是第一滤波器的一例，具有包含FDD用的频段A的上行链路工作频段的通带。滤波器11连接于开关51与开关50之间。

滤波器12是第四滤波器的一例，具有包含FDD用的频段A的下行链路工作频段的通带。滤波器12与开关50连接。滤波器12与滤波器11一起构成了频段A用的双工器。

滤波器21是第二滤波器的一例，具有包含FDD用的频段B的上行链路工作频段的通带。滤波器21连接于开关51与开关50之间。

滤波器22具有包含FDD用的频段B的下行链路工作频段的通带。滤波器22与开关50连接。滤波器22与滤波器21一起构成了频段B用的双工器。

滤波器31是第三滤波器的一例，具有包含FDD用的频段C的上行链路工作频段的通带。滤波器31连接于开关51与开关50之间。

滤波器32具有包含FDD用的频段C的下行链路工作频段的通带。滤波器32与开关50连接。滤波器32与滤波器31一起构成了频段C用的双工器。

功率放大器41是第一功率放大器的一例，能够对从高频输入端子111输入的频段A和频段B的发送信号进行放大。功率放大器41连接于高频输入端子111与开关51之间。

功率放大器42是第二功率放大器的一例，能够对从高频输入端子112输入的频段B和频段C的发送信号进行放大。功率放大器42连接于高频输入端子112与开关51之间。

频段A、频段B以及频段C是用于使用由标准化机构等(例如3GPP(注册商标)和IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers：电气电子工程师学会)等)预先定义的无线接入技术(RAT：Radio Access Technology)构建的通信系统的频段。作为通信系统，例如能够使用5G-NR系统、LTE系统以及WLAN(Wireless Local Area Network：无线局域网)系统等，但是不限定于此。

频段A、频段B以及频段C分别由下行链路工作频段和上行链路工作频段构成。

此外，上行链路工作频段是指上述频段中的被指定为上行链路用的频率范围。另外，下行链路工作频段是指上述频段中的被指定为下行链路用的频率范围。

开关51是第一开关的一例，连接于滤波器11、21及31与功率放大器41及42之间。具体地说，开关51具有公共端子51a(第一公共端子)、公共端子51b(第二公共端子)、选择端子51c(第一选择端子)、选择端子51d(第二选择端子)以及选择端子51e(第三选择端子)。开关51对公共端子51a与选择端子51c的连接以及公共端子51a与选择端子51d的连接选择性地进行切换，对公共端子51b与选择端子51d的连接以及公共端子51b与选择端子51e的连接选择性地进行切换。另外，公共端子51a与选择端子51e不连接，公共端子51b与选择端子51c不连接。

公共端子51a与功率放大器41的输出端子连接，公共端子51b与功率放大器42的输出端子连接。另外，选择端子51c与滤波器11的输入端连接，选择端子51d与滤波器21的输入端连接，选择端子51e与滤波器31的输入端连接。通过该连接结构，开关51基于例如来自RFIC 3的控制信号，能够将滤波器11与功率放大器41连接，能够将滤波器31与功率放大器42连接，能够将滤波器21与功率放大器41及42中的一方选择性地连接。

开关50是天线开关的一例，连接于天线连接端子101及102与滤波器11、12、21、22、31及32之间。具体地说，开关50具有公共端子50a及50b、以及选择端子50c、50d及50e。开关50对公共端子50a与选择端子50c、50d及50e的连接进行切换，对公共端子50b与选择端子50c、50d及50e的连接进行切换。此外，开关50能够使公共端子50a与选择端子50c、50d及50e中的2个以上的端子同时成为连接状态，能够使公共端子50b与选择端子50c、50d及50e中的2个以上的端子同时成为连接状态。

公共端子50a与天线连接端子101连接，公共端子50b与天线连接端子102连接。选择端子50c与滤波器11的输出端及滤波器12的输入端连接，选择端子50d与滤波器21的输出端及滤波器22的输入端连接，选择端子50e与滤波器31的输出端及滤波器32的输入端连接。通过该连接结构，开关50基于例如来自RFIC 3的控制信号，对天线连接端子101与滤波器11及12的连接、天线连接端子101与滤波器21及22的连接、以及天线连接端子101与滤波器31及32的连接进行切换，对天线连接端子102与滤波器11及12的连接、天线连接端子102与滤波器21及22的连接、以及天线连接端子102与滤波器31及32的连接进行切换。

在上述电路结构中，在LTE信号和NR信号中的一方正在被功率放大器41放大时，LTE信号和NR信号中的另一方被功率放大器42放大。也就是说，高频电路1能够同时传输LTE信号和NR信号。

具体地说，能够将频段A的LTE信号和频段B的NR信号分别利用滤波器11及21同时传输，能够将频段A的LTE信号和频段C的NR信号分别利用滤波器11及31同时传输，能够将频段B的LTE信号和频段C的NR信号分别利用滤波器21及31同时传输。另外，能够将频段A的NR信号和频段B的LTE信号分别利用滤波器11及21同时传输，能够将频段A的NR信号和频段C的LTE信号分别利用滤波器11及31同时传输，能够将频段B的NR信号和频段C的LTE信号分别利用滤波器21及31同时传输。

以往的高频电路的第一例具有用于传输NR信号的第一传输电路和用于传输LTE信号的第二传输电路，为了执行ENDC，需要在第一传输电路和第二传输电路中的各传输电路配置滤波器11、21及31。另外，以往的高频电路的第二例为了执行ENDC而具有能够传输NR信号和LTE信号这两方的第一传输电路和第二传输电路，需要在第一传输电路至少配置滤波器11及21，且在第二传输电路至少配置滤波器21及31。

