DE102023127794A1 - Anzeigevorrichtung - Google Patents

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DE102023127794A1
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low
reflective material
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Changeun KIM
Jinuk Lee
Joong Ha LEE
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LG Display Co Ltd
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Abstract

Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Anzeigevorrichtung. Da gemäß der vorliegenden Offenbarung leitfähige Schichten, die auf einem Substrat angeordnet sind, eine Schicht umfassen, die aus einem Material mit einem niedrigen Reflexionsvermögen ausgebildet ist, können Defekte, in denen die leitfähigen Schichten durch einen Benutzer visuell erkannt werden und die Sichtbarkeit abnimmt, gelöst werden.

Description

  • Diese Anmeldung beansprucht den Nutzen und die Priorität der Koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2022-0131215 , eingereicht am 13. Oktober 2022 in der Republik Korea, deren Inhalt hier durch Bezugnahme vollständig mit aufgenommen ist.
  • HINTERGRUND
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Anzeigevorrichtung und insbesondere auf eine Anzeigevorrichtung mit verbessertem Reflexionsvermögen und verbesserter Sichtbarkeit.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • In letzter Zeit ist, da unsere Gesellschaft in Richtung einer informationsorientierten Gesellschaft fortschreitet, das Gebiet von Anzeigevorrichtungen zum visuellen Ausdrücken eines elektrischen Informationssignals schnell fortgeschritten. Verschiedene Anzeigevorrichtungen mit ausgezeichneter Leistung hinsichtlich der Dünnheit, Leichtigkeit und des niedrigen Leistungsverbrauchs werden entsprechend entwickelt. Beispiele der Anzeigevorrichtung umfassen eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD), eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung (OLED) und dergleichen.
  • KURZE ZUSAMMENFASSUNG
  • In letzter Zeit werden Anzeigevorrichtungen vom Umklapptyp (Flip-over), die ein Substrat, auf dem Dünnschichttransistoren angeordnet sind, als Sichtoberfläche verwenden, aktiv entwickelt. Insbesondere da in der Anzeigevorrichtung vom Umklapptyp das Substrat, auf dem der Dünnschichttransistor angeordnet ist, als oberes Substrat konfiguriert ist, wird eine Kontaktstelleneinheit in Richtung einer Rückseite eines Feldes angeordnet, folglich ist es möglich, keine Ausrüstung wie z. B. eine externe Abdeckung zum Abdecken der Kontaktstelleneinheit aufzunehmen. Wenn die externe Abdeckung nicht vorhanden ist, kann eine vierseitige Anzeigevorrichtung vom randlosen Typ implementiert werden.
  • Die Erfinder der vorliegenden Offenbarung haben jedoch erkannt, dass, wenn ein Substrat, auf dem der Dünnschichttransistor angeordnet ist, als Sichtoberfläche verwendet wird, ein Defekt besteht, in dem die Sichtbarkeit an einem äußeren Abschnitt des Feldes aufgrund von mehreren Metallleitungen und Metallelektroden verringert ist.
  • Verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung gehen die technischen Probleme im Stand der Technik, einschließlich des vorstehend identifizierten technischen Problems, an.
  • Die vorliegende Offenbarung erörtert beispielsweise Verfahren, um Defekte zu lösen, bei denen eine Metallschicht aufgrund eines hohen Reflexionsvermögens von leitfähigen Komponenten wie z. B. einer Gate-Elektrode und dergleichen visuell durch einen Benutzer erkannt wird und die Sichtbarkeit verringert ist.
  • Insbesondere schaffen verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung vom randlosen Typ, in der eine Breite eines Einfassungsbereichs minimiert ist, während Defekte gelöst sind, bei denen Metallschichten durch einen Benutzer visuell erkannt werden und die Sichtbarkeit abnimmt, in einer Anzeigevorrichtung vom Umklapptyp, die ein Substrat, auf dem Dünnschichttransistoren angeordnet sind, als Sichtoberfläche verwendet.
  • Die technischen Vorteile der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die vorstehend erwähnten Vorteile begrenzt und andere Vorteile, die vorstehend nicht erwähnt sind, können durch den Fachmann auf dem Gebiet aus den folgenden Beschreibungen deutlich verstanden werden.
  • Eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst ein Substrat; und eine leitfähige Schicht auf dem Substrat, wobei die leitfähige Schicht eine erste leitfähige Schicht mit einer ersten leitfähigen Unterschicht und einer zweiten leitfähigen Unterschicht, die auf der ersten leitfähigen Unterschicht angeordnet ist, umfasst; und eine zweite leitfähige Schicht, die auf der ersten leitfähigen Schicht angeordnet ist und eine erste leitfähige Unterschicht und eine zweite leitfähige Unterschicht, die auf der ersten leitfähigen Unterschicht angeordnet ist, umfasst, wobei die erste leitfähige Unterschicht der ersten leitfähigen Schicht mindestens eines umfasst, das aus einem ersten gering reflektierenden Material mit einem ersten Metall, einem ersten Metalloxid, einem zweiten Metalloxid und einem dritten Metalloxid; einem zweiten gering reflektierenden Material mit einem zweiten Metall und zwei oder mehr verschiedenen leitfähigen Oxiden; und einem dritten gering reflektierenden Material mit einem vierten Metalloxid und zwei oder mehr verschiedenen leitfähigen Oxiden ausgewählt ist, wobei die erste leitfähige Unterschicht der zweiten leitfähigen Schicht mindestens eines umfasst, das aus dem zweiten gering reflektierenden Material und dem dritten gering reflektierenden Material ausgewählt ist.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst eine Anzeigevorrichtung ein Substrat und eine leitfähige Schicht auf dem Substrat, wobei die leitfähige Schicht eine erste leitfähige Schicht mit einer ersten leitfähigen Unterschicht und einer zweiten leitfähigen Unterschicht, die auf der ersten leitfähigen Unterschicht angeordnet ist; und eine zweite leitfähige Schicht, die auf der ersten leitfähigen Schicht angeordnet ist und eine erste leitfähige Unterschicht und eine zweite leitfähige Unterschicht, die auf der ersten leitfähigen Unterschicht angeordnet ist, umfasst, umfasst, wobei die erste leitfähige Unterschicht der ersten leitfähigen Schicht mindestens eines umfasst, das aus einem ersten gering reflektierenden Material mit einem ersten Metall, einem ersten Metalloxid, einem zweiten Metalloxid und einem dritten Metalloxid; einem zweiten gering reflektierenden Material mit einem zweiten Metall und zwei oder mehr verschiedenen leitfähigen Oxiden; und einem dritten gering reflektierenden Material mit einem vierten Metalloxid und zwei oder mehr verschiedenen leitfähigen Oxiden ausgewählt ist, wobei die erste leitfähige Unterschicht der zweiten leitfähigen Schicht mindestens eines umfasst, das aus dem zweiten gering reflektierenden Material und dem dritten gering reflektierenden Material ausgewählt ist.
  • In einem anderen Aspekt wird eine Anzeigevorrichtung geschaffen, die umfasst: ein unteres Substrat; ein oberes Substrat auf dem unteren Substrat; einen Dünnschichttransistor, der auf dem oberen Substrat angeordnet ist, wobei der Dünnschichttransistor eine Gate-Elektrode mit einer ersten leitfähigen Unterschicht und einer zweiten leitfähigen Unterschicht, die auf der ersten leitfähigen Unterschicht angeordnet ist, aufweist; und eine Kontaktstellenelektrode, die auf dem oberen Substrat angeordnet ist, wobei die erste leitfähige Unterschicht ein erstes gering reflektierendes Material umfasst und wobei die zweite leitfähige Unterschicht ein zweites gering reflektierendes Material oder ein drittes gering reflektierendes Material umfasst.
  • Im Folgenden werden optionale Merkmale bereitgestellt, die mit den vorstehend erwähnten Aspekten unabhängig oder in Kombination kombiniert werden können.
  • Das erste Metall kann mindestens eines sein, das aus Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Kupfer (Cu) und Wolfram (W) ausgewählt ist, das erste Metalloxid kann mindestens eines sein, das aus MoO2, MoO3, NiO, CuO und Cu2O ausgewählt ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das zweite Metalloxid mindestens eines sein, das aus Nb2O5, WO3, TiO2, ZrO2 und HfO2 ausgewählt ist und das dritte Metalloxid ist ZnO.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das erste gering reflektierende Material insgesamt 70 Gew.-% bis 80 Gew.-% des ersten Metalls und des ersten Metalloxids; 15 Gew.-% bis 25 Gew.-% des zweiten Metalloxids; und 0 bis 5 Gew.-% des dritten Metalloxids umfassen.
  • Ein Gewichtsverhältnis des ersten Metalls zum ersten Metalloxid kann 3 bis 15 : 85 bis 97 sein.
  • Das zweite Metall kann mindestens eines sein, das aus Molybdän (Mo) und Wolfram (W) ausgewählt ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können leitfähige Oxide zwei oder mehr sein, die aus In2O3, SnO2 und ZnO ausgewählt sind.
  • Das zweite gering reflektierende Material kann 20 Gew.-% bis 40 Gew.-% des zweiten Metalls und 60 Gew.-% bis 80 Gew.-% der leitfähigen Oxide umfassen.
  • Das vierte Metalloxid kann mindestens eines sein, das aus MoO3, MoO2 und WO3 ausgewählt ist und leitfähige Oxide können zwei oder mehr sein, die aus In2O3, SnO2 und ZnO ausgewählt sind.
  • Das dritte gering reflektierende Material kann 50 Gew.-% bis 70 Gew.-% des vierten Metalloxids und 30 Gew.-% bis 50 Gew.-% der leitfähigen Oxide umfassen.
  • Jedes des zweiten gering reflektierenden Materials und des dritten gering reflektierenden Materials kann ferner ein Dotierungsmaterial umfassen.
  • Jede der ersten leitfähigen Unterschicht der ersten leitfähigen Schicht und der ersten leitfähigen Unterschicht der zweiten leitfähigen Schicht kann einen Brechungsindex (n) von 2,1 bis 2,9 und einen Extinktionskoeffizienten (k) von 0,6 bis 1,2 und eine Dicke von 300 Å bis 700 Å aufweisen.
  • Ein Widerstand der ersten leitfähigen Unterschicht der zweiten leitfähigen Schicht kann kleiner sein als ein Widerstand der ersten leitfähigen Unterschicht der ersten leitfähigen Schicht.
  • Die Anzeigevorrichtung kann ferner einen Dünnschichttransistor mit einer Gate-Elektrode, die auf dem Substrat angeordnet ist, einer aktiven Schicht, die auf der Gate-Elektrode angeordnet ist, wobei eine Gate-Isolationsschicht dazwischen eingefügt ist, und einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode, die die aktive Schicht kontaktieren, umfassen, wobei die erste leitfähige Schicht die Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors sein kann und die zweite leitfähige Schicht die Source-Elektrode und/oder die Drain-Elektrode des Dünnschichttransistors sein können.
  • Die zweite leitfähige Schicht kann ferner eine dritte leitfähige Unterschicht umfassen, die auf der zweiten leitfähigen Unterschicht angeordnet ist.
  • Die dritte leitfähige Unterschicht kann aus dem zweiten gering reflektierenden Material, dem dritten gering reflektierenden Material oder mindestens einem Metallmaterial, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Aluminium (Al), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Titan (Ti) und Silber (Ag) besteht, ausgebildet sein.
  • Die Anzeigevorrichtung kann ferner eine erste Kontaktstelleneinheit und eine zweite Kontaktstelleneinheit, die auf dem Substrat angeordnet sind, umfassen, wobei die Anzeigevorrichtung einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeige-Bereich, der den Anzeigebereich umgibt, umfassen kann, wobei der Dünnschichttransistor auf dem Substrat entsprechend dem Anzeigebereich angeordnet sein kann, wobei die erste Kontaktstelleneinheit und die zweite Kontaktstelleneinheit im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet sein können und wobei jede der ersten Kontaktstelleneinheit und der zweiten Kontaktstelleneinheit eine erste Kontaktstellenelektrode und eine zweite Kontaktstellenelektrode umfassen kann.
  • Die erste leitfähige Schicht kann die erste Kontaktstellenelektrode der zweiten Kontaktstelleneinheit sein und die zweite leitfähige Schicht kann die erste Kontaktstellenelektrode der ersten Kontaktstelleneinheit sein.
  • Die zweite Kontaktstelleneinheit kann ferner eine Kontaktstellenverbindungselektrode umfassen, die zwischen der ersten Kontaktstellenelektrode und der zweiten Kontaktstellenelektrode der zweiten Kontaktstelleneinheit angeordnet ist, und wobei die zweite leitfähige Schicht die Kontaktstellenverbindungselektrode sein kann.
  • Die Anzeigevorrichtung kann ferner einen Dünnschichttransistor mit einer aktiven Schicht, die auf dem Substrat angeordnet ist, einer Gate-Elektrode, die auf der aktiven Schicht angeordnet ist, wobei eine Gate-Isolationsschicht dazwischen eingefügt ist, und einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode, die die aktive Schicht kontaktieren, umfassen, wobei die zweite leitfähige Schicht die Gate-Elektrode, die Source-Elektrode und/oder die Drain-Elektrode des Dünnschichttransistors sein kann.
  • Die Anzeigevorrichtung kann ferner eine Lichtsperrschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist, umfassen, wobei die erste leitfähige Schicht die Lichtsperrschicht sein kann.
  • Die Anzeigevorrichtung kann ferner eine erste Kontaktstelleneinheit und eine zweite Kontaktstelleneinheit, die auf dem Substrat angeordnet sind, umfassen, wobei die Anzeigevorrichtung einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeige-Bereich, der den Anzeigebereich umgibt, umfassen kann, wobei der Dünnschichttransistor auf dem Substrat entsprechend einem Anzeigebereich angeordnet sein kann, wobei die erste Kontaktstelleneinheit und die zweite Kontaktstelleneinheit im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet sein können und wobei jede der ersten Kontaktstelleneinheit und der zweiten Kontaktstelleneinheit eine erste Kontaktstellenelektrode und eine zweite Kontaktstellenelektrode umfassen kann.
  • Die erste leitfähige Schicht kann die erste Kontaktstellenelektrode der ersten Kontaktstelleneinheit sein und die zweite leitfähige Schicht kann die erste Kontaktstellenelektrode der zweiten Kontaktstelleneinheit sein.
  • Die erste Kontaktstelleneinheit kann ferner eine Kontaktstellenverbindungselektrode umfassen, die zwischen der ersten Kontaktstellenelektrode und der zweiten Kontaktstellenelektrode der ersten Kontaktstelleneinheit angeordnet ist, und die erste leitfähige Schicht kann die Kontaktstellenverbindungselektrode sein.
  • Andere detaillierte Angelegenheiten der beispielhaften Ausführungsformen sind in der ausführlichen Beschreibung und den Zeichnungen enthalten.
  • Da gemäß der vorliegenden Offenbarung leitfähige Schichten, die auf einem Substrat angeordnet sind, eine Schicht umfassen, die aus einem Material mit niedrigem Reflexionsvermögen ausgebildet ist, können Defekte aufgrund einer Reflexion, bei der die leitfähigen Schichten visuell durch einen Benutzer erkannt werden und eine Sichtbarkeit abnimmt, gelöst werden.
  • Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann, da eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode eines Dünnschichttransistors eine Schicht umfassen, die aus einem Material mit geringem Reflexionsvermögen ausgebildet ist, ein Reflexionsvermögen stark verringert werden, so dass eine rötliche Farbe aufgrund der Reflexion verbessert werden kann, so dass sie eine neutrale Farbe aufweist. Durch Anwenden von leitfähigen Schichten der vorliegenden Offenbarung auf die Source- und die Drain-Elektroden wird außerdem das Reflexionsvermögen gesenkt und der Kontaktwiderstand wird gesenkt, so dass Elementcharakteristiken auch verbessert werden können.
  • Wenn die leitfähige Schicht der vorliegenden Offenbarung auf eine Anzeigevorrichtung vom Umklapptyp angewendet wird, die ein Substrat, auf dem ein Dünnschichttransistor angeordnet ist, als Sichtoberfläche verwendet, ist es außerdem möglich, eine Anzeigevorrichtung vom randlosen Typ zu schaffen, die in der Lage ist, Defekte zu lösen, bei denen eine Metallschicht wie z. B. eine Gate-Elektrode aufgrund von Reflexion visuell durch einen Benutzer erkannt wird und die Sichtbarkeit verringert ist, während eine Breite eines Einfassungsbereichs minimiert werden kann.
  • Die Effekte gemäß der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die vorstehend veranschaulichten Inhalte begrenzt und weitere verschiedenartige Effekte sind in der vorliegenden Patentbeschreibung enthalten.
  • KURZBESCHREIBUNG DER VERSCHIEDENEN ANSICHTEN DER ZEICHNUNGEN
    • 1 ist eine schematische Draufsicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 2 ist eine schematische Querschnittsansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 3 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein Flüssigkristallanzeigefeld der Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 4 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein Flüssigkristallanzeigefeld einer Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 5 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein Flüssigkristallanzeigefeld einer Anzeigevorrichtung gemäß noch einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 6 ist ein Graph, der Änderungen des Reflexionsvermögens gemäß einer Dicke darstellt, wenn eine erste leitfähige Unterschicht einen Brechungsindex von 2,7 und einen Extinktionskoeffizienten von 0,8 aufweist.
    • 7 ist ein Graph, der Änderungen des Reflexionsvermögens gemäß Extinktionskoeffizienten zeigt, wenn die erste leitfähige Unterschicht einen Brechungsindex von 2,7 und eine Dicke von 400 Å aufweist.
    • 8 ist ein Graph, der Änderungen des Reflexionsvermögens gemäß Brechungsindizes und Dicken zeigt, wenn der Extinktionskoeffizient der ersten leitfähigen Unterschicht 0,8 ist.
    • 9 ist ein Graph, der Änderungen des Reflexionsvermögens gemäß Dicken zeigt, wenn der Brechungsindex der ersten leitfähigen Unterschicht 2,3 ist und der Extinktionskoeffizient der ersten leitfähigen Unterschicht 0,6 ist.
    • 10 ist ein Graph, der Änderungen des Reflexionsvermögens gemäß Extinktionskoeffizienten zeigt, wenn die erste leitfähige Unterschicht einen Brechungsindex von 2,7 und eine Dicke von 400 Å aufweist.
    • 11 ist ein Graph, der Änderungen des Reflexionsvermögens gemäß Dicken zeigt, wenn die erste leitfähige Unterschicht einen Brechungsindex von 2,1 und einen Extinktionskoeffizienten von 0,8 aufweist.
    • 12 ist ein Graph, der Änderungen des Reflexionsvermögens gemäß Extinktionskoeffizienten zeigt, wenn die erste leitfähige Unterschicht einen Brechungsindex von 2,1 und eine Dicke von 600 Å aufweist.
    • 13 ist ein Graph, der Änderungen des Reflexionsvermögens gemäß Brechungsindizes und Dicken zeigt, wenn der Extinktionskoeffizient der ersten leitfähigen Unterschicht 0,8 ist.
    • 14 ist ein Graph, der Reflexionsvermögen für jeweilige Wellenlängen von Anzeigefeldern gemäß Beispiel 8-1, Vergleichsbeispiel 8-1 und Vergleichsbeispiel 8-2 zeigt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Vorteile und Eigenschaften der vorliegenden Offenbarung und eines Verfahrens zum Erreichen der Vorteile und Eigenschaften werden durch Bezugnahme auf beispielhafte Ausführungsformen klar, die nachstehend zusammen mit den begleitenden Zeichnungen im Einzelnen beschrieben werden. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf die hier offenbarten beispielhaften Ausführungsformen begrenzt, sondern wird in verschiedenen Formen implementiert. Die beispielhaften Ausführungsformen sind nur als Beispiel vorgesehen, so dass der Fachmann auf dem Gebiet die Offenbarungen der vorliegenden Offenbarung und den Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung vollständig verstehen kann.
