CN117894804A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种显示装置。根据本公开，由于设置在基板上的导电层包括由具有低反射率的材料形成的层，所以可以解决导电层被用户视觉识别和可视性降低的缺陷。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年10月13日在韩国提交的韩国专利申请第10-2022-0131215号的权益和优先权，其全部公开内容通过引用明确并入本申请中。
技术领域
本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种具有改善的反射率和可视性的显示装置。
背景技术
近来，随着我们的社会迈向信息化社会，用于视觉地表达电信息信号的显示装置领域迅速发展。因此，正在开发各种在薄型、轻质和低功耗方面具有优异性能的显示装置。显示装置的示例包括液晶显示装置(LCD)、有机发光显示装置(OLED)等。
发明内容
近来，正在积极开发使用其上设置有薄膜晶体管的基板作为观看表面的翻转型显示装置。具体地，在翻转型显示装置中，由于其上设置有薄膜晶体管的基板被配置为上基板，焊盘单元被设置为朝向面板的后侧，因此可以不包括例如用于覆盖焊盘单元的外盖。如果不存在外盖，则可以实现四面无边框型显示装置。
然而，本申请的发明人发现，当其上设置有薄膜晶体管的基板用作观看表面时，存在由于多条金属线和金属电极导致的面板外部的可视性降低的缺陷。
本公开的各实施例解决了包括如上所述的技术问题的现有技术中的技术问题。
例如，本公开讨论了解决由于例如栅极等的导电部件的高反射率导致的金属层被用户视觉识别并且可视性降低的缺陷的方法。
具体地，本公开的各实施例提供了这样一种无边框型显示装置：在使用其上设置有薄膜晶体管的基板作为观看表面的翻转型显示设备中，解决了金属层被用户视觉识别并且可视性降低的缺陷的同时使边框区域的宽度最小化。
本公开的技术效果不限于上述效果，并且本领域技术人员可以从以下描述中清楚地理解上面未提及的其他效果。
根据本公开的示例性实施例的显示装置包括：基板；以及基板上的导电层，其中，导电层包括：第一导电层，包括第一子导电层和设置在第一子导电层上的第二子导电层；以及第二导电层，设置在第一导电层上，并且包括第一子导电层和设置在第一子导电层上的第二子导电层，其中，第一导电层的第一子导电层包含选自第一低反射材料、第二低反射材料和第三低反射材料中的至少一种，第一低反射材料包含第一金属、第一金属氧化物、第二金属氧化物和第三金属氧化物，第二低反射材料包含第二金属和两种以上不同的导电氧化物，第三低反射材料包含第四金属氧化物和两种以上不同的导电氧化物，其中，第二导电层的第一子导电层包含选自第二低反射材料和第三低反射材料中的至少一种。
示例性实施例的其他详细内容包括在详细描述和附图中。
根据本公开，由于设置在基板上的导电层包括由具有低反射率的材料形成的层，所以可以解决由于导电层被用户视觉识别并且可视性降低导致的缺陷。
根据本公开的示例性实施例，由于薄膜晶体管的栅极、源极和漏极包括由具有低反射率的材料形成的层，可以大幅降低反射率，所以可以使反射引起的偏红色改善为中性颜色。另外，通过将本公开的导电层应用于源极和漏极，降低了反射率并且降低了接触电阻，使得也可以改善元件特性。
另外，当本公开的导电层应用于使用其上设置有薄膜晶体管的基板作为观看表面的翻转型显示装置时，可以提供在能够使边框区域的宽度最小化的同时解决例如栅极的金属层由于反射而被用户视觉识别的缺陷并且可视性降低的无边框型显示装置。
根据本公开的效果不限于上面示例的内容，并且更多各种效果都包括在本说明书中。
附图说明
图1是根据本公开的一个示例性实施例的显示装置的示意性平面图。
图2是根据本公开的一个示例性实施例的显示装置的示意性横截面图。
图3是示出根据本公开的一个示例性实施例的显示装置的液晶显示面板的示意性横截面图。
图4是示出根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的液晶显示面板的示意性横截面图。
图5是示出根据本公开的又一示例性实施例的显示装置的液晶显示面板的示意性横截面图。
图6是示出当第一子导电层具有2.7的折射率和0.8的消光系数时反射率根据厚度的变化的曲线图。
图7是示出当第一子导电层具有2.7的折射率和的厚度时反射率根据消光系数的变化的曲线图。
图8是示出当第一子导电层的消光系数为0.8时反射率根据折射率和厚度的变化的曲线图。
图9是示出当第一子导电层的折射率为2.3并且第一子导电层的消光系数为0.6时反射率根据厚度的变化的曲线图。
图10是示出当第一子导电层具有2.7的折射率和的厚度时反射率根据消光系数的变化的曲线图。
图11是示出当第一子导电层具有2.1的折射率和0.8的消光系数时反射率根据厚度的变化的曲线图。
图12是示出当第一子导电层具有2.1的折射率和的厚度时反射率根据消光系数的变化的曲线图。
图13是示出当第一子导电层的消光系数为0.8时反射率根据折射率和厚度的变化的曲线图。
图14是示出根据示例8-1、比较例8-1和比较例8-2的显示面板对各个波长的反射率的图。
具体实施方式
通过参照以下详细描述的示例性实施例以及附图，本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施例，而是可以以各种形式来实现。示例性实施例仅以示例的方式提供，以使本领域技术人员能够充分理解本公开的内容和本公开的范围。
用于描述本公开的示例性实施例的附图中示出的元件的形状、大小、尺寸(例如，长度、宽度、高度、厚度、半径、直径、面积等)、比率、角度、数量等仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略已知相关技术的详细解释以避免不必要地模糊本公开的主题。本文使用例如“包括”、“具有”和“由……构成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，对单数的任何引用可以包括复数。
附图中示出的各个部件的包括大小和厚度的尺寸被示出以便于说明，并且本公开不限于所示的部件的大小和厚度，并且应当理解，各个尺寸包括作为本公开的一部分提交的各个附图中示出的部件的相对大小、相对位置和相对厚度。
即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通误差范围。
当使用例如“上”、“上方”、“下方”和“旁边”的术语来描述两个部分之间的位置关系时，一个或多个部分可以位于两个部分之间，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。
当一个元件或层设置在另一个元件或层“上”时，另一层或另一元件可以直接插设在其他元件上或它们之间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不限于这些术语。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此，本公开的技术构思中，下面要提及的第一部件可以为第二部件。
本公开的各种实施例的特征可以部分或整体地相互结合或组合，并且可以在技术上以各种方式协作和操作，并且实施例可以彼此独立或关联地实施。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的示例性实施例的显示装置。
首先，将描述本公开的特征中的第一导电层和第二导电层。作为薄膜晶体管、遮光层和焊盘单元的部件的多个导电层可以设置在显示装置的基板上。例如，至少一个第一导电层和至少一个第二导电层可以设置在基板上。在本公开的示例性实施例中，第一导电层可以为薄膜晶体管的栅极，第二导电层可以为薄膜晶体管的源极和漏极。在本公开的另一示例性实施例中，第一导电层可以为遮光层，第二导电层可以为栅极。
第一导电层和第二导电层中的每一者包括由具有低反射率的低反射材料形成的层，因此可以降低由具有高反射率的金属形成的导电层的反射率，以提高显示装置的可视性。
例如，第一导电层可以包括第一子导电层和层叠在第一子导电层上的第二子导电层。第一导电层的第一子导电层用于降低反射率。第一导电层的第一子导电层的反射率低于第二子导电层的反射率。第一导电层的第二子导电层的电阻低于第一子导电层的电阻。因此，包括第一子导电层和第二子导电层的第一导电层提供了在保持其电学特性不降低的同时降低反射率的效果。
例如，第二导电层可以包括第一子导电层和层叠在第一子导电层上的第二子导电层。第二导电层的第一子导电层用于降低反射率。第二导电层的第一子导电层的反射率低于第二子导电层的反射率。第二导电层的第二子导电层的电阻低于第一子导电层的电阻。因此，包括第一子导电层和第二子导电层的第二导电层具有在保持其电学特性不降低的同时降低反射率的效果。
例如，第一导电层的第二子导电层和第二导电层的第二子导电层中的每一者可以独立地由选自铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)和铌(Nd)中的一种金属或包括前述金属中的至少一种的合金形成，但本公开不限于此。
例如，第一导电层的第一子导电层可以由选自第一低反射材料、第二低反射材料和第三低反射材料中的至少一种形成。
例如，第二导电层的第一子导电层可以由选自第二低反射材料和第三低反射材料中的至少一种形成。
在下文中，将详细描述第一低反射材料、第二低反射材料和第三低反射材料。
第一低反射材料可以包含第一金属、第一金属氧化物、第二金属氧化物和第三金属氧化物。
例如，第一金属可以为选自钼(Mo)、镍(Ni)、铜(Cu)和钨(W)中的至少一种。
例如，第一金属氧化物可以为选自MoO2、MoO3、NiO、CuO和Cu2O中的至少一种。
例如，第二金属氧化物可以为选自Nb2O5、WO3、TiO2、ZrO2和HfO2中的至少一种。
例如，第三金属氧化物可以为ZnO。
具体地，例如，第一低反射材料可以为Mo、MoO2、MoO3、Nb2O5和ZnO的组合。在这种情况下，可以在保持导电层的高电学特性的同时降低反射率。
例如，第一低反射材料可以包括3重量％至15重量％的第一金属、55重量％至77重量％的第一金属氧化物、15重量％至30重量％的第二金属氧化物，以及0至5重量％的第三金属氧化物。
在另一示例中，第一低反射材料可以包括5重量％至15重量％的第一金属、55重量％至68重量％的第一金属氧化物、20重量％至25重量％的第二金属氧化物，1重量％至5重量％的第三金属氧化物。在这种情况下，具有降低反射率而不降低导电层的电学特性的效果。