与此相对，本实施方式所涉及的高频电路1为了执行ENDC，通过具有开关51而由具有滤波器11、21及31的1个传输电路构成，因此相比于以往的高频电路的第一例和第二例，能够以少的滤波器的数量实现基于频段A、频段B以及频段C中的2个频段的ENDC，因此能够提供能够执行ENDC的小型的高频电路1。

此外，也可以是，图1中示出的电路元件中的几个不包括在高频电路1中。例如，高频电路1至少具备功率放大器41及42、滤波器11、21及31、以及开关51即可，也可以不具备其它电路元件。

[1.3变形例1所涉及的高频电路1A的电路结构]

图2是实施方式的变形例1所涉及的高频电路1A的电路结构图。本变形例所涉及的高频电路1A与实施方式所涉及的高频电路1相比，仅开关51的结构不同。因此，关于本变形例所涉及的高频电路1A，省略其与实施方式所涉及的高频电路1相同的方面的说明，仅说明开关51的结构。

本变形例所涉及的开关51由3个开关52、53及54构成。开关52、53、54分别由SPDT(Single Pole Double Throw：单刀双掷)型的开关电路构成。

开关52具有公共端子52a、选择端子52b及52c，对公共端子52a与选择端子52b的连接以及公共端子52a与选择端子52c的连接选择性地进行切换。开关53具有公共端子53a、选择端子53b及53c，对公共端子53a与选择端子53b的连接以及公共端子53a与选择端子53c的连接选择性地进行切换。开关54具有公共端子54a、选择端子54b及54c，对公共端子54a与选择端子54b的连接以及公共端子54a与选择端子54c的连接选择性地进行切换。

公共端子52a与滤波器21的输入端连接，选择端子52b与选择端子53c连接，选择端子52c与选择端子54b连接，公共端子53a与功率放大器41的输出端子连接，选择端子53b与滤波器11的输入端连接，公共端子54a与功率放大器42的输出端子连接，选择端子54c与滤波器31的输入端连接。

根据开关52、53及54的上述结构，滤波器11与功率放大器41能够连接，滤波器31与功率放大器42能够连接，滤波器21与功率放大器41及42中的一方能够选择性地连接。另外，滤波器31与功率放大器41无法进行连接，滤波器11与功率放大器42无法进行连接。

此外，开关52、53及54也可以形成于半导体IC(Integrated Circuit：集成电路)。半导体IC例如由CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)构成。具体地说，是通过SOI(Silicon On Insulator：绝缘体上硅)工艺来形成的。由此，能够廉价地制造半导体IC。此外，半导体IC也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少任一者构成。由此，能够输出具有高质量的放大性能和噪声性能的高频信号。

[1.4频段应用例]

图3是示出实施方式所涉及的高频电路1中应用的频段的频率关系的图。作为高频电路1中应用的频段的组合，例如，用于4G-LTE的频段B8(或用于5G-NR的频段n8：上行链路工作频段880MHz-915MHz、下行链路工作频段925MHz-960MHz)被应用为第一频段，用于4G-LTE的频段B20(或用于5G-NR的频段n20：上行链路工作频段832MHz-862MHz、下行链路工作频段791MHz-821MHz)被应用为第二频段，用于4G-LTE的频段B28(或用于5G-NR的频段n28：上行链路工作频段703MHz-748MHz、下行链路工作频段753MHz-803MHz)被应用为第三频段。

图4是示出实施方式所涉及的高频电路1的第一频段应用例的图。在同图示出的高频电路1中，用于4G-LTE的频段B8(或用于5G-NR的频段n8)(第一频段：第一上行链路工作频段、第一下行链路工作频段)被应用为频段A，用于4G-LTE的频段B28(或用于5G-NR的频段n28)(第三频段：第三上行链路工作频段、第三下行链路工作频段)被应用为频段B，用于4G-LTE的频段B20(或用于5G-NR的频段n20)(第二频段：第二上行链路工作频段、第二下行链路工作频段)被应用为频段C。

如图3所示，从低频侧起，各频段的位置的顺序按频段B28的第三上行链路工作频段、频段B28的第三下行链路工作频段、频段B20的第二下行链路工作频段、频段B20的第二上行链路工作频段、频段B8的第一上行链路工作频段、以及频段B8的第一下行链路工作频段的顺序。

滤波器11具有包含频段B8的第一上行链路工作频段的通带，滤波器21具有包含频段B28的第三上行链路工作频段的通带，滤波器31具有包含频段B20的第二上行链路工作频段的通带。

据此，频段B20(频段B)和频段B8(频段A)为第二下行链路工作频段、第二上行链路工作频段、第一上行链路工作频段、以及第一下行链路工作频段的频率顺序，因此设想到以下情况：因频段B20的发送信号和频段B8的发送信号而产生的3阶互调失真的无用信号的频率包含于频段B20或频段B8的接收频带(第一下行链路工作频段或第二下行链路工作频段)。对此，在开关51中，设为公共端子51a与选择端子51e无法进行连接、公共端子51b与选择端子51c无法进行连接的结构。因此，通过使滤波器11为频段B8的发送滤波器、使滤波器31为频段B20的发送滤波器，确保滤波器11及功率放大器41与滤波器31及功率放大器42之间的高隔离度，因此能够抑制上述3阶互调失真。

