CN117894776A - 半导体装置、电力变换装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体装置、电力变换装置。本发明的目的在于使端子处的由接合产生的热不易传递至半导体元件。半导体装置具有：板状的导体，其具有第1厚度；绝缘体，其将导体的一部分封装；半导体元件，其由绝缘体封装，与导体的一部分电连接；以及端子，其在绝缘体的外部与导体接合。从导体与端子接合的部位朝向半导体元件直至绝缘体为止的沿导体的长度大于第1厚度。

Description

半导体装置、电力变换装置
技术领域
本发明涉及半导体装置、电力变换装置。
背景技术
提出了一种对半导体装置以及搭载了半导体装置的电力变换装置的可靠性的降低进行抑制的技术。
例如，半导体模块具有半导体单元和收容该半导体单元的壳体，该壳体包含功率端子。连结部件将半导体模块与电容器电连接并且机械地连结。连结部件的背面配置于功率端子，连结部件通过从其表面贯通背面的焊接部与功率端子接合。通过对焊接部的熔深进行控制，从而抑制向进行接合的部位的与连结部件相反侧的热损害。这样的技术例如在下面的专利文献1中公开。
专利文献1：日本特开2022-6876号公报
对于在将与半导体元件电连接的导体向端子进行接合时产生的热通过导体的热传导而传递至半导体元件这一情况的抑制被认为有助于半导体装置的可靠性、乃至电力变换装置的可靠性的提高。
发明内容
本发明的目的在于，使由于端子处的接合产生的热不易传递至半导体元件。
本发明涉及的半导体装置具有：板状的导体，其具有第1厚度；绝缘体，其将所述导体的一部分封装；半导体元件，其由所述绝缘体封装，与所述一部分电连接；以及端子，其在所述绝缘体的外部与所述导体接合。从所述导体与所述端子接合的部位朝向所述半导体元件直至所述绝缘体为止的沿所述导体的长度大于所述第1厚度。
发明的效果
根据本发明涉及的半导体装置，由于端子处的接合产生的热不易传递至半导体元件。
附图说明
图1是例示实施方式1涉及的半导体装置的结构的剖视图。
图2是例示实施方式1涉及的半导体装置的结构的一部分的斜视图。
图3是例示实施方式1中的导体与半导体元件的连接的俯视图。
图4是表示实施方式2涉及的半导体装置的结构的第1例子的剖视图。
图5是表示实施方式2涉及的半导体装置的结构的第2例子的剖视图。
图6是表示实施方式2涉及的半导体装置的结构的第3例子的剖视图。
图7是表示实施方式3涉及的半导体装置的结构的第1例子的剖视图。
图8是表示实施方式3涉及的半导体装置的结构的第2例子的剖视图。
图9是例示实施方式4涉及的半导体装置的结构的剖视图。
图10是例示实施方式5涉及的半导体装置所利用的半导体模块以及导体的外观的斜视图。
图11是例示实施方式5涉及的半导体装置的外观的斜视图。
图12是图11的位置HH处的半导体装置的剖视图。
图13是表示电力变换系统的结构的框图，该电力变换系统应用了实施方式8涉及的电力变换装置。
具体实施方式
实施方式1
图1是例示实施方式1涉及的半导体装置4的结构的剖视图。
图2是例示实施方式1涉及的半导体装置4的结构的一部分的斜视图。
半导体装置4具有半导体模块6、导体8和端子9。图2示出了导体8及端子9、和导体8及端子9附近的半导体模块6的一部分。端子9也可以在与半导体模块6相反侧开设有孔90(参照图2)。但是，在图1中省略了孔90的描画。
半导体模块6具有半导体元件64a和绝缘体60。绝缘体60作为将导体8的一部分8a和半导体元件64a封装的封装材料起作用。在图1中，为了提高视觉识别性而省略了一部分8a的使用标号作出的指示。
例如，绝缘体60采用环氧树脂。例如，绝缘体60采用下述构造，即，由以聚苯硫醚(PPS：Polyphenylene sulfide)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET：Polyethyleneterephthalate)为材料形成的壳体(框体)将凝胶包围，该凝胶将一部分8a和半导体元件64a封装。
一部分8a与半导体元件64a在电气上例如经由配线63电连接。配线63的材料例如采用铝。配线63例如采用键合导线会提高半导体元件64a、导体8的布局的自由度，有助于半导体装置4的小型化。