作为另一示例，第一低反射材料可以包括70重量％至80重量％的第一金属和第一金属氧化物、15重量％至25重量％的第二金属氧化物以及2重量％至5重量％的第三金属氧化物。在这种情况下，第一金属与第一金属氧化物的重量比可以为例如3至15：85至97。当第一低反射材料被配置为具有这样的成分时，具有降低反射率而不降低导电层的电学特性的效果。
具体地，例如，第一低反射材料可以为Mo、MoOx(MoO2+MoO3)、Nb2O5和ZnO的组合。此时，Mo和MoOx(MoO2+MoO3)的含量总计可以为70重量％至80重量％，Nb2O5的含量可以为18重量％至25重量％，并且ZnO的含量可以为2重量％至5重量％。另外，Mo与MoOx(MoO2+MoO3)的重量比可以为3至15：85至97。另外，相对于MoO2和MoO3的总量，MoO2的含量可以为90w％以上。在这种情况下，可以在保持导电层的高电学特性的同时降低反射率。
例如，第二低反射材料可以由第二金属和两种以上不同的导电氧化物形成。
例如，第二金属可以为选自钼(Mo)和钨(W)中的至少一种。
例如，导电氧化物可以为选自In2O3、SnO2和ZnO中的两种以上。
例如，第二低反射材料可以包括20重量％至40重量％的第二金属和60重量％至80重量％的导电氧化物。在此范围内，可以在保持导电层的高电学特性的同时降低导电层的反射率。
可选地，如果需要，第二低反射材料还可以包括掺杂剂。例如，第二低反射材料还可以包括MoO2作为掺杂剂，但不限于此。
例如，相对于第二低反射材料的总重量，掺杂剂的含量可以为5重量％以下，但不限于此。
例如，第二低反射材料可以为Mo、In2O3和SnO2的组合。在这种情况下，如果需要，还可以包含选自ZnO和MoO2中的至少一种作为掺杂剂。在这种情况下，可以在保持导电层的高电学特性的同时降低反射率。
例如，第三低反射材料可以由第四金属氧化物和两种以上的不同导电氧化物形成。
例如，第四低反射材料可以为选自MoO3、MoO2和WO3中的至少一种。
例如，导电氧化物可以为选自In2O3、SnO2和ZnO中的两种以上。
例如，第三低反射材料可以包括50重量％至70重量％的第四金属氧化物和30重量％至50重量％的导电氧化物。在此范围内，可以在保持导电层的高电学特性的同时降低反射率。
可选地，第三低反射材料根据需要还可以包括掺杂剂。例如，第三低反射材料还可以包括钼(Mo)作为掺杂剂，但不限于此。
例如，相对于第三低反射材料的总重量，掺杂剂的含量可以为5重量％以下，但不限于此。
例如，第三低反射材料可以为MoO2、In2O3和SnO2的组合。在这种情况下，如果需要，第三低反射材料还可以包含选自ZnO和Mo中的至少一种作为掺杂剂。在这种情况下，可以在保持导电层的高电学特性的同时降低反射率。
例如，第一导电层和第二导电层中的每一者的第一子导电层的厚度可以为至/>至/>至/>至/>或/>至/>当第一子导电层的厚度在上述范围内时，可以进一步降低反射率。当厚度小于/>时，可能增大长波长带的反射率，而当厚度超过/>时，可能增大短波长带的反射率。
第一导电层和第二导电层中的每一者的第一子导电层的厚度可以根据材料而变化。
例如，当第一导电层和第二导电层中的每一者的第一子导电层由第一低反射材料形成时，如果厚度超过则短波长带的反射率增加，因此降低反射率的效果可能不明显。优选地，当第一子导电层由第一低反射材料形成时，第一子导电层的厚度可以为/>至/>至/>至/>或/>至/>在这种情况下，具有380nm至740nm的波长的反射率优异的优点。作为另一示例，当考虑550nm的波长的反射率时，由第一低反射材料形成的第一子导电层的厚度可以为/>至/>
例如，当第一子导电层由第二低反射材料或第三低反射材料形成时，如果厚度超过则短波长带的反射率增加，由此降低反射率的效果可能不明显。优选地，由第二低反射材料或第三低反射材料形成的第一子导电层的厚度可以为/>至/>或至/>并且在此范围内，还可以降低反射率。
例如，第一导电层和第二导电层中的每一者的第一子导电层的折射率(n)可以为2.1至2.9、2.3至2.9、或2.3至2.7。在此范围内可以使反射率最小化，并且当折射率超过2.9时，可能增大短波长带的反射率。
例如，第一导电层和第二导电层中的每一者的第一子导电层的消光系数(k)可以为0.6至1.2，优选地，为0.8至1.0。在此范围内，可以使反射率最小化。如果消光系数小于0.6，则由于在长波长带的吸收减少，所以当第一导电层和第二导电层用作薄膜晶体管和遮光层的部件时，图像可能显示为偏红色。另外，当消光系数大于1.2时，可能增大反射率，因此可能降低可视性。
折射率和消光系数可以根据低反射材料的成分来调节。以由Mo、MoOx(MoO2+MoO3)、Nb2O5和ZnO的组合形成的第一低反射材料为例，随着Mo的相对比率增大，折射率和消光系数趋向于增大。具体地，当Mo的比率为0时，折射率为2.6并且消光系数为0.7。然而，当Mo的比率为15重量％时，折射率可以为2.8并且消光系数可以为1.2，当Mo的比率为23重量％时，折射率可以为2.9并且消光系数可以为1.4。当Mo的比率为0时，折射率和消光系数落入上述范围内，但导电层的电学特性可能变差。因此，应当在导电层的电学特性不变差的范围内调节低反射材料的成分，使得折射率和消光系数在上述范围内。因此，能够同时满足电学特性和可视性。
如上所述，第一导电层和第二导电层可以为薄膜晶体管、遮光层等的部件。在下文中，将参照图1至图3描述本公开的第一导电层为薄膜晶体管的栅极并且第二导电层为薄膜晶体管的源极和漏极的示例性实施例。
图1至图3是用于说明根据本公开的示例性实施例的显示装置的视图。例如，显示装置可以为包括液晶层的液晶显示装置，作为另一示例，显示装置可以为包括有机发光层的有机发光显示装置。在下文中，为了便于说明，以液晶显示装置为例进行描述，但是本公开的显示装置不限于液晶显示装置。
图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置的示意性平面图。在图1中，为了便于描述，仅示出了显示装置100的各个部件中的第一基板110和多个子像素SP。
第一基板110是支撑显示装置100中包括的各种部件并保护它们免受外部冲击或外部环境影响的部件，并且第一基板110可以由绝缘材料形成。例如，第一基板110可以由玻璃基板或例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺的塑料基板形成。
第一基板110支撑显示装置100的各种部件。第一基板110包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA是设置有多个子像素SP的区域，并且是显示实际图像的区域。非显示区域NDA是围绕显示区域DA的外部区域，并且是不显示图像的区域。非显示区域NDA可以被称为边框区域。在非显示区域NDA中设置用于驱动屏幕的布线和驱动电路。
可以在第一基板110上限定多个子像素SP。多个子像素SP是构成显示区域DA的最小单元，并且每个子像素SP是用于显示一种颜色的区域。例如，多个子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。多个子像素SP可以被限定为如图1所示的矩阵形式。
图2是根据本公开的示例性实施例的显示装置的示意性横截面图。图2是示出作为图1所示的显示装置100的无边框显示装置的结构的一部分的横截面图。
参照图2，根据本公开的显示装置100包括液晶显示面板PNL、背光单元BLU和底盖CB，液晶显示面板PNL包括第一基板110和第二基板150。
液晶显示面板PNL通过以矩阵形式布置的像素显示图像，并且包括第一基板110和第二基板150，第一基板110和第二基板150在液晶层LC插设于二者之间的情况下被结合，以控制透光率。
根据本公开的示例性实施例的显示装置100为无边框液晶显示装置，作为上基板的第一基板110被配置为薄膜晶体管阵列基板，并且作为下基板的第二基板150被配置为滤色器基板。也就是说，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，液晶显示面板PNL被翻转，使得具有相对大面积的薄膜晶体管阵列基板位于滤色器基板的上方，这与现有技术的情况不同。因此，由于形成在位于上方的薄膜晶体管阵列基板上的焊盘单元部件朝向液晶显示面板PNL的后侧设置，所以可以去除(即，“不存在”)例如用于覆盖焊盘单元部件的外盖(或顶壳)的设备，从而可以实现四面无边框型显示装置。在这种情况下，如上所述，薄膜晶体管阵列基板位于上方并用作观看表面的结构可以称为翻转型。
背光单元BLU设置在液晶显示面板PNL下方并向液晶显示面板PNL提供光。背光单元BLU可以包括光源、反射膜、导光板、引导面板、光学膜等。在这种情况下，背光单元BLU可以选择并使用冷阴极荧光灯(CCFL)、热阴极荧光灯(HCFL)、外电极荧光灯(EEFL)或发光二极管(LED)中的任意一种作为光源，但本公开不限于此。
底盖CB是容纳并保护显示装置100的部件的壳体构件。底盖CB可以围绕液晶显示面板PNL和背光单元BLU的侧表面，并且可以设置在背光单元BLU的后表面上。具体地，底盖CB可以形成为边缘竖直弯曲的四边形框架形状。例如，底盖CB可以包括设置为面向背光单元BLU的后表面的水平部分和从水平部分延伸并覆盖液晶显示面板PNL和背光单元的侧表面的垂直部分。
底盖CB可以包括具有高导热性和高刚性的材料，以将热量从背光单元BLU的驱动电路和光源顺畅地散发到外部。例如，底盖CB可以被制造为金属板，例如铝、氮化铝(AlN)、电镀锌铁(EGI)、不锈钢(SUS)、镀铝锌(SGLC)、镀铝钢(也称为ALCOSTA)、镀锡钢(SPTE)等，但本公开不限于此。
另外，虽然在图2中未示出，但偏光板也可以设置在显示面板PNL的前表面和后表面中的至少一者上。例如，偏光板可以设置在第一基板110的与其上设置有薄膜晶体管120的表面相对的表面上，但本公开不限于此。
在下文中，将参照图3描述根据本公开的示例性实施例的显示装置100的液晶显示面板PNL。图3是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的液晶显示面板的示意性横截面图。