例如，如图4所示，在执行LTE的频段B8与NR的频段n20的ENDC的情况下，公共端子51a与选择端子51c被连接，公共端子51b与选择端子51e被连接。另外，公共端子50a与选择端子50c被连接，公共端子50b与选择端子50e被连接。由此，频段B8的LTE信号经由高频输入端子111、功率放大器41、公共端子51a、选择端子51c、滤波器11、开关50、天线连接端子101被输出到天线2a。另外，频段n20的NR信号经由高频输入端子112、功率放大器42、公共端子51b、选择端子51e、滤波器31、开关50、天线连接端子102被输出到天线2b。此时，能够确保将公共端子51a及选择端子51c连结的信号路径与将公共端子51b及选择端子51e连结的信号路径之间的高隔离度。

此外，频段B20的第二下行链路工作频段与频段B28的第三下行链路工作频段有一部分频率重叠，因此滤波器22也可以具有包含频段B20的第二下行链路工作频段和频段B28的第三下行链路工作频段的通带。同样地，滤波器32也可以具有包含频段B20的第二下行链路工作频段和频段B28的第三下行链路工作频段的通带。

图5是示出实施方式所涉及的高频电路1的第二频段应用例的图。在同图示出的高频电路1中，用于4G-LTE的频段B8(或用于5G-NR的频段n8)(第一频段：第一上行链路工作频段、第一下行链路工作频段)被应用为频段A，用于4G-LTE的频段B20(或用于5G-NR的频段n20)(第二频段：第二上行链路工作频段、第二下行链路工作频段)被应用为频段B，用于4G-LTE的频段B28(或用于5G-NR的频段n28)(第三频段：第三上行链路工作频段、第三下行链路工作频段)被应用为频段C。

如图3所示，从低频侧起，各频段的位置的顺序按频段B28、频段B20、频段B8的顺序。

滤波器11具有与频段B8对应的通带，更具体地说，具有包含频段B8的第一上行链路工作频段的通带。滤波器21具有与频段B20对应的通带，更具体地说，具有包含频段B20的第二上行链路工作频段的通带。滤波器31具有与频段B28对应的通带，更具体地说，具有包含频段B28的第三上行链路工作频段的通带。

据此，频段B20是频段B28与频段B8之间的频带，因此功率放大器41具有频段B8和频段B20的放大频带即可，功率放大器42具有频段B20和频段B28的放大频带即可。也就是说，能够使功率放大器41及42各自的放大频带窄。因此，能够改善功率放大器41及42的性能，能够提高在高频电路1中传输的发送信号的信号质量。

例如，如图5所示，在执行LTE的频段B8与NR的频段n20的ENDC的情况下，公共端子51a与选择端子51c被连接，公共端子51b与选择端子51d被连接。另外，公共端子50a与选择端子50c被连接，公共端子50b与选择端子50d被连接。由此，频段B8的LTE信号经由高频输入端子111、功率放大器41、公共端子51a、选择端子51c、滤波器11、开关50、天线连接端子101被输出到天线2a。另外，频段n20的NR信号经由高频输入端子112、功率放大器42、公共端子51b、选择端子51d、滤波器21、开关50、天线连接端子102被输出到天线2b。

此外，图5中示出的高频电路1也可以具备具有包含用于4G-LTE的频段B5(或用于5G-NR的频段n5：上行链路工作频段824MHz-849MHz、下行链路工作频段869MHz-894MHz)的上行链路工作频段的通带的滤波器(下面记载为B5滤波器)以及具有包含用于4G-LTE的频段B18(或用于5G-NR的频段n18：上行链路工作频段815MHz-830MHz、下行链路工作频段860MHz-875MHz)的上行链路工作频段的通带的滤波器(下面记载为B18滤波器)。在该情况下，B5滤波器和B18滤波器被配置成经由开关51来与功率放大器41的输出端子连接。

据此，例如，也能够执行LTE的频段B28与NR的频段n5的ENDC以及LTE的频段B18与NR的频段n28的ENDC。

此外，作为本实施方式所涉及的高频电路1中应用的频段的组合，例如也可以是，用于4G-LTE的频段B5(或用于5G-NR的频段n5)被应用为第一频段，用于4G-LTE的频段B13(或用于5G-NR的频段n13：上行链路工作频段777MHz-787MHz、下行链路工作频段746MHz-756MHz)被应用为第二频段，用于4G-LTE的频段B71(或用于5G-NR的频段n71：上行链路工作频段663MHz-698MHz、下行链路工作频段617MHz-652MHz)被应用为第三频段。

另外，作为本实施方式所涉及的高频电路1中应用的频段的组合，例如也可以是，用于4G-LTE的频段B71(或用于5G-NR的频段n71)被应用为第一频段，用于4G-LTE的频段B12(或用于5G-NR的频段n12：上行链路工作频段699MHz-716MHz、下行链路工作频段729MHz-746MHz)被应用为第二频段，用于4G-LTE的频段B5(或用于5G-NR的频段n5)被应用为第三频段。

另外，作为本实施方式所涉及的高频电路1中应用的频段的组合，例如也可以是，用于4G-LTE的频段B2、频段B25、用于5G-NR的频段n2(第一上行链路工作频段1850MHz-1910MHz、第一下行链路工作频段1930MHz-1990MHz)或用于5G-NR的频段n25(第一上行链路工作频段1850MHz-1915MHz、第一下行链路工作频段1930MHz-1995MHz)被应用为第一频段，用于4G-LTE的频段B66或用于5G-NR的频段n66(第二上行链路工作频段1710MHz-1780MHz、第二下行链路工作频段2110MHz-2200MHz)被应用为第二频段，用于4G-LTE的频段B1或用于5G-NR的频段n1(第三上行链路工作频段1920MHz-1980MHz、第三下行链路工作频段2110MHz-2170MHz)被应用为第三频段。