导体8呈具有厚度t的板状。为了便于说明，采用导体8的厚度方向作为方向Z。采用导体8中的从绝缘体60的外部朝向一部分8a的方向作为方向X。方向X与方向Z不同，典型地来说，方向X与方向Z正交。在以下的说明中，方向X和方向Z正交，并且引入与它们正交而构成所谓的右手坐标系的方向Y。
导体8和端子9使用电阻小的材料例如铜而形成。端子9在绝缘体60的外部与导体8接合。导体8与端子9在部位7处接合。导体8与端子9的接合例如通过激光接合、使用了烙铁的焊料接合而实现。绝缘体60在部位7侧具有端面60g。
在图2中，例示了通过从端子9侧进行的激光接合，(与图1不同)部位7的面7a从端子9露出的形态。导体8与端子9的接合是例如通过激光焊接而得到的这一点有助于半导体装置4的小型化。虽然激光焊接会局部大幅发热，但通过构造上的特征，该发热经由导体8对半导体模块6造成的影响得到抑制。该特征包含：从部位7朝向半导体元件64a直至绝缘体60为止的(如果按照图1来说的话是部位7与端面60g之间的)沿导体8的长度即距离a大于厚度t。该特征的优点将在后面详细记述。
例如，半导体模块6具有板状的导体61、半导体元件64b、接合材料62a、62b。导体61经由接合材料62a与半导体元件64a连接，经由接合材料62b与半导体元件64b连接。例如，接合材料62a和导体61在相对于半导体元件64a的相同侧(在图1的例示中为方向Z侧)与半导体元件64a连接。
例如，半导体模块6具有接合材料65a、65b、电路图案66、绝缘层67。电路图案66相对于绝缘层67设置于半导体元件64a、64b侧。
电路图案66经由接合材料65a与半导体元件64a连接，经由接合材料65b与半导体元件64b连接。例如，接合材料62a与接合材料65a相对于半导体元件64a位于彼此相反侧。例如，接合材料62b与接合材料65b相对于半导体元件64a位于彼此相反侧。例如，电路图案66与导体61在方向Z上夹着半导体元件64a、64b。
绝缘层67例如使用树脂、陶瓷形成。导体61以及电路图案66使用电阻小的材料例如铜而形成。接合材料62a、62b、65a、65b的材料例如采用焊料、银。
例如，半导体模块6具有导体箔68。导体箔68相对于绝缘层67设置于与电路图案66相反侧。
绝缘体60将半导体元件64b、接合材料62a、62b、65a、65b、电路图案66、绝缘层67封装。绝缘体60将导体箔68中的至少绝缘层67侧、和导体61中的至少与接合材料62a、62b接合的部分封装。
绝缘体60使导体箔68中的至少与绝缘层67相反侧的一部分向绝缘体60的外部露出。例如，在图1中例示了导体箔68的与方向Z相反侧露出的情况。
绝缘体60使导体61中的至少一部分向绝缘体60的外部露出。例如，在图1中例示了导体61的方向X侧露出的情况。
例如，半导体装置4具有冷却器51和接合材料52。绝缘体60不将冷却器51封装。接合材料52将冷却器51与从绝缘体60露出的导体箔68接合。冷却器51使用热传导性高的材料，例如铝、铜而形成。接合材料52的材料例如采用焊料、银。
图3是例示导体8与半导体元件64a的连接的俯视图。在图3中也省略了孔90的描画。半导体元件64a具有控制部641。配线63将一部分8a与控制部641相连而电连接。配线63采用键合导线，由配线63将一部分8a与控制部641相连这一点能够进行配线63的高效的配置，有助于半导体模块6的内部的布局的自由度的提高，乃至半导体装置4的小型化。
在端子9与导体8接合时，在接合的部位产生的热随着接合方法的不同而大幅不同。例如，在端子9的材料使用铜，通过激光进行深熔(keyhole)焊接的情况下，虽然是局部且瞬间的，但被接合的部位的温度超过铜的熔点(大于或等于1000℃)。
从半导体模块6的可靠性、乃至半导体装置4的可靠性的观点来看，优选抑制由接合产生的热通过导体8向绝缘体60以及绝缘体60所封装的要素传递。
就上述抑制而言，优选增加从部位7至绝缘体60或由绝缘体60封装的要素为止的距离，并且使导体8的厚度t变薄，从而不易传递热量。仅仅通过延长导体8使部位7远离绝缘体60，则为了提高上述的抑制的效果，导体8乃至半导体模块6、半导体装置4所占的空间会扩大。