例如，可以用边缘场开关(FFS)方法驱动液晶显示面板PNL，在边缘场开关(FFS)方法中，在作为像素电极的第一电极141与作为公共电极的第二电极142之间形成的边缘场穿过狭缝并驱动位于像素区域的液晶层LC的液晶分子以实现图像。作为另一示例，液晶显示面板PNL可以以共平面开关(IPS)方法来驱动，共平面开关(IPS)方法中，作为像素电极的第一电极141和作为公共电极的第二电极142平行设置，并且液晶层LC的液晶分子由第一电极141和第二电极142的水平场驱动以显示图像。
参照图3，液晶显示面板PNL包括第一基板110和第二基板150。
薄膜晶体管120以及各种线和电极形成在第一基板110上以限定多个子像素。可以在第二基板150上形成用于显示红色、绿色和蓝色三基色的滤色器和在各个子像素之间的黑矩阵。如图2所示，包括具有相对大面积的薄膜晶体管120的第一基板110位于包括滤色器的第二基板150上方，从而可以实现无边框型显示装置100。
多条栅极线和多条数据线设置为在第一基板110上彼此交叉。薄膜晶体管120设置在栅极线和数据线的交叉区域中，并连接到形成在显示区域DA中的第一电极141。
在第一基板110上设置有薄膜晶体管120。虽然图3示出了具有背沟道蚀刻(BCE)结构的薄膜晶体管120，但这仅是示例并且本公开不限于此。
缓冲层可以设置在第一基板110与薄膜晶体管120之间。缓冲层阻挡在形成薄膜晶体管的工序期间从第一基板110引入的杂质。另外，缓冲层通过防止水分(H2O)和氢气(H2)从外部渗透来保护显示装置100的各种部件。缓冲层可以由绝缘材料形成，例如，缓冲层可以形成为由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiON)形成的无机层的单层或多层。
薄膜晶体管120可以用作显示装置100的驱动元件。薄膜晶体管120包括栅极121、有源层122、源极123和漏极124。
具体地，从栅极线分支的栅极121设置在第一基板110上。
栅极121可以由多层形成，例如，栅极121可以由包括第一子导电层G-sub1和第二子导电层G-sub2的双层形成。如上所述，在示例性实施例中，栅极121与第一导电层相同。因此，栅极121的第一子导电层G-sub1具有与上述第一导电层的第一子导电层相同的特性，并且栅极121的第二子导电层G-sub2具有与上述第一导电层的第二子导电层相同的特性。因此，将省略栅极121的第一子导电层G-sub1和第二子导电层G-sub2的重复描述。
例如，栅极121的第一子导电层G-sub1可以由选自上述第一低反射材料、第二低反射材料和第三低反射材料中的至少一种形成。优选地，栅极121的第一子导电层G-sub1可以为第一低反射材料，更优选地，其可以为包括Mo、MoO2、MoO3、Nb2O5和ZnO的第一低反射材料。在这种情况下，在保持栅极121的高电学特性的同时降低反射率，从而可以提高可视性。
栅极绝缘层GI设置在栅极121上。栅极绝缘层GI是用于使栅极121与有源层122绝缘的层，并且栅极绝缘层GI可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层GI可以由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层或多层构成，但不限于此。
有源层122设置在栅极121上以在栅极绝缘层GI插设在有源层122与栅极121之间的情况下与栅极121重叠。有源层122可以由例如非晶硅、多晶硅、氧化物半导体或有机半导体形成，但不限于此。
源极123和漏极124设置在有源层122上。源极123和漏极124设置在同一层上并彼此间隔开。源极123可以设置为与有源层122的一端接触，并且漏极124可以设置为与有源层122的另一端接触。在这种情况下，源极123和漏极124可以分别设置为与有源层122直接接触，或者可以通过连接图案与有源层122接触。
源极123和漏极124中的每一者由多个层形成。例如，源极123可以由包括第一子导电层S-sub1和第二子导电层S-sub2的双层形成。例如，漏极124可以由包括第一子导电层D-sub1和第二子导电层D-sub2的双层形成。如上所述，在示例性实施例中，源极123和漏极124与第二导电层相同。因此，源极123和漏极124的相应的第一子导电层S-sub1和D-sub1具有与上述第二导电层的第一子导电层相同的特性。源极123和漏极124的相应的第二子导电层S-sub2和D-sub2具有与上述第二导电层的第二子导电层相同的特性。因此，将省略源极123的第一子导电层S-sub1和第二子导电层S-sub2与漏极124的第一子导电层D-sub1和第二子导电层D-sub2的重复描述。
例如，源极123的第一子导电层S-sub1和漏极124的第一子导电层D-sub1中的每一者可以由第二低反射材料或第三低反射材料形成。
当源极123的第一子导电层S-sub1和漏极124的第一子导电层D-sub1由第一低反射材料形成时，有源层122与源极123和漏极124之间的接触电阻增大，可能使得薄膜晶体管120的性能变差。因此，源极123和漏极124的第一子导电层S-sub1和D-sub1可以由能够保持与有源层122的低接触电阻的第二低反射材料或第三低反射材料形成。
例如，由第一低反射材料形成的栅极121的第一子导电层G-sub1的比电阻(specific resistance)可以为1×10-2Ω至6×10-2Ω，并且由第二低反射材料或第三低反射材料形成的源极123和漏极124的第一子导电层S-sub1和D-sub1中的每一者的比电阻可以为1×10-3Ω至6×10-3Ω，但本公开不限于此。
优选地，栅极121的第一子导电层G-sub1可以由第一低反射材料形成，并且源极123和漏极124的相应的第一子导电层S-sub1和D-sub1可以由第二低反射材料或第三低反射材料形成。在这种情况下，源极123和漏极124的第一子导电层S-sub1和D-sub1中的每一者的电阻小于栅极121的第一子导电层G-sub1的电阻。因此，有源层122与源极123和漏极124之间的接触电阻保持较低，从而在不降低薄膜晶体管120的性能的情况下降低显示装置100的反射率，从而可以大幅提高可视性。
钝化层131设置在源极123和漏极124上。钝化层131是用于保护钝化层131下方的部件的绝缘层。钝化层131可以由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层或多层构成，但不限于此。
平坦化层132设置在钝化层131上。平坦化层132是使设置有薄膜晶体管120的第一基板110的上部平坦化的绝缘层。平坦化层132可以由有机材料形成，并且可以由例如聚酰亚胺或光丙烯酸的单层或多层构成，但本公开不限于此。平坦化层132可以包括用于电连接薄膜晶体管120和第一电极141的接触孔。
作为公共电极的第二电极142形成在平坦化层132上。第二电极142电连接到公共线。第二电极142由一个大电极构成并且子像素SP共用第二电极142。在一些实施例中，第二电极142可以由多个公共电极块构成。在这种情况下，公共电极块可以用作电容型触摸元件的触摸电极，并且显示装置100可以被实现为埋设有触摸元件的显示装置。
例如，第二电极142可以由透明导电材料形成。例如，透明导电材料可以包括锡氧化物(TO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)等，但不限于此。
保护层133设置在第二电极142上。保护层133是用于使第二电极142与第一电极141绝缘的层，并且可以由无机绝缘材料或有机绝缘材料形成。例如，保护层133可以由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层或多层构成，但不限于此。
第一电极141设置在保护层133上。第一电极141通过穿透保护层133、平坦化层132和钝化层131的接触孔电连接到漏极124。在图3中，第一电极141被示出为与薄膜晶体管120的漏极124接触，但在一些实施例中，第一电极141可以与薄膜晶体管120的源极123接触。
例如，第一电极141可以由透明导电材料形成。例如，透明导电材料可以包括锡氧化物(TO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)等，但不限于此。
当通过薄膜晶体管120向第一电极141施加电压时，液晶层LC的液晶分子由于形成在第一电极141和第二电极142上的电场的介电各向异性(dielectric anisotropy)而旋转。穿透显示区域的光的透射率根据液晶的旋转程度而改变。因此，可以控制子像素SP的发光量。
第二基板150设置为面对第一基板110。第二基板150是用于支撑设置在基板上的部件的部件并且可以由绝缘材料形成。例如，第二基板150可以由玻璃基板或例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺的塑料基板形成。
第二基板150是包括滤色器层和黑矩阵的基板。黑矩阵可以设置在第二基板150上并且与第一基板110的薄膜晶体管120、栅极线和数据线重叠。黑矩阵可以由不透明有机材料形成，并且可以包括例如黑色树脂。薄膜晶体管120、栅极线和数据线可以被黑矩阵覆盖。未设置黑矩阵的区域是开口区域并且对应于子像素SP的透射光的区域。滤色器层包括透射不同波长的光的多个滤色器。滤色器可以包括例如包含红色、绿色和蓝色颜料的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。可以通过使用滤色器吸收或透射特定波长的光来表现红色、绿色和蓝色。
在第一基板110和第二基板150之间设置有间隔物SPC，以保持第一基板110与第二基板150之间的间隙。液晶层LC设置在第一基板110与第二基板150之间的由间隔物SPC形成的间隙中。液晶层LC是包含液晶并且能够通过电场透射或阻挡光的层。具体地，液晶层LC通过第一电极141和第二电极142产生的电场改变透光率以显示图像。
多个焊盘单元PAD1和PAD2设置在对应于非显示区域NDA的第一基板110上。例如，第一焊盘单元PAD1和第二焊盘单元PAD2设置在第一基板110上并且对应于非显示区域NDA。第一焊盘单元PAD1设置在第一基板110上并且对应于与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。第二焊盘单元PAD2设置在第一焊盘单元PAD1外部并且与第一焊盘单元PAD1相邻。