在该情况下，从低频侧起，各频段的位置的顺序按频段B66(n66)的第二上行链路工作频段、频段B2(n2)或频段B25(n25)的第一上行链路工作频段、频段B2(n2)或频段B25(n25)的第一下行链路工作频段、以及频段B66(n66)的第二下行链路工作频段的顺序。

滤波器11具有包含频段B2(n2)或频段B25(n25)的第一上行链路工作频段的通带，滤波器21具有包含频段B1(n1)的第三上行链路工作频段的通带，滤波器31具有包含频段B66的第二上行链路工作频段的通带。

据此，频段B2(B25)和频段B66为第二上行链路工作频段、第一上行链路工作频段、第一下行链路工作频段、以及第二下行链路工作频段的频率顺序，因此设想到以下情况：因频段B2(B25)的发送信号和频段B66的发送信号而产生的3阶互调失真的无用信号的频率包含于发送频带(第二上行链路工作频段)、频段B66的接收频带(第二下行链路工作频段)、或频段B2(B25)的接收频带(第一下行链路工作频段)。更具体地说，因频段B2(B25)的发送信号(1850MHz)和频段B66的发送信号(1780MHz)而产生的3阶互调失真(1710MHz)包含于频段B66(n66)的第二上行链路工作频段。另外，因频段B2(B25)的发送信号(1850MHz)和频段B66的发送信号(1710MHz)而产生的3阶互调失真(1990MHz)包含于频段B2(n2)或频段B25(n25)的第一上行链路工作频段。另外，因频段B2(B25)的发送信号(1910MHz)和频段B66的发送信号(1710MHz)而产生的3阶互调失真(2110MHz)包含于频段B66(n66)的第二上行链路工作频段。

对此，在开关51中，设为公共端子51a与选择端子51e无法进行连接、公共端子51b与选择端子51c无法进行连接的结构。因此，通过使滤波器11为频段B2(B25)的发送滤波器、使滤波器31为频段B66的发送滤波器，确保滤波器11及功率放大器41与滤波器31及功率放大器42之间的高隔离度，因此能够抑制上述3阶互调失真。

例如，在执行LTE的频段B2(B25)与NR的频段n66的ENDC的情况下，公共端子51a与选择端子51c被连接，公共端子51b与选择端子51e被连接。另外，公共端子50a与选择端子50c被连接，公共端子50b与选择端子50e被连接。由此，频段B2(B25)的LTE信号经由高频输入端子111、功率放大器41、公共端子51a、选择端子51c、滤波器11、开关50、天线连接端子101被输出到天线2a。另外，频段n66的NR信号经由高频输入端子112、功率放大器42、公共端子51b、选择端子51e、滤波器31、开关50、天线连接端子102被输出到天线2b。此时，能够确保将公共端子51a及选择端子51c连结的信号路径与将公共端子51b及选择端子51e连结的信号路径之间的高隔离度。

[1.5变形例2所涉及的高频电路1B的电路结构]

图6是实施方式的变形例2所涉及的高频电路1B的电路结构图。如同图所示，高频电路1B具备滤波器11、12、21、22及31、功率放大器41及42、开关51及55、天线连接端子101及102、以及高频输入端子111及112。本变形例所涉及的高频电路1B与实施方式所涉及的高频电路1相比，不存在滤波器32，且开关55的结构不同。下面，关于本变形例所涉及的高频电路1B，省略其与实施方式所涉及的高频电路1相同的方面的说明，以不同的结构为中心来进行说明。

滤波器22是第五滤波器的一例，具有包含频段B20的第二下行链路工作频段和频段B28的第三下行链路工作频段的通带，因此能够代替原本配置于高频电路1的滤波器32来使用。

开关55是天线开关的一例，连接于天线连接端子101及102与滤波器11、12、21、22及31之间。具体地说，开关55具有公共端子55a及55b、以及选择端子55c及55d。开关55对公共端子55a与选择端子55c的连接及非连接进行切换，对公共端子55b与选择端子55d的连接及非连接进行切换。

公共端子55a与天线连接端子101连接，公共端子55b与天线连接端子102连接。选择端子55c与滤波器11的输出端及滤波器12的输入端连接，选择端子55d与滤波器21的输出端、滤波器22的输入端以及滤波器31的输出端连接。

据此，能够提供进一步削减了滤波器的数量的、能够执行ENDC的小型的高频电路1B。

[1.6变形例3所涉及的高频电路1C的电路结构]

图7是实施方式的变形例3所涉及的高频电路1C的电路结构图。如同图所示，高频电路1C具备滤波器11、12、21、22、31及32、功率放大器41及42、开关50、51及56、天线连接端子101及102、以及高频输入端子111及112。本变形例所涉及的高频电路1C与实施方式所涉及的高频电路1相比在以下方面不同：附加了开关5。下面，关于本变形例所涉及的高频电路1C，省略其与图4中示出的高频电路1相同的方面的说明，以不同的结构为中心来进行说明。

开关56是第二开关的一例，具有端子56a(第一端子)、端子56b(第二端子)、端子56c(第三端子)以及端子56d(第四端子)。开关56能够对(1)将端子56a与端子56c连接、且将端子56b与端子56d连接的第一连接状态以及(2)将端子56a与端子56d连接、且将端子56b与端子56c连接的第二连接状态进行切换。

端子56a与功率放大器41的输入端子连接，端子56b与功率放大器42的输入端子连接。NR信号经由高频输入端子111被输入到端子56c，LTE信号经由高频输入端子112被输入到端子56d。