缩短导体8的沿方向Y的长度即宽度B虽然对上述的抑制有贡献，但部位7在俯视观察时的面积减小。上述减小被认为可能导致导体8与端子9之间的接合的强度的降低、机械可靠性的降低、电可靠性的降低。
引入作为端子9的沿方向Y的长度的宽度B'、作为端子9的沿方向Z的长度的厚度t'、在接合时施加至部位7的热量Qo、从部位7传递至绝缘体60的热量Q、从部位7向端子9的与绝缘体60相反侧(方向X的相反侧)的前端9a传递的热量Q'、接合时的部位7的温度To、绝缘体60的温度T和前端9a的温度T'，下式成立。
Q∝(To-T)*B*(t/a)…(1)
Q'∝(To-T')*B'*t'…(2)
Q＝Qo-Q'…(3)
根据式(3)，为了抑制热量Q而增加热量Q'也是一种方案。但是，在接合时T'>T，式(2)右边的(To-T')小于式(1)右边的(To-T)。由此，增加热量Q'是不现实的。由于相同的原因，宽度B'、厚度t'对热量Q的影响小。
根据这样的情况，式(1)中的宽度B、厚度t、距离a成为大幅对热量Q起作用的参数。从得到接合的强度的观点来看，优选使部位7在俯视观察时的面积增大。由此，使宽度B、B'减小也是不现实的。
这样，上述的距离a大于厚度t这一特征抑制向半导体模块6传递的热量。端子9处的由接合产生的热不易传递至半导体元件64a，半导体元件64a的可靠性、乃至半导体装置4的可靠性提高。
实施方式2
图4是表示实施方式2涉及的半导体装置4的结构的第1例子的剖视图。实施方式2涉及的半导体装置4的半导体模块6以及导体8与实施方式1涉及的半导体装置4的半导体模块6以及导体8同样地构成。实施方式2涉及的半导体装置4具有端子91以替代实施方式1涉及的半导体装置4的端子9。
端子91具有第1部分91a和第2部分91b。第1部分91a与导体8接触，与导体8接合。例如，第1部分91a在导体8的方向Z侧与导体8接触。部位7例如位于第1部分91a与导体8之间。在第1部分91a与导体8的接合采用激光接合时，如图2所例示的那样，面7a从端子9露出。
第2部分91b与第1部分91a连结，相对于第1部分91a弯曲。例如，在实施方式2的第1例子涉及的半导体装置4中，第2部分91b比第1部分91a远离半导体模块6。例如，第2部分91b从第1部分91a向远离导体8的方向(如果按照图4来说的话是方向Z)延伸。
与端子9相比，端子91相对于其导体8乃至半导体模块6的布局的自由度提高。该提高有助于半导体装置4的小型化。由于第2部分91b的存在，端子91与端子9相比体积容易增大。该体积的增大导致端子91的热容量的增大，来自部位7的热量中的传递至端子91的热量增大。传递至端子91的热量的增大有助于向半导体模块6传递的热量、乃至向半导体元件64a传递的热量的抑制(参照式(3))。
图5是表示实施方式2涉及的半导体装置4的结构的第2例子的剖视图。在实施方式2的第2例子涉及的半导体装置4中，第1部分91a与第2部分91b在比部位7靠近半导体模块6处连结，因而在比部位7靠近半导体元件64a处连结。
如果将第2例子与第1例子比较，则在容易得到a>t的关系这一点上是有利的，进而在容易抑制热向半导体模块6的传导、进一步来说向半导体元件64a的传导这一点上是有利的。
图6是表示实施方式2涉及的半导体装置4的结构的第3例子的剖视图。实施方式2的第3例子是在实施方式2的第2例子的基础上还具有以下特征，即，第1部分91a在与第2部分91b相反侧在导体8上具有端面91c。如果与从半导体模块6观察时端面91c远离导体8的情况下的第2例子比较，则第3例子除了第2例子的效果之外，还有助于半导体装置4的小型化。
实施方式3
在实施方式3涉及的半导体装置4中，与实施方式2涉及的半导体装置4的第2例子以及第3例子同样地，采用端子91，第1部分91a与导体8接合，第1部分91a和第2部分91b在比部位7靠近半导体元件64a处连结。
在实施方式3涉及的半导体装置4中，在将厚度t作为长度而示出导体8的方向即方向Z上，在第2部分91b与绝缘体60之间夹着导体8。