例如，第一焊盘单元PAD1可以为数据焊盘单元。第一焊盘单元PAD1包括第一数据焊盘电极161和第二数据焊盘电极162。第一数据焊盘电极161设置在栅极绝缘层GI上。第一数据焊盘电极161可以通过与源极123和漏极124相同的工序形成。因此，第一数据焊盘电极161由与源极123和漏极124相同的材料形成。如上所述，在示例性实施例中，第二导电层是源极123和漏极124。因此，由与源极123和漏极124相同的材料通过相同的工序形成的第一数据焊盘电极161也具有与上述第二导电层相同的特性。
例如，第一数据焊盘电极161包括第一子导电层DP-sub1和第二子导电层DP-sub2。第一数据焊盘电极161的第一子导电层DP-sub1具有与源极123和漏极124的第一子导电层S-sub1和D-sub1相同的特性，并且第一数据焊盘电极161的第二子导电层DP-sub2具有与源极123和漏极124的第二子导电层S-sub2和D-sub2相同的特性。因此，将省略第一数据焊盘电极161的第一子导电层DP-sub1和第二子导电层DP-sub2的重复描述。
在本公开的示例性实施例中，由于第一数据焊盘电极161的第一子导电层DP-sub1由上述第二低反射材料或第三低反射材料形成，所以可以进一步降低反射率，由此可以进一步提高显示装置100的可视性。
第二数据焊盘电极162设置在第一数据焊盘电极161上。第二数据焊盘电极162设置在保护层133上，并与通过穿透钝化层131和保护层133的接触孔暴露的第一数据焊盘电极161接触。第二数据焊盘电极162可以通过与作为像素电极的第一电极141相同的工序形成。因此，第二数据焊盘电极162由与第一电极141相同的材料形成。
例如，第二焊盘单元PAD2可以为栅极焊盘单元。第二焊盘单元PAD2包括第一栅极焊盘电极171、栅极焊盘连接电极173和第二栅极焊盘电极172。
第一栅极焊盘电极171设置在第一基板110上。第一栅极焊盘电极171可以通过与栅极电极121相同的工序形成。因此，第一栅极焊盘电极171由与栅极121相同的材料形成。如上所述，在示例性实施例中，第一导电层是栅极121。因此，通过与栅极121相同的工序由相同的材料形成的第一栅极焊盘电极171也具有与上述第一导电层相同的特性。
例如，第一栅极焊盘电极171包括第一子导电层GP-sub1和第二子导电层GP-sub2。第一栅极焊盘电极171的第一子导电层GP-sub1具有与栅极121的第一子导电层G-sub1相同的特性，第一栅极焊盘电极171的第二子导电层GP-sub2具有与栅极121的第二子导电层G-sub2相同的特性。因此，将省略第一栅极焊盘电极171的第一子导电层GP-sub1和第二子导电层GP-sub2的重复描述。
在本公开的示例性实施例中，由于第一栅极焊盘电极171的第一子导电层GP-sub1包含第一低反射材料、第二低反射材料和第三低反射材料中的至少一种，所以可以进一步降低反射率，由此可以进一步提高显示装置100的可视性。
栅极焊盘连接电极173设置在第一栅极焊盘电极171上。栅极焊盘连接电极173设置在栅极绝缘层GI上并且与通过穿透栅极绝缘层GI的接触孔暴露的第一栅极焊盘电极171接触。
栅极焊盘连接电极173可以通过与源极123、漏极124和第一数据焊盘电极161相同的工序形成。也就是说，栅极焊盘连接电极173由与源极123、漏极124和第一数据焊盘电极161相同的材料形成。
栅极焊盘连接电极173包括第一子导电层CE-sub1和第二子导电层CE-sub1。栅极焊盘连接电极173的第一子导电层CE-sub1具有与源极123、漏极124和第一数据焊盘电极161的第一子导电层DP-sub1相同的特性。栅极焊盘连接电极173的第二子导电层CE-sub2具有与源极123、漏极124和第一数据焊盘电极161的第二子导电层DP-sub2相同的特性。因此，将省略栅极焊盘连接电极173的第一子导电层CE-sub1和第二子导电层CE-sub2的重复描述。
在本公开的示例性实施例中，由于栅极焊盘连接电极173的第一子导电层CE-sub1包括上述第二低反射材料和第三低反射材料中的至少一种，所以可以进一步降低反射率，由此可以进一步提高显示装置100的可视性。
图3示出了包括栅极焊盘连接电极173，在一些实施例中，可以省略栅极焊盘连接电极173。当不包括栅极焊盘连接电极173时，应当形成穿过栅极绝缘层GI、钝化层131和保护层133的接触孔，使得第一栅极焊盘电极171和第二栅极焊盘电极172彼此接触。在形成如上所述穿透三个层的接触孔的工序中，可能会损坏外围部件并且可能降低工序效率。然而，如果根据薄膜晶体管和焊盘单元的设计不会导致上述的工序的缺陷，则可以省略栅极焊盘连接电极173。
第二栅极焊盘电极172设置在栅极焊盘连接电极173上。第二栅极焊盘电极172设置在保护层133上并且与通过穿透钝化层131和保护层133的接触孔暴露的栅极焊盘连接电极173接触。
第二栅极焊盘电极172可以通过与作为像素电极的第一电极141相同的工序形成。因此，第二栅极焊盘电极172由与第一电极141相同的材料形成。
虽然图3仅示出了作为数据焊盘单元的第一焊盘单元PAD1和作为栅极焊盘单元的第二焊盘单元PAD2，还可以包括触摸焊盘单元，并且构成焊盘单元的焊盘电极可以包括由第一低反射材料、第二低反射材料或第三低反射材料形成的层。
在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，栅极121和第一栅极焊盘电极171分别包括由上述第一低反射材料、第二低反射材料和第三低反射材料中的至少一种形成的第一子导电层G-sub1和GP-sub1。另外，源极123、漏极124、第一数据焊盘电极161和栅极焊盘连接电极173分别包括由第二低反射材料和第三低反射材料中的一种形成的第一子导电层S-sub1、D-sub1、DP-sub1和CE-sub1。因此，反射率由于具有高反射率的金属层而被最小化，因此，可以大幅提高可视性。
如上所述，在本公开的另一示例性实施例中，第一导电层可以为遮光层，第二导电层可以为栅极、源极和漏极。在下文中，将参照图4描述本公开的第一导电层为遮光层并且第二导电层为栅极、源极和漏极的另一示例性实施例。
图4是示出根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的液晶显示面板的示意性横截面图。在示例性实施例中，为了便于说明，以示例的方式将显示装置描述为液晶显示装置，但是本公开的显示装置不限于液晶显示装置。另外，除了液晶显示面板PNL之外，根据图4所示的示例性实施例的显示装置200的其他配置与根据图1至图3所示的示例性实施例的显示装置100的其他配置相同。因此，将省略重复的描述。
参照图4，遮光层LS设置在第一基板110上。设置遮光层LS是为了通过阻挡从显示装置的外部入射的例如紫外光的光来防止对薄膜晶体管220的损坏，特别地，对有源层222的损坏。因此，遮光层LS设置为与薄膜晶体管220重叠。
图3所示的薄膜晶体管120具有栅极121设置在第一基板110上并且有源层122设置在栅极121上的结构。与此不同，图4所示的薄膜晶体管220为栅极221设置在有源层222上的共面结构的薄膜晶体管。因此，有源层222可能被从第一基板110入射的紫外光损坏。遮光层LS设置在第一基板110与有源层222之间，以防止有源层222被紫外光损坏。
遮光层LS由多个层形成，例如，遮光层LS可以由包括第一子导电层LS-sub1和第二子导电层LS-sub2的双层形成。如上所述，在示例性实施例中，遮光层LS与第一导电层相同。因此，遮光层LS的第一子导电层LS-sub1具有与上述第一导电层的第一子导电层相同的特性，遮光层LS的第二子导电层LS-sub2具有与上述第一导电层的第二子导电层相同的特性。因此，遮光层LS的第一子导电层LS-sub1和第二子导电层LS-sub2与上述第一导电层的第一子导电层和第二子导电层相同。因此，将省略重复的说明。
例如，遮光层LS的第一子导电层LS-sub1可以由选自上述第一低反射材料、第二低反射材料和第三低反射材料中的至少一种形成。优选地，遮光层LS的第一子导电层LS-sub1可以为第一低反射材料。与第二低反射材料和第三低反射材料相比，第一低反射材料具有相对优异的降低反射率的效果，从而可以进一步提高可视性。更优选地，遮光层LS的第一子导电层LS-sub1可以为包括Mo、MoO2、MoO3、Nb2O5和ZnO的第一低反射材料。在这种情况下，在最小化光对有源层222的损害的同时，降低了反射率，从而可以提高可视性。
缓冲层BUF设置在遮光层LS上。缓冲层BUF使遮光层LS与薄膜晶体管220绝缘。另外，缓冲层BUF阻挡在形成薄膜晶体管的工序期间从第一基板110和遮光层LS引入的杂质，并且防止对遮光层LS的损坏。缓冲层BUF可以由绝缘材料形成，例如，缓冲层BUF可以形成为由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiON)形成的无机层的单层或多层。
薄膜晶体管220设置在缓冲层BUF上。薄膜晶体管220包括有源层222、栅极221、源极223和漏极224。
有源层222设置在缓冲层BUF上并且对应于遮光层LS。例如，有源层222可以由非晶硅、多晶硅、氧化物半导体或有机半导体形成，但不限于此。
栅极绝缘层GI设置在有源层222上。栅极绝缘层GI是用于使有源层222与栅极221绝缘的层并且可以设置为与有源层222的沟道区域重叠。有源层222可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层GI可以由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层或多层构成，但不限于此。
栅极221设置在栅极绝缘层GI上。栅极221由多层构成。例如，栅极221可以由包括第一子导电层G-sub1和第二子导电层G-sub2的双层形成。如上所述，在示例性实施例中，栅极221与第二导电层相同。因此，栅极221的第一子导电层G-sub1具有与上述第二导电层的第一子导电层相同的特性，栅极221的第二子导电层G-sub2具有与上述第二导电层的第二子导电层相同的特性。因此，栅极221的第一子导电层G-sub1和第二子导电层G-sub2与上述第二导电层的第一子导电层和第二子导电层相同。因此，将省略重复的说明。
例如，栅极221的第一子导电层G-sub1可以由选自上述第二低反射材料和第三低反射材料中的至少一种形成。优选地，栅极221的第一子导电层G-sub1可以为由Mo、In2O3和SnO2的组合形成的第二低反射材料或者由MoO2、In2O3和SnO2的组合形成的第三低反射材料。在这种情况下，根据需要可选地，第二低反射材料还可以包含选自ZnO和MoO2中的至少一种作为掺杂剂。另外，根据需要可选地，第三低反射材料还可以包含选自ZnO和Mo中的至少一种作为掺杂剂。