根据上述结构，能够通过简化后的开关56，来在正在利用功率放大器41对LTE信号和NR信号中的一方进行放大时，利用功率放大器42对LTE信号和NR信号中的另一方进行放大。

图8A是实施方式的变形例3所涉及的高频电路1C执行第一ENDC的情况下的电路状态图。如同图所示，在执行LTE的频段B8与NR的频段n28的ENDC的情况下，端子56a与端子56d被连接，端子56b与端子56c被连接。另外，公共端子51a与选择端子51c被连接，公共端子51b与选择端子51d被连接。另外，公共端子50a与选择端子50c被连接，公共端子50b与选择端子50d被连接。由此，频段B8的LTE信号经由高频输入端子112、开关56、功率放大器41、开关51、滤波器11、开关50、天线连接端子101被输出到天线2a。另外，频段n28的NR信号经由高频输入端子111、开关56、功率放大器42、开关51、滤波器21、开关50、天线连接端子102被输出到天线2b。

图8B是实施方式的变形例3所涉及的高频电路1C执行第二ENDC的情况下的电路状态图。如同图所示，在执行LTE的频段B28与NR的频段n8的ENDC的情况下，端子56a与端子56c被连接，端子56b与端子56d被连接。另外，公共端子51a与选择端子51c被连接，公共端子51b与选择端子51d被连接。另外，公共端子50a与选择端子50c被连接，公共端子50b与选择端子50d被连接。由此，频段B28的LTE信号经由高频输入端子112、开关56、功率放大器42、开关51、滤波器21、开关50、天线连接端子102被输出到天线2b。另外，频段n8的NR信号经由高频输入端子111、开关56、功率放大器41、开关51、滤波器11、开关50、天线连接端子101被输出到天线2a。

图8C是实施方式的变形例3所涉及的高频电路1C执行第三ENDC的情况下的电路状态图。如同图所示，在执行LTE的频段B20与NR的频段n28的ENDC的情况下，端子56a与端子56c被连接，端子56b与端子56d被连接。另外，公共端子51a与选择端子51d被连接，公共端子51b与选择端子51e被连接。另外，公共端子50a与选择端子50d被连接，公共端子50b与选择端子50e被连接。由此，频段B20的LTE信号经由高频输入端子112、开关56、功率放大器42、开关51、滤波器31、开关50、天线连接端子102被输出到天线2b。另外，频段n28的NR信号经由高频输入端子111、开关56、功率放大器41、开关51、滤波器21、开关50、天线连接端子101被输出到天线2a。

此外，除了上述以外，通过适当地控制开关50、51及56的连接，也能够执行(1)LTE的频段B28与NR的频段n20的ENDC、(2)LTE的频段B8与NR的频段n20的ENDC、以及(3)LTE的频段B20与NR的频段n8的ENDC。

另外，在本实施方式所涉及的高频电路1中，能够执行双上行链路且3下行链路的ENDC。例如，在本变形例所涉及的高频电路1C中，能够执行LTE的频段B20与NR的频段n28的双上行链路且LTE的频段B8、LTE的频段B20以及NR的频段n28的3下行链路的ENDC。在该情况下，端子56a与端子56c被连接，端子56b与端子56d被连接。另外，公共端子51a与选择端子51d被连接，公共端子51b与选择端子51e被连接。另外，公共端子50a与选择端子50d被连接，公共端子50a与选择端子50c被连接，公共端子50b与选择端子50e被连接。由此，频段B20的LTE发送信号经由高频输入端子112、开关56、功率放大器42、开关51、滤波器31、开关50、天线连接端子102被输出到天线2b。另外，频段n28的NR发送信号经由高频输入端子111、开关56、功率放大器41、开关51、滤波器21、开关50、天线连接端子101被输出到天线2a。另外，频段B8的LTE接收信号经由天线2a、天线连接端子101、开关50以及滤波器12被输出到频段B8的接收电路(未图示)。另外，频段B20的LTE接收信号经由天线2b、天线连接端子102、开关50以及滤波器32被输出到频段B20的接收电路(未图示)。另外，频段n28的NR接收信号经由天线2a、天线连接端子101、开关50以及滤波器22被输出到频段n28的接收电路(未图示)。

[1.7高频电路1的安装结构]

图9是示出实施方式所涉及的高频电路1的安装结构例的图。在同图中，示意性地示出了配置在模块基板90上的高频电路1的安装结构。此外，在图9中示出了俯视模块基板90的主面的情况下的电路部件的配置图。另外，在图9中，为了使各电路部件的配置关系容易理解，对各电路部件标注了表示其功能的标记，但是实际的电路部件没有标注该标记。另外，虽然在图9中未图示，但是图1中示出的将各电路部件连接的布线形成于模块基板90的内部和主面。另外，上述布线既可以是两端与主面及构成高频电路1的电路部件中的任一者接合的键合线，另外也可以是形成于该电路部件的表面的端子、电极或布线。

在图9中，模块基板90例如能够在主面和内部安装电子部件，例如是具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有重新布线层(Redistribution Layer：RDL)的基板、或者印刷电路板等。

如图9所示，滤波器11、12、21、22、31及32、功率放大器41及42、以及开关50及51配置于模块基板90。

据此，能够利用小型的高频电路1来实现基于频段A、频段B以及频段C中的2个频段的ENDC。

另外，滤波器21与滤波器31也可以形成于同一芯片。此外，滤波器21与滤波器31形成于同一芯片包括：滤波器21与滤波器31配置于同一封装内。

另外，滤波器21和滤波器31是弹性波滤波器，也可以形成于同一压电基板。

例如，在频段B20的第二上行链路工作频段与频段B28的第三上行链路工作频段之间存在频段B20的第二下行链路工作频段，因此，由于频段B20的发送信号和频段B28的发送信号而产生的3阶互调失真的无用波在第三下行链路工作频段和第二下行链路工作频段产生的可能性低。因此，通过将滤波器21与滤波器31形成为单芯片，能够不担心因3阶互调失真的无用波引起的接收灵敏度的劣化地使高频电路1小型化。