图7是表示实施方式3涉及的半导体装置4的结构的第1例子的剖视图。在图7中，与实施方式2涉及的半导体装置4的第3例子同样地，例示了端面91c处于导体8上的情况。端面91c在从半导体模块6观察时也可以远离导体8。
在图7中，例示了绝缘体60具有内陷角60d、在内陷角60d处第2部分91b在方向Z上在与绝缘体60之间夹着导体8的情况。第2部分91b处于在其与绝缘体60之间夹着导体8的位置这一点会降低导体8从绝缘体60凸出的长度，进而有助于半导体装置4的小型化。内陷角60d的存在有助于在第2部分91b与绝缘体60之间夹着导体8。
在绝缘体60具有内陷角60d的情况下，距离a也是从部位7朝向半导体元件64a直至绝缘体60为止的沿导体8的长度。由此，在实施方式3涉及的半导体装置4的结构的第1例子中，与实施方式1以及实施方式2同样地，距离a也是部位7与端面60g之间的沿导体8的长度。
图8是表示实施方式3涉及的半导体装置4的结构的第2例子的剖视图。在实施方式3涉及的半导体装置4的结构的第2例子中，部位7沿方向Z与绝缘体60并列。部位7的如上所述的配置会降低导体8从绝缘体60凸出的长度，进而有助于半导体装置4的小型化。
在部位7沿方向Z与绝缘体60并列的情况下，距离a也是从部位7朝向半导体元件64a直至绝缘体60为止的沿导体8的长度。由此，在该情况下，距离a不是部位7与端面60g之间的沿导体8的长度。在该情况下，距离a是部位7与在内陷角60d处绝缘体60在部位7侧出现的端面(在图8中表示内陷角60d的引出线的前端所接触的面)之间的长度。
在实施方式3涉及的半导体装置4的结构的第2例子中，绝缘体60处于部位7的正下方(方向Z的相反侧)，因此绝缘体60的温度容易上升。但是，由于向半导体元件64a的热传递经由导体8，所以如上述所示通过a>t的关系而得到抑制。
考虑到向绝缘体60其自身传递的热的影响，将导体8与端子91通过接合时的温度比较低的接合方法进行接合，例如使用烙铁通过焊料而接合。例如，绝缘体60采用耐热性高的材料。
实施方式4
图9是例示实施方式4涉及的半导体装置4的结构的剖视图。在实施方式4涉及的半导体装置4中，替代实施方式2涉及的半导体装置4所采用的端子91而采用端子92。
端子92与端子91同样地具有第1部分91a和第2部分91b。端子92是压接(press-fit)端子，第2部分91b在与第1部分91a相反侧具有插入部92c。
在图9中，与实施方式2涉及的半导体装置4的第2例子以及实施方式3涉及的半导体装置4同样地，例示了第1部分91a和第2部分91b在比部位7靠近半导体元件64a处连结的情况。在第1部分91a和第2部分91b在比部位7远离半导体元件64a处连结的情况下(参照图4)，第2部分91b也可以在与第1部分91a相反侧具有插入部92c。
插入部92c插入至未图示的对象物(被插入部)，对该对象物与端子92的导通，乃至经由导体8、配线63的与半导体元件64a的导通做出贡献。插入部92c对对象物与端子92的机械固定，乃至经由导体8的与半导体模块6的机械固定做出贡献。采用作为压接端子的端子92这一点在搭载半导体装置4的电力变换装置(在后面进行例示)中对安装时的选项的扩大做出贡献，有助于半导体装置4的配置自由度的提高、乃至使用电力变换装置的单元的小型化。
实施方式5
图10是例示实施方式5涉及的半导体装置4所具有的半导体模块6以及导体8的外观的斜视图。图11是例示实施方式5涉及的半导体装置4的外观的斜视图。图12是在图11的位置HH处沿方向Y观察的半导体装置4的剖视图。
实施方式5涉及的半导体装置4具有端子93以替代上述的端子9、91、92。端子93在部位7处与导体8接合。
绝缘体60具有凹凸60b。在图10、图11及图12中例示了凹凸60b比导体8更靠方向Z侧的情况。另外，在这些图中，虽然例示了绝缘体60也具有内陷角60d的情况，但在实施方式5中内陷角60d的存在不是必需的。
凹凸60b具有凹部60e和凸起60f。凹部60e相对于绝缘体60的方向Z上的主要的端面60a凹陷。例如，凹部60e与内陷角60d连续。凸起60f从凹部60e例如向方向Z凸出。