源极223和漏极224设置为与有源层222的未被栅极绝缘层GI覆盖而暴露的端部接触。例如，源极223可以与有源层222的一端接触并且漏极224可以与有源层222的另一端接触。在这种情况下，源极223和漏极224可以分别设置为与有源层222直接接触，或者可以通过连接图案与有源层222接触。
源极223和漏极224中的每一者由多个层形成。例如，源极223可以由包括第一子导电层S-sub1和第二子导电层S-sub2的双层形成。例如，漏极224可以由包括第一子导电层D-sub1和第二子导电层D-sub2的双层形成。如上所述，在示例性实施例中，源极223和漏极224与第二导电层相同。因此，源极223和漏极224各自的第一子导电层S-sub1和D-sub1具有与上述第二导电层的第一子导电层相同的特性，并且源极223和漏极224各自的第二子导电层S-sub2和D-sub2具有与上述第二导电层的第二子导电层相同的特性。因此，将省略关于源极223的第一子导电层S-sub1和第二子导电层S-sub2与漏极224的第一子导电层D-sub1和第二子导电层D-sub2的重复描述。
源极223和漏极224各自的第一子导电层S-sub1和D-sub1可以由选自上述第二低反射材料和第三低反射材料的材料形成。优选地，源极223和漏极224各自的第一子导电层S-sub1和D-sub1可以为由Mo、In2O3和SnO2的组合形成的第二低反射材料或由MoO2、In2O3和SnO2的组合形成的第三低反射材料。在这种情况下，根据需要可选地，第二低反射材料还可以包含选自ZnO和MoO2中的至少一种作为掺杂剂。另外，根据需要可选地，第三低反射材料还可以包含选自ZnO和Mo中的至少一种作为掺杂剂。
源极223和漏极224可以通过与栅极221相同的工序形成。因此，源极223和漏极224各自的第一子导电层S-sub1和D-sub1可以由与栅极221的第一子导电层G-sub1相同的材料形成。源极223和漏极224各自的第二子导电层S-sub2和D-sub2可以由与栅极221的第二子导电层G-sub2相同的材料形成。
根据示例性实施例，栅极221、源极223和漏极224各自的第一子导电层G-sub1、S-sub1和D-sub1可以由第二低反射材料或第三低反射材料形成。在示例性实施例中，当栅极221、源极223和漏极224各自的第一子导电层G-sub1、S-sub1和D-sub1由第一低反射材料形成时，有源层222与源极223和漏极224之间的接触电阻增大，因此可能降低薄膜晶体管220的性能。因此，为了保持薄膜晶体管的工序便利性和高元件特性，栅极221、源极223和漏极224各自的第一子导电层G-sub1、S-sub1和D-sub1可以由第二低反射材料或第三低反射材料形成。
优选地，例如，遮光层LS的第一子导电层LS-sub1可以由第一低反射材料形成，并且栅极221、源极223和漏极224各自的第一子导电层G-sub1、S-sub1和D-sub1可以由第二低反射材料或第三低反射材料形成。在这种情况下，栅极221、源极223和漏极224的第一子导电层G-sub1、S-sub1和D-sub1中的每一者的电阻小于遮光层LS的第一子导电层LS-sub1的电阻。在这种情况下，通过在保持薄膜晶体管220的高元件特性的同时大幅降低显示面板PNL的反射率，可以大幅提高显示质量(例如，可视性)。
钝化层131设置在栅极221、源极223和漏极224上。钝化层131是用于保护钝化层131下方的部件的绝缘层。钝化层131可以由单层或者多层氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)构成，但不限于此。
平坦化层132设置在钝化层131上。平坦化层132是使其上设置有薄膜晶体管220的第一基板110的上部平坦化的绝缘层。平坦化层132可以由有机材料形成，并且可以由例如聚酰亚胺或光丙烯的单层或多层构成，但不限于此。平坦化层132可以包括用于电连接薄膜晶体管220和第一电极141的接触孔。
作为公共电极的第二电极142形成在平坦化层132上。第二电极142电连接到公共线。例如，第二电极142可以由透明导电材料形成。例如，透明导电材料包含锡氧化物(TO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)等，但不限于此。
保护层133设置在第二电极142上。钝化层是用于使第二电极142与第一电极141绝缘的层，并且可以由无机绝缘材料或有机绝缘材料形成。例如，钝化层可以由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层或多层构成，但不限于此。
第一电极141设置在保护层133上。第一电极141通过穿透保护层133、平坦化层132和其下方的钝化层131的接触孔电连接到漏极224。然而，本公开不限于此，第一电极141可以与薄膜晶体管220的源极223接触。
例如，第一电极141可以由透明导电材料形成。例如，透明导电材料包含锡氧化物(TO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)等，但不限于此。
设置在第一电极141上的液晶层LC、间隔物SPC和第二基板150与图3所示的示例性实施例中描述的相同，因此将省略其重复描述。
多个焊盘单元PAD1和PAD2设置在第一基板110上并且对应于非显示区域NDA。例如，第一焊盘单元PAD1和第二焊盘单元PAD2设置在对应于非显示区域NDA的第一基板110上。第一焊盘单元PAD1设置在第一基板110上并且对应于与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。第二焊盘单元PAD2设置在第一焊盘单元PAD1外部并且与第一焊盘单元PAD1相邻。
例如，第一焊盘单元PAD1可以为遮光层焊盘单元。遮光层焊盘单元是用于去除由于遮光层设置在薄膜晶体管220下方而产生的寄生电容的部件。第一焊盘单元PAD1包括第一遮光层焊盘电极281、遮光层焊盘连接电极283和第二遮光层焊盘电极282。
第一遮光层焊盘电极281设置在第一基板110上。第一遮光层焊盘电极281通过与遮光层LS相同的工序形成。因此，第一遮光层焊盘电极281由与遮光层LS相同的材料形成。如上所述，在示例性实施例中，第一导电层是遮光层LS。因此，通过与遮光层LS相同的工序由相同的材料形成的第一遮光层焊盘电极281也具有与上述第一导电层的特性相同的特性。
例如，第一遮光层焊盘电极281包括第一子导电层LP-sub1和第二子导电层LP-sub2。第一遮光层焊盘电极281的第一子导电层LP-sub1具有与遮光层LS的第一子导电层LS-sub1相同的特性，第一遮光层焊盘电极281第二子导电层LP-sub2具有与遮光层LS的第二子导电层LS-sub2相同的特性。因此，将省略第一遮光层焊盘电极281的第一子导电层LP-sub1和第二子导电层LP-sub2的重复描述。
遮光层焊盘连接电极283设置在第一遮光层焊盘电极281上。遮光层焊盘连接电极283设置在缓冲层BUF上并且与通过穿透缓冲层BUF的接触孔暴露的第一遮光层焊盘电极281接触。
遮光层焊盘连接电极283可以通过与栅极221、源极223和漏极224相同的工序形成。也就是说，遮光层焊盘连接电极283由与栅极221、源极223和漏极224相同的材料形成。
遮光层焊盘连接电极283包括第一子导电层CE-sub1和第二子导电层CE-sub2。遮光层焊盘连接电极283的第一子导电层CE-sub1具有与栅极221、源极221和漏极224的第一子导电层G-sub1、S-sub1和D-sub1相同的特性。遮光层焊盘连接电极283的第二子导电层CE-sub2具有与栅极221、源极223和漏极224的第二子导电层G-sub2、S-sub2和D-sub2相同的特性。因此，将省略遮光层焊盘连接电极283的第一子导电层CE-sub1和第二子导电层CE-sub2的重复描述。
当第二遮光层焊盘电极282和第一遮光层焊盘电极281直接接触时，应当形成接触孔以穿透缓冲层BUF、钝化层131和保护层133。在形成穿透三个层的接触孔的工序中，可能会损坏外围部件并可能降低工序效率。因此，可以在第二遮光层焊盘电极282与第一遮光层焊盘电极281之间设置遮光层焊盘连接电极283，使得第二遮光层焊盘电极282和第一遮光层焊盘电极281可以彼此接触。然而，如果根据薄膜晶体管和焊盘单元的设计不会导致上述的工序的缺陷，则可以省略遮光层焊盘连接电极283。
第二遮光层焊盘电极282设置在遮光层焊盘连接电极283上。第二遮光层焊盘电极282设置在保护层133上并且与通过穿透钝化层131和保护层133的接触孔暴露的遮光层焊盘连接电极283接触。
第二遮光层焊盘电极282可以通过与作为像素电极的第一电极141相同的工序形成。因此，第二遮光层焊盘电极282由与第一电极141相同的材料形成。
第二焊盘单元PAD2可以为栅极焊盘单元。第二焊盘单元PAD2包括第一栅极焊盘电极271和第二栅极焊盘电极272。第一栅极焊盘电极271设置在缓冲层BUF上。第一栅极焊盘电极271可以通过与栅极221、源极223、漏极224和遮光层焊盘连接电极283相同的工序形成。因此，第一栅极焊盘电极271可以由与栅极221、源极223、漏极224和遮光层焊盘连接电极283相同的材料形成。
例如，第一栅极焊盘电极271包括第一子导电层GP-sub1和第二子导电层GP-sub2。第一栅极焊盘电极271的第一子导电层GP-sub1具有与栅极221、源极223、漏极224和遮光层焊盘连接电极283的第一导电层G-sub1、S-sub1、D-sub1和CE-sub1相同的特性。另外，第一栅极焊盘电极271的第二子导电层GP-sub2具有与栅极221、源极223、漏极224和遮光层焊盘连接电极283的第二子导电层G-sub2、S-sub2、D-sub2和CE-sub相同的特性。因此，将省略第一栅极焊盘电极271的第一子导电层GP-sub1和第二子导电层GP-sub2的重复描述。
第二栅极焊盘电极272设置在第一栅极焊盘电极271上。第二栅极焊盘电极272设置在保护层133上并且与通过穿透钝化层131和保护层133的接触孔暴露的第一栅极焊盘电极271接触。
第二栅极焊盘电极272可以通过与作为像素电极的第一电极141相同的工序形成。因此，第二栅极焊盘电极272由与第一电极141相同的材料形成。