  • Die Formen, Größen, Abmessungen (z. B. Länge, Breite, Höhe, Dicke, Radius, Durchmesser, Fläche usw.), Verhältnisse, Winkel, Anzahl von Elementen und dergleichen, die in den begleitenden Zeichnungen zum Beschreiben der beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dargestellt sind, sind lediglich Beispiele und die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt.
  • Eine Abmessung, einschließlich einer Größe und einer Dicke jeder Komponente, die in der Zeichnung dargestellt ist, sind wegen der Zweckmäßigkeit der Beschreibung dargestellt und die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Größe und die Dicke der dargestellten Komponente begrenzt, sondern es ist zu beachten, dass die relativen Abmessungen, einschließlich der relativen Größe, des Orts und der Dicke der in verschiedenen hiermit vorgelegten Zeichnungen dargestellten Komponenten ein Teil der vorliegenden Offenbarung sind.
  • Gleiche Bezugszeichen bezeichnen im Allgemeinen gleiche Elemente in der ganzen Patentbeschreibung. Ferner kann in der folgenden Beschreibung der vorliegenden Offenbarung auf eine ausführliche Erläuterung von bekannten verwandten Technologien verzichtet werden, um es zu vermeiden, den Gegenstand der vorliegenden Offenbarung unnötig unklar zu machen. Die Begriffe wie z. B. „einschließen“, „aufweisen“ und „bestehen aus“, die hier verwendet werden, sollen im Allgemeinen ermöglichen, dass andere Komponenten hinzugefügt werden, wenn nicht die Begriffe mit dem Begriff „nur“ verwendet werden. Beliebige Bezugnahmen auf den Singular können den Plural umfassen, wenn nicht ausdrücklich anders angegeben.
  • Komponenten werden so interpretiert, dass sie einen gewöhnlichen Fehlerbereich umfassen, selbst wenn nicht ausdrücklich angegeben.
  • Wenn die Positionsbeziehung zwischen zwei Teilen unter Verwendung der Begriffe wie z. B. „auf“, „über“, „unter“ und „neben“ beschrieben wird, können ein oder mehrere Teile zwischen den zwei Teilen angeordnet sein, wenn die Begriffe nicht mit dem Begriff „unmittelbar“ oder „direkt“ verwendet werden.
  • Wenn ein Element oder eine Schicht „auf“ einem anderen Element oder einer anderen Schicht angeordnet ist, kann eine andere Schicht oder ein anderes Element direkt auf dem anderen Element oder dazwischen eingefügt sein.
  • Obwohl die Begriffe „erster“, „zweiter“ und dergleichen zum Beschreiben von verschiedenen Komponenten verwendet werden, sind diese Komponenten nicht durch diese Begriffe eingegrenzt. Diese Begriffe werden lediglich zum Unterscheiden von einer Komponente von den anderen Komponenten verwendet. Daher kann eine nachstehend zu erwähnende erste Komponente eine zweite Komponente in einem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung sein.
  • Die Merkmale von verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig aneinander gebunden oder miteinander kombiniert sein und können in technisch verschiedenen Weisen verzahnt sein und betrieben werden und die Ausführungsformen können unabhängig voneinander oder in Zusammenhang miteinander ausgeführt werden.
  • Nachstehend wird eine Anzeigevorrichtung gemäß beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen im Einzelnen beschrieben.
  • Zuerst werden unter Merkmalen der vorliegenden Offenbarung eine erste leitfähige Schicht und eine zweite leitfähige Schicht beschrieben. Mehrere leitfähige Schichten, die Komponenten eines Dünnschichttransistors, einer Lichtsperrschicht und einer Kontaktstelleneinheit sind, können auf einem Substrat einer Anzeigevorrichtung angeordnet sein. Mindestens eine erste leitfähige Schicht und mindestens eine zweite leitfähige Schicht können beispielsweise auf dem Substrat angeordnet sein. In einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die erste leitfähige Schicht eine Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors sein und die zweite leitfähige Schicht kann eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Dünnschichttransistors sein. In einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die erste leitfähige Schicht die Lichtsperrschicht sein und die zweite leitfähige Schicht kann die Gate-Elektrode sein.
  • Jede der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten leitfähigen Schicht umfasst eine Schicht, die aus einem gering reflektierenden Material mit einem geringen Reflexionsvermögen ausgebildet ist und folglich kann das Reflexionsvermögen der leitfähigen Schicht, die aus einem Metall mit einem hohen Reflexionsvermögen ausgebildet ist, gesenkt werden, um die Sichtbarkeit der Anzeigevorrichtung zu verbessern.
  • Die erste leitfähige Schicht kann beispielsweise eine erste leitfähige Unterschicht und eine zweite leitfähige Unterschicht, die auf die erste leitfähige Unterschicht gestapelt ist, umfassen. Die erste leitfähige Unterschicht der ersten leitfähigen Schicht dient dazu, ein Reflexionsvermögen zu verringern. Die erste leitfähige Unterschicht der ersten leitfähigen Schicht weist ein Reflexionsvermögen auf, das niedriger ist als jenes der zweiten leitfähigen Unterschicht. Die zweite leitfähige Unterschicht der ersten leitfähigen Schicht weist einen Widerstand auf, der niedriger ist als jener der ersten leitfähigen Unterschicht. Folglich schafft die erste leitfähige Schicht mit der ersten leitfähigen Unterschicht und der zweiten leitfähigen Unterschicht einen Effekt der Verringerung des Reflexionsvermögens, während elektrische Charakteristiken davon aufrechterhalten werden, so dass sie nicht gesenkt werden.
  • Die zweite leitfähige Schicht kann beispielsweise eine erste leitfähige Unterschicht und eine zweite leitfähige Unterschicht, die auf die erste leitfähige Unterschicht gestapelt ist, umfassen. Die erste leitfähige Unterschicht der zweiten leitfähigen Schicht dient dazu, ein Reflexionsvermögen zu verringern. Die erste leitfähige Unterschicht der zweiten leitfähigen Schicht weist ein Reflexionsvermögen auf, das niedriger ist als jenes der zweiten leitfähigen Unterschicht. Die zweite leitfähige Unterschicht der zweiten leitfähigen Schicht weist einen Widerstand auf, der niedriger ist als die erste leitfähige Unterschicht. Folglich weist die zweite leitfähige Schicht mit der ersten leitfähigen Unterschicht und der zweiten leitfähigen Unterschicht einen Effekt der Verringerung des Reflexionsvermögens auf, während elektrische Charakteristiken davon aufrechterhalten werden, so dass sie nicht gesenkt werden.
  • Jede der zweiten leitfähigen Unterschicht der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten leitfähigen Unterschicht der zweiten leitfähigen Schicht kann beispielsweise unabhängig aus einem Metall, das aus Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni) und Niob (Nd) ausgewählt ist, oder einer Legierung mit mindestens einem der Metalle ausgebildet ist, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt.
  • Die erste leitfähige Unterschicht der ersten leitfähigen Schicht kann beispielsweise aus mindestens einem ausgebildet sein, das aus einem ersten gering reflektierenden Material, einem zweiten gering reflektierenden Material und einem dritten gering reflektierenden Material ausgewählt ist.
  • Die erste leitfähige Unterschicht der zweiten leitfähigen Schicht kann beispielsweise aus mindestens einem ausgebildet sein, das aus dem zweiten gering reflektierenden Material und dem dritten gering reflektierenden Material ausgewählt ist.
  • Nachstehend werden das erste gering reflektierende Material, das zweite gering reflektierende Material und das dritte gering reflektierende Material im Einzelnen beschrieben.
  • Das erste gering reflektierende Material kann ein erstes Metall, ein erstes Metalloxid, ein zweites Metalloxid und ein drittes Metalloxid umfassen.
  • Das erste Metall kann beispielsweise mindestens eines sein, das aus Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Kupfer (Cu) und Wolfram (W) ausgewählt ist.
  • Das erste Metalloxid kann beispielsweise mindestens eines sein, das aus MoO2, MoO3, NiO, CuO und Cu2O ausgewählt ist.
  • Das zweite Metalloxid kann beispielsweise mindestens eines sein, das aus Nb2O5, WO3, TiO2, ZrO2 und HfO2 ausgewählt ist.
  • Das dritte Metalloxid kann beispielsweise ZnO sein.
  • Insbesondere kann beispielsweise das erste gering reflektierende Material eine Kombination von Mo, MoO2, MoO3, Nb2O5 und ZnO sein. In diesem Fall kann das Reflexionsvermögen verringert werden, während hohe elektrische Charakteristiken der leitfähigen Schicht aufrechterhalten werden.
  • Das erste gering reflektierende Material kann beispielsweise 3 Gew.-% (Gewichts-%) bis 15 Gew.-% des ersten Metalls, 55 Gew.-% bis 77 Gew.-% des ersten Metalloxids, 15 Gew.-% bis 30 Gew.-% des zweiten Metalloxids und 0 bis 5 Gew.-% des dritten Metalloxids umfassen.
  • In einem anderen Beispiel kann das erste gering reflektierende Material 5 Gew.-% bis 15 Gew.-% des ersten Metalls, 55 Gew.-% bis 68 Gew.-% des ersten Metalloxids, 20 Gew.-% bis 25 Gew.-% des zweiten Metalloxids und 1 Gew.-% bis 5 Gew.-% des dritten Metalloxids umfassen. In diesem Fall besteht ein Effekt der Verringerung des Reflexionsvermögens ohne Verschlechterung der elektrischen Charakteristiken der leitfähigen Schicht.
  • Als anderes Beispiel kann das erste gering reflektierende Material 70 Gew.-% bis 80 Gew.-% des ersten Metalls und des ersten Metalloxids, 15 Gew.-% bis 25 Gew.-% des zweiten Metalloxids und 2 Gew.-% bis 5 Gew.-% des dritten Metalloxids umfassen. In diesem Fall kann ein Gewichtsverhältnis des ersten Metalls zum ersten Metalloxid beispielsweise 3 bis 15 : 85 bis 97 sein. Wenn das erste gering reflektierende Material so konfiguriert ist, dass es eine solche Zusammensetzung aufweist, besteht ein Effekt der Verringerung des Reflexionsvermögens ohne Verschlechterung der elektrischen Charakteristiken der leitfähigen Schicht.
  • Insbesondere kann beispielsweise das erste gering reflektierende Material eine Kombination von Mo, MoOx(MoO2+MoO3), Nb2O5 und ZnO sein. Zu dieser Zeit können Mo und MoOx(MoO2+MoO3) insgesamt 70 Gew.-% bis 80 Gew.-% umfassen, Nb2O5 kann 18 Gew.-% bis 25 Gew.-% umfassen und ZnO kann 2 Gew.-% bis 5 Gew.-% umfassen. Außerdem kann ein Gewichtsverhältnis von Mo zu MoOx(MoO2+MoO3) 3 bis 15 : 85 bis 97 sein. Außerdem kann MoO2 in einer Menge von 90 Gew.-% oder mehr relativ zu einer Gesamtmenge von MoO2 und MoO3 enthalten sein. In diesem Fall kann das Reflexionsvermögen verringert werden, während hohe elektrische Charakteristiken der leitfähigen Schicht aufrechterhalten werden.
  • Das zweite gering reflektierende Material kann beispielsweise aus einem zweiten Metall und zwei oder mehr verschiedenen leitfähigen Oxiden ausgebildet sein.
  • Das zweite Metall kann beispielsweise mindestens eines sein, das aus Molybdän (Mo) und Wolfram (W) ausgewählt ist.
  • Die leitfähigen Oxide können beispielsweise zwei oder mehr sein, die aus In2O3, SnO2 und ZnO ausgewählt sind.
  • Das zweite gering reflektierende Material kann beispielsweise 20 Gew.-% bis 40 Gew.-% des zweiten Metalls und 60 Gew.-% bis 80 Gew.-% der leitfähigen Oxide umfassen. Innerhalb dieses Bereichs kann das Reflexionsvermögen der leitfähigen Schicht verringert werden, während hohe elektrische Charakteristiken der leitfähigen Schicht aufrechterhalten werden.
  • Falls erforderlich, kann das zweite gering reflektierende Material wahlweise ferner ein Dotierungsmaterial umfassen. Das zweite gering reflektierende Material kann beispielsweise ferner MoO2 als Dotierungsmaterial umfassen, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Das Dotierungsmaterial kann beispielsweise in einer Menge von 5 Gew.-% oder weniger mit Bezug auf ein Gesamtgewicht des zweiten gering reflektierenden Materials enthalten sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Das zweite gering reflektierende Material kann beispielsweise eine Kombination von Mo, In2O3 und SnO2 sein. Falls erforderlich, kann es in diesem Fall ferner mindestens eines, das aus ZnO und MoO2 ausgewählt ist, als Dotierungsmaterial umfassen. In diesem Fall ist es möglich, das Reflexionsvermögen zu verringern, während hohe elektrische Charakteristiken der leitfähigen Schicht aufrechterhalten werden.
  • Das dritte gering reflektierende Material kann beispielsweise aus einem vierten Metalloxid und zwei oder mehr verschiedenen leitfähigen Oxiden ausgebildet sein.
  • Das vierte Metalloxid kann beispielsweise mindestens eines sein, das aus MoO3, MoO2 und WO3 ausgewählt ist.
  • Die leitfähigen Oxide können beispielsweise zwei oder mehr sein, die aus In2O3, SnO2 und ZnO ausgewählt sind.
  • Das dritte gering reflektierende Material kann beispielsweise 50 Gew.-% bis 70 Gew.-% des vierten Metalloxids und 30 Gew.-% bis 50 Gew.-% der leitfähigen Oxide umfassen. Innerhalb dieses Bereichs kann das Reflexionsvermögen verringert werden, während hohe elektrische Charakteristiken der leitfähigen Schicht aufrechterhalten werden.
  • Wahlweise kann das dritte gering reflektierende Material ferner ein Dotierungsmaterial nach Bedarf umfassen. Das dritte gering reflektierende Material kann beispielsweise ferner Molybdän (Mo) als Dotierungsmaterial umfassen, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Das Dotierungsmaterial kann beispielsweise in einer Menge von 5 Gew.-% oder weniger mit Bezug auf ein Gesamtgewicht des dritten gering reflektierenden Materials enthalten sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Das dritte gering reflektierende Material kann beispielsweise eine Kombination von MoO2, In2O3 und SnO2 sein. Falls erforderlich, kann in diesem Fall das dritte gering reflektierende Material ferner mindestens eines, das aus ZnO und Mo ausgewählt ist, als Dotierungsmaterial umfassen. In diesem Fall kann das Reflexionsvermögen verringert werden, während hohe elektrische Charakteristiken der leitfähigen Schicht aufrechterhalten werden.
  • Eine Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht von jeder der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten leitfähigen Schicht kann beispielsweise 300 Å bis 700 Å, 300 Å bis 600 Å, 300 Å bis 500 Å, 400 Å bis 500 Å oder 450 Å bis 600 Å sein. Wenn die Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht innerhalb des obigen Bereichs liegt, kann das Reflexionsvermögen weiter verringert werden. Wenn die Dicke geringer ist als 300 Å, kann das Reflexionsvermögen in einem langwelligen Band zunehmen, und wenn die Dicke 700 Å überschreitet, kann das Reflexionsvermögen in einem kurzwelligen Band zunehmen.
  • Die Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht von jeder der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten leitfähigen Schicht kann in Abhängigkeit von einem Material variieren.
  • Wenn beispielsweise die erste leitfähige Unterschicht von jeder der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten leitfähigen Schicht aus dem ersten gering reflektierenden Material ausgebildet ist, wenn die Dicke 600 Å überschreitet, nimmt ein Reflexionsvermögen in einem kurzwelligen Band zu und folglich kann ein Effekt der Verringerung des Reflexionsvermögens unbedeutend sein. Wenn die erste leitfähige Unterschicht aus dem ersten gering reflektierenden Material ausgebildet ist, kann vorzugsweise die Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht 400 Å bis 500 Å, 350 Å bis 450 Å, 360 Å bis 440 Å oder 370 Å bis 420 Å sein. In diesem Fall besteht ein Vorteil darin, dass ein Reflexionsvermögen einer Wellenlänge von 380 nm bis 740 nm ausgezeichnet ist. Als anderes Beispiel kann, wenn ein Reflexionsvermögen bei einer Wellenlänge von 550 nm betrachtet wird, die Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht, die aus dem ersten gering reflektierenden Material ausgebildet ist, 310 Å bis 350 Å sein.
  • Wenn beispielsweise die erste leitfähige Unterschicht aus dem zweiten gering reflektierenden Material oder dem dritten gering reflektierenden Material ausgebildet ist, wenn die Dicke 700 Å überschreitet, nimmt ein Reflexionsvermögen in einem kurzwelligen Band zu und folglich kann ein Effekt der Verringerung des Reflexionsvermögens unbedeutend sein. Vorzugsweise kann die Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht, die aus dem zweiten gering reflektierenden Material oder dem dritten gering reflektierenden Material ausgebildet ist, 450 Å bis 600 Å oder 500 Å bis 600 Å sein und innerhalb dieses Bereichs kann das Reflexionsvermögen weiter verringert werden.
  • Ein Brechungsindex (n) der ersten leitfähigen Unterschicht von jeder der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten leitfähigen Schicht kann beispielsweise 2,1 bis 2,9, 2,3 bis 2,9 oder 2,3 bis 2,7 sein. Das Reflexionsvermögen kann innerhalb dieses Bereichs minimiert werden, und wenn der Brechungsindex 2,9 überschreitet, kann das Reflexionsvermögen in einem kurzwelligen Band zunehmen.
  • Beispielsweise kann ein Extinktionskoeffizient (k) der ersten leitfähigen Unterschicht von jeder der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten leitfähigen Schicht 0,6 bis 1,2, vorzugsweise 0,8 bis 1,0, sein. Innerhalb dieses Bereichs kann ein Reflexionsvermögen minimiert werden. Wenn der Extinktionskoeffizient geringer ist als 0,6, kann, da die Absorption in einem langwelligen Band abnimmt, ein Bild in einer rötlichen Farbe angezeigt werden, wenn die erste leitfähige Schicht und die zweite leitfähige Schicht als Komponenten eines Dünnschichttransistors und einer Lichtsperrschicht angewendet werden. Wenn der Extinktionskoeffizient größer ist als 1,2, kann außerdem ein Reflexionsvermögen zunehmen, und folglich kann die Sichtbarkeit verringert werden.