端子93具有与凸起60f嵌合的凹部93a。例如，凹部93a是贯通端子93的孔，在端子93与导体8接合的状态下，凸起60f从凹部93a露出。
在实施方式5中，也将距离a作为从部位7朝向半导体元件64a直至绝缘体60为止的沿导体8的长度而进行说明。具体而言，例如距离a是部位7与绝缘体60的部位7侧的端面60g之间的长度。
凸起60f与凹部93a嵌合这一点会使端子93的位置的精度提高，使部位7处的接合的品质稳定，进而有助于半导体装置4的小型化、可靠性的提高。
实施方式6
就实施方式1至实施方式5中任意者的半导体装置4而言，半导体元件64a例如具有反向导通绝缘栅型双极晶体管(RC-IGBT：Reverse Conducting Insulated Gate BipolarTransistor)。例如，半导体元件64a是反向导通绝缘栅型双极晶体管。同样地，半导体元件64b也具有反向导通绝缘栅型双极晶体管，例如半导体元件64b也可以是反向导通绝缘栅型双极晶体管。或者，也可以省略半导体元件64b。
半导体元件64a具有反向导通绝缘栅型双极晶体管这一点会降低半导体装置4所包含的芯片的数量，进而有助于半导体装置4的小型化。
实施方式7
就实施方式1至实施方式5中任意者的半导体装置4而言，半导体元件64a例如也包含碳化硅(SiC)作为半导体。同样地，半导体元件64b也可以包含碳化硅(SiC)作为半导体。
采用碳化硅作为半导体这一点会降低半导体装置4的损耗，进而有助于半导体装置4的小型化、高密度化。
实施方式8
本实施方式是将上述实施方式1至实施方式7涉及的半导体装置4应用于电力变换装置。本发明并不限于特定的电力变换装置，但对将本发明应用于三相逆变器的情况进行说明。
图13是表示电力变换系统的结构的框图，该电力变换系统应用了本实施方式涉及的电力变换装置。
图13所示的电力变换系统由电源100、电力变换装置200、负载300构成。电源100为直流电源，将直流电力供给至电力变换装置200。电源100可以由各种电源构成，例如，能够由直流系统、太阳能电池、蓄电池构成，也可以由与交流系统连接的整流电路、AC/DC转换器构成。另外，也可以由将从直流系统输出的直流电力变换为规定的电力的DC/DC转换器构成电源100。
电力变换装置200为连接于电源100和负载300之间的三相逆变器，将从电源100供给来的直流电力变换为交流电力，将交流电力供给至负载300。如图13所示，电力变换装置200具有：主变换电路201，其将直流电力变换为交流电力而输出；驱动电路202，其输出对主变换电路201的各开关元件进行驱动的驱动信号；以及控制电路203，其将对驱动电路202进行控制的控制信号输出至驱动电路202。
负载300为由从电力变换装置200供给来的交流电力驱动的三相电动机。此外，负载300并不限于特定的用途，其为搭载于各种电气设备的电动机，例如，用作面向混合动力汽车、电动汽车、铁路车辆、电梯、或空调设备的电动机。
以下，对电力变换装置200的详情进行说明。主变换电路201具有开关元件和续流二极管(未图示)，通过开关元件的通断，从而将从电源100供给来的直流电力变换为交流电力而供给至负载300。主变换电路201的具体的电路结构是多种多样的，但本实施方式涉及的主变换电路201为2电平的三相全桥电路，能够由6个开关元件和分别与开关元件反并联的6个续流二极管构成。主变换电路201的各开关元件应用上述的实施方式1至实施方式7中任意者涉及的半导体装置4。6个开关元件2个2个地串联连接而构成上下桥臂，各上下桥臂构成全桥电路的各相(U相、V相、W相)。而且，各上下桥臂的输出端子，即主变换电路201的3个输出端子与负载300连接。
驱动电路202生成对主变换电路201的开关元件进行驱动的驱动信号，供给至主变换电路201的开关元件的控制电极。具体而言，驱动电路202按照来自后述的控制电路203的控制信号，将使开关元件成为接通状态的驱动信号和使开关元件成为断开状态的驱动信号输出至各开关元件的控制电极。在将开关元件维持为接通状态的情况下，驱动信号是大于或等于开关元件的阈值电压的电压信号(接通信号)，在将开关元件维持为断开状态的情况下，驱动信号成为小于或等于开关元件的阈值电压的电压信号(断开信号)。