在图4中，仅示出了作为遮光层焊盘单元的第一焊盘单元PAD1和作为栅极焊盘单元的第二焊盘单元PAD2，但是还可以包括数据焊盘单元、触摸焊盘单元等，并且构成焊盘单元的焊盘电极可以包括由上述第一低反射材料、第二低反射材料或第三低反射材料形成的层。
在根据本公开的另一示例性实施例的显示装置200中，栅极221、源极223、漏极224、遮光层焊盘连接电极283和第一栅极焊盘电极271分别包括具有上述第二低反射材料和第三低反射材料中的至少一种的第一子导电层G-sub1、S-sub1、D-sub1、CE-sub1和GP-sub1。另外，遮光层LS和第一遮光层焊盘电极281分别包括具有上述第一低反射材料、第二低反射材料和第三低反射材料中的至少一种的第一子导电层LS-sub1和LP-sub1。因此，使由于具有高反射率的金属层而引起的反射最小化，并且可以大幅提高可视性。
在下文中，将参照图5描述根据本公开的又一示例性实施例的显示装置。图5是示出根据本公开的又一示例性实施例的显示装置的液晶显示面板的示意性横截面图。除了源极、漏极、第一数据焊盘电极和栅极焊盘连接电极中的每一者还包括第三子导电层之外，图5所示的显示装置300的液晶显示面板PNL与图3中的显示装置100的液晶显示面板PNL基本相同。因此，将省略重复的描述。
作为第二导电层的源极323还包括设置在第二子导电层S-sub2上的第三子导电层S-sub3。
例如，第三子导电层S-sub3可以由选自上述第二低反射材料和第三低反射材料中的至少一种形成。由于上面已经描述了第二低反射材料和第三低反射材料，因此将省略其重复描述。
当源极323的第三子导电层S-sub3由上述第二低反射材料或第三低反射材料形成时，进一步降低反射率，因此可以最大化提高显示装置的可视性。
作为另一示例，第三子导电层S-sub3可以由选自由Al、Cu、Mo、Ti和Ag组成的组中的一种金属或者包括这些金属中的至少一种的合金形成，具体地，可以由MoTi形成。当第三子导电层S-sub3由上述金属材料形成时，具有在保持薄膜晶体管320的高性能的同时降低反射率的效果。
作为第二导电层的漏极324还包括设置在第二子导电层D-sub2上的第三子导电层D-sub3。由于漏极324的第三子导电层D-sub3与源极323的第三子导电层S-sub3相同，因此将省略其重复描述。
如上面参考图3所描述的，为了便于工序，第一数据焊盘电极361和栅极焊盘连接电极373可以通过与源极323和漏极324相同的工序由相同的材料形成。
因此，第一数据焊盘电极361和栅极焊盘连接电极373以与源极323和漏极324相同的方式包括分别设置在第二子导电层DP-sub2和CE-sub2上的第三子导电层DP-sub3和CE-sub3。第一数据焊盘电极361的第三子导电层DP-sub3和栅极焊盘连接电极373的第三子导电层CE-sub3与源极323的第三子导电层S-sub3相同，因此将省略其重复描述。
根据本公开的又一示例性实施例的显示装置300还包括由低反射材料或者选自由Al、Cu、Mo、Ti和Ag组成的组中的至少一种金属材料形成的第三子导电层S-sub3、D-sub3、DP-sub3和CE-sub3，使得在保持薄膜晶体管的高特性的同时降低反射率，因此具有提高显示装置的显示质量的效果。
下面，将通过示例和比较例更详细地描述本公开的效果。然而，以下示例用于说明本公开，并且本公开的范围不限于以下示例。
实验例1
在具有背沟道蚀刻(BCE)结构的薄膜晶体管中，当栅极具有由低反射材料形成的第一子导电层和由Cu形成的第二子导电层层叠的结构时，模拟根据第一子导电层的折射率(n)、消光系数(k)和厚度的反射率。后续结果示于以下表1和图6至图8。图6是示出当第一子导电层具有2.7的折射率和0.8的消光系数时反射率根据厚度的变化的曲线图。图7是示出当第一子导电层具有2.7的折射率和的厚度时反射率根据消光系数的变化的曲线图。图8是示出当第一子导电层的消光系数为0.8时反射率根据折射率和厚度的变化的曲线图。
表1
首先，一起参照表1和图6，可以确认，栅极的第一子导电层的厚度越薄，长波长带的反射率越高，而厚度越大，短波长带的反射率越大。另外，当第一子导电层的厚度为时，可以确认在宽波长范围内反射率低。接下来，一起参照表1和图7，当栅极的第一子导电层的消光系数小于0.6或大于1.2时，可以确认反射率高。可以确认，当第一子导电层的消光系数在0.6至1.0，优选地，在0.8至1.0的范围内时，反射率较低。
另外，一起参照表1和图8，当栅极的第一子导电层的折射率为2.3至2.7时，可以确认在宽波长范围内反射率低。当折射率超过2.9时，可以确认短波长带的反射率增大。
实验例2
在具有BCE结构的薄膜晶体管中，当源极和漏极具有由低反射材料形成的第一子导电层和由Cu形成的第二子导电层层叠的结构时，模拟根据第一子导电层的折射率(n)、消光系数(k)和厚度的反射率。后续结果示于以下表2和图9至图10。图9是示出当第一子导电层的折射率为2.3并且第一子导电层的消光系数为0.6时反射率根据厚度的变化的曲线图。图10是示出当第一子导电层具有2.7的折射率和的厚度时反射率根据消光系数的变化的曲线图。
表2
首先，参照表2，当第一子导电层的折射率为2.3至2.7时，可以确认折射率低。另外，参照表2和图9，可以确认，源极和漏极的第一子导电层的厚度越薄，可以确认，长波长带的反射率越大，并且源极和漏极的第一子导电层的厚度越薄，短波长带的反射率越大。另外，当第一子导电层的厚度为时，可以确认在宽波长范围内反射率低。
另外，一起参见表2和图10，当源极和漏极的第一子导电层的消光系数小于0.6或大于1.2时，可以确认反射率高，而当消光系数大于1.2时，可以确认在整个波长范围内反射率高。可以确认，当第一子导电层的消光系数在0.8至1.0的范围内时，反射率较低。
实验例3
如在实验例1和实验例2中看到的，可以确认栅极、源极和漏极的反射率根据由低反射材料形成的第一子导电层的折射率和消光系数而变化。第一子导电层的折射率和消光系数可以根据低反射材料的成分来调节。在通过改变基板上的低反射材料的充分形成导电层之后，测量单元膜的折射率(n)、消光系数(k)和反射率。具体地，在基板上层叠由第一低反射材料形成的第一子导电层以及由Cu构成的第二子导电层以制备栅极，该第一低反射材料由Mo、MoOx(MoO2+MoO3)、Nb2O5和ZnO的组合构成。此时，Mo的比率和第一子导电层的厚度如下表3所示。对于如上所述制备的栅极，使用CM2600d(Konica Minolta Co.)测量朝向基板表面的反射率。后续结果如下表3所示。
表3
参照表3，可以确认，单元膜的折射率和消光系数根据Mo的含量而变化。随着Mo含量从7重量％增大到30重量％，折射率和消光系数趋于增大。另外，可以确认，随着Mo的含量从7重量％增大到30重量％，L值和Y值增大，即，随着折射率和消光系数增大，可以确认，L值和Y值增大。L值和Y值增大意味着反射率增大。同时，可以确认，当Mo含量为7重量％时，L值和Y值最低，由此可以确认，当折射率为2.7、消光系数为0.9，反射率最低。
实验例4
为了检查根据由第一低反射材料形成的第一子导电层的厚度的反射率，通过改变由第一低反射材料形成的第一子导电层的厚度来形成导电层。具体地，通过在基板上层叠由具有Mo、MoOx(MoO2+MoO3)、Nb2O5和ZnO的组合的第一低反射材料以及由Cu形成的第二子导电层形成的第一子导电层来形成导电层。此时，Mo的含量为7重量％，第一子导电层的折射率为2.7，并且第一子导电层的消光系数为0.9。当层叠第一子导电层时，厚度在至/>的范围内变化，并且测量每个样本的反射率(550nm)。后续结果如下表4所示。
表4
参照表4，当包括由根据本公开的第一低反射材料形成的第一子导电层时，可以确认，单元膜具有10.8％以下的反射率，该反射率非常低。特别地，当第一子导电层的厚度为和/>时，可以确认，在反射率低至5％至7％的同时可以实现自然的色彩，这有效地提高显示装置的显示质量。
实验例5
示例5-1
通过在基板上层叠由第一低反射材料形成的第一子导电层以及由Cu形成的第二子导电层来形成栅极，该第一低反射材料具有Mo、MoOx(MoO2+MoO3)、Nb2O5和ZnO的组合。此时，Mo的含量为7重量％，第一子导电层的折射率为2.7，第一子导电层的消光系数为0.9，并且第一子导电层的厚度为/>
示例5-2
除了第一子导电层的厚度改变为之外，以与示例5-1相同的方式形成栅极。
示例5-3
除了第一子导电层的厚度改变为之外，以与示例5-1相同的方式形成栅极。
比较例5-1
除了使用MoTi替代第一低反射材料作为示例5-1中的第一子导电层之外，以与示例5-1中相同的方式形成栅极。
测量根据比较例5-1和示例5-1至5-3的栅极的反射率(380nm至740nm)并示于下表5中。
表5
比较例5-1 示例5-1 示例5-2 示例5-3
L*(D65) 35.2 5.6 6.2 6.8
a*(D65) 65.9 28.3 29.8 31.4
b*(D65) 7.3 2.8 -0.6 -2.3
Y*(D65) 4.3 -9.1 -10.9 -11.3
反射率 39.5％ 8.6％ 8.4％ 8.6％
参照表5，可以确认，栅极的第一子导电层由第一低反射材料形成的示例5-1至5-3的反射率约为8％，与比较例5-1的反射率约为20％相比，非常低。
实验例6
示例6-1
通过在基板上层叠由第二低反射材料(或第三低反射材料)形成的第一子导电层以及由Cu形成的第二子导电层/>来形成源极和漏极，该第二低反射材料具有Mo(或MoO2)、In2O3和SnO2的组合。
示例6-2
除了第一子导电层的厚度改变为之外，以与示例6-1相同的方式形成源极和漏极。
示例6-3
除了第一子导电层的厚度改变为之外，以与示例6-1相同的方式形成源极和漏极。
比较例6-1
除了使用MoTi替代第一低反射材料作为示例6-1中的第一子导电层之外，以与示例6-1中相同的方式形成源极和漏极。
测量根据比较例6-1和示例6-1至6-3的单元膜的反射率(380nm至740nm)并示于下表6中。
表6
比较例6-1 示例6-1 示例6-2 示例6-3
L*(D65) 72.5 36.1 36.3 40.1
a*(D65) 0.5 5.0 -14.1 -23.9
b*(D65) 19.3 11.4 2.9 2.0
Y*(D65) 44.4 9.1 9.2 11.3
反射率 43.4％ 13.0％ 10.3％ 10.0％
参照表6，可以确认，源极和漏极的第一子导电层由第一低反射材料形成的示例6-1至6-3的反射率分别为13％、10.3％和10％，与由MoTi形成的比较例6-1的反射率约为25％相比，非常低。另外，在第一子导电层的厚度为的示例6-3的情况下，可以确认，反射率在380nm至740nm的波长范围内最低，具有优异的色彩。