  • Der Brechungsindex und der Extinktionskoeffizient können gemäß einer Zusammensetzung des gering reflektierenden Materials eingestellt werden. Wenn das erste gering reflektierende Material, das aus einer Kombination von Mo, MoOx(MoO2+MoO3), Nb2O5 und ZnO ausgebildet ist, als Beispiel herangezogen wird, nehmen der Brechungsindex und der Extinktionskoeffizient gewöhnlich zu, wenn ein relatives Verhältnis von Mo zunimmt. Insbesondere wenn das Verhältnis von Mo 0 ist, ist der Brechungsindex 2,6 und der Extinktionskoeffizient ist 0,7. Wenn jedoch das Verhältnis von Mo 15 Gew.-% ist, kann der Brechungsindex 2,8 sein und der Extinktionskoeffizient kann 1,2 sein, und wenn das Verhältnis von Mo 23 Gew.-% ist, kann der Brechungsindex 2,9 sein und der Extinktionskoeffizient kann 1,4 sein. Wenn das Verhältnis von Mo 0 ist, fallen der Brechungsindex und der Extinktionskoeffizient in die vorstehend beschriebenen Bereiche, aber die elektrischen Charakteristiken der leitfähigen Schicht können verschlechtert werden. Folglich sollte die Zusammensetzung des gering reflektierenden Materials in einen Bereich eingestellt werden, in dem elektrische Charakteristiken der leitfähigen Schicht nicht verschlechtert werden, so dass der Brechungsindex und der Extinktionskoeffizient innerhalb der obigen Bereiche liegen. Folglich können die elektrischen Charakteristiken und die Sichtbarkeit gleichzeitig erfüllt werden.
  • Wie vorstehend beschrieben, können die erste leitfähige Schicht und die zweite leitfähige Schicht Komponenten eines Dünnschichttransistors, einer Lichtsperrschicht und dergleichen sein. Nachstehend wird eine beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, in der die erste leitfähige Schicht eine Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors ist und die zweite leitfähige Schicht eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Dünnschichttransistors ist, mit Bezug auf 1 bis 3 beschrieben.
  • 1 bis 3 sind Ansichten zum Erläutern einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Anzeigevorrichtung kann beispielsweise eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einer Flüssigkristallschicht sein und als anderes Beispiel kann die Anzeigevorrichtung eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung mit einer organischen Lichtemissionsschicht sein. Nachstehend wird eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung als Beispiel für die Zweckmäßigkeit der Erläuterung beschrieben, aber die Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf die Flüssigkristallanzeigevorrichtung begrenzt.
  • 1 ist eine schematische Draufsicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. In 1 sind nur ein erstes Substrat 110 und mehrere Subpixel SP unter verschiedenen Komponenten einer Anzeigevorrichtung 100 für die Zweckmäßigkeit der Beschreibung dargestellt.
  • Das erste Substrat 110 ist eine Komponente, um verschiedene Komponenten abzustützen, die in der Anzeigevorrichtung 100 enthalten sind, und um sie vor äußeren Auswirkungen oder einer äußeren Umgebung zu schützen, und das erste Substrat 110 kann aus einem Isolationsmaterial ausgebildet sein. Das erste Substrat 110 kann beispielsweise aus einem Glassubstrat oder einem Kunststoffsubstrat wie z. B. Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN), oder Polyimid ausgebildet sein.
  • Das erste Substrat 110 stützt verschiedene Komponenten der Anzeigevorrichtung 100 ab. Das erste Substrat 110 umfasst einen Anzeigebereich DA und einen Nicht-Anzeige-Bereich NDA. Der Anzeigebereich DA ist ein Bereich, in dem die mehreren Subpixel SP angeordnet sind, und ist ein Bereich, in dem ein tatsächliches Bild angezeigt wird. Der Nicht-Anzeige-Bereich NDA ist ein äußerer Bereich, der den Anzeigebereich DA umgibt, und ist ein Bereich, in dem kein Bild angezeigt wird. Der Nicht-Anzeige-Bereich NDA kann als Einfassungsbereich bezeichnet werden. Leitungen und Ansteuerschaltungen zum Ansteuern eines Bildschirms sind im Nicht-Anzeige-Bereich NDA angeordnet.
  • Die mehreren Subpixel SP können auf dem ersten Substrat 110 definiert sein. Die mehreren Subpixel SP sind minimale Einheiten, die den Anzeigebereich DA bilden, und sind jeweils ein Bereich zum Anzeigen einer Farbe. Beispielsweise können die mehreren Subpixel SP ein rotes Subpixel, ein grünes Subpixel und ein blaues Subpixel umfassen. Die mehreren Subpixel SP können in einer Matrixform definiert sein, wie in 1 gezeigt.
  • 2 ist eine schematische Querschnittsansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 2 ist eine Querschnittsansicht, die einen Teil einer Struktur einer randlosen Anzeigevorrichtung als Anzeigevorrichtung 100, die in 1 dargestellt ist, zeigt.
  • Mit Bezug auf 2 umfasst die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der vorliegenden Offenbarung ein Flüssigkristallanzeigefeld PNL mit dem ersten Substrat 110 und einem zweiten Substrat 150, eine Hintergrundlichteinheit BLU und einen Abdeckungsboden CB.
  • Das Flüssigkristallanzeigefeld PNL zeigt ein Bild durch Pixel an, die in einer Matrixform angeordnet sind, und umfasst das erste Substrat 110 und das zweite Substrat 150, die an eine Flüssigkristallschicht LC gebondet sind, die dazwischen eingefügt ist, um einen Lichtdurchlassgrad zu steuern.
  • Die Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist eine randlose Flüssigkristallanzeigevorrichtung und das erste Substrat 110, das ein oberes Substrat ist, ist als Dünnschichttransistoranordnungssubstrat konfiguriert und das zweite Substrat 150, das ein unteres Substrat ist, ist als Farbfiltersubstrat konfiguriert. Das heißt, in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist das Flüssigkristallanzeigefeld PNL umgedreht, so dass im Gegensatz zu einem existierenden Fall das Dünnschichttransistoranordnungssubstrat mit einer relativ großen Fläche über dem Farbfiltersubstrat positioniert ist. Da Kontaktstelleneinheitskomponenten, die auf dem Dünnschichttransistoranordnungssubstrat ausgebildet sind, das darüber positioniert ist, in Richtung einer Rückseite des Flüssigkristallanzeigefeldes PNL angeordnet sind, ist es möglich, eine Ausrüstung (das heißt „nicht vorhanden“) wie z. B. eine externe Abdeckung (oder ein oberes Gehäuse) zum Abdecken der Kontaktstelleneinheitskomponenten zu streichen, so dass eine Anzeigevorrichtung vom vierseitig randlosen Typ implementiert werden kann. Wie vorstehend beschrieben, kann in diesem Fall eine Struktur, in der das Dünnschichttransistoranordnungssubstrat darüber positioniert ist und als Sichtoberfläche verwendet wird, als Umklapptyp bezeichnet werden.
  • Die Hintergrundlichteinheit BLU ist unter dem Flüssigkristallanzeigefeld PNL angeordnet und führt Licht zum Flüssigkristallanzeigefeld PNL zu. Die Hintergrundlichteinheit BLU kann eine Lichtquelle, einen Reflexionsfilm, eine Lichtleitplatte, ein Führungsfeld, einen optischen Film und dergleichen umfassen. In diesem Fall kann die Hintergrundlichteinheit BLU als Lichtquelle irgendeine von einer Kaltkathodenfluoreszenzlampe (CCFL), einer Glühkathodenfluoreszenzlampe (HCFL), einer Außenelektrodenfluoreszenzlampe (EEFL) oder einer Leuchtdiode (LED) verwenden, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt.
  • Der Abdeckungsboden CB ist ein Gehäuseelement, das Komponenten der Anzeigevorrichtung 100 aufnimmt und schützt. Der Abdeckungsboden CB kann Seitenoberflächen des Flüssigkristallanzeigefeldes PNL und der Hintergrundlichteinhiet BLU umgeben und kann an einer hinteren Oberfläche der Hintergrundlichteinheit BLU angeordnet sein. Insbesondere kann der Abdeckungsboden CB in einer viereckigen Rahmenform ausgebildet sein, in der eine Kante davon vertikal gebogen ist. Der Abdeckungsboden CB kann beispielsweise einen horizontalen Abschnitt, der so angeordnet ist, dass er der hinteren Oberfläche der Hintergrundlichteinheit BLU zugewandt ist, und einen vertikalen Abschnitt, der sich vom horizontalen Abschnitt erstreckt, um die Seitenoberflächen des Flüssigkristallanzeigefeldes PNL und der Hintergrundlichteinheit BLU zu bedecken, umfassen.
  • Der Abdeckungsboden CB kann ein Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit und hoher Steifigkeit umfassen, um Wärme problemlos von der Ansteuerschaltung und der Lichtquelle der Hintergrundlichteinheit BLU zur Außenseite abzuführen. Der Abdeckungsboden CB kann beispielsweise als Metallplatte wie z. B. Aluminium, Aluminiumnitrid (AlN), galvanisch verzinktes Eisen (EGI), Edelstahl (SUS), Galvalume (SGLC), mit Aluminium beschichteter Stahl (auch als ALCOSTA bekannt), verzinnter Stahl (SPTE) oder dergleichen hergestellt sein, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt.
  • Obwohl in 2 nicht gezeigt, kann auch eine Polarisationsplatte auf einer vorderen Oberfläche und/oder einer hinteren Oberfläche des Anzeigefeldes PNL angeordnet sein. Die Polarisationsplatte kann beispielsweise auf einer Oberfläche des ersten Substrats 110 angeordnet sein, die zu einer Oberfläche davon entgegengesetzt ist, auf der ein Dünnschichttransistor 120 angeordnet ist, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt.
  • Nachstehend wird das Flüssigkristallanzeigefeld PNL der Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung mit Bezug auf 3 beschrieben. 3 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein Flüssigkristallanzeigefeld der Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Das Flüssigkristallanzeigefeld PNL kann beispielsweise in einem Streufeldschaltverfahren (FFS-Verfahren) angesteuert werden, in dem ein Streufeld, das zwischen einer ersten Elektrode 141, die eine Pixelelektrode ist, und einer zweiten Elektrode 142, die eine gemeinsame Elektrode ist, gebildet wird, einen Schlitz durchdringt und Flüssigkristallmoleküle der Flüssigkristallschicht LC, die auf einem Pixelbereich angeordnet ist, ansteuert, um ein Bild zu implementieren. Als anderes Beispiel kann das Flüssigkristallanzeigefeld PNL in einem ebeneninternen Schaltverfahren (IPS-Verfahren) angesteuert werden, in dem die erste Elektrode 141, die die Pixelelektrode ist, und die zweite Elektrode 142, die die gemeinsame Elektrode ist, parallel angeordnet sind und die Flüssigkristallmoleküle der Flüssigkristallschicht LC durch ein horizontales Feld der ersten Elektrode 141 und der zweiten Elektrode 142 angesteuert werden, um ein Bild anzuzeigen.
  • Mit Bezug auf 3 umfasst das Flüssigkristallanzeigefeld PNL das erste Substrat 110 und das zweite Substrat 150.
  • Der Dünnschichttransistor 120 und verschiedene Leitungen und Elektroden sind auf dem ersten Substrat 110 ausgebildet, um die mehreren Subpixel zu definieren. Farbfilter zum Anzeigen von drei Primärfarben von rot, grün und blau und eine schwarze Matrix zwischen den jeweiligen Subpixeln können auf dem zweiten Substrat 150 ausgebildet sein. Wie in 2 beschrieben, ist das erste Substrat 110 mit dem Dünnschichttransistor 120 mit einer relativen großen Fläche über dem zweiten Substrat 150 mit den Farbfiltern positioniert, so dass die Anzeigevorrichtung 100 eines randlosen Typs implementiert werden kann.
  • Mehrere Gate-Leitungen und Datenleitungen sind so, dass sie einander schneiden, auf dem ersten Substrat 110 angeordnet. Der Dünnschichttransistor 120 ist in einem Schnittbereich der Gate-Leitung und der Datenleitung angeordnet und ist mit der ersten Elektrode 141 verbunden, die im Anzeigebereich DA ausgebildet ist.
  • Der Dünnschichttransistor 120 ist auf dem ersten Substrat 110 angeordnet. Obwohl 3 den Dünnschichttransistor 120 mit einer Rückseitenkanalätzstruktur (BCE-Struktur) darstellt, ist dies nur ein Beispiel und die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt.
  • Eine Pufferschicht kann zwischen dem ersten Substrat 110 und dem Dünnschichttransistor 120 angeordnet sein. Die Pufferschicht blockiert Störstellen, die vom ersten Substrat 110 während eines Prozesses zum Ausbilden eines Dünnschichttransistors eingeführt werden. Außerdem schützt die Pufferschicht verschiedene Komponenten der Anzeigevorrichtung 100 durch Verhindern der Eindringung von Feuchtigkeit (H2O) und Wasserstoff (H2) von außen. Die Pufferschicht kann aus einem Isolationsmaterial ausgebildet sein und die Pufferschicht kann beispielsweise als einzelne Schicht oder Mehrfachschicht aus einer anorganischen Schicht ausgebildet sein, die aus Siliziumnitrid (SiNx), Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumoxynitrid (SiON) ausgebildet ist.
  • Der Dünnschichttransistor 120 kann als Ansteuerelement der Anzeigevorrichtung 100 verwendet werden. Der Dünnschichttransistor 120 umfasst eine Gate-Elektrode 121, eine aktive Schicht 122, eine Source-Elektrode 123 und eine Drain-Elektrode 124.
  • Insbesondere ist die Gate-Elektrode 121, die von der Gate-Leitung abzweigt, auf dem ersten Substrat 110 angeordnet.
  • Die Gate-Elektrode 121 kann aus mehreren Schichten ausgebildet sein und beispielsweise kann die Gate-Elektrode 121 aus einer Doppelschicht mit einer ersten leitfähigen Unterschicht G-sub1 und einer zweiten leitfähigen Unterschicht G-sub2 ausgebildet sein. Wie vorstehend beschrieben, ist in der beispielhaften Ausführungsform die Gate-Elektrode 121 zur ersten leitfähigen Schicht identisch. Folglich weist die erste leitfähige Unterschicht G-sub1 der Gate-Elektrode 121 identische Charakteristiken wie jene der ersten leitfähigen Unterschicht der ersten leitfähigen Schicht, die vorstehend beschrieben ist, auf und die zweite leitfähige Unterschicht G-sub2 der Gate-Elektrode 121 weist identische Charakteristiken wie jene der zweiten leitfähigen Unterschicht der vorstehend beschriebenen ersten leitfähigen Schicht auf. Folglich wird auf doppelte Beschreibungen der ersten leitfähigen Unterschicht G-sub1 und der zweiten leitfähigen Unterschicht G-sub2 der Gate-Elektrode 121 verzichtet.
  • Die erste leitfähige Unterschicht G-sub 1 der Gate-Elektrode 121 kann beispielsweise aus mindestens einem ausgebildet sein, das aus dem vorstehend beschriebenen ersten gering reflektierenden Material, zweiten gering reflektierenden Material und dritten gering reflektierenden Material ausgewählt ist. Vorzugsweise kann die erste leitfähige Unterschicht G-sub 1 der Gate-Elektrode 121 das erste gering reflektierende Material sein und bevorzugter kann sie das erste gering reflektierende Material, einschließlich Mo, MoO2, MoO3, Nb2O5 und ZnO, sein. In diesem Fall ist ein Reflexionsvermögen verringert, während hohe elektrische Charakteristiken der Gate-Elektrode 121 aufrechterhalten werden, so dass die Sichtbarkeit verbessert werden kann.
  • Eine Gate-Isolationsschicht GI ist auf der Gate-Elektrode 121 angeordnet. Die Gate-Isolationsschicht GI ist eine Schicht zum Isolieren der Gate-Elektrode 121 und der aktiven Schicht 122 und kann aus einem Isolationsmaterial ausgebildet sein. Die Gate-Isolationsschicht GI kann beispielsweise aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Die aktive Schicht 122 ist auf der Gate-Elektrode 121 angeordnet, so dass sie mit der Gate-Elektrode 121 überlappt, wobei die Gate-Isolationsschicht GI dazwischen eingefügt ist. Die aktive Schicht 122 kann beispielsweise aus amorphem Silizium, polykristallinem Silizium, einem Oxidhalbleiter oder einem organischen Halbleiter ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Die Source-Elektrode 123 und die Drain-Elektrode 124 sind auf der aktiven Schicht 122 angeordnet. Die Source-Elektrode 123 und die Drain-Elektrode 124 sind auf derselben Schicht so angeordnet, dass sie voneinander beabstandet sind. Die Source-Elektrode 123 kann so angeordnet sein, dass sie ein Ende der aktiven Schicht 122 kontaktiert, und die Drain-Elektrode 124 kann so angeordnet sein, dass sie das andere Ende der aktiven Schicht 122 kontaktiert. In diesem Fall können die Source-Elektrode 123 und die Drain-Elektrode 124 jeweils so angeordnet sein, dass sie die aktive Schicht 122 direkt kontaktieren, oder können die aktive Schicht 122 durch ein Verbindungsmuster hindurch kontaktieren.
  • Jede der Source-Elektrode 123 und der Drain-Elektrode 124 ist aus mehreren Schichten ausgebildet. Die Source-Elektrode 123 kann beispielsweise aus einer Doppelschicht mit einer ersten leitfähigen Unterschicht S-sub 1 und einer zweiten leitfähigen Unterschicht S-sub2 ausgebildet sein. Die Drain-Elektrode 124 kann beispielsweise aus einer Doppelschicht mit einer ersten leitfähigen Unterschicht D-sub 1 und einer zweiten leitfähigen Unterschicht D-sub2 ausgebildet sein. Wie vorstehend beschrieben, sind in der beispielhaften Ausführungsform die Source-Elektrode 123 und die Drain-Elektrode 124 zur zweiten leitfähigen Schicht identisch. Folglich weisen die jeweiligen ersten leitfähigen Unterschichten S-sub 1 und D-sub 1 der Source-Elektrode 123 und der Drain-Elektrode 124 identische Charakteristiken wie jene der ersten leitfähigen Unterschicht der vorstehend beschriebenen zweiten leitfähigen Schicht auf. Die jeweiligen zweiten leitfähigen Unterschichten S-sub2 und D-sub2 der Source-Elektrode 123 und der Drain-Elektrode 124 weisen identische Charakteristiken wie jene der zweiten leitfähigen Unterschicht der vorstehend beschriebenen zweiten leitfähigen Schicht auf. Folglich wird auf doppelte Beschreibungen der ersten leitfähigen Unterschicht S-sub 1 und der zweiten leitfähigen Unterschicht S-sub2 der Source-Elektrode 123 und der ersten leitfähigen Unterschicht D-sub 1 und der zweiten leitfähigen Unterschicht D-sub2 der Drain-Elektrode 124 verzichtet.
  • Jede der ersten leitfähigen Unterschicht S-sub 1 der Source-Elektrode 123 und der ersten leitfähigen Unterschicht D-sub 1 der Drain-Elektrode 124 kann aus dem zweiten gering reflektierenden Material oder dem dritten gering reflektierenden Material ausgebildet sein.
  • Wenn die erste leitfähige Unterschicht S-sub1 der Source-Elektrode 123 und die erste leitfähige Unterschicht D-sub 1 der Drain-Elektrode 124 aus dem ersten gering reflektierenden Material ausgebildet sind, nimmt der Kontaktwiderstand zwischen der aktiven Schicht 122 und der Source-Elektrode 123 und der Drain-Elektrode 124 zu, so dass die Leistung des Dünnschichttransistors 120 verschlechtert werden kann. Folglich können die ersten leitfähigen Unterschichten S-sub 1 und D-sub 1 der Source-Elektrode 123 und der Drain-Elektrode 124 aus dem zweiten gering reflektierenden Material oder dem dritten gering reflektierenden Material ausgebildet sein, das in der Lage ist, einen niedrigen Kontaktwiderstand mit der aktiven Schicht 122 aufrechtzuerhalten.