[2效果等]

如以上那样，本实施方式所涉及的高频电路1能够同时传输LTE信号和NR信号，该高频电路具备滤波器11、21及31、功率放大器41及42、以及连接于滤波器11、21及31与功率放大器41及42之间的开关51，在LTE信号和NR信号中的一方正在被功率放大器41放大时，LTE信号和NR信号中的另一方被功率放大器42放大，开关51能够将滤波器11与功率放大器41连接，能够将滤波器31与功率放大器42连接，能够将滤波器21与功率放大器41及42中的一方选择性地连接。

据此，高频电路1通过包括滤波器11、21及31的1个传输电路，能够以比以往的高频电路少的滤波器的数量执行ENDC。因此，能够提供能够执行ENDC的小型的高频电路1。

另外，例如，在高频电路1中，也可以是，开关51具有公共端子51a及51b、以及选择端子51c、51d及51e，对公共端子51a与选择端子51c的连接以及公共端子51a与选择端子51d的连接选择性地进行切换，对公共端子51b与选择端子51d的连接以及公共端子51b与选择端子51e的连接选择性地进行切换，公共端子51a与功率放大器41的输出端子连接，公共端子51b与功率放大器42的输出端子连接，选择端子51c与滤波器11的输入端连接，选择端子51d与滤波器21的输入端连接，选择端子51e与滤波器31的输入端连接。

据此，能够通过简化后的开关电路执行ENDC。

另外例如，在高频电路1中，也可以是，公共端子51a与选择端子51e不连接，公共端子51b与选择端子51c不连接。

另外例如，在高频电路1中，也可以是，在由第一下行链路工作频段和第一上行链路工作频段构成的FDD用的第一频段、由第二下行链路工作频段和第二上行链路工作频段构成的FDD用的第二频段、以及第三频段中，从低频侧或高频侧起，各频段的位置的顺序按第三频段、第二下行链路工作频段、第二上行链路工作频段、第一上行链路工作频段、以及第一下行链路工作频段的顺序，滤波器11具有包含第一上行链路工作频段的通带，滤波器21具有与第三频段对应的通带，滤波器31具有包含第二上行链路工作频段的通带。

据此，第一频段和第二频段为第一下行链路工作频段、第一上行链路工作频段、第二上行链路工作频段、第二下行链路工作频段的频率顺序，因此3阶互调失真的频率有时与第一下行链路工作频段及第二下行链路工作频段重叠。对此，通过使滤波器11的通带为第一上行链路工作频段、使滤波器31的通带为第二上行链路工作频段，来利用开关51抑制滤波器11及功率放大器41与滤波器31及功率放大器42之间的隔离度的劣化，因此能够抑制因3阶互调失真引起的接收灵敏度的劣化。

另外例如，在高频电路1中，也可以是，从低频侧或高频侧起，各频段的位置的顺序按第三频段、第二频段、以及第一频段的顺序，滤波器11具有与第一频段对应的通带，滤波器21具有与第二频段对应的通带，滤波器31具有与第三频段对应的通带。

据此，第二频段是第一频段与第三频段之间的频带，功率放大器41具有第一频段和第二频段的放大频带即可，功率放大器42具有第二频段和第三频段的放大频带即可。也就是说，能够通过使功率放大器41及42的放大频带窄来改善功率放大器的性能。因此，能够提高在高频电路1中传输的发送信号的信号质量。

另外例如，在高频电路1中，也可以是，第一频段是用于4G-LTE的频段B8或用于5G-NR的频段n8，第二频段是用于4G-LTE的频段B20或用于5G-NR的频段n20，第三频段是用于4G-LTE的频段B28或用于5G-NR的频段n28。

另外例如，在高频电路1B中，也可以是，第三频段由第三下行链路工作频段和第三上行链路工作频段构成，第二下行链路工作频段与第三下行链路工作频段有一部分频率重叠，高频电路1B还具备：滤波器12，其具有包含第一下行链路工作频段的通带；以及滤波器22，其具有包含第二下行链路工作频段和第三下行链路工作频段的通带。

据此，能够提供削减了接收滤波器的数量的、能够执行ENDC的小型的高频电路1B。

另外例如，在高频电路1中，也可以是，第一频段是用于4G-LTE的频段B5或用于5G-NR的频段n5，第二频段是用于4G-LTE的频段B13或用于5G-NR的频段n13，第三频段是用于4G-LTE的频段B71或用于5G-NR的频段n71。

另外例如，在高频电路1中，也可以是，第一频段是用于4G-LTE的频段B71或用于5G-NR的频段n71，第二频段是用于4G-LTE的频段B12或用于5G-NR的频段n12，第三频段是用于4G-LTE的频段B5或用于5G-NR的频段n5。

另外例如，在高频电路1中，也可以是，滤波器21与滤波器31形成于同一芯片。

在第二上行链路工作频段与第三频段之间存在第二下行链路工作频段，因此3阶互调失真的无用信号在第三频段的下行链路工作频段和第二下行链路工作频段产生的可能性低。因此，通过使滤波器21与滤波器31形成为单芯片，能够不担心因3阶互调失真引起的接收灵敏度的劣化地实现小型化。