控制电路203对主变换电路201的开关元件进行控制以将所期望的电力供给至负载300。具体而言，基于应该供给至负载300的电力对主变换电路201的各开关元件应该成为接通状态的时间(接通时间)进行计算。例如，能够通过与应该输出的电压对应地对开关元件的接通时间进行调制的PWM控制而对主变换电路201进行控制。而且，将控制指令(控制信号)从控制电路203输出至驱动电路202，以使得在各时间点将接通信号输出至应该成为接通状态的开关元件，将断开信号输出至应该成为断开状态的开关元件。驱动电路202按照该控制信号，将接通信号或断开信号作为驱动信号输出至各开关元件的控制电极。
在本实施方式涉及的电力变换装置中，由于将实施方式1至实施方式7涉及的半导体装置4用作主变换电路201的开关元件，所以电力变换装置得以小型化。
本实施方式不限定于将半导体装置4应用于上述的2电平的三相逆变器的情况，包含将半导体装置4应用于各种电力变换装置的情况。除了上述的2电平的电力变换装置之外，也可以将半导体装置4应用于3电平、多电平的电力变换装置，在对单相负载供给电力的情况下也可以将半导体装置4应用于单相逆变器。另外，在对直流负载等供给电力的情况下，也可以将半导体装置4应用于DC/DC转换器、AC/DC转换器。
另外，应用了半导体装置4的电力变换装置并不限定于负载为电动机的情况。例如，该电力变换装置能够用作向放电加工机、激光加工机、或感应加热烹调器、非接触器供电系统供给电源的电源装置。该电力变换装置能够用作太阳能发电系统、蓄电系统等的功率调节器。
此外，能够将各实施方式自由组合，将各实施方式适当地变形、省略。
以下将本发明的各方案汇总记载为附录。
(附录1)
一种半导体装置，其具有：
板状的导体，其具有第1厚度；
绝缘体，其将所述导体的一部分封装；
半导体元件，其由所述绝缘体封装，与所述一部分电连接；以及
端子，其在所述绝缘体的外部与所述导体接合，
从所述导体与所述端子接合的部位朝向所述半导体元件直至所述绝缘体为止的沿所述导体的长度大于所述第1厚度。
(附录2)
根据附录1所述的半导体装置，其中，
所述端子具有：
第1部分，其与所述导体接触，与所述导体接合；以及第2部分，其与所述第1部分连结，相对于所述第1部分弯曲。
(附录3)
根据附录2所述的半导体装置，其中，
所述端子是在所述第2部分的与所述第1部分相反侧具有插入部的压接端子。
(附录4)
根据附录2所述的半导体装置，其中，
所述第1部分和所述第2部分在比所述部位靠近所述半导体元件处连结。
(附录5)
根据附录4所述的半导体装置，其中，
所述第1部分在与所述第2部分相反侧在所述导体上具有端面。
(附录6)
根据附录5所述的半导体装置，其中，
所述导体沿第1方向具有所述第1厚度，
所述第2部分在所述第1方向上与所述绝缘体之间夹着所述导体。
(附录7)
根据附录6所述的半导体装置，其中，
所述绝缘体具有内陷角，
在所述内陷角处，所述第2部分在所述第1方向上与所述绝缘体之间夹着所述导体。
(附录8)
根据附录7所述的半导体装置，其中，
所述部位沿所述第1方向与所述绝缘体并列。
(附录9)
根据附录1至8中任一项所述的半导体装置，其中，
所述绝缘体具有凸起，
所述端子具有与所述凸起相嵌合的凹部。
(附录10)
根据附录1至9中任一项所述的半导体装置，其中，
还具有键合导线，该键合导线将所述一部分与所述半导体元件连接。
(附录11)
根据附录10所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件具有控制部，
所述键合导线将所述一部分与所述控制部相连。
(附录12)
根据附录1至11中任一项所述的半导体装置，其中，
所述部位是通过激光焊接而得到的。
(附录13)
根据附录1至12中任一项所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件具有反向导通绝缘栅型双极晶体管。
(附录14)
根据附录1至12中任一项所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件包含碳化硅作为半导体。
(附录15)