  • Der spezifische Widerstand der ersten leitfähigen Unterschicht G-sub 1 der Gate-Elektrode 121, die aus dem ersten gering reflektierenden Material ausgebildet ist, kann beispielsweise 1 × 10-2 Ω bis 6 × 10-2 Ω sein und der spezifische Widerstand von jeder der ersten leitfähigen Unterschichten S-sub 1 und D-sub 1 der Source-Elektrode 123 und der Drain-Elektrode 124, die aus dem zweiten gering reflektierenden Material oder dem dritten gering reflektierenden Material ausgebildet sind, kann 1 × 10-3 Ω bis 6 × 10-3 Ω sein, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt.
  • Vorzugsweise kann die erste leitfähige Unterschicht G-sub1 der Gate-Elektrode 121 aus dem ersten gering reflektierenden Material ausgebildet sein und die jeweiligen ersten leitfähigen Unterschichten S-sub 1 und D-sub 1 der Source-Elektrode 123 und der Drain-Elektrode 124 können aus dem zweiten gering reflektierenden Material oder dem dritten gering reflektierenden Material ausgebildet sein. In diesem Fall ist der Widerstand von jeder der ersten leitfähigen Unterschichten S-sub 1 und D-sub 1 der Source-Elektrode 123 und der Drain-Elektrode 124 kleiner als der Widerstand der ersten leitfähigen Unterschicht G-sub 1 der Gate-Elektrode 121. Folglich wird der Kontaktwiderstand zwischen der aktiven Schicht 122 und der Source-Elektrode 123 und der Drain-Elektrode 124 niedrig gehalten, so dass ein Reflexionsvermögen der Anzeigevorrichtung 100 verringert wird, ohne die Leistung des Dünnschichttransistors 120 zu verschlechtern, und somit kann die Sichtbarkeit stark verbessert werden.
  • Eine Passivierungsschicht 131 ist auf der Source-Elektrode 123 und der Drain-Elektrode 124 angeordnet. Die Passivierungsschicht 131 ist eine Isolationsschicht zum Schützen von Komponenten unter der Passivierungsschicht 131. Die Passivierungsschicht 131 kann aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) bestehen, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Eine Planarisierungsschicht 132 ist auf der Passivierungsschicht 131 angeordnet. Die Planarisierungsschicht 132 ist eine Isolationsschicht, die einen oberen Abschnitt des ersten Substrats 110 planarisiert, auf dem der Dünnschichttransistor 120 angeordnet ist. Die Planarisierungsschicht 132 kann aus einem organischen Material ausgebildet sein und kann beispielsweise aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten aus Polyimid oder Photoacryl bestehen, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt. Die Planarisierungsschicht 132 kann ein Kontaktloch zum elektrischen Verbinden des Dünnschichttransistors 120 und der ersten Elektrode 141 umfassen.
  • Die zweite Elektrode 142, die eine gemeinsame Elektrode ist, ist auf der Planarisierungsschicht 132 ausgebildet. Die zweite Elektrode 142 ist mit einer gemeinsamen Leitung elektrisch verbunden. Die zweite Elektrode 142 besteht aus einer großen Elektrode und wird von den Subpixeln SP gemeinsam verwendet. In einigen Ausführungsformen kann die zweite Elektrode 142 aus mehreren gemeinsamen Elektrodenblöcken bestehen. In diesem Fall können die gemeinsamen Elektrodenblöcke als Berührungselektroden eines Berührungselements vom kapazitiven Typ funktionieren und die Anzeigevorrichtung 100 kann als Anzeigevorrichtung implementiert werden, in die das Berührungselement eingebettet ist.
  • Die zweite Elektrode 142 kann beispielsweise aus einem transparenten leitfähigen Material ausgebildet sein. Das transparente leitfähige Material kann beispielsweise Zinnoxid (TO), Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO), Indiumzinnzinkoxid (ITZO) oder dergleichen umfassen, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Eine Schutzschicht 133 ist auf der zweiten Elektrode 142 angeordnet. Die Schutzschicht 133 ist eine Schicht zum Isolieren der zweiten Elektrode 142 und der ersten Elektrode 141 und kann aus einem anorganischen Isolationsmaterial oder einem organischen Isolationsmaterial ausgebildet sein. Die Schutzschicht 133 kann beispielsweise aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) bestehen, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Die erste Elektrode 141 ist auf der Schutzschicht 133 angeordnet. Die erste Elektrode 141 ist mit der Drain-Elektrode 124 durch Kontaktlöcher elektrisch verbunden, die die Schutzschicht 133, die Planarisierungsschicht 132 und die Passivierungsschicht 131 durchdringen. In 3 ist die erste Elektrode 141 als mit der Drain-Elektrode 124 des Dünnschichttransistors 120 in Kontakt gezeigt, aber in einigen Ausführungsformen kann die erste Elektrode 141 die Source-Elektrode 123 des Dünnschichttransistors 120 kontaktieren.
  • Die erste Elektrode 141 kann beispielsweise aus einem transparenten leitfähigen Material ausgebildet sein. Das transparente leitfähige Material kann beispielsweise Zinnoxid (TO), Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO), Indiumzinnzinkoxid (ITZO) und dergleichen umfassen, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Wenn eine Spannung an die erste Elektrode 141 durch den Dünnschichttransistor 120 angelegt wird, drehen sich die Flüssigkristallmoleküle der Flüssigkristallschicht LC aufgrund von dielektrischer Anisotropie durch ein elektrisches Feld, das an der ersten Elektrode 141 und der zweiten Elektrode 142 gebildet wird. Ein Durchlassgrad von Licht, das den Anzeigebereich durchdringt, wird gemäß einem Rotationsgrad von Flüssigkristallen geändert. Folglich kann die Menge an Lichtemission der Subpixel SP gesteuert werden.
  • Das zweite Substrat 150 ist so angeordnet, dass es dem ersten Substrat 110 zugewandt ist. Das zweite Substrat 150 ist eine Komponente zum Abstützen von Komponenten, die auf dem Substrat angeordnet sind, und kann aus einem Isolationsmaterial ausgebildet sein. Das zweite Substrat 150 kann beispielsweise aus einem Glassubstrat oder einem Kunststoffsubstrat wie z. B. Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN) oder Polyimid ausgebildet sein.
  • Das zweite Substrat 150 ist ein Substrat mit einer Farbfilterschicht und der schwarzen Matrix. Die schwarze Matrix kann auf dem zweiten Substrat 150 so angeordnet sein, dass sie mit dem Dünnschichttransistor 120, den Gate-Leitungen und den Datenleitungen des ersten Substrats 110 überlappt. Die schwarze Matrix kann aus einem opaken organischen Material ausgebildet sein und kann beispielsweise schwarzes Harz umfassen. Der Dünnschichttransistor 120, die Gate-Leitungen und die Datenleitungen können durch die schwarze Matrix bedeckt sein. Ein Bereich, in dem die schwarze Matrix nicht angeordnet ist, ist ein Öffnungsbereich und entspricht einem Bereich des Subpixels SP, durch den Licht durchgelassen wird. Die Farbfilterschicht umfasst mehrere Farbfilter, die Licht mit verschiedenen Wellenlängen durchlassen. Die Farbfilter können beispielsweise aus roten, grünen und blauen Farbfiltern mit roten, grünen und blauen Pigmenten bestehen. Rote, grüne und blaue Farben können durch Absorbieren oder Durchlassen von Licht mit spezifischen Wellenlängen unter Verwendung der Farbfilter ausgedrückt werden.
  • Ein Abstandhalter SPC ist zwischen dem ersten Substrat 110 und dem zweiten Substrat 150 angeordnet, um einen Spalt zwischen dem ersten Substrat 110 und dem zweiten Substrat 150 aufrechtzuerhalten. Die Flüssigkristallschicht LC ist im Spalt zwischen dem ersten Substrat 110 und dem zweiten Substrat 150 angeordnet, der durch den Abstandhalter SPC gebildet ist. Die Flüssigkristallschicht LC ist eine Schicht mit Flüssigkristallen und in der Lage, Licht durch ein elektrisches Feld durchzulassen oder zu blockieren. Insbesondere ändert die Flüssigkristallschicht LC den Lichtdurchlassgrad durch ein elektrisches Feld, das durch die erste Elektrode 141 und die zweite Elektrode 142 erzeugt wird, um ein Bild anzuzeigen.
  • Mehrere Kontaktstelleneinheiten PAD1 und PAD2 sind auf dem ersten Substrat 110 entsprechend dem Nicht-Anzeige-Bereich NDA angeordnet. Eine erste Kontaktstelleneinheit PAD1 und eine zweite Kontaktstelleneinheit PAD2 sind beispielsweise auf dem ersten Substrat 110 entsprechend dem Nicht-Anzeige-Bereich NDA angeordnet. Die erste Kontaktstelleneinheit PAD1 ist auf dem ersten Substrat 110 so, dass sie dem Nicht-Anzeige-Bereich NDA entspricht, benachbart zum Anzeigebereich DA angeordnet. Die zweite Kontaktstelleneinheit PAD2 ist außerhalb der ersten Kontaktstelleneinheit PAD1 so angeordnet, dass sie zur ersten Kontaktstelleneinheit PAD1 benachbart ist.
  • Die erste Kontaktstelleneinheit PAD1 kann beispielsweise eine Datenkontaktstelleneinheit sein. Die erste Kontaktstelleneinheit PAD1 umfasst eine erste Datenkontaktstellenelektrode 161 und eine zweite Datenkontaktstellenelektrode 162. Die erste Datenkontaktstellenelektrode 161 ist auf der Gate-Isolationsschicht GI angeordnet. Die erste Datenkontaktstellenelektrode 161 kann durch denselben Prozess wie die Source-Elektrode 123 und die Drain-Elektrode 124 ausgebildet werden. Folglich ist die erste Datenkontaktstellenelektrode 161 aus demselben Material wie die Source-Elektrode 123 und die Drain-Elektrode 124 ausgebildet. Wie vorstehend beschrieben, ist in der beispielhaften Ausführungsform die zweite leitfähige Schicht die Source-Elektrode 123 und die Drain-Elektrode 124. Folglich weist die erste Datenkontaktstellenelektrode 161, die aus demselben Material durch denselben Prozess wie die Source-Elektrode 123 und die Drain-Elektrode 124 ausgebildet wird, auch identische Charakteristiken wie jene der vorstehend beschriebenen zweiten leitfähigen Schicht auf.
  • Die erste Datenkontaktstellenelektrode 161 umfasst beispielsweise eine erste leitfähige Unterschicht DP-sub 1 und eine zweite leitfähige Unterschicht DP-sub2. Die erste leitfähige Unterschicht DP-sub 1 der ersten Datenkontaktstellenelektrode 161 weist identische Charakteristiken wie jene der ersten leitfähigen Unterschichten S-sub1 und D-sub1 der Source-Elektrode 123 und der Drain-Elektrode 124 auf und die zweite leitfähige Unterschicht DP-sub2 der ersten Datenkontaktstellenelektrode 161 weist identische Charakteristiken wie jene der zweiten leitfähigen Unterschichten S-sub2 und D-sub2 der Source-Elektrode 123 und der Drain-Elektrode 124 auf. Folglich wird auf doppelte Beschreibungen der ersten leitfähigen Unterschicht DP-sub 1 und der zweiten leitfähigen Unterschicht DP-sub2 der ersten Datenkontaktstellenelektrode 161 verzichtet.
  • In einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann, da die erste leitfähige Unterschicht DP-sub 1 der ersten Datenkontaktstellenelektrode 161 aus dem zweiten gering reflektierenden Material oder dem dritten gering reflektierenden Material, die vorstehend beschrieben sind, ausgebildet ist, ein Reflexionsvermögen weiter verringert werden und folglich kann die Sichtbarkeit der Anzeigevorrichtung 100 weiter verbessert werden.
  • Die zweite Datenkontaktstellenelektrode 162 ist auf der ersten Datenkontaktstellenelektrode 161 angeordnet. Die zweite Datenkontaktstellenelektrode 162 ist auf der Schutzschicht 133 so angeordnet, dass sie mit der ersten Datenkontaktstellenelektrode 161 in Kontakt steht, die durch Kontaktlöcher freiliegt, die die Passivierungsschicht 131 und die Schutzschicht 133 durchdringen. Die zweite Datenkontaktstellenelektrode 162 kann durch denselben Prozess wie die erste Elektrode 141 ausgebildet werden, die die Pixelelektrode ist. Folglich ist die zweite Datenkontaktstellenelektrode 162 aus demselben Material wie die erste Elektrode 141 ausgebildet.
  • Die zweite Kontaktstelleneinheit PAD2 kann beispielsweise eine Gate-Kontaktstelleneinheit sein. Die zweite Kontaktstelleneinheit PAD2 umfasst eine erste Gate-Kontaktstellenelektrode 171, eine Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 173 und eine zweite Gate-Kontaktstellenelektrode 172.
  • Die erste Gate-Kontaktstellenelektrode 171 ist auf dem ersten Substrat 110 angeordnet. Die erste Gate-Kontaktstellenelektrode 171 kann durch denselben Prozess wie die Gate-Elektrode 121 ausgebildet werden. Folglich ist die erste Gate-Kontaktstellenelektrode 171 aus demselben Material wie die Gate-Elektrode 121 ausgebildet. Wie vorstehend beschrieben, ist in der beispielhaften Ausführungsform die erste leitfähige Schicht die Gate-Elektrode 121. Folglich weist die erste Gate-Kontaktstellenelektrode 171, die aus demselben Material durch denselben Prozess wie die Gate-Elektrode 121 ausgebildet wird, auch identische Charakteristiken wie jene der vorstehend beschriebenen ersten leitfähigen Schicht auf.
  • Die erste Gate-Kontaktstellenelektrode 171 umfasst beispielsweise eine erste leitfähige Unterschicht GP-sub1 und eine zweite leitfähige Unterschicht GP-sub2. Die erste leitfähige Unterschicht GP-sub1 der ersten Gate-Kontaktstellenelektrode 171 weist identische Charakteristiken wie jene der ersten leitfähigen Unterschicht G-sub1 der Gate-Elektrode 121 und auf und die zweite leitfähige Unterschicht GP-sub2 der ersten Gate-Kontaktstellenelektrode 171 weist identische Charakteristiken wie jene der zweiten leitfähigen Unterschicht G-sub2 der Gate-Elektrode 121 auf. Folglich wird auf doppelte Beschreibungen der ersten leitfähigen Unterschicht GP-sub 1 und der zweiten leitfähigen Unterschicht GP-sub2 der ersten Gate-Kontaktstellenelektrode 171 verzichtet.
  • In einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann, da die erste leitfähige Unterschicht GP-sub 1 der ersten Gate-Kontaktstellenelektrode 171 das erste gering reflektierende Material, das zweite gering reflektierende Material und/oder das dritte gering reflektierende Material, die vorstehend beschrieben sind, umfasst, ein Reflexionsvermögen weiter verringert werden und folglich kann die Sichtbarkeit der Anzeigevorrichtung 100 weiter verbessert werden.
  • The Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 173 ist auf der ersten Gate-Kontaktstellenelektrode 171 angeordnet. Die Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 173 ist auf der Gate-Isolationsschicht GI angeordnet, um die erste Gate-Kontaktstellenelektrode 171 zu kontaktieren, die durch ein Kontaktloch freiliegt, das die Gate-Isolationsschicht GI durchdringt.
  • Die Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 173 kann durch denselben Prozess wie die Source-Elektrode 123, die Drain-Elektrode 124 und die erste Datenkontaktstellenelektrode 161 ausgebildet werden. Das heißt, die Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 173 ist aus demselben Material wie die Source-Elektrode 123, die Drain-Elektrode 124 und die erste Datenkontaktstellenelektrode 161 ausgebildet.
  • Die Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 173 umfasst eine erste leitfähige Unterschicht CE-sub 1 und eine zweite leitfähige Unterschicht CE-sub 1. Die erste leitfähige Unterschicht CE-sub1 der Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 173 weist identische Charakteristiken wie jene der Source-Elektrode 123, der Drain-Elektrode 124 und der ersten leitfähigen Unterschicht DP-sub1 der ersten Datenkontaktstellenelektrode 161 auf. Die zweite leitfähige Unterschicht CE-sub2 der Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 173 weist identische Charakteristiken wie jene der Source-Elektrode 123, der Drain-Elektrode 124 und der zweiten leitfähigen Unterschicht DP-sub2 der ersten Datenkontaktstellenelektrode 161 auf. Folglich wird auf doppelte Beschreibungen der ersten leitfähigen Unterschicht CE-sub 1 und der zweiten leitfähigen Unterschicht CE-sub2 der Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 173 verzichtet.
  • In einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann, da die erste leitfähige Unterschicht CE-sub 1 der Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 173 das zweite gering reflektierende Material und/oder das dritte gering reflektierende Material, die vorstehend beschrieben sind, umfasst, ein Reflexionsvermögen weiter verringert werden und folglich kann die Sichtbarkeit der Anzeigevorrichtung 100 weiter verbessert werden.
  • 3 zeigt, dass die Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 173 enthalten ist, in einigen Ausführungsformen kann die Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 173 weggelassen werden. Wenn die Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 173 nicht enthalten ist, sollten Kontaktlöcher ausgebildet werden, so dass sie durch die Gate-Isolationsschicht GI, die Passivierungsschicht 131 und den Schutz 133 hindurchgehen, so dass die erste Gate-Kontaktstellenelektrode 171 und die zweite Gate-Kontaktstellenelektrode 172 miteinander in Kontakt kommen. In einem Prozess zum Ausbilden der Kontaktlöcher, die die drei Schichten durchdringen, wie vorstehend beschrieben, können periphere Komponenten beschädigt werden und die Prozesseffizienz kann verringert werden. Wenn jedoch ein Defekt in dem Prozess, wie vorstehend beschrieben, in Abhängigkeit von Entwürfen des Dünnschichttransistors und der Kontaktstelleneinheit nicht verursacht wird, kann die Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 173 weggelassen werden.
  • Die zweite Gate-Kontaktstellenelektrode 172 ist auf der Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 173 angeordnet. The zweite Gate-Kontaktstellenelektrode 172 ist auf der Schutzschicht 133 so angeordnet, dass sie mit der Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 173 in Kontakt steht, die durch Kontaktlöcher freiliegt, die die Passivierungsschicht 131 und die Schutzschicht 133 durchdringen.
  • Die zweite Gate-Kontaktstellenelektrode 172 kann durch denselben Prozess wie die erste Elektrode 141 ausgebildet werden, die die Pixelelektrode ist. Folglich ist die zweite Gate-Kontaktstellenelektrode 172 aus demselben Material wie die erste Elektrode 141 ausgebildet.
  • Obwohl 3 nur die erste Kontaktstelleneinheit PAD1 als Datenkontaktstelleneinheit und die zweite Kontaktstelleneinheit PAD2 als Gate-Kontaktstelleneinheit zeigt, kann eine Berührungskontaktstelleneinheit ferner enthalten sein und Kontaktstellenelektroden, die die Kontaktstelleneinheiten bilden, können eine Schicht umfassen, die aus dem ersten gering reflektierenden Material, dem zweiten gering reflektierenden Material oder dem dritten gering reflektierenden Material, die vorstehend beschrieben sind, ausgebildet ist.
  • In der Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfassen die Gate-Elektrode 121 und die erste Gate-Kontaktstellenelektrode 171 die ersten leitfähigen Unterschichten G-sub 1 bzw. GP-sub 1, die aus dem ersten gering reflektierenden Material, dem zweiten gering reflektierenden Material und/oder dem dritten gering reflektierenden Material, die vorstehend beschrieben sind, ausgebildet sind. Außerdem umfassen die Source-Elektrode 123, die Drain-Elektrode 124, die erste Datenkontaktstellenelektrode 161 und die Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 173 die ersten leitfähigen Unterschichten S-sub 1, D-sub 1, DP-sub 1 bzw. CE-sub 1, die aus einem des zweiten gering reflektierenden Materials und des dritten gering reflektierenden Materials ausgebildet sind. Folglich wird die Reflektivität aufgrund von Metallschichten mit hohen Reflexionsvermögen minimiert und somit kann die Sichtbarkeit stark verbessert werden.