另外例如，在高频电路1中，也可以是，滤波器21及31是弹性波滤波器，滤波器21与滤波器31形成于同一压电基板。

据此，能够不担心因3阶互调失真引起的接收灵敏度的劣化地实现小型化。

另外例如，在高频电路1中，也可以是，在由第一下行链路工作频段和第一上行链路工作频段构成的频分双工(FDD)用的第一频段、由第二下行链路工作频段和第二上行链路工作频段构成的FDD用的第二频段、以及第三频段中，从低频侧或高频侧起，各频段的位置的顺序按第二上行链路工作频段、第一上行链路工作频段、第一下行链路工作频段、以及第二下行链路工作频段的顺序，滤波器11具有包含第一上行链路工作频段的通带，滤波器21具有与第三频段对应的通带，滤波器31具有包含第二上行链路工作频段的通带。

据此，第一频段和第二频段为第二上行链路工作频段、第一上行链路工作频段、第一下行链路工作频段、第二下行链路工作频段的频率顺序，因此3阶互调失真的频率有时与第二下行链路工作频段、第二上行链路工作频段、或第一下行链路工作频段重叠。对此，通过使滤波器11的通带为第一上行链路工作频段、使滤波器31的通带为第二上行链路工作频段，来利用开关51抑制滤波器11及功率放大器41与滤波器31及功率放大器42之间的隔离度的劣化，因此能够抑制3阶互调失真。

另外例如，在高频电路1中，也可以是，第一频段是用于4G-LTE的频段B2、频段B25、用于5G-NR的频段n2或用于5G-NR的频段n25，第二频段是用于4G-LTE的频段B66或用于5G-NR的频段n66，第三频段是用于4G-LTE的频段B1或用于5G-NR的频段n1。

另外例如，高频电路1C也可以还具备开关56，该开关56具有端子56a、56b、56c及56d，该开关56能够对第一连接状态和第二连接状态进行切换，在该第一连接状态下，将端子56a与端子56c连接，且将端子56b与端子56d连接，在该第二连接状态下，将端子56a与端子56d连接，且将端子56b与端子56c连接，端子56a与功率放大器41的输入端子连接，端子56b与功率放大器42的输入端子连接，端子56c被输入NR信号，端子56d被输入LTE信号。

据此，能够通过简化后的开关电路，来在正在利用功率放大器41对LTE信号和NR信号中的一方进行放大时，利用功率放大器42对LTE信号和NR信号中的另一方进行放大。

另外例如，高频电路1也可以还具备模块基板90，滤波器11、21及31、功率放大器41及42、以及开关51配置于模块基板90。

据此，能够实现能够执行ENDC的小型的高频电路1。

另外，本实施方式所涉及的通信装置4具备：RFIC 3，其对高频信号进行处理；以及高频电路1，其在RFIC 3与天线2a及2b之间传输高频信号。

据此，通信装置4能够起到与高频电路1的上述效果同样的效果。

(其它实施方式)

以上，关于本发明所涉及的高频电路和通信装置，基于实施方式和变形例来进行了说明，但是本发明所涉及的高频电路和通信装置不限定于上述实施方式和变形例。将上述实施方式和变形例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式和变形例实施本领域技术人员在不脱离本发明的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频电路和通信装置的各种设备也包含在本发明中。

例如，在上述实施方式和变形例所涉及的高频电路和通信装置的电路结构中，也可以在附图中示出的连接各电路元件以及信号路径的路径之间插入其它的电路元件和布线等。

另外，在上述实施方式中，使用了用于5G-NR或LTE的频段，但是也可以除了使用用于5G-NR或LTE的频段以外还使用用于其它无线接入技术的通信频段，或者使用用于其它无线接入技术的通信频段来代替用于5G-NR或LTE的频段。例如，也可以使用用于无线局域网的通信频段。另外例如，也可以使用7千兆赫兹以上的毫米波带。在该情况下，高频电路1、天线2a及2b以及RFIC 3构成毫米波天线模块，作为滤波器，也可以使用例如分布常数型滤波器。

产业上的可利用性

本发明作为配置于前端部的高频电路，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。

附图标记说明

1、1A、1B、1C：高频电路；2a、2b：天线；3：RF信号处理电路(RFIC)；4：通信装置；11、12、21、22、31、32：滤波器；41、42：功率放大器；50、51、52、53、54、55、56：开关；50a、50b、51a、51b、52a、53a、54a、55a、55b：公共端子；50c、50d、50e、51c、51d、51e、52b、52c、53b、53c、54b、54c、55c、55d：选择端子；56a、56b、56c、56d：端子；90：模块基板；101、102：天线连接端子；111、112：高频输入端子。

Claims (16)

1.一种高频电路，能够同时传输长期演进信号即LTE信号和新空口信号即NR信号，所述高频电路具备：

第一滤波器、第二滤波器及第三滤波器；

第一功率放大器及第二功率放大器；以及

第一开关，其连接于所述第一滤波器、所述第二滤波器及所述第三滤波器与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器之间，

其中，在LTE信号和NR信号中的一方正在被所述第一功率放大器放大时，LTE信号和NR信号中的另一方被所述第二功率放大器放大，

所述第一开关能够将所述第一滤波器与所述第一功率放大器连接，能够将所述第三滤波器与所述第二功率放大器连接，能够将所述第二滤波器与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器中的一方选择性地连接。