实验例7
在具有共面结构的薄膜晶体管中，当栅极具有由低反射材料形成的第一子导电层和由Cu形成的第二子导电层层叠的结构时，模拟根据第一子导电层的折射率(n)、消光系数(k)和厚度的反射率。后续结果示于以下表7和图11至图13。图11是示出当第一子导电层具有2.1的折射率和0.8的消光系数时反射率根据厚度的变化的曲线图。图12是示出当第一子导电层具有2.1的折射率和的厚度时反射率根据消光系数的变化的曲线图。图13是示出当第一子导电层的消光系数为0.8时反射率根据折射率和厚度的变化的曲线图。
表7
首先，一起参照表7和图11，可以确认，栅极的第一子导电层的厚度越薄，长波长带的反射率越高，而厚度越厚，短波长带的反射率越大。另外，当第一子导电层的厚度为至/>时，可以确认，在宽波长范围内反射率低。接下来，一起参照表7和图12，当栅极的第一子导电层的消光系数小于0.6或大于1.2时，可以确认反射率高。可以确认，当第一子导电层的消光系数在0.6至1.2，优选地，在0.8至1.0的范围内时，反射率较低。
另外，一起参照表7和图13，当栅极的第一子导电层的折射率为2.1至2.3时，可以确认在宽波长范围内反射率低。当折射率超过2.9时，可以确认短波长带的反射率增大。
实验例8
示例8-1
使用具有Mo、MoOx(MoO2+MoO3)、Nb2O5和ZnO的组合的第一低反射材料(MoNbOx)以及具有Mo(或MoO2)、In2O3和SnO2(ITMO)的组合的第二低反射材料(或第三低反射材料)来制造具有图3所示结构的显示面板。
具体地，在图3所示的薄膜晶体管结构中，栅极包括由第一低反射材料形成的第一子导电层和由Cu形成的第二子导电层/>并且源极和漏极中的每一者包括由第二低反射材料(或第三低反射材料)形成的第一子导电层/>和由Cu形成的第二子导电层/>并且制造包括该薄膜晶体管的显示面板。
比较例8-1
在比较例8-1中，除了在形成栅极时使用MoTi形成厚度为的第一子导电层替代第一低反射材料，并且在形成源极和漏极时使用MoTi替代第二低反射材料(或第三低反射材料)来形成厚度为/>的第一子导电层之外，以与示例8-1相同的方式制造薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示面板。
比较例8-2
在比较例8-2中，除了在形成源极和漏极时使用MoTi替代第二低反射材料(或第三低反射材料)来形成厚度为的第一子导电层之外，以与示例8-1相同的方式制造薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示面板。
分别测量根据示例8-1、比较例8-1和比较例8-2制造的单元膜和显示面板的反射率(360nm至740nm)，后续结果示于以下表8和图14。图14是示出根据示例8-1、比较例8-1和比较例8-2的显示面板对各个波长的反射率的图。
表8
首先，参照表8，当栅极、源极和漏极中的每一者包括包含低反射材料的第一子导电层时，可以确认单元膜的Y值为6.2和9.2，这大幅低于比较例8-1和示例8-2中单元膜的Y值。另外，参照图14，在栅极、源极和漏极均不包括由低反射材料形成的第一子导电层的比较例8-1的情况下，可以确认，显示面板的反射率在360nm至740nm的波长范围内最高。在栅极包括由第一低反射材料形成的第一子导电层的比较例8-2的情况下，可以确认栅极本身的反射率低于比较例8的反射率-1，显示面板的反射率也得到提高，但与示例8-1相比效果不明显。在栅极、源极和漏极均包括由低反射材料形成的第一子导电层的示例8-1的情况下，可以确认反射率显着低于那些比较例8-1和8-2在360nm至740nm的波长范围内的反射率，并且在550nm的波长处的反射率为8.8％，非常低。此外，由于导电层的高反射率，传统的显示面板呈现出偏红色。然而，在根据示例8-1的显示面板中，随着色坐标朝向偏蓝色侧偏移，具有改善可视性和色彩的效果。
实验例9
示例9-1
在示例9-1中制造的显示面板中，除了在基板的与其上形成有栅极的表面相反的表面上设置有偏光板之外，以与示例8-1中相同的方式制造显示面板。
示例9-2
在示例9-2中制造的显示面板中，除了在基板的与其上形成有栅极的表面相反的表面上设置有应用了防眩光和低反射(AGLR)涂层的偏光板之外，以与示例8-1中相同的方式制造显示面板。
示例9-3
在示例9-3中制造的显示面板中，除了在基板的与其上形成有栅极的表面相反的表面上设置有应用了镜面自由(SF)涂层的偏光板之外，以与示例8-1中相同的方式制造显示面板。
测量根据示例9-1、9-2和9-3的显示面板的反射率，并且其结果示于下表9中。
表9
示例8-1 示例9-1 示例9-2 示例9-3
偏光板种类 - 偏光板 AGLR/偏光板 SF/偏光板
Y*(D65) 8.8±0.16 6.3±0.03 3.6±0.05 2.4±0.05
L*(D65) 35.6±0.30 30.2±0.08 22.3±0.17 17.3±0.23
a*(D65) 2.0±1.62 0.7±0.77 1.5±1.71 2.3±1.87
b*(D65) -3.7±0.52 -1.1±0.31 -2.9±0.55 0.0±0.55
参照表9，可以确认进一步包括偏光板的示例9-1、示例9-2和示例9-3的显示面板的Y值低于示例8-1的显示面板的Y值。特别地，在应用了AGLR/偏光板的示例9-2和应用了SF/偏光板的示例9-3中，可以确认显示面板的反射率小于5％。非常低，并且色坐标改善效果非常出色。尽管没有具体描述，在形成由低反射材料形成的导电层以进行上述实验的工序中，当使用现有的蚀刻剂(例如，SL-CI03)蚀刻本公开的低反射材料MoNbOx或ITMO时，确认形成导电层而没有残留膜。另外，确认了层叠有MoNbOx或ITMO和Cu的导电层的CD偏压(蚀刻时间70至75秒)为-0.7μm至-0.9μm。也就是说，当使用根据本公开的低反射材料时，可以通过使用在形成MoTi/Cu导电层的常规工序中使用的蚀刻剂立即涂覆该低反射材料，而无需大幅改变工序。
本公开的示例性实施例还可以描述如下：
根据本公开的一方面，显示装置包括基板以及基板上的导电层，其中，导电层包括：第一导电层，包括第一子导电层和设置在第一子导电层上的第二子导电层；以及第二导电层，设置在第一导电层上，并且包括第一子导电层和设置在第一子导电层上的第二子导电层，其中，第一导电层的第一子导电层包含选自第一低反射材料、第二低反射材料和第三低反射材料中的至少一种，第一低反射材料包含第一金属、第一金属氧化物、第二金属氧化物和第三金属氧化物，第二低反射材料包含第二金属和两种以上不同的导电氧化物，第三低反射材料包含第四金属氧化物和两种以上不同的导电氧化物，其中，第二导电层的第一子导电层包含选自第二低反射材料和第三低反射材料中的至少一种。
第一金属可以为选自钼(Mo)、镍(Ni)、铜(Cu)和钨(W)中的至少一种，第一金属氧化物可以为选自MoO2、MoO3、NiO、CuO和Cu2O中的至少一种，第二金属氧化物可以为选自Nb2O5、WO3、TiO2、ZrO2和HfO2中的至少一种，第三金属氧化物可以为ZnO。
第一低反射材料可以包括总共70重量％至80重量％的第一金属和第一金属氧化物、15重量％至25重量％的第二金属氧化物以及0至5重量％的第三金属氧化物。
第一金属与第一金属氧化物的重量比可以为3至15：85至97。
第二金属可以为选自钼(Mo)和钨(W)中的至少一种，并且导电氧化物可以为选自In2O3、SnO2和ZnO中的两种以上。
第二低反射材料可以包括20重量％至40重量％的第二金属和60重量％至80重量％的导电氧化物。
第四金属氧化物可以为选自MoO3、MoO2和WO3中的至少一种，并且导电氧化物可以为选自In2O3、SnO2和ZnO中的两种以上。
第三低反射材料可以包括50重量％至70重量％的第四金属氧化物和30重量％至50重量％的导电氧化物。
第二低反射材料和第三低反射材料中的每一种还可以包括掺杂剂。
第一导电层的第一子导电层和第二导电层的第一子导电层中的每一者可以具有2.1至2.9的折射率(n)、0.6至1.2的消光系数(k)和至/>的厚度。
第二导电层的第一子导电层的电阻可以小于第一导电层的第一子导电层的电阻。
显示装置还可以包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：有源层，设置在基板上；栅极，设置在有源层上并且在栅极与有源层之间插设有栅极绝缘层；以及与有源层接触的源极和漏极，其中，第一导电层可以为薄膜晶体管的栅极，第二导电层可以为薄膜晶体管的源极和漏极中的至少一者。
第二导电层还可以包括设置在第二子导电层上的第三子导电层。
第三子导电层可以由第二低反射材料、第三低反射材料或者选自由铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和银(Ag)组成的组中的至少一种金属材料形成。
显示装置还可以包括设置在基板上的第一焊盘单元和第二焊盘单元，其中，显示装置可以包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域，其中，薄膜晶体管可以设置在基板上并且对应于显示区域，其中，第一焊盘单元和第二焊盘单元可以设置在非显示区域中，并且其中第一焊盘单元和第二焊盘单元中的每一者可以包括第一焊盘电极和第二焊盘电极。
第一导电层可以为第二焊盘单元的第一焊盘电极，并且第二导电层可以为第一焊盘单元的第一焊盘电极。
第二焊盘单元还可以包括设置在第二焊盘单元的第一焊盘电极与第二焊盘电极之间的焊盘连接电极，并且其中第二导电层可以为焊盘连接电极。
显示装置还可以包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：有源层，设置在基板上；栅极，设置在有源层上并且在栅极与有源层之间插设有栅极绝缘层；以及与有源层接触的源极和漏极，其中，第二导电层可以为薄膜晶体管的栅极、源极和漏极中的至少一者。
显示装置还可以包括设置在基板上的遮光层，其中第一导电层可以为遮光层。
显示装置还可以包括设置在基板上的第一焊盘单元和第二焊盘单元，其中，显示装置可以包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域，其中，薄膜晶体管可以设置在基板上并且对应于显示区域，其中，第一焊盘单元和第二焊盘单元可以设置在非显示区域中，并且其中，第一焊盘单元和第二焊盘单元中的每一者可以包括第一焊盘电极和第二焊盘电极。