  • Wie vorstehend beschrieben, kann in einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die erste leitfähige Schicht eine Lichtsperrschicht sein und die zweite leitfähige Schicht kann eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode sein. Nachstehend wird eine andere beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, in der die erste leitfähige Schicht die Lichtsperrschicht ist und die zweite leitfähige Schicht die Gate-Elektrode, die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode ist, mit Bezug auf 4 beschrieben.
  • 4 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein Flüssigkristallanzeigefeld einer Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. In der beispielhaften Ausführungsform wird wegen der Zweckmäßigkeit der Erläuterung die Anzeigevorrichtung als Flüssigkristallanzeigevorrichtung als Beispiel beschrieben, aber die Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf die Flüssigkristallanzeigevorrichtung begrenzt. Außerdem sind andere Konfigurationen einer Anzeigevorrichtung 200 gemäß der beispielhaften Ausführungsform, die in 4 gezeigt ist, identisch zu jenen der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform, die in 1 bis 3 dargestellt ist, abgesehen vom Flüssigkristallanzeigefeld PNL. Folglich wird auf doppelte Beschreibungen verzichtet.
  • Mit Bezug auf 4, ist eine Lichtsperrschicht LS auf dem ersten Substrat 110 angeordnet. Die Lichtsperrschicht LS ist angeordnet, um eine Beschädigung an einem Dünnschichttransistor 220, insbesondere eine Beschädigung an einer aktiven Schicht 222, durch Sperren von Licht wie z. B. Ultraviolettlicht, das von außerhalb der Anzeigevorrichtung einfällt, zu verhindern. Folglich ist die Lichtsperrschicht LS so angeordnet, dass sie mit dem Dünnschichttransistor 220 überlappt.
  • Der Dünnschichttransistor 120, der in 3 gezeigt ist, weist eine Struktur auf, in der die Gate-Elektrode 121 auf dem ersten Substrat 110 angeordnet ist und die aktive Schicht 122 auf der Gate-Elektrode 121 angeordnet ist. Im Gegensatz dazu ist der in 4 gezeigte Dünnschichttransistor 220 ein Dünnschichttransistor einer koplanaren Struktur, in der eine Gate-Elektrode 221 auf der aktiven Schicht 222 angeordnet ist. Folglich kann die aktive Schicht 222 durch Ultraviolettlicht beschädigt werden, das vom ersten Substrat 110 einfällt. Die Lichtsperrschicht LS ist zwischen dem ersten Substrat 110 und der aktiven Schicht 222 angeordnet, um eine Beschädigung an der aktiven Schicht 222 durch Ultraviolettlicht zu verhindern.
  • Die Lichtsperrschicht LS ist aus mehreren Schichten ausgebildet und beispielsweise kann die Lichtsperrschicht LS aus einer Doppelschicht mit einer ersten leitfähigen Unterschicht LS-sub 1 und einer zweiten leitfähigen Unterschicht LS-sub2 ausgebildet sein. Wie vorstehend beschrieben, ist in der beispielhaften Ausführungsform die Lichtsperrschicht LS zur ersten leitfähigen Schicht identisch. Folglich weist die erste leitfähige Unterschicht LS-sub1 der Lichtsperrschicht LS identische Charakteristiken wie jene der ersten leitfähigen Unterschicht der ersten leitfähigen Schicht, die vorstehend beschrieben ist, auf und die zweite leitfähige Unterschicht LS-sub2 der Lichtsperrschicht LS weist identische Charakteristiken wie jene der zweiten leitfähigen Unterschicht der ersten leitfähigen Schicht, die vorstehend beschrieben ist, auf. Folglich sind die erste leitfähige Unterschicht LS-sub1 und die zweite leitfähige Unterschicht LS-sub2 der Lichtsperrschicht LS zur ersten leitfähigen Unterschicht und zur zweiten leitfähigen Unterschicht der ersten leitfähigen Schicht, die vorstehend beschrieben ist, identisch. Daher wird auf doppelte Erläuterungen verzichtet.
  • Die erste leitfähige Unterschicht LS-sub 1 der Lichtsperrschicht LS kann beispielsweise aus mindestens einem ausgebildet sein, das aus dem vorstehend beschriebenen ersten gering reflektierenden Material, dem zweiten gering reflektierenden Material und dem dritten gering reflektierenden Material ausgewählt ist. Vorzugsweise kann die erste leitfähige Unterschicht LS-sub1 der Lichtsperrschicht LS das erste gering reflektierende Material sein. Das erste gering reflektierende Material weist einen relativ überlegenen Effekt der Verringerung eines Reflexionsvermögens im Vergleich zum zweiten gering reflektierenden Material und zum dritten gering reflektierenden Material auf, so dass die Sichtbarkeit weiter verbessert werden kann. Bevorzugter kann die erste leitfähige Unterschicht LS-sub 1 der Lichtsperrschicht LS das erste gering reflektierende Material mit Mo, MoO2, MoO3, Nb2O5 und ZnO sein. In diesem Fall ist, während die Beschädigung an der aktiven Schicht 222 durch Licht minimiert ist, das Reflexionsvermögen verringert, so dass die Sichtbarkeit verbessert werden kann.
  • Eine Pufferschicht BUF ist auf der Lichtsperrschicht LS angeordnet. Die Pufferschicht BUF isoliert die Lichtsperrschicht LS und den Dünnschichttransistor 220. Außerdem sperrt die Pufferschicht BUF Störstellen, die vom ersten Substrat 110 und von der Lichtsperrschicht LS während eines Prozesses der Ausbildung eines Dünnschichttransistors eingeführt werden, und verhindert eine Beschädigung an der Lichtsperrschicht LS. Die Pufferschicht BUF kann aus einem Isolationsmaterial ausgebildet sein und die Pufferschicht BUF kann beispielsweise als einzelne Schicht oder Mehrfachschicht aus einer anorganischen Schicht, die aus Siliziumnitrid (SiNx), Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumoxynitrid (SiON) ausgebildet ist, ausgebildet sein.
  • Der Dünnschichttransistor 220 ist auf der Pufferschicht BUF angeordnet. Der Dünnschichttransistor 220 umfasst die aktive Schicht 222, die Gate-Elektrode 221, eine Source-Elektrode 223 und eine Drain-Elektrode 224.
  • Die aktive Schicht 222 ist auf der Pufferschicht BUF so angeordnet, dass sie der Lichtsperrschicht LS entspricht. Die aktive Schicht 222 kann beispielsweise aus amorphem Silizium, polykristallinem Silizium, einem Oxidhalbleiter oder einem organischen Halbleiter ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Die Gate-Isolationsschicht GI ist auf der aktiven Schicht 222 angeordnet. Die Gate-Isolationsschicht GI ist eine Schicht zum Isolieren der aktiven Schicht 222 und der Gate-Elektrode 221 und kann so angeordnet sein, dass sie mit einem Kanalbereich der aktiven Schicht 222 überlappt. Die aktive Schicht 222 kann aus einem Isolationsmaterial ausgebildet sein. Die Gate-Isolationsschicht GI kann beispielsweise aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) bestehen, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Die Gate-Elektrode 221 ist auf der Gate-Isolationsschicht GI angeordnet. Die Gate-Elektrode 221 besteht aus mehreren Schichten. Die Gate-Elektrode 221 kann beispielsweise aus einer Doppelschicht mit der ersten leitfähigen Unterschicht G-sub 1 und der zweiten leitfähigen Unterschicht G-sub2 ausgebildet sein. Wie vorstehend beschrieben, ist in der beispielhaften Ausführungsform die Gate-Elektrode 221 zur zweiten leitfähigen Schicht identisch. Folglich weist die erste leitfähige Unterschicht G-sub1 der Gate-Elektrode 221 identische Charakteristiken wie jene der ersten leitfähigen Unterschicht der zweiten leitfähigen Schicht, die vorstehend beschrieben ist, auf und die zweite leitfähige Unterschicht G-sub2 der Gate-Elektrode 221 weist identische Charakteristiken wie jene der zweiten leitfähigen Unterschicht der zweiten leitfähigen Schicht, die vorstehend beschrieben ist, auf. Folglich sind die erste leitfähige Unterschicht G-sub1 und die zweite leitfähige Unterschicht G-sub2 der Gate-Elektrode 221 zur ersten leitfähigen Unterschicht und zur zweiten leitfähigen Unterschicht der vorstehend beschriebenen zweiten leitfähigen Schicht identisch. Daher wird auf doppelte Erläuterungen verzichtet.
  • Die erste leitfähige Unterschicht G-sub1 der Gate-Elektrode 221 kann beispielsweise aus mindestens einem ausgebildet sein, das aus dem vorstehend beschriebenen zweiten gering reflektierenden Material und dem dritten gering reflektierenden Material ausgewählt ist. Vorzugsweise kann die erste leitfähige Unterschicht G-sub1 der Gate-Elektrode 221 das zweite gering reflektierende Material, das aus einer Kombination von Mo, In2O3 und SnO2 ausgebildet ist, oder das dritte gering reflektierende Material, das aus einer Kombination von MoO2, In2O3 und SnO2 ausgebildet ist, sein. In diesem Fall kann das zweite gering reflektierende Material ferner mindestens eines, das aus ZnO und MoO2 ausgewählt ist, als Dotierungsmaterial umfassen, wahlweise wie erforderlich. Außerdem kann das dritte gering reflektierende Material ferner mindestens eines, das aus ZnO und Mo ausgewählt ist, als Dotierungsmaterial umfassen, wahlweise wie erforderlich.
  • Die Source-Elektrode 223 und die Drain-Elektrode 224 sind angeordnet, um Enden der aktiven Schicht 222 zu kontaktieren, die freiliegen, ohne durch die Gate-Isolationsschicht GI bedeckt zu sein. Die Source-Elektrode 223 kann beispielsweise ein Ende der aktiven Schicht 222 kontaktieren und die Drain-Elektrode 224 kann das andere Ende der aktiven Schicht 222 kontaktieren. In diesem Fall können die Source-Elektrode 223 und die Drain-Elektrode 224 jeweils angeordnet sein, um direkt die aktive Schicht 222 zu kontaktieren, oder können die aktive Schicht 222 durch ein Verbindungsmuster hindurch kontaktieren.
  • Jede der Source-Elektrode 223 und der Drain-Elektrode 224 ist aus mehreren Schichten ausgebildet. Die Source-Elektrode 223 kann beispielsweise aus einer Doppelschicht mit der ersten leitfähigen Unterschicht S-sub 1 und der zweiten leitfähigen Unterschicht S-sub2 ausgebildet sein. Die Drain-Elektrode 224 kann beispielsweise aus einer Doppelschicht mit der ersten leitfähigen Unterschicht D-sub 1 und der zweiten leitfähigen Unterschicht D-sub2 ausgebildet sein. Wie vorstehend beschrieben, sind in der beispielhaften Ausführungsform die Source-Elektrode 223 und die Drain-Elektrode 224 zur zweiten leitfähigen Schicht identisch. Folglich weisen die jeweiligen leitfähigen Unterschichten S-sub 1 und D-sub 1 der Source-Elektrode 223 und der Drain-Elektrode 224 identische Charakteristiken wie jene der ersten leitfähigen Unterschicht der vorstehend beschriebenen zweiten leitfähigen Schicht auf und die jeweiligen zweiten leitfähigen Unterschichten S-sub2 und D-sub2 der Source-Elektrode 223 und der Drain-Elektrode 224 weisen identische Charakteristiken wie jene der zweiten leitfähigen Unterschicht der vorstehend beschriebenen zweiten leitfähigen Schicht auf. Folglich wird auf doppelte Beschreibungen hinsichtlich der ersten leitfähigen Unterschicht S-sub 1 und der zweiten leitfähigen Unterschicht S-sub2 der Source-Elektrode 223 und der ersten leitfähigen Unterschicht D-sub 1 und der zweiten leitfähigen Unterschicht D-sub2 der Drain-Elektrode 224 verzichtet.
  • Die j eweiligen ersten leitfähigen Unterschichten S-sub 1 und D-sub 1 der Source-Elektrode 223 und der Drain-Elektrode 224 können aus einem Material ausgebildet sein, das aus dem vorstehend beschriebenen zweiten gering reflektierenden Material und dritten gering reflektierenden Material ausgewählt ist. Vorzugsweise können die jeweiligen ersten leitfähigen Unterschichten S-sub 1 und D-sub 1 der Source-Elektrode 223 und der Drain-Elektrode 224 das zweite gering reflektierende Material, das aus einer Kombination von Mo, In2O3 und SnO2 ausgebildet ist, oder das dritte gering reflektierende Material, das aus einer Kombination von MoO2, In2O3 und SnO2 ausgebildet ist, sein. In diesem Fall kann das zweite gering reflektierende Material ferner mindestens eines, das aus ZnO und MoO2 ausgewählt ist, als Dotierungsmaterial umfassen, wahlweise wie erforderlich. Außerdem kann das dritte gering reflektierende Material ferner mindestens eines, das aus ZnO und Mo ausgewählt ist, als Dotierungsmaterial umfassen, wahlweise wie erforderlich.
  • Die Source-Elektrode 223 und die Drain-Elektrode 224 können durch denselben Prozess wie die Gate-Elektrode 221 ausgebildet werden. Folglich können die jeweiligen ersten leitfähigen Unterschichten S-sub 1 und D-sub 1 der Source-Elektrode 223 und der Drain-Elektrode 224 aus demselben Material wie die erste leitfähige Unterschicht G-sub 1 der Gate-Elektrode 221 ausgebildet sein. Die jeweiligen zweiten leitfähigen Unterschichten S-sub2 und D-sub2 der Source-Elektrode 223 und der Drain-Elektrode 224 können aus demselben Material wie die zweite leitfähige Unterschicht G-sub2 der Gate-Elektrode 221 ausgebildet sein.
  • Gemäß der beispielhaften Ausführungsform können die jeweiligen ersten leitfähigen Unterschichten G-sub 1, S-sub 1 und D-sub 1 der Gate-Elektrode 221, der Source-Elektrode 223 und der Drain-Elektrode 224 aus dem zweiten gering reflektierenden Material oder dem dritten gering reflektierenden Material ausgebildet sein. Wenn in der beispielhaften Ausführungsform die jeweiligen ersten leitfähigen Unterschichten G-sub 1, S-sub 1 und D-sub 1 der Gate-Elektrode 221, der Source-Elektrode 223 und der Drain-Elektrode 224 aus dem ersten gering reflektierenden Material ausgebildet sind, nimmt der Kontaktwiderstand zwischen der aktiven Schicht 222 und der Source-Elektrode 223 und der Drain-Elektrode 224 zu und folglich kann die Leistung des Dünnschichttransistors 220 verschlechtert werden. Um die Prozesszweckmäßigkeit und hohe Elementcharakteristiken des Dünnschichttransistors aufrechtzuerhalten, können die jeweiligen ersten leitfähigen Unterschichten G-sub 1, S-sub 1 und D-sub 1 der Gate-Elektrode 221, der Source-Elektrode 223 und der Drain-Elektrode 224 aus dem zweiten gering reflektierenden Material oder dem dritten gering reflektierenden Material ausgebildet sein.
  • Vorzugsweise kann die erste leitfähige Unterschicht LS-sub 1 der Lichtsperrschicht LS beispielsweise aus dem ersten gering reflektierenden Material ausgebildet sein und die jeweiligen ersten leitfähigen Unterschichten G-sub 1, S-sub 1 und D-sub 1 der Gate-Elektrode 221, der Source-Elektrode 223 und der Drain-Elektrode 224 können aus dem zweiten gering reflektierenden Material oder dem dritten gering reflektierenden Material ausgebildet sein. In diesem Fall ist ein Widerstand von jeder der ersten leitfähigen Unterschichten G-sub 1, S-sub 1 und D-sub 1 der Gate-Elektrode 221, der Source-Elektrode 223 und der Drain-Elektrode 224 kleiner als ein Widerstand der ersten leitfähigen Unterschicht LS-sub 1 der Lichtsperrschicht LS. In diesem Fall kann durch starkes Verringern des Reflexionsvermögens des Anzeigefeldes PNL, während hohe Elementcharakteristiken des Dünnschichttransistors 220 aufrechterhalten werden, die Anzeigequalität wie z. B. die Sichtbarkeit stark verbessert werden.
  • Die Passivierungsschicht 131 ist auf der Gate-Elektrode 221, der Source-Elektrode 223 und der Drain-Elektrode 224 angeordnet. Die Passivierungsschicht 131 ist eine Isolationsschicht zum Schützen von Komponenten unter der Passivierungsschicht 131. Die Passivierungsschicht 131 kann aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) bestehen, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Die Planarisierungsschicht 132 ist auf der Passivierungsschicht 131 angeordnet. Die Planarisierungsschicht 132 ist eine Isolationsschicht, die einen oberen Abschnitt des ersten Substrats 110 planarisiert, auf dem der Dünnschichttransistor 220 angeordnet ist. Die Planarisierungsschicht 132 kann aus einem organischen Material ausgebildet sein und kann beispielsweise aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten aus Polyimid oder Photoacryl bestehen, ist jedoch nicht darauf begrenzt. Die Planarisierungsschicht 132 kann ein Kontaktloch zum elektrischen Verbinden des Dünnschichttransistors 220 und der ersten Elektrode 141 umfassen.
  • Die zweite Elektrode 142, die eine gemeinsame Elektrode ist, ist auf der Planarisierungsschicht 132 ausgebildet. Die zweite Elektrode 142 ist mit der gemeinsamen Leitung elektrisch verbunden. Die zweite Elektrode 142 kann beispielsweise aus einem transparenten leitfähigen Material ausgebildet sein. Das transparente leitfähige Material umfasst beispielsweise Zinnoxid (TO), Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO), Indiumzinnzinkoxid (ITZO) oder dergleichen, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Die Schutzschicht 133 ist auf der zweiten Elektrode 142 angeordnet. Die Passivierungsschicht ist eine Schicht zum Isolieren der zweiten Elektrode 142 und der ersten Elektrode 141 und kann aus einem anorganischen Isolationsmaterial oder einem organischen Isolationsmaterial ausgebildet sein. Die Passivierungsschicht kann beispielsweise aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) bestehen, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Die erste Elektrode 141 ist auf der Schutzschicht 133 angeordnet. Die erste Elektrode 141 ist mit der Drain-Elektrode 224 durch Kontaktlöcher elektrisch verbunden, die die Schutzschicht 133, die Planarisierungsschicht 132 und die Passivierungsschicht 131 darunter durchdringen. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt und die erste Elektrode 141 kann mit der Source-Elektrode 223 des Dünnschichttransistors 220 in Kontakt stehen.
  • Die erste Elektrode 141 kann beispielsweise aus einem transparenten leitfähigen Material ausgebildet sein. Das transparente leitfähige Material umfasst beispielsweise Zinnoxid (TO), Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO), Indiumzinnzinkoxid (ITZO) oder dergleichen, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Die Flüssigkristallschicht LC, der Abstandhalter SPC und das zweite Substrat 150, die auf der ersten Elektrode 141 angeordnet sind, sind zu jenen identisch, die in der in 3 gezeigten beispielhaften Ausführungsform beschrieben sind, und daher wird auf doppelte Beschreibungen davon verzichtet.