2.根据权利要求1所述的高频电路，其中，

所述第一开关具有第一公共端子、第二公共端子、第一选择端子、第二选择端子以及第三选择端子，对所述第一公共端子与所述第一选择端子的连接以及所述第一公共端子与所述第二选择端子的连接选择性地进行切换，对所述第二公共端子与所述第二选择端子的连接以及所述第二公共端子与所述第三选择端子的连接选择性地进行切换，

所述第一公共端子与所述第一功率放大器的输出端子连接，

所述第二公共端子与所述第二功率放大器的输出端子连接，

所述第一选择端子与所述第一滤波器的输入端连接，

所述第二选择端子与所述第二滤波器的输入端连接，

所述第三选择端子与所述第三滤波器的输入端连接。

3.根据权利要求2所述的高频电路，其中，

所述第一公共端子与所述第三选择端子不连接，所述第二公共端子与所述第一选择端子不连接。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频电路，其中，

在由第一下行链路工作频段和第一上行链路工作频段构成的频分双工用即FDD用的第一频段、由第二下行链路工作频段和第二上行链路工作频段构成的FDD用的第二频段、以及第三频段中，

从低频侧或高频侧起，各频段的位置的顺序按所述第三频段、所述第二下行链路工作频段、所述第二上行链路工作频段、所述第一上行链路工作频段以及所述第一下行链路工作频段的顺序，

所述第一滤波器具有包含所述第一上行链路工作频段的通带，

所述第二滤波器具有与所述第三频段对应的通带，

所述第三滤波器具有包含所述第二上行链路工作频段的通带。

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频电路，其中，

从低频侧或高频侧起，各频段的位置的顺序按第三频段、第二频段以及第一频段的顺序，

所述第一滤波器具有与所述第一频段对应的通带，

所述第二滤波器具有与所述第二频段对应的通带，

所述第三滤波器具有与所述第三频段对应的通带。

6.根据权利要求4或5所述的高频电路，其中，

所述第一频段是用于4G-LTE的频段B8或用于5G-NR的频段n8，

所述第二频段是用于4G-LTE的频段B20或用于5G-NR的频段n20，

所述第三频段是用于4G-LTE的频段B28或用于5G-NR的频段n28。

7.根据权利要求6所述的高频电路，其中，

所述第三频段由第三下行链路工作频段和第三上行链路工作频段构成，

所述第二下行链路工作频段与所述第三下行链路工作频段有一部分频率重叠，

所述高频电路还具备：

第四滤波器，其具有包含所述第一下行链路工作频段的通带；以及

第五滤波器，其具有包含所述第二下行链路工作频段和所述第三下行链路工作频段的通带。

8.根据权利要求4或5所述的高频电路，其中，

所述第一频段是用于4G-LTE的频段B5或用于5G-NR的频段n5，

所述第二频段是用于4G-LTE的频段B13或用于5G-NR的频段n13，

所述第三频段是用于4G-LTE的频段B71或用于5G-NR的频段n71。

9.根据权利要求4或5所述的高频电路，其中，

所述第一频段是用于4G-LTE的频段B71或用于5G-NR的频段n71，

所述第二频段是用于4G-LTE的频段B12或用于5G-NR的频段n12，

所述第三频段是用于4G-LTE的频段B5或用于5G-NR的频段n5。

10.根据权利要求4所述的高频电路，其中，

所述第二滤波器与所述第三滤波器形成于同一芯片。

11.根据权利要求10所述的高频电路，其中，

所述第二滤波器和所述第三滤波器是弹性波滤波器，

所述第二滤波器与所述第三滤波器形成于同一压电基板。

12.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频电路，其中，

在由第一下行链路工作频段和第一上行链路工作频段构成的频分双工用即FDD用的第一频段、由第二下行链路工作频段和第二上行链路工作频段构成的FDD用的第二频段、以及第三频段中，

从低频侧或高频侧起，各频段的位置的顺序按所述第二上行链路工作频段、所述第一上行链路工作频段、所述第一下行链路工作频段以及所述第二下行链路工作频段的顺序，

所述第一滤波器具有包含所述第一上行链路工作频段的通带，

所述第二滤波器具有与所述第三频段对应的通带，

所述第三滤波器具有包含所述第二上行链路工作频段的通带。

13.根据权利要求12所述的高频电路，其中，

所述第一频段是用于4G-LTE的频段B2、用于4G-LTE的频段B25、用于5G-NR的频段n2或用于5G-NR的频段n25，

所述第二频段是用于4G-LTE的频段B66或用于5G-NR的频段n66，

所述第三频段是用于4G-LTE的频段B1或用于5G-NR的频段n1。

14.根据权利要求1～13中的任一项所述的高频电路，其中，

还具备第二开关，所述第二开关具有第一端子、第二端子、第三端子以及第四端子，所述第二开关能够对第一连接状态和第二连接状态进行切换，在所述第一连接状态下，将所述第一端子与所述第三端子连接，且将所述第二端子与所述第四端子连接，在所述第二连接状态下，将所述第一端子与所述第四端子连接，且将所述第二端子与所述第三端子连接，

所述第一端子与所述第一功率放大器的输入端子连接，

所述第二端子与所述第二功率放大器的输入端子连接，

所述第三端子被输入NR信号，

所述第四端子被输入LTE信号。

15.根据权利要求1～14中的任一项所述的高频电路，其中，

还具备模块基板，

所述第一滤波器、所述第二滤波器、所述第三滤波器、所述第一功率放大器、所述第二功率放大器以及所述第一开关配置于所述模块基板。

16.一种通信装置，具备：

信号处理电路，其对高频信号进行处理；以及

根据权利要求1～15中的任一项所述的高频电路，其在所述信号处理电路与天线之间传输所述高频信号。