第一导电层可以为第一焊盘单元的第一焊盘电极，并且第二导电层可以为第二焊盘单元的第一焊盘电极。
第一焊盘单元还可以包括设置在第一焊盘单元的第一焊盘电极与第二焊盘电极之间的焊盘连接电极，并且第一导电层可以为焊盘连接电极。
尽管已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施例，但本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式来实施。因此，提供本公开的示例性实施例仅用于说明目的，而不旨在限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施例在所有方面都是说明性的并且不限制本公开。本公开的保护范围应当基于所附权利要求来解释，并且其等同范围内的所有技术构思应当被解释为落入本公开的范围内。
以上描述的各实施例可以组合以提供进一步的实施例。本说明书中提及的和/或申请数据表中列出的所有美国专利、美国专利申请公开、美国专利申请、外国专利、外国专利申请和非专利公开均通过引用全文并入本说明书中。如果需要采用各种专利、申请和公开的概念来提供进一步的实施例，则可以修改实施例的各方面。
根据上述详细说明，可以对实施例进行这些和其他改变。一般而言，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限制于说明书和权利要求中描述的具体实施例，而是应当理解为包括所有可能的实施例以及这些实施例的等同物的全部范围。因此，所附权利要求不受本说明书的限制。

Claims (26)

1.一种显示装置，包括：
基板；以及
所述基板上的导电叠层，
所述导电叠层包括：
第一导电层，包括第一子导电层和设置在所述第一子导电层上的第二子导电层；以及
第二导电层，设置在所述第一导电层上，所述第二导电层包括第一子导电层和设置在所述第一子导电层上的第二子导电层，
其中，所述第一导电层的所述第一子导电层包含选自第一低反射材料、第二低反射材料和第三低反射材料中的至少一种，
其中，所述第一低反射材料包含第一金属、第一金属氧化物、第二金属氧化物和第三金属氧化物，
其中，所述第二低反射材料包含第二金属和两种以上不同的导电氧化物，
其中，所述第三低反射材料包含第四金属氧化物和两种以上不同的导电氧化物，
其中，所述第二导电层的所述第一子导电层包含选自所述第二低反射材料和所述第三低反射材料中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一金属为选自钼(Mo)、镍(Ni)、铜(Cu)和钨(W)中的至少一种，所述第一金属氧化物为选自MoO2、MoO3、NiO、CuO和Cu2O中的至少一种，所述第二金属氧化物为选自Nb2O5、WO3、TiO2、ZrO2和HfO2中的至少一种，所述第三金属氧化物为ZnO。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一低反射材料包含总共70重量％至80重量％的所述第一金属和所述第一金属氧化物、15重量％至25重量％的第二金属氧化物以及0至5重量％的第三金属氧化物。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一金属与所述第一金属氧化物的重量比为3至15∶85至97。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二金属为选自钼(Mo)和钨(W)中的至少一种，并且所述导电氧化物为选自In2O3、SnO2和ZnO中的两种以上。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二低反射材料包含20重量％至40重量％的所述第二金属和60重量％至80重量％的所述导电氧化物。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第四金属氧化物为选自MoO3、MoO2和WO3中的至少一种，并且所述导电氧化物为选自In2O3、SnO2和ZnO中的两种以上。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第三低反射材料包含50重量％至70重量％的所述第四金属氧化物和30重量％至50重量％的所述导电氧化物。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二低反射材料和所述第三低反射材料中的每一种还包括掺杂剂。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一导电层的所述第一子导电层和所述第二导电层的所述第一子导电层中的每一者具有2.1至2.9的折射率(n)、0.6至1.2的消光系数(k)和至/>的厚度。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二导电层的所述第一子导电层的电阻小于所述第一导电层的所述第一子导电层的电阻。
12.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
栅极，设置在所述基板上；
栅极绝缘层；
有源层，设置在所述栅极上并且在所述有源层与所述栅极之间插设有所述栅极绝缘层；以及
源极和漏极，与所述有源层接触，
其中，所述第一导电层是所述薄膜晶体管的所述栅极，并且所述第二导电层是所述薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中的至少一者。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二导电层还包括设置在所述第二子导电层上的第三子导电层。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第三子导电层由所述第二低反射材料、所述第三低反射材料、或者选自由铝(A1)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和银(Ag)组成的组中的至少一种金属材料形成。
15.根据权利要求12所述的显示装置，还包括：
第一焊盘单元和第二焊盘单元，设置在所述基板上，
其中，所述显示装置包括显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域，
其中，所述薄膜晶体管设置在所述基板上并且对应于所述显示区域，
其中，所述第一焊盘单元和第二焊盘单元设置于所述非显示区域中，并且
其中，所述第一焊盘单元和所述第二焊盘单元中的每一者包括第一焊盘电极和第二焊盘电极。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一导电层是所述第二焊盘单元的所述第一焊盘电极，并且所述第二导电层是所述第一焊盘单元的所述第一焊盘电极。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第二焊盘单元还包括设置在所述第二焊盘单元的所述第一焊盘电极与所述第二焊盘电极之间的焊盘连接电极，并且
其中，所述第二导电层是所述焊盘连接电极。
18.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
有源层，设置在所述基板上；
栅极绝缘层；
栅极，设置在所述有源层上并且在所述栅极与所述有源层之间插设有所述栅极绝缘层；以及
源极和漏极，与所述有源层接触，
其中，所述第二导电层是所述薄膜晶体管的所述栅极、所述源极和所述漏极中的至少一者。
19.根据权利要求18所述的显示装置，还包括：
遮光层，设置在所述基板上，
其中，所述第一导电层是所述遮光层。
20.根据权利要求19所述的显示装置，还包括：
第一焊盘单元和第二焊盘单元，设置在所述基板上，
其中，所述显示装置包括显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域，
其中，所述薄膜晶体管设置在所述基板上并且对应于所述显示区域，
其中，所述第一焊盘单元和所述第二焊盘单元设置在所述非显示区域中，并且
其中，所述第一焊盘单元和所述第二焊盘单元中的每一者包括第一焊盘电极和第二焊盘电极。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述第一导电层是所述第一焊盘单元的所述第一焊盘电极，并且所述第二导电层是所述第二焊盘单元的所述第一焊盘电极。
22.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述第一焊盘单元还包括设置在所述第一焊盘单元的所述第一焊盘电极与所述第二焊盘电极之间的焊盘连接电极，并且所述第一导电层是所述焊盘连接电极。
23.一种显示装置，包括：
下基板；
上基板，在所述下基板上；
薄膜晶体管，设置在所述上基板上，所述薄膜晶体管具有包括第一子导电层和设置在所述第一子导电层上的第二子导电层的栅极；以及
焊盘电极，设置在所述上基板上；
其中，所述第一子导电层包含第一低反射材料，并且
其中，所述第二子导电层包含第二低反射材料或第三低反射材料。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中：
所述第一低反射材料包含第一金属、第一金属氧化物、第二金属氧化物和第三金属氧化物；
所述第二低反射材料包含第二金属和两种以上不同的导电氧化物；并且
所述第三低反射材料包含第四金属氧化物和两种以上不同的导电氧化物。
25.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述第一金属为选自钼(Mo)、镍(Ni)、铜(Cu)和钨(W)中的至少一种，所述第一金属氧化物为选自MoO2、MoO3、NiO、CuO和Cu2O中的至少一种，所述第二金属氧化物为选自Nb2O5、WO3、TiO2、ZrO2和HfO2中的至少一种，所述第三金属氧化物为ZnO。
26.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述第二金属为选自钼(Mo)和钨(W)中的至少一种，并且所述导电氧化物为选自In2O3、SnO2和ZnO中的两种以上。
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