一种电力变换装置，其具有：
主变换电路，其具有附录1至14中任一项所述的半导体装置，该主变换电路将输入进来的电力变换而输出；
驱动电路，其将对所述半导体装置进行驱动的驱动信号输出至所述半导体装置；以及
控制电路，其将对所述驱动电路进行控制的控制信号输出至所述驱动电路。
标号的说明
4半导体装置，7部位，8导体，8a一部分，9、91、92、93端子，60绝缘体，60d内陷角，60f凸起，64a、64b半导体元件，63配线，91a第1部分，91b第2部分，91c端面，92c插入部，93a凹部，200电力变换装置，201主变换电路，202驱动电路，203控制电路，641控制部，a距离，t厚度，Z方向。

Claims (15)

1.一种半导体装置，其具有：
板状的导体，其具有第1厚度；
绝缘体，其将所述导体的一部分封装；
半导体元件，其由所述绝缘体封装，与所述一部分电连接；以及
端子，其在所述绝缘体的外部与所述导体接合，
从所述导体与所述端子接合的部位朝向所述半导体元件直至所述绝缘体为止的沿所述导体的长度大于所述第1厚度。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述端子具有：
第1部分，其与所述导体接触，与所述导体接合；以及
第2部分，其与所述第1部分连结，相对于所述第1部分弯曲。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述端子是在所述第2部分的与所述第1部分相反侧具有插入部的压接端子。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述第1部分和所述第2部分在比所述部位靠近所述半导体元件处连结。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
所述第1部分在与所述第2部分相反侧在所述导体上具有端面。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
所述导体沿第1方向具有所述第1厚度，
所述第2部分在所述第1方向上与所述绝缘体之间夹着所述导体。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
所述绝缘体具有内陷角，
在所述内陷角处，所述第2部分在所述第1方向上与所述绝缘体之间夹着所述导体。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，
所述部位沿所述第1方向与所述绝缘体并列。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中，
所述绝缘体具有凸起，
所述端子具有与所述凸起相嵌合的凹部。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其中，
还具有键合导线，该键合导线将所述一部分与所述半导体元件连接。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件具有控制部，
所述键合导线将所述一部分与所述控制部相连。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置，其中，
所述部位是通过激光焊接而得到的。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件具有反向导通绝缘栅型双极晶体管。
14.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件包含碳化硅作为半导体。
15.一种电力变换装置，其具有：
主变换电路，其具有权利要求1至14中任一项所述的半导体装置，该主变换电路将输入进来的电力变换而输出；
驱动电路，其将对所述半导体装置进行驱动的驱动信号输出至所述半导体装置；以及
控制电路，其将对所述驱动电路进行控制的控制信号输出至所述驱动电路。
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