  • Die mehreren Kontaktstelleneinheiten PAD1 und PAD2 sind auf dem ersten Substrat 110 dem Nicht-Anzeige-Bereich NDA entsprechend angeordnet. Die erste Kontaktstelleneinheit PAD1 und die zweite Kontaktstelleneinheit PAD2 sind beispielsweise auf dem ersten Substrat 110 dem Nicht-Anzeige-Bereich NDA entsprechend angeordnet. Die erste Kontaktstelleneinheit PAD1 ist auf dem ersten Substrat 110 so, dass sie dem Nicht-Anzeige-Bereich NDA entspricht, benachbart zum Anzeigebereich DA angeordnet. Die zweite Kontaktstelleneinheit PAD2 ist außerhalb der ersten Kontaktstelleneinheit PAD1 so angeordnet, dass sie zur ersten Kontaktstelleneinheit PAD1 benachbart ist.
  • Die erste Kontaktstelleneinheit PAD1 kann beispielsweise eine Lichtsperrschichtkontaktstelleneinheit sein. Die Lichtsperrschichtkontaktstelleneinheit ist eine Komponente zum Entfernen einer parasitären Kapazität aufgrund dessen, dass die Lichtsperrschicht unter dem Dünnschichttransistor 220 angeordnet ist. Die erste Kontaktstelleneinheit PAD1 umfasst eine erste Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 281, eine Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 und eine zweite Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 282.
  • Die erste Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 281 ist auf dem ersten Substrat 110 angeordnet. Die erste Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 281 wird durch denselben Prozess wie die Lichtsperrschicht LS ausgebildet. Folglich ist die erste Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 281 aus demselben Material wie die Lichtsperrschicht LS ausgebildet. Wie vorstehend beschrieben, ist in der beispielhaften Ausführungsform die erste leitfähige Schicht die Lichtsperrschicht LS. Folglich weist die erste Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 281, die aus demselben Material durch denselben Prozess wie die Lichtsperrschicht LS ausgebildet wird, auch identische Charakteristiken wie jene der vorstehend beschriebenen ersten leitfähigen Schicht auf.
  • Die erste Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 281 umfasst beispielsweise eine erste leitfähige Unterschicht LP-sub 1 und eine zweite leitfähige Unterschicht LP-sub2. Die erste leitfähige Unterschicht LP-sub 1 der ersten Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 281 weist identische Charakteristiken wie jene der ersten leitfähigen Unterschicht LS-sub1 der Lichtsperrschicht LS auf und die zweite leitfähige Unterschicht LP-sub2 der ersten Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 281 weist identische Charakteristiken wie jene der zweiten leitfähigen Unterschicht LS-sub2 der Lichtsperrschicht LS auf. Folglich wird auf doppelte Beschreibungen der ersten leitfähigen Unterschicht LP-sub 1 und der zweiten leitfähigen Unterschicht LP-sub2 der ersten Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 281 verzichtet.
  • Die Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 ist auf der ersten Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 281 angeordnet. Die Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 ist auf der Pufferschicht BUF angeordnet, um die erste Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 281 zu kontaktieren, die durch ein Kontaktloch freiliegt, das die Pufferschicht BUF durchdringt.
  • Die Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 kann durch denselben Prozess wie die Gate-Elektrode 221, die Source-Elektrode 223 und die Drain-Elektrode 224 ausgebildet werden. Das heißt, die Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 ist aus demselben Material wie die Gate-Elektrode 221, die Source-Elektrode 223 und die Drain-Elektrode 224 ausgebildet.
  • Die Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 umfasst eine erste leitfähige Unterschicht CE-sub1 und eine zweite leitfähige Unterschicht CE-sub2. Die erste leitfähige Unterschicht CE-sub 1 der Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 weist identische Charakteristiken wie jene der ersten leitfähigen Unterschichten G-sub 1, S-sub 1 und D-sub1 der Gate-Elektrode 221, der Source-Elektrode 223 und der Drain-Elektrode 224 auf. Die zweite leitfähige Unterschicht CE-sub2 der Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 weist identische Charakteristiken wie jene der zweiten leitfähigen Unterschichten G-sub2, S-sub2 und D-sub2 der Gate-Elektrode 221, der Source-Elektrode 223 und der Drain-Elektrode 224 auf. Folglich wird auf doppelte Beschreibungen der ersten leitfähigen Unterschicht CE-sub 1 und der zweiten leitfähige Unterschicht CE-sub2 der Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 verzichtet.
  • Wenn die zweite Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 282 und die erste Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 281 direkt in Kontakt stehen, sollten Kontaktlöcher so ausgebildet sein, dass sie die Pufferschicht BUF, die Passivierungsschicht 131 und die Schutzschicht 133 durchdringen. In einem Prozess zum Ausbilden der Kontaktlöcher, die die drei Schichten durchdringen, können periphere Komponenten beschädigt werden und die Prozesseffizienz kann verringert werden. Folglich kann die Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 zwischen der zweiten Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 282 und der ersten Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 281 angeordnet sein, so dass die zweite Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 282 und die erste Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 281 miteinander in Kontakt stehen können. Die Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 kann jedoch weggelassen werden, wenn ein Defekt in dem Prozess, wie vorstehend beschrieben, in Abhängigkeit von Entwürfen des Dünnschichttransistors und der Kontaktstelleneinheit nicht verursacht wird.
  • Die zweite Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 282 ist auf der Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 angeordnet. Die zweite Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 282 ist auf der Schutzschicht 133 so angeordnet, dass sie mit der Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 in Kontakt steht, die durch Kontaktlöcher freiliegt, die die Passivierungsschicht 131 und die Schutzschicht 133 durchdringen.
  • Die zweite Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 282 kann durch denselben Prozess wie die erste Elektrode 141 ausgebildet werden, die die Pixelelektrode ist. Folglich ist die zweite Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 282 aus demselben Material wie die erste Elektrode 141 ausgebildet.
  • Die zweite Kontaktstelleneinheit PAD2 kann die Gate-Kontaktstelleneinheit sein. Die zweite Kontaktstelleneinheit PAD2 umfasst eine erste Gate-Kontaktstellenelektrode 271 und eine zweite Gate-Kontaktstellenelektrode 272. Die erste Gate-Kontaktstellenelektrode 271 ist auf der Pufferschicht BUF angeordnet. Die erste Gate-Kontaktstellenelektrode 271 kann durch denselben Prozess wie die Gate-Elektrode 221, die Source-Elektrode 223, die Drain-Elektrode 224 und die Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 ausgebildet werden. Folglich kann die erste Gate-Kontaktstellenelektrode 271 aus demselben Material wie die Gate-Elektrode 221, die Source-Elektrode 223, die Drain-Elektrode 224 und die Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 ausgebildet sein.
  • Die erste Gate-Kontaktstellenelektrode 271 umfasst eine erste leitfähige Unterschicht GP-sub 1 und eine zweite leitfähige Unterschicht GP-sub2. Die erste leitfähige Unterschicht GP-sub 1 der ersten Gate-Kontaktstellenelektrode 271 weist identische Charakteristiken wie jene der ersten leitfähigen Schichten G-sub 1, S-sub 1, D-sub 1 und CE-sub 1 der Gate-Elektrode 221, der Source-Elektrode 223, der Drain-Elektrode 224 und der Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 auf. Außerdem weist die zweite leitfähige Unterschicht GP-sub2 der ersten Gate-Kontaktstellenelektrode 271 identische Charakteristiken wie jene der zweiten leitfähigen Unterschichten G-sub2, S-sub2, D-sub2 und CE-sub2 der Gate-Elektrode 221, der Source-Elektrode 223, der Drain-Elektrode 224 und der Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 auf. Folglich wird auf doppelte Beschreibungen der ersten leitfähigen Unterschicht GP-sub 1 und der zweiten leitfähigen Unterschicht GP-sub2 der ersten Gate-Kontaktstellenelektrode 271 verzichtet.
  • Die zweite Gate-Kontaktstellenelektrode 272 ist auf der ersten Gate-Kontaktstellenelektrode 271 angeordnet. Die zweite Gate-Kontaktstellenelektrode 272 ist auf der Schutzschicht 133 angeordnet, um die erste Gate-Kontaktstellenelektrode 271 zu kontaktieren, die durch Kontaktlöcher freiliegt, die die Passivierungsschicht 131 und die Schutzschicht 133 durchdringen.
  • Die zweite Gate-Kontaktstellenelektrode 272 kann durch denselben Prozess wie die erste Elektrode 141 ausgebildet werden, die die Pixelelektrode ist. Folglich ist die zweite Gate-Kontaktstellenelektrode 272 aus demselben Material wie die erste Elektrode 141 ausgebildet.
  • In 4 sind nur die erste Kontaktstelleneinheit PAD1, die die Lichtsperrschichtkontaktstelleneinheit ist, und die zweite Kontaktstelleneinheit PAD2, die die Gate-Kontaktstelleneinheit ist, gezeigt, aber eine Datenkontaktstelleneinheit, eine Berührungskontaktstelleneinheit und dergleichen können ferner enthalten sein und Kontaktstellenelektroden, die die Kontaktstelleneinheiten bilden, können eine Schicht umfassen, die aus dem ersten gering reflektierenden Material, dem zweiten gering reflektierenden Material oder dem dritten gering reflektierenden Material, die vorstehend beschrieben sind, ausgebildet ist.
  • In der Anzeigevorrichtung 200 gemäß einer anderen beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfassen die Gate-Elektrode 221, die Source-Elektrode 223, die Drain-Elektrode 224, die Lichtsperrschichtkontaktstellenverbindungselektrode 283 und die erste Gate-Kontaktstellenelektrode 271 die ersten leitfähigen Unterschichten G-sub1, S-sub1, D-sub1, CE-sub1 bzw. GP-sub 1 mit dem zweiten gering reflektierenden Material und/oder dem dritten gering reflektierenden Material, die vorstehend beschrieben sind. Außerdem umfassen die Lichtsperrschicht LS und die erste Lichtsperrschichtkontaktstellenelektrode 281 die ersten leitfähigen Unterschichten LS-sub 1 bzw. LP-sub 1 mit dem ersten gering reflektierenden Material, dem zweiten gering reflektierenden Material und/oder dem dritten gering reflektierenden Material, die vorstehend beschrieben sind. Folglich wird die Reflektivität aufgrund von Metallschichten mit hohen Reflexionsvermögen minimiert und die Sichtbarkeit kann stark verbessert werden.
  • Nachstehend wird eine Anzeigevorrichtung gemäß noch einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung mit Bezug auf 5 beschrieben. 5 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein Flüssigkristallanzeigefeld einer Anzeigevorrichtung gemäß noch einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. Ein Flüssigkristallanzeigefeld einer Anzeigevorrichtung 300, die in 5 gezeigt ist, ist zum Flüssigkristallanzeigefeld PNL der Anzeigevorrichtung 100 in 3 im Wesentlichen identisch, außer dass jede einer Source-Elektrode, einer Drain-Elektrode, einer ersten Datenkontaktstellenelektrode und einer Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode ferner eine dritte leitfähige Unterschicht umfassen. Folglich wird auf doppelte Beschreibungen verzichtet.
  • Eine Source-Elektrode 323, die die zweite leitfähige Schicht ist, umfasst ferner eine dritte leitfähige Unterschicht S-sub3, die auf der zweiten leitfähigen Unterschicht S-sub2 angeordnet ist.
  • Die dritte leitfähige Unterschicht S-sub3 kann beispielsweise aus mindestens einem ausgebildet sein, das aus dem zweiten gering reflektierenden Material und dem dritten gering reflektierenden Material, die vorstehend beschrieben sind, ausgewählt ist. Da das zweite gering reflektierende Material und das dritte gering reflektierende Material vorstehend beschrieben wurden, wird auf doppelte Beschreibungen davon verzichtet.
  • Wenn die dritte leitfähige Unterschicht S-sub3 der Source-Elektrode 323 aus dem zweiten gering reflektierenden Material oder dem dritten gering reflektierenden Material, die vorstehend beschrieben sind, ausgebildet ist, wird ein Reflexionsvermögen weiter verringert und folglich kann die Sichtbarkeit der Anzeigevorrichtung maximiert werden.
  • Als anderes Beispiel kann die dritte leitfähige Unterschicht S-sub3 aus einem Metall, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Al, Cu, Mo, Ti und Ag besteht, oder einer Legierung mit mindestens einem der Metalle ausgebildet sein und kann speziell aus MoTi ausgebildet sein. Wenn die dritte leitfähige Unterschicht S-sub3 aus den obigen Metallmaterialen ausgebildet ist, besteht ein Effekt der Verringerung eines Reflexionsvermögens, während eine hohe Leistung eines Dünnschichttransistors 320 aufrechterhalten wird.
  • Eine Drain-Elektrode 324, die die zweite leitfähige Schicht ist, umfasst ferner eine dritte leitfähige Unterschicht D-sub3, die auf der zweiten leitfähigen Unterschicht D-sub2 angeordnet ist. Da die dritte leitfähige Unterschicht D-sub3 der Drain-Elektrode 324 zur dritten leitfähigen Unterschicht S-sub3 der Source-Elektrode 323 identisch ist, wird auf eine doppelte Beschreibung davon verzichtet.
  • Wie vorstehend mit Bezug auf 3 beschrieben, können eine erste Datenkontaktstellenelektrode 361 und eine Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 373 aus demselben Material durch denselben Prozess wie die Source-Elektrode 323 und die Drain-Elektrode 324 für die Zweckmäßigkeit des Prozesses ausgebildet werden.
  • Folglich umfassen die erste Datenkontaktstellenelektrode 361 und die Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 373 die dritten leitfähigen Unterschichten DP-sub3 und CE-sub3, die auf den zweiten leitfähigen Unterschichten DP-sub2 bzw. CE-sub2 angeordnet sind, in derselben Weise wie die Source-Elektrode 323 und die Drain-Elektrode 324. Die dritte leitfähige Unterschicht DP-sub3 der ersten Datenkontaktstellenelektrode 361 und die dritte leitfähige Unterschicht CE-sub3 der Gate-Kontaktstellenverbindungselektrode 373 sind zur dritten leitfähigen Unterschicht S-sub3 der Source-Elektrode 323 identisch und folglich wird auf eine doppelte Beschreibung davon verzichtet.
  • Die Anzeigevorrichtung 300 gemäß noch einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst ferner die dritten leitfähigen Unterschichten S-sub3, D-sub3, DP-sub3 und CE-sub3, die aus einem gering reflektierenden Material oder mindestens einem Metallmaterial ausgebildet sind, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Al, Cu, Mo, Ti und Ag besteht, so dass das Reflexionsvermögen verringert ist, während hohe Charakteristiken des Dünnschichttransistors aufrechterhalten werden, und somit ein Effekt der Verbesserung der Anzeigequalität der Anzeigevorrichtung besteht.
  • Nachstehend werden Effekte der vorliegenden Offenbarung durch Beispiele und Vergleichsbeispiele genauer beschrieben. Die folgenden Beispiele dienen jedoch zur Erläuterung der vorliegenden Offenbarung und der Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung ist nicht durch die folgenden Beispiele begrenzt.
  • VERSUCHSBEISPIEL 1
  • In Dünnschichttransistoren mit einer Rückseitenkanalätzstruktur (BCE-Struktur), wenn Gate-Elektroden eine Struktur aufweisen, in der eine erste leitfähige Unterschicht, die aus einem gering reflektierenden Material ausgebildet ist, und eine zweite leitfähige Unterschicht, die aus Cu ausgebildet ist, gestapelt sind, wurden Reflexionsvermögen gemäß Brechungsindizes (n), Extinktionskoeffizienten (k) und Dicken der ersten leitfähigen Unterschichten simuliert. Daraus folgende Ergebnisse sind in Tabelle 1 und 6 bis 8 nachstehend gezeigt. 6 ist ein Graph, der Änderungen des Reflexionsvermögens gemäß Dicken zeigt, wenn die erste leitfähige Unterschicht einen Brechungsindex von 2,7 und einen Extinktionskoeffizienten von 0,8 aufweist. 7 ist ein Graph, der Änderungen des Reflexionsvermögens gemäß Extinktionskoeffizienten zeigt, wenn die erste leitfähige Unterschicht einen Brechungsindex von 2,7 und eine Dicke von 400 Å aufweist. 8 ist ein Graph, der Änderungen des Reflexionsvermögens gemäß Brechungsindizes und Dicken zeigt, wenn der Extinktionskoeffizient der ersten leitfähigen Unterschicht 0,8 ist. Tabelle 1
    n k Dicke (Å)
    0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4
    2,3 27,6 12,0 5,9 4,5 5,6 8,1 10,5 500
    2,5 29,4 13,3 6,8 5,1 6,0 8,3 10,6 500
    2,7 29,7 14,5 7,8 5,7 6,2 8,1 10,7 400
    2,9 32,6 16,8 9,8 7,3 7,4 9,0 11,5 400
    3,1 36,9 21,0 13,4 10,3 10,0 11,1 13,1 400
  • Zuerst kann durch Bezugnahme auf Tabelle 1 und 6 zusammen bestätigt werden, dass, wenn die Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht der Gate-Elektrode dünner ist, das Reflexionsvermögen in einem langwelligen Band zunimmt, und wenn die Dicke größer ist, das Reflexionsvermögen in einem kurzwelligen Band zunimmt. Wenn die Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht 400 Å ist, kann außerdem bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen in einem breiten Wellenlängenbereich niedrig ist. Mit Bezug auf Tabelle 1 und 7 zusammen kann, wenn der Extinktionskoeffizient der ersten leitfähigen Unterschicht der Gate-Elektrode geringer als 0,6 oder größer als 1,2 ist, als nächstes bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen hoch ist. Es kann bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen niedriger ist, wenn der Extinktionskoeffizient der ersten leitfähigen Unterschicht in einem Bereich von 0,6 bis 1,0, vorzugsweise 0,8 bis 1,0, liegt.
  • Außerdem kann mit Bezug auf Tabelle 1 und 8 zusammen, wenn der Brechungsindex der ersten leitfähigen Unterschicht der Gate-Elektrode 2,3 bis 2,7 ist, bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen innerhalb eines breiten Wellenlängenbereichs niedrig ist. Wenn der Brechungsindex 2,9 überschreitet, kann bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen in einem kurzwelligen Band zunimmt.
  • VERSUCHSBEISPIEL 2
  • In Dünnschichttransistoren mit einer BCE-Struktur, wenn Source-Elektroden und Drain-Elektroden eine Struktur aufweisen, in der eine erste leitfähige Unterschicht, die aus einem gering reflektierenden Material ausgebildet ist, und eine zweite leitfähige Unterschicht, die aus Cu ausgebildet ist, gestapelt sind, wurden Reflexionsvermögen gemäß Brechungsindizes (n), Extinktionskoeffizienten (k) und Dicken der ersten leitfähigen Unterschichten simuliert. Daraus folgende Ergebnisse sind in Tabelle 2 und 9 bis 10 nachstehend gezeigt. 9 ist ein Graph, der Änderungen des Reflexionsvermögens gemäß Dicken zeigt, wenn der Brechungsindex der ersten leitfähigen Unterschicht 2,3 ist und der Extinktionskoeffizient der ersten leitfähigen Unterschicht 0,6 ist. 10 ist ein Graph, der Änderungen des Reflexionsvermögens gemäß Extinktionskoeffizienten zeigt, wenn die erste leitfähige Unterschicht einen Brechungsindex von 2,7 und eine Dicke von 400 Å aufweist. Tabelle 2
    n k Dicke (Å)
    0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4
    2,3 14,6 9,4 8,8 10,4 13,3 16,7 500
    2,5 16,8 11,5 10,3 11,4 13,7 16,8 400
    2,7 17,8 12,2 10,8 11,8 14,1 17,0 400
    2,9 20,7 14,5 12,7 13,1 14,8 17,2 300
    3,1 - 14,8 13,0 13,3 14,9 17,3 300
  • Zuerst kann mit Bezug auf Tabelle 2, wenn der Brechungsindex der ersten leitfähigen Unterschicht 2,3 bis 2,7 ist, bestätigt werden, dass der Brechungsindex niedrig ist. Mit Bezug auf Tabelle 2 und 9 kann auch bestätigt werden, dass, wenn die Dicken der ersten leitfähigen Unterschichten der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode dünner sind, bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen in einem langwelligen Band zunimmt, und wenn die Dicken der ersten leitfähigen Unterschichten der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode dicker sind, das Reflexionsvermögen in einem kurzwelligen Band zunimmt. Wenn die Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht 400 Å ist, kann außerdem bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen in einem breiten Wellenlängenbereich niedrig ist.
  • Mit Bezug auf Tabelle 2 und 10 zusammen kann außerdem, wenn der Extinktionskoeffizient der ersten leitfähigen Unterschicht der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode geringer als 0,6 oder größer als 1,2 ist, bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen hoch ist, und wenn er größer ist als 1,2, kann bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen in einem ganzen Wellenlängenbereich hoch ist. Es kann bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen niedriger ist, wenn der Extinktionskoeffizient der ersten leitfähigen Unterschicht in einem Bereich von 0,8 bis 1,0 liegt.
  • Versuchsbeispiel 3
  • Wie in den Versuchsbeispielen 1 und 2 zu sehen, kann bestätigt werden, dass die Reflexionsvermögen der Gate-Elektroden, Source-Elektroden und Drain-Elektroden gemäß den Brechungsindizes und Extinktionskoeffizienten der ersten leitfähigen Unterschichten variieren, die aus einem gering reflektierenden Material ausgebildet sind. Der Brechungsindex und der Extinktionskoeffizient der ersten leitfähigen Unterschicht können gemäß einer Zusammensetzung des gering reflektierenden Materials eingestellt werden. Nach dem Ausbilden der leitfähigen Schichten durch Verändern einer Zusammensetzung des gering reflektierenden Materials auf einem Substrat wurden die Brechungsindizes (n), die Extinktionskoeffizienten (k) und die Reflexionsvermögen von Einheitsfilmen gemessen. Insbesondere wurden eine erste leitfähige Unterschicht, die aus einem ersten gering reflektierenden Material ausgebildet ist, das aus einer Kombination von Mo, MoOx(MoO2+MoO3), Nb2O5 und ZnO besteht, und eine zweite leitfähige Unterschicht (4000 Å), die aus Cu besteht, auf ein Substrat gestapelt, um eine Gate-Elektrode vorzubereiten. Zu dieser Zeit sind ein Verhältnis von Mo und eine Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht wie in nachstehender Tabelle 3 gezeigt. Für die Gate-Elektrode, die wie vorstehend beschrieben vorbereitet wird, wurde das Reflexionsvermögen in Richtung einer Substratoberfläche unter Verwendung von CM2600d (Konica Minolta Co.) gemessen. Daraus folgende Ergebnisse sind in nachstehender Tabelle 3 gezeigt. Tabelle 3
    Klassifikation Mo-Gehalt (n, k) Dicke (Å) L*(D65) a*(D65) b*(D65) Y*(D65)
    3A1 7 Gew,-% (n: 2,7, k:0,9) 300 28,61 11,05 -2,62 5,69
    3A2 320 30,78 -3,87 -12,05 6,56
    3A3 360 32,67 -5,58 -12,02 7,39
    3B1 15 Gew,-% (n: 2,8, k: 1, 2) 274 31,23 -2,6 -10,62 6,75
    3B2 303 33,44 -6,39 -11,87 7,74
    3B3 329 38,61 -7,79 -10,55 10,44
    3C1 23 Gew,-% (n: 2,9, k: 1, 4) 300 35,02 -6,65 -11,21 8,51
    3C2 350 41,04 -7,49 -9,58 11,89
    3C3 400 45,61 -6,42 -7,21 14,98
    3D1 30 Gew,-% (n: 3,0, k: 1, 5) 300 38,05 -6,25 -9,94 10,12
    3D2 350 42,45 -7,2 -9,04 12,79
    3D3 400 47,3 -6,3 -6,81 16,25
  • Mit Bezug auf Tabelle 3 kann bestätigt werden, dass die Brechungsindizes und Extinktionskoeffizienten der Einheitsfilme in Abhängigkeit von den Gehalten an Mo variieren. Die Brechungsindizes und die Extinktionskoeffizienten nehmen gewöhnlich zu, wenn der Mo-Gehalt von 7 Gew.-% auf 30 Gew.-% zunimmt. Außerdem kann bestätigt werden, dass L-Werte und Y-Werte zunehmen, wenn der Gehalt an Mo von 7 Gew.-% auf 30 Gew.-% zunimmt, das heißt wenn der Brechungsindex und der Extinktionskoeffizient zunehmen, kann bestätigt werden, dass L-Werte und Y-Werte zunehmen. Eine Zunahme des L-Werts und des Y-Werts bedeutet, dass das Reflexionsvermögen zunimmt. Unterdessen kann bestätigt werden, dass der L-Wert und der Y-Wert am niedrigsten sind, wenn der Gehalt an Mo 7 Gew.-% ist, und daraus kann bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen am niedrigsten ist, wenn der Brechungsindex 2,7 ist und der Extinktionskoeffizient 0,9 ist.
  • VERSUCHSBEISPIEL 4
  • Um Reflexionsvermögen gemäß Dicken der ersten leitfähigen Unterschichten, die aus einem ersten gering reflektierenden Material ausgebildet sind, zu untersuchen, wurden die leitfähigen Schichten durch Verändern der Dicken der ersten leitfähigen Unterschichten, die aus dem ersten gering reflektierenden Material ausgebildet sind, ausgebildet. Insbesondere wurden leitfähige Schichten durch Stapeln der ersten leitfähigen Unterschicht, die aus dem ersten gering reflektierenden Material mit einer Kombination vom Mo, MoOx(MoO2+MoO3), Nb2O5 und ZnO ausgebildet ist, und einer zweiten leitfähigen Unterschicht (4000 Å), die aus Cu ausgebildet ist, auf einem Substrat ausgebildet. Zu dieser Zeit ist der Gehalt an Mo 7 Gew.-%, ein Brechungsindex der ersten leitfähigen Unterschicht ist 2,7 und ein Extinktionskoeffizient der ersten leitfähigen Unterschicht ist 0,9. Wenn die erste leitfähige Unterschicht gestapelt wurde, wurde die Dicke innerhalb eines Bereichs von 274 Å bis 475 Å verändert und ein Reflexionsvermögen (550 nm) von jeder der Proben wurde gemessen. Daraus folgende Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle 4 gezeigt. Tabelle 4
    Klassifikation Dicke (Å) L*(D65) a*(D65) b*(D65) Y*(D65) Reflexionsvermögen (%)
    4A1 274 34,9 20,4 13,6 8,4 6,0
    4A2 302 30,2 15,6 4,3 6,3 4,8
    4A3 329 28,0 10,1 -3,2 5,5 4,6
    4A4 354 27,9 5,0 -7,6 5,4 5,0
    4A5 370 28,3 2,8 -9,1 5,6 5,4
    4A6 396 29,8 -0,6 -10,9 3,2 6,2
    4A7 419 30,9 -2,0 -11,2 6,6 6,8
    4A8 475 38,4 -5,1 -9,8 10,3 10,8
  • Mit Bezug auf Tabelle 4 kann, wenn die erste leitfähige Unterschicht, die aus dem ersten gering reflektierenden Material gemäß der vorliegenden Offenbarung ausgebildet ist, enthalten ist, bestätigt werden, dass der Einheitsfilm ein Reflexionsvermögen von 10,8% oder weniger aufweist, was sehr niedrig ist. Insbesondere wenn die Dicken der ersten leitfähigen Unterschichten 370 Å, 396 Å und 419 Å sind, kann bestätigt werden, dass natürliche Farben implementiert werden können, während das Reflexionsvermögen nicht höher als 5% bis 7% ist, was beim Verbessern der Anzeigequalität einer Anzeigevorrichtung effektiver ist.
  • VERSUCHSBEISPIEL 5
  • Beispiel 5-1
  • Eine Gate-Elektrode wurde durch Stapeln einer ersten leitfähigen Unterschicht, die aus einem ersten gering reflektierenden Material mit einer Kombination von Mo, MoOx(MoO2+MoO3), Nb2O5 und ZnO ausgebildet ist, und einer zweiten leitfähigen Unterschicht (4000 Å), die aus Cu ausgebildet ist, auf einem Substrat ausgebildet. Zu dieser Zeit war der Gehalt an Mo 7 Gew.-%, ein Brechungsindex der ersten leitfähigen Unterschicht war 2,7, ein Extinktionskoeffizient der ersten leitfähigen Unterschicht war 0,9 und eine Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht war 370 Å.
  • Beispiel 5-2
  • Eine Gate-Elektrode wurde in derselben Weise wie in Beispiel 5-1 ausgebildet, außer dass die Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht auf 396 Å geändert wurde.
  • Beispiel 5-3
  • Eine Gate-Elektrode wurde in derselben Weise wie in Beispiel 5-1 ausgebildet, außer dass die Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht auf 419 Å geändert wurde.
  • Vergleichsbeispiel 5-1
  • Eine Gate-Elektrode wurde in derselben Weise wie in Beispiel 5-1 ausgebildet, außer dass MoTi anstelle des ersten gering reflektierenden Materials als erste leitfähige Unterschicht in Beispiel 5-1 verwendet wurde.
  • Reflexionsvermögen (380 nm bis 740 nm) der Gate-Elektroden gemäß Vergleichsbeispiel 5-1 und Beispielen 5-1 bis 5-3 wurden gemessen und sind in der nachstehenden Tabelle 5 gezeigt. Tabelle 5
    Vergleichsbeispiel 5-1 Beispiel 5-1 Beispiel 5-2 Beispiel 5-3
    L*(D65) 35,2 5,6 6,2 6,8
    a*(D65) 65,9 28,3 29,8 31,4
    b*(D65) 7,3 2,8 -0,6 -2,3
    Y*(D65) 4,3 -9,1 -10,9 -11,3
    Reflexionsvermögen 39,5% 8,6% 8,4% 8,6%
  • Mit Bezug auf Tabelle 5 kann bestätigt werden, dass die Reflexionsvermögen der Beispiele 5-1 bis 5-3, in denen die erste leitfähige Unterschicht der Gate-Elektrode aus dem ersten gering reflektierenden Material ausgebildet war, ungefähr 8% waren, was etwa 20% des Reflexionsvermögens des Vergleichsbeispiels 5-1, ziemlich niedrig, ist.
  • VERSUCHSBEISPIEL 6
  • Beispiel 6-1
  • Eine erste leitfähige Unterschicht (302 Å), die aus einem zweiten gering reflektierenden Material (oder einem dritten gering reflektierenden Material) mit einer Kombination von Mo (oder MOO2), In2O3 und SnO2 besteht, und eine zweite leitfähige Unterschicht (4000 Å), die aus Cu ausgebildet ist, wurden auf einem Substrat gestapelt, um eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode auszubilden.
  • Beispiel 6-2
  • Eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode wurden in derselben Weise wie in Beispiel 6-1 ausgebildet, außer dass die Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht auf 354 Å geändert wurde.
  • Beispiel 6-3
  • Eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode wurden in derselben Weise wie in Beispiel 6-1 ausgebildet, außer dass die Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht auf 396 Å geändert wurde.
  • Vergleichsbeispiel 6-1
  • Eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode wurden in derselben Weise wie in Beispiel 6-1 ausgebildet, außer dass MoTi anstelle des ersten gering reflektierenden Materials als erste leitfähige Unterschicht in Beispiel 6-1 verwendet wurde.
  • Reflexionsvermögen (380 nm bis 740 nm) von Einheitsfilmen gemäß dem Vergleichsbeispiel 6-1 und den Beispielen 6-1 bis 6-3 wurden gemessen und sind in der nachstehenden Tabelle 6 gezeigt. Tabelle 6
    Vergleichsbeispiel 6-1 Beispiel 6-1 Beispiel 6-2 Beispiel 6-3
    L*(D65) 72,5 36,1 36,3 40,1
    a*(D65) 0,5 5,0 -14,1 -23,9
    b*(D65) 19,3 11,4 2,9 2,0
    Y*(D65) 44,4 9,1 9,2 11,3
    Reflexionsvermögen 43,4% 13,0% 10,3% 10,0%
  • Mit Bezug auf Tabelle 6 kann bestätigt werden, dass die Reflexionsvermögen der Beispiele 6-1 bis 6-3, in denen die ersten leitfähigen Unterschichten der Source- und Drain-Elektroden aus dem ersten gering reflektierenden Material ausgebildet waren, 13%, 10,3% bzw. 10% waren, was etwa 25% des Reflexionsvermögens des Vergleichsbeispiels 6-1, das aus MoTi ausgebildet ist, beträchtlich niedrig, ist. Außerdem kann im Fall von Beispiel 6-3, in dem die Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht 396 Å ist, bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen in einem Wellenlängenbereich von 380 nm bis 740 nm mit ausgezeichneter Farbe am niedrigsten ist.
  • VERSUCHSBEISPIEL 7
  • In Dünnschichttransistoren mit einer koplanaren Struktur, wenn Gate-Elektroden eine Struktur aufweisen, in der eine erste leitfähige Unterschicht, die aus einem gering reflektierenden Material ausgebildet ist, und eine zweite leitfähige Unterschicht, die aus Cu ausgebildet ist, gestapelt sind, wurden die Reflexionsvermögen gemäß Brechungsindizes (n), Extinktionskoeffizienten (k) und Dicken der ersten leitfähigen Unterschichten simuliert. Daraus folgende Ergebnisse sind in Tabelle 7 und 11 bis 13 nachstehend gezeigt. 11 ist ein Graph, der Änderungen des Reflexionsvermögens gemäß Dicken zeigt, wenn die erste leitfähige Unterschicht einen Brechungsindex von 2,1 und einen Extinktionskoeffizienten von 0,8 aufweist. 12 ist ein Graph, der Änderungen des Reflexionsvermögens gemäß Extinktionskoeffizienten zeigt, wenn die erste leitfähige Unterschicht einen Brechungsindex von 2,1 und eine Dicke von 600 Å aufweist. 13 ist ein Graph, der Änderungen des Reflexionsvermögens gemäß Brechungsindizes und Dicken zeigt, wenn der Extinktionskoeffizient der ersten leitfähigen Unterschicht 0,8 ist. Tabelle 7
    n k Dicke (Å)
    0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4
    2,1 28,6 13,2 7,4 6,2 7,5 10 13,2 600
    2,3 29,8 14,6 8,4 6,8 7,5 9,6 12,5 500
    2,5 31,4 15,8 9,2 7,3 7,9 9,8 12,5 500
    2,7 31,5 16,7 10,1 7,8 7,9 9,5 11,8 400
    2,9 34,2 18,9 11,8 9,2 9,1 10,4 12,5 400
  • Zuerst kann mit Bezug auf Tabelle 7 und 11 zusammen bestätigt werden, dass, wenn die Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht der Gate-Elektrode dünner ist, das Reflexionsvermögen in einem langwelligen Band zunimmt, und wenn die Dicke dicker ist, das Reflexionsvermögen in einem kurzwelligen Band zunimmt. Wenn die Dicke der ersten leitfähigen Unterschicht 500 Å bis 600 Å ist, kann außerdem bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen in einem breiten Wellenlängenbereich niedrig ist. Als nächstes kann mit Bezug auf Tabelle 7 und 12 zusammen, wenn der Extinktionskoeffizient der ersten leitfähigen Unterschicht der Gate-Elektrode geringer als 0,6 oder größer als 1,2 ist, bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen hoch ist. Es kann bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen niedriger ist, wenn der Extinktionskoeffizient der ersten leitfähigen Unterschicht in einem Bereich von 0,6 bis 1,2, vorzugsweise 0,8 bis 1,0, liegt.
  • Mit Bezug auf Tabelle 7 und 13 zusammen kann außerdem, wenn der Brechungsindex der ersten leitfähigen Unterschicht der Gate-Elektrode 2,1 bis 2,3 ist, bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen innerhalb eines breiten Wellenlängenbereichs niedrig ist. Wenn der Brechungsindex 2,9 überschreitet, kann bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen in einem kurzwelligen Band zunimmt.
  • VERSUCHSBEISPIEL 8
  • Beispiel 8-1
  • Ein erstes gering reflektierendes Material (MoNbOx) mit einer Kombination von Mo, MoOx(MoO2+MoO3), Nb2O5 und ZnO und ein zweites gering reflektierendes Material (oder drittes gering reflektierendes Material) mit einer Kombination von Mo (oder MOO2), In2O3 und SnO2 (ITMO) wurden verwendet, um ein Anzeigefeld mit einer in 3 gezeigten Struktur herzustellen.
  • Insbesondere wurden ein Dünnschichttransistor, bei dem in der in 3 gezeigten Struktur eine Gate-Elektrode eine erste leitfähige Unterschicht (400 Å), die aus dem ersten gering reflektierenden Material ausgebildet ist, und eine zweite leitfähige Unterschicht (4000 Å), die aus Cu ausgebildet ist, umfasst, und jede einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode eine erste leitfähige Unterschicht (350 Å), die aus dem zweiten gering reflektierenden Material (oder einem dritten gering reflektierenden Material) ausgebildet ist, und eine zweite leitfähige Unterschicht (4000 Å), die aus Cu ausgebildet ist, umfasst, und ein Anzeigefeld mit dem Dünnschichttransistor hergestellt.
  • Vergleichsbeispiel 8-1
  • Ein Dünnschichttransistor und ein Anzeigefeld mit dem Dünnschichttransistor wurden in derselben Weise wie in Beispiel 8-1 hergestellt, außer dass, wenn die Gate-Elektrode ausgebildet wurde, eine erste leitfähige Unterschicht mit einer Dicke von 100 Å unter Verwendung von MoTi anstelle des ersten gering reflektierenden Materials ausgebildet wurde, und wenn die Source- und Drain-Elektroden ausgebildet wurden, eine erste leitfähige Unterschicht mit einer Dicke von 100 Å unter Verwendung von MoTi anstelle des zweiten gering reflektierenden Materials (oder des dritten gering reflektierenden Materials) in Vergleichsbeispiel 8-1 ausgebildet wurde.
  • Vergleichsbeispiel 8-2
  • Ein Dünnschichttransistor und ein Anzeigefeld mit dem Dünnschichttransistor wurden in derselben Weise wie in Beispiel 8-1 hergestellt, außer dass, wenn die Source- und Drain-Elektroden ausgebildet wurden, eine erste leitfähige Unterschicht mit einer Dicke von 100 Å unter Verwendung von MoTi anstelle des zweiten gering reflektierenden Materials (oder des dritten gering reflektierenden Materials) in Vergleichsbeispiel 8-2 ausgebildet wurde.
  • Reflexionsvermögen (360 nm bis 740 nm) von Einheitsfilmen und der gemäß Beispiel 8-1, Vergleichsbeispiel 8-1 und Vergleichsbeispiel 8-2 hergestellten Anzeigefelder wurden jeweils gemessen und daraus folgende Ergebnisse sind in Tabelle 8 und 14 nachstehend gezeigt. 14 ist ein Graph, der Reflexionsvermögen für jeweilige Wellenlängen der Anzeigefelder gemäß Beispiel 8-1, Vergleichsbeispiel 8-1 und Vergleichsbeispiel 8-2 zeigt. Tabelle 8
    Beispiel 8-1 Vergleichsbeispiel 8-1 Vergleichsbeispiel 8-2
    Gate S/D Gate S/D Gate S/D
    Konfiguration der leitfähigen Schicht MoNbOx/ Cu ITMO/Cu MoTi/Cu MoTi/Cu MoNbOx/ Cu MoTi/Cu
    Einheitsfilmreflexionsvermögen Y*(D65) 6,2 9,2 35,2 44,4 6,2 44,4
    L*(D65) 29,8 36,3 65,9 72,5 29,8 72,5
    a*(D65) -0,6 -14,1 7,3 0,5 -0,6 0,5
    b*(D65) -10,9 2,9 4,3 19,3 -10,9 19,3
    Anzeigefeldreflexionsvermögen Y*(D65) 8,8 ± 0,16 18,8 ± 0,16 14,6 ± 0,19
    L*(D65) 35,6 ± 0,30 50,4 ± 0,19 45,0 ± 0,26
    a*(D65) 2,0 ± 1,62 1,7 ± 0,67 1,0 ± 0,64
    b*(D65) -3,7 ± 0,52 3,2 ± 0,38 ± 0,42
  • Zuerst kann mit Bezug auf Tabelle 8, wenn jede der Gate-Elektrode, der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode die erste leitfähige Unterschicht mit dem gering reflektierenden Material umfasst, bestätigt werden, dass Y-Werte der Einheitsfilme 6,2 und 9,2 sind, was signifikant niedriger als jene von Vergleichsbeispiel 8-1 und Beispiel 8-2 ist. Mit Bezug auf 14 kann auch im Fall von Vergleichsbeispiel 8-1, in dem keine der Gate-Elektrode, der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode die erste leitfähige Unterschicht umfasst, die aus dem gering reflektierenden Material ausgebildet ist, bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen des Anzeigefeldes in einem Wellenlängenbereich von 360 nm bis 740 nm am höchsten ist. Im Fall von Vergleichsbeispiel 8-2, in dem die Gate-Elektrode die erste leitfähige Unterschicht umfasst, die aus dem ersten gering reflektierenden Material ausgebildet ist, kann bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen der Gate-Elektrode selbst niedriger ist als jenes von Vergleichsbeispiel 8-1 und das Reflexionsvermögen des Anzeigefeldes auch verbessert ist, aber Effekte davon im Vergleich zu Beispiel 8-1 unbedeutend sind. Im Fall von Beispiel 8-1, in dem die Gate-Elektrode, die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode alle die erste leitfähige Unterschicht umfassen, die aus dem gering reflektierenden Material ausgebildet ist, kann bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen beträchtlich niedriger als jene von Vergleichsbeispielen 8-1 und 8-2 in einem Wellenlängenbereich von 360 nm bis 740 nm ist und das Reflexionsvermögen bei einer Wellenlänge von 550 nm 8,8%, beträchtlich niedrig, ist. Außerdem zeigt ein herkömmliches Anzeigefeld eine rötliche Farbe aufgrund eines hohen Reflexionsvermögens der leitfähigen Schichten auf. Im Anzeigefeld gemäß Beispiel 8-1 besteht jedoch ein Effekt der Verbesserung der Sichtbarkeit und der Farben, da Farbkoordinaten in Richtung einer bläulichen Seite verschoben sind.
  • VERSUCHSBEISPIEL 9
  • Beispiel 9-1
  • Ein Anzeigefeld wurde in derselben Weise wie in Beispiel 8-1 hergestellt, außer dass eine Polarisationsplatte auf einer Oberfläche des Substrats entgegengesetzt zu einer Oberfläche davon, auf der die Gate-Elektrode ausgebildet war, in dem in Beispiel 9-1 hergestellten Anzeigefeld angeordnet wurde.
  • Beispiel 9-2
  • Ein Anzeigefeld wurde in derselben Weise wie in Beispiel 8-1 hergestellt, außer dass eine Polarisationsplatte, auf die eine Blendschutz- und gering reflektierende (AGLR) Überzugsschicht aufgebracht ist, auf der Oberfläche des Substrats entgegengesetzt zu der Oberfläche davon, auf der die Gate-Elektrode ausgebildet war, in dem in Beispiel 9-2 hergestellten Anzeigefeld angeordnet wurde.
  • Beispiel 9-3
  • Ein Anzeigefeld wurde in derselben Weise wie in Beispiel 8-1 hergestellt, außer dass eine Polarisationsplatte, auf die spiegelfrei (SF) angewendet ist, auf der Oberfläche des Substrats entgegengesetzt zu der Oberfläche davon, auf der die Gate-Elektrode ausgebildet war, in dem in Beispiel 9-3 hergestellten Anzeigefeld angeordnet wurde.
  • Reflexionsvermögen der Anzeigefelder gemäß Beispielen 9-1, 9-2 und 9-3 wurden gemessen und daraus folgende Ergebnisse davon sind in nachstehender Tabelle 9 gezeigt. Tabelle 9
    Beispiel 8-1 Beispiel 9-1 Beispiel 9-2 Beispiel 9-3
    Art der Polarisationsplatte - Polarisationsplatte AGLR/ Polarisationsplatte SF/Polarisationsplatte
    Y*(D65) 8,8 ± 0,16 6,3 ± 0,03 3,6 ± 0,05 2,4 ± 0,05
    L*(D65) 35,6 ± 0,30 30,2 ± 0,08 22,3 ± 0,17 17,3 ± 0,23
    a*(D65) 2,0 ± 1,62 0,7 ± 0,77 1,5 ± 1,71 2,3 ± 1,87
    b*(D65) -3,7 ± 0,52 -1,1 ± 0,31 -2,9 ± 0,55 0,0 ± 0,55
  • Mit Bezug auf Tabelle 9 kann bestätigt werden, dass die Anzeigefelder der Beispiele 9-1, 9-2 und 9-3, die ferner die Polarisationsplatten umfassen, Y-Werte aufweisen, die niedriger sind als jene des Anzeigefeldes von Beispiel 8-1. Insbesondere kann in Beispiel 9-2, auf das die AGLR/Polarisationsplatte angewendet wurde, und Beispiel 9-3, auf das die SF/Polarisationsplatte angewendet wurde, bestätigt werden, dass das Reflexionsvermögen des Anzeigefeldes geringer als 5%, beträchtlich niedrig, ist und die Farbkoordinatenverbesserungseffekte beträchtlich ausgezeichnet sind. Obwohl nicht speziell beschrieben, wurde in einem Prozess zum Ausbilden der leitfähigen Schichten, die aus den gering reflektierenden Materialien ausgebildet sind, um mit den obigen Versuchen fortzufahren, wenn das gering reflektierende Material der vorliegenden Offenbarung, MoNbOx oder ITMO, unter Verwendung eines existierenden Ätzmittels (z. B. SL-CI03) geätzt wurde, bestätigt, dass die leitfähigen Schichten ohne Restfilm ausgebildet wurden. Außerdem wurde bestätigt, dass eine CD-Verzerrung (Ätzzeit 70 bis 75 Sekunden) der leitfähigen Schicht, in der MoNbOx oder ITMO und Cu gestapelt waren, -0,7 µm bis -0,9 µm war. Das heißt, wenn das gering reflektierende Material gemäß der vorliegenden Offenbarung verwendet wird, kann es unmittelbar ohne signifikante Änderung des Prozesses unter Verwendung eines Ätzmittels angewendet werden, das in einem herkömmlichen Prozess zum Ausbilden von leitfähigen MoTi /Cu-Schichten verwendet wird.
  • Die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können auch wie folgt beschrieben werden:
  • Obwohl die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung im Einzelnen mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben wurden, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf begrenzt und kann in vielen verschiedenen Formen verkörpert sein, ohne vom technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Daher sind die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nur für Erläuterungszwecke vorgesehen, aber sollen das technische Konzept der vorliegenden Offenbarung nicht begrenzen. Der Schutzbereich des technischen Konzepts der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf begrenzt. Daher sollte selbstverständlich sein, dass die vorstehend beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen in allen Aspekten erläuternd sind und die vorliegende Offenbarung nicht begrenzen. Der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung sollte auf der Basis der folgenden Ansprüche aufgefasst werden und alle technischen Konzepte im äquivalenten Schutzbereich davon sollten als in den Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung fallend aufgefasst werden.
  • Diese und andere Änderungen können an den Ausführungsformen angesichts der obigen ausführlichen Beschreibung durchgeführt werden. Im Allgemeinen sollten in den folgenden Ansprüchen die verwendeten Begriffe nicht so aufgefasst werden, dass sie die Ansprüche auf die speziellen Ausführungsformen begrenzen, die in der Patentbeschreibung und den Ansprüchen offenbart sind, sondern sollten so aufgefasst werden, dass sie alle möglichen Ausführungsformen zusammen mit dem vollen Umfang an Äquivalenten umfassen, zu denen solche Ansprüche berechtigt sind. Folglich sind die Ansprüche nicht durch die Offenbarung begrenzt.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020220131215 [0001]

Claims (20)

  1. Anzeigevorrichtung, die umfasst: ein Substrat (110); und einen leitfähigen Stapel auf dem Substrat (110), wobei der leitfähige Stapel umfasst: a erste leitfähige Schicht mit einer ersten leitfähigen Unterschicht und einer zweiten leitfähigen Unterschicht, die auf der ersten leitfähigen Unterschicht angeordnet ist; und eine zweite leitfähige Schicht, die auf der ersten leitfähigen Schicht angeordnet ist, wobei die zweite leitfähige Schicht eine erste leitfähige Unterschicht und eine zweite leitfähige Unterschicht, die auf der ersten leitfähigen Unterschicht angeordnet ist, umfasst, wobei die erste leitfähige Unterschicht der ersten leitfähigen Schicht mindestens eines umfasst, das aus einem ersten gering reflektierenden Material, einem zweiten gering reflektierenden Material und einem dritten gering reflektierenden Material ausgewählt ist, wobei das erste gering reflektierende Material ein erstes Metall, ein erstes Metalloxid, ein zweites Metalloxid und ein drittes Metalloxid umfasst; wobei das zweite gering reflektierende Material ein zweites Metall und zwei oder mehr verschiedene leitfähige Oxide umfasst; und wobei das dritte gering reflektierende Material ein viertes Metalloxid und zwei oder mehr verschiedene leitfähige Oxide umfasst, wobei die erste leitfähige Unterschicht der zweiten leitfähigen Schicht mindestens eines umfasst, das aus dem zweiten gering reflektierenden Material und dem dritten gering reflektierenden Material ausgewählt ist.
  2. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Metall mindestens eines ist, das aus Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Kupfer (Cu) und Wolfram (W) ausgewählt ist, das erste Metalloxid mindestens eines ist, das aus MoO2, MoO3, NiO, CuO und Cu2O ausgewählt ist, das zweite Metalloxid mindestens eines ist, das aus Nb2O5, WO3, TiO2, ZrO2 und HfO2 ausgewählt ist und das dritte Metalloxid ZnO ist.
  3. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das erste gering reflektierende Material insgesamt 70 Gew.-% bis 80 Gew.-% des ersten Metalls und des ersten Metalloxids; 15 Gew.-% bis 25 Gew.-% des zweiten Metalloxids; und 0 bis 5 Gew.-% des dritten Metalloxids umfasst, vorzugsweise ein Gewichtsverhältnis des ersten Metalls zum ersten Metalloxid 3 bis 15 : 85 bis 97 ist.
  4. Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das zweite Metall mindestens eines ist, das aus Molybdän (Mo) und Wolfram (W) ausgewählt ist und die leitfähigen Oxide zwei oder mehr sind, die aus In2O3, SnO2 und ZnO ausgewählt sind, vorzugsweise das zweite gering reflektierende Material 20 Gew.-% bis 40 Gew.-% des zweiten Metalls und 60 Gew.-% bis 80 Gew.-% der leitfähigen Oxide umfasst.
  5. Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das vierte Metalloxid mindestens eines ist, das aus MoO3, MoO2 und WO3 ausgewählt ist und die leitfähigen Oxide zwei oder mehr sind, die aus In2O3, SnO2 und ZnO ausgewählt sind.
  6. Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das dritte gering reflektierende Material 50 Gew.-% bis 70 Gew.-% des vierten Metalloxids und 30 Gew.-% bis 50 Gew.-% der leitfähigen Oxide umfasst und/oder jedes des zweiten gering reflektierenden Materials und des dritten gering reflektierenden Materials ferner ein Dotierungsmaterial umfasst.
  7. Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei jede der ersten leitfähigen Unterschicht der ersten leitfähigen Schicht und der ersten leitfähigen Unterschicht der zweiten leitfähigen Schicht einen Brechungsindex (n) von 2,1 bis 2,9 und einen Extinktionskoeffizienten (k) von 0,6 bis 1,2 und eine Dicke von 300 Å bis 700 Å aufweist.
  8. Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei ein Widerstand der ersten leitfähigen Unterschicht der zweiten leitfähigen Schicht kleiner ist als ein Widerstand der ersten leitfähigen Unterschicht der ersten leitfähigen Schicht.
  9. Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, die ferner einen Dünnschichttransistor umfasst, der umfasst: eine Gate-Elektrode, die auf dem Substrat angeordnet ist; eine Gate-Isolationsschicht; eine aktive Schicht, die auf der Gate-Elektrode angeordnet ist, wobei die Gate-Isolationsschicht dazwischen eingefügt ist; und eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode, die die aktive Schicht kontaktieren, wobei die erste leitfähige Schicht die Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors ist und die zweite leitfähige Schicht die Source-Elektrode und/oder die Drain-Elektrode des Dünnschichttransistors ist.
  10. Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die zweite leitfähige Schicht ferner eine dritte leitfähige Unterschicht umfasst, die auf der zweiten leitfähigen Unterschicht angeordnet ist; und/oder die dritte leitfähige Unterschicht aus dem zweiten gering reflektierenden Material, dem dritten gering reflektierenden Material oder mindestens einem Metallmaterial ausgebildet ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Aluminium (Al), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Titan (Ti) und Silber (Ag) besteht.
  11. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, die ferner umfasst: eine erste Kontaktstelleneinheit und eine zweite Kontaktstelleneinheit, die auf dem Substrat angeordnet sind, wobei die Anzeigevorrichtung einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeige-Bereich benachbart zum Anzeigebereich umfasst, wobei der Dünnschichttransistor auf dem Substrat entsprechend dem Anzeigebereich angeordnet ist, wobei die erste Kontaktstelleneinheit und die zweite Kontaktstelleneinheit im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet sind, und wobei jede der ersten Kontaktstelleneinheit und der zweiten Kontaktstelleneinheit eine erste Kontaktstellenelektrode und eine zweite Kontaktstellenelektrode umfasst.
  12. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 11, wobei die erste leitfähige Schicht die erste Kontaktstellenelektrode der zweiten Kontaktstelleneinheit ist und die zweite leitfähige Schicht die erste Kontaktstellenelektrode der ersten Kontaktstelleneinheit ist; und/oder die zweite Kontaktstelleneinheit ferner eine Kontaktstellenverbindungselektrode umfasst, die zwischen der ersten Kontaktstellenelektrode und der zweiten Kontaktstellenelektrode der zweiten Kontaktstelleneinheit angeordnet ist, und wobei die zweite leitfähige Schicht die Kontaktstellenverbindungselektrode ist.
  13. Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche 1-8, die ferner umfasst: einen Dünnschichttransistor mit einer aktiven Schicht, die auf dem Substrat angeordnet ist; eine Gate-Isolationsschicht; eine Gate-Elektrode, die auf der aktiven Schicht angeordnet ist, wobei die Gate-Isolationsschicht dazwischen eingefügt ist; und eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode, die die aktive Schicht kontaktieren, wobei die zweite leitfähige Schicht die Gate-Elektrode, die Source-Elektrode und/oder die Drain-Elektrode des Dünnschichttransistors ist.
  14. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 13, die ferner eine Lichtsperrschicht umfasst, die auf dem Substrat angeordnet ist, wobei die erste leitfähige Schicht die Lichtsperrschicht ist.
  15. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 13 oder 14, die ferner umfasst: eine erste Kontaktstelleneinheit und eine zweite Kontaktstelleneinheit, die auf dem Substrat angeordnet sind, wobei die Anzeigevorrichtung einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeige-Bereich benachbart zum Anzeigebereich umfasst, wobei der Dünnschichttransistor auf dem Substrat entsprechend einem Anzeigebereich angeordnet ist, wobei die erste Kontaktstelleneinheit und die zweite Kontaktstelleneinheit im Nicht-Anzeige-Bereich angeordnet sind, und wobei jede der ersten Kontaktstelleneinheit und der zweiten Kontaktstelleneinheit eine erste Kontaktstellenelektrode und eine zweite Kontaktstellenelektrode umfasst.
  16. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 15, wobei die erste leitfähige Schicht die erste Kontaktstellenelektrode der ersten Kontaktstelleneinheit ist und die zweite leitfähige Schicht die erste Kontaktstellenelektrode der zweiten Kontaktstelleneinheit ist; und/oder die erste Kontaktstelleneinheit ferner eine Kontaktstellenverbindungselektrode umfasst, die zwischen der ersten Kontaktstellenelektrode und der zweiten Kontaktstellenelektrode der ersten Kontaktstelleneinheit angeordnet ist, und die erste leitfähige Schicht die Kontaktstellenverbindungselektrode ist.
  17. Anzeigevorrichtung, die umfasst: ein unteres Substrat; ein oberes Substrat auf dem unteren Substrat; einen Dünnschichttransistor, der auf dem oberen Substrat angeordnet ist, wobei der Dünnschichttransistor eine Gate-Elektrode mit einer ersten leitfähigen Unterschicht und einer zweiten leitfähigen Unterschicht, die auf der ersten leitfähigen Unterschicht angeordnet ist, aufweist; und eine Kontaktstellenelektrode, die auf dem oberen Substrat angeordnet ist, wobei die erste leitfähige Unterschicht ein erstes gering reflektierendes Material umfasst und wobei die zweite leitfähige Unterschicht ein zweites gering reflektierendes Material oder ein drittes gering reflektierendes Material umfasst.
  18. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 17, wobei: das erste gering reflektierende Material ein erstes Metall, ein erstes Metalloxid, ein zweites Metalloxid und ein drittes Metalloxid umfasst; das zweite gering reflektierende Material ein zweites Metall und zwei oder mehr verschiedene leitfähige Oxide umfasst; und das dritte gering reflektierende Material ein viertes Metalloxid und zwei oder mehr verschiedene leitfähige Oxide umfasst.
  19. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 17 oder 18, wobei das erste Metall mindestens eines ist, das aus Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Kupfer (Cu) und Wolfram (W) ausgewählt ist, das erste Metalloxid mindestens eines ist, das aus MoO2, MoO3, NiO, CuO und Cu2O ausgewählt ist, das zweite Metalloxid mindestens eines ist, das aus Nb2O5, WO3, TiO2, ZrO2 und HfO2 ausgewählt ist und das dritte Metalloxid ZnO ist.
  20. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 18 oder 19, wobei das zweite Metall mindestens eines ist, das aus Molybdän (Mo) und Wolfram (W) ausgewählt ist und die leitfähigen Oxide zwei oder mehr sind, die aus In2O3, SnO2 und ZnO ausgewählt sind.
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